KR20070000832A - A shift register and a method for driving the same - Google Patents

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Abstract

A shift register and a driving method thereof are provided to prevent a coupling phenomenon by discharging a first node of the shift register whenever a clock pulse is applied to the shift register. A shift register includes plural stages, which sequentially activate gate lines of an LCD(Liquid Crystal Display) panel by sequentially supplying scan pulses. Each of the stages includes a node controller(400a), a pull-up switching element(Tru), a pull-down switching element(Trd), a discharge unit(400c), and a disconnection unit(400d). The node controller controls the charging or discharging state of first and second nodes. The pull-up switching element receives a first periodic clock pulse and outputs the first clock pulse, which is supplied while the first node is in a charged state, as the scan pulse. The pull-down switching element outputs a first voltage source in response to the charged state of the second node. The discharge unit discharges the first node down to the voltage level of the first voltage source for every first clock pulses. The disconnection unit stops the operation of the discharge unit in response to the scan pulse from the pull-up switching element, so that the first node is maintained in the charged state.

Description

쉬프트 레지스터 및 이의 구동방법{A shift register and a method for driving the same}A shift register and a method for driving the same

도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면1 is a view showing a conventional shift register

도 2는 커플링현상에 의한 제 1 노드의 충전상태를 나타낸 도면2 is a diagram illustrating a state of charge of a first node due to a coupling phenomenon;

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면3 illustrates a shift register according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 제 2 스테이지의 상세 구성을 나타낸 도면4 is a diagram illustrating a detailed configuration of a second stage of FIG. 3.

도 5는 제 2 스테이지에 구비된 노드 제어부, 출력부, 및 방전부의 회로구성을 나타낸 도면5 is a diagram illustrating a circuit configuration of a node controller, an output unit, and a discharge unit provided in the second stage.

도 6은 도 3의 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면 FIG. 6 is a view illustrating the first to third stages of FIG. 3.

도 7은 도 6의 스테이지에 공급되는 각종 신호, 및 상기 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 대한 타이밍도7 is a timing diagram of various signals supplied to the stage of FIG. 6 and scan pulses output from the stage.

도 8은 도 2의 제 2 스테이지의 또 다른 회로구성을 나타낸 도면FIG. 8 is a diagram illustrating another circuit configuration of the second stage of FIG. 2.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면9 illustrates a shift register according to a second embodiment of the present invention.

도 10은 도 9의 제 2 스테이지에 대한 상세 구성도FIG. 10 is a detailed configuration diagram of the second stage of FIG. 9.

도 11은 도 10에 도시된 제 2 스테이지의 회로구성을 나타낸 도면FIG. 11 is a diagram illustrating a circuit configuration of the second stage illustrated in FIG. 10.

도 12는 도 9의 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면 12 is a view showing the first to third stages of FIG.

도 13은 도 12의 스테이지에 공급되는 각종 신호, 및 상기 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 대한 타이밍도FIG. 13 is a timing diagram of various signals supplied to the stage of FIG. 12 and scan pulses output from the stage.

도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면14 illustrates a shift register according to a third embodiment of the present invention.

도 15는 도 14의 제 2 스테이지에 대한 회로 구성도FIG. 15 is a circuit diagram illustrating the second stage of FIG. 14.

도 16은 도 14의 제 2 스테이지의 또 다른 회로구성을 나타낸 도면FIG. 16 is a diagram illustrating still another circuit configuration of the second stage of FIG.

*도면의 주요부에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings

BST1 내지 BSTn : 제 1 내지 제 n 스테이지 BSTn+1 : 더미 스테이지BST1 to BSTn: first to nth stage BSTn + 1: dummy stage

CLK1 내지 CLK4 : 제 1 내지 제 4 클럭펄스 SP : 스타트 펄스CLK1 to CLK4: first to fourth clock pulses SP: start pulse

VDD : 제 1 전압원 VSS : 제 2 전압원VDD: first voltage source VSS: second voltage source

Vout1 내지 Voutn+1 : 제 1 내지 제 n+1 스캔펄스Vout1 to Voutn + 1: First to nth + 1 scan pulses

본 발명은 액정표시장치의 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 클럭펄스와의 커플링현상에 의한 멀티 출력을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shift register of a liquid crystal display, and more particularly to a shift register capable of preventing multiple outputs due to coupling with a clock pulse.

통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여 액정표시장치는 화소영역들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다. Conventional liquid crystal display devices display an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which pixel regions are arranged in a matrix, and a driving circuit for driving the liquid crystal panel.

상기 액정패널에는 다수개의 게이트 라인들과 다수개의 데이터 라인들이 교차하게 배열되고, 그 게이트 라인들과 데이터 라인들이 수직교차하여 정의되는 영 역에 화소영역이 위치하게 된다. 그리고, 상기 화소영역들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 상기 액정패널에 형성된다. In the liquid crystal panel, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are arranged to cross each other, and a pixel region is positioned in an area defined by vertical crossings of the gate lines and data lines. Pixel electrodes and a common electrode for applying an electric field to each of the pixel regions are formed in the liquid crystal panel.

상기 화소전극들 각각은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)의 소스단자 및 드레인단자를 경유하여 상기 데이터 라인에 접속된다. 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인을 경유하여 게이트단자에 인가되는 스캔펄스에 의해 턴-온되어, 상기 데이터 라인의 데이터 신호가 상기 화소전압에 충전되도록 한다.Each of the pixel electrodes is connected to the data line via a source terminal and a drain terminal of a thin film transistor (TFT) which is a switching element. The thin film transistor is turned on by a scan pulse applied to a gate terminal via the gate line, so that the data signal of the data line is charged to the pixel voltage.

한편, 상기 구동회로는 상기 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 드라이버와, 상기 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 드라이버와, 상기 게이트 드라이버와 데이터 드라이버를 제어하기 위한 제어신호를 공급하는 타이밍 콘트롤러와, 액정표시장치에서 사용되는 여러 가지의 구동전압들을 공급하는 전원공급부를 구비한다. The driving circuit may include a gate driver for driving the gate lines, a data driver for driving the data lines, a timing controller for supplying a control signal for controlling the gate driver and the data driver, and a liquid crystal display device. It is provided with a power supply for supplying a variety of driving voltages used in.

상기 타이밍 콘트롤러는 상기 게이트 드라이버 및 상기 데이터 드라이버의 구동 타이밍을 제어함과 아울러 상기 데이터 드라이버에 화소데이터 신호를 공급한다. 그리고, 상기 전원공급부는 입력 전원을 승압 또는 감압하여 액정표시장치에서 필요로 하는 공통전압(VCOM), 게이트 하이전압 신호(VGH), 게이트 로우전압 신호(VGL) 등과 같은 구동전압들을 생성한다. 그리고, 상기 게이트 드라이버는 스캔펄스를 게이트 라인들에 순차적으로 공급하여 액정패널상의 액정셀들을 1라인분씩 순차적으로 구동한다. 그리고, 상기 데이터 드라이버는 게이트 라인들 중 어느 하나에 스캔펄스가 공급될 때마다 데이터 라인들 각각에 화소 전압신호를 공급한다. 이 에 따라, 액정표시장치는 액정셀별로 화소전압신호에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.The timing controller controls driving timing of the gate driver and the data driver and supplies a pixel data signal to the data driver. The power supply unit boosts or decompresses an input power to generate driving voltages such as a common voltage VCOM, a gate high voltage signal VGH, and a gate low voltage signal VGL required by the liquid crystal display. The gate driver sequentially supplies scan pulses to the gate lines to sequentially drive the liquid crystal cells on the liquid crystal panel by one line. The data driver supplies a pixel voltage signal to each of the data lines whenever a scan pulse is supplied to any one of the gate lines. Accordingly, the liquid crystal display displays an image by adjusting light transmittance by an electric field applied between the pixel electrode and the common electrode according to the pixel voltage signal for each liquid crystal cell.

여기서, 상기 게이트 드라이버는 상술한 바와 같은 스캔펄스들을 순차적으로 출력할 수 있도록 쉬프트 레지스터를 구비한다. 이를 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the gate driver includes a shift register to sequentially output the scan pulses as described above. This will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional shift register.

종래의 쉬프트 레지스터는, 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들(AST1 내지 ASTn) 및 하나의 더미 스테이지(ASTn+1)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(AST1 내지 ASTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(AST1)부터 더미 스테이지(ASTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(AST1 내지 ASTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. As shown in FIG. 1, the conventional shift register includes n stages AST1 to ASTn and one dummy stage ASTn + 1 connected dependently to each other. Here, each of the stages AST1 to ASTn + 1 outputs one scan pulse Vout1 to Voutn + 1, and in this case, the scan pulse Vout1 sequentially from the first stage AST1 to the dummy stage ASTn + 1. To Voutn + 1). In this case, scan pulses Vout1 to Voutn output from the stages AST1 to ASTn except for the dummy stage ASTn + 1 are sequentially supplied to gate lines of the liquid crystal panel (not shown). The gate lines are sequentially scanned.

이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(AST1 내지 ASTn+1)는 제 1 전압원(VDD) 및 제 2 전압원(VSS)과, 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 접지전압을 의미한다.The entire stages AST1 to ASTn + 1 of the shift register configured as described above are configured with the first voltage source VDD and the second voltage source VSS, and the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 having sequential phase differences with each other. Two clock pulses are received. Here, the first voltage source VDD means a positive voltage source, and the second voltage source VSS means a ground voltage.

한편, 상기 스테이지들(AST1 내지 ASTn+1) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테 이지(AST1)는, 상기 제 1 전압원(VDD), 제 2 전압원(VSS), 및 상기 두 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Meanwhile, the first stage AST1 located at the uppermost side of the stages AST1 to ASTn + 1 may have a start pulse in addition to the first voltage source VDD, the second voltage source VSS, and the two clock pulses. (SP) is supplied.

이와 같이 구성된 종래의 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the conventional shift register configured as described above will be described in detail as follows.

먼저, 타이밍 콘트롤러(도시되지 않음)로부터의 스타트 펄스(SP)가 제 1 스테이지(AST1)에 인가되면, 상기 제 1 스테이지(AST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 응답하여 인에이블된다.First, when a start pulse SP from a timing controller (not shown) is applied to the first stage AST1, the first stage AST1 is enabled in response to the start pulse SP.

이어서, 상기 인에이블된 제 1 스테이지(AST1)는 타이밍 콘트롤러로부터의 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1 내지 CLK2)를 입력받아 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인과 제 2 스테이지(AST2)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(AST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 인에이블된다. Subsequently, the enabled first stage AST1 receives the first and second clock pulses CLK1 to CLK2 from the timing controller, and outputs the first scan pulse Vout1, and the first gate line and the first gate line. It is supplied together to the 2 stage AST2. Then, the second stage AST2 is enabled in response to the first scan pulse Vout1.

이어서, 상기 인에이블된 제 2 스테이지(AST2)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 2 및 제 3 클럭펄스(CLK2, CLK3)를 입력받아 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고, 이를 제 2 게이트 라인, 제 3 스테이지(AST3) 및 상기 제 1 스테이지(AST1)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 상기 제 3 스테이지(AST3)는 인에이블되고, 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 상기 제 1 스테이지(AST1)는 디스에이블되어 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 1 게이트 라인에 공급한다. Subsequently, the enabled second stage AST2 receives the second and third clock pulses CLK2 and CLK3 from the timing controller and outputs a second scan pulse Vout2, and the second gate line, The third stage AST3 and the first stage AST1 are supplied together. Then, the third stage AST3 is enabled in response to the second scan pulse Vout2, and the first stage AST1 is disabled in response to the second scan pulse Vout2. A second voltage source VSS is supplied to the first gate line.

이어서, 상기 인에이블된 제 3 스테이지(AST3)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 3 및 제 4 클럭펄스(CLK3, CLK4)를 입력받아 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력 하고, 이를 제 3 게이트 라인, 제 4 스테이지(AST4) 및 상기 제 2 스테이지(AST2)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 4 스테이지(AST4)는 인에이블되고, 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 2 스테이지(AST2)는 디스에이블되어 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 2 게이트 라인에 공급한다. Subsequently, the enabled third stage AST3 receives the third and fourth clock pulses CLK3 and CLK4 from the timing controller and outputs a third scan pulse Vout3, and the third gate line, The fourth stage AST4 and the second stage AST2 are supplied together. Then, the fourth stage AST4 is enabled in response to the third scan pulse Vout3, and the second stage AST2 is disabled in response to the third scan pulse Vout3. A second voltage source VSS is supplied to the second gate line.

이와 같은 방식으로, 나머지 제 4 내지 제 n 스테이지(AST4 내지 ASTn)까지 순차적으로 제 4 내지 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력하여 상기 제 4 내지 제 n 게이트 라인에 순차적으로 인가한다. 결국, 상기 제 1 내지 제 n 게이트 라인은 상기 순차적으로 출력되는 제 1 내지 제 n 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)에 의해 차례로 스캐닝된다.In this manner, the fourth to nth scan pulses Voutn are sequentially output to the remaining fourth to nth stages AST4 to ASTn and sequentially applied to the fourth to nth gate lines. As a result, the first to nth gate lines are sequentially scanned by the sequentially output first to nth scan pulses Vout1 to Voutn.

한편, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)는 상기 제 n 스테이지(ASTn)로부터의 제 n 스캔펄스(Voutn)에 응답하여 인에이블된 후, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 두 개의 클럭펄스를 입력받아 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 상기 제 n 스테이지(ASTn)에 공급하여, 상기 제 n 스테이지(ASTn)가 디스에이블되어 제 n 게이트 라인에 상기 제 2 전압원(VSS)을 제공할 수 있도록 한다. 다시말하면, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)는 단지 상기 제 n 스테이지(ASTn)가 제 2 전압원(VSS)을 출력할 수 있도록 상기 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 제공할 뿐, 상기 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 게이트 라인에는 공급하지 않는다. 따라서, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)를 포함한 전체 스테이지의 수는 상기 게이트 라인의 수보다 항상 1개가 더 많게 된다.Meanwhile, the dummy stage ASTn + 1 is enabled in response to the nth scan pulse Voutn from the nth stage ASTn, and then receives two clock pulses from the timing controller. One scan pulse Voutn + 1 is supplied to the nth stage ASTn so that the nth stage ASTn is disabled to provide the second voltage source VSS to the nth gate line. In other words, the dummy stage ASTn + 1 merely provides the n + 1 scan pulse Voutn + 1 so that the nth stage ASTn can output the second voltage source VSS. The n + 1th scan pulse Voutn + 1 is not supplied to the gate line. Therefore, the total number of stages including the dummy stage ASTn + 1 is always one more than the number of gate lines.

일반적으로, 상기 제 1 내지 제 n 스테이지(ASTn), 그리고 더미 스테이지 (ASTn+1)는 제 1 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하기 위한 노드 제어부와, 상기 제 1 및 제 2 노드의 상태에 따라 제 1 스캔펄스(Vout1) 또는 제 2 전압원(VSS)을 출력하여, 이를 액정패널의 게이트 라인에 공급하는 출력부를 갖는다.In general, the first to nth stages ASTn and the dummy stage ASTn + 1 may include a node controller for controlling charge and discharge states of the first and second nodes, and According to the state, the first scan pulse Vout1 or the second voltage source VSS is output and has an output part which supplies the same to the gate line of the liquid crystal panel.

여기서, 상기 제 1 노드와 제 2 노드는 서로 교번적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로 상기 제 1 노드가 충전된 상태일 때에는 상기 제 2 노드가 방전된 상태를 유지하며, 상기 제 2 노드가 충전된 상태일 때에는 상기 제 1 노드가 방전된 상태를 유지하게 된다. Here, the first node and the second node are alternately charged and discharged. Specifically, when the first node is in a charged state, the second node is maintained in a discharged state, and the second node is charged. In this state, the first node maintains a discharged state.

이때, 상기 제 1 노드가 충전상태일때는 상기 출력부의 풀업 스위칭소자로부터는 스캔펄스가 출력되고, 상기 제 2 노드가 충전상태일때는 상기 출력부의 풀다운 스위칭소자로부터 제 2 전압원이 출력된다. 물론, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력된 스캔펄스 및 풀다운 스위칭소자로부터 출력된 제 2 전압원은 해당 게이트 라인에 공급된다. 여기서, 상기 풀업 스위칭소자의 게이트단자는 상기 제 1 노드에 접속되며, 소스단자는 클럭펄스가 인가되는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 게이트 라인에 접속된다. 상기 클럭펄스는 주기적으로 상기 풀업 스위칭소자의 소스단자에 공급된다. 이때, 상기 풀업 스위칭소자는 상기 매 주기마다 입력되는 클럭펄스들 중 어느 하나를 특정 시점에서 출력하게 된다. 이 특정 시점에 출력된 클럭펄스가 게이트 라인을 구동하기 위한 스캔펄스이다. 이 특정 시점이란, 상기 제 1 노드가 충전되는 시점을 말한다. 즉, 상기 풀업 스위칭소자는 자신의 소스단자에 주기적으로 계속해서 입력되는 클럭펄스들 중, 상기 특정 시점(즉, 상기 제 1 노드가 충전된 상태의 시점)에 입력된 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력하게 된다. 그 리고, 상기 스캔펄스의 출력 이후 상기 제 1 노드가 다음 프레임이 시작될 때까지 방전상태로 유지됨에 따라, 상기 풀업 스위칭소자는 한 프레임에 한번의 스캔펄스를 출력하게 된다. 그런데, 상기 클럭펄스는 한 프레임동안 여러 번 출력되기 때문에, 상기 풀업 스위칭소자가 턴-오프된 상태에서도, 즉 상기 제 1 노드가 방전된 상태에서도 상기 클럭펄스는 상기 풀업 스위칭소자의 소스단자에 계속해서 입력되게 된다. In this case, when the first node is in a charged state, a scan pulse is output from the pull-up switching device of the output unit, and when the second node is in a charged state, a second voltage source is output from the pull-down switching device of the output unit. Of course, the scan pulse output from the pull-up switching element and the second voltage source output from the pull-down switching element are supplied to the corresponding gate line. The gate terminal of the pull-up switching element is connected to the first node, the source terminal is connected to a clock line to which a clock pulse is applied, and the drain terminal is connected to the gate line. The clock pulse is periodically supplied to the source terminal of the pull-up switching device. In this case, the pull-up switching device outputs any one of the clock pulses input for each period at a specific time point. The clock pulse output at this particular time point is a scan pulse for driving the gate line. This specific time point means a time point at which the first node is charged. That is, the pull-up switching device outputs, as a scan pulse, the clock pulse input at the specific time point (ie, the time point at which the first node is charged) among the clock pulses which are periodically input to its source terminal. Done. After the output of the scan pulse, the pull-up switching device outputs one scan pulse per frame as the first node is kept in a discharge state until the next frame starts. However, since the clock pulse is output several times during one frame, even when the pull-up switching device is turned off, that is, even when the first node is discharged, the clock pulse continues to the source terminal of the pull-up switching device. Will be entered.

다시말하면, 상기 풀업 스위칭소자는 한 프레임동안 단 한 번 턴-온되며, 이 턴-온되는 기간에 자신의 소스단자에 입력되는 클럭펄스를 스캔펄스로 출력한다. 이후, 상기 풀업 스위칭소자는 다음 프레임이 시작될 때까지 턴-오프되며, 이에 따라, 상기 풀업 스위칭소자는 이 턴-오프된 기간에는 아무리 자신의 소스단자에 클럭펄스가 입력되어도, 이를 스캔펄스로 출력할 수 없다. 그런데, 이와 같이, 상기 풀업 스위칭소자의 소스단자에 주기적으로 클럭펄스가 인가됨에 따라, 상기 풀업 스위칭소자의 게이트단자가 접속된 제 1 노드와 상기 풀업 스위칭소자의 소스단자간에 커플링현상이 발생된다. 이와 같은 커플링현상에 의해, 상기 제 1 노드에는 상기 클럭펄스에 따른 소정의 전압이 계속해서 충전되게 된다. 그러면, 상기 제 1 노드가 어느 순간 충전상태로 유지될 수 있다. 즉, 상기 제 1 노드가 원치 않는 타이밍에 충전상태로 유지될 수 있다. 이럴 경우, 상기 제 1 노드가 한 프레임에 두 번 이상 충전상태로 유지될 수 있으며, 이에 의해 상기 풀업 스위칭소자가 한 프레임에 두 번 이상 턴-온될 수 있다. 결국, 상기와 같은 커플링현상에 의해 하나의 스테이지가 한 프레임동안 두 번 이상의 스캔펄스 출력하는 멀티 출력현상이 발생 할 수 있다.In other words, the pull-up switching device is turned on only once for one frame and outputs a clock pulse input to its source terminal as a scan pulse during this turn-on period. Thereafter, the pull-up switching device is turned off until the next frame starts, so that the pull-up switching device outputs it as a scan pulse no matter how clock pulse is input to its source terminal during this turn-off period. Can not. However, as the clock pulse is periodically applied to the source terminal of the pull-up switching device, a coupling phenomenon occurs between the first node to which the gate terminal of the pull-up switching device is connected and the source terminal of the pull-up switching device. . Due to such a coupling phenomenon, the first node is continuously charged with a predetermined voltage corresponding to the clock pulse. Then, the first node may be kept in a charged state at any moment. In other words, the first node may remain charged at an unwanted timing. In this case, the first node may be maintained in the charging state more than once in one frame, whereby the pull-up switching device may be turned on more than once in one frame. As a result, a multi-output phenomenon in which one stage outputs two or more scan pulses during one frame may occur due to the coupling phenomenon as described above.

도 2는 커플링현상에 의한 제 1 노드의 충전상태를 나타낸 도면으로서, 도 2의 A부분을 보면 제 1 노드가 커플링 현상에 의해 소정 크기의 전압으로 상승된 것을 알 수 있다.FIG. 2 is a diagram illustrating a state of charge of a first node due to a coupling phenomenon. Referring to the portion A of FIG.

이와 같이, 상기 하나의 스테이지가 한 프레임 동안 두 번 이상의 스캔펄스를 출력하게 되면, 액정패널에 표시되는 화상의 품질이 떨어지게 된다.As such, when one stage outputs two or more scan pulses in one frame, the quality of an image displayed on the liquid crystal panel is degraded.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 스캔펄스를 출력할 때의 타이밍에는 제 1 노드를 충전상태로 유지하고, 이 외의 기간에는 제 1 노드를 계속적으로 방전시킴으로써 커플링현상에 의해 상기 제 1 노드가 충전되는 것을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터 및 이의 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems. The present invention provides a coupling phenomenon by maintaining the first node in a charged state at a timing when outputting a scan pulse, and continuously discharging the first node in other periods. It is an object of the present invention to provide a shift register and a driving method thereof capable of preventing the first node from being charged.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며, 상기 각 스테이지가, 제 1 노드 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하는 노드 제어부; 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자; 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 풀다운 스위칭소자; 상기 매 제 1 클럭펄스마다 상기 제 1 노드를 상기 제 1 전압원으로 방전시키는 방전부; 및, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 차단부를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.The shift register according to the present invention for achieving the above object, by sequentially supplying the scan pulse to sequentially activate the gate lines of the liquid crystal panel, the first voltage source in the remaining period except when the scan pulse is supplied. And a plurality of stages for deactivating the gate lines, each stage including: a node controller configured to control charge and discharge states of a first node and a second node; A pull-up switching device configured to receive first clock pulses periodically supplied and output a first clock pulse supplied at a timing at which the first node is charged as the scan pulse; A pull-down switching element configured to output an input first voltage source in response to a state of charge of the second node; A discharge unit configured to discharge the first node to the first voltage source at every first clock pulse; And a blocking unit for holding the first node in a charged state by interrupting the operation of the discharge unit in response to the scan pulse output from the pull-up switching device.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며, 상기 각 스테이지가, 제 1 노드, 제 2 노드, 및 제 3 노드의 충전/방전 상태를 제어하는 노드 제어부; 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자; 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 1 풀다운 스위칭소자; 상기 제 3 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 2 풀다운 스위칭소자; 상기 매 제 1 클럭펄스마다 상기 제 1 노드를 상기 제 1 전압원으로 방전시키는 방전부; 및, 상기 제 1 클럭펄스들 중 현재 출력하고자 하는 스캔펄스에 대응되는 제 1 클럭펄스에 응답하여, 상기 방전부의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 차단부를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register according to the present invention for achieving the above object, sequentially supplying scan pulses to sequentially activate the gate lines of the liquid crystal panel, the first voltage source in the remaining period except when the scan pulse is supplied A node controller configured to supply a plurality of stages to deactivate the gate lines, each stage controlling a charge / discharge state of a first node, a second node, and a third node; A pull-up switching device configured to receive first clock pulses periodically supplied and output a first clock pulse supplied at a timing at which the first node is charged as the scan pulse; A first pull-down switching device configured to output a first voltage source input in response to a charging state of the second node; A second pull-down switching device configured to output a first voltage source input in response to a charging state of the third node; A discharge unit configured to discharge the first node to the first voltage source at every first clock pulse; And a blocking unit which maintains the first node in a charged state by blocking an operation of the discharge unit in response to a first clock pulse corresponding to a scan pulse to be currently output among the first clock pulses. It is characterized by.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 구동방법은, 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며, 상기 각 스테이지가, 제 1 노드 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하는 노드 제어부와, 주기적으로 공급되는 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 상기 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자와, 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 풀다운 스위칭소자를 포함하여 구성된 쉬프트 레지스터의 구동방법에 있어서, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자에 인가될 때 마다 상기 제 1 노드를 방전시키되, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자를 통해 스캔펄스로 출력되는 시점에 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 것을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register driving method according to the present invention for achieving the above object, by sequentially supplying the scan pulse to sequentially activate the gate lines of the liquid crystal panel, the rest of the period except when the scan pulse is supplied A plurality of stages are provided to deactivate the gate lines by supplying a first voltage source, wherein each stage includes a node controller for controlling charge and discharge states of the first node and the second node, and a clock pulse supplied periodically. A pull-up switching element which is input and outputs the clock pulse supplied as the scan pulse as the scan pulse, and a pull-down outputting the first voltage source input in response to the charging state of the second node; A driving method of a shift register including a switching element, the clock pulse Discharges the first node each time is applied to the pull-up switching device, and maintains the first node in a charged state when the clock pulse is outputted as a scan pulse through the pull-up switching device. .

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 구동방법은, 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며, 상기 각 스테이지가, 제 1 노드, 제 2 노드, 및 제 3 노드의 충전/방전 상태를 제어하는 노드 제어부와, 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자와, 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 1 풀다운 스위칭소자와, 상기 제 3 노드의 충전상태에 응 답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 2 풀다운 스위칭소자를 포함하여 구성된 쉬프트 레지스터의 구동방법에 있어서, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자에 인가될 때마다 상기 제 1 노드를 방전시키되, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자를 통해 스캔펄스로 출력되는 시점에 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 것을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register driving method according to the present invention for achieving the above object, by sequentially supplying the scan pulse to sequentially activate the gate lines of the liquid crystal panel, the rest of the period except when the scan pulse is supplied A plurality of stages for supplying a first voltage source to deactivate the gate lines, each stage comprising: a node controller periodically controlling charge / discharge states of the first node, the second node, and the third node; A pull-up switching element that receives the first clock pulses supplied and outputs a first clock pulse supplied as a scan pulse at a timing at which the first node is charged, and in response to a charged state of the second node; A first pull-down switching element for outputting a first voltage source to be input, and a first input in response to a state of charge of the third node; A method of driving a shift register including a second pull-down switching element for outputting a voltage source, the method comprising: discharging the first node whenever the clock pulse is applied to the pull-up switching element, wherein the clock pulse is the pull-up switching element; It characterized in that the first node is maintained in a charged state at the time when the output through the scan pulse.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a shift register according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a shift register according to a first embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지(BST1 내지 BSTn)들 및 하나의 더미 스테이지(BSTn+1)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(BST1)부터 더미 스테이지(BSTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. As shown in FIG. 3, the shift register according to the first embodiment of the present invention includes n stages BST1 to BSTn and one dummy stage BSTn + 1 connected to each other. Here, each of the stages BST1 to BSTn + 1 outputs one scan pulse Vout1 to Voutn + 1, and in this case, the scan pulse Vout1 is sequentially performed from the first stage BST1 to the dummy stage BSTn + 1. To Voutn + 1). In this case, scan pulses Vout1 to Voutn output from the stages BST1 to BSTn except for the dummy stage BSTn + 1 are sequentially supplied to gate lines of the liquid crystal panel (not shown). The gate lines are sequentially scanned.

즉, 먼저, 제 1 스테이지(BST1)가 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이어서 제 2 스테이지(BST2)가 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고, 다음으로, 제 3 스테이지(BST3)가 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, ...., 마지막으로 제 n 스테이지(BSTn)가 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력한다. 한편, 상기 제 n 스테이지(BSTn)가 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력한 후, 더미 스테이지(BSTn+1)가 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 출력하는데, 이때, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)로부터 출력된 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)는 게이트 라인에는 공급되지 않고, 상기 제 n 스테이지(BSTn)에만 공급된다.That is, first, the first stage BST1 outputs the first scan pulse Vout1, and then the second stage BST2 outputs the second scan pulse Vout2, and then, the third stage BST3. Outputs the third scan pulse Vout3, and finally, the nth stage BSTn outputs the nth scan pulse Voutn. Meanwhile, after the nth stage BSTn outputs the nth scan pulse Voutn, the dummy stage BSTn + 1 outputs the n + 1th scan pulse Voutn + 1, wherein the dummy stage The n + 1th scan pulse Voutn + 1 output from (BSTn + 1) is not supplied to the gate line but is supplied only to the nth stage BSTn.

한편, 이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 제 1 전압원(VDD) 및 제 2 전압원(VSS)과, 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖고 순환하는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 부극성의 전압원을 의미한다.On the other hand, the entire stages BST1 to BSTn + 1 of the shift registers configured as described above are configured with the first voltage source VDD and the second voltage source VSS, and the first to fourth clock pulses circulating with sequential phase differences. Two clock pulses of CLK1 to CLK4) are applied. Here, the first voltage source VDD means a positive voltage source, and the second voltage source VSS means a negative voltage source.

여기서, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(BST1)는, 상기 제 1 전압원(VDD), 제 2 전압원(VSS), 및 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄들(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Here, the first stage BST1 positioned on the uppermost side of the stages BST1 to BSTn + 1 may include the first voltage source VDD, the second voltage source VSS, and the first to fourth clock pulses. In addition to the two clock pulses (CLK1 to CLK4), the start pulse SP is supplied.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 서로 한 펄스폭만큼씩 위상지연되어 출력된다. 즉, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력되고, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력되고, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력되고, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력된다.On the other hand, as described above, the first to fourth clock pulses (CLK1 to CLK4) are phase-delayed by one pulse width each other and output. That is, the second clock pulse CLK2 is output by being phase-delayed by one pulse width than the first clock pulse CLK1, and the third clock pulse CLK3 is one pulse than the second clock pulse CLK2. Phase delayed by a width is output, the fourth clock pulse (CLK4) is phase-delayed by one pulse width than the third clock pulse (CLK3) and output, and the first clock pulse (CLK1) is the fourth clock pulse Phase delayed by one pulse width from (CLK4) is output.

한편, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1) 중 제 1 스테이지(BST1)에 인가되는 스타트 펄스(SP)는 상기 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)보다 더 앞서 출력된다. 즉, 상기 스타트 펄스(SP)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 한 클럭펄스폭만큼 앞서 출력된다. 또한, 상기 스타트 펄스(SP)는 한 프레임에 한 번만 출력된다. 즉 매 프레임마다 상기 스타트 펄스(SP)가 가장 먼저 출력된 후, 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK4)들이 차례로 출력된다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)들은 순차적으로 출력되며, 또한 순환하면서 출력된다. 즉, 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된 후, 다시 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된다. 따라서, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 제 2 클럭펄스(CLK2) 사이에 해당하는 기간에서 출력된다. 여기서, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 상기 스타트 펄스(SP)를 서로 동기시켜 출력할 수도 있다. 이때는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)들 중 제 4 클럭펄스(CLK4)가 가장 먼저 출력된다.Meanwhile, the start pulse SP applied to the first stage BST1 among the stages BST1 to BSTn + 1 is output earlier than the clock pulses CLK1 to CLK4. That is, the start pulse SP is output by one clock pulse width ahead of the first clock pulse CLK1. In addition, the start pulse SP is output only once in one frame. That is, after the start pulse SP is output first in every frame, the first to fourth clock pulses CLK4 are sequentially output. In this case, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output, and are also output while cycling. That is, after the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output, the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output. Therefore, the first clock pulse CLK1 is output in a period corresponding to the fourth clock pulse CLK4 and the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 and the start pulse SP may be output in synchronization with each other. In this case, the fourth clock pulse CLK4 is first outputted among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4.

한편, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개 이상의 클럭펄스를 사용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK4)들 중 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)만을 사용할 수도 있으며, 제 1 내지 제 3 클럭펄스(CLK1 내지 CLK3)만을 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 순차적으로 출력되는 4개 이상의 클럭펄스들을 사용할 수도 있다.Meanwhile, the shift register according to the present invention may use two or more clock pulses. That is, the shift register according to the present invention may use only the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 among the first to fourth clock pulses CLK4, and the first to third clock pulses CLK1 to CLK3. ) Can also be used. In addition, the shift register according to the present invention may use four or more clock pulses sequentially output.

여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에 구비된 각 스테이지의 구성을 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 여기서, 제 1 내지 제 n 스 테이지(BSTn), 및 더미 스테이지(BSTn+1)의 구성은 모두 동일하므로 제 2 스테이지(BST2)만을 대표적으로 설명하기로 한다.Herein, the configuration of each stage included in the shift register according to the first embodiment of the present invention will be described in more detail. Here, since the configurations of the first to nth stages BSTn and the dummy stages BSTn + 1 are all the same, only the second stage BST2 will be representatively described.

도 4는 도 3의 제 2 스테이지의 상세 구성을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a detailed configuration of the second stage of FIG. 3.

즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 노드(Q)의 충전 및 방전, 그리고 제 2 노드(QB)의 충전 및 방전을 제어하는 노드 제어부(400a)와, 상기 제 1 및 제 2 노드(QB)의 상태에 따라 스캔펄스 또는 제 2 전압원을 출력하여, 이를 액정패널의 제 2 게이트 라인에 공급하는 출력부(400b)와, 상기 제 1 노드(Q)를 방전시키는 방전부(400c)와, 상기 방전부(400c)의 동작을 차단시키는 차단부(400d)를 포함한다.That is, as shown in FIG. 3, the second stage BST2 includes a node controller 400a that controls charging and discharging of the first node Q and charging and discharging of the second node QB. And an output unit 400b for outputting a scan pulse or a second voltage source according to the states of the first and second nodes QB, and supplying the scan pulse or the second voltage source to the second gate line of the liquid crystal panel, and the first node Q. A discharge unit 400c for discharging the discharge unit and a blocking unit 400d for blocking the operation of the discharge unit 400c.

상기 제 1 노드(Q)와 제 2 노드(QB)는 서로 교번적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로 상기 제 1 노드(Q)가 충전된 상태일 때에는 상기 제 2 노드(QB)가 방전된 상태를 유지하며, 상기 제 2 노드(QB)가 충전된 상태일 때에는 상기 제 1 노드(Q)가 방전된 상태를 유지하게 된다. 이와 같은 제 1 노드(Q) 및 제 2 노드(QB)의 충전 및 방전 상태는 상기 노드 제어부(400a)에 구비된 다수개의 스위칭소자들(도시되지 않음)에 의해 제어된다.The first node Q and the second node QB are alternately charged and discharged. Specifically, when the first node Q is charged, the second node QB is discharged. When the second node QB is in a charged state, the first node Q is maintained in a discharged state. The charging and discharging states of the first node Q and the second node QB are controlled by a plurality of switching elements (not shown) provided in the node controller 400a.

상기 출력부(400b)는 풀업 트랜지스터(Tru)와 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다. 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는 자신의 소스단자를 통해 주기적으로 출력되는 클럭펄스를 계속적으로 공급받는다. 이때, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)가 충전상태인 타이밍에 공급되는 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다.The output unit 400b includes a pull-up transistor Tru and a pull-down transistor Trd. The pull-up transistor Tru receives a clock pulse that is periodically output through its source terminal. At this time, the pull-up transistor Tru outputs a clock pulse supplied at a timing when the first node Q is charged as a scan pulse.

상기 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 자신의 드레인단자를 통해 제 2 전압원을 공급받는다. 이때, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 노드(QB)가 충전상태일때 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. The pull-down transistor Trd is supplied with a second voltage source through its drain terminal. In this case, the pull-down transistor Trd outputs a second voltage source VSS when the second node QB is in a charged state.

상기 방전부(400c)는, 상기 클럭펄스가 공급될 때마다 상기 제 1 노드(Q)를 방전시킨다.The discharge unit 400c discharges the first node Q whenever the clock pulse is supplied.

상기 차단부(400d)는, 자신이 속한 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스를 전달받아, 상기 방전부(400c)의 동작을 차단시킨다. 즉, 상기 차단부(400d)는, 자신이 속한 스테이지로부터 출력된 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(400c)의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드(Q)의 방전이 더 이상 진행되지 않도록 한다. 다시말하면, 상기 차단부(400d)는 상기 클럭펄스들 중 상기 스캔펄스에 해당하는 어느 하나의 클럭펄스가 출력되는 시점에서, 상기 제 1 노드(Q)가 충전상태로 유지되도록 하는 역할을 한다.The blocking unit 400d receives the scan pulse output from the stage to which the blocking unit 400d belongs, and blocks the operation of the discharge unit 400c. That is, the blocking unit 400d stops the operation of the discharge unit 400c in response to the scan pulse output from the stage to which the blocking unit 400d belongs so that the discharge of the first node Q no longer proceeds. . In other words, the blocking unit 400d serves to maintain the first node Q in a charged state when one of the clock pulses corresponding to the scan pulses is output.

나머지 제 1 스테이지(BST1), 제 3 내지 제 n 스테이지(BST3 내지 BSTn), 그리고 더미 스테이지(BSTn+1)도 상술한 제 2 스테이지(BST2)와 동일한 구성을 갖는다.The remaining first stage BST1, the third to nth stages BST3 to BSTn, and the dummy stage BSTn + 1 also have the same configuration as the above-described second stage BST2.

즉, 상기 방전부(400c) 및 차단부(400d)를 통해, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 스캔펄스를 출력하고자 하는 타이밍에는 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지함으로써 상기 스캔펄스가 정상적으로 출력되도록 하고 있다. 반면, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는, 상기 스캔펄스가 출력되는 기간을 제외한 나머지 기간에는 자신의 제 1 노드(Q)를 상기 클럭펄스에 따라 주기적으로 방전시킴으로써 상기 제 1 노드(Q)가 커플링현상에 의한 소정 전압으로 충전되는 것을 방지한 다. 이때, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 자신의 스캔펄스를 출력한 후에, 자신의 제 1 노드(Q)를 상기 클럭펄스에 따라 주기적으로 방전시킨다.That is, through the discharge unit 400c and the blocking unit 400d, each stage BST1 to BSTn + 1 maintains its first node Q in a charged state at a timing to output a scan pulse. Scan pulse is outputted normally. On the other hand, each of the stages BST1 to BSTn + 1 discharges the first node Q periodically according to the clock pulse in the remaining period except for the period in which the scan pulse is output. ) Is prevented from being charged to a predetermined voltage due to the coupling phenomenon. At this time, the stages BST1 to BSTn + 1 output their scan pulses and then periodically discharge their first nodes Q according to the clock pulses.

여기서, 상기 제 2 스테이지(BST2)에 구비된 노드 제어부(400a), 출력부(400b), 및 방전부(400c)의 회로구성을 살펴보면 다음과 같다.Here, the circuit configurations of the node controller 400a, the output unit 400b, and the discharge unit 400c included in the second stage BST2 will be described.

도 5는 제 2 스테이지에 구비된 노드 제어부, 출력부, 및 방전부의 회로구성을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a circuit configuration of a node controller, an output unit, and a discharge unit provided in the second stage.

제 2 스테이지(BST2)의 노드 제어부(400a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 포함한다.The node controller 400a of the second stage BST2 includes the first to sixth NMOS transistors Tr6 as shown in FIG. 5.

제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는 제 1 스테이지(BST1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the second stage BST2 sets the first node Q to the first voltage source VDD in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1. Charge with. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the first stage BST1, the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD, and the drain terminal is connected to the first node. It is connected to (Q).

제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, a gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the first node Q, a source terminal is connected to the second node QB, and a drain terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.

제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the second node QB to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1, the third NMOS transistor Tr3 of the second stage BST2 connects the second node QB to the second voltage source ( VSS). To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the first stage BST1, the source terminal is connected to the second node QB, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.

제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 제 3 스테이지(BST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 charges the second node QB to the first voltage source VDD in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the fourth NMOS transistor Tr4 of the second stage BST2 is in response to the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3 output from the third stage BST3. The second node QB is charged with the first voltage source VDD. To this end, a gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to a clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, a source terminal is connected to a power line for transmitting a first voltage source VDD, The drain terminal is connected to the second node QB.

제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 상기 제 2 노드(QB)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the second node QB. For this purpose, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to the second node QB, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.

제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 3 스테이지(BST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse output from the next stage. That is, the sixth NMOS transistor Tr6 of the second stage BST2 responds to the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3, and connects the first node Q to the second voltage source. VSS). To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the third stage BST3, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the second voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.

그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 출력부(400b)는, 상술한 풀업 트랜지스터(Tru) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다.The output unit 400b of the second stage BST2 includes the pull-up transistor Tru and the pull-down transistor Trd described above.

풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 인가되는 클럭펄스보다 한 클럭펄스폭만큼 앞선 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)보다 한 펄스폭만큼 앞선 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)를 제 2 게이트 라인을 구동하기 위한 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에도 공급된다.The pull-up transistor Tru is clocked ahead of the clock pulse applied to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 by one clock pulse width in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. The pulses are output as scan pulses. That is, the pull-up transistor Tru of the second stage BST2 outputs the second clock pulse CLK2, which is one pulse width ahead of the third clock pulse CLK3, as the second scan pulse Vout2. The output second scan pulse Vout2 is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage at the previous stage, and the stage at the next stage. That is, the pull-up transistor Tru outputs the second scan pulse Vout2 as the second scan pulse Vout2 for driving the second gate line. The second scan pulse Vout2 is also supplied to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3.

여기서, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)를 디스에이블시키고, 상기 제 3 스테이지(BST3)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(BST3)를 인에이블시킨다. 이를 위해, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되어 있으며, 소스단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되어 있으며, 드레인단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공통으로 접속된다.Here, the second scan pulse Vout2 supplied to the first stage BST1 disables the first stage BST1, and the second scan pulse Vout2 supplied to the third stage BST3 is The third stage BST3 is enabled. To this end, the gate terminal of the pull-up transistor Tru is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second gate. It is commonly connected to the line, the first stage BST1, and the third stage BST3.

풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 노드(QB)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다. 상기 제 2 게이트 라인에 공급된 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 2 게이트 라인을 비활성화시키는 신호로서 기능한다. 이를 위해, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공통으로 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The pull-down transistor Trd outputs the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the second node QB. Then, the second voltage source VSS is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage in the previous stage, and the stage in the next stage. That is, the pull-down transistor Trd of the second stage BST2 supplies the second voltage source VSS to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. The second voltage source VSS supplied to the second gate line functions as a signal for deactivating the second gate line. To this end, the gate terminal of the pull-down transistor Trd is connected to the second node QB, and the source terminal is commonly connected to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. The drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS.

그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 방전부(400c)는 제 7 내지 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr7 내지 Tr9)를 구비한다.The discharge unit 400c of the second stage BST2 includes the seventh through ninth NMOS transistors Tr7 through Tr9.

제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 상기 클럭펄스를 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)에 공급한다. 즉 , 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 상기 클럭펄스를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 supplies the clock pulse to the eighth NMOS transistor Tr8 in response to the clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. That is, the seventh NMOS transistor Tr7 supplies the second clock pulse CLK2 to the eighth NMOS transistor Tr8 in response to the second clock pulse CLK2. To this end, the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the clock pulse, and the drain terminal is It is connected to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8.

제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 공급되는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 드레이단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied through the seventh NMOS transistor Tr7. That is, the eighth NMOS transistor Tr8 transfers the first node Q to the second voltage source VSS in response to the second clock pulse CLK2 supplied through the seventh NMOS transistor Tr7. Discharge. To this end, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the drain terminal of the seventh NMOS transistor Tr7, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is connected to the second node. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.

제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 오프시킨다. 즉, 상기 재 2 스테이지(BST2)의 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는 제 3 스테이지(BST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되 며, 소스단자는 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 turns off the eighth NMOS transistor Tr8 in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the ninth NMOS transistor Tr9 of the second stage BST2 responds to the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3 output from the third stage BST3. The eighth NMOS transistor Tr8 is turned off by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8. To this end, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, the source terminal is connected to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8, The drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS.

한편, 상기 방전부(400c)는 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)만으로 구성하여도 가능하다. 이때, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 전원라인에 접속된다.On the other hand, the discharge unit 400c may be configured of only the eighth NMOS transistor Tr8. At this time, the eighth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. That is, the eighth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the second clock pulse CLK2. To this end, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is It is connected to the power supply line which supplies the 2nd voltage source VSS.

또한, 상기 방전부(400c)는 상기 제 8 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr9)만으로 구성하여도 무방하다. 또한, 상기 방전부(400c)는 상기 제 7 및 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr7, Tr8)만으로 구성하여도 무방하다.In addition, the discharge unit 400c may be configured of only the eighth and ninth NMOS transistors Tr8 and Tr9. In addition, the discharge unit 400c may be configured of only the seventh and eighth NMOS transistors Tr7 and Tr8.

그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 차단부(400d)는, 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 포함한다.The blocking unit 400d of the second stage BST2 includes the tenth NMOS transistor Tr10.

상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는 자신이 속한 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(400c)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 턴-오프시킴으로써 상기 방전부(400c)의 동작을 오프시킨다. 즉, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력되는 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 방전부(400c)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 2 전압원 (VSS)을 공급함으로써 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 제 2 스테이지(BST2)의 출력부(400b)의 출력단자(즉, 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자이며, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자에 해당하는 단자)에 접속되며, 소스단자는 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 turns off the eighth NMOS transistor Tr8 of the discharge unit 400c in response to a scan pulse output from a stage to which the tenth NMOS transistor Tr10 belongs to operate the discharge unit 400c. Turn it off. That is, the tenth NMOS transistor Tr10 is formed at the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 of the discharge part 400c in response to the second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2. The eighth NMOS transistor Tr8 is turned off by supplying the second voltage source VSS. To this end, the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is the output terminal of the output unit 400b of the second stage BST2 (that is, the drain terminal of the pull-up transistor Tru), and the pull-down transistor Trd of the Terminal connected to the source terminal), the source terminal is connected to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8, and the drain terminal is connected to the power supply line for transmitting the second voltage source VSS.

한편, 제 1 스테이지(BST1), 제 3 내지 제 n 스테이지(BSTn), 및 더미 스테이지(BSTn+1)도 상기와 같은 구성을 갖는다.On the other hand, the first stage BST1, the third to nth stages BSTn, and the dummy stage BSTn + 1 also have the above configuration.

단, 제 1 스테이지(BST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 그리고, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. However, since the stage does not exist in the previous stage of the first stage BST1, the first NMOS and third NMOS transistors Tr1 and Tr3 included in the first stage BST1 may have a start pulse (T1) from the timing controller. SP). That is, the first NMOS transistor Tr1 included in the first stage BST1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the start pulse SP from the timing controller. Let's do it. The third NMOS transistor Tr3 discharges the second node QB to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller.

또한, 상기와 같은 이유로 인해, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공통으로 접속되고, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공통으로 접속된다.In addition, for the same reason as described above, the drain terminal of the pull-up transistor Tru provided in the first stage BST1 is commonly connected to the first gate line and the second stage BST2, and the first stage BST1 is used. The source terminal of the pull-down transistor Trd included in the N-th transistor) is commonly connected to the first gate line and the second stage BST2.

그리고, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)의 다음단에는 스테이지가 존재하기 않 는다. 또한, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)는, 게이트 라인에 스캔펄스를 공급하지 않으며, 자신으로부터 출력된 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 이전단의 스테이지(즉, 제 n 스테이지(BSTn))에 공급하여 상기 제 n 스테이지(BSTn)를 디스에이블시키는 기능을 한다. 따라서, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자 및 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자는 제 n 스테이지(BSTn)에 공통으로 접속된다.There is no stage next to the dummy stage BSTn + 1. In addition, the dummy stage BSTn + 1 does not supply scan pulses to the gate lines, and the stage (i.e., the nth stage BSTn) does not supply the n + 1 scan pulse Voutn + 1 outputted from the dummy stage BSTn + 1. ) To disable the nth stage BSTn. Therefore, the drain terminal of the pull-up transistor Tru and the source terminal of the pull-down transistor Trd included in the dummy stage BSTn + 1 are commonly connected to the nth stage BSTn.

이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail as follows.

도 6은 도 3의 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 7은 도 6의 스테이지에 공급되는 각종 신호, 및 상기 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 대한 타이밍도이다.FIG. 6 is a diagram illustrating the first to third stages of FIG. 3. 7 is a timing diagram of various signals supplied to the stage of FIG. 6 and scan pulses output from the stage.

먼저, 인에이블 기간(T0)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.First, the operation during the enable period T0 will be described.

상기 인에이블 기간(T0)동안에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 스타트 펄스(SP)만 하이상태를 유지하고, 나머지 스타트 펄스(SP)는 로우 상태를 유지한다.During the enable period TO, as shown in FIG. 7, only the start pulse SP output from the timing controller is kept high and the remaining start pulse SP is kept low.

상기 타이밍 콘트롤러로부터 출력된 스타트 펄스(SP)는 제 1 스테이지(BST1)에 입력된다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 스타트 펄스(SP)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자와, 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자에 입력된다. 그러면, 상기 제 1 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3)는 턴-온되며, 이때, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터 (Tr1)를 통해 제 1 전압원(VDD)이 제 1 노드(Q)에 인가된다. 이에 따라, 상기 제 1 노드(Q)가 충전되며, 상기 충전된 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 풀업 트랜지스터(Tru)가 턴-온된다. 그리고, 상기 턴-온된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 2 노드(QB)에 공급된다. 따라서, 상기 제 2 전압원(VSS)에 의해 상기 제 2 노드(QB)는 방전되고, 상기 제 2 노드(QB)에 게이트단자가 접속된 풀다운 트랜지스터(Trd)가 턴-오프된다.The start pulse SP output from the timing controller is input to the first stage BST1. Specifically, as shown in FIG. 6, the start pulse SP includes the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 and the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 provided in the first stage BST1. Is entered. Then, the first and third NMOS transistors Tr1 and Tr3 are turned on, and the first voltage source VDD is connected to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1. Is approved. Accordingly, the first node Q is charged, and the pull-up transistor Tru having a gate terminal connected to the charged first node Q is turned on. The second voltage source VSS is supplied to the second node QB through the turned-on third NMOS transistor Tr3. Accordingly, the second node QB is discharged by the second voltage source VSS, and the pull-down transistor Trd having a gate terminal connected to the second node QB is turned off.

이와 같이, 상기 인에이블 기간(T0)동안에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전되고, 상기 제 2 노드(QB)가 제 2 전압원(VSS)으로 방전됨으로써, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 인에이블된다.As such, during the enable period T0, as illustrated in FIG. 7, the first node Q of the first stage BST1 is charged to the first voltage source VDD and the second node ( The first stage BST1 is enabled by discharging QB to the second voltage source VSS.

이어서, 제 1 기간(T1)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the first period T1 will be described.

제 1 기간(T1)동안에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 클럭펄스(CLK1)만 하이상태를 유지하고, 나머지 클럭펄스들은 로우 상태를 유지한다. 따라서, 상기 로우 상태의 스타트 펄스(SP)에 응답하여 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3)는 턴-오프되고, 이에 따라 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 플로팅 상태로 유지된다.During the first period T1, as shown in FIG. 7, only the first clock pulse CLK1 remains high and the remaining clock pulses remain low. Accordingly, the first and third NMOS transistors Tr1 and Tr3 of the first stage BST1 are turned off in response to the low state start pulse SP, thereby turning off the first stage BST1. The first node Q is kept in a floating state.

한편, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 상기 인에이블 기간(T0)동안 인가되었던 제 1 전압원(VDD)으로 계속 유지됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지한다. 이때, 상기 턴-온된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가됨에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)은 부트스트랩핑에 의해 증폭된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 인가된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자를 통해 안정적으로 출력된다. 이때, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 게이트 라인에 인가되어 상기 제 1 게이트 라인을 구동시키는 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 작용한다. 이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 스테이지(BST1)의 차단부(400d)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 차단부(400d)에 구비된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자에 입력되어, 상기 차단부(400d)의 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 턴-온시킨다. 그러면, 상기 턴-온된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 방전부(400c)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 인가된다.Meanwhile, as the first node Q of the first stage BST1 is continuously maintained as the first voltage source VDD applied during the enable period T0, the pull-up transistor of the first stage BST1 Tru) remains turned on. At this time, as the first clock pulse CLK1 is applied to the source terminal of the turned-on pull-up transistor Tru, the first node Q of the first stage BST1 as shown in FIG. 7. The first voltage source VDD charged to is amplified by bootstrapping. Therefore, the first clock pulse CLK1 applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the first stage BST1 is stably output through the drain terminal of the pull-up transistor Tru. In this case, as illustrated in FIG. 7, the output first clock pulse CLK1 is applied to a first gate line to serve as a first scan pulse Vout1 driving the first gate line. The first scan pulse Vout1 is supplied to the blocking unit 400d of the first stage BST1. In detail, the first scan pulse Vout1 is input to the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 provided in the blocking unit 400d of the first stage BST1, and thus, the first scan pulse Vout1 is input to the gate terminal of the blocking unit 400d. 10 Turn on the NMOS transistor Tr10. Then, the second voltage source VSS is supplied to the discharge unit 400c provided in the first stage BST1 through the turned-on tenth NMOS transistor Tr10. In detail, the second voltage source VSS is applied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 provided in the discharge unit 400c of the first stage BST1.

한편, 상기 제 1 기간(T1)에 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 구비된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자 및 소스단자에 함께 공급된다. 따라서, 상기 턴-온된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 공급된다.Meanwhile, in the first period T1, the first clock pulse CLK1 is also supplied to the discharge unit 400c of the first stage BST1. Specifically, the first clock pulse CLK1 is supplied together to the gate terminal and the source terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 provided in the discharge unit 400c of the first stage BST1. Therefore, the first clock pulse CLK1 is supplied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 through the turned-on seventh NMOS transistor Tr7.

이와 같이, 상기 제 1 기간(T1)동안 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에는, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 제 2 전압원(VSS)이 동시에 인가된다. 이때, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 채널폭이, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 1 클럭펄스(CLK1)를 공급하는 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 채널폭보다 더 크기 때문에, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에는 제 2 전압원(VSS)이 인가된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는 턴-오프된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)가 구동하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 인에이블 기간에 공급되었던 제 1 전압원(VDD)으로 충전된 상태를 유지한다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 접속된 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지하며, 이에 의해 제 1 기간에 상기 풀업 트랜지스터(Tru)에 공급된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 제 1 게이트 라인에 정상적으로 공급된다.As described above, the first clock pulse CLK1 and the second voltage source are provided to gate terminals of the eighth NMOS transistor Tr8 included in the discharge unit 400c of the first stage BST1 during the first period T1. (VSS) is applied at the same time. At this time, the channel width of the tenth NMOS transistor Tr10, which supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8, has a first clock at the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8. Since the channel width of the seventh NMOS transistor Tr7 that supplies the pulse CLK1 is larger than that of the seventh NMOS transistor Tr7, the second voltage source VSS is applied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8. Therefore, the eighth NMOS transistor Tr8 of the first stage BST1 is turned off. That is, the discharge part 400c of the first stage BST1 does not drive. Therefore, the first node Q of the first stage BST1 remains charged with the first voltage source VDD supplied during the enable period. Accordingly, the pull-up transistor Tru connected to the first node Q of the first stage BST1 maintains a turn-on state, whereby the first supplied to the pull-up transistor Tru in the first period. The clock pulse CLK1 is normally supplied to the first gate line as the first scan pulse Vout1.

다시말하면, 상기 제 1 기간, 즉 상기 제 1 스테이지(BST1)가 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력하는 타이밍에는, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 차단부(400d)가 동작하고 이에 의해 상기 방전부(400c)가 동작을 하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 충전상태를 유지하고, 이로 인해 상기 제 1 스테이지(BST1)는 정상적으로 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력한다.In other words, the blocking unit 400d of the first stage BST1 is provided at the timing when the first stage BST1 outputs the first clock pulse CLK1 as the first scan pulse Vout1. ) Operates and the discharge unit 400c does not operate. Accordingly, the first node Q of the first stage BST1 maintains a charging state, and thus, the first stage BST1 normally sets the first clock pulse CLK1 as the first scan pulse Vout1. Output

한편, 상기 제 1 기간(T1)에 제 1 스테이지(BST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 제 2 스테이지(BST2)에도 입력된다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자와, 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자에 입력된다. 여기서, 상기 제 2 스테이지(BST2)에 공급된 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 공급된 스타트 펄스(SP)와 동일한 역할을 하는 것으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 상기 제 2 스테이지(BST2)는 인에이블된다. 즉, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전되고, 제 2 노드(QB)가 제 2 전압원(VSS)으로 방전된다. 다시말하면, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 턴-온시킴으로써, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)에 제 1 전압원(VDD)이 공급되도록 한다. 또한, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 턴-온시킴으로써, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 2 노드(QB)에 제 2 전압원(VSS)이 공급되도록 한다.On the other hand, the first scan pulse Vout1 output from the first stage BST1 in the first period T1 is also input to the second stage BST2. In detail, as illustrated in FIG. 6, the first scan pulse Vout1 may include the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 and the third NMOS transistor Tr3 of the second stage BST2. It is input to the gate terminal. Here, the first scan pulse Vout1 supplied to the second stage BST2 plays the same role as the start pulse SP supplied to the first stage BST1 and the first scan pulse Vout1. In response to the second stage BST2 is enabled. That is, the first node Q of the second stage BST2 is charged to the first voltage source VDD by the first scan pulse Vout1, and the second node QB is charged to the second voltage source VSS. Discharged. In other words, the first scan pulse Vout1 turns on the first NMOS transistor Tr1 of the second stage BST2, thereby providing a first node to the first node Q of the second stage BST2. The voltage source VDD is supplied. In addition, the first scan pulse Vout1 turns on the third NMOS transistor Tr3 of the second stage BST2, thereby providing a second voltage source to the second node QB of the second stage BST2. Ensure that VSS is supplied.

요약하면, 상기 제 1 기간(T1)동안에 제 1 스테이지(BST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 게이트 라인을 구동함과 동시에, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)를 충전시키고, 제 2 노드(QB)를 방전시킴으로써 상기 제 2 스테이지(BST2)를 인에이블시킨다.In summary, the first scan pulse Vout1 output from the first stage BST1 during the first period T1 drives the first gate line, and as shown in FIG. 7, the second stage. The second stage BST2 is enabled by charging the first node Q of the BST2 and discharging the second node QB.

이어서, 제 2 기간(T2)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the second period T2 will be described.

상기 제 2 기간(T2)동안에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 클럭펄스 (CLK2)만 하이상태를 유지하고, 나머지 클럭펄스들은 로우 상태를 유지한다.During the second period T2, as shown in FIG. 7, only the second clock pulse CLK2 remains high and the remaining clock pulses remain low.

따라서, 제 1 기간(T1)에 인가되었던 상기 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)가 제 2 기간에서 로우 상태로 변함에 따라, 이를 게이트단자를 통해 인가받는 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3)는 턴-오프되고, 이에 따라 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)는 플로팅 상태로 유지된다. 한편, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)가 상기 제 1 기간(T1)동안 인가되었던 제 1 전압원(VDD)으로 계속 유지됨에 따라, 상기 제 2 스테이지(BST2)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지한다. 이때, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)가 인가됨에 따라, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)은 부트스트랩핑에 의해 증폭된다. 따라서, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 인가된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자를 통해 안정적으로 출력된다. 이때, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력되는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 제 2 게이트 라인에 인가되어 상기 제 2 게이트 라인을 구동시키는 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 작용한다.Accordingly, as the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1 that has been applied in the first period T1 changes to a low state in the second period, the second stage that is applied through the gate terminal. The first and third NMOS transistors Tr1 and Tr3 of BST2 are turned off, so that the first node Q of the second stage BST2 remains in a floating state. Meanwhile, as the first node Q of the second stage BST2 is continuously maintained as the first voltage source VDD applied during the first period T1, the pull-up provided in the second stage BST2 is provided. The transistor Tru remains turned on. In this case, as the second clock pulse CLK2 is applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the second stage BST2, the first node Q of the second stage BST2 is charged. One voltage source VDD is amplified by bootstrapping. Therefore, the second clock pulse CLK2 applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru is stably output through the drain terminal of the pull-up transistor Tru. In this case, as shown in FIG. 7, the second clock pulse CLK2 output from the second stage BST2 is applied to a second gate line to drive the second gate pulse Vout2. Acts as).

한편, 상기 제 2 기간(T2)에 상기 제 2 스테이지(BST2)는, 상술한 제 1 스테이지(BST1)와 마찬가지로, 자신으로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 사용하여 자신의 차단부(400d)를 동작시키고, 방전부(400c)를 오프시킨다. 따라서, 상기 제 2 기간(T2)에 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)는 충전상태로 유지되고, 이에 의해 안정적으로 제 2 스캔펄스(Vout2)를 제 2 게이트 라인에 공급한다.On the other hand, in the second period T2, the second stage BST2 uses the second scan pulse Vout2 output from itself, similarly to the above-described first stage BST1, and has its own blocking unit 400d. ) Is operated and the discharge unit 400c is turned off. Therefore, in the second period T2, the first node Q of the second stage BST2 is maintained in a charged state, thereby stably supplying the second scan pulse Vout2 to the second gate line. .

한편, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력되는 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에도 입력된다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자에 입력된다. 여기서, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)가 턴-온됨에 따라, 상기 제 2 전압원(VSS)이 상기 턴-온된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 통해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 전압원(VSS)에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 방전된다. 그러면, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 상기 풀업 트랜지스터(Tru)가 턴-오프된다.The second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2 is also input to the first stage BST1. Specifically, as shown in FIG. 6, the second scan pulse Vout2 is input to the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 provided in the first stage BST1. Here, as the sixth NMOS transistor Tr6 of the first stage BST1 is turned on by the second scan pulse Vout2, the sixth NMOS transistor with the second voltage source VSS turned on. It is supplied to the first node Q of the first stage BST1 through Tr6. Therefore, as shown in FIG. 7, the first node Q of the first stage BST1 is discharged by the second voltage source VSS. As a result, the pull-up transistor Tru having the gate terminal connected to the first node Q of the first stage BST1 is turned off.

한편, 이 제 2 기간(T2)에 출력된 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에도 인가되고, 이에 따라 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 제 1 전압원(VDD)이 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)에 공급된다. 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전압원(VDD)에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)는 충전된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 2 노드(QB)에 접속된 풀다운 트랜지스터(Trd)가 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 풀다운 트랜지스터(Trd)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 1 게이트 라인에 공급된다. 따라서, 이 제 2 전압원(VSS)은 상기 게이트 라인을 비활성화시키는 신호로서 작용한다. On the other hand, the second clock pulse CLK2 output in the second period T2 is also applied to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the first stage BST1. The fourth NMOS transistor Tr4 of BST1 is turned on. At this time, the first voltage source VDD is supplied to the second node QB of the first stage BST1 through the turned-on fourth NMOS transistor Tr4. Therefore, as shown in FIG. 7, the second node QB of the first stage BST1 is charged by the first voltage source VDD. Then, the pull-down transistor Trd connected to the second node QB of the second stage BST2 is turned on. In this case, a second voltage source VSS is supplied to the first gate line through the turned-on pull-down transistor Trd. Thus, the second voltage source VSS serves as a signal for deactivating the gate line.

이와 같이, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)는, 자신에 동기된 제 2 클럭펄스(CLK2)와 함께 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)를 방전시키고 제 2 노드(QB)를 충전시킴으로써, 상기 제 1 스테이지(BST1)를 인에이블시킨다.As described above, the second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2 receives the first node Q of the first stage BST1 together with the second clock pulse CLK2 synchronized with the second scan pulse Vout2. The first stage BST1 is enabled by discharging and charging the second node QB.

또한, 상기 제 2 기간(T2)에 출력된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 방전부(400c)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 구비된 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자에 입력된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는 턴-온된다. 따라서, 상기 턴-온된 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 인가된다. 상기 방전부(400c)에 구비된 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 열화를 방지하기 위한 스위칭소자이다. 즉, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1) 주기적으로 출력됨에 따라, 상기 방전부(400c)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에는 제 2 전압원(VSS)보다는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 더 많은 시간동안 인가된다. 따라서, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 문턱전압이 특성이 변화할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는 다음단의 스테이지가 스캔펄스를 출력할 때, 이에 동기된 클럭펄스를 공급받아 상기 방전부(400c)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급한다. 이렇게 함으로써, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 좀 더 많은 시간동안 제 2 전압원(VSS) 을 공급할 수 있다.In addition, the second clock pulse CLK2 output in the second period T2 is also supplied to the discharge unit 400c provided in the first stage BST1. Specifically, the second clock pulse CLK2 is input to the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 provided in the discharge unit 400c of the first stage BST1. Therefore, the ninth NMOS transistor Tr9 of the first stage BST1 is turned on. Accordingly, the second voltage source VSS is provided to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 provided in the discharge unit 400c of the first stage BST1 through the turned-on ninth NMOS transistor Tr9. Is approved. The ninth NMOS transistor Tr9 included in the discharge unit 400c is a switching device for preventing deterioration of the eighth NMOS transistor Tr8. That is, as the first clock pulse CLK1 is periodically output, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 included in the discharge unit 400c may have a first clock pulse CLK1 rather than a second voltage source VSS. Is applied for more time. Accordingly, the threshold voltage of the eighth NMOS transistor Tr8 may change in characteristics. To prevent this, the ninth NMOS transistor Tr9 receives the clock pulse synchronized with the next stage when the next stage outputs the scan pulse, and the eighth NMOS transistor Tr8 provided in the discharge unit 400c. The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the. In this way, the second voltage source VSS can be supplied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 for a longer time.

한편, 이 제 2 기간(T2)동안, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(BST3)에도 입력된다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(BST3)에 구비된 제 1 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3)의 게이트단자에 입력된다. 따라서, 상술한 바와 같은 방식으로, 상기 제 3 스테이지(BST3)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 노드(QB)가 방전된다. 즉, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 상기 제 3 스테이지(BST3)는 인에이블된다.On the other hand, during this second period T2, the second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2 is also input to the third stage BST3. Specifically, as shown in FIG. 6, the second scan pulse Vout2 is input to the gate terminals of the first and third NMOS transistors Tr1 and Tr3 provided in the third stage BST3. Thus, in the manner as described above, the first node Q of the third stage BST3 is charged and the second node QB is discharged. That is, the third stage BST3 is enabled by the second scan pulse Vout2.

요약하면, 제 2 기간(T2)동안에는, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 제 2 스캔펄스(Vout2)가 출력된다. 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는, 자신에 동기된 제 2 클럭펄스(CLK2)와 함께 제 1 스테이지(BST1)를 디스에이블시킨다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 공급되어 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 열화가 방지되도록 한다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(BST3)를 인에이블시킨다. In summary, during the second period T2, the second scan pulse Vout2 is output from the second stage BST2. This second scan pulse Vout2 drives the second gate line. The second scan pulse Vout2 disables the first stage BST1 together with the second clock pulse CLK2 synchronized with the second scan pulse Vout2. In addition, the second scan pulse Vout2 is supplied to the discharge part 400c of the first stage BST1 to prevent deterioration of the eighth NMOS transistor Tr8. In addition, the second scan pulse Vout2 enables the third stage BST3.

이와 같은 방식으로, 제 3 기간(T3)동안에는, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터 제 3 스캔펄스(Vout3)가 출력된다. 이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 3 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는, 자신에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)와 함께 제 2 스테이지(BST2)를 디스에이블시킨다. 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 2 스테이지(BST2)의 방전부(400c)에 공급되어 제 8 NMOS 트 랜지스터(Tr8)의 열화가 방지되도록 한다. 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 4 스테이지(BST4)를 인에이블시킨다. In this manner, during the third period T3, the third scan pulse Vout3 is output from the third stage BST3. This third scan pulse Vout3 drives the third gate line. In addition, the third scan pulse Vout3 disables the second stage BST2 together with the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3. In addition, the third scan pulse Vout3 is supplied to the discharge part 400c of the second stage BST2 to prevent deterioration of the eighth NMOS transistor Tr8. In addition, the third scan pulse Vout3 enables the fourth stage BST4.

그리고, 제 4 기간(T4)동안에는, 상기 제 4 스테이지(BST4)로부터 제 4 스캔펄스(Vout4)가 출력된다. 이 제 4 스캔펄스(Vout4)는 제 4 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는, 자신에 동기된 제 4 클럭펄스(CLK4)와 함께 제 3 스테이지(BST3)를 디스에이블시킨다. 또한, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 상기 제 3 스테이지(BST3)의 방전부(400c)에 공급되어 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 열화가 방지되도록 한다. 또한, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 제 5 스테이지를 인에이블시킨다.During the fourth period T4, the fourth scan pulse Vout4 is output from the fourth stage BST4. This fourth scan pulse Vout4 drives the fourth gate line. The fourth scan pulse Vout4 disables the third stage BST3 together with the fourth clock pulse CLK4 synchronized with the fourth scan pulse Vout4. In addition, the fourth scan pulse Vout4 is supplied to the discharge part 400c of the third stage BST3 to prevent deterioration of the eighth NMOS transistor Tr8. In addition, the fourth scan pulse Vout4 enables the fifth stage.

이어서, 제 5 기간(T5)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the fifth period T5 will be described.

이 제 5 기간(T5)에, 상기 제 5 스테이지로부터 제 5 스캔펄스가 출력된다. 이 제 5 스캔펄스는 제 5 게이트 라인을 구동시킨다. 한편, 상기 제 5 기간(T5)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 다시 출력된다. 즉, 상기 제 5 기간(T5)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 다시 하이상태를 유지한다. 따라서, 상기 제 5 기간(T5)에 상기 제 5 스테이지는 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력한다. 이때, 상기 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 5 스테이지뿐만 아니라, 제 1 스테이지(BST1)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 5 스테이지에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자와, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 함께 공급된다. 이 제 5 기간(T5)에 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 방전상태이고, 상기 제 5 스테이지의 제 1 노드(Q)는 충전상태이므로, 상기 제 5 스테이지만이 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력할 수 있다.In this fifth period T5, a fifth scan pulse is output from the fifth stage. This fifth scan pulse drives the fifth gate line. Meanwhile, the first clock pulse CLK1 is output again in the fifth period T5. That is, in the fifth period T5, the first clock pulse CLK1 remains high again. Therefore, in the fifth period T5, the fifth stage outputs the first clock pulse CLK1 as a fifth scan pulse. At this time, the first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is supplied not only to the fifth stage but also to the first stage BST1. In detail, the first clock pulse CLK1 is supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru provided in the fifth stage and the source terminal of the pull-up transistor Tru provided in the first stage BST1. do. In this fifth period T5, the first node Q of the first stage BST1 is in a discharge state, and the first node Q of the fifth stage is in a charged state, so that only the fifth stage is The first clock pulse CLK1 may be output as the fifth scan pulse.

그러나, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)와 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자간에 커플링현상이 발생한다. 이 커플링현상에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 소정의 전압으로 충전될 수 있다. 이 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 계속적으로 인가됨에 따라, 더 큰 전압으로 충전되며, 이로 인해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 상기 제 1 스테이지(BST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)를 턴-온시킬 정도의 크기를 갖는 전압으로 충전될 수 있다. 그러면, 상기 제 5 기간(T5)에 두 개의 스테이지, 즉 제 1 및 제 5 스테이지로부터 스캔펄스가 동시에 출력되는 문제점이 발생한다. 여기서, 상기 제 5 기간에 상기 제 5 스테이지로부터 출력된 스캔펄스는 올바른 출력이다. 하지만, 상기 제 1 스테이지(BST1)로부터 출력된 스캔펄스는 잘못된 출력이다. 결국, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 한 프레임동안 두 번 이상의 출력을 발생시킬 수 있다. 즉, 상기 제 1 스테이지는(BST1)은 제 1 기간(T1)과 제 5 기간(T5)에서 출력을 발생시킬 수 있다. 물론, 상기 제 1 스테이지(BST1) 뿐만 아니라, 나머지 스테이지도 상술한 바와 같은 원인으로 두 번 이상의 멀티 출력을 발생시킬 수 있다.However, as the first clock pulse CLK1 is applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the first stage BST1, the first node Q and the first node of the first stage BST1 are applied. Coupling occurs between the source terminals of the pull-up transistor Tru to which the clock pulse CLK1 is applied. By this coupling phenomenon, the first node Q of the first stage BST1 may be charged to a predetermined voltage. The first node Q of the first stage BST1 is charged to a larger voltage as the first clock pulse CLK1 is continuously applied, thereby charging the first node QST of the first stage BST1. Q may be charged to a voltage that is large enough to turn on the pull-up transistor Tru of the first stage BST1. Then, a problem occurs in which scan pulses are simultaneously output from two stages, that is, the first and fifth stages, in the fifth period T5. Here, the scan pulse output from the fifth stage in the fifth period is a correct output. However, the scan pulse output from the first stage BST1 is an incorrect output. As a result, the first stage BST1 may generate two or more outputs during one frame. That is, the first stage BST1 may generate an output in the first period T1 and the fifth period T5. Of course, not only the first stage BST1 but also the remaining stages may generate two or more multi-outputs as described above.

이러한 커플링 현상에 의한 멀티 출력을 방지하기 위해, 자신의 출력이 아닌 기간에 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)의 방전부(400c)가 동작한다. 이를 좀 더 구 체적으로 설명하면 다음과 같다.In order to prevent the multiple output due to such a coupling phenomenon, the discharge unit 400c of each stage BST1 to BSTn + 1 operates in a period other than its own output. More specifically, this is as follows.

상술한 바와 같이, 제 5 기간(T5)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 출력된다. 이 제 5 기간(T5)에 출력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 기간(T1)에 출력되었던 제 1 클럭펄스(CLK1)와 네 클럭펄스폭 만큼에 해당하는 시간차를 갖는다. 상기 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 방전부(400c)에 공급되어, 상기 방전부(400c)를 동작시킨다. 즉, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 인가되어, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 턴-온시킨다. 그러면, 상기 턴-온된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 인가된다. 따라서, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)가 턴-온된다. 그러면, 상기 턴-온된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 방전된다. 이때, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 스캔펄스를 발생하지 않으므로, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 차단부(400d)는 동작하지 않는다. 결국, 이 제 5 기간(T5)에, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 커플링 현상에 의해 소정의 전압이 충전되더라도, 이 전압은 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 방전부(400c)에 의해 방전된다.As described above, the first clock pulse CLK1 is output in the fifth period T5. The first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 has a time difference corresponding to four clock pulse widths from the first clock pulse CLK1 output in the first period T1. The first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is supplied to the discharge unit 400c of the first stage BST1 to operate the discharge unit 400c. That is, the first clock pulse CLK1 is applied to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 included in the first stage BST1 to turn on the seventh NMOS transistor Tr7. Then, the first clock pulse CLK1 is applied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 through the turned-on seventh NMOS transistor Tr7. Thus, the eighth NMOS transistor Tr8 is turned on. Then, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage BST1 through the turned-on eighth NMOS transistor Tr8. Therefore, the first node Q of the first stage BST1 is discharged. In this case, since the first stage BST1 does not generate a scan pulse, the blocking unit 400d provided in the first stage BST1 does not operate. Consequently, even if a predetermined voltage is charged to the first node Q of the first stage BST1 in the fifth period T5 by the coupling phenomenon, the voltage is provided to the first stage BST1. By the discharge unit 400c.

이와 같이, 상기 제 1 스테이지(BST1)는, 제 1 스캔펄스(Vout1)의 출력타이밍에 해당하는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가될 때는, 자신으로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)를 다시 피드백 받아 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 반면, 상기 제 1 스테이지(BST1)는, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 출력타이밍이 아닌 기간에 인가되는 제 1 클럭펄스(CLK1)에 대해서는, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가될 때마다 이에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전시킨다. 즉, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 자신으로부터 출력된 스캔펄스를 피드백 받음으로써, 상기 스캔펄스의 출력여부를 확인한다. 그리고, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 출력이 있을 경우에는 차단부(400d)를 동작시키고, 출력이 없을 경우에는 방전부(400c)를 동작시킨다.As such, when the first clock pulse CLK1 corresponding to the output timing of the first scan pulse Vout1 is applied to the first stage BST1, the first stage BST1 again outputs the first scan pulse Vout1 output from the first stage BST1. It receives the feedback and keeps its first node Q in a charged state. On the other hand, when the first clock pulse CLK1 is applied to the first clock pulse CLK1 applied to a period other than the output timing of the first scan pulse Vout1, the first stage BST1 is applied. Each time, the first node Q is discharged in response. That is, each of the stages BST1 to BSTn + 1 receives feedback of the scan pulse output from the stage, thereby confirming whether the scan pulse is output. Each stage BST1 to BSTn + 1 operates the interrupter 400d when there is an output, and operates the discharge unit 400c when there is no output.

결국, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 한 프레임내의 제 1 기간(T1)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력하며, 이 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지시키고, 제 5, 제 9, ....., 및 제 k 기간(T5, T9, ..., Tk)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.As a result, the first stage BST1 outputs the first clock pulse CLK1 input in the first period T1 in one frame as the first scan pulse Vout1, and to the first scan pulse Vout1. In response, keeps its first node Q in a charged state and is input to the fifth, ninth, ....., and kth periods T5, T9, ..., Tk. In response to the pulse CLK1, the first node Q is brought into a discharge state.

이와 같은 방식으로, 제 2 스테이지(BST2)는 한 프레임내의 제 2 기간(T2)에 입력되는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력하며, 이 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 2 스테이지(BST2)는, 상기 제 2 기간(T2)을 제외한 한 프레임내의 제 6, 제 10, ..., 및 제 k+1 기간(T6, T10, ..., Tk+1)에 입력되는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In this manner, the second stage BST2 outputs the second clock pulse CLK2 input in the second period T2 in one frame as the second scan pulse Vout2, and the second scan pulse Vout2. ) Keeps its first node Q charged. The second stage BST2 includes the sixth, tenth, ..., and k + 1th periods T6, T10, ..., Tk + in one frame except the second period T2. In response to the second clock pulse CLK2 input to 1), the first node Q is brought into a discharge state.

또한, 제 3 스테이지(BST3)는 한 프레임내의 제 3 기간(T3)에 입력되는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력하며, 이 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 3 스테이지(BST3)는, 상기 제 3 기간(T3)을 제외한 한 프레임내의 제 7, 제 11, ..., 및 제 k+2 기간(T7, T11, ..., Tk+2)에 입력되는 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In addition, the third stage BST3 outputs the third clock pulse CLK3 input in the third period T3 in one frame as the third scan pulse Vout3 and responds to the third scan pulse Vout3. To keep its first node Q in a charged state. The third stage BST3 includes the seventh, eleventh, ..., and k + 2th periods T7, T11, ..., Tk + in one frame except the third period T3. In response to the third clock pulse CLK3 input to 2), the first node Q is brought into a discharge state.

또한, 제 4 스테이지(BST4)는 한 프레임내의 제 4 기간(T4)에 입력되는 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력하며, 이 제 4 스캔펄스(Vout4)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 4 스테이지(BST4)는, 상기 제 4 기간(T4)을 제외한 한 프레임내의 제 8, 제 12, ..., 및 제 k+3 기간(T8, T12, ..., Tk+3)에 입력되는 제 4 클럭펄스에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.Further, the fourth stage BST4 outputs the fourth clock pulse CLK4 input in the fourth period T4 in one frame as the fourth scan pulse Vout4, and responds to the fourth scan pulse Vout4. To keep its first node Q in a charged state. The fourth stage BST4 includes the eighth, twelfth, ..., and k + 3th periods T8, T12, ..., Tk + in one frame except the fourth period T4. In response to the fourth clock pulse input to 3), the first node Q is brought into a discharge state.

또한, 제 5 스테이지는 한 프레임내의 제 5 기간(T5)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력하고, 이 제 5 스캔펄스에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 5 스테이지는, 상기 제 5 기간(T5)을 제외한 한 프레임내의 제 9, 제 13, ..., 및 제 k 기간(T9, T13, ..., Tk)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In addition, the fifth stage outputs the first clock pulse CLK1 input in the fifth period T5 in one frame as a fifth scan pulse, and in response to the fifth scan pulse, its first node Q. Keep it charged. The fifth stage is a first input unit for the ninth, thirteenth, ..., and kth periods T9, T13, ..., Tk in one frame except for the fifth period T5. In response to the clock pulse CLK1, the first node Q is brought into a discharge state.

나머지 제 6 내지 제 n 스테이지(BST6 내지 BSTn), 및 더미 스테이지(BSTn+1)도 상술한 바와 같은 방식으로 동작한다.The remaining sixth to nth stages BST6 to BSTn and the dummy stage BSTn + 1 also operate in the same manner as described above.

결국, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn)는 스캔펄스를 출력하고자 하는 타이밍에 입력되는 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력하며, 이때 상기 스캔펄스를 피드백 받아 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn)는 상기 스캔펄스를 출력한 이후에 입력되는 클럭펄스에 응답하여, 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.As a result, each stage BST1 to BSTn outputs a clock pulse input as a scan pulse at a timing at which the scan pulse is to be output. At this time, the scan pulse is fed back to maintain its first node Q in a charged state. . Each stage BST1 to BSTn puts its first node Q into a discharge state in response to a clock pulse input after outputting the scan pulse.

한편, 이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에서, 각 스테이지는 다음과 같은 회로구성을 가질 수도 있다. 여기서, 제 2 스테이지(BST2)만을 예로 들어 설명하면 다음과 같다.In the shift register according to the first embodiment of the present invention configured as described above, each stage may have the following circuit configuration. Here, only the second stage BST2 will be described as an example.

도 8은 도 2의 제 2 스테이지의 또 다른 회로구성을 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating another circuit configuration of the second stage of FIG. 2.

즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 스테이지(BST2)의 노드 제어부(400a)는 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2)로 구성된다.That is, as shown in FIG. 8, the node controller 400a of the second stage BST2 includes first and second NMOS transistors Tr1 and Tr2.

제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는 제 1 스테이지(BST1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the second stage BST2 sets the first node Q to the first voltage source VDD in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1. Charge with. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the first stage BST1, the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD, and the drain terminal is connected to the first node. It is connected to (Q).

제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시 킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 3 스테이지(BST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse output from the next stage. That is, in response to the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3, the second NMOS transistor Tr2 of the second stage BST2 connects the first node Q to the second voltage source ( VSS). To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the third stage BST3, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the second voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.

그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 출력부(400b)는, 상술한 풀업 트랜지스터(Tru) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다.The output unit 400b of the second stage BST2 includes the pull-up transistor Tru and the pull-down transistor Trd described above.

풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 인가되는 스캔펄스보다 한 클럭펄스폭만큼 지연된 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)보다 한 펄스폭만큼 지연된 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 게이트 라인을 구동하기 위한 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 제 2 스캔펄스(Vout2)를 상기 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다. 이를 위해, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되어 있으며, 소스단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되어 있으며, 드레인단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공통으로 접속된다. 여기서, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)를 디스에이블시키고, 상기 제 3 스테이지(BST3)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(BST3)를 인에이블시킨다.The pull-up transistor Tru is delayed by one clock pulse width than the scan pulse applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. The pulses are output as scan pulses. That is, the pull-up transistor Tru of the second stage BST2 outputs the second clock pulse CLK2 delayed by one pulse width from the first scan pulse Vout1 as the second scan pulse Vout2. The output second scan pulse Vout2 is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage at the previous stage, and the stage at the next stage. That is, the pull-up transistor Tru outputs the second clock pulse CLK2 as a second scan pulse Vout2 for driving a second gate line. The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. To this end, the gate terminal of the pull-up transistor Tru is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second gate. It is commonly connected to the line, the first stage BST1, and the third stage BST3. Here, the second scan pulse Vout2 supplied to the first stage BST1 disables the first stage BST1, and the second scan pulse Vout2 supplied to the third stage BST3 is The third stage BST3 is enabled.

풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 노드(QB)에 충전된 클럭펄스에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다. 상기 제 2 게이트 라인에 공급된 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 2 게이트 라인을 비활성화시키는 신호로서 기능한다. 이를 위해, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공통으로 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The pull-down transistor Trd outputs the second voltage source VSS in response to the clock pulse charged in the second node QB. Then, the second voltage source VSS is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage in the previous stage, and the stage in the next stage. That is, the pull-down transistor Trd of the second stage BST2 supplies the second voltage source VSS to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. The second voltage source VSS supplied to the second gate line functions as a signal for deactivating the second gate line. To this end, the gate terminal of the pull-down transistor Trd is connected to the second node QB, and the source terminal is commonly connected to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. The drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS.

그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 방전부(400c)는 제 3 내지 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr3 내지 Tr5)를 구비한다.The discharge unit 400c of the second stage BST2 includes third to fifth NMOS transistors Tr3 to Tr5.

제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 상기 클럭펄스를 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4) 및 상기 제 2 노드에 공급한다. 즉, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트전극에 공급하여 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-온시킨다. 또한, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 상기 제 2 노드(QB)에 공급함으로써 상기 제 2 노드(QB)를 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3) 의 게이트단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자 및 상기 제 2 노드(QB)에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 supplies the clock pulse to the fourth NMOS transistor Tr4 and the second node in response to the clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. In other words, the third NMOS transistor Tr3 supplies the second clock pulse CLK2 to the gate electrode of the fourth NMOS transistor Tr4 in response to the second clock pulse CLK2. Turn on Tr4). The third NMOS transistor Tr3 charges the second node QB by supplying the second clock pulse CLK2 to the second node QB. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2. The drain terminal is connected to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 and the second node QB.

제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해 공급되는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied through the third NMOS transistor Tr3. That is, the fourth NMOS transistor Tr4 transfers the first node Q to the second voltage source VSS in response to the second clock pulse CLK2 supplied through the third NMOS transistor Tr3. Discharge. To this end, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to the drain terminal of the third NMOS transistor Tr3, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is connected to the second node. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.

제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 오프시킨다. 즉, 상기 재 2 스테이지(BST2)의 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 제 3 스테이지(BST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 turns off the fourth NMOS transistor Tr4 in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the fifth NMOS transistor Tr5 of the second stage BST2 responds to the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off by supplying the second voltage source VSS to the gate terminal of the NMOS transistor Tr4. For this purpose, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to the third stage BST3, the source terminal is connected to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4, and the drain terminal of the second voltage source. It is connected to the power line which transmits (VSS).

한편, 상기 방전부(400c)는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)만으로 구성하여도 가능하다. 이때, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되고, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 전원라인에 접속된다.On the other hand, the discharge unit 400c may be configured only of the fourth NMOS transistor Tr4. At this time, the fourth NMOS transistor Tr4 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. That is, the fourth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the second clock pulse CLK2. For this purpose, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is It is connected to the power supply line which supplies the 2nd voltage source VSS.

또한, 상기 방전부(400c)는 상기 제 4 및 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr4, Tr5)만으로 구성하여도 무방하다. 또한, 상기 방전부(400c)는 상기 제 3 및 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr4)만으로 구성하여도 무방하다.In addition, the discharge part 400c may be configured only with the fourth and fifth NMOS transistors Tr4 and Tr5. In addition, the discharge part 400c may be constituted only with the third and fourth NMOS transistors Tr3 and Tr4.

그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 차단부(400d)는, 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 포함한다.The blocking unit 400d of the second stage BST2 includes the sixth NMOS transistor Tr6.

상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 자신이 속한 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(400c)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킴으로써 상기 방전부(400c)의 동작을 오프시킨다. 즉, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력되는 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 방전부(400c)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 제 2 스테이지(BST2)의 출력부 (400b)의 출력단자(즉, 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자이며, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자에 해당하는 단자)에 접속되며, 소스단자는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 turns off the fourth NMOS transistor Tr4 of the discharge unit 400c in response to a scan pulse output from a stage to which the sixth NMOS transistor Tr6 operates to operate the discharge unit 400c. Turn it off. That is, the sixth NMOS transistor Tr6 is provided to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the discharge part 400c in response to the second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off by supplying a second voltage source VSS. To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is an output terminal of the output unit 400b of the second stage BST2 (that is, a drain terminal of the pull-up transistor Tru), and the pull-down transistor Trd Terminal connected to the source terminal), the source terminal is connected to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4, and the drain terminal is connected to the power supply line for transmitting the second voltage source VSS.

이와 같이 구성된 회로에서, 상기 제 3 내지 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr3 내지 Tr6)는, 도 5에서 상술한 제 7 내지 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr7 내지 Tr10)와 동일하다.In the circuit configured as described above, the third to sixth NMOS transistors Tr3 to Tr6 are the same as the seventh to tenth NMOS transistors Tr7 to Tr10 described above with reference to FIG. 5.

이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the shift register according to the second embodiment of the present invention will be described in detail.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.9 is a diagram illustrating a shift register according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 도 9에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지(CST1 내지 CSTn)들 및 하나의 더미 스테이지(CSTn+1)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(CST1 내지 CSTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(CST1)부터 더미 스테이지(CSTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 상기 더미 스테이지(CSTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. As illustrated in FIG. 9, the shift register according to the second embodiment of the present invention includes n stages CST1 to CSTn and one dummy stage CSTn + 1 connected to each other. Here, each of the stages CST1 to CSTn + 1 outputs one scan pulse Vout1 to Voutn + 1, and in this case, the scan pulse Vout1 is sequentially performed from the first stage CST1 to the dummy stage CSTn + 1. To Voutn + 1). In this case, scan pulses Vout1 to Voutn output from the stages CST1 to CSTn except the dummy stage CSTn + 1 are sequentially supplied to gate lines of the liquid crystal panel (not shown). The gate lines are sequentially scanned.

즉, 먼저, 제 1 스테이지(CST1)가 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이어서 제 2 스테이지(CST2)가 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고, 다음으로, 제 3 스테이 지(CST3)가 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, ...., 마지막으로 제 n 스테이지(CSTn)가 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력한다. 한편, 상기 제 n 스테이지(CSTn)가 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력한 후, 더미 스테이지(CSTn+1)가 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 출력하는데, 이때, 상기 더미 스테이지(CSTn+1)로부터 출력된 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)는 게이트 라인에는 공급되지 않고, 상기 제 n 스테이지(CSTn)에만 공급된다.That is, first, the first stage CST1 outputs the first scan pulse Vout1, and then the second stage CST2 outputs the second scan pulse Vout2, and then, the third stage CST3. ) Outputs the third scan pulse Vout3, ..., and finally, the nth stage CSTn outputs the nth scan pulse Voutn. Meanwhile, after the nth stage CSTn outputs the nth scan pulse Voutn, the dummy stage CSTn + 1 outputs the n + 1th scan pulse Voutn + 1, wherein the dummy stage The n + 1th scan pulse Voutn + 1 output from (CSTn + 1) is not supplied to the gate line, but only to the nth stage CSTn.

한편, 이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(CST1 내지 CSTn)는 제 1 내지 제 4 전압원(VDD, VSS, VDD3, VDD4) 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖고 순환하는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 한 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 직류전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 부극성의 전압원을 의미한다. 그리고, 제 3 전압원(VDD3) 및 제 4 전압원(VDD4)은 프레임별로 반전된 극성을 갖는 교류전압원이다. 이때, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 4 전압원(VDD4)에 반전된 위상을 갖는다. 즉, 동일 프레임 내에서 상기 제 3 전압원(VDD3)과 제 4 전압원(VDD4)이 서로 다른 극성을 나타낸다.On the other hand, the entire stages CST1 to CSTn of the shift registers configured as described above are the first to fourth voltage sources VDD, VSS, VDD3, and VDD4 and the first to fourth clock pulses CLK1 to cyclic with sequential phase differences. One clock pulse of CLK4) is applied. Here, the first voltage source VDD refers to a positive DC voltage source, and the second voltage source VSS refers to a negative voltage source. The third voltage source VDD3 and the fourth voltage source VDD4 are AC voltage sources having polarities inverted for each frame. In this case, the third voltage source VDD3 has an inverted phase with respect to the fourth voltage source VDD4. That is, the third voltage source VDD3 and the fourth voltage source VDD4 have different polarities within the same frame.

여기서, 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(CST1)는, 상기 제 1 내지 제 4 전압원(VDD, VSS, VDD3, VDD4), 및 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스들(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Here, the first stage CST1 positioned at the uppermost side of the stages CST1 to CSTn may include the first to fourth voltage sources VDD, VSS, VDD3, and VDD4, and the first to fourth clock pulses. In addition to the two clock pulses (CLK1 to CLK4), the start pulse SP is supplied.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 서로 한 펄스폭만큼씩 위상지연되어 출력된다. 즉, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력되고, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력되고, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력되고, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력된다.On the other hand, as described above, the first to fourth clock pulses (CLK1 to CLK4) are phase-delayed by one pulse width each other and output. That is, the second clock pulse CLK2 is output by being phase-delayed by one pulse width than the first clock pulse CLK1, and the third clock pulse CLK3 is one pulse than the second clock pulse CLK2. Phase delayed by a width is output, the fourth clock pulse (CLK4) is phase-delayed by one pulse width than the third clock pulse (CLK3) and output, and the first clock pulse (CLK1) is the fourth clock pulse Phase delayed by one pulse width from (CLK4) is output.

한편, 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn+1) 중 제 1 스테이지(CST1)에 인가되는 스타트 펄스(SP)는 상기 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)보다 더 앞서 출력된다. 즉, 상기 스타트 펄스(SP)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 한 클럭펄스폭만큼 앞서 출력된다. 또한, 상기 스타트 펄스(SP)는 한 프레임에 한 번만 출력된다. 즉 매 프레임마다 상기 스타트 펄스(SP)가 가장 먼저 출력된 후, 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)가 차례로 출력된다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 순차적으로 출력되며, 또한 순환하면서 출력된다. 즉, 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된 후, 다시 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된다. 따라서, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 제 2 클럭펄스(CLK2) 사이에 해당하는 기간에서 출력된다. 여기서, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 상기 스타트 펄스(SP)를 서로 동기시켜 출력할 수도 있다. 이때는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 4 클럭펄스(CLK4)가 가장 먼저 출력된다.Meanwhile, the start pulse SP applied to the first stage CST1 among the stages CST1 to CSTn + 1 is output before the clock pulses CLK1 to CLK4. That is, the start pulse SP is output by one clock pulse width ahead of the first clock pulse CLK1. In addition, the start pulse SP is output only once in one frame. That is, after the start pulse SP is output first in every frame, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output. At this time, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output, and are also output while circulating. That is, after the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output, the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output. Therefore, the first clock pulse CLK1 is output in a period corresponding to the fourth clock pulse CLK4 and the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 and the start pulse SP may be output in synchronization with each other. In this case, the fourth clock pulse CLK4 is first outputted among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4.

한편, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개 이상의 클럭펄스를 사용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)만을 사용할 수도 있으며, 제 1 내지 제 3 클럭펄스(CLK1 내지 CLK3)만을 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 순차적으로 출력되는 4개 이상의 클럭펄스들을 사용할 수도 있다.Meanwhile, the shift register according to the present invention may use two or more clock pulses. That is, the shift register according to the present invention may use only the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4, and the first to third clock pulses CLK1 to CLK4. You can also use only CLK3). In addition, the shift register according to the present invention may use four or more clock pulses sequentially output.

여기서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에 구비된 각 스테이지의 구성을 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 여기서, 제 2 내지 제 n 스테이지(CSTn)의 구성은 모두 동일하므로 제 2 스테이지(CST2)만을 대표적으로 설명하기로 한다.Herein, the configuration of each stage included in the shift register according to the second embodiment of the present invention will be described in more detail. Here, since the configurations of the second to nth stages CSTn are all the same, only the second stage CST2 will be representatively described.

도 10은 도 9의 제 2 스테이지에 대한 상세 구성도이다.FIG. 10 is a detailed configuration diagram of the second stage of FIG. 9.

제 2 스테이지(CST2)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)의 충전 및 방전을 제어하는 노드 제어부(900a)와, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)의 충전/방전 상태에 따라 턴-온되어 스캔펄스 또는 제 2 전압원(VSS)을 선택적으로 출력하여, 이를 액정패널의 제 2 게이트 라인에 공급하는 출력부(900b)와, 상기 제 1 노드(Q)를 방전시키는 방전부(900c)와, 상기 방전부(900c)의 동작을 차단시키는 차단부(900d)를 포함한다. As illustrated in FIG. 10, the second stage CST2 includes a node controller 900a for controlling charging and discharging of the first, second, and third nodes Q, QB1, and QB2, and the first stage. And are turned on according to the charge / discharge states of the second and third nodes Q, QB1, and QB2 to selectively output a scan pulse or a second voltage source VSS to the second gate line of the liquid crystal panel. An output unit 900b to supply, a discharge unit 900c for discharging the first node Q, and a blocking unit 900d for interrupting the operation of the discharge unit 900c.

여기서, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)는 선택적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로, 상기 제 1 노드(Q)가 충전 상태일 때는 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2)가 모두 방전상태를 유지하고, 상기 제 1 노드(Q)가 방전 상태일 때는 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2) 중 어느 하나가 충전상태를 유지한다. 즉, 홀수 번째 프레임에서는 상기 제 1 노드(Q)가 방전상태 일 때, 상기 제 2 노드(QB1)가 충전되고, 상기 제 3 노드(QB2)가 방전되며, 그리고 짝수 번째 프레임에서는 상기 제 1 노드(Q)가 방전상태 일 때, 상기 제 2 노드(QB1)가 방전되고, 상기 제 3 노드(QB2)가 충전된다. 이와 같이, 상기 제 1 노드(Q)가 방전상태일 때, 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2)에 프레임별로 다른 극성의 전압원(VDD3, VDD4)을 인가(충전 및 방전)하는 이유는, 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 연결된 스위칭소자의 열화를 방지하기 위해서이다. 이와 같은 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)의 충전 및 방전 상태는 상기 노드 제어부(900a)에 구비된 다수개의 스위칭소자들(도시되지 않음)에 의해 제어된다.Here, the first, second, and third nodes Q, QB1, and QB2 are selectively charged and discharged. Specifically, when the first node Q is in a charged state, the second node QB1 is charged. And both the third node QB2 maintains a discharge state, and when the first node Q is in a discharge state, any one of the second node QB1 and the third node QB2 maintains a discharge state. . That is, in the odd-numbered frame, when the first node Q is in the discharged state, the second node QB1 is charged, the third node QB2 is discharged, and in the even-numbered frame, the first node is discharged. When Q is in the discharged state, the second node QB1 is discharged and the third node QB2 is charged. As described above, when the first node Q is in the discharged state, the voltage sources VDD3 and VDD4 having different polarities are applied (charged and discharged) to the second node QB1 and the third node QB2 for each frame. The reason is to prevent deterioration of the switching device having the gate terminal connected to the second node QB1 and the third node QB2. The charge and discharge states of the first, second, and third nodes Q, QB1, and QB2 are controlled by a plurality of switching elements (not shown) provided in the node controller 900a.

상기 출력부(900b)는 풀업 트랜지스터(Tru)와 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)를 포함한다. 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는 자신의 소스단자를 통해 주기적으로 출력되는 클럭펄스를 계속적으로 공급받는다. 이때, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)가 충전상태인 타이밍에 공급되는 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다.The output unit 900b includes a pull-up transistor Tru and first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2. The pull-up transistor Tru receives a clock pulse that is periodically output through its source terminal. At this time, the pull-up transistor Tru outputs a clock pulse supplied at a timing when the first node Q is charged as a scan pulse.

상기 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)는, 자신의 드레인단자를 통해 제 2 전압원(VSS)을 공급받는다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)는, 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 충전상태일때 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 한편, 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)는 매 프레임별로 서로 교번적으로 충전되므로, 상기 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd)와 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd)는 매 프레임마다 교번적으로 턴-온된다. 따라서, 상기 제 1 풀다운 트랜 지스터(Trd1)와 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd2)는 매 프레임마다 교번적으로 제 2 전압원(VSS)을 공급한다. The first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2 receive the second voltage source VSS through their drain terminals. In this case, the first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2 output a second voltage source VSS when the second and third nodes QB1 and QB2 are in a charged state. Meanwhile, since the second and third nodes QB1 and QB2 are alternately charged with each frame, the first pulldown transistor Trd and the second pulldown transistor Trd are alternately turned every frame. Is on. Therefore, the first pull-down transistor Trd1 and the second pull-down transistor Trd2 alternately supply the second voltage source VSS every frame.

상기 방전부(900c)는, 상기 클럭펄스가 공급될 때마다 상기 제 1 노드(Q)를 방전시킨다.The discharge unit 900c discharges the first node Q whenever the clock pulse is supplied.

상기 차단부(900d)는, 자신이 속한 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스를 전달받아, 상기 방전부(900c)의 동작을 차단시킨다. 즉, 상기 차단부(900d)는, 자신이 속한 스테이지로부터 출력된 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(900c)의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드(Q)의 방전이 더 이상 진행되지 않도록 한다. 다시말하면, 상기 차단부(900d)는 상기 클럭펄스들 중 상기 스캔펄스에 해당하는 어느 하나의 클럭펄스에 출력되는 시점에서, 상기 제 1 노드(Q)가 충전상태로 유지되도록 하는 역할을 한다. The blocking unit 900d receives the scan pulse output from the stage to which the blocking unit 900d belongs, and blocks the operation of the discharge unit 900c. That is, the blocking unit 900d stops the operation of the discharge unit 900c in response to the scan pulse output from the stage to which the blocking unit 900d belongs so that the discharge of the first node Q no longer proceeds. . In other words, the blocking unit 900d plays a role of maintaining the first node Q in a charged state at a time point of being output to any one of the clock pulses corresponding to the scan pulses.

한편, 도시하지 않았지만, 제 1 스테이지(CST1), 제 3 내지 제 n 스테이지(CST3 내지 CSTn), 및 더미 스테이지(CSTn+1)도 상기 도 9에 도시된 제 2 스테이지(CST2)와 동일한 구성을 갖는다.Although not illustrated, the first stage CST1, the third to nth stages CST3 to CSTn, and the dummy stage CSTn + 1 also have the same configuration as the second stage CST2 shown in FIG. 9. Have

즉, 상기 방전부(900c) 및 차단부(900d)를 통해, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)는 스캔펄스를 출력하고자 하는 타이밍에는 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지함으로써 상기 스캔펄스가 정상적으로 출력되도록 하고 있다. 반면, 상기 각 스테이지는, 상기 스캔펄스가 출력되는 기간을 제외한 나머지 기간에는 자신의 제 1 노드(Q)를 상기 클럭펄스에 따라 주기적으로 방전시킴으로써 상기 제 1 노드(Q)가 커플링현상에 의한 소정 전압으로 충전되는 것을 방지한다. 이때, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)는 자신의 스캔펄스를 출력한 후에, 자신의 제 1 노드(Q)를 상기 클럭펄스에 따라 주기적으로 방전시킨다.That is, through the discharge unit 900c and the blocking unit 900d, each stage CST1 to CSTn + 1 maintains its first node Q in a charged state at a timing to output a scan pulse. Scan pulse is outputted normally. On the other hand, in each of the stages, the first node Q is discharged periodically according to the clock pulse in the remaining period except for the period in which the scan pulse is output. Prevents charging to a predetermined voltage. At this time, each stage CST1 to CSTn + 1 outputs its own scan pulse, and then periodically discharges its first node Q according to the clock pulse.

여기서, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 노드 제어부(900a), 출력부(900b), 및 방전부(900c)의 회로구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.Here, the circuit configurations of the node control unit 900a, the output unit 900b, and the discharge unit 900c of the second stage CST2 will be described in detail.

도 11은 도 10에 도시된 제 2 스테이지의 회로구성을 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating a circuit configuration of the second stage illustrated in FIG. 10.

즉, 제 2 스테이지(CST2)의 노드 제어부(900a)는 제 1 내지 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr12)로 구성된다.In other words, the node controller 900a of the second stage CST2 includes first to twelfth NMOS transistors Tr1 to Tr12.

제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 제 1 스테이지(CST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는 제 1 스테이지(CST1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage CST1, the first NMOS transistor Tr1 of the second stage CST2 may turn the first node Q to the first voltage source VDD. Charge with. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the first stage CST1, the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD, and the drain terminal is connected to the first node. It is connected to (Q).

제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 1 스테이지(CST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원 (VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the second NMOS transistor Tr2 of the second stage CST2 sets the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage CST1. To discharge. To this end, the gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the first stage CST1, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.

제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 이전단의 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 제 1 스테이지(CST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여, 상기 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 제 1 스테이지(CST1)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage CST1, the third NMOS transistor Tr3 of the second stage BST2 connects the third node QB2 to a second voltage source ( VSS). To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the first stage CST1, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. It is connected to the power line.

제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VDD3)으로 충전시킨다. 이를 위해 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 제 2 노드(QB1)에 접속된다. 여기서, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 매 프레임마다 정극성 및 부극성을 교번적으로 갖는 교류전압이다. 즉, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 홀수 프레임에는 정극성을 가지며, 짝수 프레임에는 부극성을 가진다.The fourth NMOS transistor Tr4 is turned on or turned off in response to the third voltage source VDD3, and charges the second node QB1 to the third voltage source VDD3 at turn-on. For this purpose, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, the source terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, and the drain The terminal is connected to the second node QB1. The third voltage source VDD3 is an AC voltage having alternating positive and negative polarities every frame. That is, the third voltage source VDD3 has positive polarity in odd frames and negative polarity in even frames.

제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 2 전압원을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3. To this end, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, the source terminal is connected to a third node QB2, and the drain terminal is connected to the second voltage source. It is connected to the power line to transmit.

제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드(QB2)를 상기 제 4 전압원(VDD4)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속된다. 여기서, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 매 프레임마다 정극성 및 부극성을 교번적으로 갖는 교류전압이다. 이때, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 상기 제 3 전압원(VDD3)과 반전된 위상을 갖는다. 즉, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 홀수 프레임에는 부극성을 가지며, 짝수 프레임에는 정극성을 가진다.The sixth NMOS transistor Tr6 is turned on or off in response to the fourth voltage source VDD4, and charges the third node QB2 to the fourth voltage source VDD4 when turned on. To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4. The drain terminal is connected to the third node QB2. Here, the fourth voltage source VDD4 is an AC voltage having alternating positive and negative polarities every frame. In this case, the fourth voltage source VDD4 has an inverted phase with the third voltage source VDD3. That is, the third voltage source VDD3 has negative polarity in odd frames and positive polarity in even frames.

제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4. To this end, a gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal is connected to the second terminal QB1. 2 is connected to the power supply line for transmitting the voltage source (VSS).

제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.

제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.

제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. To this end, a gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is connected to the second node QB1, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the second voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.

제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eleventh NMOS transistor Tr11 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the second voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.

제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자는 제 3 스테이지(CST3)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The twelfth NMOS transistor Tr12 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the next stage. That is, the twelfth NMOS transistor Tr12 of the second stage CST2 responds to the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3, and transmits the first node Q to the second voltage source VSS. To discharge). To this end, the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 is connected to the third stage CST3, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. It is connected to the power line.

그리고, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 출력부(900b)는 상술한 풀업 트랜지스터(Tru), 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)를 포함한다.The output 900b of the second stage CST2 includes the pull-up transistor Tru and the first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2.

풀업 트랜지스터(Tru)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 클럭펄스를 스캔펄스로서 게이트 라인에 출력한다. 또한, 이 스캔펄스를 이전단 스테이지와 다음단 스테이지에 모두 공급한다. 여기서, 상기 클럭펄스는 이전단 스테이지로부터 입력되는 스캔펄스보다 한 펄스폭만큼 위상지연된 신호이다. 즉, 제 2 스테이지(CST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 1 스테이지(CST1)로부터 입력된 제 1 스캔펄스(Vout1)(이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 클럭펄스(CLK1)와 동기된 신호임)보다 한 클럭펄스폭만큼 위상지연된 제 2 클럭펄스(CLK2)를 출력한다. 이 제 2 클럭펄스(CLK2)는 제 2 게이트 라인을 구동하는 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 기능한다. 또한, 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 1 스테이지(CST1)와 제 3 스테이지(CST3)에 공급된다. 이를 위해, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자, 및 제 3 스테이지(CST3)에 구비된 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)의 게이트단자에 접속된다.  The pull-up transistor Tru outputs a clock pulse as a scan pulse to the gate line in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. In addition, this scan pulse is supplied to both the previous stage and the next stage. Here, the clock pulse is a phase delayed signal by one pulse width from the scan pulse input from the previous stage. That is, in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q, the pull-up transistor Tru of the second stage CST2 receives the first scan pulse input from the first stage CST1. Outputs a second clock pulse CLK2 that is phase-delayed by one clock pulse width than Vout1 (this first scan pulse Vout1 is a signal synchronized with the first clock pulse CLK1). The second clock pulse CLK2 functions as a second scan pulse Vout2 for driving the second gate line. The second scan pulse Vout2 is supplied to the first stage CST1 and the third stage CST3. To this end, the gate terminal of the pull-up transistor Tru is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second gate line; Gate terminals of the twelfth NMOS transistor Tr12 provided in the first stage CST1, and gates of the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 provided in the third stage CST3. Connected to the terminal.

제 1 풀다운 트랜지스터(Trd1)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원 (VDD)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd1)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd1)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다. 여기서, 상기 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd1)의 소스단자는 이전단 스테이지, 즉 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 또한 다음단 스테이지, 즉 제 3 스테이지(CST3)에 구비된 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)의 게이트단자에 접속된다.The first pull-down transistor Trd1 supplies the second voltage source VSS to the gate line in response to the first voltage source VDD charged in the second node QB1. That is, the first pull-down transistor Trd1 supplies the second voltage source VSS to the second gate line in response to the first voltage source VDD charged in the second node QB1. To this end, the gate terminal of the first pull-down transistor Trd1 is connected to the second node QB1, the source terminal is connected to the second gate line, and the drain terminal is a power line for transmitting the second voltage source VSS. Is connected to. Here, the source terminal of the first pull-down transistor Trd1 is connected to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 provided in the previous stage, that is, the first stage CST1, and the next stage, that is, the third terminal. The gate terminals of the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 included in the stage CST3 are connected.

제 2 풀다운 트랜지스터(Trd2)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 상기 제 2 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd2)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 상기 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd2)의 게이트단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd2)의 소스단자는 이전단 스테이지, 즉 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 또한 다음단 스테이지, 즉 제 3 스테이지(CST3)에 구비된 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)의 게이트단자에 접속된다.The second pull-down transistor Trd2 supplies the second voltage source VSS to the gate line in response to the first voltage source VDD charged in the third node QB2. That is, the second pull-down transistor Trd2 supplies the second voltage source VSS to the second gate line in response to the first voltage source VDD charged in the third node QB2. To this end, the gate terminal of the second pull-down transistor Trd2 is connected to the third node QB2, the source terminal is connected to the second gate line, and the drain terminal is a power line for transmitting the second voltage source VSS. Is connected to. Here, the source terminal of the second pull-down transistor Trd2 is connected to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 provided in the previous stage, that is, the first stage CST1, and the next stage, that is, the third terminal. The gate terminals of the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 included in the stage CST3 are connected.

그리고, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 방전부(900c)는 제 13 내지 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr13 내지 Tr15)를 구비한다.The discharge part 900c of the second stage CST2 includes thirteenth to fifteenth NMOS transistors Tr13 to Tr15.

제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 상기 클럭펄스를 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)에 공급한다. 즉, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 상기 클럭펄스를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 접속된다.The thirteenth NMOS transistor Tr13 supplies the clock pulse to the fourteenth NMOS transistor Tr14 in response to a clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. That is, the thirteenth NMOS transistor Tr13 supplies the second clock pulse CLK2 to the fourteenth NMOS transistor Tr14 in response to the second clock pulse CLK2. To this end, the gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the clock pulse, and the drain terminal is It is connected to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14.

제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)를 통해 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)를 통해 공급되는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자는 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 드레이단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourteenth NMOS transistor Tr14 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied through the thirteenth NMOS transistor Tr13. That is, the 14th NMOS transistor Tr14 transfers the first node Q to the second voltage source VSS in response to the second clock pulse CLK2 supplied through the thirteenth NMOS transistor Tr13. Discharge. For this purpose, the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 is connected to the drain terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is connected to the second node. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.

제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)를 오프시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 게이트단자는 제 3 스테이지(CST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifteenth NMOS transistor Tr15 turns off the fourteenth NMOS transistor Tr14 in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the fifteenth NMOS transistor Tr15 of the second stage CST2 responds to the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3. The 14th NMOS transistor Tr14 is turned off by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the NMOS transistor Tr14. For this purpose, the gate terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15 is connected to the third stage CST3, the source terminal is connected to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14, and the drain terminal of the second voltage source. It is connected to the power line which transmits (VSS).

한편, 상기 방전부(900c)는 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)만으로 구성하여도 가능하다. 이때, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속된다.The discharge unit 900c may be configured of only the fourteenth NMOS transistor Tr14. At this time, the fourteenth NMOS transistor Tr14 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. That is, the 14th NMOS transistor Tr14 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the second clock pulse CLK2. To this end, the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 is connected to a clock line that transmits the second clock pulse CLK2.

또한, 상기 방전부(900c)는 상기 제 14 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr14, Tr15)만으로 구성하여도 무방하다. 또한, 상기 방전부(900c)는 상기 제 13 및 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr13, Tr14)만으로 구성하여도 무방하다.In addition, the discharge unit 900c may be configured of only the fourteenth and fifteenth NMOS transistors Tr14 and Tr15. In addition, the discharge unit 900c may be configured of only the thirteenth and fourteenth NMOS transistors Tr13 and Tr14.

그리고, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 차단부(900d)는, 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)를 포함한다.The blocking unit 900d of the second stage CST2 includes the sixteenth NMOS transistor Tr16.

상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는 자신이 속한 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(900c)의 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)를 턴-오프시킴으로써 상기 방전부(900c)의 동작을 오프시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지 (CST2)의 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는 제 2 스테이지(CST2)로부터 출력되는 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 방전부(900c)의 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자는 제 2 스테이지(CST2)의 출력부(900b)의 출력단자(즉, 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자이며, 상기 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)의 소스단자에 해당하는단자)에 접속되며, 소스단자는 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixteenth NMOS transistor Tr16 turns off the fourteenth NMOS transistor Tr14 of the discharge unit 900c in response to a scan pulse output from a stage to which the sixteenth NMOS transistor Tr16 belongs to operates the discharge unit 900c. Turn it off. That is, the sixteenth NMOS transistor Tr16 of the second stage CST2 responds to the second scan pulse Vout2 output from the second stage CST2, and thus the fourteenth NMOS transistor T1 of the discharge unit 900c ( The 14th NMOS transistor Tr14 is turned off by supplying the second voltage source VSS to the gate terminal of the Tr14. To this end, the gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 is an output terminal of the output unit 900b of the second stage CST2 (that is, a drain terminal of the pull-up transistor Tru), and the first and second pull-downs. Is connected to the source terminal of the transistors Trd1 and Trd2, the source terminal is connected to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14, and the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS. Connected.

한편, 제 1 스테이지(CST1), 제 3 내지 제 n 스테이지(CST3 내지 CSTn), 및 더미 스테이지(CSTn+1)도 상기와 같은 구성을 갖는다.On the other hand, the first stage CST1, the third to nth stages CST3 to CSTn, and the dummy stage CSTn + 1 also have the above-described configuration.

단, 제 1 스테이지(CST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 그리고, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 그리고, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하 여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.However, since there is no stage before the first stage CST1, the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 included in the first stage CST1 may be timing controllers. The start pulse SP is supplied from. That is, the first NMOS transistor Tr1 included in the first stage CST1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the start pulse SP from the timing controller. Let's do it. The second NMOS transistor Tr2 provided in the first stage CST1 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller. Let's do it. The third NMOS transistor Tr3 included in the first stage CST1 transfers the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller. Discharge.

또한, 상기와 같은 이유로 인해, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(CST2)에 공통으로 접속되고, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)의 소스단자는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(CST2)에 공통으로 접속된다.In addition, for the same reason as described above, the drain terminal of the pull-up transistor Tru provided in the first stage CST1 is commonly connected to the first gate line and the second stage CST2, and the first stage CST1. ) And the source terminals of the first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2 are commonly connected to the first gate line and the second stage CST2.

그리고, 상기 더미 스테이지(CSTn+1)의 다음단에는 스테이지가 존재하기 않는다. 또한, 상기 더미 스테이지(CSTn+1)는, 게이트 라인에 스캔펄스를 공급하지 않으며, 자신으로부터 출력된 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 이전단의 스테이지(즉, 제 n 스테이지(CSTn))에 공급하여 상기 제 n 스테이지(CSTn)를 디스에이블시키는 기능을 한다. 따라서, 상기 더미 스테이지(CSTn+1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자, 그리고 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)의 소스단자는 제 n 스테이지(CSTn)에 공통으로 접속된다.There is no stage next to the dummy stage CSTn + 1. In addition, the dummy stage CSTn + 1 does not supply scan pulses to the gate lines, and the stage (i.e., the nth stage CSTn) of the previous stage is transferred from the n + 1th scan pulse Voutn + 1 outputted from the dummy stage CSTn + 1. ) To disable the nth stage CSTn. Therefore, the drain terminals of the pull-up transistor Tru provided in the dummy stage CSTn + 1 and the source terminals of the first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2 are commonly connected to the nth stage CSTn. .

이와 같이 구성된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the second embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail as follows.

도 12는 도 9의 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 13은 도 12의 스테이지에 공급되는 각종 신호, 및 상기 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 대한 타이밍도이다.FIG. 12 is a diagram illustrating the first to third stages of FIG. 9. FIG. 13 is a timing diagram of various signals supplied to the stage of FIG. 12 and scan pulses output from the stage.

여기서, 제 1 프레임동안 제 3 전압원(VDD3)이 정극성의 전압으로 유지되고, 제 4 전압원(VDD4)이 부극성의 전압으로 유지된다고 가정하고, 제 2 프레임동안 상 기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성의 전압으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성의 전압으로 유지된다고 가정한다. 즉, 홀수번째 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 정극성으로 유지되고, 제 4 전압원(VDD4)이 부극성으로 유지된다고 가정하고, 짝수 번째 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성으로 유지된다고 가정한다.Here, it is assumed that the third voltage source VDD3 is maintained at the positive voltage during the first frame, and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the negative voltage, and the third voltage source VDD3 is maintained during the second frame. It is assumed that the voltage is maintained at the negative polarity, and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the positive voltage. That is, it is assumed that the third voltage source VDD3 is maintained as the positive polarity during the odd frame, and the fourth voltage source VDD4 is maintained as the negative polarity, and the third voltage source VDD3 is negative as the negative frame during the even frame. It is assumed that the fourth voltage source VDD4 remains positive.

먼저, 제 1 프레임의 인에이블 기간(T0)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.First, the operation during the enable period T0 of the first frame will be described.

상기 인에이블 기간(T0)동안에는, 도 13에 도시된 바와 같이, 스타트 펄스(SP)만 하이상태를 유지한다.During the enable period T0, only the start pulse SP remains high as shown in FIG.

상기 스타트 펄스(SP)는 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자, 및 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자에 인가되어, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)를 턴-온시킨다. The start pulse SP is applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1, the gate terminal of the second NMOS transistor Tr2, and the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3. The second and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 are turned on.

그러면, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해 제 1 전압원(VDD)이 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이때, 상기 제 1 노드(Q)가 상기 제 1 전압원(VDD)으로 충전됨에 따라, 상기 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 풀업 트랜지스터(Tru), 제 8, 및 제 9 트랜지스터(Tr8, Tr9)가 동시에 턴-온된다. 여기서, 상기 턴-온된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8) 및 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 따라서, 상기 제 2 노드(QB1)는 방전상태로 유지되며, 이 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10) 및 제 1 풀다운 트랜지스터(Tr10, Trd1)가 턴-오프된다. Then, the first voltage source VDD is supplied to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1. In this case, as the first node Q is charged with the first voltage source VDD, pull-up transistors Tru, eighth, and ninth transistors Tr8 having gate terminals connected to the first node Q, respectively. , Tr9) are turned on at the same time. Here, the second voltage source VSS is supplied to the second node QB1 through the turned-on eighth NMOS transistor Tr8 and the second NMOS transistor Tr2. Accordingly, the second node QB1 is maintained in a discharged state, and the tenth NMOS transistor Tr10 and the first pull-down transistors Tr10 and Trd1 having a gate terminal connected to the second node QB1 are turned off. do.

그리고, 상기 턴-온된 제 3 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr9)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 이때, 상기 제 3 노드(QB2)가 상기 제 2 전압원(VSS)으로 방전됨에 따라, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11) 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Tr11, Trd2)는 턴-오프된다. The second voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on third and ninth NMOS transistors Tr3 and Tr9. In this case, as the third node QB2 is discharged to the second voltage source VSS, an eleventh NMOS transistor Tr11 and a second pull-down transistor Tr11 having a gate terminal connected to the third node QB2, Trd2) is turned off.

또한, 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 자신의 게이트단자에 제 3 전압원(VDD3)이 인가됨에 따라 턴-온된다. 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 1 프레임동안 항상 정극성 상태를 유지하므로, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 제 1 프레임동안 항상 턴-온상태를 유지한다. 여기서, 상기 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 제 3 전압원(VDD3)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 결국, 상기 제 2 노드(QB1)에는 상술한 제 2 전압원(VSS)과 제 3 전압원(VDD3)이 동시에 공급된다. 그런데, 상기 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 제 2 및 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr8)의 채널폭이, 상기 제 3 전압원(VDD3)을 공급하는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 채널폭보다 더 크기 때문에, 상기 제 2 노드(QB1)는 제 2 전압원(VSS)으로 유지된다. 이로 인해 상기 인에이블 기간(T0)동안 상기 제 2 노드(QB1)는 방전상태를 유지한다. 따라서, 이 인에이블 기간(T0)동안 상기 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd) 및 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는 턴-오프된다.In addition, the fourth NMOS transistor Tr4 is turned on as the third voltage source VDD3 is applied to its gate terminal. Since the third voltage source VDD3 is always in a positive state during the first frame, the fourth NMOS transistor Tr4 is always turned on during the first frame. Here, the third voltage source VDD3 is supplied to the second node QB1 through the turned-on fourth NMOS transistor Tr4. As a result, the second voltage source VSS and the third voltage source VDD3 are simultaneously supplied to the second node QB1. However, the channel widths of the second and eighth NMOS transistors Tr2 and Tr8 supplying the second voltage source VSS are greater than the channel widths of the fourth NMOS transistor Tr4 supplying the third voltage source VDD3. Since it is larger, the second node QB1 is maintained as the second voltage source VSS. As a result, the second node QB1 maintains a discharge state during the enable period T0. Therefore, the first pull-down transistor Trd and the tenth NMOS transistor Tr10 having the gate terminal connected to the second node QB1 are turned off during this enable period T0.

또한, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에도 공급된다. 따라서, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)도 제 1 프레임동안 항상 턴-온상태를 유지한다. 이 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해 제 2 전압원 (VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 결국, 제 3 노드(QB2)는 제 3, 제 5, 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr5, Tr9)에 의해 방전상태를 유지하게 된다. 따라서, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단가 공통으로 접속된 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd) 및 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 턴-오프된다.The third voltage source VDD3 is also supplied to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5. Accordingly, the fifth NMOS transistor Tr5 is also always turned on during the first frame. The second voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5. As a result, the third node QB2 is maintained in the discharge state by the third, fifth and ninth NMOS transistors Tr3, Tr5, and Tr9. Therefore, the second pull-down transistor Trd and the eleventh NMOS transistor Tr11 having the gate terminal connected to the third node QB2 in common are turned off.

또한, 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 자신의 게이트단자에 인가된 제 4 전압원(VDD4)에 의해 턴-오프된다. 여기서, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 제 1 프레임동안 부극성으로 유지되므로, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 제 1 프레임동안 항상 턴-오프상태를 유지한다.The sixth NMOS transistor Tr6 is turned off by the fourth voltage source VDD4 applied to its gate terminal. In this case, since the fourth voltage source VDD4 is negatively maintained during the first frame, the sixth NMOS transistor Tr6 is always turned off during the first frame.

또한, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에도 인가되므로, 제 1 프레임동안 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는 항상 턴-오프상태를 유지한다.In addition, since the fourth voltage source VDD4 is also applied to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7, the seventh NMOS transistor Tr7 is always turned off during the first frame.

이와 같이, 상기 인에이블 기간(T0)동안에는, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전되고, 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 제 2 전압원(VSS)으로 방전됨으로써, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 인에이블된다.As such, during the enable period T0, as illustrated in FIG. 12, the first node Q of the first stage CST1 is charged to the first voltage source VDD, and the second and second voltages are charged. Since the three nodes QB1 and QB2 are discharged to the second voltage source VSS, the first stage CST1 is enabled.

다음으로, 제 1 기간(T1) 동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the first period T1 will be described.

제 1 기간(T1)동안에는, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 1 클럭펄스(CLK1)만 하이상태를 유지하고, 나머지 클럭펄스들은 로우 상태를 유지한다. 따라서, 상기 로우 상태의 스타트 펄스(SP)에 응답하여 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)는 턴-오프되고, 이에 따라 상기 제 1 스 테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 플로팅 상태로 유지된다.During the first period T1, as shown in FIG. 13, only the first clock pulse CLK1 remains high and the remaining clock pulses remain low. Accordingly, the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 of the first stage CST1 are turned off in response to the low state start pulse SP. The first node Q of one stage CST1 is maintained in a floating state.

한편, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 상기 인에이블 기간(T0)동안 인가되었던 제 1 전압원(VDD)으로 계속 유지됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지한다. 이때, 상기 턴-온된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가됨에 따라, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)은 부트스트랩핑에 의해 증폭된다. 따라서, 상기 제 풀업 트랜지스터(Tru)는 거의 완전하게 턴-온된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 인가된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자를 통해 안정적으로 출력된다. 이때, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 게이트 라인에 인가되어 상기 제 1 게이트 라인을 구동시키는 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 작용한다. 이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 스테이지(CST1)의 차단부(900d)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 1 스테이지(CST1)의 차단부(900d)에 구비된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자에 입력되어, 상기 차단부(900d)의 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)를 턴-온시킨다. 그러면, 상기 턴-온된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 방전부(900c)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 인가된다.Meanwhile, as the first node Q of the first stage CST1 is continuously maintained as the first voltage source VDD applied during the enable period T0, the pull-up transistor of the first stage CST1 Tru) remains turned on. At this time, as the first clock pulse CLK1 is applied to the source terminal of the turned-on pull-up transistor Tru, the first node Q of the first stage CST1 as shown in FIG. 12. The first voltage source VDD charged to is amplified by bootstrapping. Thus, the first pull-up transistor Tru is almost completely turned on. Accordingly, the first clock pulse CLK1 applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the first stage CST1 is stably output through the drain terminal of the pull-up transistor Tru. In this case, as illustrated in FIG. 13, the output first clock pulse CLK1 is applied to the first gate line to serve as a first scan pulse Vout1 driving the first gate line. The first scan pulse Vout1 is supplied to the blocking unit 900d of the first stage CST1. Specifically, the first scan pulse Vout1 is input to the gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 provided in the blocking unit 900d of the first stage CST1, and thus, the first scan pulse Vout1 is input to the gate terminal of the blocking unit 900d. 16 Turn on the NMOS transistor Tr16. Then, the second voltage source VSS is supplied to the discharge unit 900c provided in the first stage CST1 through the turned-on sixteenth NMOS transistor Tr16. Specifically, the second voltage source VSS is applied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 provided in the discharge unit 900c of the first stage CST1.

한편, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 구비된 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자 및 소스단자에 함께 공급된다. 따라서, 상기 턴-온된 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)를 통해 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 공급된다.On the other hand, the first clock pulse CLK1 is also supplied to the discharge unit 900c of the first stage CST1. Specifically, the first clock pulse CLK1 is supplied to the gate terminal and the source terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 included in the discharge unit 900c of the first stage CST1. Therefore, the first clock pulse CLK1 is supplied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 through the turned-on thirteenth NMOS transistor Tr13.

이와 같이, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에는, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 제 2 전압원(VSS)이 동시에 인가된다. 이때, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 채널폭이, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 제 1 클럭펄스(CLK1)를 공급하는 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 채널폭보다 더 크기 때문에, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에는 제 2 전압원(VSS)이 인가된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는 턴-오프된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)가 구동하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 인에이블 기간(T0)에 공급되었던 제 1 전압원(VDD)으로 충전된 상태를 유지한다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 접속된 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지하며, 이에 의해 제 1 기간(T1)에 상기 풀업 트랜지스터(Tru)에 공급된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 제 1 게이트 라인에 정상적으로 공급된다.As such, the first clock pulse CLK1 and the second voltage source VSS are simultaneously applied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 included in the discharge unit 900c of the first stage CST1. . At this time, the channel width of the sixteenth NMOS transistor Tr16, which supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14, has a first clock at the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14. The second voltage source VSS is applied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 because it is larger than the channel width of the thirteenth NMOS transistor Tr13 that supplies the pulse CLK1. Therefore, the fourteenth NMOS transistor Tr14 of the first stage CST1 is turned off. That is, the discharge unit 900c of the first stage CST1 does not drive. Therefore, the first node Q of the first stage CST1 maintains the state charged with the first voltage source VDD supplied during the enable period T0. Accordingly, the pull-up transistor Tru connected to the first node Q of the first stage CST1 maintains a turn-on state, thereby supplying it to the pull-up transistor Tru in the first period T1. The first clock pulse CLK1 is normally supplied to the first gate line as the first scan pulse Vout1.

다시말하면, 상기 제 1 기간(T1), 즉 상기 제 1 스테이지(CST1)가 제 1 클럭 펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력하는 타이밍에는, 상기 차단부(900d)가 동작하고 이에 의해 상기 방전부(900c)가 동작을 하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 충전상태를 유지하고, 이로 인해 상기 제 1 스테이지(CST1)는 정상적으로 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력한다.In other words, when the first period T1, that is, the timing at which the first stage CST1 outputs the first clock pulse CLK1 as the first scan pulse Vout1, the blocking unit 900d operates. As a result, the discharge unit 900c does not operate. Accordingly, the first node Q of the first stage CST1 maintains a charging state, and thus, the first stage CST1 normally sets the first clock pulse CLK1 as the first scan pulse Vout1. Output

한편, 상기 제 1 기간(T1)에 제 1 스테이지(CST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 제 2 스테이지(CST2)에도 입력된다. 구체적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자, 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자, 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자에 입력된다. 여기서, 상기 제 2 스테이지(CST2)에 공급된 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 공급된 스타트 펄스(SP)와 동일한 역할을 하는 것으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시키고, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 2 노드(QB1)를 방전시키고, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 3 노드(QB2)를 방전시킨다.On the other hand, the first scan pulse Vout1 output from the first stage CST1 in the first period T1 is also input to the second stage CST2. Specifically, as illustrated in FIG. 11, the first scan pulse Vout1 may be a gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 and a gate of the second NMOS transistor Tr2 provided in the second stage CST2. A terminal is input to the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3. Here, the first scan pulse Vout1 supplied to the second stage CST2 plays the same role as the start pulse SP supplied to the first stage CST1 and the first scan pulse Vout1. In response, the first NMOS transistor Tr1 of the second stage CST2 charges the first node Q of the second stage CST2 to the first voltage source VDD, and the second stage CST2. The second NMOS transistor Tr2 of FIG. 2 discharges the second node QB1 of the second stage CST2, and the third NMOS transistor Tr3 of the second stage CST2 is the second stage CST2. Discharges the third node QB2.

결국, 상기 제 1 기간(T1)에, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 인에이블된다.As a result, in the first period T1, the first stage CST1 outputs a first scan pulse Vout1, and the second stage CST2 responds to the first scan pulse Vout1. Is enabled.

이어서, 제 2 기간(T2)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the second period T2 will be described.

상기 제 2 기간(T2)동안에는, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 2 클럭펄스(CLK2)(CLK4)만 하이상태를 유지하고, 나머지 클럭펄스들은 로우 상태를 유지한다.During the second period T2, as shown in FIG. 13, only the second clock pulses CLK2 and CLK4 remain high and the remaining clock pulses remain low.

따라서, 제 1 기간(T1)에 인가되었던 상기 제 1 스테이지(CST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)(즉, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1))가 제 2 기간(T2)에서 로우 상태로 변함에 따라, 이를 게이트단자를 통해 인가받는 상기 2 스테이지의 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)는 턴-오프되고, 이에 따라 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)는 플로팅 상태로 유지된다. 이때, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)가 인가됨에 따라, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)은 부트스트랩핑에 의해 증폭된다.Accordingly, the first scan pulse Vout1 (that is, the first clock pulse CLK1) from the first stage CST1, which was applied in the first period T1, becomes low in the second period T2. As a result, the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 of the second stage, which are applied through the gate terminal, are turned off, and thus the first stage of the second stage CST2 is turned off. One node Q is kept in a floating state. In this case, as the second clock pulse CLK2 is applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the second stage CST2, the first charge of the first node Q of the second stage CST2 is performed. One voltage source VDD is amplified by bootstrapping.

따라서, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 인가된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자를 통해 안정적으로 출력된다. 이때, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(CST2)로부터 출력되는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 제 2 게이트 라인에 인가되어 상기 제 2 게이트 라인을 구동시키는 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 작용한다.Therefore, the second clock pulse CLK2 applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the second stage CST2 is stably output through the drain terminal of the pull-up transistor Tru. In this case, as shown in FIG. 13, the second clock pulse CLK2 output from the second stage CST2 is applied to a second gate line to drive the second gate pulse Vout2. Acts as).

한편, 상기 제 2 기간(T2)에 상기 제 2 스테이지(CST2)는, 상술한 제 1 스테이지(CST1)와 마찬가지로, 자신으로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 사용하여 자신의 차단부(900d)를 동작시키고, 방전부(900c)를 오프시킨다. 따라서, 상기 제 2 기간(T2)에 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)는 충전상태로 유지되고, 이에 의해 안정적으로 제 2 스캔펄스(Vout2)를 제 2 게이트 라인에 공급한다.On the other hand, in the second period T2, the second stage CST2 uses the second scan pulse Vout2 outputted from itself, similarly to the above-described first stage CST1, and has its own blocking unit 900d. ) Is turned on, and the discharge unit 900c is turned off. Therefore, in the second period T2, the first node Q of the second stage CST2 is kept in a charged state, thereby stably supplying the second scan pulse Vout2 to the second gate line. .

이때, 상기 제 2 스테이지(CST2)로부터 출력되는 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에도 입력된다. 구체적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 입력된다. 여기서, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)가 턴-온됨에 따라, 상기 제 2 전압원(VSS)이 상기 턴-온된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 통해 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 전압원(VSS)에 의해 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 방전된다. 그러면, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 공통으로 접속된 풀업 트랜지스터(Tru), 그리고 제 8 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr9)가 모두 턴-오프된다.In this case, the second scan pulse Vout2 output from the second stage CST2 is also input to the first stage CST1. Specifically, as shown in FIG. 11, the second scan pulse Vout2 is input to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 provided in the first stage CST1. Here, as the twelfth NMOS transistor Tr12 of the first stage CST1 is turned on by the second scan pulse Vout2, the twelfth NMOS transistor whose second voltage source VSS is turned on It is supplied to the first node Q of the first stage CST1 through Tr12. Therefore, as shown in FIG. 13, the first node Q of the first stage CST1 is discharged by the second voltage source VSS. Then, the pull-up transistor Tru having the gate terminal commonly connected to the first node Q of the first stage CST1 and the eighth and ninth NMOS transistors Tr8 and Tr9 are turned off.

한편, 상기 제 2 기간(T2)에 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 및 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr8)가 턴-오프상태이므로, 이 제 2 기간(T2)에 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 공급되는 제 1 전압원(VDD)으로 충전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 공통으로 접속된 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd1) 및 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)가 모두 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 제 1 풀다운 트랜지스터(Trd1)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 1 게이트라인에 공급된다. Meanwhile, since the second and eighth NMOS transistors Tr2 and Tr8 of the first stage CST1 are turned off during the second period T2, the first stage (T2) during the second period T2. The second node QB1 of CST1 is charged with the first voltage source VDD supplied through the fourth NMOS transistor Tr4. Therefore, both the first pull-down transistor Trd1 and the tenth NMOS transistor Tr10 having the gate terminal commonly connected to the second node QB1 of the first stage CST1 are turned on. At this time, the second voltage source VSS is supplied to the first gate line through the turned-on first pull-down transistor Trd1.

한편, 상기 턴-온된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 통해 제 2 전압원(VSS) 이 제 1 노드(Q)에 공급된다. 결국, 상기 제 2 기간(T2)동안 상기 제 1 노드(Q)는 제 10 및 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr10, Tr12)에 의해 방전된다. Meanwhile, a second voltage source VSS is supplied to the first node Q through the turned-on tenth NMOS transistor Tr10. As a result, the first node Q is discharged by the tenth and twelfth NMOS transistors Tr10 and Tr12 during the second period T2.

또한, 상기 제 2 기간(T2)에 출력된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 방전부(900c)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 구비된 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 게이트단자에 입력된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는 턴-온된다. 따라서, 상기 턴-온된 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 인가된다. 상기 방전부(900c)에 구비된 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 열화를 방지하기 위한 스위칭소자이다. 즉, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 주기적으로 출력됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에는 제 2 전압원(VSS)보다는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 더 많은 시간동안 인가된다. 따라서, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 문턱전압이 특성이 변화할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는 다음단의 스테이지(즉, 제 3 스테이지(CST3))가 스캔펄스(즉, 제 3 스캔펄스(Vout3))를 출력할 때, 이에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)를 공급받아 상기 방전부(900c)에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급한다. 이렇게 함으로써, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 좀 더 많은 시간동안 제 2 전압원(VSS)을 공급할 수 있다.In addition, the second clock pulse CLK2 output in the second period T2 is supplied to the discharge unit 900c provided in the first stage CST1. Specifically, the second clock pulse CLK2 is input to the gate terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15 provided in the discharge unit 900c of the first stage CST1. Therefore, the fifteenth NMOS transistor Tr15 of the first stage CST1 is turned on. Therefore, the second voltage source VSS is provided to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 provided in the discharge unit 900c of the first stage CST1 through the turned-on fifteenth NMOS transistor Tr15. Is approved. The fifteenth NMOS transistor Tr15 included in the discharge unit 900c is a switching device for preventing deterioration of the fourteenth NMOS transistor Tr14. That is, as the first clock pulse CLK1 is periodically output, the second voltage source VSS is provided at the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 provided in the discharge unit 900c of the first stage CST1. Rather than the first clock pulse CLK1 is applied for more time. Accordingly, characteristics of the threshold voltage of the fourteenth NMOS transistor Tr14 may change. In order to prevent this, the fifteenth NMOS transistor Tr15 is synchronized with the next stage (ie, the third stage CST3) when it outputs the scan pulse (ie, the third scan pulse Vout3). The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 included in the discharge unit 900c by receiving the third clock pulse CLK3. In this way, the second voltage source VSS may be supplied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 for a longer time.

또한, 상기 제 2 기간(T2)동안, 상기 제 2 스테이지(CST2)로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(CST3)에도 입력된다. 구체적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(CST3)에 구비된 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)의 게이트단자에 입력된다. 따라서, 상기 제 2 기간(T2)에, 상기 제 3 스테이지(CST3)의 제 1, 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)가 모두 턴-온된다. 따라서, 상기 제 2 기간(T2)에, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 인에이블된다. 즉, 상기 제 2 기간(T2)에, 상기 제 3 스테이지(CST3)의 제 1 노드(Q)는 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)는 방전된다. In addition, during the second period T2, the second scan pulse Vout2 output from the second stage CST2 is also input to the third stage CST3. In detail, as illustrated in FIG. 11, the second scan pulse Vout2 may include gates of the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 provided in the third stage CST3. It is input to the terminal. Therefore, in the second period T2, all of the first, second, and third NMOS transistors Tr3 of the third stage CST3 are turned on. Therefore, in the second period T2, the third stage CST3 is enabled. That is, in the second period T2, the first node Q of the third stage CST3 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged.

요약하면, 제 2 기간(T2)에는, 상기 제 2 스테이지(CST2)로부터 제 2 스캔펄스(Vout2)가 출력된다. 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)를 방전시키고, 제 2 노드(QB1)를 충전시킴으로써 상기 제 1 스테이지(CST1)를 디스에이블시킨다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(CST3)의 제 1 노드(Q)를 충전시키고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)를 방전시킴으로서 상기 제 3 스테이지(CST3)를 인에이블시킨다.In summary, in the second period T2, the second scan pulse Vout2 is output from the second stage CST2. This second scan pulse Vout2 drives the second gate line. In addition, the second scan pulse Vout2 discharges the first node Q of the first stage CST1 and disables the first stage CST1 by charging the second node QB1. In addition, the second scan pulse Vout2 charges the first node Q of the third stage CST3 and discharges the second and third nodes QB1 and QB2 to discharge the third stage CST3. Enable.

이와 같은 방식으로, 제 3 기간(T3)에는 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터 제 3 스캔펄스(Vout3)가 출력된다. 이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 3 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)를 방전시키고, 제 2 노드(QB1)를 충전시킴으로써 상기 제 2 스테이지(CST2)를 디스에이블시킨다. 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 2 스테이지(CST2) 의 방전부(900c)에 공급되어 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 열화가 방지되도록 한다. 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 4 스테이지(CST4)의 제 1 노드(Q)를 충전시키고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)를 방전시킴으로써 상기 제 4 스테이지(CST4)를 인에이블시킨다.In this manner, in the third period T3, the third scan pulse Vout3 is output from the third stage CST3. This third scan pulse Vout3 drives the third gate line. In addition, the third scan pulse Vout3 discharges the first node Q of the second stage CST2 and disables the second stage CST2 by charging the second node QB1. In addition, the third scan pulse Vout3 is supplied to the discharge unit 900c of the second stage CST2 to prevent deterioration of the fourteenth NMOS transistor Tr14. In addition, the third scan pulse Vout3 charges the first node Q of the fourth stage CST4 and discharges the second and third nodes QB1 and QB2 to discharge the fourth stage CST4. Enable.

그리고, 제 4 기간(T4)에는 상기 제 4 스테이지(CST4)로부터 제 4 스캔펄스(Vout4)가 출력된다. 이 제 4 스캔펄스(Vout4)는 제 4 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 제 3 스테이지(CST3)의 제 1 노드(Q)를 방전시키고, 제 2 노드(QB1)를 충전시킴으로써 상기 제 3 스테이지(CST3)를 디스에이블시킨다. 또한, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 공급되어 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 열화가 방지되도록 한다. 또한, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 제 5 스테이지의 제 1 노드(Q)를 충전시키고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)를 방전시킴으로써 상기 제 5 스테이지를 인에이블시킨다.In the fourth period T4, the fourth scan pulse Vout4 is output from the fourth stage CST4. This fourth scan pulse Vout4 drives the fourth gate line. In addition, the fourth scan pulse Vout4 discharges the first node Q of the third stage CST3 and disables the third stage CST3 by charging the second node QB1. In addition, the fourth scan pulse Vout4 is supplied to the discharge unit 900c of the first stage CST1 to prevent deterioration of the fourteenth NMOS transistor Tr14. In addition, the fourth scan pulse Vout4 charges the first node Q of the fifth stage and enables the fifth stage by discharging the second and third nodes QB1 and QB2.

이어서, 제 5 기간(T5)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the fifth period T5 will be described.

이 제 5 기간(T5)에, 상기 제 5 스테이지로부터 제 5 스캔펄스가 출력된다. 이 제 5 스캔펄스는 제 5 게이트 라인을 구동시킨다. 한편, 상기 제 5 기간(T5)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 다시 출력된다. 즉, 상기 제 5 기간(T5)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 다시 하이상태를 유지한다. 따라서, 상기 제 5 기간(T5)에 상기 제 5 스테이지는 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력한다. 이때, 상기 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 5 스테이지뿐만 아니라, 제 1 스테이지(CST1)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클 럭펄스(CLK1)는, 상기 제 5 스테이지에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자와, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 함께 공급된다. 이 제 5 기간(T5)에 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 방전상태이고, 상기 제 5 스테이지의 제 1 노드(Q)는 충전상태이므로, 상기 제 5 스테이지만이 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력할 수 있다.In this fifth period T5, a fifth scan pulse is output from the fifth stage. This fifth scan pulse drives the fifth gate line. Meanwhile, the first clock pulse CLK1 is output again in the fifth period T5. That is, in the fifth period T5, the first clock pulse CLK1 remains high again. Therefore, in the fifth period T5, the fifth stage outputs the first clock pulse CLK1 as a fifth scan pulse. At this time, the first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is supplied not only to the fifth stage but also to the first stage CST1. Specifically, the first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is provided with a source terminal of the pull-up transistor Tru provided in the fifth stage, and provided in the first stage CST1. It is supplied together to the source terminal of the pull-up transistor Tru. In the fifth period T5, the first node Q of the first stage CST1 is in a discharge state, and the first node Q of the fifth stage is in a charged state, so that only the fifth stage is The first clock pulse CLK1 may be output as the fifth scan pulse.

그러나, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)와 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자간에 커플링현상이 발생한다. 이 커플링현상에 의해 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 소정의 전압으로 충전될 수 있다. 이 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 계속적으로 인가됨에 따라, 더 큰 전압으로 충전되며, 이로 인해 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 상기 제 1 스테이지(CST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)를 턴-온시킬 정도의 크기를 갖는 전압으로 충전될 수 있다. 그러면, 상기 제 5 기간(T5)에 두 개의 스테이지, 즉 제 1 및 제 5 스테이지로부터 스캔펄스가 동시에 출력되는 문제점이 발생한다. 여기서, 상기 제 5 기간(T5)에 상기 제 5 스테이지로부터 출력된 스캔펄스는 올바른 출력이다. 하지만, 상기 제 1 스테이지(CST1)로부터 출력된 스캔펄스는 잘못된 출력이다. 결국, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 한 프레임동안 두 번 이상의 출력을 발생시킬 수 있다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 제 1 및 제 5 기간(T1, T5)에서 출력을 발생시킬 수 있다. 물론, 상기 제 1 스테이지(CST1) 뿐만 아니라, 나머지 스테이지도 상술한 바와 같은 원인으로 두 번 이상의 멀티 출력을 발생시킬 수 있다.However, as the first clock pulse CLK1 is applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the first stage CST1, the first node Q and the first stage of the first stage CST1 are applied. Coupling occurs between the source terminals of the pull-up transistor Tru to which the clock pulse CLK1 is applied. By this coupling phenomenon, the first node Q of the first stage CST1 may be charged to a predetermined voltage. The first node Q of the first stage CST1 is charged to a larger voltage as the first clock pulse CLK1 is continuously applied, thereby charging the first node QST1 of the first stage CST1. Q may be charged to a voltage that is large enough to turn on the pull-up transistor Tru of the first stage CST1. Then, a problem occurs in which scan pulses are simultaneously output from two stages, that is, the first and fifth stages, in the fifth period T5. Here, the scan pulse output from the fifth stage in the fifth period T5 is a correct output. However, the scan pulse output from the first stage CST1 is an incorrect output. As a result, the first stage CST1 may generate two or more outputs during one frame. That is, the first stage CST1 may generate an output in the first and fifth periods T1 and T5. Of course, not only the first stage CST1 but also the remaining stages may generate two or more multi-outputs as described above.

이러한 커플링 현상에 의한 멀티 출력을 방지하기 위해, 자신의 출력이 아닌 기간에 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)의 방전부(900c)가 동작한다. 이를 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In order to prevent the multiple output due to such a coupling phenomenon, the discharge unit 900c of each stage CST1 to CSTn + 1 operates in a period other than its own output. If this is explained in more detail as follows.

상술한 바와 같이, 제 5 기간(T5)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 출력된다. 이 제 5 기간(T5)에 출력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 기간(T1)에 출력되었던 제 1 클럭펄스(CLK1)와 네 클럭펄스폭 만큼에 해당하는 시간차를 갖는다. 상기 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(CST1)의 방전부(900c)에 공급되어, 상기 방전부(900c)를 동작시킨다. 즉, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자에 인가되어, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)를 턴-온시킨다. 그러면, 상기 턴-온된 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)를 통해 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자에 인가된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)가 턴-온된다. 그러면, 상기 턴-온된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 방전된다. 이때, 상기 제 1 스테이지(CST1)로부터의 스캔펄스를 발생하지 않으므로, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 차단부(900d)는 동작하지 않는다. 결국, 이 제 5 기간(T5)에, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 커플링 현상에 의해 소정의 전압이 충전되더라도, 이 전압은 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 방전부(900c)에 의해 방전된다. As described above, the first clock pulse CLK1 is output in the fifth period T5. The first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 has a time difference corresponding to four clock pulse widths from the first clock pulse CLK1 output in the first period T1. The first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is supplied to the discharge unit 900c of the first stage CST1 to operate the discharge unit 900c. That is, the first clock pulse CLK1 is applied to the gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 included in the first stage CST1 to turn on the thirteenth NMOS transistor Tr13. Then, the first clock pulse CLK1 is applied to the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 through the turned-on thirteenth NMOS transistor Tr13. Therefore, the fourteenth NMOS transistor Tr14 included in the first stage CST1 is turned on. Then, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage CST1 through the turned-on eighth NMOS transistor Tr8. Therefore, the first node Q of the first stage CST1 is discharged. In this case, since the scan pulse from the first stage CST1 is not generated, the blocking unit 900d provided in the first stage CST1 does not operate. Consequently, even if a predetermined voltage is charged to the first node Q of the first stage CST1 during the fifth period T5 by the coupling phenomenon, the voltage is provided to the first stage CST1. By the discharge unit 900c.

이와 같이, 상기 제 1 스테이지(CST1)는, 제 1 스캔펄스(Vout1)의 출력타이밍에 해당하는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가될 때는, 자신으로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)를 다시 피드백 받아 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 반면, 상기 제 1 스테이지(CST1)는, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 출력타이밍이 아닌 기간에 인가되는 제 1 클럭펄스(CLK1)에 대해서는, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가될 때마다 이에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전시킨다. 즉, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)는 자신으로부터 출력된 스캔펄스를 피드백 받음으로써, 상기 스캔펄스의 출력여부를 확인한다. 그리고, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)는 출력이 있을 경우에는 차단부(900d)를 동작시키고, 출력이 없을 경우에는 방전부(900c)를 동작시킨다.As such, when the first clock pulse CLK1 corresponding to the output timing of the first scan pulse Vout1 is applied to the first stage CST1, the first stage CST1 again outputs the first scan pulse Vout1 output from the first stage CST1. It receives the feedback and keeps its first node Q in a charged state. On the other hand, when the first clock pulse CLK1 is applied to the first clock pulse CLK1 applied to a period other than the output timing of the first scan pulse Vout1, the first stage CST1 is applied. Each time, the first node Q is discharged in response. That is, each of the stages CST1 to CSTn + 1 receives feedback of the scan pulses output from the stages, thereby confirming whether the scan pulses are output. Then, each stage CST1 to CSTn + 1 operates the breaker 900d when there is an output, and operates the discharge unit 900c when there is no output.

결국, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 한 프레임내의 제 1 기간(T1)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력하며, 이 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지시키고, 제 5, 제 9, ....., 및 제 k 기간(T5, T9, ..., Tk)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.As a result, the first stage CST1 outputs the first clock pulse CLK1 input in the first period T1 in one frame as the first scan pulse Vout1, and to the first scan pulse Vout1. In response, keeps its first node Q in a charged state and is input to the fifth, ninth, ....., and kth periods T5, T9, ..., Tk. In response to the pulse CLK1, the first node Q is brought into a discharge state.

이와 같은 방식으로, 제 2 스테이지(CST2)는 한 프레임내의 제 2 기간(T2)에 입력되는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력하며, 이 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 2 스테이지(CST2)는, 상기 제 2 기간(T2)을 제외한 한 프레임내의 제 6, 제 10, ..., 및 제 k+1 기간(T6, T10, ..., Tk+1)에 입력되는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In this manner, the second stage CST2 outputs the second clock pulse CLK2 input in the second period T2 in one frame as the second scan pulse Vout2, and the second scan pulse Vout2. ) Keeps its first node Q charged. The second stage CST2 includes sixth, tenth, ..., and k + 1th periods T6, T10, ..., Tk + in one frame except the second period T2. In response to the second clock pulse CLK2 input to 1), the first node Q is brought into a discharge state.

또한, 제 3 스테이지(CST3)는 한 프레임내의 제 3 기간(T3)에 입력되는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력하며, 이 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 3 스테이지(CST3)는, 상기 제 3 기간(T3)을 제외한 한 프레임내의 제 7, 제 11, ..., 및 제 k+2 기간(T7, T11, ..., Tk+2)에 입력되는 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In addition, the third stage CST3 outputs the third clock pulse CLK3 input in the third period T3 in one frame as the third scan pulse Vout3, and responds to the third scan pulse Vout3. To keep its first node Q in a charged state. The third stage CST3 includes the seventh, eleventh, ..., and k + 2th periods T7, T11, ..., Tk + in one frame except the third period T3. In response to the third clock pulse CLK3 input to 2), the first node Q is brought into a discharge state.

또한, 제 4 스테이지(CST4)는 한 프레임내의 제 4 기간(T4)에 입력되는 제 4 클럭펄를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력하며, 이 제 4 스캔펄스(Vout4)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 4 스테이지(CST4)는, 상기 제 4 기간(T4)을 제외한 한 프레임내의 제 8, 제 12, ..., 및 제 k+3 기간(T8, T12, ..., Tk+3)에 입력되는 제 4 클럭펄스(CLK4)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In addition, the fourth stage CST4 outputs the fourth clock pulse inputted in the fourth period T4 in one frame as the fourth scan pulse Vout4 and in response to the fourth scan pulse Vout4. 1 Keep node Q charged. The fourth stage CST4 includes the eighth, twelfth, ..., and k + 3th periods T8, T12, ..., Tk + in one frame except the fourth period T4. In response to the fourth clock pulse CLK4 input to 3), the first node Q is brought into a discharge state.

또한, 제 5 스테이지는 한 프레임내의 제 5 기간(T5)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력하고, 이 제 5 스캔펄스에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 상기 제 5 스테이지는, 상기 제 5 기간(T5)을 제외한 한 프레임내의 제 9, 제 13, ..., 및 제 k 기간(T9, T13, ..., Tk)에 입력되는 제 1 클럭펄스(CLK1)에 응답하여 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.In addition, the fifth stage outputs the first clock pulse CLK1 input in the fifth period T5 in one frame as a fifth scan pulse, and in response to the fifth scan pulse, its first node Q. Keep it charged. The fifth stage is a first input unit for the ninth, thirteenth, ..., and kth periods T9, T13, ..., Tk in one frame except for the fifth period T5. In response to the clock pulse CLK1, the first node Q is brought into a discharge state.

나머지 제 6 내지 제 n 스테이지(CSTn), 및 더미 스테이지(CSTn+1)도 상술한 바와 같은 방식으로 동작한다.The remaining sixth to nth stages CSTn and the dummy stage CSTn + 1 also operate in the same manner as described above.

결국, 각 스테이지는 스캔펄스를 출력하고자 하는 타이밍에 입력되는 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력하며, 이때 상기 스캔펄스를 피드백 받아 자신의 제 1 노드(Q)를 충전상태로 유지한다. 그리고, 각 스테이지는 상기 스캔펄스를 출력한 이후에 입력되는 클럭펄스에 응답하여, 자신의 제 1 노드(Q)를 방전상태로 만든다.As a result, each stage outputs a clock pulse input as a scan pulse at a timing to output the scan pulse, and at this time receives the scan pulse and maintains its first node Q in a charged state. Then, each stage puts its first node Q into a discharge state in response to a clock pulse input after the scan pulse is output.

한편, 제 1 프레임동안 모든 스테이지들이 한번의 스캔펄스를 출력하게 되면, 제 2 프레임이 시작된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 다시 동작한다.On the other hand, when all the stages output one scan pulse during the first frame, the second frame starts. That is, the first stage CST1 operates again.

이 제 2 프레임동안에는, 상술한 바와 같이, 상기 제 3 전압이 부극성으로 유지되고, 제 4 전압이 정극성으로 유지된다.During this second frame, as described above, the third voltage is maintained at negative polarity and the fourth voltage is maintained at positive polarity.

따라서, 이 제 2 프레임동안에는, 각 스테이지의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)가 항상 턴-오프상태를 유지하고, 각 스테이지의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)가 항상 턴-온상태를 유지한다.Therefore, during this second frame, the fourth NMOS transistor Tr4 of each stage is always turned off, and the sixth NMOS transistor Tr6 of each stage is always turned on.

따라서, 제 2 프레임동안에는, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)가 디스에이블될 때 자신의 제 2 노드(QB1)를 방전상태로 유지하고, 제 3 노드(QB2)를 충전상태로 유지한다. 즉, 홀수 번째 프레임동안에는 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)가 디스에이블될 때 자신의 제 2 노드(QB1)를 충전시킴과 아울러 자신의 제 3 노드(QB2)를 방전시키며, 짝수 번째 프레임동안에는 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)가 디스에이블될 때 자신의 제 2 노드(QB1)를 방전시킴과 아울러 자신의 제 3 노드(QB2)를 충전시킨다. 결국, 매 프레임마다, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+1)의 제 2 노드 (QB1) 및 제 3 노드(QB2)가 번갈아가며 충전 및 방전상태를 유지한다. 이에 따라, 출력부(900b)에 위치한 스위칭소자의 열화를 방지할 수 있다. 즉, 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 프레임을 주기로하여 교번적으로 충전 및 방전됨에 따라, 출력부(900b)에 위치한 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)도 프레임을 주기로하여 교번적으로 턴-온 및 턴-오프된다. 따라서, 출력부(900b)에 구비된 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터(Trd1, Trd2)의 문턱전압이 한쪽으로 증가하는 것을 방지할 수 있다.Therefore, during the second frame, when each stage CST1 to CSTn + 1 is disabled, its second node QB1 is kept in a discharged state and the third node QB2 is kept in a charged state. That is, during the odd-numbered frames, when each stage CST1 to CSTn + 1 is disabled, it charges its own second node QB1 and discharges its own third node QB2. When the stages CST1 to CSTn + 1 are disabled, the second node QB1 is discharged and the third node QB2 is charged. As a result, every frame, the second node QB1 and the third node QB2 of each stage CST1 to CSTn + 1 alternately maintain charge and discharge states. Accordingly, deterioration of the switching element located in the output unit 900b can be prevented. That is, as the second and third nodes QB1 and QB2 are alternately charged and discharged at intervals of the frame, the first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2 positioned in the output unit 900b also change the frame. It is turned on and off alternately in cycles. Therefore, it is possible to prevent the threshold voltages of the first and second pull-down transistors Trd1 and Trd2 included in the output unit 900b from increasing to one side.

이하, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the shift register according to the third embodiment of the present invention will be described in detail.

도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.14 is a diagram illustrating a shift register according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 도 14에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지(DST1 내지 DSTn)들 및 하나의 더미 스테이지(DSTn+1)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(DST1 내지 DSTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(DST1)부터 더미 스테이지(DSTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 상기 더미 스테이지(DSTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(DST1 내지 DSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다.As illustrated in FIG. 14, the shift register according to the third embodiment of the present invention includes n stages DST1 to DSTn and one dummy stage DSTn + 1 connected to each other. Here, each of the stages DST1 to DSTn + 1 outputs one scan pulse Vout1 to Voutn + 1, and in this case, the scan pulse Vout1 is sequentially performed from the first stage DST1 to the dummy stage DSTn + 1. To Voutn + 1). In this case, scan pulses Vout1 to Voutn output from the stages DST1 to DSTn except the dummy stage DSTn + 1 are sequentially supplied to gate lines of the liquid crystal panel (not shown). The gate lines are sequentially scanned.

이 스테이지들(DST1 내지 DSTn+1)은, 도 3의 그것들과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Since these stages DST1 to DSTn + 1 are the same as those of FIG. 3, description thereof will be omitted.

이 스테이지들(DST1 내지 DSTn+1) 중 제 2 스테이지(DST2)에 구성된 회로를 상세히 설명하면 다음과 같다.A circuit configured in the second stage DST2 among the stages DST1 to DSTn + 1 will be described in detail as follows.

도 15는 도 14의 제 2 스테이지에 대한 회로 구성도이다.FIG. 15 is a circuit diagram illustrating the second stage of FIG. 14.

즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 제 2 스테이지(DST2)의 노드 제어부(140a)는 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2)로 구성된다.That is, as illustrated in FIG. 15, the node controller 140a of the second stage DST2 includes first and second NMOS transistors Tr1 and Tr2.

상기 제 1 내지 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2)는, 도 8에 도시된 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2)와 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.Since the first to second NMOS transistors Tr1 and Tr2 are the same as the first and second NMOS transistors Tr1 and Tr2 illustrated in FIG. 8, description thereof will be omitted.

그리고, 제 2 스테이지(DST2)의 출력부(140b)는, 상술한 풀업 트랜지스터(Tru) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다.The output unit 140b of the second stage DST2 includes the pull-up transistor Tru and the pull-down transistor Trd described above.

상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 인가되는 스캔펄스보다 한 클럭펄스폭만큼 지연된 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)보다 한 펄스폭만큼 지연된 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)를 제 2 게이트 라인을 구동하기 위한 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에도 공급된다.The pull-up transistor Tru is delayed by one clock pulse width than the scan pulse applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. Output clock pulses as scan pulses. That is, the pull-up transistor Tru of the second stage DST2 outputs the second clock pulse CLK2 delayed by one pulse width from the first scan pulse Vout1 as the second scan pulse Vout2. The output second scan pulse Vout2 is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage at the previous stage, and the stage at the next stage. That is, the pull-up transistor Tru outputs the second scan pulse Vout2 as the second scan pulse Vout2 for driving the second gate line. The second scan pulse Vout2 is also supplied to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3.

여기서, 상기 제 1 스테이지(DST1)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(DST1)를 디스에이블시키고, 상기 제 3 스테이지(DST3)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(DST3)를 인에이블시킨다. 이를 위해, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되어 있으며, 소스단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되어 있으며, 드레인단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공통으로 접속된다.Here, the second scan pulse Vout2 supplied to the first stage DST1 disables the first stage DST1, and the second scan pulse Vout2 supplied to the third stage DST3 is The third stage DST3 is enabled. To this end, the gate terminal of the pull-up transistor Tru is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second gate. The line, the first stage DST1, and the third stage DST3 are commonly connected.

풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 노드(QB)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공급한다. 상기 제 2 게이트 라인에 공급된 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 2 게이트 라인을 비활성화시키는 신호로서 기능한다. 이를 위해, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공통으로 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The pull-down transistor Trd outputs the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the second node QB. Then, the second voltage source VSS is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage in the previous stage, and the stage in the next stage. That is, the pull-down transistor Trd of the second stage DST2 supplies the second voltage source VSS to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3. The second voltage source VSS supplied to the second gate line functions as a signal for deactivating the second gate line. To this end, the gate terminal of the pull-down transistor Trd is connected to the second node QB, and the source terminal is commonly connected to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3. The drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS.

그리고, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 방전부(140c)는, 제 3 내지 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr3 내지 Tr5)를 포함한다.The discharge unit 140c of the second stage DST2 includes third to fifth NMOS transistors Tr3 to Tr5.

상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 다음 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 클럭펄스를 출력한다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 전송하는 클럭라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 outputs the clock pulse in response to the clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the clock line for transmitting the fourth clock pulse CLK4, and the source terminal is connected to the clock line for transmitting the fourth clock pulse CLK4. do.

제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해 공급되는 제 4 클럭펄스(CLK4)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied through the third NMOS transistor Tr3. That is, the fourth NMOS transistor Tr4 transfers the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fourth clock pulse CLK4 supplied through the third NMOS transistor Tr3. Discharge. To this end, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to the drain terminal of the third NMOS transistor Tr3, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is connected to the second node. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.

제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 오프시킨다. 즉, 상기 재 2 스테이지(DST2)의 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는 제 3 스테이지(DST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 제 3 스테이지(DST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 turns off the fourth NMOS transistor Tr4 in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the fifth NMOS transistor Tr5 of the second stage DST2 is in response to the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3 from the third stage DST3. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off by supplying the second voltage source VSS to the gate terminal of the NMOS transistor Tr4. To this end, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to the third stage DST3, the source terminal is connected to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4, and the drain terminal of the second voltage source. It is connected to the power line which transmits (VSS).

차단부(140d)는, 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 포함한다.The interrupter 140d includes a sixth NMOS transistor Tr6.

상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(140c)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킴으로써 상기 방전부(140c)의 동작을 오프시킨다. 즉, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 제 1 스테이지(DST1)로부터 출력되는 제 1 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 방전부(140c)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 제 2 스테이지(DST2)의 출력부(140b)의 출력단자(즉, 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자이며, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자에 해당하는 단자)에 접속되며, 소스단자는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 turns off the operation of the discharge unit 140c by turning off the fourth NMOS transistor Tr4 of the discharge unit 140c in response to the scan pulse from the previous stage. Let's do it. That is, the sixth NMOS transistor Tr6 is provided to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the discharge unit 140c in response to the first scan pulse Vout2 output from the first stage DST1. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off by supplying a second voltage source VSS. To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is an output terminal of the output unit 140b of the second stage DST2 (that is, a drain terminal of the pull-up transistor Tru), and the pull-down transistor Trd of the Terminal connected to the source terminal), the source terminal is connected to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4, and the drain terminal is connected to the power supply line for transmitting the second voltage source VSS.

한편, 제 1 스테이지(DST1), 제 3 내지 제 n 스테이지(DSTn), 및 더미 스테이지(DSTn+1)도 상기와 같은 구성을 갖는다.On the other hand, the first stage DST1, the third to nth stages DSTn, and the dummy stage DSTn + 1 also have the above configuration.

단, 제 1 스테이지(DST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 1 NMOS 및 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr6)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 그리고, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 방전부(140c)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다.However, since there is no stage before the first stage DST1, the first NMOS and sixth NMOS transistors Tr1 and Tr6 included in the first stage DST1 may have a start pulse (Tr1, Tr6). SP). That is, the first NMOS transistor Tr1 included in the first stage DST1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the start pulse SP from the timing controller. Let's do it. The sixth NMOS transistor Tr3 is connected to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the discharge part 140c in response to the start pulse SP from the timing controller. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off by supplying.

상기와 같은 회로 구성을 갖는 스테이지를 구비한 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register with a stage having the circuit configuration as described above is as follows.

먼저, 인에이블 기간에 출력된 스타트 펄스(SP)가 상기 제 1 스테이지(DST1)에 공급되어 상기 제 1 스테이지(DST1)를 인에이블시킨다.First, the start pulse SP output in the enable period is supplied to the first stage DST1 to enable the first stage DST1.

이후, 제 1 기간에 제 1 스테이지(DST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)가 상기 제 2 스테이지(DST2)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 상기 제 1 및 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr6)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 1 및 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr6)가 턴-온된다.Thereafter, the first scan pulse Vout1 output from the first stage DST1 is supplied to the second stage DST2 in the first period. Specifically, the first scan pulse Vout1 is supplied to the gate terminals of the first and sixth NMOS transistors Tr1 and Tr6 provided in the second stage DST2. Then, the first and sixth NMOS transistors Tr1 and Tr6 of the first stage DST1 are turned on.

이때, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해, 제 1 전압원(VDD)이 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)에 공급되며, 이로 인해 상기 제 1 노드(Q)가 충전된다. 이 충전된 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온된다. 그리고, 상기 턴-온된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 공급된다. 이로 인해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)가 턴-오프된다. 즉, 상기 차단부(140d)의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)가 동작함으로 인해, 상기 방전부(140c)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 턴-오프된다. 다시말하면, 상기 제 1 노드(Q)가 충전되는 제 1 기간동 안, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 턴-오프된다. 따라서, 상기 제 1 노드(Q)는 안정적으로 충전된다.In this case, a first voltage source VDD is supplied to the first node Q of the second stage DST2 through the turned-on first NMOS transistor Tr1, and thus the first node Q is provided. Is charged. The pull-up transistor Tru having a gate terminal connected to the charged first node Q is turned on. The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 through the turned-on sixth NMOS transistor Tr6. As a result, the fourth NMOS transistor Tr4 is turned off. That is, since the sixth NMOS transistor Tr6 of the blocking unit 140d operates, the fourth NMOS transistor Tr4 of the discharge unit 140c is turned off. In other words, during the first period during which the first node Q is charged, the fourth NMOS transistor Tr4 is turned off. Thus, the first node Q is stably charged.

이후, 제 2 기간에 상기 턴-온된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 제 2 클럭펄스(CLK2)가 공급되면, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공급한다.Thereafter, when the second clock pulse CLK2 is supplied to the source terminal of the turned-up pull-up transistor Tru in the second period, the pull-up transistor Tru receives the second clock pulse CLK2 as a second scan pulse. Output as (Vout2). The output second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3.

이 제 2 기간에 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)를 공급받은 상기 제 3 스테이지(DST3)는 상기 제 2 스테이지(DST2)와 동일하게 자신의 제 1 노드(Q)를 충전시킨다. 이후, 제 3 기간에, 상기 제 3 스테이지(DST3)는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)를 제 3 게이트 라인, 제 2 스테이지(DST2), 및 제 1 스테이지(DST1)에 공급한다. During the second period, the third stage DST3 supplied with the second scan pulse Vout2 charges its first node Q in the same manner as the second stage DST2. Thereafter, in the third period, the third stage DST3 outputs the third clock pulse CLK3 as the third scan pulse Vout3. The output third scan pulse Vout3 is supplied to the third gate line, the second stage DST2, and the first stage DST1.

한편, 상기 제 3 기간에 출력된 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 스테이지(DST2)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 공급된다. 따라서, 상기 제 3 기간에, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 턴-오프된다.Meanwhile, the third clock pulse CLK3 output in the third period is also supplied to the second stage DST2. Specifically, the third clock pulse CLK3 is supplied to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 provided in the second stage DST2. Therefore, in the third period, the fifth NMOS transistor Tr5 of the second stage DST2 is turned on. The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5. Then, the fourth NMOS transistor Tr4 provided in the second stage DST2 is turned off.

한편, 상기 제 3 기간에 상기 제 3 스테이지(DST3)로부터 출력된 제 3 스캔 펄스(Vout3)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)에도 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 상기 제 3 기간에, 상기 제 2 스테이지(DST1)의 제 1 노드(Q)는 방전된다.On the other hand, the third scan pulse Vout3 output from the third stage DST3 in the third period is also supplied to the second NMOS transistor Tr2 of the second stage DST2. Then, the second NMOS transistor Tr2 of the second stage DST2 is turned on. The second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the second stage DST2 through the turned-on second NMOS transistor Tr2. Therefore, in the third period, the first node Q of the second stage DST1 is discharged.

즉, 제 3 기간에는, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)가 방전되고, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)가 턴-오프된다.That is, in the third period, the first node Q of the second stage DST2 is discharged, and the fourth NMOS transistor Tr4 of the second stage DST2 is turned off.

다음으로, 제 4 기간에는 제 4 스테이지(DST4)가 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 그리고, 이 제 4 스캔펄스(Vout4)를 제 4 게이트 라인, 제 3 스테이지(DST3) 및 제 5 스테이지에 공급한다. 이 제 4 기간에 출력된 제 4 클럭펄스(CLK4)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 4 기간에 출력된 제 4 클럭펄스(CLK4)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자 및 소스단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는 턴-온된다. 이 턴-온된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)가 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자 공급된다. 그러면, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)에 공급된다, 따라서, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)가 방전된다. 결국, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)는, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)가 출력될 때마다 방전된다. 이때, 상기 차단부(140d)의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 1 노드(Q)가 충전되는 시점(제 1 기간)에 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 오프시킴으로써, 상기 제 1 노드(Q)가 방전되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 자신의 출력기간(즉, 제 2 기간)에, 안정적으로 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력할 수 있다. 이 출력기간 이후에는, 상술한 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)는 제 4 클럭펄스(CLK4)에 의해 주기적으로 방전된다.Next, in the fourth period, the fourth stage DST4 outputs the fourth clock pulse CLK4 as the fourth scan pulse Vout4. The fourth scan pulse Vout4 is supplied to the fourth gate line, the third stage DST3, and the fifth stage. The fourth clock pulse CLK4 output in this fourth period is also supplied to the second stage DST2. Specifically, the fourth clock pulse CLK4 output in the fourth period is supplied to the gate terminal and the source terminal of the third NMOS transistor Tr3 provided in the second stage DST2. Then, the third NMOS transistor Tr3 of the second stage DST2 is turned on. The fourth clock pulse CLK4 is supplied with the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the second stage DST2 through the turned-on third NMOS transistor Tr4. Then, the fourth NMOS transistor Tr4 is turned on. Through this turned-on fourth NMOS transistor Tr4, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the second stage DST2, and thus, the first of the second stage DST2. Node Q is discharged. As a result, the first node Q of the second stage DST2 is discharged whenever the fourth clock pulse CLK4 is output. In this case, the sixth NMOS transistor Tr6 of the blocking unit 140d may be charged with the fourth NMOS transistor Tr4 at a time point (first period) at which the first node Q of the first stage DST1 is charged. By turning off, the first node Q is prevented from being discharged. Therefore, the pull-up transistor Tru of the second stage DST2 can stably output the second scan pulse Vout2 in its output period (ie, the second period). After this output period, as described above, the first node Q of the second stage DST2 is periodically discharged by the fourth clock pulse CLK4.

한편, 이와 같이 구성된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에서, 각 스테이지는 다음과 같은 회로구성을 가질 수도 있다. 여기서, 제 2 스테이지(DST2)만을 예로 들어 설명하면 다음과 같다.On the other hand, in the shift register according to the third embodiment of the present invention configured as described above, each stage may have the following circuit configuration. Here, only the second stage DST2 will be described as an example.

도 16은 도 14의 제 2 스테이지의 또 다른 회로구성을 나타낸 도면이다.FIG. 16 is a diagram illustrating another circuit configuration of the second stage of FIG. 14.

즉, 도 16에 도시된 바와 같이, 제 2 스테이지(DST2)의 노드 제어부(140a)는 제 1 내지 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr5)로 구성된다. 여기서, 도 16에 도시된 제 1 내지 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr5)는, 상술한 도 5에 도시된 제 1 내지 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr5)와 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.That is, as shown in FIG. 16, the node controller 140a of the second stage DST2 includes first to fifth NMOS transistors Tr1 to Tr5. Here, since the first to fifth NMOS transistors Tr1 to Tr5 illustrated in FIG. 16 are the same as the first to fifth NMOS transistors Tr1 to Tr5 illustrated in FIG. 5, description thereof will be omitted. .

그리고, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 출력부(140b)는, 풀업 트랜지스터(Tru) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다.The output unit 140b of the second stage DST2 includes a pull-up transistor Tru and a pull-down transistor Trd.

상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 인가되는 스캔펄스 보다 한 클럭펄스폭만큼 지연된 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)보다 한 펄스폭만큼 지연된 제 2 클럭펄스(CLK2)를 스캔펄스로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 스캔펄스를 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 게이트 라인을 구동하기 위한 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공급된다. 이를 위해, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되어 있으며, 소스단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되어 있으며, 드레인단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공통으로 접속된다.The pull-up transistor Tru is delayed by one clock pulse width than the scan pulse applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. Output clock pulses as scan pulses. That is, the pull-up transistor Tru of the second stage DST2 outputs the second clock pulse CLK2 delayed by one pulse width from the first scan pulse Vout1 as a scan pulse. The output scan pulse is supplied to the gate line connected to the stage to which the output scan pulse belongs, the stage before the stage, and the stage after the stage. That is, the pull-up transistor Tru outputs the second clock pulse CLK2 as a second scan pulse Vout2 for driving a second gate line. The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3. To this end, the gate terminal of the pull-up transistor Tru is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second gate. The line, the first stage DST1, and the third stage DST3 are commonly connected.

여기서, 상기 제 1 스테이지(DST1)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(DST1)를 디스에이블시키고, 상기 제 3 스테이지(DST3)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(DST3)를 인에이블시킨다. Here, the second scan pulse Vout2 supplied to the first stage DST1 disables the first stage DST1, and the second scan pulse Vout2 supplied to the third stage DST3 is The third stage DST3 is enabled.

풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 노드(QB)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공급한다. 상기 제 2 게이트 라인에 공급된 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 2 게이트 라인을 비활성화시키는 신호로서 기능한다. 이를 위해, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공통으로 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The pull-down transistor Trd outputs the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the second node QB. Then, the second voltage source VSS is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage in the previous stage, and the stage in the next stage. That is, the pull-down transistor Trd of the second stage DST2 supplies the second voltage source VSS to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3. The second voltage source VSS supplied to the second gate line functions as a signal for deactivating the second gate line. To this end, the gate terminal of the pull-down transistor Trd is connected to the second node QB, and the source terminal is commonly connected to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3. The drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS.

상기 제 2 스테이지(DST2)의 방전부(140c)는, 제 7 내지 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr7, Tr9)를 포함한다.The discharge part 140c of the second stage DST2 includes seventh to ninth NMOS transistors Tr7 and Tr9.

상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 다음 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 클럭펄스를 출력한다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 전송하는 클럭라인에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 outputs the clock pulse in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. To this end, the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to the clock line for transmitting the fourth clock pulse CLK4, and the source terminal is connected to the clock line for transmitting the fourth clock pulse CLK4. do.

제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 공급되는 제 4 클럭펄스(CLK4)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to a clock pulse supplied through the seventh NMOS transistor Tr7. That is, the eighth NMOS transistor Tr8 transfers the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fourth clock pulse CLK4 supplied through the seventh NMOS transistor Tr7. Discharge. To this end, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the drain terminal of the seventh NMOS transistor Tr7, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is connected to the second node. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.

제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 오프시킨다. 즉, 상기 재 2 스테이지(DST2)의 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는 제 3 스테이지(DST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 3 클럭펄스(CLK3)에 응답하여, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 제 3 스테이지(DST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 turns off the eighth NMOS transistor Tr8 in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the ninth NMOS transistor Tr9 of the second stage DST2 responds to the third clock pulse CLK3 synchronized with the third scan pulse Vout3 from the third stage DST3. The eighth NMOS transistor Tr8 is turned off by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the NMOS transistor Tr8. To this end, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the third stage DST3, the source terminal is connected to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8, and the drain terminal of the second voltage source. It is connected to the power line which transmits (VSS).

차단부(140d)는, 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 포함한다.The blocking unit 140d includes a tenth NMOS transistor Tr10.

상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부(140c)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 턴-오프시킴으로써 상기 방전부(140c)의 동작을 오프시킨다. 즉, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는 제 1 스테이지(DST1)로부터 출력되는 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여, 상기 방전부(140c)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 제 2 스테이지(DST2)의 출력부(140b)의 출력단자(즉, 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자이며, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자에 해당하는 단자)에 접속되며, 소스단자는 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 turns off the operation of the discharge unit 140c by turning off the eighth NMOS transistor Tr8 of the discharge unit 140c in response to the scan pulse from the previous stage. Let's do it. That is, the tenth NMOS transistor Tr10 is formed at the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 of the discharge unit 140c in response to the first scan pulse Vout1 output from the first stage DST1. The eighth NMOS transistor Tr8 is turned off by supplying the second voltage source VSS. To this end, the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is an output terminal of the output unit 140b of the second stage DST2 (that is, a drain terminal of the pull-up transistor Tru), and the pull-down transistor Trd Terminal connected to the source terminal), the source terminal is connected to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8, and the drain terminal is connected to the power supply line for transmitting the second voltage source VSS.

이와 같은 회로구성을 갖는 스테이지를 구비한 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register with a stage having such a circuit configuration will now be described in detail.

먼저, 인에이블 기간에 출력된 스타트 펄스가 상기 제 1 스테이지(DST1)에 공급되어 상기 제 1 스테이지(DST1)를 인에이블시킨다.First, a start pulse output in an enable period is supplied to the first stage DST1 to enable the first stage DST1.

이후, 제 1 기간에 제 1 스테이지(DST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)가 상기 제 2 스테이지(DST2)에 공급된다. 구체적으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 상기 제 1, 제 3, 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3, Tr10)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1, 제 3, 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr3, Tr10)가 턴-온된다.Thereafter, the first scan pulse Vout1 output from the first stage DST1 is supplied to the second stage DST2 in the first period. In detail, the first scan pulse Vout1 is supplied to gate terminals of the first, third, and tenth NMOS transistors Tr1, Tr3, and Tr10 provided in the second stage DST2. Then, the first, third, and tenth NMOS transistors Tr1, Tr3, and Tr10 of the second stage DST2 are turned on.

이때, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해, 제 1 전압원(VDD)이 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)에 공급되며, 이로 인해 상기 제 1 노드(Q)가 충전된다. 이 충전된 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온된다.In this case, a first voltage source VDD is supplied to the first node Q of the second stage DST2 through the turned-on first NMOS transistor Tr1, and thus the first node Q is provided. Is charged. The pull-up transistor Tru having a gate terminal connected to the charged first node Q is turned on.

한편, 상기 턴-온된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이, 제 2 노드(QB)에 공급된다. 따라서, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 2 노드(QB)는 방전된다. 이 방전된 제 2 노드(QB)에 게이트단자가 접속된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)는 턴-오프된다.Meanwhile, the second voltage source VSS is supplied to the second node QB through the turned-on third NMOS transistor Tr3. Therefore, the second node QB of the second stage DST2 is discharged. The fifth NMOS transistor Tr5 and the pull-down transistor Trd having the gate terminal connected to the discharged second node QB are turned off.

그리고, 상기 턴-온된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 공급된다. 이로 인해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)가 턴-오프된다. 즉, 상기 차단부(140d)의 제 10 NMOS 트랜 지스터(Tr10)가 동작함으로 인해, 상기 방전부(140c)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는 턴-오프된다. 다시말하면, 상기 제 1 노드(Q)가 충전되는 제 1 기간동안, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는 턴-오프된다. 따라서, 상기 제 1 노드(Q)는 안정적으로 충전된다.The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 through the turned-on tenth NMOS transistor Tr10. As a result, the eighth NMOS transistor Tr8 is turned off. That is, since the tenth NMOS transistor Tr10 of the blocking unit 140d operates, the eighth NMOS transistor Tr8 of the discharge unit 140c is turned off. In other words, during the first period during which the first node Q is charged, the eighth NMOS transistor Tr8 is turned off. Thus, the first node Q is stably charged.

이후, 제 2 기간에 상기 턴-온된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 제 2 클럭펄스(CLK2)가 공급되면, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(DST1), 및 제 3 스테이지(DST3)에 공급한다.Thereafter, when the second clock pulse CLK2 is supplied to the source terminal of the turned-up pull-up transistor Tru in the second period, the pull-up transistor Tru receives the second clock pulse CLK2 as a second scan pulse. Output as (Vout2). The output second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line, the first stage DST1, and the third stage DST3.

이 제 2 기간에 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)를 공급받은 상기 제 3 스테이지(DST3)는 상기 제 2 스테이지(DST2)와 동일하게 자신의 제 1 노드(Q)를 충전시킨다. 이후, 제 3 기간에, 상기 제 3 스테이지(DST3)는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)를 제 3 게이트 라인, 제 2 스테이지(DST2), 및 제 1 스테이지(DST1)에 공급한다. During the second period, the third stage DST3 supplied with the second scan pulse Vout2 charges its first node Q in the same manner as the second stage DST2. Thereafter, in the third period, the third stage DST3 outputs the third clock pulse CLK3 as the third scan pulse Vout3. The output third scan pulse Vout3 is supplied to the third gate line, the second stage DST2, and the first stage DST1.

한편, 상기 제 3 기간에 출력된 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 스테이지(DST2)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 4 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr4, Tr9)의 게이트단자에 각각 공급된다. 따라서, 상기 제 3 기간에, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 4 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr4, Tr9)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해서, 제 1 전압원(VDD)이 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 2 노드(QB)에 공급된 다. 따라서, 상기 제 2 스테이지(DST1)의 제 2 노드(QB)가 상기 제 1 전압원(VDD)으로 충전된다. 이 충전된 제 2 노드(QB)에 게이트단자가 접속된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)는 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 1 노드(Q)에 공급되어, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)를 방전시킨다. 그리고, 상기 턴-온된 풀다운 트랜지스터(Trd)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 2 게이트 라인에 공급된다.Meanwhile, the third clock pulse CLK3 output in the third period is also supplied to the second stage DST2. Specifically, the third clock pulse CLK3 is supplied to the gate terminals of the fourth and ninth NMOS transistors Tr4 and Tr9 provided in the second stage DST2, respectively. Therefore, in the third period, the fourth and ninth NMOS transistors Tr4 and Tr9 of the second stage DST2 are turned on. Through the turned-on fourth NMOS transistor Tr4, the first voltage source VDD is supplied to the second node QB of the second stage DST2. Therefore, the second node QB of the second stage DST1 is charged with the first voltage source VDD. The fifth NMOS transistor Tr5 and the pull-down transistor Trd having the gate terminal connected to the charged second node QB are turned on. At this time, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5 to discharge the first node Q of the second stage DST2. . The second voltage source VSS is supplied to the second gate line through the turned-on pull-down transistor Trd.

한편, 상기 턴-온된 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는 턴-오프된다.Meanwhile, the second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 through the turned-on ninth NMOS transistor Tr9. Then, the eighth NMOS transistor Tr8 provided in the second stage DST2 is turned off.

한편, 상기 제 3 기간에 상기 제 3 스테이지(DST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)에도 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 상기 제 3 기간에, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)는 방전된다.Meanwhile, the third scan pulse Vout3 output from the third stage DST3 in the third period is also supplied to the sixth NMOS transistor Tr6 of the second stage DST2. Then, the sixth NMOS transistor Tr6 of the second stage DST2 is turned on. The second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the second stage DST2 through the turned-on sixth NMOS transistor Tr6. Therefore, in the third period, the first node Q of the second stage DST2 is discharged.

즉, 제 3 기간에는, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)가 방전되고, 제 2 스테이지(DST2)의 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)가 턴-오프된다.That is, in the third period, the first node Q of the second stage DST2 is discharged, and the eighth NMOS transistor Tr8 of the second stage DST2 is turned off.

다음으로, 제 4 기간에는 제 4 스테이지(DST4)가 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 그리고, 이 제 4 스캔펄스(Vout4)를 제 4 게이트 라인, 제 3 스테이지(DST3) 및 제 5 스테이지에 공급한다. 이 제 4 기간에 출력된 제 4 클럭펄스(CLK4)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)에도 공급된다. 구체적으로, 상기 제 4 기간에 출력된 제 4 클럭펄스(CLK4)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는 턴-온된다. 이 턴-온된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)가 상기 제 2 스테이지(DST2)에 구비된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)에 공급된다, 따라서, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)가 방전된다. 결국, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)는, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)가 출력될 때마다 방전된다. 이때, 상기 차단부(140d)의 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)가 충전되는 시점(제 1 기간)에 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 오프시킴으로써, 상기 제 1 노드(Q)가 방전되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 자신의 출력기간(즉, 제 2 기간)에, 안정적으로 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력할 수 있다. 이 출력기간 이후에는, 상술한 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(DST2)의 제 1 노드(Q)는 제 4 클럭펄스(CLK4)에 의해 주기적으로 방전된다.Next, in the fourth period, the fourth stage DST4 outputs the fourth clock pulse CLK4 as the fourth scan pulse Vout4. The fourth scan pulse Vout4 is supplied to the fourth gate line, the third stage DST3, and the fifth stage. The fourth clock pulse CLK4 output in this fourth period is also supplied to the second stage DST2. Specifically, the fourth clock pulse CLK4 output in the fourth period is supplied to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 provided in the second stage DST2. Then, the seventh NMOS transistor Tr7 of the second stage DST2 is turned on. The fourth clock pulse CLK4 is supplied to the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 provided in the second stage DST2 through the turned-on seventh NMOS transistor Tr7. Then, the eighth NMOS transistor Tr8 is turned on. Through this turned-on eighth NMOS transistor Tr8, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the second stage DST2, and thus, the first of the second stage DST2. Node Q is discharged. As a result, the first node Q of the second stage DST2 is discharged whenever the fourth clock pulse CLK4 is output. In this case, the tenth NMOS transistor Tr10 of the blocking unit 140d may be charged with the fourth NMOS transistor Tr4 at a time point (first period) at which the first node Q of the second stage DST2 is charged. By turning off, the first node Q is prevented from being discharged. Therefore, the pull-up transistor Tru of the second stage DST2 can stably output the second scan pulse Vout2 in its output period (ie, the second period). After this output period, as described above, the first node Q of the second stage DST2 is periodically discharged by the fourth clock pulse CLK4.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에는 다음과 같은 효과가 있다.The shift register according to the present invention as described above has the following effects.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 매 클럭펄스마다 각 스테이지의 제 1 노드를 방전시키는 방전부와, 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 차단부를 포함하여 구성된다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 구비된 각 스테이지는 자신으로부터 출력된 스캔펄스를 피드백 받아 자신의 제 1 노드를 충전상태로 유지한다. 반면, 각 스테이지는 자신의 스캔펄스가 출력되는 타이밍에 해당하지 않는 기간에 입력되는 클럭펄스에 대해서는, 상기 클럭펄스가 입력될 때마다 자신의 제 1 노드를 방전시킴으로써 커플링현상을 방지한다.The shift register according to the present invention charges the first node by interrupting the operation of the discharge unit in response to a scan pulse output from the pull-up switching element and a discharge unit for discharging the first node of each stage every clock pulse. It is configured to include a blocking unit for maintaining in a state. That is, each stage included in the shift register according to the present invention receives a scan pulse outputted from itself and maintains its first node in a charged state. On the other hand, each stage prevents the coupling phenomenon by discharging its first node every time the clock pulse is input to the clock pulse inputted in a period not corresponding to the timing at which the scan pulse is output.

Claims (30)

스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며,And sequentially supplying scan pulses to sequentially activate gate lines of the liquid crystal panel, and supplying a first voltage source to the remaining periods except for when the scan pulses are supplied, and deactivating the gate lines. 상기 각 스테이지가, 제 1 노드 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하는 노드 제어부;Each of the stages includes: a node controller configured to control charge and discharge states of the first node and the second node; 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자;A pull-up switching device configured to receive first clock pulses periodically supplied and output a first clock pulse supplied at a timing at which the first node is charged as the scan pulse; 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 풀다운 스위칭소자;A pull-down switching element configured to output an input first voltage source in response to a state of charge of the second node; 상기 매 제 1 클럭펄스마다 상기 제 1 노드를 상기 제 1 전압원으로 방전시키는 방전부; 및,A discharge unit configured to discharge the first node to the first voltage source at every first clock pulse; And, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 방전부의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 차단부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a blocking unit for holding the first node in a charged state by interrupting an operation of the discharge unit in response to a scan pulse output from the pull-up switching element. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 각 스테이지의 노드 제어부는,Node control unit of each stage, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 2 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자;A first switching element for charging the first node with a second voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; 상기 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자;A second switching element for discharging the second node to the first voltage source in response to the first voltage source charged in the first node; 상기 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자;A third switching element configured to discharge the second node to a first voltage source in response to the start pulse or a scan pulse from a previous stage; 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 제 2 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드를 제 2 전압원으로 충전시키는 제 4 스위칭소자;A fourth switching device for charging the second node with a second voltage source in response to a second clock pulse synchronized with a scan pulse output from a next stage; 상기 제 2 노드에 충전된 제 2 전압원에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자; 및,A fifth switching device configured to discharge the first node to a first voltage source in response to a second voltage source charged in the second node; And, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 6 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a sixth switching element for discharging said first node to a first voltage source in response to a scan pulse from a next stage. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 각 스테이지의 방전부는, The discharge section of each stage, 상기 제 1 클럭펄스에 응답하여 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 7 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a seventh switching device for discharging the first node to the first voltage source in response to the first clock pulse. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 방전부는,The discharge unit, 상기 제 1 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 1 클럭펄스를 상기 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-온시키는 제 8 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And an eighth switching device which turns on the seventh switching device by supplying the first clock pulse to the gate terminal of the seventh switching device in response to the first clock pulse. register. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 방전부는,The discharge unit, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 9 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a ninth switching device for turning off the seventh switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the seventh switching device in response to a clock pulse synchronized with a scan pulse from a next stage. A shift register characterized in that. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 차단부는,The blocking unit, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 10 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a tenth switching device for turning off the seventh switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the seventh switching device in response to the scan pulse output from the pull-up switching device. Shift register. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 각 스테이지의 노드 제어부는,Node control unit of each stage, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 및,A first switching element for charging the first node with a second voltage source in response to the scan pulse from the previous stage; And, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a second switching element for discharging the first node to a first voltage source in response to a scan pulse output from a next stage. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 각 스테이지의 방전부는, The discharge section of each stage, 상기 제 1 클럭펄스에 응답하여 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a third switching device for discharging a first node to a first voltage source in response to the first clock pulse. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 방전부는,The discharge unit, 상기 제 1 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 1 클럭펄스를 상기 제 3 스위칭소자의 게이트단자에 공급함으로써 상기 제 3 스위칭소자를 턴-온시키는 제 4 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a fourth switching device which turns on the third switching device by supplying the first clock pulse to the gate terminal of the third switching device in response to the first clock pulse. register. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 방전부는,The discharge unit, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 동기된 제 2 클럭펄스에 응답하여, 상 기 제 3 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 3 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 5 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.In response to the second clock pulse synchronized with the scan pulse from the next stage, a fifth switching device for turning off the third switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the third switching device. Shift registers, characterized in that configured to include. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 차단부는,The blocking unit, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 3 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 3 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 6 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a sixth switching device which turns off the third switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the third switching device in response to the scan pulse output from the pull-up switching device. Shift register. 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며,And sequentially supplying scan pulses to sequentially activate gate lines of the liquid crystal panel, and supplying a first voltage source to the remaining periods except for when the scan pulses are supplied, and deactivating the gate lines. 상기 각 스테이지가, 제 1 노드, 제 2 노드, 및 제 3 노드의 충전/방전 상태를 제어하는 노드 제어부;A node control unit configured to control the charge / discharge states of the first node, the second node, and the third node; 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자;A pull-up switching device configured to receive first clock pulses periodically supplied and output a first clock pulse supplied at a timing at which the first node is charged as the scan pulse; 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 1 풀다운 스위칭소자;A first pull-down switching device configured to output a first voltage source input in response to a charging state of the second node; 상기 제 3 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 2 풀다운 스위칭소자;A second pull-down switching device configured to output a first voltage source input in response to a charging state of the third node; 상기 매 제 1 클럭펄스마다 상기 제 1 노드를 상기 제 1 전압원으로 방전시키는 방전부; 및,A discharge unit configured to discharge the first node to the first voltage source at every first clock pulse; And, 상기 제 1 클럭펄스들 중 현재 출력하고자 하는 스캔펄스에 대응되는 제 1 클럭펄스에 응답하여, 상기 방전부의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 차단부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a blocking unit which maintains the first node in a charged state by interrupting an operation of the discharge unit in response to a first clock pulse corresponding to a scan pulse to be currently output among the first clock pulses. Shift register. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 각 스테이지의 노드 제어부는,Node control unit of each stage, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 2 전압으로 충전시키는 제 1 스위칭소자;A first switching device for charging the first node to a second voltage in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; 상기 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자;A second switching element for discharging the second node to a first voltage source in response to the start pulse or a scan pulse from a previous stage; 상기 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 3 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자;A third switching element for discharging the third node to a first voltage source in response to the start pulse or a scan pulse from a previous stage; 매 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 3 전압원에 응답하여, 상기 제 2 노드를 상기 제 3 전압원으로 충전 또는 방전시키는 제 4 스위칭소자;A fourth switching element configured to charge or discharge the second node to the third voltage source in response to a third voltage source having a different polarity every frame; 상기 정극성의 제 3 전압원에 응답하여, 상기 제 3 노드를 상기 제 1 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자;A fifth switching element configured to discharge the third node to the first voltage source in response to the positive third voltage source; 상기 제 3 전압원과 반전된 위상을 갖는 제 4 전압원에 응답하여, 상기 제 3 노드를 상기 제 4 전압원으로 방전 또는 충전시키는 제 6 스위칭소자;A sixth switching element configured to discharge or charge the third node to the fourth voltage source in response to a fourth voltage source having a phase inverted from the third voltage source; 상기 정극성의 제 4 전압원에 응답하여, 상기 제 2 노드를 상기 제 2 전압원으로 방전시키는 제 7 스위칭소자;A seventh switching element configured to discharge the second node to the second voltage source in response to the positive fourth voltage source; 상기 제 1 노드에 인가된 제 2 전압원에 응답하여, 상기 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 8 스위칭소자;An eighth switching element configured to discharge the second node to the first voltage source in response to the second voltage source applied to the first node; 상기 제 1 노드에 인가된 제 2 전압원에 응답하여, 상기 제 3 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 9 스위칭소자;A ninth switching element configured to discharge the third node to the first voltage source in response to the second voltage source applied to the first node; 상기 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 10 스위칭소자;A tenth switching element discharging the first node to a first voltage source in response to a third voltage source charged in the second node; 상기 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 11 스위칭소자; 및,An eleventh switching element discharging the first node to a first voltage source in response to a fourth voltage source charged to the third node; And, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 12 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a twelfth switching element for discharging said first node to a first voltage source in response to a scan pulse from a next stage. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 각 스테이지의 방전부는, The discharge section of each stage, 상기 제 1 클럭펄스에 응답하여 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 13 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a thirteenth switching device discharging a first node to a first voltage source in response to the first clock pulse. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 방전부는,The discharge unit, 상기 제 1 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 1 클럭펄스를 상기 제 13 스위칭소자의 게이트단자에 공급함으로써 상기 제 13 스위칭소자를 턴-온시키는 제 14 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a fourteenth switching device configured to turn on the thirteenth switching device by supplying the first clock pulse to the gate terminal of the thirteenth switching device in response to the first clock pulse. register. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 방전부는,The discharge unit, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 동기된 제 2 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 13 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 13 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 14 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a fourteenth switching device that turns off the thirteenth switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the thirteenth switching device in response to a second clock pulse synchronized with a scan pulse from a next stage. The shift register, characterized in that configured. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 차단부는,The blocking unit, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 13 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 13 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 15 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a fifteenth switching device which turns off the thirteenth switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the thirteenth switching device in response to a scan pulse output from the pull-up switching device. Shift register. 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며,And sequentially supplying scan pulses to sequentially activate gate lines of the liquid crystal panel, and supplying a first voltage source to the remaining periods except for when the scan pulses are supplied, and deactivating the gate lines. 상기 각 스테이지가, 제 1 노드 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하는 노드 제어부;Each of the stages includes: a node controller configured to control charge and discharge states of the first node and the second node; 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자;A pull-up switching device configured to receive first clock pulses periodically supplied and output a first clock pulse supplied at a timing at which the first node is charged as the scan pulse; 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 풀다운 스위칭소자;A pull-down switching element configured to output an input first voltage source in response to a state of charge of the second node; 상기 매 제 1 클럭펄스마다 상기 제 1 노드를 상기 제 1 전압원으로 방전시키는 방전부; 및,A discharge unit configured to discharge the first node to the first voltage source at every first clock pulse; And, 상기 제 1 클럭펄스보다 앞서 출력되는 제 2 클럭펄스에 응답하여, 상기 방전부의 동작을 차단시킴으로써 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 차단부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a blocking unit for holding the first node in a charged state by shutting off an operation of the discharge unit in response to a second clock pulse output before the first clock pulse. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 각 스테이지의 노드 제어부는,Node control unit of each stage, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으 로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 및,A first switching element for charging the first node with a second voltage source in response to the scan pulse from the previous stage; And, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a second switching element for discharging the first node to a first voltage source in response to a scan pulse output from a next stage. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 각 스테이지의 방전부는, The discharge section of each stage, 상기 제 1 클럭펄스보다 적어도 두 클럭펄스폭만큼 위상지연된 제 3 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a third switching element for discharging the first node to a first voltage source in response to a third clock pulse that is phase delayed by at least two clock pulse widths than the first clock pulse. 제 20 항에 있어서,The method of claim 20, 상기 방전부는,The discharge unit, 상기 제 3 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 3 클럭펄스를 상기 제 3 스위칭소자의 게이트단자에 공급함으로써 상기 제 3 스위칭소자를 턴-온시키는 제 4 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a fourth switching device which turns on the third switching device by supplying the third clock pulse to the gate terminal of the third switching device in response to the third clock pulse. register. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 방전부는,The discharge unit, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 동기된 제 4 클럭펄스에 응답하여, 상 기 제 3 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 3 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 5 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.In response to the fourth clock pulse synchronized with the scan pulse from the next stage, a fifth switching device for turning off the third switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the third switching device is further included. Shift registers, characterized in that configured to include. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 상기 차단부는,The blocking unit, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 3 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 3 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 6 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a sixth switching device which turns off the third switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the third switching device in response to the scan pulse output from the pull-up switching device. Shift register. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 각 스테이지의 노드 제어부는,Node control unit of each stage, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 2 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자;A first switching element for charging the first node with a second voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; 상기 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자;A second switching element for discharging the second node to the first voltage source in response to the first voltage source charged in the first node; 상기 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자;A third switching element configured to discharge the second node to a first voltage source in response to the start pulse or a scan pulse from a previous stage; 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 제 2 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드를 제 2 전압원으로 충전시키는 제 4 스위칭소자;A fourth switching device for charging the second node with a second voltage source in response to a second clock pulse synchronized with a scan pulse output from a next stage; 상기 제 2 노드에 충전된 제 2 전압원에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자; 및,A fifth switching device configured to discharge the first node to a first voltage source in response to a second voltage source charged in the second node; And, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 6 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a sixth switching element for discharging said first node to a first voltage source in response to a scan pulse from a next stage. 제 24 항에 있어서,The method of claim 24, 각 스테이지의 방전부는, The discharge section of each stage, 상기 제 1 클럭펄스보다 적어도 두 클럭펄스폭만큼 위상지연된 제 3 클럭펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 7 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a seventh switching element for discharging the first node to the first voltage source in response to the third clock pulse having a phase delay of at least two clock pulse widths than the first clock pulse. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 각 스테이지의 방전부는,The discharge section of each stage, 상기 제 3 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 3 클럭펄스를 상기 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-온시키는 제 8 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And an eighth switching element which turns on the seventh switching element by supplying the third clock pulse to the gate terminal of the seventh switching element in response to the third clock pulse. register. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 각 스테이지의 방전부는,The discharge section of each stage, 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 동기된 제 4 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 9 스위칭소자를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a ninth switching device that turns off the seventh switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the seventh switching device in response to the fourth clock pulse synchronized with the scan pulse from the next stage. The shift register, characterized in that configured. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 각 스테이지의 차단부는,The blocking unit of each stage, 상기 풀업 스위칭소자로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 10 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a tenth switching device for turning off the seventh switching device by supplying a first voltage source to the gate terminal of the seventh switching device in response to the scan pulse output from the pull-up switching device. Shift register. 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며, 상기 각 스테이지가, 제 1 노드 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하는 노드 제어부와, 주기적으로 공급되는 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 상기 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자와, 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 풀다운 스위칭소자를 포함하여 구성된 쉬프트 레지스터의 구동방법에 있어서,And sequentially supplying scan pulses to sequentially activate the gate lines of the liquid crystal panel, and supplying a first voltage source for a period other than the time when the scan pulses are supplied to deactivate the gate lines. The stage receives a node controller for controlling charge and discharge states of the first node and the second node, and clock pulses periodically supplied, and scans the clock pulses supplied at a timing when the first node is in a charged state. In the driving method of the shift register comprising a pull-up switching device for outputting a pulse and a pull-down switching device for outputting a first voltage source input in response to the state of charge of the second node, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자에 인가될 때 마다 상기 제 1 노드를 방전시키되, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자를 통해 스캔펄스로 출력되는 시점에 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터의 구동방법.The first node is discharged whenever the clock pulse is applied to the pull-up switching device, and the first node is kept in a charged state when the clock pulse is outputted as a scan pulse through the pull-up switching device. Shift register drive method. 스캔펄스를 차례로 공급하여 액정패널의 게이트 라인들을 순차적으로 활성화시키고, 상기 스캔펄스가 공급되는 시기를 제외한 나머지 기간에 제 1 전압원을 공급하여 상기 게이트 라인들을 비활성화시키는 다수개의 스테이지를 구비하며, 상기 각 스테이지가, 제 1 노드, 제 2 노드, 및 제 3 노드의 충전/방전 상태를 제어하는 노드 제어부와, 주기적으로 공급되는 제 1 클럭펄스들을 입력받으며, 상기 제 1 노드가 충전상태인 타이밍에 공급되는 제 1 클럭펄스를 상기 스캔펄스로서 출력하는 풀업 스위칭소자와, 상기 제 2 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 1 풀다운 스위칭소자와, 상기 제 3 노드의 충전상태에 응답하여, 입력되는 제 1 전압원을 출력하는 제 2 풀다운 스위칭소자를 포함하여 구성된 쉬프트 레지스터의 구동방법에 있어서,And sequentially supplying scan pulses to sequentially activate the gate lines of the liquid crystal panel, and supplying a first voltage source for a period other than the time when the scan pulses are supplied to deactivate the gate lines. The stage receives a node control unit for controlling the charge / discharge states of the first node, the second node, and the third node, and first clock pulses that are periodically supplied, and is supplied at a timing when the first node is in a charged state. A pull-up switching element for outputting a first clock pulse to be used as the scan pulse, a first pull-down switching element for outputting a first voltage source input in response to a state of charge of the second node, and a state of charge of the third node In response to, driving a shift register configured to include a second pull-down switching element for outputting an input first voltage source. In law, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자에 인가될 때 마다 상기 제 1 노드를 방전시키되, 상기 클럭펄스가 상기 풀업 스위칭소자를 통해 스캔펄스로 출력되는 시점에 상기 제 1 노드를 충전상태로 유지시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터의 구동방법.The first node is discharged whenever the clock pulse is applied to the pull-up switching device, and the first node is kept in a charged state when the clock pulse is outputted as a scan pulse through the pull-up switching device. Shift register drive method.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110035517A (en) * 2009-09-30 2011-04-06 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display
KR101512338B1 (en) * 2007-05-29 2015-04-15 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display device having the same
CN105355235A (en) * 2015-10-13 2016-02-24 友达光电股份有限公司 Sensing display device and shift register thereof
CN106601176A (en) * 2017-01-16 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit circuit, driving method, shift register and display device
WO2023010614A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 武汉华星光电技术有限公司 Goa circuit and display panel
US12002434B2 (en) 2021-01-22 2024-06-04 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Gate driver on array circuit and display panel

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101512338B1 (en) * 2007-05-29 2015-04-15 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display device having the same
KR20110035517A (en) * 2009-09-30 2011-04-06 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display
CN105355235A (en) * 2015-10-13 2016-02-24 友达光电股份有限公司 Sensing display device and shift register thereof
CN105355235B (en) * 2015-10-13 2019-05-07 友达光电股份有限公司 sensing display device and shift register thereof
CN106601176A (en) * 2017-01-16 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit circuit, driving method, shift register and display device
US10706767B2 (en) 2017-01-16 2020-07-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit circuit, driving method thereof, gate drive circuit and display device
US12002434B2 (en) 2021-01-22 2024-06-04 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Gate driver on array circuit and display panel
WO2023010614A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 武汉华星光电技术有限公司 Goa circuit and display panel

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