KR20070025163A - 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 증착률 안정화 도달시간을 최소화하여 증착효율을 향상시키고 노즐 응축현상을 방지하며 정밀한 온도 제어가 가능하도록 된 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법에 관한 것으로서, 증착 챔버 내에 배치되고 함유된 금속 또는 무기 물질을 증발시키기 위한 도가니, 상기 도가니에 열을 공급하기 위한 가열원을 포함하는 가열부, 상기 가열부에서 방출되는 열을 차폐하기 위한 하우징, 상기 도가니를 안착시키는 외벽, 및 상기 도가니에서 증발된 물질을 분사하기 위한 노즐부를 구비하는 무기 증착원에 있어서, 상기 가열부는 상기 도가니의 상부 및 하부에 위치되고, 상기 상부 가열부에 전력을 공급하기 위한 제1전력원 및 상기 하부 가열부에 전력을 공급하기 위한 제2전력원이 구성되는 것을 특징으로 하여, 판형의 저항 가열원을 사용하여 가열효율 증대를 도모하고, 열차폐 수단을 통하여 냉각효율이 향상되며, 상부 및 하부 각각의 가열을 독립적으로 제어함으로써 증착률 안정화 도달시간을 최소화하여 증착효율을 향상시키고 노즐부 응축현상을 방지하며 정밀한 온도 제어가 가능하다.
무기 증착원, 가열부, 가열원, 증착율, 증착율 안정화

Description

무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법{Source for inorganic layer and the method for controlling heating source thereof}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기 증착원의 절개단면도,
도 2는 도 1의 가열부를 개략적으로 나타낸 단면도,
도 3은 도 1의 구조를 개략적으로 나타낸 개략도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기 증착원의 가열원 제어방법의 효과를 나타낸 그래프도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10... 도가니, 30a...상부 가열부,
30b...하부 가열부, 50... 하우징,
70... 외벽, 90... 노즐부,
100...무기 증착원, C... 제어부,
Pa... 제1전력원, Pb... 제2전력원.
본 발명은 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법에 관한 것으로서, 더 상세 하게는 증착률 안정화 도달시간을 최소화하여 증착효율을 향상시키고 노즐 응축현상을 방지하며 정밀한 온도 제어가 가능하도록 된 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로, 증착원이 구비된 증착장치는 각종 전자부품의 박막 증착에 이용되며, 특히 반도체, 엘씨디(LCD), 유기 전계 표시장치 등의 전자 장치 및 표시장치의 박막형성에 주로 사용된다.
상기 유기 전계 발광표시장치는 전자(Electron)주입전극(Cathode)과, 정공(Hole)주입전극(Anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층(Emitting layer) 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 여기자(Exiton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 발광표시장치이다.
여기서 유기전계 발광표시장치의 발광효율을 높이기 위해 정공과 전자를 발광층으로 보다 원활하게 수송하여야 하고, 이를 위해 음극과 유기발광층 사이에는 전자수송층(ETL:Electron Transfer Layer)이 배치될 수 있고 양극과 유기발광층 사이에는 전공수송층이 배치될 수 있다.
또한, 양극과 정공수송층 사이에 정공주입층(HIL:Hole Injection Layer)이 배치될 수 있고, 음극과 전자수송층 사이에는 전자주입층(EIL:Electron Injection Layer)이 배치될 수 있다.
기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공증착법(Evaporation)과, 이온 플레이팅법(Ion-plation) 및 스퍼터링법(Sputtering)과 같은 물리증착법(PVD)과 가스반응에 의한 화학기상증착법(CVD)등이 있다.
이 중에서 유기전계 발광소자의 금속막등의 박막형성에는 진공증착법이 주로 이용된다.
이 진공증착법에 사용되는 증착원으로는 간접가열방식(또는 유도가열방식)의 증착원이 사용되고 있으며, 이 간접가열방식은 도가니에 수용된 증착물질이 소정온도(예를 들면 Al의 경우 1200℃정도)로 가열하는 장치가 요구되고, 이 장치는 상기 도가니를 가열하기 위해 히터와 가열된 도가니에서 방출되는 증착물질이 기판으로 분사되도록 노즐부가 구비된다.
그러나, 이러한 증착원은 가열원으로써 Ta, Mo, W과 같은 금속계열의 선형 가열원을 적용하여 비용이 증대되고, 또한 선형의 구조를 가지므로 가열효율이 낮다는 문제점이 있었다.
또한, 상기 도가니를 가열하기 위한 가열부에서 방출된 열이 증착원의 다른 부위로 전달되어짐으로 이의 효율적인 차폐가 요구되고 있는 실정이다.
더우기, 상기 도가니를 가열하여 요구되어지는 증착률에 도달하기 위해서는, 상기 가열부에 설정된 목표 증착률까지 전원을 인가하여 승온을 시킨 뒤, 증착률의 요동이 안정화되는 범위까지 대기하여 어느 정도의 안정된 증착률을 보이는 범위에서 실제적인 증착을 행함으로써, 증착률이 안정화되기까지 상당한 시간이 소요되고, 이 시간 동안 증착 물질이 기판 상에 증착되지 않고 소모되어 낭비가 되는 문제점이 있었다.
또한, 상기 가열부의 상기 도가니로의 일정치 않은 열전달로 인하여 증착 물질이 증발되어 상기 기판으로 향하는 동안 상기 노즐부 상에 응축되어 증착효율이 저하되고 제품 수율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 판형의 저항 가열원을 사용하여 가열효율 증대를 도모하고, 열차폐 수단을 통하여 냉각효율이 향상되며, 상부 및 하부 각각의 가열을 독립적으로 제어함으로써 증착률 안정화 도달시간을 최소화하여 증착효율을 향상시키고 노즐부 응축현상을 방지하며 정밀한 온도 제어가 가능하도록 된 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 무기 증착원은, 증착 챔버 내에 배치되고 함유된 금속 또는 무기 물질을 증발시키기 위한 도가니, 상기 도가니에 열을 공급하기 위한 가열원을 포함하는 가열부, 상기 가열부에서 방출되는 열을 차폐하기 위한 하우징, 상기 도가니를 안착시키는 외벽, 및 상기 도가니에서 증발된 물질을 분사하기 위한 노즐부를 구비하는 무기 증착원에 있어서, 상기 가열부는 상기 도가니의 상부 및 하부에 위치되고, 상기 상부 가열부에 전력을 공급하기 위한 제1전력원 및 상기 하부 가열부에 전력을 공급하기 위한 제2전력원이 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제1전력원 및 상기 제2전력원을 제어하기 위한 제어부가 더 구성되며, 상기 제어부는 상기 제1전력원 및 상기 제2전력원 각각을 독립적으로 제어하는 것이 바람직하다.
더 바람직하게는, 상기 제어부는 상기 도가니에서 방출되는 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률을 측정하는 수단을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률과 설정된 목표 증착률을 비교하는 수단이 더 포함되어 이루어진다.
또한, 상기 가열부는 판형의 저항 가열원을 포함하며, 상기 판형의 저항 가열원은 탄소 복합재(carbon composite), SiC, 그래파이트(graphite) 중 어느 하나로 이루어지고, 이의 가열온도 범위는 400~900℃인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 외벽과 상기 하우징 사이에는 상기 가열원으로부터 외벽방향으로의 열전달을 차폐시킬 수 있도록 리플렉터가 더 구비되며, 상기 리플렉터는 2 세트 이상으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 무기 증착원의 가열원 제어방법은, 금속 또는 무기 물질이 함유된 도가니에 열을 공급하는 상부 가열부 및 하부 가열부을 각각 가열하는 온도 제어단계; 및 상기 온도 제어단계에서 승온이 이루어진 이후 상기 상부 가열부 및 상기 하부 가열부 중 어느 하나에 공급되는 전력을 고정시키고, 다른 하나에 공급되는 전력을 제어시키는 증착률 제어단계;를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 온도 제어단계 이후에, 상기 온도 제어단계를 통하여 증발된 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률을 측정하는 증착률 측정단계; 및 상기 증착률 측정단계에서 측정된 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률과 설정된 목표 증착률을 비교하는 증착률 비교단계;가 더 포함되어 이루어지는 것이 바람직하며, 더 바람직 하게는, 상기 측정된 증착률이 상기 설정된 목표 증착률의 10~70%에 도달 시에 상기 증착률 제어단계로 변환되는 제어변환단계가 더 포함되어 이루어진다.
또한, 상기 증착률 제어단계는 상기 상부 가열부의 가열 온도를 고정시키고, 상기 하부 가열부의 가열을 제어시키며, 이때, 상기 하부 가열부의 가열은 증착률 제어로써 이루어진다.
이하, 본 발명에 따른 무기 증착원의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기 증착원의 절개단면도이고, 도 2는 도 1의 가열원을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1의 구조를 개략적으로 나타낸 개략도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기 증착원(100)은, 증착 챔버(미도시) 내에 배치되고 함유된 금속 또는 무기 물질을 증발시키기 위한 도가니(10), 이 도가니(10)에 열을 공급하기 위한 가열원(본 도면에서는 미도시)을 포함하는 가열부(30), 이 가열원(30)에서 방출되는 열을 차폐하기 위한 하우징(50), 도가니(10)를 안착시키는 외벽(70), 및 도가니(10)에서 증발된 물질을 분사하기 위한 노즐부(90)를 구비하는 무기 증착원(100)에 있어서, 가열부(30)는 도가니(10)의 상부 및 하부에 위치되고, 상부 가열부(30a)에 전력을 공급하기 위한 제1전력원(Pa) 및 하부 가열부(30b)에 전력을 공급하기 위한 제2전력원(Pb)이 구성되는 것을 특징으로 한다.
도가니(10)는 증착물질 즉, LiF, Mg, Ag, Al과 같은 금속 또는 무기 물질이 수용된 것으로, 이 도가니(10)를 가열하기 위하여 도가니(10) 주변에 가열부(30)가 배치된다.
하우징(50)은 가열부(30)에서 방출되는 고온의 열을 차단하기 위하여, 또한 도가니(10) 및 가열부(30)를 그 내부에 수납하기 위하여 구성된다.
도가니(10), 가열부(30) 및 하우징(50)은 외벽(70)에 의하여 그 내부에 안착되어지고 외벽(70)은 증착원(100)의 실질적인 외형을 구성한다.
이 외벽(70)의 어느 한 면에는 도가니(10)에서 증발되는 증착물질을 분사하기 위한 노즐부(90)가 구성되며, 상술한 하우징(50) 또한 그 어느 한 면에 노즐부(90)가 관통되어 구성된다.
가열부(30)는 도가니(10)의 상부 및 하부에 각각 설치된다. 이 가열부(30)는 판형의 히터(31)를 포함한다. 이 판형의 히터(31)는 저항 가열원이며 탄소 복합재(carbon composite), SiC, 그래파이트(graphite) 중 어느 하나로 이루어진다. 이러한 탄소 복합재, SiC, 그래파이트로 이루어지는 히터(31)는 종래의 Ta, Mo, W과 같은 금속계 선형 히터보다 재료비가 더 저렴하며 판형으로 구성되어 있으므로 더 높은 가열능을 가진다.
또한, 도가니(10)로의 효율적인 열전달을 위하여 판형의 히터(31)는 도가니(10)의 평면 면적보다 더 큰 면적으로 이루어진다. 금속 또는 무기 물질을 증착하기 위하여 판형의 저항 가열원인 히터(31)의 가열온도 범위는 400~900℃이다.
히터(31)의 외측 즉, 히터(31)에서 외벽(70) 측으로는 지지대(33) 및 리플렉터(35)가 구성된다. 지지대(33)는 한 쌍을 이루어 그 사이에 리플렉터(35)를 지지 하며, 도가니(10)가 구성된 측으로 히터(31)를 지지한다.
리플렉터(35)는 히터(31)에서 외벽(70) 방향으로 방출되는 열을 차폐하기 위하여 구성된다. 일반적으로, 금속 또는 무기 물질을 가열하기 위해서는 고온의 열이 요구되므로 이를 차폐하기 위하여 리플렉터(35)는 2 세트 이상 즉, 상부 또는 하부 하나의 가열부(30)에 대하여 2 세트 이상이 구성된다.
2 세트 이상의 리플렉터(35)를 지지하는 지지대(33)의 외측 즉, 외벽(70) 측으로는 단열재(37)가 구성되며, 이 단열재(37)는 그래파이트 펠트(graphite felt)로 이루어지고 증착원(100) 내에서 도가니(10)와 가열부(30)가 구성되는 내부 공간 전면적을 환포한다.
이 단열재(37)의 외측으로는 냉각자켓부(39)가 구성된다. 도면에는 도시되지 아니하였지만, 냉각자켓부(39)에는 냉각수로가 형성되어 이루어지며 이 냉각수로를 통하여 냉각수가 유동됨으로써 냉각이 이루어진다.
상술된 단열재(37)와 마찬가지로, 냉각자켓부(39) 또한 단열재(37) 외측에서 도가니(10)와 가열부(30)로 구성되는 내부 공간 전면적을 환포한다.
가열부(30)는 도가니(10)의 상부(30a) 및 하부(30b)에 각각 구성된다. 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b)는 각각 제1전력원(Pa) 및 제2전력원(Pb)으로부터 전력을 수급받으며, 이 제1전력원(Pa) 및 제2전력원(Pb)은 제어부(C)에 의하여 제어되도록 연결구성된다.
바람직하게는, 제1전력원(Pa) 및 제2전력원(Pb)은 제어부(C)를 통하여 각각 독립적으로 제어되도록, 즉, 각각의 전원 공급이 독립적으로 이루어지도록 구성된 다.
또한, 제어부(C)는 도가니(10)에서 방출되는 금속 또는 무기 물질의 증착률을 측정하는 수단(미도시)을 더 구비한다. 상기 증착률 측정 수단은 증착원(100)의 노즐부(90) 전방 즉, 증착장치 내에 배치되는 증착원(100)에서 기판(미도시) 방향에 맞추어 구성되는 것이 실제적인 증착율 측정에 있어서 바람직하다.
더우기, 제어부(C)에는 상기 증착률 측정 수단을 통하여 얻어진 금속 또는 무기 물질의 증착률과 그 자체적으로 설정된 목표 증착률을 비교하는 수단이 더 포함된다.
따라서, 상기 증착률 측정 수단을 통하여 획득한 실질 증착률과 설정된 목표 증착률의 비교를 통하여 제어부(C)로써 제어되는 제1전력원(Pa) 및 제2전력원(Pb)의 전력 공급을 제어하고, 이로서 도가니(10)의 상부에 구성된 상부 가열부(30a) 및 하부에 구성된 하부 가열부(30b)의 가열을 독립적으로 제어하게 된다.
이하, 본 발명에 따른 무기 증착원의 가열원 제어방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기 증착원의 가열원 제어방법의 효과를 나타낸 그래프도면이다.
본 발명에 따른 무기 증착원의 가열원 제어방법은, 금속 또는 무기 물질이 함유된 도가니(10)에 열을 공급하는 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b)를 각각 가열하는 온도 제어단계; 및 상기 온도 제어단계에서 승온이 이루어진 이후 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b) 중 어느 하나에 공급되는 전력을 고정시키고, 다른 하나에 공급되는 전력을 제어시키는 증착률 제어단계;를 포함하여 이루어진다.
금속 또는 무기 물질을 증착하기 위하여 이를 함유하는 도가니(10)는 금속 또는 무기 물질의 증발온도 이상으로 승온된다. 이때 금속 또는 무기 물질의 증발온도는 증착챔버(미도시)의 진공도에 의하여 해당 물질의 증기압 곡선에 의하여 정의되어진다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b)를 동시에 승온시키면, 즉, 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b)에 인가 전원을 동시에 점차적으로 증가시키면, 어느 정도 이상의 전원 인가, 다시 말하면, 도가니(10)로의 충분한 열전달이 일어난 뒤에 금속 또는 무기 물질이 증발되기 시작한다.
바람직하게는, 온도 제어단계 이후에, 이를 통하여 증발된 금속 또는 무기 물질의 증착률을 증착률 측정수단을 통하여 측정하는 증착률 측정단계가 이루어지고, 이의 측정된 증착률은 제어부(C)에 입력된 요구되어지는 목표 증착률과 비교되는 비교단계가 수행된다.
온도 제어단계를 통한 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b)의 승온은 실질 증착률이 목표 증착률 값의 10~70%에 도달될 시에 증착률 제어단계로, 즉, 상부 가열부(30a) 및 하부 가열부(30b) 중 어느 하나로의 인가 전원을 고정시키고, 다른 하나로의 인가 전원을 제어할 수 있도록 제어변환단계를 거쳐 증착률 제어단계로 변환된다.
실질 증착률이 목표 증착률 값의 10~70%에 도달 시에 제어변환단계를 수행하 는 이유는, 기존의 목표 증착률 값의 100% 도달 시에 인가 전원을 고정시키는 방법과 달리, 목표 증착률 값의 10~70% 범위에서 가열수단을 제어함으로써 증착률이 안정화되는 안정화 시간을 더 줄이기 위해서이다. 즉, 열구동력에 의한 승온 및 이에 의한 과잉 증착률을 감안하여 목표 증착률 값의 100% 이전 범위에서 제어변환단계를 수행함으로써 요구되어지는 증착률에 더 빠른 시간에 도달될 수 있고, 이로 인하여 도가니(10) 내에 수용되는 금속 또는 무기 물질을 절감할 수 있다.
바람직하게는, 증착률 제어단계에서는, 상부 가열부(30a)의 가열 온도를 고정시키고, 하부 가열부(30b)의 가열을 제어 더 상세하게는, 증착률 제어로써 구동시킨다.
하부 가열부(30b)를 증착률 제어로써 구동시키는 이유는, 도가니(10) 내에 수용되는 금속 또는 무기 물질이 도가니(10)의 하부에 침적된 상태로 존재하기 때문에 이에 상대적으로 더 직접 가열되는 하부 가열부(30b)를 제어하여 가열함으로써, 증착률의 더 정밀한 제어가 가능하다. 이때, 상부 가열부(30a)는 고정된 전원을 인가하여 증발된 금속 또는 무기 물질에 충분한 열이 전달되므로, 증착물질이 증발되어 기판으로 향하는 동안 노즐부(90) 등에서 저온으로 인한 응축을 방지할 수 있다.
상기 내용은 본 발명의 바람직한 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 첨부된 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 요지로부터 벗어나지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다는 것을 인식하여야 한 다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법에 의하여, 판형의 저항 가열원을 사용하여 가열효율 증대를 도모하고, 열차폐 수단을 통하여 냉각효율이 향상되며, 상부 및 하부 각각의 가열을 독립적으로 제어함으로써 증착률 안정화 도달시간을 최소화하여 증착효율을 향상시키고 노즐부 응축현상을 방지하며 정밀한 온도 제어가 가능하다.

Claims (15)

  1. 증착 챔버 내에 배치되고 함유된 금속 또는 무기 물질을 증발시키기 위한 도가니, 상기 도가니에 열을 공급하기 위한 가열원을 포함하는 가열부, 상기 가열부에서 방출되는 열을 차폐하기 위한 하우징, 상기 도가니를 안착시키는 외벽, 및 상기 도가니에서 증발된 물질을 분사하기 위한 노즐부를 구비하는 무기 증착원에 있어서,
    상기 가열부는 상기 도가니의 상부 및 하부에 위치되고, 상기 상부 가열부에 전력을 공급하기 위한 제1전력원 및 상기 하부 가열부에 전력을 공급하기 위한 제2전력원이 구성되는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1전력원 및 상기 제2전력원을 제어하기 위한 제어부가 더 구성되는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제1전력원 및 상기 제2전력원 각각을 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 도가니에서 방출되는 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률을 측정하는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률과 설정된 목표 증착률을 비교하는 수단이 더 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는 판형의 저항 가열원을 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 판형의 저항 가열원은 탄소 복합재(carbon composite), SiC, 그래파이트(graphite) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 판형의 저항 가열원의 가열온도 범위는 400~900℃인 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 외벽과 상기 하우징 사이에는 상기 가열원으로부터 외벽방향으로의 열전달을 차폐시킬 수 있도록 리플렉터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 리플렉터는 2 세트 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 무기 증착원.
  11. 금속 또는 무기 물질이 함유된 도가니에 열을 공급하는 상부 가열부 및 하부 가열부을 각각 가열하는 온도 제어단계; 및
    상기 온도 제어단계에서 승온이 이루어진 이후 상기 상부 가열부 및 상기 하부 가열부 중 어느 하나에 공급되는 전력을 고정시키고, 다른 하나에 공급되는 전력을 제어시키는 증착률 제어단계;
    를 포함하여 이루어지는 무기 증착원의 가열원 제어방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 온도 제어단계 이후에,
    상기 온도 제어단계를 통하여 증발된 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률을 측정하는 증착률 측정단계; 및
    상기 증착률 측정단계에서 측정된 상기 금속 또는 무기 물질의 증착률과 설 정된 목표 증착률을 비교하는 증착률 비교단계;
    가 더 포함되어 이루어지는 무기 증착원의 가열원 제어방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 측정된 증착률이 상기 설정된 목표 증착률의 10~70%에 도달 시에 상기 증착률 제어단계로 변환되는 제어변환단계가 더 포함되어 이루어지는 무기 증착원의 가열원 제어방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 증착률 제어단계는 상기 상부 가열의 가열 온도를 고정시키고, 상기 하부 가열부의 가열을 제어시키는 무기 증착원의 가열원 제어방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 하부 가열부의 가열은 증착률 제어로써 이루어지는 무기 증착원의 가열원 제어방법.
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