KR100830302B1 - 증발원 - Google Patents

증발원 Download PDF

Info

Publication number
KR100830302B1
KR100830302B1 KR1020070001116A KR20070001116A KR100830302B1 KR 100830302 B1 KR100830302 B1 KR 100830302B1 KR 1020070001116 A KR1020070001116 A KR 1020070001116A KR 20070001116 A KR20070001116 A KR 20070001116A KR 100830302 B1 KR100830302 B1 KR 100830302B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
evaporation source
crucible
organic material
width
Prior art date
Application number
KR1020070001116A
Other languages
English (en)
Inventor
조원석
이성호
허명수
김상진
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020070001116A priority Critical patent/KR100830302B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100830302B1 publication Critical patent/KR100830302B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 증발원에 형성된 분사노즐의 간격을 조절함으로써, 대면적 기판 전체에 균일하게 성막함과 동시에 각각의 픽셀 내부에도 균일하게 성막할 수 있는 증발원에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기박막 재료인 유기물이 수납되고, 가열부가 구비된 도가니; 상기 유기물을 기판에 분사하는 적어도 하나의 분사노즐을 포함하는 증발원에 있어서, 상기 분사노즐은 상기 기판의 폭과 동일한 구간에서는 동일한 간격으로 형성되어 있고, 상기 기판의 폭 외의 구간에서는 동일하지 않은 간격으로 형성된다. 이러한 구성에 의하여, 대면적 기판에서도 마스크를 이용하여 효율적으로 유기 발광소자를 생산할 수 있다.
분사노즐, 증발원

Description

증발원 {Evaporation source}
도 1은 종래기술에 따른 증발원의 도가니에 형성된 분사노즐을 나타내는 평면도.
도 2는 종래기술에 따른 기판중앙부 및 가장자리 부분에 위치한 각각의 픽셀에 증착되는 유기박막의 두께를 나타내는 그래프.
도 3은 본 발명에 따른 증발원을 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 증발원의 도가니에 형성된 분사노즐을 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 기판중앙부 및 가장자리 부분에 위치한 각각의 픽셀에 증착되는 유기박막의 두께를 나타내는 그래프.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
10, 31, 40 : 도가니 32 : 유도로
33 : 리플렉터 34 : 가열부
11, 35, 41 : 분사노즐 36 : 방열판
본 발명은 증발원에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 증발원에 형성된 분사노즐의 간격을 조절하여, 대면적 기판 전체에 균일하게 성막함과 동시에 각각의 픽셀 내부에도 균일하게 성막할 수 있는 증발원에 관한 것이다.
유기 발광표시장치는 발광층에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용하는 자발광형 디스플레이 장치이다. 유기 발광표시장치는 저전압으로 구동이 가능하고, 경량의 박형이며, 시야각이 넓을 뿐만 아니라 응답속도 또한 빠르다는 장점을 구비한다.
유기 발광표시장치의 기판 상에 유기박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공증착법, 이온 플래이팅법 및 스퍼터링법과 같은 물리 기상 증착(PVD)법과, 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법 등이 있다.
이 중, 가장 일반적으로 유기박막을 형성하는 방법인 진공증착법은 진공챔버의 하부에 증발원과 그 상부에 성막용 기판을 설치하여 박막을 형성하는 것이다. 진공증착법을 이용하는 유기박막 형성장치의 개략적인 구성을 살펴보면, 진공챔버에 연결된 진공배기계가 존재하며, 이를 이용하여 진공챔버의 내부를 일정한 진공을 유지시킨 후, 진공챔버의 하부에 배치된 적어도 하나의 유기박막 재료 증발원으로부터 유기박막의 재료인 유기물을 증발시키도록 구성된다.
상기 증발원은 그 내부에 유기박막 재료인 유기물이 수납되는 도가니와, 상 기 도가니의 주변에 감겨져 도가니를 가열하는 가열부 및 상기 가열부에서 발생한 열이 기판으로 복사되는 것을 방지하기 위하여 상기 가열부의 외곽에는 방열판이 설치되어 있다. 그리고 상기 도가니에는 상기 유기물이 배출되는 통로인 분사노즐이 형성되어 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래의 증발원의 분사노즐을 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래기술에 따른 증발원의 도가니(10)에 형성된 분사노즐(11)을 나타내는 평면도이고, 도 2는 종래기술에 따른 기판중앙부 및 가장자리 부분에 위치한 각각의 픽셀에 증착되는 유기박막의 두께를 나타내는 그래프이다.
도 1을 참조하면, 증발원의 분사노즐(11)을 배치함에 있어, 증발원의 중앙부에 비해 가장자리 부분에 분사노즐(11)을 조밀하게 배치한다. 상기 증발원의 중앙부 및 상기 가장자리 부분에 형성된 각각의 상기 분사노즐(11)의 간격은 동일하지 않다. 이는 분사노즐(11)의 폭을 동일하게 하면, 기판 전체에 증착된 유기박막의 두께가 균일하지 않게 형성되기 때문이다.
그러나, 도 2에서 보는 바와 같이, FMM(Fine Metal Mask)를 이용하여 유기박막의 패턴을 형성하는 공정에서, 기판 전체에 증착된 유기박막의 균일도만을 고려하여 분사노즐의 배치를 결정하면 픽셀 내부의 유기박막 두께가 불균일하여 유기 발광소자에서 불량한 픽셀을 초래하게 된다. 기판 전체에서의 균일도와는 반대로, 픽셀 내부의 균일도는 분사노즐을 불균일하게 배치할수록 악화되는 결과를 가져오기 때문에, 이는 증발원을 제작하는데 있어 가장 중요한 과제이다.
또한, 도가니의 분사노즐과 방열판의 개구 사이에 공간이 형성됨으로써, 유기물이 분사노즐을 통하여 배출되는 과정에서, 방열판의 하부에 유기물이 증착될 수 있다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 대면적 기판 전체에 균일하게 성막함과 동시에 각각의 픽셀 내부에도 균일하게 성막할 수 있는 증발원을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 유기물이 방열판에 증착되는 것을 방지할 수 있는 증발원을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기박막 재료인 유기물이 수납되고, 가열부가 구비된 도가니와, 상기 유기물을 기판에 분사하는 적어도 하나의 분사노즐을 포함하는 증발원에 있어서, 상기 분사노즐은 상기 기판의 폭과 동일한 구간에서는 동일한 간격으로 형성되어 있고, 상기 기판의 폭 외의 구간에서는 동일하지 않은 간격으로 형성된다.
바람직하게, 상기 기판의 폭 외의 구간에서의 상기 분사노즐의 간격은 상기 도가니의 양단부로 갈수록 좁아진다. 그리고, 상기 도가니에는 상기 유기물을 기판 방향으로 전환시키는 유도로 및, 상기 유도로의 열이 기판 방향으로 복사되는 것을 방지하기 위하여 방열판이 더 구비된다. 상기 분사노즐은 상기 방열판을 관통하여 돌출된다. 또한, 상기 가열부는 도가니를 가열하도록 설치된 적어도 하나의 히터가 구비되며, 상기 가열부와 하우징 사이에는 리플렉터가 더 구비된다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 증발원을 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 증발원을 나타내는 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 증발원은 유기박막 재료인 유기물이 수용되어 있는 도가니(31)와, 상기 도가니(31)를 가열시키는 가열부(34)로 구성된다. 또한 기화된 상기 유기물을 분사하는 적어도 하나의 분사노즐(35)과, 상기 도가니(31)로부터 상기 분사노즐(35)까지 기화된 증착물질을 안내하는 유도로(32)가 포함된다. 그리고, 상기 가열부(34)와 도가니(31)의 외부를 둘러싸는 하우징(30) 사이에는 리플렉터(33)가 구비되며, 상기 도가니(31)에는 상기 유도로(32)의 열이 기판 방향으로 복사되는 것을 방지하기 위한 방열판(36)이 더 구비된다.
따라서, 기판이 진공챔버 내에 장착된 상태에서, 상기 가열부(34)에 의해서 가열되어 기화 또는 승화된 유기물은 상기 유도로(32)를 경유하여 상기 분사노즐(35)을 통해서 기판으로 분사되어 증착된다. 이와 같이, 상기 유기물을 가열함으로써, 기화 또는 승화시켜 바로 기판에 유기물을 증착할 수 있는 것은 상기 유기 발광소자에 사용되는 유기물이 승화성이 높고, 200℃ 내지 400℃의 낮은 온도에서 기화하기 때문에 가능하다. 상기 도가니(31)로부터 기화 또는 승화된 유기물은 상기 기판으로 이동되어 흡착, 증착, 재증발 등의 연속적 과정을 거쳐 상기 기판에 고체화되어 유기박막을 형성한다.
상기 도가니(31)는 증착되는 유기물을 수납하며, 재질은 유기물의 특성과 산화 특성 등을 고려하여 열 전도가 뛰어난 재질로 형성하여야 하는데, 그 재질로는 그래파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(SiC), 알루미늄 나이트라이드(AIN), 알루미나(Al2O3), 보론 나이트라이드(BN), 석영(Quratz) 등의 열 전도도가 좋은 세라믹이나 타이타늄(Ti) 또는 스테인레스 스틸(Stainless Steel)과 같은 금속 등으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나가 사용된다.
상기 가열부(34)는 상기 도가니(31)를 가열하도록 설치된 적어도 하나의 히터(미도시)가 구비되며, 상기 히터가 가열됨에 따라 상기 도가니(31)도 가열되어 일정온도가 되면 유기물이 증발되기 시작한다. 그리고, 기화 또는 승화된 상기 유기물을 기판 방향으로 전환시키는 역할을 하는 상기 유도로(32)의 열이 기판 방향으로 복사되는 것을 방지하기 위하여 상기 도가니(31)에는 방열판(36)이 형성된다.
상기 분사노즐(35)은 기화 또는 승화된 유기물을 기판에 균일하게 분사할 수 있도록 하며, 상기 기판의 폭과 동일한 구간에서는 동일한 간격으로 형성되어 있고, 상기 기판의 폭 외의 구간에서는 동일하지 않은 간격으로 형성된다. 상기 기판의 폭 외의 구간에서의 상기 분사노즐(35)의 간격은 상기 도가니(31)의 양단부로 갈수록 좁아진다.
그리고, 상기 분사노즐(35)은 상기 방열판(36)을 관통하여 돌출된 형상으로 형성된다. 상기 분사노즐(35)이 돌출된 형상으로 형성하여 상기 유기물이 방열판(36)에 증착되는 것을 방지함으로써, 유기물 사용량을 절감할 수 있다.
상기 리플렉터(33)는 상기 가열부(34)와 하우징(30) 사이에 구비되며, 하나 이상 다수개로 형성됨이 좋고, 상기 가열부(34)와 근접되게 배치되어 상기 가열부(34) 및 상기 도가니(31)로부터 방출되는 고온의 열을 반사시킨다. 또한, 상기 리플렉터(33)는 상기 가열부(34)를 감싸도록 설치되어 상기 가열부(34) 및 상기 도가니(31)의 열이 외부로 나가는 것을 차단시키고, 상기 하우징(30)은 도면에는 도시되지 않았지만, 내벽과 외벽으로 구분된 이중벽 구조를 가지면서 냉각수가 유입 및 배출되는 공간을 형성한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 증발원의 도가니에 형성된 분사노즐을 나타내는 평면도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 기판중앙부 및 가장자리 부분에 위치한 각각의 픽셀에 증착되는 유기박막의 두께를 나타내는 그래프이다.
도 4를 참조하면, 증발원의 분사노즐(41)을 배치함에 있어, 기판의 폭과 동일한 구간에서는 동일한 간격으로 형성하고, 기판의 폭 외의 구간에서는 도가니(40)의 양단부로 갈수록 좁아지도록 분사노즐(41)을 동일하지 않은 간격으로 형성한다. 기판의 폭 외의 구간에서의 분사노즐(41)의 간격은 상기 도가니(40)의 양단부로 갈수록 좁아진다.
본 발명에 따라, 상기 기판의 폭과 동일한 구간에서의 분사노즐(41)의 간격을 동일하게 하고, 기판의 폭 외의 구간에서의 분사노즐(41)의 간격을 도가니(40)의 양단부로 갈수록 좁아지게 형성함으로써, 도 5에서 보는 바와 같이, 기판 전체에 증착되는 유기박막의 두께 및 각각의 픽셀 내부에 증착되는 유기박막 두께의 균일도를 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 증발원은 수직 증착 방식 또는 상향 증착 방식에 적용하여 유기박막을 형성할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 증발원에 형성된 분사노즐의 간격을 조절함으로써, 대면적 기판 전체에 균일하게 성막함과 동시에 각각의 픽셀 내부에도 균일하게 성막하여, 대면적 기판에서도 마스크를 이용하여 효율적으로 유기 발광소자를 생산할 수 있다.
또한, 증발원의 분사노즐을 돌출된 형상으로 형성하여, 유기물이 방열판에 증착되는 것을 방지함으로써, 유기물의 사용량을 절감할 수 있다.

Claims (7)

  1. 유기박막 재료인 유기물이 수납되고, 가열부가 구비된 도가니;
    상기 유기물을 기판에 분사하는 적어도 하나의 분사노즐을 포함하는 증발원에 있어서,
    상기 분사노즐은 상기 기판의 폭과 동일한 구간에서는 동일한 간격으로 형성되어 있고, 상기 기판의 폭 외의 구간에서는 동일하지 않은 간격으로 형성되는 증발원.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 폭 외의 구간에서의 상기 분사노즐의 간격은 상기 도가니의 양단부로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 증발원.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도가니에는 상기 유기물을 기판 방향으로 전환시키는 유도로가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증발원.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도가니에는 상기 유도로의 열이 기판 방향으로 복사되는 것을 방지하기 위하여 방열판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증발원.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분사노즐은 상기 방열판을 관통하여 돌출되는 것을 특징으로 하는 증발원.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가열부는 상기 도가니를 가열하도록 설치된 적어도 하나의 히터가 구비된 것을 특징으로 하는 증발원.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가열부와 하우징 사이에 리플렉터가 더 구비된 것을 특징으로 하는 증발원.
KR1020070001116A 2007-01-04 2007-01-04 증발원 KR100830302B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070001116A KR100830302B1 (ko) 2007-01-04 2007-01-04 증발원

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070001116A KR100830302B1 (ko) 2007-01-04 2007-01-04 증발원

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100830302B1 true KR100830302B1 (ko) 2008-05-16

Family

ID=39664531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070001116A KR100830302B1 (ko) 2007-01-04 2007-01-04 증발원

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100830302B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097593B1 (ko) * 2011-03-11 2011-12-22 주식회사 선익시스템 박막의 두께 제어의 정확도 향상을 위한 박막 증착 장치
KR101235580B1 (ko) * 2010-11-30 2013-02-21 (주)아이블포토닉스 열 증착 장치 및 그의 내부 보트
KR101373782B1 (ko) * 2011-03-08 2014-03-13 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 증발원 및 증착 장치
KR20140082091A (ko) * 2012-12-21 2014-07-02 엘지디스플레이 주식회사 선형 증발원과 유기발광 다이오드

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060084248A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증발원 및 유기물 증착장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060084248A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증발원 및 유기물 증착장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101235580B1 (ko) * 2010-11-30 2013-02-21 (주)아이블포토닉스 열 증착 장치 및 그의 내부 보트
KR101373782B1 (ko) * 2011-03-08 2014-03-13 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 증발원 및 증착 장치
KR101097593B1 (ko) * 2011-03-11 2011-12-22 주식회사 선익시스템 박막의 두께 제어의 정확도 향상을 위한 박막 증착 장치
KR20140082091A (ko) * 2012-12-21 2014-07-02 엘지디스플레이 주식회사 선형 증발원과 유기발광 다이오드
KR102040661B1 (ko) * 2012-12-21 2019-11-28 엘지디스플레이 주식회사 선형 증발원과 유기발광 다이오드

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100729097B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
KR100805531B1 (ko) 증발원
JP4440837B2 (ja) 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
KR100666574B1 (ko) 증발원
KR100703427B1 (ko) 증발원 및 이를 채용한 증착장치
EP1777320B1 (en) Apparatus and method for depositing thin films
KR101263005B1 (ko) 증착 장치 및 방법
KR100645689B1 (ko) 선형 증착원
KR100711886B1 (ko) 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
JP2005044592A (ja) 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
JP2007063664A (ja) 有機蒸着源及びその加熱源の制御方法
KR20110082820A (ko) 유기전계발광 디스플레이 패널 제조용 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR100830302B1 (ko) 증발원
KR100962967B1 (ko) 증발원
JP4593008B2 (ja) 蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置
KR100762698B1 (ko) 박막 증착장치
JP2007302990A (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法
KR102680671B1 (ko) 기상 증착 장치 및 진공 챔버에서 기판을 코팅하기 위한 방법
KR100625983B1 (ko) 증발원
KR100645687B1 (ko) 진공증착장치의 도가니 및 이를 채용한 증발원
KR102098619B1 (ko) 도가니 장치 및 이를 포함하는 증착 장치
KR100804700B1 (ko) 증착 장치
KR100719664B1 (ko) 도가니를 채용한 증발원

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180502

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 12