KR20070028593A - 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물, 이것을 사용한 미세구조체, 및 미세 구조체의 제조 방법 - Google Patents

양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물, 이것을 사용한 미세구조체, 및 미세 구조체의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 에폭시 수지, 양이온 광중합 개시제, 양이온 중합 억제제, 및 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시 수지의 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물을 포함하는 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 제공한다. 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물은 추가로 열 양이온 중합 촉매를 포함한다.
양이온 광중합 개시제, 양이온 중합 억제제, 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물, 열 양이온 중합 촉매, 미세 구조체

Description

양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물, 이것을 사용한 미세 구조체, 및 미세 구조체의 제조 방법{CATIONIC PHOTOPOLYMERIZABLE EPOXY RESIN COMPOSITION, MINUTE STRUCTURAL MEMBER USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING MINUTE STRUCTURAL MEMBER}
본 발명은 에폭시 수지 조성물에 관한 것이고, 보다 특히, 포토리소그래피 공정을 이용하여 처리되는 기판 상에 잉크젯 헤드와 같은 미세 구조체를 형성하는 데 바람직하게 사용되는 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 에폭시 수지 조성물을 사용한 미세 구조체, 및 상기 미세 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 과학 기술의 발전에 따라, 각종 분야에서 미세 구조체에 대한 강한 요구가 있어 왔고, 마이크로 액튜에이터, 전자 장치 및 광학 장치 등의 장치에 대한 관련 연구가 활발히 행해지고 있다. 예를 들면, 각종 소형 센서, 마이크로프로브, 박막 자기 헤드, 잉크젯 헤드 등에서는 실용화가 진전되고 있다. 이러한 미세 구조체의 제조 방법으로는, 스탬퍼, 건식 에칭 및 포토리소그래피 등의 각종 방법이 이용되고 있으며, 그 중에서도 감광성 수지 재료를 사용한 포토리소그래피에 의한 패턴의 형성은 높은 종횡비를 갖는 원하는 형상이 높은 정밀도로 용이하게 얻어진 다는 점에서 이점을 갖는다. 포토리소그래피에 사용되는 레지스트는 크게 네가티브형 레지스트 및 포지티브형 레지스트로 분류되며, 특히 기판 상에 부품으로서 사용되는 것과 같은 구조체를 형성하는 경우에는, 주로 네가티브형 레지스트가 바람직하게 사용된다. 또한, 사용 목적의 관점에서, 미세 구조체에 내약품성이 요구되는 경우, 및 미세 구조체를 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 범위의 비교적 두꺼운 막 두께로 사용할 필요가 있는 경우에는, 기재로서 에폭시 수지, 비닐에테르 화합물 등을 사용한 양이온 중합성 수지 재료가 일반적으로 사용된다.
일반적으로, 에폭시계의 감광성 수지 재료를 사용하여 미세 구조체를 형성하는 경우에는, 양이온 중합성 에폭시 수지 또는 에폭시 올리고머, 또는 광산 발생제 등의 양이온 광중합 개시제부터 제조된 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물이 사용된다. 이러한 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물에서는, 노광에 의해 산이 발생되고, 노광 후 가열 처리(PEB)에 의해 산을 촉매로서 사용하여 에폭시기의 개환 중합이 진행된다. 이 경우, 산의 미노광부로의 확산, 공기 중의 염기 성분, 및 수지가 접촉하고 있는 면의 상태 등의 각종 환경 인자에 의해 패턴화 특성이 불리하게 영향받는 경향이 있다. 이 때문에, 추가의 미세 패턴을 형성하려는 시도에서, 해상성 및 치수 제어성의 열화가 발생하는 경향이 있다.
예를 들면, 상기한 문제와 유사한 문제를 해결하기 위해서, 화학 증폭형의 네가티브형 레지스트에 대하여, 노광부에 발생된 산이 필요한 정도 이상으로 확산되는 것을 방지하기 위해, 예를 들면 산을 실활시키는 기능을 갖는 물질을 미리 레지스트 중에 함유시키는 방법이 제안되어 있다(일본 특허 공개 (평)05-127369호, 일본 특허 공개 (평)05-232706호 및 일본 특허 공개 (평)09-325496호 공보).
일반적으로, 잉크젯 헤드 분야에서는, 헤드의 사용 동안 헤드가 항상 잉크와 접촉하도록 되어 있다(즉, 일반적으로, 잉크가 물을 주성분으로 하고, 중성이 아님). 따라서, 기록 폭이 큰 헤드의 경우에는, 잉크젯 헤드용 구성 부재로서 내잉크성, 기계적 특성 및 기판에 대한 접착성이 우수하고, 낮은 수분 흡수성을 갖는 재료에 대한 강한 요구가 있어 왔다. 상기한 문제를 해결하기 위해, 일본 특허 공개 (평)08-290572호 공보에서, 본 발명의 출원인은 잉크젯 헤드의 구성 부재를, 경화성 에폭시 화합물, 플루오로탄소를 함유하는 화합물 및 경화제를 함유하며, 플루오로탄소를 함유하는 화합물의 함량이 1 내지 50 중량％의 범위로 설정된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성하는 잉크젯 헤드의 제조 방법을 개시하였다. 상기 특허 문헌에서는, 잉크 공급구를 산소 플라즈마를 이용하는 건식 에칭에 의해 형성한다.
패턴화 특성을 보다 개선시키고, 또한 내잉크성 및 기판에 대한 접착성 등의 특성을 개선시키기 위해, 본 발명자들은 산을 실활시키는 기능을 갖는 물질 및 플루오로탄소를 양이온 중합성 에폭시 수지 및 양이온 광중합 개시제를 갖는 양이온 광중합성 에폭시 수지 중에 함유시키는 패턴 형성 방법을 행하였다. 그 결과, 원하는 특성은 얻어지지 않고, 깊이 방향으로 미노광부와 노광부 사이의 계면(노광 계면) 상에서 크레이터(crater) 형상의 홀이 관찰되면서, 패턴화 특성은 보다 열화되는 결과가 나타났다.
<발명의 개시>
본 발명은 상기한 새로운 발견을 기초로 하여 고안되었으며, 본 발명의 목적은 패턴화 특성을 보다 개선시키고, 또한 내잉크성 및 기판에 대한 접착성 등의 성능을 개선시킬 수 있는 신규한 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 또다른 목적은, 상기한 수지 조성물의 경화물로부터 제조된 미세 구조체 및 이러한 미세 구조체의 제조 방법과 같은 다른 관련 발명을 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 양이온 광중합 개시제, 양이온 중합 억제제, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시 수지의 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물, 및 열 양이온 중합 촉매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 미세 구조체는 기판 상에 형성된 미세 구조체로서, 상기한 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물의 경화물로서 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 미세 구조체의 제조 방법은 기판 상에 형성된 미세 구조체의 제조 방법으로서, 기판 상에 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 용제-코팅하는 단계, 포토리소그래피 공정에 의해 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 패턴화하는 단계, 및 패턴화된 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 150 ℃ 이상의 온도에서 가열 처리를 행하여 열 중합시키는 단계를 갖는다.
본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 사용함으로써, 내약품성 및 기계적 강도가 우수하고, 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 범위의 후막의 경우에도 스커팅 (skirting)이 없는 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 치수 안정성에 대한 개선된 공정 마진이 얻어지기 때문에, 바람직한 패턴 형상을 갖는 미세 구조체를 양호한 재현성으로 안정적으로 형성하는 것이 가능해진다.
도 1A, 1B, 1C 및 1D는 본 발명에 따른 미세 구조체의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 예시도이다.
도 2A 및 2B는 종래 기술을 이용하여 형성된 미세 구조체에서 나타나는 보링(boring) 및 스커팅을 설명하는 개략적 단면도이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명에 따른 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물 및 이러한 에폭시 수지 조성물을 사용한 미세 구조체의 형성 방법에 대하여 상세히 설명한다.
(1) 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물의 설명
수지 조성물 중에 함유되는 물질을 상세히 설명한다.
에폭시 수지
에폭시 수지 형성 기재로서는, 일반적으로 알려져 있는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 및 일본 특허 공개 (소)60-161973호, 일본 특허 공개 (소)63-221121호, 일본 특허 공개 (소)64-9216호 및 일본 특허 공개 (평)02-140219호 공보에 개시되어 있는 옥시시클로헥산 골격을 갖는 에폭시 수지 등의 수지가 사용될 수 있고, 특히 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 옥시시클로헥산 골격을 갖는 다관능성 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다.
Figure 112007008153963-PCT00001
식 중, n은 양의 정수를 나타낸다.
Figure 112007008153963-PCT00002
식 중, m은 양의 정수를 나타낸다.
생성된 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 노볼락형 에폭시 수지에 비해 높은 양이온 중합성을 나타내고, 높은 가교 밀도를 얻기 쉽기 때문에, 내약품성 및 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻는 것이 가능해진다. 또한, 생성된 에폭시 수지는 그의 구조 중에 방향족 고리를 함유하지 않기 때문에, 광 투과성이 우수하고, 후막으로서 적합하게 사용된다.
에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해서는, 2000 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하의 에폭시 당량을 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 에폭시 당량이 2000을 초과하면, 경화 반응 동안 가교 밀도가 저하되는 것과 함께, 경화물의 Tg 또는 열변형 온도가 저하되어, 이들의 기판에 대한 접착성 및 내약품성에 문제가 발생하는 결과가 나타나는 경우가 있다. 또한, 양호한 패턴화 특성을 제공하기 위해서는, 에폭시 수지가 상온에서 고체 상태로 유지되는 것이 바람직하다.
양이온 광중합 개시제
광중합 개시제로서는, 오늄염, 보레이트염, 트리아진 화합물, 아조 화합물, 과산화물 등을 사용할 수 있지만, 감도, 안정성, 반응성 및 용해성의 관점에서, 방향족 술포늄염 및 방향족 요오도늄염이 바람직하게 사용된다. 방향족 술포늄염으로서는, 예를 들면 미도리 가가꾸(주)로부터 시판되고 있는 TPS-102, 103, 105, MDS-103, 105, 205, 305, DTS-102, 103, 및 아사히 덴까 고교(주)로부터 시판되고 있는 SP-170, 172를 사용할 수 있고, 방향족 요오도늄염으로서는, 미도리 가가꾸(주)로부터 시판되고 있는 DPI-105, MPI-103, 105, BBI-101, 102, 103, 105 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 사용되는 노광 파장에 따라서 개시제를 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 첨가량은 목적으로 하는 감도 및 가교 밀도가 달성되기 위해 바람직한 첨가량으로 설정할 수 있지만, 특히 첨가량은 에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 7 중량％의 범위로 바람직하게 설정된다. 또한 여기에, 필요에 따라, 예를 들면 아사히 덴까 고교(주)로부터 시판되고 있는 SP-100 등을 파장 증감제로서 첨가할 수 있다. 또한, 이들 복수종을 혼합하여 사용할 수 있다.
양이온 광중합 억제제
양이온 광중합 억제제란, 산 촉매의 기능을 저하시키는 물질을 지칭하며, 일반적으로는 염기성 화합물이 사용된다. 염기성 물질로서는, 양성자의 수용체로서 작용할 수 있는 화합물, 즉 비공유 전자쌍을 갖는 화합물이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로는, 질소, 황 및 인 원자 등의 원자를 함유하는 화합물을 들 수 있지만, 그 중에서도 질소 함유 화합물이 바람직하게 사용된다.
질소 함유 화합물로서는, 특히 아민 화합물을 바람직하게 사용한다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 트리페닐아민, 트리에탄올아민, 트리이소프로판올아민, N,N-디에틸-3-아미노페놀, N-에틸디에탄올아민 및 2-디에틸아미노에탄올 등의 3급 아민류; 디에탄올아민, 디이소프로판올아민 및 N-메틸벤질아민 등의 2급 아민류; 피리미딘, 2-아미노피리미딘, 4-아미노피리미딘 및 5-아미노피리미딘 등의 피리미딘 화합물류 및 그의 유도체; 피리딘, 메틸피리딘 및 2,6-디메틸피리딘 등의 피리딘 화합물류 및 그의 유도체; 및 2-아미노페놀 및 3-아미노페놀 등의 아미노페놀류 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
이들 아민 화합물에 의한 중합 억제는, 노광부에서는 중합 반응을 손상시키지 않을 정도로 경미한 수준이고, 미노광부에서는 산 촉매의 기능을 충분히 저하시키도록 바람직하게 설정된다. 이 때문에, 사용하는 아민 화합물의 염기성 및 첨가량을, 목적으로 하는 감도 및 해상성을 제공하도록 바람직하게 조정한다. 특히, 염기성이 비교적 약한 3급 아민과 같은 화합물이 보다 용이하게 조정되기 때문에, 이들이 보다 바람직하게 사용된다.
이들 염기성 물질의 첨가량은 화합물의 염기성의 정도에 따라 다르기 때문에 특별히 제한되지는 않지만, 양이온 광중합 개시제의 함량에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 20 중량％, 보다 바람직하게는 0.5 내지 4 중량％의 범위로 설정된다. 염기성 물질의 첨가량이 지나치게 적은 경우에는, 미노광부에서 충분한 효과가 얻 어지지 않는다. 또한, 첨가량이 지나치게 많은 경우에는, 노광부에서 경화 억제를 일으키는 경향이 있다. 이 경우, 노광량을 증가시킴으로써 문제를 해결할 수 있지만, 이 방법은 노광 택트(tact)의 열화를 초래하여, 생산성의 관점에서 결과적으로 실용적인 방법을 제공하지 못한다.
또한, 바람직하게는, 이들 염기성 물질의 2종 이상을 서로 혼합하여 사용하여 매우 균형적으로 각종 성능을 제공할 수 있다.
플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물
본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 사용하여 처리되는 기판 상에 형성된 미세 구조체는, 종래의 레지스트와 달리, 생성된 구조체 자체가 부품 등의 구성 부재로서 사용되는 것을 전제로 하여 제조되고, 따라서 그의 사용 목적에 따라 발수성, 내용제성 및 기계적 강도 등의 특성이 추가될 필요가 있다.
본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물은 그 억제 정도는 미약하지만, 노광부에서 중합 반응 억제를 초래하여 발수성 및 내용제성이 열화되는 경향이 있다. 이 때문에, 발수성 및 내용제성은 첨가제를 첨가함으로써 바람직하게 개선된다.
에폭시 수지에 첨가제를 첨가함으로써 발수성을 개선시키는 방법으로서, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)08-290572호 공보에는 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물을 경화성 에폭시 화합물에 1 내지 50 중량％의 양으로 첨가하여 수지의 수분 흡수성을 감소시키는 방법이 개시 되어 있고, 본 발명에서도 동일한 방법을 이용하여 발수성을 개선시킬 수 있다. 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물의 구체적 예로는 하기 화합물들을 들 수 있으나, 본 발명의 실시양태는 이들로 제한되도록 의도되지는 않는다.
Figure 112007008153963-PCT00003
(식 중, n은 1 내지 20의 양의 정수를 나타냄.)
첨가량은 목적으로 하는 발수성 및 내용제성에 따라 바람직하게 설정될 수 있으며, 특히 상기 화합물은 수지와의 상용성의 관점에서 1 내지 50 중량％의 범위로 바람직하게 사용되고, 상기 범위는 바람직하게는 1 내지 30 중량％로 설정된다. 또한, 기계적 강도를 증가시키기 위해, 화합물을 가열함으로써 가교 반응을 바람직하게 촉진시키고, 따라서 말단에 높은 가교 반응성을 나타내는 수산기 및 에폭시기를 갖는 화합물이 보다 바람직하게 사용된다. 보다 바람직하게는, 2종 이상의 수산화기를 화합물의 말단에 첨가한다.
열 양이온 중합 촉매
플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물이 첨가되는 시스템에서는, 에폭시 수지와, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물간의 반응성 차이로 인해, 노광부의 가교 밀도에 편차가 발생하여 노광 계면 상의 내용제성 및 패턴화 특성의 열화가 초래되는 경향이 있다. 특히, 본 발명의 수지에는 양이온 중합 억제제가 함유되기 때문에, 상기 시스템은 가교 반응 속도 및 이로 인한 내용제성 및 패턴화 특성의 열화에 의해 더욱 영향받기 쉽다. 그 결과로, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물이 충분히 반응하지 않고, 계면 상에 침착되는 경향이 있다. 이 때문에, 후 공정을 행함으로써 가교 밀도를 향상시키는 것이 바람직하고, 예를 들면 열 양이온 중합 촉매를 함께 사용하는 방법을 채택할 수 있다. 양이온 광중합 개시제는 열 양이온 중합 촉매를 함께 사용하는 가열 처리에 의해 가교 밀도를 증가시킨다. 열 양이온 중합 촉매로서는, 구리 트리플레이트(구리 (II) 트리플루오로메탄 술포네이트) 또는 아스코르브산을 첨가하여 사용할 수 있다. 특히, 에폭시 수지에 대한 반응성 및 용해성의 관점에서, 구리 트리플레이트를 효과적으로 첨가하고, 150 ℃ 이상의 온도에서 가열 처리를 행함으로써, 본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 사용하여 처리되는 기판 상에 형성된 미세 구조체의 가교 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.
구리 트리플레이트는 단독으로 적용되는 경우에도 열 양이온 중합 개시제로서 기능하기 때문에, 과량의 구리 트리플레이트는 프리베이킹 공정 또는 PEB 공정 동안 열에 의해 에폭시 수지의 중합 반응을 진행시킨다. 또한, 그의 첨가가 상기 한 방향족 술포늄염, 방향족 요오도늄염 등과의 상호작용에 의해 열 양이온 중합 반응을 촉진시키는 것으로 생각되지만, 첨가량이 지나치게 적은 경우에는 그 효과가 충분히 발휘되지 않는다. 구리 트리플레이트의 첨가량은, 광중합 개시제의 종류에 따라 그 효과가 달라지기 때문에 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 양이온 광중합 개시제의 함량에 대하여 0.01 내지 50 중량％의 범위로 설정된다.
그 밖의 첨가제
가교 밀도의 증가, 코팅성, 발수성 및 내용제성의 개선, 가요성 부여 및 기판에 대한 접착성 개선을 위해, 각종 첨가제를 본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물과 함께 사용할 수 있다.
예를 들면, 기판에 대한 접착력을 개선시키기 위해 실란 커플링제를 첨가할 수 있다.
(2) 미세 구조체 및 그의 제조 방법
도 1A 내지 1D 및 도 2A 및 2B를 참조하여, 본 발명의 미세 구조체 및 그의 제조 방법을 하기에 간략히 설명한다.
도 1A 내지 1D는 본 발명에 따른 미세 구조체의 제조 방법의 단면도를 개략적으로 나타내는 설명도이다.
본 발명에서는, 먼저, 도 1A에 나타낸 바와 같이, 그 위에 미세 구조체를 형성할 기판 (1)을 형성한다. 기판은 규소 및 유리 등의 물질을 사용하여 형성한다. 이어서, 도 1B에 나타낸 바와 같이, 상기한 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 상기 기판의 표면 상에 용제-코팅하여 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물의 수지 층 (2)를 형성한다. 이어서, 도 1C에 나타낸 바와 같이, 수지층 (2)를 갖는 기판 (1)을 마스크 (3)을 이용하여 노광시키고 현상하여 수지층 (2)를 패턴화한다. 그 후, 생성된 기판을 150 ℃ 이상의 온도에서 가열 처리하여 도 1D에 나타낸 바와 같이 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물의 경화물로 제조된 미세 구조체 (4)를 얻는다.
여기서, 미세 구조체를 본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 없이 도 1A 내지 1D에 나타낸 방법에 의해 일반적으로 사용되는 네가티브 레지스트를 사용하여 형성하는 경우, 레지스트의 조성 및 노광 조건에 따라 외관이 달라지기는 하나, 예를 들면 노광량이 불충분한 경우에는 기판을 향해 좁아지는 쐐기 형상이 나타나는 경향이 있다. 또한, 예를 들면 노광량이 과도한 경우에는 스커팅부가 나타나는 경향이 있다. 미세 구조 패턴이 각종 유형의 잉크젯 기록 헤드와 같은 미세 구조를 갖는 장치의 제조에 사용되는 경우, 상기 현상은 장치 성능에 불리한 영향을 준다. 보다 구체적으로, 기판의 저부에서 노광량이 불충분해지는 경우 또는 PEB에 의한 산의 확산이 불충분해지는 경우에는, 도 2A에 나타낸 바와 같이 패턴 저부에 보링부 (5)가 나타나 역사다리꼴 형상을 갖는 패턴이 형성되는 경향이 있다. 여기서, 직사각형 패턴을 얻기 위해 노광량을 증가시키는 경우에는, 미노광부가 기판 (1)로부터 반사된 빛에 의해 반응되어 도 2B에 나타낸 바와 같이 스커팅부 (6)이 생성된다. 또한, PEB로부터 현상까지의 공정 동안 잔류물이 생성되는 경우에도 미노광부에서 산의 확산으로 인해 유사한 스커팅부가 생성된다.
그러나, 본 발명의 양이온 광중합성 수지 조성물을 사용하는 경우에는, 패턴 화에 대한 상기와 같은 문제가 야기되지 않고, 내잉크성 및 기판에 대한 접착성 등의 성능이 개선될 수 있다.
이러한 점을 구체적 실시예 및 비교예를 이용하여 하기에 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예를 하기에 나타낸다.
먼저, 하기에 나타낸 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물 1을 제조하였다.
수지 조성물 1
* 에폭시 수지: EHPE-3150(다이셀 가가꾸(주) 제조) 100 중량부
* 양이온 광중합 개시제: SP-170(아사히 덴까 고교(주) 제조) 1 중량부
* 양이온 중합 억제제: 트리에탄올 아민 표 참조
* 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물: 하기 화합물 1 표 참조
* 열 양이온 중합 촉매: 구리 (II) 트리플루오로메탄 술포네이트(구리 트리플레이트) 표 참조
화합물 1
Figure 112007008153963-PCT00004
상기한 조성물을 메틸이소부틸 케톤 중에 용해시켜 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물의 샘플을 제조하였다(하기 표 참조). 각 샘플을 스핀 코팅법을 이용하여 Si 기판에 도포하고, 90 ℃에서 180초 동안 프리베이킹하여 20 ㎛의 필름 두께를 형성하였다. 이어서, 여기에 KrF 스텝퍼를 이용하여 노광 공정을 행하여 길이 1 cm 및 폭 5 ㎛를 갖는 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성하였고, 120 ℃에서 90초 동안 PEB 공정을 행한 후, 형성된 패턴을 메틸이소부틸 케톤을 사용하여 현상하고, 이소프로필 알콜을 사용하여 세정 공정을 행하였다. 형성된 라인 앤드 스페이스 패턴의 단면을 주사 전자 현미경으로 관찰하여 스커팅의 존재 여부 및 노광 계면의 상태를 확인하고, 하기와 같이 내용제성 시험을 행하고, 팽윤 정도를 비교하였다. 그 결과를 하기 표에 나타내었다.
여기서, 각 시험 및 평가 조건은 하기와 같이 행하였다.
(1) 스커팅 및 노광 계면의 상태에 대해서는, 기판을 생성된 라인 앤드 스페이스 부분에서 절단하여, 절단된 단면을 관찰하였다.
(2) 노광 계면에 대해서는, 평활한 계면을 ○로, 조면부 및 홀이 관찰되는 계면을 ×로 평가하였다.
(3) 내용제성에 대해서는, 스커팅 및 노광 계면의 상태를 평가하기 위해 이전에 사용된 기판과 별도의 방식으로, 동일한 조건 하에 형성된 복수개의 기판을 제조하고, 각각의 기판에 대해 하기 시험 1 및 시험 2를 행한 후, 생성된 패턴을 광학 현미경을 이용하여 관찰하였다.
시험 1: 기판을 2.38 중량％ TMAH 수용액 중에서 1시간 동안 비등시켰다.
기판과 패턴 사이의 계면의 일부를 박리시켜 기판의 일부 상에서 간섭 무늬가 관찰되는 경우, 생성된 기판을 △로 평가하였고; 기판과 패턴 사이의 전체 계면 상에서 간섭 무늬가 관찰되는 경우, 생성된 기판을 ×로 평가하였으며; 간섭 무늬가 관찰되지 않는 경우, 생성된 기판을 ○로 평가하였다.
시험 2: 기판을 80 ℃에서 유지되는 NMP 중에 침적시켰다.
기판과 패턴 사이의 계면의 일부를 박리시켜 기판의 일부 상에서 간섭 무늬가 관찰되는 경우, 생성된 기판을 △로 평가하였고; 기판과 패턴 사이의 전체 계면 상에서 간섭 무늬가 관찰되는 경우, 생성된 기판을 ×로 평가하였으며; 간섭 무늬가 관찰되지 않는 경우, 생성된 기판을 ○로 평가하였다.
(4) 팽윤 정도에 대해서는, 상기 시험 1의 완료 후, 라인과 스페이스 사이의 갭을 측정하여 패턴 폭의 변화율을 확인하였다. 측청치에 대해서는, 패턴 폭의 변화율이 샘플 No. 1(팽윤 정도가 큼)의 패턴 폭의 변화율과 실질적으로 동일한 수준인 샘플을 ×로 평가하였고; 패턴 폭의 변화율이 샘플 No. 1의 패턴 폭의 변화율보다 대략 30％ 작은 샘플을 △로 평가하였으며; 패턴 폭의 변화율이 샘플 No. 1의 패턴 폭의 변화율보다 대략 40％ 이상 작은 샘플을 ○로 평가하였다.
No. 트리 에탄올 아민 (중량부) 화합물 1 (중량부) 구리 트리- 플레이트 (중량부) 노광량 (J/m2) 패턴화 특성 (스커팅) 패턴화 특성 (계면 상태) 내용제성 (시험 1) 내용제성 (시험 2) 팽윤 정도
1 0 0 0 300 존재 ○ △ △ -
2 0 20 0 300 존재 ○ △ ○ ○
3 0.02 10 0 1000 부재 × △ × △
4 0.02 20 0 1000 부재 × △ △ ○
5 0.02 10 0.002 1000 부재 ○ △ ○ △
6 0.02 20 0.002 1000 부재 ○ ○ ○ ○
7 0.015 15 0.015 800 부재 ○ ○ ○ ○
본 실시예에서, 하기 효과가 관찰되었다.
(1) 양이온 중합 억제제로서 작용하는 트리에탄올 아민을 첨가함으로써, 스커팅이 없는 패턴이 형성될 수 있음이 확인되었다(샘플 3 내지 7)
(2) 양이온 광중합성 에폭시 수지에, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물을 첨가함으로써, 내팽윤성이 개선될 수 있음이 확인되었다(샘플 3 내지 7)
(3) 상기 화합물 및 양이온 중합 억제제로서 작용하는 트리에탄올 아민을 동시에 첨가하는 경우(샘플 3 및 4), 내팽윤성이 개선될 수는 있었으나, 노광 계면 상에서 크레이터 형상의 홀이 관찰되었다. 반면, 여기에 구리 트리플레이트를 추가로 첨가한 경우에는(샘플 5 내지 7), 계면 상에서 홀이 관찰되지 않아, 우수한 계면 상태 및 우수한 내팽윤성을 제공하였다.
(4) 상기한 바와 같이, 본 실시예에 관한 샘플 5 내지 7에서, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물 및 양이온 중합 억제제를 함유하는 양이온 광중합성 에폭시 수지에 구리 트리플레이트를 첨가함으로써, 발수성, 내용제성 및 패턴화 특성 등의 특성이 모두 우수한 경화물을 얻을 수 있음이 확인되었다.
샘플 3 및 4에서, 깊이 방향으로 미노광부와 노광부 사이의 계면(노광 계면) 상에서 크레이터 형상의 홀이 관찰되는 이유는, 양이온 중합 억제제에 의한 경화 억제의 단점이, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물에 의해 가중되기 때문인 것으로 여겨진다. 잉크젯 헤드의 토출구에서 이러한 크레이터 형상의 홀이 생성되는 경우에는, 토출 방향이 변하여 새틀라이트(satellite) 및 미스트(mist)가 증가될 수 있으나, 본 발명에 따르면 평활한 계면이 형성되기 때문에 바람직한 토출 상태를 유지할 수 있는 잉크젯 헤드를 제공하는 것이 가능하다. 또한, 팽윤에 대해서는, 토출구에서 표 1에 나타낸 바와 같이 팽윤이 생성되는 경우, 토출 부피 변화가 그의 3제곱에 비례하여 토출량의 편차가 팽윤량의 1.5제곱에 비례하게 되고, 따라서 통상적으로 토출량의 30％ 이상에 상응하는 팽윤으로 인한 토출량의 편차가 그의 대략 20％ 내지 10％까지 감소할 수 있다.
이러한 효과는, 구리 트리플레이트의 첨가에 의해, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물과 에폭시 수지 사이의 가교 밀도를 향상시킬 수 있기 때문에 얻어지는 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물은 상기한 바와 같은 잉크젯 헤드의 유로 형성 재료에 바람직하게 적용된다. 본 발명의 재료를 사용하는 헤드의 제조에 대한 구체적 방법으로서는, 예를 들면 감광성 수지 재료를 사용하여 중공 구조체를 형성함으로써 잉크 유로를 형성하는 일본 특허 제3143307호 및 동 제3143308호에 개시된 바와 같은 제조 방법을 들 수 있다. 또한, 우수한 내약품성 및 기계적 안정성 뿐만 아니라 양호한 패턴화 특성을 갖는 본 발명의 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물은 상기한 잉크젯 헤드 이외의 다른 각종 분야에 적용될 수 있다.
본원은, 본원에 참고로서 인용된, 2004년 6월 28일자로 출원된 일본 특허 출원 제2004-190478호로부터의 우선권을 청구한다.

Claims (17)

  1. 에폭시 수지;
    양이온 광중합 개시제;
    양이온 중합 억제제; 및
    플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시 수지의 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물을 포함하며,
    열 양이온 중합 촉매를 추가로 포함하는 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 에폭시 수지가 옥시시클로헥산 골격을 갖는 다관능성 에폭시 수지인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 에폭시 수지가 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112007008153963-PCT00005
    식 중, n은 양의 정수를 나타내고,
    <화학식 2>
    Figure 112007008153963-PCT00006
    식 중, m은 양의 정수를 나타낸다.
  4. 제1항에 있어서, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 2000 이하인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 에폭시 수지가 상온에서 고체 물질인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 양이온 광중합 개시제가 방향족 술포늄염 및 방향족 요오도늄염으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 양이온 중합 억제제가 비공유 전자쌍을 갖는 염기성 물질인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 양이온 중합 억제제가 비공유 전자쌍을 갖는 질소 함유 염기성 물질인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 양이온 중합 억제제가 아민 화합물인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 양이온 중합 억제제가 3급 아민 화합물인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 양이온 중합 억제제가 양이온 광중합 개시제에 대하여 0.1 중량％ 내지 20 중량％의 범위로 함유된 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물이 가교기로서 2개 이상의 수산화기를 갖는 화합물인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 플루오로알킬기를 갖고 또한 말단에 에폭시기와 가교 반응되는 치환기를 갖는 화합물의 첨가량이 에폭시 수지에 대하여 1 중량％ 내지 50 중량％의 범위로 설정된 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 열 양이온 중합 촉매가 구리 트리플레이트인 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 열 양이온 중합 촉매가 양이온 광중합 개시제에 대하여 0.01 중량％ 내지 50 중량％의 범위로 함유된 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물.
  16. 제1항에 따른 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물의 경화물로서 제조된, 기판 상에 형성되는 미세 구조체.
  17. 기판 상에 제1항에 따른 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 용제-코팅하는 단계;
    포토리소그래피 공정에 의해 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물을 패턴화하는 단계; 및
    패턴화된 양이온 광중합성 에폭시 수지 조성물 상에 150 ℃의 온도에서 가열 처리를 행하여 열 중합시키는 단계를 포함하는, 기판 상에 형성된 미세 구조체의 제조 방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5110677B2 (ja) 2006-05-17 2012-12-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP2007307639A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US8119323B2 (en) * 2006-06-13 2012-02-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Process for producing patterned film and photosensitive resin composition
US20080292993A1 (en) * 2006-12-22 2008-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Photo-cationic polymerizable epoxy resin composition, liquid discharge head, and manufacturing method thereof
JP2010210648A (ja) * 2007-07-05 2010-09-24 Sharp Corp ガラス基板の修復方法、ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびフラットパネルディスプレイ
US8697217B2 (en) * 2010-01-15 2014-04-15 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Creep-resistant polishing pad window
WO2013034193A1 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Abb Research Ltd Method of producing high voltage electrical insulation
KR101391696B1 (ko) * 2011-11-23 2014-05-07 제일모직주식회사 이방 전도성 조성물 및 필름
KR101857297B1 (ko) 2011-12-27 2018-05-14 주식회사 케이씨씨 트리플루오라이드기를 함유한 전착 도료용 수지, 그 제조방법 및 그를 포함하는 전착 도료 조성물
JP2017191892A (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 イビデン株式会社 プリント配線基板及びその製造方法
US10962703B1 (en) 2017-10-12 2021-03-30 Facebook Technologies, Llc Nanoparticle dispersion for increasing optical index of refraction
JP2021044299A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キオクシア株式会社 インプリント方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4565859A (en) * 1984-01-30 1986-01-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Polyether compounds, epoxy resins, epoxy resin compositions, and processes for production thereof
JPH0625194B2 (ja) 1984-01-30 1994-04-06 ダイセル化学工業株式会社 新規なエポキシ樹脂の製造方法
JPH0725864B2 (ja) 1987-03-09 1995-03-22 ダイセル化学工業株式会社 エポキシ樹脂
JPS649216U (ko) 1987-07-06 1989-01-18
JPH0822902B2 (ja) 1988-11-21 1996-03-06 ダイセル化学工業株式会社 エポキシ樹脂の製造方法
JPH05127369A (ja) 1991-10-31 1993-05-25 Nec Corp レジスト材料
JP3010607B2 (ja) * 1992-02-25 2000-02-21 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
US5580695A (en) * 1992-02-25 1996-12-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Chemically amplified resist
JP2684933B2 (ja) 1992-07-31 1997-12-03 信越化学工業株式会社 架橋性ポリシラン組成物及びそのポリシラン架橋膜
JP3143307B2 (ja) * 1993-02-03 2001-03-07 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
IL104618A (en) 1993-02-04 2000-10-31 Meir Amiram Contact rail and adapter
JP3143308B2 (ja) 1994-01-31 2001-03-07 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
JP3368094B2 (ja) * 1995-04-21 2003-01-20 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
US5756780A (en) * 1995-09-01 1998-05-26 Daicel Chemical Industries, Ltd. Process for the preparation of a purified 3,4-epoxycyclohexyl methyl(meth)acrylate and, a stabilized 3,4-epoxycyclohexyl methyl acrylated
JPH0977757A (ja) 1995-09-13 1997-03-25 Daicel Chem Ind Ltd エポキシ化合物の安定化方法
JPH09325496A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Sony Corp 感光性組成物
JP2002363506A (ja) 2001-05-29 2002-12-18 Three M Innovative Properties Co 紫外線活性化型接着フィルム
US6645696B1 (en) * 2001-11-30 2003-11-11 Euv Llc. Photoimageable composition
US7329480B2 (en) * 2002-08-30 2008-02-12 Toyo Gosei Co., Ltd. Radiation-sensitive negative-type resist composition for pattern formation method

Also Published As

Publication number Publication date
CN101103311A (zh) 2008-01-09
WO2006001518A3 (en) 2007-08-09
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