KR20060126267A - 레이저를 이용한 건식세정시스템 - Google Patents

레이저를 이용한 건식세정시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20060126267A
KR20060126267A KR1020050048026A KR20050048026A KR20060126267A KR 20060126267 A KR20060126267 A KR 20060126267A KR 1020050048026 A KR1020050048026 A KR 1020050048026A KR 20050048026 A KR20050048026 A KR 20050048026A KR 20060126267 A KR20060126267 A KR 20060126267A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
laser
cleaning system
dry cleaning
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020050048026A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100797787B1 (ko
Inventor
이종명
Original Assignee
주식회사 아이엠티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이엠티 filed Critical 주식회사 아이엠티
Priority to KR1020050048026A priority Critical patent/KR100797787B1/ko
Priority to TW095119342A priority patent/TWI311646B/zh
Priority to CNB2006100836729A priority patent/CN100522455C/zh
Publication of KR20060126267A publication Critical patent/KR20060126267A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100797787B1 publication Critical patent/KR100797787B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

본 발명은, 세정대상물, 특히, 반도체 테스트 소켓 보드의 소켓 표면 접촉부로부터 오염물질을 제거하기 위한 레이저를 이용한 건식세정시스템에 관한 것으로서, 빛에너지인 레이저를 이용하여 세정대상물 상의 오염물질, 특히, 반도체 테스트 소켓 접촉부 표면에 존재하는 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있는 건식세정장치의 제공을 그 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명에 따른 레이저를 이용한 건식세정장치는, 레이저빔을 생성시키는 레이저 발생장치와, 상기 레이저 발생장치에서 발생된 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송장치와, 상기 레이저빔 전송장치를 통해 전송된 레이저빔의 형태를 조절하고, 형태가 조절된 레이저빔을 세정대상물에 조사하는 레이저빔 조사장치와, 상기 레이저빔 조사장치의 레이저빔 조사위치를 조절해주는 스캐닝장치를 포함한다.
레이저빔 전송장치, 건식세정, 반도체, 테스트 소켓 보드, 스캐닝장치

Description

레이저를 이용한 건식세정시스템{DRY CLEANING SYSTEM USING A LASER}
도 1은 통상적인 반도체 테스트 보드의 형상을 개략적으로 도시한 도면.
2는 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 테스트 소켓의 건식 세정에 이용되는 건식세정시스템의 일예를 개략적으로 도시한 모식도.
도 3은 도 2에 도시된 건식세정시스템의 주요부를 도시한 도면으로서, 레이저빔을 세정대상물에 조사하도록 마련된 레이저빔 조사장치의 모식도.
도 4는 세정대상물로 이용되는 반도체 테스트 보드를 세정을 위해 건식시스템에 탑재하는 로딩장치를 설명하기 위한 모식도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 통합 제어장치 20: 레이저 발생장치
30: 레이저빔 전송장치 40: 레이저빔 조사장치
50: 스캐닝장치 60: 정렬확인장치
72: 레이저빔 차폐체 74: 집진장치
76: 가스분사장치 80: 로딩장치
본 발명은 레이저를 이용한 건식세정시스템 및 방법에 관한 것으로서, 특히, 반도체 테스트 소켓 보드의 소켓 표면 접촉부로부터 오염물질을 제거하기에 적합한 구조의 건식세정시스템에 관한 것이다.
반도체 테스트는 패키징 공정을 통해 만들어진 개개의 반도체 소자들의 양품 여부를 확인하기 위해 실시하는 전기적 테스트 공정이다. 다량의 반도체 소자들을 한번에 테스트하기 위하여, 테스트 소켓 보드(Socket Board)가 사용되며, 상기 테스트 소켓 보드의 표면에는 개개의 소자를 각각 테스트하기 위한 다량의 테스트 소켓들이 장착되어 있다.
도 1은 반도체 소자의 전기적 테스트를 위한 통상적인 테스트 소켓 보드(100)을 도시한다. 이러한 테스트 소켓 보드(100)는 그 크기가 가로-세로 500x500mm 이상이며, 반도체 소자 테스트 공정에 따라, 크게 번인보드(Burn In Board)와 하이픽스보드(Hi-Fix board)로 나뉘어 진다.
도 1에 도시된 바와 같이, 테스트 소켓 보드(100), 특히, 하이픽스보드는, 작업자들의 용이한 보드 이송을 위해 손잡이(104)가 양 측면에 마련된다. 또한, 상기 테스트 소켓 보드(100)에는 정밀한 보드 제작을 위해 기준이 되는 인덱스홀(Index Hole)(105)이 형성되는데, 그 인덱스홀(105)은 통상 보드(100)의 특정 위치에 정밀하게 가공 형성된다. 상기 보드(100)의 상면 중앙에는 반도체 소자의 테스트를 위한 다량의 테스트 소켓(102a, 102b, 102c)들이 장착되어 있는데, 이 테스트 소켓(102a, 102b, 102c)들은 하나의 보드(100)에 64개, 128개, 256개 많게는 512개 단위로 장착될 수 있다.
테스트 소켓(102a, 102b, 102c)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 제조되는 반도체 소자의 형태에 따라 크게 3가지로 분류될 수 있다. 첫 번째는, 반도체 소자와의 전기적 접촉부(103a)가 이중라인(Dual line)의 형태를 갖는 테스트 소켓(102a)이며, 두 번째는 접촉부(103b)가 사중라인(Quad line) 형태를 갖는 테스트 소켓(103b)이며, 세 번째는 접촉부(103c)가 그리드 배열(Grid Array) 형태의 테스트 소켓(103c)이다.
이중라인 형태의 테스트 소켓(102a)은 반도체 소자 리드프레임이 이중라인으로 되어 있는 SOP(Small Outline Package), TSOP(Thin Small Outline Package), SOJ(Small Outline J-type Package) 등의 소자를 테스트할 경우 주로 사용되며, 사중라인 형태의 테스트 소켓(102b)은 반도체 소자의 리드프레임이 사중라인으로 되어 있은 QFP(Quad Flat Package), QOP(Quad Outline Package) 등의 소자를 테스트할 경우에 사용된다. 세 번째 그리드 배열 형태의 테스트 소켓(102c)은 최근에 각광받고 있는 반도체 소자의 형태인 BGA(Ball Grid Array), ??BGA(micro Ball Grid Array), CSP(Chip Scale Package), BOC(Board On Chip) 등의 소자를 테스트하기 위해 주로 사용된다.
상기 테스트 소켓(102a, 102b, 102c)을 이용한 반도체 소자의 전기적인 테스트는 반도체 소자의 형태에 따라 그에 맞는 테스트 소켓(102a, 102b, 102c)에 소자가 장착된 채 이루어진다. 수많은 소자들의 지속적인 테스트 과정을 거치면서 반도체 소자와 테스트 소켓(102a, 102b, 102c)과의 접촉부에 오염이 발생하게 된다.
위와 같이 소켓 표면 접촉부에 오염이 증가하면 접촉저항이 증가하게 되고 따라서 양품의 반도체 소자를 테스트할 경우에도 오염에 의한 접촉 불량으로 인해 전기적 불량이 인식될 수 있다. 결국, 소켓 표면 접촉부의 오염증가로 인해 반도체 소자 제조 공정에 있어 가장 중요한 수율(Yield)이 감소하게 된다. 이와 같은 수율 감소를 막기 위해 소켓 표면 접촉부의 주기적인 세정이 매우 중요하다.
반도체 테스트 소켓 보드 상의 소켓 표면 접촉부를 세정하기 위해, 기존에는 작업자가 부드러운 솔(blush)를 가지고 소켓 접촉부 표면을 문질러 세정을 하거나, 소켓을 보드로부터 탈착시켜 화학적 습식 세정 방법으로 오염물질을 제거한다. 소켓 접촉부에 오염된 물질은 보통 반도체 소자 리드프레임 물질인 납, 주석 성분이 지속적인 접촉을 통해 매우 단단히 부착된 형태를 띠고 있어 부드러운 솔을 가지고 하는 기계적 세정 방법으로 거의 제거가 쉽지 않은 단점이 있다. 또 다른 기존 세정 방법인 화학적 습식 세정 방법은 소켓을 보드에서 탈착한 후 세정을 처리해야 하므로 세정 시간이 오래 걸리고 세정 후 재부착이라는 번거로운 작업을 수행해야 하며 습식 세정 후 발생하는 오폐수를 처리해야 한다는 많은 문제점들이 있다. 따라서 반도체 테스트 보드에 장착된 소켓 접촉부 표면의 오염물질을 소켓의 탈착 없이 매우 효과적이고 빠른 속도로 제거할 수 있는 세정 방법이 절실한 실정이다.
위와 같은 이유로, 본 발명자는 반도체 테스트 소켓 보드 위의 오염물질 제거에 특히 접합한 구조의 건식세정시스템을 개발하게 되었으며, 이 건식세정시스템은 테스트 소켓 보드 상의 오염물질의 제거는 물론이고 각종 세정대상물의 오염물질은 손쉽게 그리고 매우 효율적으로 제거하도록 개발된 것이다.
따라서, 본 발명은 빛에너지인 레이저를 이용하여 세정대상물 상의 오염물질, 특히, 반도체 테스트 소켓 접촉부 표면에 존재하는 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있는 건식세정장치의 제공을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 목적은 세정대상물, 특히, 반도체 테스트 소켓 보드의 전체 면적에 걸쳐 레이저빔을 조사하여 그 레이저빔에 의해 세정대상물 표면의 오염물질을 전체적으로 제거할 수 있고, 또한, 세정대상물이 오차 없이 정확한 위치에서 정렬되게 하여 세정효율을 극대화시킬 수 있으며, 또한, 세정 중 또는 세정 후에 세정대상물 위에 생긴 분진 등의 오염물질을 보다 효율적으로 제거할 수 있으며, 또한, 레이저빔을 반도체 테스트 소켓의 세척에 특히 적합한 형태 및/또는 에너지 밀도로 변화시켜, 특히, 반도체 테스트 소켓의 세척에 매우 유용하게 이용될 수 있는 레이저를 이용한 건식세정장치의 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적과 여러가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 레이저빔을 생성시키는 레이저 발생장치와, 상기 레이저 발생장치에서 발생된 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송장치와, 상기 레이저빔 전송장치를 통해 전송된 레이저빔의 형태를 조절하고, 형태가 조절된 레이저빔을 세정대상물에 조사하는 레이저빔 조사장치를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 상기 세정대상물 위에서 상기 레이저빔 조사장치를 이동시켜, 상기 레이저빔 조사장치의 레이저빔 조사위치를 조절해주는 스캐닝장치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정시스템은 상기 세정대상물의 위치정보를 인식하도록 마련된 정렬인식장치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정시스템은 상기 레이저빔 조사장치 하부에 마련되어, 세정대상물의 표면에 조사되는 레이저빔의 누출을 막는 레이저빔 차폐체를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 세정대상물의 표면에 생긴 오염물질을 흡입방식으로 제거하는 집진장치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 고압의 가스를 분사하여 세정대상물의 표면에서 오염물질을 제거하는 가스분사장치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 세정대상물 표면에 생긴 오염물질을 흡입방식으로 제거하는 집진장치와, 고압의 가스를 분사하여 세정대상물의 표면에서 오염물질을 제거하는 가스분사장치를 더 포함하되, 상기 집진장치는 상기 가스분사장치에 의해 제거되는 오염물질을 포집하도록 구성된다.
보다 바람직하게는, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 상기 레이저빔 조사장치 하부에 마련되어 세정대상물의 표면에 조사되는 레이저빔의 누출을 막는 레이저빔 차폐체와, 세정대상물 표면에 생긴 오염물질을 흡입방식으로 제거하는 집진장치와, 고압의 가스를 분사하여 세정대상물의 표면에서 오염물질을 제거하는 가스분 사장치를 더 포함하되, 상기 집진장치의 집진부와 상기 가스분사장치의 가스분사부가 상기 레이저빔 차폐체의 내부로 제공되며, 상기 집진부는 상기 차폐체 내부에서 상기 가스분사장치에 의해 제거되는 오염물질을 포집하도록 구성된다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정시스템은, 세정대상물이 놓여지는 세정 스테이지 및 상기 세정 스테이지를 상기 레이저빔 조사장치 아래로 안내하도록 형성된 가이드를 구비한 로딩장치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 상기 레이저 발생장치에서, 파장이 1.06㎛인 Nd:YAG 레이저를 이용하거나, 파장이 200~1100㎚, 보다 바람직하게는, 532㎚인 주파수변조(frequency harmonic)된 Nd:YAG 레이저를 이용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 레이저빔의 펄스당 에너지가 10mJ~2000mJ로 정해지며, 상기 레이저빔의 펄스폭은 1~1000 nano second로 정해지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 레이저빔 전송장치는 전송관과 상기 전송관 내에 배치된 적어도 하나의 반사미러를 포함하며, 보다 바람직하게는, 상기 레이저빔 전송장치는 복수의 회전축에 의해 복수의 관절로 형성되는 전송관과 상기 전송관 내부에 배치되는 복수의 반사미러로 구성된다.
또한, 상기 레이저빔 조사장치는, 상기 레이저빔 전송장치에서 전송된 레이저빔을 확대하는 레이저빔 확대부와, 상기 레이저빔확대부에서 확대된 레이저빔을 원하는 형태로 변화시키는 레이저빔 형태조작부와, 상기 레이저빔 형태조작부를 거친 레이저빔을 집속하여, 세정에 필요한 충분한 에너지 밀도의 레이저빔을 얻는 집속부를, 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 레이저빔 확대부는 오목렌즈와 볼록렌즈의 조합에 의해 레이저빔을 1.5~5배로 확대하는 것이 바람직하고, 상기 레이저빔 형태조작부는 레이저빔의 직사각형 형태로 투과시키고 나머지 레이저빔을 흡수하는 흡수마스크를 포함하는 것이 바람직하며, 상기 집속부는 상하로 높이 조절되는 원통형 볼록렌즈 포함하며, 상기 원통형 볼록렌즈가 레이저빔을 집속함으로써, 레이저빔의 에너지밀도를 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 상기 스캐닝장치에 장착되어 세전 전후의 세정대상물 표면을 고배율로 확대해 디스플레이하는 영상표시장치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 위에서 언급된 정렬확인장치는 세정대상물의 특정위치를 촬영하여 그 세정대상물의 위치를 인식하되, 보다 바람직하게는, 상기 카메라가 세정대상물에 형성된 인덱스홀을 촬영하여 그 인덱스홀을 기준점으로 잡도록 되어 있다.
한편, 전술한 로딩장치는 세정 스테이지로부터 지면을 향해 연장된 보강재를 구비하며, 상기 보강재의 선단부에는 바퀴가 마련되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 세정대상물은 반도체 테스트 소켓 보드 및 그 위의 소켓 접촉부인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라, 본 발명은, 레이저를 이용한 세정대상물을 세정하는 건식세정방법을 제공하며, 이 건식세정방법은, 레이저빔을 생성시키는 레이저빔 생성단계와, 레이저빔 생성단계에서 생성된 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송단계와, 레이저빔 전송단계에에 전송된 레이저빔의 형태를 조절한 후, 형태가 조ㅓㄹ된 레이저빔을 세정대상물에 조사하는 레이저빔 조사단계를 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 레이저빔을 X축-Y축으로 스캐닝하면서 레이저빔의 조 사위치를 조절해주는 레이저빔 스캐닝 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은, 상기 세정대상물의 위치정보를 인식하여, 상기 세정대상물을 원하는 위치로 정렬시키는 세정대상물 정렬단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은, 상기 세정대상물의 표면에 생긴 오염물질에 고압의 가스를 분사하여 세정대상물로부터 오염물질을 제거하고, 그 오염물질을 집진장치로 포집하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
<실시예>
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 이하, 실시예의 도면에서 세정대상물이 반도체 테스트 소켓 보드 및 그 위의 소켓 접촉부인 것으로 도시되어 있지만, 이는 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
2는 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 테스트 소켓의 건식 세정에 이용되는 건식세정시스템의 일예를 개략적으로 도시한 모식도이고, 도 3은 도 2에 도시된 건식세정시스템의 주요부를 도시한 도면으로서, 레이저빔을 세정대상물에 조사하도록 마련된 레이저빔 조사장치의 모식도이며, 도 4는 세정대상물로 이용되는 반도체 테스트 보드를 세정을 위해 건식시스템에 탑재하는 로딩장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 건식세정시스템(1)은, 레이저 발생장치(20), 레이저빔 전송장치(30), 레이저빔 조사장치(40), 스캐닝장치(50) 등을 포함한다. 그리고, 상기 건식세정시스템(1)에 포함된 각 장치(20, 30, 40, 50) 들은 시스템 내의 통합 제어장치(10)에 의해 제어된다.
본 실시예에서, 레이저 발생장치(20)는 세정대상물, 특히, 테스트 소켓 보드(100) 상에 있는 테스트 소켓(102) 위의 오염물질을 제거하기 위한 레이저빔(B)을 생성시킨다. 테스트 소켓(102)의 세정을 위한 레이저 소스로는 Nd:YAG 레이저가 적절하며, 테스트 소켓(102)의 세정을 위해 발생되는 레이저빔의 펄스당 에너지는 10mJ~2000mJ 사이가 적절하다. 레이저빔의 펄스폭(pulse width)은 1~1000 nano second 사이가 적절하며, 레이저 파장은 Nd:YAG 레이저의 대략 기본 파장인 1.06㎛(=1064nm)와 주파수변조(frequency harmonic) 방법을 거쳐 만들어진 파장 532nm 둘 다 바람직하게 이용될 수 있다.
레이저빔 전송장치(30)는 레이저 발생장치(10)에서 생성된 레이저빔(B)을 테스트 보드(100)상의 오염된 소켓(102) 위치까지 레이저빔을 전송시키는 역할을 한다. 레이저 발생장치(20)에서 생성된 레이저빔은 레이저빔 전송장치(30)의 복수의 반사미러(34) 중 입구에 마련된 초기 반사미러(34)를 통해 레이저빔 전송장치(30) 내부로 인입된다.
본 실시예에서, 레이저빔 전송장치(30)는 복수개의 회전축(35)과 복수개의 반사미러(34)로 구성된 다관절 인공팔(articulated arm) 형태로 제작되며, 각각의 회전축(35) 근처에는 반사미러들(34)이 장착되어 레이저빔 반사에 의해 원거리까지 레이저빔의 전송이 이루어질 수 있다. 이 때, 충분한 자유도를 확보하기 위해서는 보통 7개의 회전축(35)과 7개의 반사미러(34)로 구성된 인공팔을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 회전축(35) 내부에는 정밀 베어링이 장착되는 것이 바람직하다.
레이저빔 전송장치(30)를 통해 전송된 레이저빔(B)은 레이저빔 조사장치(40) 내로 인입된다. 상기 레이저빔 조사장치(40)는 승강장치(47)에 의해 Z-축(또는, 높이축)을 따라 상하로 승강되면서 테스트 소켓(102)의 표면에 레이저빔을 조사하며,그 조사된 레이저빔으로 테스트 소켓(102)의 표면을 세정하는 기능을 한다. 상기 승강장치(47)는 레이저빔 조사장치(40)의 높이를 자동조절하여 테스트 소켓 보드의 높이가 변화할 때 이에 효과적으로 대응할 수도 있도록 해준다. 도 3에 잘 도시된 바와 같이, 상기 레이저빔 조사장치(40)는 전체적으로 레이저빔 확대부(42), 레이저빔 형태조작부(44), 레이저빔 집속부(46)의 세부분으로 구성된다. 이 때, 상기한 세부분(42, 44, 46)들 모두가 이용되는 것이 바람직하나, 용도에 따라 세부분 중 일부만이 이용될 수도 있다.
다시 도 2를 참조하면, 레이저빔 조사장치(40)는 스캐닝장치(50)에 연결되어, 그 스캐닝장치(50)의 구동에 의해 X-축 및 Y-축으로 이동되며, 이를 통해, 그 이동에 의해 테스트 소켓 보드(100)에 장착된 다량의 소켓(102)을 모두 세정하는 것이 가능하다. 보다 구체적으로, 상기 스캐닝장치(50)는 레이저빔 조사장치(40)를 탑재한 채 그 레이저빔 조사장치(40)를 X-축 및 Y-축으로 이동시켜 테스트 소켓 보드(100)의 전면적을 스캐닝함으로써 모든 소켓(102)들의 세정을 가능하게 한다. 이 때, 상기 스캐닝장치(50)은 서보모터(Servo Motor)에 의해 구동되는 것이 바람직하며, 갠트리(Gantry) 형태의 구조인 것이 바람직하다.
또한, 상기 스캐닝장치(50)에 영상표시상치(52)가 장착되며, 이 영상표시장치(52)는 레이저 세정 전후의 소켓 표면의 영상을 취득하고 그 영상을 고배율로 확 대하여 디스플레이함으로써 작업자가 세정대상물(또는, 소켓)에 대한 레이저 세정이 잘 이루어졌는지 모니터링할 수도 있도록 해준다.
추가로, 본 실시예에 따른 건식세정시스템(1)은 카메라 및/또는 센서 등을 이용하여 소켓 테스트 보드(100)가 세정스테이지(82)에 얼마나 정확히 위치하고 있는지를 인식할 수 게 해주는 정렬확인장치(60)을 더 포함한다. 본 실시예에서, 정렬확인장치(60)은, 테스트 소켓 보드(100)가 세정스테이지(Cleaning Stage; 82)에 얼마나 정확히 위치하고 있는가를 인식하는 장치로서, 테스트 소켓 보드(100)의 특정 위치를 카메라로 인식하여 그 소켓 보드(100)가 기준위치에서 얼마나 정렬이 벗어났는가를 통합 제어기(10)에서 계산하여 스캐닝장치(50)가 세정을 위한 스캐닝을 수행시 위치값을 보정해주는 역할을 한다. 위와 같이 카메라로 인식되는 소켓 보드(100)의 특정 위치로는 테스트 소켓 보드(100)에 대부분 정밀하게 형성된 인덱스홀(105; 도 1 참조)을 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서, 전술한, 레이저 발생장치(20), 스캐닝장치(50), 레이저빔 조사장치(40)의 승강장치(47), 영상표시장치(52), 그리고, 정렬확인장치(60)은 건식세정시스템(1) 내의 통합 제어기(10)에 의해 정밀하게 제어된다.
도 3을 참조로 하여, 전술한 레이저빔 조사장치(40)에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 실시예에서, 레이저빔 조사장치(40)는 레이저빔 확대부(42), 레이저빔 형태조작부(44), 레이저빔 집속부(46)를 포함한다. 레이저빔 확대부(42)는 레이저빔 전송장치(30; 도 2 참조)로부터 인입된 레이저빔(B)의 크기를 확대하기 위한 것으 로서, 오목렌즈(42a)와 볼록렌즈(42b)를 포함하며, 이들의 광학작용을 통해, 레이저빔을 대략 1.5 내지 5배로 확대한다. 확대된 레이저빔은 빠른 속도로 레이저빔 스캐닝(scanning)을 수행할 있도록 해주어 빠른 세정을 가능하게 한다.
레이저빔 형태조작부는(44), 기본적으로 원형의 레이저빔 형상을 직사각형 형태로 만들어 줌으로써 정밀한 스캐닝을 가능하게 하는 부분으로서, 보통 직사각형 형태로 구멍이 뚫린 레이저빔 흡수 마스크(44a)를 사용하여 원형 레이저빔의 가운데 부분만을 투과시키고 외부는 흡수 마스크(44a)에서 흡수시켜 직사각형 형태의 레이저빔을 만들어 준다.
레이저빔 집속부(46)는, 소켓(102) 세정에 필요한 충분한 레이저 에너지 밀도를 얻기 위해 볼록렌즈(46a)를 사용한다. 상기 레이저빔 접속부(46)은 볼록렌즈(46a)를 이용하여 레이저빔 형태조작부(44)에서 직사각형으로 형성된 레이저빔을 집속시킴으로써 충분한 크기의 레이저빔에너지밀도(J/cm2)를 얻을 수 있다. 이 때, 상기 볼록렌즈(46a)로는 원통형 볼록렌즈(cylindrical convex lens)가 사용되는 것이 바람직하며, 상기 볼록렌즈(46a)의 위치를 변화시킴으로써 소켓(102) 표면에 도달하는 레이저빔의 크기 조절이 가능하며, 이러한 레이저빔의 크기 조절을 통해 레이저빔 에너지밀도의 효과적인 조절이 가능하다.
한편, 레이저빔 조사장치(40)에서 조사되는 레이저빔이 소켓(102) 표면에 맞아 산란 혹은 반사되어 외부로 누출되는 것을 억제 또는 최소화하기 위해, 본 실시예에 따른 건식세정시스템(1)은 레이저빔 차폐체(72)를 추가로 포함한다. 이 레이저빔 차폐체(72)는 레이저빔 조사장치(40) 하부에 장착되는 것이 바람직하며, 레이 저빔을 효과적으로 흡수할 수 있는 재료로 이루어진 채 원형 혹은 사각형의 박스 형태를 갖도록 제작된다.
또한, 본 실시예의 건식세정시스템(1)은, 세정 중에 발생하는 오염분진을 효과적으로 영구 제거하기 위해, 가스분사장치(76)와 집진장치(74)을 포함한다. 가스분사장치(76)는 가스공급원(76a)과, 가스유량제어기(76b)와, 노즐형의 가스분사부(76c)를 포함하며, 상기 가스분사부(76c)는 가스공급원(76a)으로부터 가스유량제어기(74b)를 거쳐 흐른 가스를 소켓 보드(100)에 분사하여 그 소켓 보드(100)으로부터 오염물질을 제거해준다. 또한, 상기 집진장치(74)는, 소켓 보드(100)으로부터 제거되는 분진 상의 오염물질을 포집하여 그 오염물질을 영구 제거해주는 역할을 하며, 오염물질이 집진되는 집진부(74b)와 집진부에 연결된 채 오염물질을 빨아들이는 흡입펌프(74a)를 포함한다. 이 때, 상기 집진부(74b)와 가스분사부(76c)는 전수한 레이저빔 차폐체(72) 내로 제공되는 것이 바람직하다. 위와 같은 차폐체(72), 집진장치(74) 그리고, 가스분사장치(76)은 레이점 차단 및 오염물질 제거와 같은 본연의 기능 외에 분진에 의한 주변 오염을 막아 레이저빔 조사장치(40)의 광학계를 보호할 수 있다는 장점이 있다.
이하에서는 도 4를 참조로 하여, 세정대상물, 보다 바람직하게는, 테스트 소켓 보드(100)를 세정 위치에 바르게 정렬시키는 로딩장치(80)에 대해 보다 구체적으로 설명하고자 한다.
통상, 테스트 소켓 보드(100)의 크기는 때로는 가로-세로 1m 이상, 무게가 50kg 이상으로 매우 크고 무겁다. 따라서, 효과적으로 테스트 소켓 보드(100)를 본 실시예의 건식세정시스템(1) 내부로 인입시켜주는 로딩장치(80)가 요구된다. 도 4에서 도시된 바와 같이, 세정스테이지(82)가 가이드(84)를 따라 시스템(1) 외측으로 슬라이딩(Sliding)되어 빠져나오면, 작업자들은 테스트 소켓 보드(100)의 손잡이(104; 도 1 참조)를 잡고, 시스템 외측으로 나온 세정스테이지(82)에 테스트 소켓 보드(100)를 안착시킨다. 그 후, 세정스테이지(82)를 다시 밀어 넣은 후 테스트 소켓 보드(104)가 안전한 세정 위치에 로딩(loading)이 되면 레이저를 이용한 소켓 세정이 수행되게 된다.
위와 같은 서랍식 로딩방법은 크고 무거운 테스트 소켓 보드(100)를 안전하고 용이하게 세정 영역으로 로딩시켜줌으로써 안정적인 세정 공정을 수행할 수 있게 한다. 이렇게 로딩되어 안착된 테스트 소켓 보드(100)는 어느 정도의 위치 오차를 포함하게 되는데, 이때 시스템(1) 내에 장착된 정렬확인장치(60)는 테스트 소켓 보드(100)의 정확한 위치를 인식하여 위치 오차를 계산하고 소켓 세정을 위한 레이저빔 스캐닝시 자동으로 오차를 보상하게 된다. 또한, 테스트 소켓 보드(100)를 슬라이딩 세정스테이지(82)에 올려 놓을때 테스트 소켓 보드(100)의 무게에 의해 발생할 수 있는 세정스테이지(80) 처짐 현상을 막고 용이한 스테이지 로딩을 위해 슬라이딩 스테이지(82) 하부에 바퀴(82b)가 달린 보강재(82a)를 장착하는 것이 바람직하다.
결과적으로, 본 발명에 따르면, 레이저를 이용하여 반도체 테스트 소켓 보드 위에 장착된 소켓 접촉부 표면에 존재하는 오염물질을 소켓의 탈착 없이 매우 신속하고, 효과적이고, 또한 아무런 오폐수의 발생없이 건식으로 클리닝할 수 있으며, 실제 반도체 IC 소자을 제조하고 테스트하는 공정에 적용할 수 있다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 건식세정장치는 레이저를 이용하여 세정대상물 위에 존재하는 오염물질을 매우 신속하게 제거할 수 있으며, 또한, 그 오염물질을 제거하는 과정에서 오폐수와 같은 2차 오염물질의 발생없이 건식으로 세정하는 것이 가능하다.
특히, 본 발명에 따른 건식세정장치는 반도체 테스트 소켓 보드의 세정에서 소켓을 탈착함 없이 세정하는데 특히 적합하며, 부드러운 솔(blush)을 이용하여 세정을 하던 기존의 세정방법과 비교할 때, 테스트 소켓의 세정력을 월등히 향상시킴으로써 테스트 수율 향상에 의한 막대한 생산 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 건식세정장치는, 기존 화학적 습식 세정 방법과 비교할 때, 소켓의 탈착이 필요 없고 매우 신속히 세정을 수행할 수 있으며 세정 자동화가 용이하여 반도체 소자 제작과 같은 대량 생산 공정에서 생산 효율을 크게 향상 시킬 수 있다 등의 효과를 달성할 수 있다.

Claims (24)

  1. 레이저를 이용한 건식세정시스템으로서,
    레이저빔을 생성시키는 레이저 발생장치와;
    상기 레이저 발생장치에서 발생된 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송장치와;
    상기 레이저빔 전송장치를 통해 전송된 레이저빔의 형태를 조절하고, 형태가 조절된 레이저빔을 세정대상물에 조사하는 레이저빔 조사장치를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정대상물 위에서 상기 레이저빔 조사장치를 이동시켜, 상기 레이저빔 조사장치의 레이저빔 조사위치를 조절해주는 스캐닝장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정대상물의 위치정보를 인식하도록 마련된 정렬인식장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 레이저빔 조사장치 하부에 마련되어, 세정대상물의 표면에 조사되는 레이저빔의 누출을 막는 레이저빔 차폐체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  5. 청구항 1에 있어서,
    세정대상물의 표면에 생긴 오염물질을 흡입방식으로 제거하는 집진장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  6. 청구항 1에 있어서,
    고압의 가스를 분사하여 세정대상물의 표면에서 오염물질을 제거하는 가스분사장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  7. 청구항 1에 있어서,
    세정대상물 표면에 생긴 오염물질을 흡입방식으로 제거하는 집진장치와, 고압의 가스를 분사하여 세정대상물의 표면에서 오염물질을 제거하는 가스분사장치를 더 포함하되,
    상기 집진장치는 상기 가스분사장치에 의해 제거되는 오염물질을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 레이저빔 조사장치 하부에 마련되어 세정대상물의 표면에 조사되는 레이저빔의 누출을 막는 레이저빔 차폐체와, 세정대상물 표면에 생긴 오염물질을 흡입방식으로 제거하는 집진장치와, 고압의 가스를 분사하여 세정대상물의 표면에서 오염물질을 제거하는 가스분사장치를 더 포함하되,
    상기 집진장치의 집진부와 상기 가스분사장치의 가스분사부가 상기 레이저빔 차폐체의 내부로 제공되며, 상기 집진부는 상기 차폐체 내부에서 상기 가스분사장치에 의해 제거되는 오염물질을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  9. 청구항 1에 있어서,
    세정대상물이 놓여지는 세정 스테이지 및 상기 세정 스테이지를 상기 레이저빔 조사장치 아래로 안내하도록 형성된 가이드를 구비한 로딩장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저 발생장치는 파장이 1.06㎛인 Nd:YAG 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저 발생장치는 파장이 200~1100㎚인 주파수변조(frequency harmonic)된 Nd:YAG 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저를 건식세정시스템.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저빔의 펄스당 에너지가 10mJ~2000mJ로 정해지며, 상기 레이저빔의 펄스폭은 1~1000 nano second로 정해지는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저빔 전송장치는 전송관과 상기 전송관 내에 배치된 적어도 하나의 반사미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저빔 전송장치는 복수의 회전축에 의해 복수의 관절로 형성되는 전송관과 상기 전송관 내부에 배치되는 복수의 반사미러로 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저빔 조사장치는,
    상기 레이저빔 전송장치에서 전송된 레이저빔을 확대하는 레이저빔 확대부와,
    상기 레이저빔확대부에서 확대된 레이저빔을 원하는 형태로 변화시키는 레이저빔 형태조작부와,
    상기 레이저빔 형태조작부를 거친 레이저빔을 집속하여, 세정에 필요한 충분한 에너지 밀도의 레이저빔을 얻는 집속부를,
    포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 레이저빔 확대부는 오목렌즈와 볼록렌즈의 조합에 의해 레이저빔을 1.5~5배로 확대하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 레이저빔 형태조작부는 레이저빔의 일부를 원하는 형태로 투과시키고 나머지 레이저빔을 흡수하는 흡수마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 흡수마스크는 레이저빔을 직사각형으로 투과시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 집속부는 상하로 높이 조절되는 원통형 볼록렌즈 포함하며, 상기 원통형 볼록렌즈가 레이저빔을 집속함으로써, 레이저빔의 에너지밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  20. 청구항 2에 있어서,
    상기 스캐닝장치에 장착되어 세전 전후의 세정대상물 표면을 고배율로 확대 해 디스플레이하는 영상표시장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  21. 청구항 3에 있어서,
    상기 정렬확인장치는 세정대상물의 특정위치를 촬영하여 그 세정대상물의 위치를 인식하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  22. 청구항 22에 있어서, 상기 정렬확인장치는 상기 카메라가 세정대상물에 형성된 인덱스홀을 촬영하여 그 인덱스홀을 기준점으로 잡는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  23. 청구항 9에 있어서,
    상기 로딩장치는 세정 스테이지로부터 지면을 향해 연장된 보강재를 구비하며, 상기 보강재의 선단부에는 바퀴가 마련된 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
  24. 청구항 1 내지 청구항 23중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정대상물은 반도체 테스트 소켓 보드 및 그 위의 소켓 접촉부인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 건식세정시스템.
KR1020050048026A 2005-06-03 2005-06-03 레이저를 이용한 건식세정시스템 KR100797787B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048026A KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2005-06-03 레이저를 이용한 건식세정시스템
TW095119342A TWI311646B (en) 2005-06-03 2006-06-01 Dry cleaning system using a laser
CNB2006100836729A CN100522455C (zh) 2005-06-03 2006-06-02 利用激光的干式净化系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048026A KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2005-06-03 레이저를 이용한 건식세정시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060126267A true KR20060126267A (ko) 2006-12-07
KR100797787B1 KR100797787B1 (ko) 2008-01-24

Family

ID=37730241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050048026A KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2005-06-03 레이저를 이용한 건식세정시스템

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR100797787B1 (ko)
CN (1) CN100522455C (ko)
TW (1) TWI311646B (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873332B1 (ko) * 2007-09-19 2008-12-10 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 장치
KR101135499B1 (ko) * 2010-05-28 2012-04-13 삼성에스디아이 주식회사 전지용 전극 탭의 레이저 세정 장치 및 이를 이용한 레이저 세정 방법
US8585391B2 (en) 2011-02-25 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Photomask cleaning apparatus and methods of cleaning a photomask using the same
KR101446433B1 (ko) * 2013-05-24 2014-10-06 주식회사 아이엠티 레이저 빔을 이용한 웨이퍼 배면 건식 세정 장치 및 방법
WO2015133689A1 (ko) * 2014-03-06 2015-09-11 주식회사 아이엠티 웨이퍼의 배면 또는 에지 세정 장치 및 방법
WO2016104942A1 (ko) * 2014-12-23 2016-06-30 주식회사 아이엠티 레이저 세정 기능을 포함한 웨이퍼 검사 장비
KR20170063095A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 재단법인 포항산업과학연구원 요철형 부품의 세정 장치
KR20170063099A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 재단법인 포항산업과학연구원 소재 표면 세정 장치 및 세정 방법
CN115463901A (zh) * 2021-06-11 2022-12-13 泰克元有限公司 插座清洁装置以及插座清洁方法

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100961469B1 (ko) 2008-05-06 2010-06-08 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 그 방법
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
CN101574697B (zh) * 2009-06-15 2010-10-13 长春理工大学 便携式全固态双波长激光清洗装置
KR101097311B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
CN102498580A (zh) * 2009-08-06 2012-06-13 应用材料公司 横向等值线的划线、缝缀、以及简化的激光器与扫描器控制
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5471514B2 (ja) * 2010-01-28 2014-04-16 ウシオ電機株式会社 光処理装置
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
EP3388573A1 (en) 2012-07-10 2018-10-17 Woodrow Scientific Limited Methods and apparatus for laser cleaning of substrates
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US10407821B2 (en) 2012-07-10 2019-09-10 Woodrow Scientific Ltd. Methods and apparatus for laser cleaning
CN103545460B (zh) 2012-07-10 2017-04-12 三星显示有限公司 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
DE102013114706B4 (de) * 2013-12-20 2017-02-16 Sandvik Surface Solutions Division Of Sandvik Materials Technology Deutschland Gmbh Reinigung von Pressblechen oder umlaufenden Pressbändern
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN104526158B (zh) * 2014-11-29 2016-05-04 宁波江东思犒技术服务有限公司 用于环形磁钢的激光清洗装置
TWI573651B (zh) * 2015-03-06 2017-03-11 Giga Solution Technology Co Ltd Conductive plastic recycling method
CN105215007A (zh) * 2015-09-28 2016-01-06 中国科学院半导体研究所 物体表面污染物清洗用的光路系统
KR101865594B1 (ko) 2016-08-11 2018-06-08 (주)성현 테크놀로지 반도체 장비 부품의 세정 장치 및 방법
CN106345752B (zh) * 2016-08-22 2018-08-07 沧州致胜机器人科技有限公司 一种双四旋翼直升机光伏激光擦板系统
TWI651136B (zh) * 2017-06-14 2019-02-21 財團法人工業技術研究院 雷射清潔裝置及方法
TWI686256B (zh) 2018-04-13 2020-03-01 財團法人工業技術研究院 雷射清潔裝置及方法
KR102104874B1 (ko) * 2018-10-05 2020-04-27 대보산업(주) 고속 진동형 레이저 스캐너를 이용한 라운드바의 레이저 표면처리방법 및 표면처리장치
CN110773518B (zh) * 2019-11-06 2021-01-22 哈尔滨工业大学 一种激光清洗实时监测装置及方法
KR102166122B1 (ko) 2020-04-13 2020-10-15 케이알건설 주식회사 강 교량의 녹 또는 페인트 제거방법
KR102432964B1 (ko) 2020-11-16 2022-08-18 (주)티티에스 레이저 빔의 중첩을 통한 부품 표면 재생 장치
CN115892924A (zh) * 2022-11-23 2023-04-04 湖北中烟工业有限责任公司 一种适用于切丝机铜排链的激光清洗装置
CN115841969B (zh) * 2022-12-12 2023-09-08 江苏宜兴德融科技有限公司 一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200264546Y1 (ko) * 2001-09-28 2002-02-19 이수용 안전모
KR100433174B1 (ko) * 2003-10-23 2004-05-28 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 방사노즐 건식세정 장치 및 방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873332B1 (ko) * 2007-09-19 2008-12-10 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 장치
KR101135499B1 (ko) * 2010-05-28 2012-04-13 삼성에스디아이 주식회사 전지용 전극 탭의 레이저 세정 장치 및 이를 이용한 레이저 세정 방법
US8834634B2 (en) 2010-05-28 2014-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Laser cleaning device for electrode tab of battery and laser cleaning method using the same
US8585391B2 (en) 2011-02-25 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Photomask cleaning apparatus and methods of cleaning a photomask using the same
KR101446433B1 (ko) * 2013-05-24 2014-10-06 주식회사 아이엠티 레이저 빔을 이용한 웨이퍼 배면 건식 세정 장치 및 방법
WO2015133689A1 (ko) * 2014-03-06 2015-09-11 주식회사 아이엠티 웨이퍼의 배면 또는 에지 세정 장치 및 방법
WO2016104942A1 (ko) * 2014-12-23 2016-06-30 주식회사 아이엠티 레이저 세정 기능을 포함한 웨이퍼 검사 장비
US10274519B2 (en) 2014-12-23 2019-04-30 Imt Co., Ltd. Wafer inspection equipment having laser cleaning function
KR20170063095A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 재단법인 포항산업과학연구원 요철형 부품의 세정 장치
KR20170063099A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 재단법인 포항산업과학연구원 소재 표면 세정 장치 및 세정 방법
CN115463901A (zh) * 2021-06-11 2022-12-13 泰克元有限公司 插座清洁装置以及插座清洁方法
CN115463901B (zh) * 2021-06-11 2024-02-06 泰克元有限公司 插座清洁装置以及插座清洁方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI311646B (en) 2009-07-01
CN1939643A (zh) 2007-04-04
CN100522455C (zh) 2009-08-05
TW200700728A (en) 2007-01-01
KR100797787B1 (ko) 2008-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100797787B1 (ko) 레이저를 이용한 건식세정시스템
JP5610356B2 (ja) レーザー除染装置
KR100884253B1 (ko) 건식세정장치 및 방법
US8013273B2 (en) Method for manufacturing absorption pad
WO2020044580A1 (ja) 部品実装システムおよび部品実装方法
CN109382591B (zh) 激光加工方法
US9322849B2 (en) Methods and systems for cleaning needles of a probe card
JP6688979B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN102376524A (zh) 半导体元件的两阶段封胶去除方法及镭射开槽加工装置
CN110695005B (zh) 用于电子元器件的激光清洗设备及方法
JP2009182162A (ja) ボンディング装置
TWI801596B (zh) 雷射加工裝置
KR101053450B1 (ko) 마스크 리페어 장치 및 방법
KR100639402B1 (ko) 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치
KR100753859B1 (ko) 레이저빔을 이용하는 프로브카드 니들의 세정방법 및 장치
KR100708230B1 (ko) 이동형 건식세정장치
US11565347B2 (en) Laser processing machine
JP3705900B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの銀電極リペア方法
TWI834747B (zh) 雷射加工裝置
KR19990074698A (ko) 금형 클리닝 장치
KR102364643B1 (ko) 레이저 및 액화탄산가스를 이용한 ic 패키지 디캡 장치 및 그 방법
JP2006038825A (ja) 微細パターン観察装置およびそれを用いた微細パターン修正装置
KR101086306B1 (ko) 마스크 리페어 장치
KR101446433B1 (ko) 레이저 빔을 이용한 웨이퍼 배면 건식 세정 장치 및 방법
TWI825210B (zh) 雷射加工裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130104

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131224

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141219

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151113

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161206

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171211

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181206

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 13