KR20070033460A - 유기박막디바이스에서 유기막 전하주입을 향상하기 위한방법 - Google Patents

유기박막디바이스에서 유기막 전하주입을 향상하기 위한방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 제1실시예에서는 제1용매에 유기체를 용해시켜 제1용액을 제공하는 단계와; 제2용매에 무기염을 용해시켜 제2용액을 제공하는 단계와; 제2용액과 제1용액을 혼합하여 혼합용액을 제공하는 단계와; 및 상기 혼합된 용액을 사용하여 유기박막 디바이스를 제조공정에서 무기염이 도핑된 유기박막을 제작하는 단계를 포함하여 유기박막디바이스(Organic Thin Film Devoce)를 제조하는 방법이다.
유기발광다이오드, 유기박막디바이스, 전하주입,

Description

유기박막디바이스에서 유기막 전하주입을 향상하기 위한 방법{A METHOD OF IMPROVING THE CHARGE INJECTION TO ORGANIC FILMS IN ORGANIC THIN FILM DEVICES}
본 발명은 일반적인 재료과학분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기박막피름장치에 관한 것이다.
유기박막디바이스의 연구와 개발은 과거 20년을 경과하면서 가장 크게 주목을 받아왔다. 이러한 관심은 장치의 특성에 대한 동일한 관심을 갖도록 기여할 수 있었고, 예를들면, 가공공정은 오히려 간단하고, 그리고 요구된 생산기구는 상대적으로 상대적으로 복잡하지 않고 저가이다. 요구되는 제조방법은 엄격하지 않으며, 그리고 장치는 유연한 기판에서 가공될 수 있어야 한다. 추가적으로 이러한 장치에 사용되는 유기체는 저가이고, 재료의 소비가 경쟁기술보다 더 적다. 이러한 특징은 현재 석영(Si) 또는 게르마늄(Ge) 반도체디바이스의 현재 제조비용보다 더 낮게된다. 이는 인용문헌 (Shaw, J.M. and Seidler, P.F., Organic Electronics;Introduction, IBM Journal of Research and Development, January 2001, page 3-9, volume 45, IBM Corporation, USA)에 기재된 바와 같다.
박막디바이스의 응용은, 예를들면, 유기박막트랜지스터(OTFT, Organic Thin Film Transistors)), 유기박막스토리지장치(OTFSD, Organic Thin Film Storage Device), 유기발광다이오드(OLED, Organic Light-Emmiting Diode), 유기박막태양전지(OTFSC, Organic Thin Film Solar Cells) 및 유기박막레이저(OTFL, Organic Thin Film Lasers)를 포함한다.
유기발광다이오드는 차세대의 평판 디스플레이 기술로서 인용문헌(stated by Barry Young, Status of OLED Manufacturing & Search for New Application, OLEDs, 2003, Intertech, Portland, Maine)을 통해 엘시디(LCD)를 잠재적으로 대체할 수 있는 것으로 널리 알려져 있다. 유기발광다이오드의 발광메커니즘은 오히려 더 간단하다. 특히 발광유기체는, Alq3, PPV유도체와 폴리플루오런스 유도체와 같은, 작은 유기분자재료와 중합체등에서 두개의 전극사이에 삽입된다. 전압이 상기 전극에 인가되면 상기 유기체는 발광한다. 주 요지로서, 간단한 픽셀로 레드, 그린, 블루 발광 유기체로 구성되고, 각각 개별적으로 전극을 갖는다. 인가된 전압을 조정하으로서 세개의 유기체의 각가의 전극에 인가되는 전압의 조정은 각 픽셀에서 광의 색상으로 변환시킬 수 있다.
유기발광다이오드는 평판디스플레이에 기초를 두고, 고 해상도와 통상의 밝기와, 명암, 광량, 저전력소비와 유연성을 포함하는 많은 장점을 갖는다. 게다가 유기발광다이오드의 제조공정은 오히려 간단하다. 유리기판 또는 유연한 전도성 기판에 코팅된 투명한 인듐주석산화물(Transparent Indium Tin Oxide)은 전극으로서 사용된다. 유기체는 증착(작은 유기분자용) 될 수 있고, 스핀코팅 또는 잉크젯으로 전극위에 인쇄된다(중합체용). 다른 전극은 물리적 증착법(PVD)에 의해 상기 유기막으로 증착된다. 이러한 유기발광다이오드의 기본구조의 두께는 1마이크로미터의 단위로서 주문된다. 전형적인 유기발광다이오드의 구조는, 인용문헌을 참조한 도1에 도시된 바와 같다.(인용문헌: Tang, C.W. and Van Slyke, S.A. Applied Physics Letter, Organic Electroluminescent Diode, September 1987, page 913-915, volume 51, American Institute of Physics, USA; Adachi, C., Tokito, S., Tsutsui, T. and Saito, S. Japanese Journal of Applied Physics, 1988, page L269 and L713, volume 27, The japanese Society of Applied Physics, Japan; Burns, P.L., and Holmes, A.B. Nature, Light-Emitting Diodes Based on Conjugated Polymers, October 1990, page 539-541, volume 345, Nature Publishing Group, London)
산업전문가들은 유기발광다이오드 기술이 곧 평판디스플레이의 시장경쟁자로서 등장할 것이라고 예언하였다. 디스플레이서치(DisplaySearch)에 기초를 둔 오스틴(Austin)은, 시장조사와 디스플레이용 컨설팅회사, 전세계 휴대용 전화기의 약 50%가 2010년까지 유기발광다이오드기술을 사용할 것이라고 예언하였고, 유기발광다이오드에 기초를 둔 컴퓨터 스크린과, 텔레비젼셋트는 인용문헌(By Bary Young, Status of OLED manufacturing & the Search for New Application, OLEDs 2003, Intertech, Portland, Maine)에서 언급된 바와 같이 2010에서 2015년내에 출현할 것이다.
최근의 비판적인 문제는 유기발광다이오드 기술의 산업화는 유기발광다이오드 디스플레이의 수명과 효율성에서 장애를 갖는 것이다. 현재, 통상의 액정디스플레이(LCD)는 50,000 시간의 수명을 갖지만, 유기발광다이오드는 최고 10,000시간의 수명을 갖는다. 유기발광다이오드 디스플레이의 수명연장은 인용문헌에서 언급된 바와 같이 유기발광기술의 경쟁력을 만들기 위한 과학계와 산업계 중에서 중요한 문제점이다.(인용문헌 : by Barry Young, Status of OLED manufacturing & the Search for New Applications, OLEDs 2003, Intertech, Portland, Maine)
다양한 방법이 유기발광다이오드의 효율성을 향상시키고, 평활 계면전하주입(smoothing interfacial charge injection), 애노드와, PEDOT-PSS와 같은, 유기막사이에 도전 중합체 박막을 주입등에 의한 수명연장을 위해 제안되었고 이는 인용문헌(Groenendael, L., Jonas, F., Fritag, D., Pielartzik, H. and Reynolds, J, R., Advanced Materials, Poly(3, 4-ethylenedioxythiophene) and Its Derivatives: Past, Present, and Future, July 2000, page 481-494, volume12, Wiley-VCH Verlag Gmbh, Germany)에 기재되었고, 그리고, 애노드와 유기막사이에서 리튬플루오라이드와 같은 무기박막의 박막층을 삽입하는 방법(인용문헌2 ; Hung, L. S., Tang, C.W and Mason, G.C Applied Physics Letter, Enhanced Electron Injection in Organic Electroluminescence Devices Using an Al/LiF Electrode, January 1997, page 152-154, volume 70, American Institute of Physics, USA)과, 가장 최근에 제안된 애노드와 유기막 사이에 유기염 박막층을 삽입하는 방법(인용문헌3; Zhao, J.M., Zhan, Y.Q., Zhang, S.T., Wang, X., Zhou, Y.C, Wu, Y., Wang, Z.J., Ding, X.M and Hou, X.Y. applied Physics Letter, Mechani는 of Injection Enhancement in Organic Light-Emitting Diodes Through Insulating Buffer, June 2004, page 5377-5379, volume 84, American Institute of Physics, USA)이 제안되었다. 그러나 이와 같은 여러 가지 방법은 소정의 한계를 갖으며, 제조공정이 복잡하였다.
유기염을 갖는 유기박막의 도핑은 인용문헌4(Alan J.Heeger et al. in 1995.)에서 제안되었다. 상기 방법은 발광을 향상시킬 수 있으나, 다수의 단점을 갖으며 이는 인용문헌5에 기재된 바와 같다.(인용문헌 5; Pei, q.B., Yu, G.Zhang, C., Yang, Y. and Heeger, A.L. Science, Polymer Light-Emotting electrochemical Cells, August 1995, page 1086-1088, volume 269, American Association for the Advancement Science, USA; Pei, Q.B., Yang, Y., Yu, G., Zhang, C. and Heeger, A.J. Journal of American Chemocal Society, Polymer Lght-emitting Electrochemical Cells: In Situ Formation of a Light-Emitting p=n Junction, 1996, page 3922-3929, volume 118, American Chemical society, USA). 따라서 위 방법은 주목을 받지 못하였고, 유기염으로 도핑되는 장치는 심각한 비선형현상(Hysteresis)을 갖는다.
본 발명의 제1실시예에서는 제1용매에 유기체를 용해시켜 제1용액을 제공하는 단계와; 제2용매에 무기염을 용해시켜 제2용액을 제공하는 단계와; 제2용액과 제1용액을 혼합하여 혼합용액을 제공하는 단계와; 및 상기 혼합된 용액을 사용하여 유기박막 디바이스를 제조공정에서 무기염이 도핑된 유기박막을 제작하는 단계를 포함하여 유기박막디바이스(Organic Thin Film Devoce)를 제조하는 방법이다.
본 발명의 제2실시예에서는 용매내에 유기체를 용해시켜 유기용액을 제공하고, 무기염이 도핑된 유기용액을 형성하기 위해 유기용액에 무기염을 추가하고, 상기 무기염이 도핑된 유기용액을 사용하여 유기박막 디바이스의 제조공정에서 유기박막을 준비하는 단계를 포함하여 유기박막 디바이스의 제조방법이다.
본 발명의 제3실시예에서, 상기 무기염은 MnXm으로 구성된 그룹으로, LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr, CsI, BeF2, BeCl2, BeBr2, BeI2, MgF2, MgCl2, MgBr2, MgI2, CaF2, CaCl2, CaBr2, CaI2, SrF2, SrCl2, SrBr2, SrI2, BaF2, BaCl2, BaBr2, BaI2를 포함하는 그룹으로부터 선택되고, 상기 M은 양이온, X는 음이온 n과 m은 각 정수이다.
무기염의 다른 유형 또한 사용되어진다. 본 발명의 타실시예로서, 다른 메탈이온, 전이금속으로서, 다른 메탈이온은 유기체내에 불순물(Dopant)로서 사용되어질 수 있다.
본 발명의 제4실시예는 유기박막디바이스이다. 상기 유기박막디바이스는 적어도 한 쌍의 전극과 각각의 전극에 근접한 유기체가 도핑된 무기염의 박막을 포함한다. 본 발명의 또 다른 실시예는 세 개 또는 그 이상의 전극이 박막디바이스에서 사용된다.
본 발명은 하기와 같이 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예의 설명으로부터 더욱 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 유기발광다이오드를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기발광다이오드의 도면이다.
도 3은 전원이 바이어스된 도 2의 유기발광다이오드를 도시한 도면이다.
도면을 참조하면, 먼저 도 2에서는 유기발광다이오드(OLED)는 도면번호 10으로 표시된다. 상기 유기발광다이오드는 캐소드(12)와, 도면번호 14의 무기염으로 도핑된 유기박막과, 애노드(16)와 애노드기판(18)을 포함한다. 상기 구기박막(14)은 도면번호 19로 표시되는 하나 또는 그 이상의 무기염이 첨가된 유기체(17)를 포함한다.
상기 무기염(19)은 음이온(22)과 양이온(24)을 갖는 이온족 또는 도면번호 20으로 표시되는 이온쌍으로, 또는 이온족과 이온쌍 두가지 모두를 포함하여 막(14) 내에 존재한다. 상기 이온쌍(20)은 음극(21)과 양극(23)을 갖는다. 외부전압(26)(도 3참조)이 인가될 때, 상기 양이온(24)은 캐소드(12)를 향해 이동되고, 상기 음이온(22)은 애노드(16)를 향해 이동하고, 상기 이온쌍(20)은, 강한 계면편극화(Interfacial Polarzation)의 결과로서, 상기 애노드(16)에 음극(21)이 붙게 되며, 상기 캐소드(12)에 양극(23)이 붙는다.
일반적으로는 외부전원이 인가되면, 상기 음이온(22)은 상기 애노드(16)에 위치되고, 상기 애노드의 워크펑션(Work-Function)이 증가된다. 그러므로 애노드 페르미 레벨(Anode Fermi Level)과 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 사이에 전하주입베리어(Charge Injection Barrier)가 낮아지므로, 애노드(16)로부터 유기체(17)에 정공주입이 향상된다. 이온쌍(20)은 상술한 바와 같이 재설정되며, 음극(21)은 애노드(16)에 위치되고, 애노드의 워크펑션(Work Function)이 증가된다. 그러므로 정공주입배리어(Hole Injection Barrier)가 낮아진다.
캐소드(12)에서, 양이온(24)은 외부전원(26)의 바이어스에 의해 캐소드(12)에 위치되고, 캐소드의 워크펑션은 감소되며, 캐소드 페르미 레벨(Cathode Fermi Level)과 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 사이에서 전하주입베리어(Charge Injection Barrier)가 낮아지므로, 캐소드(12)로부터 유기체(17)로 전자주입이 향상된다. 상기 이온쌍(20)은 상술한 바와 같이 재설정되며, 상기 양극(23)은 캐소드의 워크펑션이 감소되므로서 캐소드(12)에 위치하고, 그리고 전자주입배리어가 낮아진다.
이러한 실시예에서, 상기 유기체(17)는 용해도를 향상시키기 위하여 긴 알킬체인(alkyl chains)을 갖고, 밀집된 조립체로부터 상기 박막(14)이 단단하게 조립됨을 방지하도록 폴리머재료(Polymer Material)를 포함한다. 음이온(22)과 양이온(24)과 무기염(19)의 크기는 작기 때문에, 외부전원(26)으로의 빠른 응답결과로서, 이온족은 상기 박막(14)에서 쉽게 이동될 수 있고, 상기 이온쌍(20)은 적당한 방법으로 상기 박막(14)에 재설정되는 문제를 갖지 않는다.
이론적으로는, 캐소드(12)와 애노드(16)의 이온 단일층은 계면전하주입을 강화시킬수있다. 그러므로 상기 도핑레벨이 낮아질 수 있다. 결론적으로, 무기염을 갖는 유기체(17)의 도핑은 발광스펙트럼과 박막조직에 영향을 주지않는다. 또한, 상기와 같은 방법은 유기발광다이오드의 제조공정에서 큰변화를 만들 필요가 없다.
상기 무기염(19)의 일반적인 화학식은 MnXm이다. M은 양이온(24), X는 음이온(22), n과 m은 1, 2, 3, 4, 5, 6과 7등의 정수이다. 상기 양이온(24)은 금속양이온을 포함하고, 상기 음이온(22)은 할로겐과 혼합 음이온을 포함한다. 상기 혼합음이온은 탄산염(carbonate), 과염소산염(perchlorate)과 플로오르 붕산(fluoroboric) 음이온을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 이상의 서로 다른 무기염은 유기체(17)를 위한 불순물로서 사용 되어질 수 있고, 응용에 따라서는 현재 유기체 하나 보다 그 이상이 될 수 있다.
무기염(19)는, 예를들면, 하기의 무기염 리스트로부터 선택되어질 수 있으며, 또한 다른 타입의 무기염도 사용가능하다. <LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr, CsI, BeF2, BeCl2, BeBr2, BeI2, MgF2, MgCl2, MgBr2, MgI2, CaF2, CaCl2, CaBr2, CaI2, SrF2, SrCl2, SrBr2, SrI2, BaF2, BaCl2, BaBr2, BaI2 .>
상기의 실시예에서 유기발광다이오드(10)는 하기와 같은 방법에 따라 제조된다. 상기 유기체(17)는 용해과정 또는 다른 공정에 의해 무기염이 도핑될 수 있다; 따라서 용액공정은 간단하다. 용액공정의 주요단계는 아래에서 설명된다. 이는 전체공정이 글로브박스(Glove Box)등의 제어환경에서 구동되어지는 것으로 이해된다.
무기염용액은 용매에서 무기염을 용해시키므로 얻어진다. 상기 무기염은 순수 무기염 또는 무기염혼합물이 될 수 있다. 상기 용매는 순수 용액 또는 혼합용액이 될 수 있으며, 예를들면, 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran), 클로로폼1,4-다 이옥신(chlroform1,4-dioxane), 아세톤니트릴(acetonitrile), 물, 에틸아세테이트(ethylacetate), 아세톤(acetone), 피리딘(pyridine), 에틸렌글리콜(ethylene glycol)과 메탄올에서 하나 또는 혼합물이 된다. 무기염이 용해된 이후, 상기 무기염용액은 필요할때 필터 된다. 예를 들면, 무기염용액은 용매를 갖는 희석용액에 의해 필터된다.
유기용액은 용매내에 발광 유기체가 용해되므로서 얻어진다. 상기 용매는 순수용매 또는 혼합용매가 되며, 예를들면, 폴리플루오런(polyfluorene)은 톨루엔(toluene), o-실렌(o-xylene) 또는 p--실렌(p-xylene)에 용해되어질 수 있고, 그리고 MEH-PPV는 클로로포름(chloroform)과, 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran, THF) 또는 클로로벤젠(chlorobenzene)에 용해될 수 있다. 용액내의 유기체 농도는 박막의 요구두께에 의해 결정된다. 상기 유기용액은 필터된 다음이다.
상기 무기염용액은 도핑된 유기용액을 만들기 위해 상기 유기용액에 혼합된다. 일반적으로 무기염의 도핑레벨은 매우 낮고, 박막두께와 조직에 영향을 주지않는다. 도핑된 용액내의 무기염의 농도는 약 0.1 ppb 내지 10,000ppm이다. 추출농도는 발광체에 따라 결정된다.
상기 혼합된 용액은 전극기판에서 무기염이 도핑된 유기체의 박막에 스핀캐스트 또는 잉크젯프린팅으로 사용된다. 그리고 다른 전극은 박막위에 증착되어 단일층 디바이스를 생산한다. 상기와 같은 방법은 가공 다층구조를 확장시킬 수 있다.
무기염은 무기염이 첨가된 유기용액을 제공하기 위해 유기용액으로 직접 추 가되어질수 있고, 스핀캐스팅 또는 잉크젯프린팅 중 어느 하나에 의해 상기 박막을 제작하는데 사용된다.
하나 또는 그 이상의 무기염을 갖는 도핑 유기 발광체는 발광효율뿐만 아니라 턴온 전압을 낮출수 있어, 불필요한 전극을 위해 낮은 워크펑션을 유도할 수 있고, 제조공정이 간단하다.
상기와 같은 유기박막디바이스의 전하주입을 향상시키는 방법은 일반적으로 접근하며, 그리고 발광효율과 수명을 향상시키므로 어느 발광체라도 적용가능하다.
상기의 유기박막디바이스의 전하주입을 향상시키는 상술한 방법의 추가적인 잇점은 레드, 그린, 블루와 화이트등의 유기발광다이오드의 다양한 색상의 수명과 효율성을 향상시킨다.
상술한 설명은 도시된 예로서 유기발광다이오드를 이용하였을 지라도, 무기염을 도핑하는 방법은 기능을 더욱 강화시킬 수 있는 계면전하주입을 개선하기 위한 모든 유기박막디바이스에 광범위하게 적용가능하다.
본 발명은 종래의 동종 기술분야와 구분되는 것으로서, 상술한 실시예에서의 다양한 변경은 청구범위에 적용되는 관점의 범위내에 해당된다.

Claims (31)

  1. 유기박막디바이스 제조방법은,
    제1용매에 유기체를 용해시켜 제1용액을 제공하는 단계와;
    제2용매에 무기염을 용해시켜 제2용액을 제공하는 단계와;
    제2용액과 제1용액을 혼합하여 혼합용액을 제공하는 단계와; 및
    상기 혼합된 용액을 사용하여 유기박막 디바이스를 제조공정에서 무기염이 도핑된 유기박막을 제작하는 단계를 포함하는 유기박막디바이스 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기체를 용해하는 단계에서, 제1용액을 필터링하는 단계를 더 포함하는 유기박막디바이스 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 무기염을 용해하는 단계에서, 제2용액을 필터링하는 단계를 더 포함하는 유기박막 디바이스 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기박막에 혼합용액을 사용하는 단계에서, 기판에 혼합용액을 스핀캐스팅(spin casting)하는 단계를 포함하는 유기박막 디바이스 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기박막에 혼합용액을 사용하는 단계에서, 잉크젯 프 린팅으로 기판을 향해 노즐을 통해 혼합용액을 분사하는 단계를 포함하는 유기박막 디바이스제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 제2용액을 필터링하는 단계에서, 제1용매 또는 제2용매중의 하나로 무기염제2용액을 희석시키는 단계를 더 포함하는 유기박막 디바이스제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 혼합용액은 0.1ppb 내지 10,000ppm 사이의 무기염 농도를 갖는 유기박막 디바이스제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 무기염은 MnXm으로 구성된 그룹으로, 상기 M은 양이온, X는 음이온 n과 m은 각 정수인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스 제조방법
  9. 제8항에 있어서, 상기 무기염은
    LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr, CsI, BeF2, BeCl2, BeBr2, BeI2, MgF2, MgCl2, MgBr2, MgI2, CaF2, CaCl2, CaBr2, CaI2, SrF2, SrCl2, SrBr2, SrI2, BaF2, BaCl2, BaBr2, BaI2으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막 디 바이스제조방법.
  10. 유기막박박막 디바이스 제조방법에서,
    옹매에서 유기체를 용해하여 용액을 제공하는 단계와;
    무기염이 도핑된 유기용액을 만들기 위해 상기 용액으로 무기염을 추가하는 단계와;
    유기박막디바이스의 제조공정에서 무기염이 도핑된 유기용액을 사용하여 유기박막을 준비하는 단계를 포함하는 유기박막 디바이스 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 유기체의 용해단계는 상기 용액을 필터링하는 단계를 더 포함하는 유기박막디바이스제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 방법은 상기 무기염이 도핑된 유기용액을 필터링하는 단계를 더 포함하는 유기박막 디바이스 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 무기염이 도핑된 유기용액을 사용하여 유기박막을 준비하는 단계는 기판을 향해 무기염이 도핑된 유기용액을 스핀캐스팅(spin casting)하는 단계를 포함하는 유기박막 디바이스 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 무기염이 도핑된 유기용액을 사용하여 유기박막을 준 비하는 단계는 잉크젯프린팅에서 처럼 기판을 향해 노즐을 통해 무기염이 도핑된 유기용액을 분사하는 단계를 포함하는 유기박막 디바이스 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 무기염이 도핑된 유기용액은 0.1ppb 내지 10,000ppm 사이의 무기염 농도를 갖는 유기박막 디바이스제조방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 무기염은
    상기 무기염은 MnXm으로 구성된 그룹으로, 상기 M은 양이온, X는 음이온 n과 m은 각 정수인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스 제조방법
  17. 제10항에 있어서, 상기 무기염은
    LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr, CsI, BeF2, BeCl2, BeBr2, BeI2, MgF2, MgCl2, MgBr2, MgI2, CaF2, CaCl2, CaBr2, CaI2, SrF2, SrCl2, SrBr2, SrI2, BaF2, BaCl2, BaBr2, BaI2으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 제1용매는 순수용매(pure solvent)인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  19. 제1항에 있어서, 상기 제1용매는 순수용매의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 제2용매는 순수용매인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  21. 제1항에 있어서, 상기 제2용매는 순수용매의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  22. 제1항에 있어서, 상기 무기염은 순수 무기염인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  23. 제1항에 있어서, 상기 무기염은 순수 무기염의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  24. 제10항에 있어서, 상기 용매는 순수용매인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  25. 제10항에 있어서, 상기 용매는 순수용매의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유 기박막 디바이스제조방법.
  26. 제10항에 있어서, 상기 무기염은 순수 무기염인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  27. 제10항에 있어서, 상기 무기염은 순수 무기염의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기박막 디바이스제조방법.
  28. 유기박막 디바이스는
    적어도 한쌍의 전극과;
    상기 각각의 전극에 인접한 무기염이 도핑된 유기체로 된 박막을 포함하는 유기박막 디바이스.
  29. 유기박막 디바이스는
    적어도 한쌍의 전극과;
    상기 각각의 전극에 인접된 제1항에서 제조된 무기염이 도핑된 유기체로 된 박막을 포함하는 유기박막 디바이스.
  30. 유기박막 디바이스는
    적어도 한쌍의 전극과; 및
    상기 각각의 전극에 인접하여 제10항에서 제조된 무기염이 도핑된 유기체로된 박막을 포함하는 유기박막 디바이스.
  31. 제28항에 있어서, 상기 박막디바이스는 제3전극을 더 포함하고, 상기 무기염이 도핑된 유기체로 된 박막이 상기 제3전극에 인접되는 것을 특징으로 하는 유기막박박막 디바이스.
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