KR100639402B1 - 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치 - Google Patents
레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0042—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by laser
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4835—Cleaning, e.g. removing of solder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
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Abstract
Description
Claims (18)
- 이미지센서의 표면에 존재하는 오염입자를 제거하는 방법에 있어서,상기 이미지센서의 위치 정보를 인식하는 단계와,상기 인식된 정보에 따라 레이저를 발사하여 상기 이미지센서의 표면 상부에 집속시켜 레이저 유기충격파를 생성하는 단계와,각각의 이미지센서를 클리닝하기 위해 상기 생성된 레이저 유기충격파를 이미지센서에 스캐닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 레이저 유기충격파에 의하여 이미지센서 표면에서 탈락된 오염입자가 비산되도록 상기 이미지센서의 표면에 가스를 취입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 가스를 취입하는 단계에서 취입되는 가스는 필터링을 거친 순수공기, 순수질소(N2) 및 아르콘(Ar)가스 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 유기충격파에 의하여 이미지센서 표면에서 탈락된 오염입자를 수집하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 이미지센서의 위치 정보를 인식하는 단계는 상기 이미지센서의 상부에 설치된 비전센서를 이용하여 인식하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스캐닝하는 단계는 스캐닝 전후 또는 스캐닝 중에 상기 이미지센서의 상부에 설치된 비전센서를 이용하여 실시간으로 이미지센서의 표면오염상태를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 유기충격파를 생성시키는 단계에서 상기 레이저빔은 파장이 1.06㎛인 Nd:YAG 레이저로부터 발사되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 유기충격파를 생성시키는 단계는 상기 레이저빔의 펄스당 에너지가 1.0J 이상인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 유기충격파의 강도는 상기 레이저빔의 초점과 이미지센서의 표면간 거리를 가변하여 조절하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 9에 있어서, 상기 레이저빔의 초점과 이미지센서의 표면간 거리는 3 내지 15㎜ 범위인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 유기충격파를 이용하여 이미지센서를 스캐닝하는 단계는 상기 이미지센서의 중앙부 및 각각의 코너부에 상기 레이저 유기충격파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법.
- 이미지센서의 표면에 존재하는 오염입자를 제거하는 장치에 있어서,레이저빔을 생성시키는 레이저 발진기와,상기 이미지센서의 표면 상부에 레이저 유기충격파를 발생시키기 위해 상기 레이저 발진기로부터 생성된 레이저빔을 상기 이미지센서의 표면 상부에 접속시키는 초점렌즈와,상기 이미지센서가 장착되는 센서 스트립이 안착되고, 상하 또는 좌우 이동가능하게 설치되어 상기 초점렌즈에 의하여 집속된 레이저빔의 초점 방향으로 상기 센서 스트립을 이동시키는 작업대와,상기 레이저 발진기 및 작업대와 전기 신호적으로 연결되어 제어하는 통합제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
- 청구항 12에 있어서, 상기 레이저 발진기로부터 방출되는 레이저빔을 상기 이미지센서방향으로 유도시키는 반사미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
- 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서, 상기 센서 스트립의 일측에 설치되어 센서 스트립 표면으로 가스를 분사하는 가스분사노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
- 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서, 상기 센서 스트립에 타측에 설치되어 탈락된 오염입자를 수집하는 집진기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
- 청구항 12에 있어서, 상기 작업대에 안착된 센서 스트립 표면을 레이저 클리닝 전후 또는 레이저 클리닝 중에 실시간으로 관찰하는 비전센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
- 청구항 12에 있어서, 상기 작업대에 안착되어 작업대기 중인 센서 스트립의 크기, 형상 및 이에 장착된 이미지센서의 위치를 자동으로 인식하여 상기 통합 제어기로 전송하는 비전센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
- 청구항 16 또는 청구항 17에 있어서, 상기 비전센서는 CCD 방식의 카메라를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040087327A KR100639402B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040087327A KR100639402B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060038146A KR20060038146A (ko) | 2006-05-03 |
KR100639402B1 true KR100639402B1 (ko) | 2006-10-26 |
Family
ID=37145788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040087327A KR100639402B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100639402B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101459270B1 (ko) * | 2013-06-13 | 2014-11-07 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법 |
US9704729B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-07-11 | K.C. Tech Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method and brush assembly used therein |
KR20210136789A (ko) | 2020-05-08 | 2021-11-17 | (주)에이피텍 | 클리닝 공정 모듈화 인라인 시스템 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101176545B1 (ko) | 2006-07-26 | 2012-08-28 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 렌즈의 형성방법과 마이크로 렌즈를 포함한이미지 센서 및 그의 제조방법 |
KR100873332B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 방법 및 장치 |
WO2013133415A1 (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | 株式会社トヨコー | レーザー照射装置、レーザー照射システム及び塗膜又は付着物除去方法 |
KR101980589B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2019-05-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN111215394A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 秦皇岛烟草机械有限责任公司 | 一种新型激光式清洗设备 |
KR20210116071A (ko) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 주식회사 아이엠티 | 원통형 배터리 셀들을 포함하는 배터리 모듈의 레이저 세정 장치 |
-
2004
- 2004-10-29 KR KR1020040087327A patent/KR100639402B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101459270B1 (ko) * | 2013-06-13 | 2014-11-07 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법 |
US9704729B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-07-11 | K.C. Tech Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method and brush assembly used therein |
KR20210136789A (ko) | 2020-05-08 | 2021-11-17 | (주)에이피텍 | 클리닝 공정 모듈화 인라인 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060038146A (ko) | 2006-05-03 |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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