KR20060111509A - 마이크로리소그래픽 처리를 위한 방사선 빔 특성들을제어하기 위한 방법들 및 시스템들 - Google Patents

마이크로리소그래픽 처리를 위한 방사선 빔 특성들을제어하기 위한 방법들 및 시스템들 Download PDF

Info

Publication number
KR20060111509A
KR20060111509A KR1020067009225A KR20067009225A KR20060111509A KR 20060111509 A KR20060111509 A KR 20060111509A KR 1020067009225 A KR1020067009225 A KR 1020067009225A KR 20067009225 A KR20067009225 A KR 20067009225A KR 20060111509 A KR20060111509 A KR 20060111509A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
state
adaptive structure
change
distribution
Prior art date
Application number
KR1020067009225A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100888159B1 (ko
Inventor
제프리 엘. 맥케이
윌리암 에이. 스탄톤
Original Assignee
마이크론 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 filed Critical 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드
Publication of KR20060111509A publication Critical patent/KR20060111509A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100888159B1 publication Critical patent/KR100888159B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control

Abstract

마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 방법들 및 장치들이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 장치는 크기 분배, 위상 분배 및, 및 극성 분배를 가진 방사선 빔을 가공품 쪽으로 지향시키기 위하여 배치된 방사선 소스를 포함한다. 적응성 구조는 방사선 빔 경로에 배치될 수 있고 복수의 독립적으로 제어 가능하고 선택적으로 방사선을 전송할 수 있는 소자들을 가지며, 상기 소자들 각각은 방사선 빔의 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배 중 적어도 하나를 변화시키도록 구성된다. 제어기는 하나의 상태로부터 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시키기 위하여 적응성 구조의 소자들을 지향시키도록 적응성 구조에 동작 가능하게 결합될 수 있다. 따라서, 적응성 구조는 다양한 방사선 빔 특성들에 대한 다양한 연속적 가변 분배들을 가진 방사선 빔들을 제공할 수 있다.
위상 분배, 방사선 빔, 적응성 구조, 연속적 가변 분배, 마이크로리소그래픽 제품

Description

마이크로리소그래픽 처리를 위한 방사선 빔 특성들을 제어하기 위한 방법들 및 시스템들{Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing}
본 발명은 일반적으로 마이크로리소그래픽 처리 동안 위상, 극성 및 크기 분배들을 포함하는 방사선 빔 특성들을 제어하기 위한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다.
마이크로전자제품 구조들은 웨이퍼로부터의 재료를 선택적으로 제거하고 절연성, 반도체성 및/또는 도전성 재료들로 최종 개구부들을 충전함으로써 마이크로구조 제품들(반도체 웨이퍼들)로 통상적으로 형성된다. 하나의 통상적인 처리는 웨이퍼상 방사선 감지 포토레지스트 재료층을 증착하고, 포토레지스트층 상에 패턴화된 마스크 또는 레티클을 배치하고, 마스크된 포토레지스트층을 선택된 방사선에 노출시키는 것을 포함한다. 그 다음 웨이퍼는 수성 염기 또는 용매 같은 현상제에 노출된다. 하나의 경우, 포토레지스트층은 일반적으로 현상제에 처음에 용해할 수 있고, 마스크의 패턴화된 개구부들을 통하여 방사선에 노출된 포토레지스트층의 부 분들은 현상제에 대해 일반적으로 용해되는 것에서 현상제에 일반적으로 저항하도록(예를 들어, 낮은 수용성을 가지도록) 변화한다. 선택적으로, 포토레지스트층은 처음에 현상제에 일반적으로 용해되지 않고, 마스크의 개구부들을 통한 방사선에 노출되는 포토레지스트의 부분들은 보다 잘 용해된다. 어느 경우나, 현상제에 저항하는 포토레지스트층의 부분들은 웨이퍼 상에 남고, 포토레지스트층의 나머지는 웨이퍼 재료 아래를 노출시키기 위하여 현상제에 의해 제거된다.
그 다음 웨이퍼는 에칭 또는 금속 증착 처리된다. 에칭 처리시, 에천트는 노출된 재료를 제거하지만, 포토레지스트층의 나머지 부분들 아래 재료는 보호된다. 따라서, 에천트는 웨이퍼 재료 또는 웨이퍼 상에 증착된 재료들 내에 개구부들의 패턴(그루브들, 채널들, 또는 홀들)을 형성한다. 이들 개구부들은 웨이퍼 상에 마이크로전자 구조들의 층들을 형성하기 위하여, 절연성, 도전성, 또는 반도전성 재료들로 충전될 수 있다. 그 다음 웨이퍼는 컴퓨터들 및 다른 고객 또는 산업 전자 장치들 같은 다양한 전자 제품들에 통합될 수 있는 개별 칩들을 형성하기 위하여 분리된다.
웨이퍼에 형성된 마이크로전자 구조들의 크기가 감소하기 때문에(예를 들어, 전자 장치들에 배치된 칩들의 크기를 감소시키기 위하여), 포토레지스트층에 형성된 구조들의 크기는 또한 감소하여야 한다. 몇몇 처리들에서, 선택된 구조들의 크기들(임계 크기라 함)은 다른 구조들의 크기들이 제조 사양들과 적합한지를 결정하기 위하여 진단 방법으로서 평가된다. 임계 크기들은 상기 임의의 복수의 처리 측면들로부터 발생하는 에러들에 가장 영향을 받기 쉽게 선택된다. 상기 에러들은 방사선 소스 및/또는 방사선 소스 및 마스크 사이의 광학에 의해 생성된다. 에러들은 또한 마스크, 마스크들 사이의 차, 및/또는 에칭 처리 에러들에 의해 생성된다. 임계 크기들은 증착 처리들에서 변화들, 및/또는 재료 제거 처리들에서 변화들, 예를 들어 화학 기계적 평탄화 처리들의 변화들을 포함하는 노광/현상 처리 전 또는 동안, 및/또는 에칭 처리 후 발생하는 처리들의 에러들에 의해 영향을 받을 수 있다.
웨이퍼 광학 시스템들(McDonald 등에 의한 미국특허 제 5,142,132 호에 개시됨)의 렌즈 수차들을 수정하기 위한 한가지 일반적인 방법은 렌즈 광학제품들의 수차들을 수정하기 위하여 조절될 수 있는 변형 가능한 미러로부터 입산 방사선을 반사시키는 것이다. 그러나, 렌즈 수차들을 수정하는 것은 일반적으로 임계 크기들에 악영향을 끼칠 수 있는 부가적인 인자들(상기됨)을 처리하기에 일반적으로 적당하지 않을 것이다. 따라서, 상기 변화들 및 에러들의 몇몇을 처리하기 위한 다른 방법은 웨이퍼에 부딪히는 방사선 세기를 공간적으로 조절하기 위하여 방사선 소스 및 마스크 사이의 기울기 필터를 삽입하는 것이다. 선택적으로, 얇은 필름 또는 펠리클(pellicle)은 마스크를 통하여 전송된 광의 세기를 변경하기 위하여 마스크 상에 배치될 수 있다. 어느 경우나, 필터 및/또는 펠리클은 마스크의 다른 부분에 입사하는 방사선 세기에 관한 마스크의 일부에 입사하는 방사선 세기를 감소시킴으로써 마스크들 사이의 변화들을 고려할 수 있다.
상기 장치의 한가지 단점은 마스크가 변경될 때 기울기 필터 및/또는 펠리클을 변경하기가 어렵고 및/또는 시간 소비적일 수 있다는 것이다. 다른 단점은 시 스템이 노화하거나 그렇지 않으면 변경될 때 기울기 필터 및 펠리클이 새로운 에러들 및/또는 시스템에 도입된 에러들의 변화들을 고려할 수 없다는 것이다.
상기 몇몇 단점들을 처리하기 위한 다른 방법은 고정된 기하학적 회절 장치 대신 픽실레이트(pixilated) 회절 광학 소자(DOE)를 제공하는 것이다. 픽실레이트 DOE는 통상적으로 전기적으로 어드레스할 수 있는 화소들의 어레이를 포함하고, 그 각각은 "온" 상태 및 "오프" 상태를 가진다. 온 상태시 화소들은 광을 전송하고 오프 상태시 화소들은 전송하지 않는다. 따라서, 상기 DOE들은 새로운 패턴들을 생성하기 위하여 반복적으로 재프로그램되고, 사용자가 각각의 새로운 마이크로구조 제품 설계에 대해 새로운 회절 소자를 생성하는 것과 관련된 비용을 방지하게 한다. 그러나, 이런 방법의 단점은 두 개의 이진 상태들 사이의 화소들을 토글링하는 것이 마이크로리소그래픽 제품상에 충돌하는 방사선에 적당한 제어를 제공할 수 없고, 차례로 서브 표준을 유발하거나 허용할 수 없는 제품들을 유발한다는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로그래픽 제품들을 조사하기 위한 장치의 부분 개략도.
도 2는 본 발명의 따른 마이크로그래픽으로 지향된 방사선의 특성들을 제어 하기 위한 적응성 구조의 부분 개략도.
도 3은 도 2에 도시된 적응성 구조 부분의 부분 개략 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 적응성 구조의 소자들을 제어하기 위한 장치의 부분 개략도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 소자들을 포함하는 적응성 구조의 부분 개략도.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 방법들 및 장치들을 사용하여 형성된 두 개의 방사선 빔 특성들의 분포들을 도시한 그래프.
A. 도입
본 발명은 마이크로리소그래픽 제품 쪽으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 방법들 및 장치들을 기술한다. 용어 "마이크로리소그래픽 제품"은 서브미큰론 회로들 또는 부품들, 데이터 저장 소자들 또는 층들, 바이어스 또는 도전성 라인들, 마이크로 광학 구조들, 마이크로기계적 구조들, 및/또는 마이크로생물학적 구조들이 마이크로리소그래픽 기술들을 사용하여 존재하거나 제조될 수 있는 제품들을 포함하도록 전체적으로 사용된다. 이들 임의의 실시예들에서, 제품은 세라믹을 포함하는 적당한 재료로 형성되고, 금속들, 유전체 재료들 및 포토레지스트들로 제한되지 않지만 이들을 포함하는 층들 및/또는 다른 재료들의 다른 형성물들을 지지할 수 있다.
본 발명의 일 특징에 따른 장치는 마이크로그래픽 제품을 지지하기 위하여 배치된 지지 표면을 가진 제품 지지부를 포함한다. 방사선 소스는 방사선 빔을 방사선 경로를 따라 제품 지지부 쪽으로 지향하도록 배치되고, 방사선 빔은 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 가진다. 적응성 구조는 방사선 경로 내에 배치될 수 있고 복수의 독립적으로 제어 가능하며 선택적으로 방사선을 전송할 수 있는 소자들을 가질 수 있고, 상기 소자들 각각은 방사선 빔의 일부를 수신하기 위하여 구성되고 방사선 빔의 크기 분배, 위상 분배, 및 극성 분배 중 적어도 하나를 변화시키기 위하여 하나의 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시킨다. 제어기는 하나의 상태로부터 복수의 다른 상태들 중 하나로 변화하도록 적응성 구조의 소자들을 지향하기 위한 적응성 구조에 동작 가능하게 결합된다.
본 발명의 다른 특정 측면에서, 복수의 이용 가능한 다른 상태들은 다른 상태들의 일반적으로 연속적인 스펙트럼을 포함한다. 제어기는 각각의 소자들에 전기적으로 결합되고 하나의 상태에서 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 각각의 소자의 상태를 독립적으로 변경하기 위하여 각각의 소자에 가변 전압을 인가하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 방법은 방사선 경로를 따라 방사선 소스로부터 방사선 빔을 지향시키는 단계를 포함하고, 상기 방사선 빔은 방사선 경로에 대해 일반적으로 횡단하는 평면 내의 위치의 함수로서 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 가진다. 상기 방법은 적응성 구조상에 방사선 빔을 충돌하는 단계, 및 적어도 두 개의 분배들을 독립적으로 변화시키기 위하여 하나의 상태에서 다른 상태로 적응성 구조의 적어도 일부의 상태를 변경하는 단계를 더 포함할 수 있다. 방사선 빔은 마이크로리소그래픽 제품에 충돌하도록 방사선 경로를 따라 적응성 구조로부터 멀리 지향될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 방법에서, 적어도 일부의 적응성 구조 상태를 변경하는 단계는 컬럼들 및 로우들의 어레이에 배열된 복수의 전기적으로 어드레스 가능한 소자들 중 적어도 하나에 전기 신호를 지향하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 측면에서, 방사선 빔은 적응성 구조 및 마이크로리소그래픽 제품 사이에 배치된 레티클을 토하여 전달될 수 있다.
B. 본 발명의 실시예들에 따른 방법들 및 장치들
본 발명의 특정 실시예들의 많은 특정 항목들은 다음 상세한 설명 및 도면들 1-6에서 이들 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위하여 제공된다. 그러나, 당업자는 본 발명의 부가적인 실시예들을 가지며, 본 발명이 하기된 항목들 몇몇 없이 실행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로리소그래픽 제품(160)을 제어 가능하게 조사하기 위한 장치(110)를 개략적으로 도시한다. 장치(110)는 방사선 경로(180)를 따라 마이크로리소그래픽 제품(160)으로 전자기 방사선 빔(128)을 지향시키는 방사선 소스(120)를 포함한다. 장치(110)는 인입 방사선 빔(128)의 특성들을 조절하는 적응성 구조(140)를 더 포함할 수 있다. 하기에 더 상세히 기술되는 바와같이, 이들 특성들은 빔(128)을 가로질러 크기(세기), 위상, 및/또는 극성의 공간 분배를 포함할 수 있다. 선택적으로, 방사선 빔(128)은 소스(120)에 의해 방사 된 방사선을 형성하고 및/또는 확대하기 위하여 구성된 렌즈 시스템(128)을 통하여 통과할 수 있다. 선택적으로, 장치(110)는 방사선을 확산하기 위한 회절 소자(122), 및 복수의 방사선 소스(120) 이미지들을 생성하기 위하여 배치된 광 튜브(124)를 더 포함할 수 있다. 광 튜브(124) 및/또는 크기설정 렌즈(125)는 방사선 빔(128)의 크기를 설정하고, 그 다음 미러(126)에 의해 포커싱 렌즈(127)를 통하여 레티클 또는 마스크(130)로 레티클 방사선 경로 세그먼트(181a)를 따라 지향될 수 있다.
레티클(130)은 방사선이 마이크로그래픽 제품(160)에 이미지를 형성하기 위하여 통과하는 레티클 구멍(131)을 포함할 수 있다. 방사선은 마이크로리소그래픽 제품(160)상에 형성될 구조들의 크기에 대응하는 크기로 레티클에 의해 정의된 이미지 패턴을 감소시키는 감소 렌즈(139)를 통하여 통과할 수 있다. 방사선 빔(128)은 재료(161)상에 이미지를 형성하기 위하여 마이크로리소그래픽 제품(160)의 방사선 감지 재료(161)(예를 들어, 포토레지스트층)에 충돌한다. 일 실시예에서, 재료(161)에 충돌하는 빔(128)은 약 5mm 내지 약 8mm의 폭 및 약 26mm의 길이를 가진 일반적으로 직사각형 모양을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 방사선은 다음 값들, 즉 13 나노미터, 157 나노미터, 193 나노미터, 248 나노미터 및 365 나노미터로부터 선택된 파장을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 파장은 만약 파장이 마이크로리소그래픽 제품(160)상 재료(161)를 노출시키기에 적당하면, 이들 값들 이하, 이상 또는 사이의 값을 가질 수 있다.
마이크로리소그래픽 제품(160)은 제품 지지부(150)에 의해 지지될 수 있다. 일 실시예(스캐너 장치)에서, 제품은 제품 지지 경로(151)를 따라 이동하고, 레티클(130)은 재료(161)를 가로질러 레티클(130)에 의해 형성된 이미지를 스캔하기 위하여 레티클 경로(132)를 따라 반대 방향으로 이동하고, 방사선 빔(128)의 위치는 고정되어 유지된다. 따라서, 제품 지지부(150)는 작동기(154)를 지지하기 위하여 결합되고 레티클(130)은 레티클 작동기(137)에 결합될 수 있다.
레티클(130)이 마이크로리소그래픽 제품(160) 반대쪽으로 이동할 때, 마이크로리소그래픽 제품(160)의 전체 필드가 스캔될 때까지, 방사선 소스(120)는 레티클(130)에 의해 형성된 연속적인 이미지들을 가진 마이크로리소그래픽 제품(160)의 연속 부분들을 방사하도록 조사한다. 일 실시예에서, 방사선 소스(120)는 하나의 빔 폭(예를 들어 약 5mm 내지 약 8mm) 만큼 이동하도록 마이크로리소그래픽 제품(160)에게 요구한 시간 동안 약 20 사이클의 속도로 조사한다. 다른 실시예들에서, 방사선 소스(120)는 다른 속도로 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 방사선 소스(120)는 각각의 필드를 균일하게 조사하기 위하여 스캐닝 처리(레티클 130 및 제품 150 각각이 일정한 속도로 이동하는 것을 가정함)를 통하여 동일한 속도로 조사할 수 있다. 다른 실시예에서, 방사선 소스(120)는 연속적인 방사선 빔(128)을 전달할 수 있다. 어느 실시예에서든, 각각의 필드는 하나 이상의 다이스 또는 칩들을 포함하고, 다른 실시예들에서 각각의 필드는 다른 구조들을 포함할 수 있다.
다른 실시예(스텝퍼 장치)에서, 방사선 빔(128) 및 레티클(130)은 하나 이상의 플래시들로 마이크로리소그래픽 제품(160)의 전체 필드를 노출시킬 수 있고, 레티클(130) 및 제품 지지부(150)는 방사선 경로(180)에 관련하여 고정된 횡단 위치 에 남아있는다. 필드가 노출된후, 레티클(130) 및/또는 제품 지지부(150)는 방사선 빔(128)과 다른 필드들을 정렬하기 위하여 방사선 경로(180)에 대해 횡단하게 이동될 수 있다. 이런 처리는 마이크로리소그래픽 제품(160) 필드들의 각각이 방사선 빔(128)에 노출될 때까지 반복될 수 있다. 적당한 스캐너 및 스텝퍼 장치들은 ASML of Veldhoven, The Netherlands; Canon USA, Inc., of Lake Success, New York; and Nikon, Inc. of Tokyo, Japan에서 판매된다.
상기 실시예들의 다른 측면에서, 제어기(170)는 동작 가능하게 레티클(130)(또는 레티클 작동기 137) 및 제품 지지부(150)(또는 지지 작동기 154)에 결합될 수 있다. 따라서, 제어기(170)는 이들 소자들 사이의 상대적 이동을 자동적으로(사용자 입력을 가지고 또는 입력 없이) 제어하고 조절할 수 있는 처리기, 마이크로처리기 또는 다른 장치를 포함할 수 있다. 제어기(170)는 하기에 보다 상세히 기술된 바와 같이, 방사선 빔(128)의 특성들을 제어하기 위하여 적응성 구조(140)에 결합될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 적응성 구조(140)의 부분 개략도이다. 이 실시예의 일 특징에서, 적응성 구조(140)는 방사선 빔(128)을 수신하기 위한 크기 및 위치의 인입 구멍(141), 및 방사서 빔(128)을 방출하기 위한 크기 및 위치의 방출 구멍(142)을 포함한다. 적응성 구조(140)는 인입 구멍(141) 및 방출 구멍(142) 사이에 배치된 하나 이상의 적응성 부분들(143)(제 1 적응성 부분(143a), 제 2 적응성 부분(143b) 및 제 3 적응성 부분(143c)으로서 도 2에 개략적으로 도시됨)을 더 포함한다. 일 실시예에서, 적응성 부분들(143)은 적응성 부분 들(143) 및 갭들(144) 사이의 인터페이스들에서 반사 가능성을 감소시키기 위하여 인덱스 머시닝 유체(145)로 충전된 갭들(144)에 의해 이격된다. 다른 실시예에서, 갭들(144)은 제거되고, 적응성 부분들(143)은 서로에 대하여 인접할 수 있다.
상기 실시예들의 어느 하나에서, 각각의 적응성 부분(143)은 방사선 빔(128)의 특정 특성의 분배를 변경하기 위하여 하나의 상태에서 다른 상태로 변화할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 제 1 적응성 부분(143a)은 방사선 빔(128)의 크기 또는 세기 분배를 변경하도록 구성될 수 있다. 제 2 적응성 부분(143b)은 방사선 빔(128)의 극성 분배를 변경하기 위하여 구성되고, 제 3 부분(143c)은 방사선 빔(128)의 위상 분배를 변화시키기 위하여 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 하나 이상의 적응성 부분들(143a-143c)은 방사선 빔(128)의 다른 특성을 변화시킬 수 있고, 및/또는 적응성 부분들(143a-143c)의 상대적 위치들은 변경될 수 있다. 다른 실시예들에서, 하나 이상의 적응성 부분들(143a-143c)은 제거될 수 있다. 하나 이상의 적응성 부분(143)을 포함하는 임의의 실시예에서, 각각의 적응성 부분(143)은 특정 적응성 부분이 이하에 더 상세히 기술될 바와 같이 고쳐져서 방사선 빔 특성을 변경하기 위하여 독립적으로 제어된다.
도 3은 방사선 경로(180)와 일반적으로 평행한 방향으로 관찰된 도 2를 참조하여 상기된 제 1 부분(143a)의 부분 개략도이다. 도 3에 도시된 실시예의 일 특징에서, 제 1 부분(143a)은 일반적으로 편평한 층 내에 배치된 복수의 개별적으로 제어 가능한 적응성 소자들(146)을 포함할 수 있다. 실시예의 다른 특징에서, 각각의 적응성 소자(146)는 일반적으로 직선 모양, 예를 들어 사각형 모양을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 적응성 소자(146)는 다른 모양, 예를 들어 육각형 모양 또는 원형 모양을 가질 수 있다. 도 2에 도시된 실시예의 다른 측면에서, 적응성 소자들(146)은 예를 들어 일반적으로 직선 어레이(147)인 어레이(147)에 배열될 수 있다. 따라서, 적응성 소자들(146)은 로우들(예를 들어, 로우들 R1,R2,R3...) 및 컬럼들(예를 들어, 컬럼들 C1,C2,C3...)내에 배열될 수 있다. 다른 실시예들에서, 적응성 소자들(146)은 다른 패턴들로 배열될 수 있다. 이들 임의의 실시예들에서, 각각의 적응성 소자(146)는 인입 방사선 빔(128)(도 2)의 부분을 수신하고, 방사선 빔(128)의 선택된 특성을 제어할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 제 1 부분(143a)은 인입 방사선 빔(128)의 크기 또는 세기 분배를 변경하도록 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 부분(143a)은 Boulder Non-Linear Systems of Lafayette, Colorado에서 판매되는 모델 LC-SLM 또는 available from CRL Opto Limited of Dunfirmline, Scotland에서 판매되는 모델 LCS2-9 같은 공간 광 변조기를 포함할 수 있다.
다른 실시예들에서, 제 1 부분(143a)은 인입 광 빔(128)의 극성을 변경하기 위하여 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 부분(143a)은 복수의 적응성 소자들(146)을 포함할 수 있고, 그 각각은 Boulder Non-Linear Systems of Lafayette, Colorado로부터 판매되는 강전기 액정 회전자 또는 네마틱 액정 회전자 같은 패러데이 회전자를 포함한다. 다른 실시예에서, 제 1 부분(143a)은 방사선 빔(128)의 위상 분배를 제어하기 위하여 구성될 수 있고, 석영 또는 다른 적당한 재료들로 형성된 적응성 소자들(146)을 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, 제 1 부분(143a)은 전자 광학 변조기들의 어레이, 예를 들어 Hamamatsu Corporation of Bridgewater, New Jersey에서 판매되는 평행 정렬 네마틱 액정 공간 광 변조기를 포함할 수 있다. 이들 임의의 실시예들에서, 각각의 적응성 소자(146)는 도 4를 참조하여 하기된 바와같이, 이용할 수 있는 값들의 일반적으로 연속적인 스펙트럼으로부터 선택된 값을 가지도록 방사선 빔(128)의 특성을 제어할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 구성된, 제어기(170) 및 적응성 구조(140)의 제 1 및 제 2 부분들(143a, 143b)의 섹션들의 부분 개략도이다. 도시를 위하여, 두 개의 제 1 적응성 소자들(146a)(제 1 부분 143a) 및 두 개의 제 2 적응성 소자들(146b)(제 2 부분 143b)은 도 4에 도시된다. 이 실시예의 일 특징에서, 제 1 적응성 소자들(146a)은 제 2 적응성 소자들(146b)과 무관하게 제어된다. 이 실시예의 다른 측면에서, 각각의 제 1 적응성 소자(146a)는 다른 제 1 적응성 소자들(146a)과 무관하게 제어되고, 각각의 제 2 적응성 소자(146b)는 다른 제 2 적응성 소자들(146b)과 무관하게 제어될 수 있다. 따라서, 제어기(170)는 제 1 적응성 소자들(146a) 각각에 대한 제 1 소자 제어기(171a), 및 제 2 적응성 소자들(146b) 각각에 대한 제 2 소자 제어기(171b)를 포함할 수 있다.
소자 제어기들(171a, 171b)(전체적으로 소자 제어기들 171으로서 불림)은 이웃과 무관하게 각각의 적응성 소자(146)를 제어할 뿐만 아니라, 두 개 이상의 이용 가능한 상태의 스펙트럼으로부터 각각의 적응성 소자(146)의 상태를 선택적으로 설정할 수 있도록 구성될 수 있다. 특히, 각각의 소자 제어기(171)는 "오프" 상태 및 "온" 상태 사이가 아니고, 온 상태 및 다양한 온 상태들 사이에서 대응하는 적 응성 소자(146)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 적응성 소자(146)는 광 빔(128)의 세기를 제어하도록 구성되고, 대응하는 소자 제어기(171)는 완전 개방(예를 들어, 완전히 투과성) 및 완전 폐쇄(예를 들어, 비투과성) 사이의 다양한 상태들을 통하여 적응성 소자(146)의 투과도를 변화할 수 있다. 적응성 소자(146)가 광 빔(128)의 극성을 변화시키기 위하여 구성될 때, 대응하는 소자 제어기(171)는 예를 들어 0도 및 90도 사이의 다양한 임의의 극성 값들을 형성하기 위하여 적응성 소자(146)의 상태를 조절할 수 있다. 적응성 소자(146)가 인입 광 빔(128)의 위상을 제어하기 위하여 구성될 때, 대응하는 소자 제어기(171)는 예를 들어 -180 도 내지 +180도의 값들의 스펙트럼을 따라 임의의 다양한 위상 시프트 값들을 가진 위상 시프트(이웃하는 적응성 소자들과 비교하여)를 형성하도록 적응성 소자(146) 상태를 조절할 수 있다.
임의의 상기 실시예들에서, 각각의 적응성 소자(146)는 하나의 상태에서 다른 상태로 변호하도록 전기적으로 활성화되고, 각각의 대응하는 소자 제어기(171)는 적응성 소자(146)에 제공된 전기 전위를 가변시킬 수 있다. 따라서, 각각의 적응성 소자(146)는 적어도 하나의 전기 입력(148)(두 개는 도 4에 도시된 적응성 소자들 146 각각에 대하여 도시됨)을 포함할 수 있다. 각각의 적응성 소자(146) 양단에 인가된 전압이 가변되기 때문에, 적응성 소자(146)에 의해 제어되는 대응하는 특성(예를 들어, 크기, 극성, 또는 위상)은 가변된다. 이용할 수 있는 전압들의 스펙트럼으로부터 대응하는 적응성 소자(146)로 소자 제어기(171)에 의해 인가된 전압을 선택함으로써, 조작기(컴퓨터 바탕 루틴 도움으로 또는 도움없이)는 대응하 는 값을 가지도록 적응성 소자(146)에 의해 제어되는 방사선 빔 특성을 조절할 수 있다. 인접한 적응성 소자들(146)은 방사선 빔(120)의 단면을 통해 선택된 특성의 전체 분배를 제어하기 위한 유사한 방식으로 제어될 수 있다. 다른 실시예들에서, 적응성 소자들(146)은 상기된 파라미터들에서 연속적으로 가변하는 상태 변화들을 생성하는 다른 입력들을 수신할 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 적응성 소자(146)에 의해 제어되는 특성은 주어진 상태에 대한 시간의 함수로서 가변하지 않는다. 따라서, 특성은 각각의 상태에서 시간 변화를 가지지 않고 제어되고, 이것은 적응성 구조(140)로 형성된 결과물들의 예측성을 증가시킬 수 있다.
일 실시예에서, 제어기(170)는 사용자로부터 입력 신호들을 수신하고 적응성 구조(140)로 적당한 출력 신호들을 지향하도록 구성된 프로그램 가능한 컴퓨터 판독가능 매체(예를 들어, 소프트웨어 루틴들)을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 제어기(170)는 다른 장치들을 가질 수 있다. 임의의 이들 실시예들에서, 제어기(170)는 동일한 적응성 구조(140)가 다양한 특성들을 가지는 방사선 빔들(128)을 제공하기 위하여 사용될 수 있도록 적응성 구조(140) 상태를 변화시킬 수 있다.
도 1-4를 참조하여 상기된 장치(110) 실시예의 한가지 특징은 각각의 적응성 소자들(146)이 일반적으로 연속적인 이용 가능한 상태들의 스펙트럼으로부터 선택된 상태이도록 제어기가 지시할 수 있기 때문에 적응성 구조(140)가 방사선 빔(128)의 크기, 극성, 및/또는 위상 분배들의 보다 정밀한 제어를 제공할 수 있다는 것이다. 예를 들어, 하나의 영역에서 다른 영역으로 연속적으로 가변하는 크기, 극성 및/또는 위상 분배를 가진 방사선 빔(128)을 제공함으로써, 재료(161)상에 투 영된 패턴의 보전상태는 종래 방법들을 통하여 이용할 수 있는 패턴들과 비교하여 개선될 수 있다. 이 기술은 방사선 감지 재료(161)에 충돌하는 방사선 빔(128)의 포커스 깊이를 개선하고, 추후 처리 단계들 동안 노광 시간의 변화들에 대한 재료(161) 감도를 감소시킬 수 있다. 노광 시간에 대한 감도의 감소는 특히 마이크로리소그래픽 제품(160)상에 배치된 방사선 민감 재료(161)의 두께가 가변할 때 중요하다. 상기 상황들에서, 방사선 감지 재료(161)의 두께 및 얇은 영역들은 상부노출 얇은 영역들 및/또는 하부노출 두께 영역들 없이 유사한 노광 시간들을 수신할 수 있다.
도 1-4를 참조하여 상기된 적응성 구조(140)의 실시예의 다른 특징은 상기 기술들을 사용함으로써 적응성 구조(140)가 방사선 빔(128)의 두 개 이상의 특성들을 독립적으로 가변시킬 수 있다는 것이다. 예를 들어, 적응성 구조(140)는 방사선 빔(128)의 크기 분배, 위상 분배, 및 극성 분배 중 임의의 두 개를 독립적으로 가변시키기 위하여 사용되고, 또는 모두 3개의 이들 분배들을 독립적으로 가변시킬 수 있다. 이런 장치의 장점은 조작기가 방사선 감지 재료(161)에 충돌하는 방사선 빔(128)의 특성들을 통해 보다 큰 제어도를 가질 수 있다는 것이다. 예를 들어, 조작기는 빔(128)의 극성 분배에 의도하지 않는 변화들을 부과하지 않고, 그리고 그 반대로 부과하고 방사선 빔(128)의 위상 분배를 제어할 수 있다. 따라서, 이 장치는 종래 장치가 타켓 특성을 가변시키는 의도되지 않는 부산물로서 방사선 빔의 하나의 특성을 변경하는 애플리케이션들에 특히 바람직하다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제어되는 방사선 빔(128)(도 1)의 두 개의 독립적으로 가변하는 파라미터들의 분배들을 도시하는 그래프이다. 도 5에 도시된 X 및 Y 축들은 방사선 경로(180)(도 1)에 일반적으로 횡단하는 평면을 형성하고, 수직 축들(A 및 P)은 각각 크기 및 위상 값들을 나타낸다. 방사선 빔(128)은 두 개의 피크들을 가진 크기 분배(590) 및 하나의 피크를 가진 위상 분배(591)를 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 크기 분배(590) 및 위상 분배(691)는 독립적으로 제어되는 다른 모양들을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 방사선 빔(128)의 다른 특성들(예를 들어, 빔 128의 극성)은 위상 분배(591) 및/또는 크기 분배(590)가 독립적으로 제어될 수 있다.
다른 실시예들에서, 도 1을 참조하여 상기된 장치(110)는 방사선 빔(128)의 두 개 이상의 특성들을 독립적으로 제어하는 다른 적응성 구조들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 실시예에서, 적응성 구조(640)는 복수의 반사 적응성 부분들(643)(제 1 적응성 부분 643a, 제 2 적응성 부분 643b, 및 제 3 적응성 부분 643c로서 도 6에 도시됨)을 포함한다. 각각의 적응성 부분들(643)은 제어기(670)에 의해 독립적으로 제어된 방향 또는 다른 속성을 가진 복수의 반사 소자들을 포함할 수 있다. 적응성 구조(640)는 직선 축을 따라 방사선 빔(128)의 인입 및 인출 부분들을 정렬하기 위하여 배치된 지향성 미러(649)를 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 지향성 미러(649)는 제거될 수 있다. 임의의 이들 실시예들에서, 적응성 부분들(643)은 방사선 빔(128)의 크기, 위상, 및/또는 극성 분배를 제어할 수 있다. 적응성 부분들(643) 중 하나가 진폭 분배를 제어하는 특정 실시예에서, 적응성 부분(643)은 계류 중인 U.S. 특허출원 제 09/945,316 호에 기술된 것 과 일반적으로 유사한 구조를 포함할 수 있고, 여기에 참조로써 통합된다. 다른 실시예들에서, 상기 적응성 부분은 다른 장치들을 가질 수 있다.
상기로부터, 본 발명의 특정 실시예들이 도시를 위하여 여기에 기술되었지만, 다양한 변형들이 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것이 인식된다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항들에 의한 것을 제외하고 제한되지 않는다.

Claims (49)

  1. 마이크로리소그래픽 가공품(microlithographic workpiece)으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 장치에 있어서,
    마이크로리소그래픽 가공품을 운반하기 위해 배치된 지지 표면을 가진 가공품 지지부;
    방사선 경로를 따라 상기 가공품 지지부 쪽으로 방사선 빔을 지향시키기 위하여 배치된 방사선 소스로서, 상기 방사선 빔은 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공품 지지부 사이의 방사선 경로 내에 배치되는 적응성 구조로서, 복수의 독립적으로 제어 가능하고 선택적으로 방사선을 전송 가능한 소자들을 갖고, 상기 소자들 각각은 상기 방사선 빔의 일부를 수신하고 상기 방사선 빔의 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배 중 적어도 하나를 변화시키기 위하여 하나의 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시키도록 구성되는, 상기 적응성 구조; 및
    하나의 상태를 상기 복수의 다른 상태들 중 하나로 변화시키도록 상기 적응성 구조의 소자들을 지향시키기 위하여 상기 적응성 구조에 동작 가능하게 결합된 제어기를 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는 각각의 소자들에 전기적으로 결합되고 각각의 소자들에 전기적으로 결합되고 하나의 상태에서 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 각각의 소자의 상태를 독립적으로 변화시키도록 각각의 소자에 가변 전압을 인가하게 구성되는, 방사선 특성 제어 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 패러데이 회전자 소자들을 포함하고, 각각의 패러데이 회전자 소자는 상기 제어기에 결합되고, 상기 제어기는 하나의 상태로부터 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 각각의 패러데이 회전자 소자의 상태를 변화시키기 위하여 각각의 패러데이 회전자 소자에 가변 전압을 독립적으로 인가하도록 구성되고, 상기 각각의 패러데이 회전자 소자는 하나의 상태일 때 제 1 극성에서 방사선을 전송하고, 임의의 다른 상태들일 때 대응하는 복수의 다른 극성들에서 방사선을 전송하는, 방사선 특성 제어 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 석영 화소 소자들(quartz pixel elements)을 포함하고, 각각의 화소 소자는 제어기에 결합되고, 상기 제어기는 하나의 상태로부터 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 각각의 화소 소자의 상태를 변화시키기 위해 각각의 화소 소자에 가변 전압을 독립적으로 인가하도록 구성되고, 상기 각각의 화소 소자는 하나의 상태일 때 제 1 위상에서 방사선을 전송하고, 임의의 다른 상태들일 때 대응하는 복수의 다른 위상들에서 방사선을 전송하는, 방사선 특성 제어 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 소자들은 각각의 상태들에서 시간 불변 투명도를 가지는, 방사선 특성 제어 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 가공품 지지부 사이에 배치된 레티클을 더 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 가공품 지지부 사이에 배치된 레티클을 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 레티클 및 가공품 지지부는 다른 것에 대하여 이동할 수 있는, 방사선 특성 제어 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 전기적으로 어드레싱할 수 있는 소자들의 제 1, 제 2 및 제 3 어레이들을 포함하고, 각각의 어레이는 방사선 경로를 교차하고 방사선 경로에 일반적으로 수직인 두 개의 직교 방향들로 연장하고, 상기 제 1 어레이의 소자 들은 상태를 변화시키기 위하여 제 1 전기 신호들을 수신하고 방사선 빔의 크기 분배를 변경하도록 구성되고, 상기 제 2 어레이의 소자들은 상태를 변화시키기 위하여 제 2 전기 신호들을 수신하고 방사선 빔의 위상 분배를 변경하도록 구성되고, 상기 제 3 어레이의 소자들은 상태를 변화시키기 위하여 전기 신호들을 수신하고 방사선 빔의 극성 분배를 변경하도록 구성되는, 방사선 특성 제어 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 컬럼들 및 로우들의 어레이에 배열된 복수의 전기적으로 어드레싱 가능한 소자들을 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 이용 가능한 다른 상태들은 다른 상태들의 일반적으로 연속적인 스펙트럼을 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  11. 마이크로리소그래픽 가공품에 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 장치에 있어서,
    마이크로리소그래픽 가공품을 운반하기 위하여 배치된 지지 표면을 가진 가공품 지지부;
    방사선 경로를 따라 상기 가공품 지지부 쪽으로 방사선 빔을 지향시키도록 배치된 방사선 소스로서, 상기 방사선 빔은 위상 분배 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공품 지지부 사이의 방사선 경로에 배치된 적응성 구조로서, 복수의 독립적으로 제어 가능한 소자들을 갖고, 상기 소자들 각각은 상기 방사선 빔의 일부를 수신하고 방사선 빔의 위상 분배 및 극성 분배 중 적어도 하나를 변화시키기 위하여 하나의 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시키도록 구성되는, 상기 적응성 구조; 및
    하나의 상태를 복수의 다른 상태들 중 하나로 변화시키기 위하여 적응성 구조의 소자들을 지향하도록 적응성 구조에 동작 가능하게 결합된 제어기를 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 적어도 부분적으로 방사선 빔에 투명하여, 적어도 일부의 방사선 빔이 상기 적응성 구조를 통하여 통과하는, 방사선 특성 제어 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 반사 소자들을 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 패러데이 회전자 소자들을 포함하고, 상기 각각 의 패러데이 회전자 소자는 제어기에 결합되고, 상기 제어기는 하나의 상태에서 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 각각의 패러데이 회전자 소자의 상태를 변화시키기 위해 각각의 패러데이 회전자 소자에 가변 전압을 독립적으로 인가하도록 구성되고, 상기 각각의 패러데이 회전 소자는 하나의 상태일 때 제 1 극성에서 방사선을 전송하고, 임의의 다른 상태들일 때 대응하는 복수의 다른 극성들에서 방사선을 전송하는, 방사선 특성 제어 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 석영 화소 소자들을 포함하고, 상기 각각의 화소 소자는 제어기에 결합되고, 상기 제어기는 하나의 상태에서 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 각각의 화소 소자의 상태를 변화시키기 위하여 각각의 화소 소자에 가변 전압을 독립적으로 인가하도록 구성되고, 상기 각각의 화소 소자는 하나의 상태일 때 제 1 위상에서 방사선을 전송하고, 임의의 다른 상태들일 때 대응하는 복수의 다른 위상들에서 방사선을 전송하는, 방사선 특성 제어 장치.
  16. 마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 장치에 있어서,
    마이크로리소그래픽 가공품을 운반하기 위하여 배치된 지지 표면을 갖는 가공품 지지부;
    방사선 경로를 따라 가공품 지지부 쪽으로 방사선 빔을 지향하도록 배치된 방사선 소스로서, 상기 방사선 빔은 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공품 지지부 사이의 방사선 경로 내에 배치된 적응성 구조로서, 상기 방사선 빔을 수신하고 상기 방사선 빔의 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배 중 임의의 두 개를 독립적으로 변화시키도록 구성되는, 상기 적응성 구조; 및
    하나의 상태를 다른 상태로 변화시키기 위하여 상기 적응성 구조를 지향하도록 상기 적응성 구조에 동작 가능하게 결합된 제어기를 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 상기 크기 분배, 상기 위상 분배 및 상기 극성 분배 중 적어도 두 개를 변화시키기 위하여 하나의 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시키도록 구성되는, 방사선 특성 제어 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 소자들을 포함하고, 상기 각각의 소자는 제어기에 결합되고, 상기 제어기는 제 1 소자 상태로부터 임의의 복수의 이용 가능한 제 2 소자 상태들로 각각의 소자 상태를 독립적으로 변화시키기 위하여 각각의 소자에 가변 전압을 인가하도록 구성된, 방사선 특성 제어 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 패러데이 회전자 소자들을 포함하고, 상기 각각의 패러데이 회전자 소자는 제어기에 결합되고, 상기 제어기는 제 1 소자 상태에서 임의의 복수의 이용 가능한 제 2 소자 상태들로 각각의 패러데이 회전자 소자 상태를 독립적으로 변화시키기 위하여 각각의 패러데이 회전자 소자에 가변 전압을 인가하도록 구성되고, 상기 각각의 패러데이 회전자 소자는 제 1 소자 상태일 때 제 1 극성에서 방사선을 전송하고, 임의의 제 2 소자 상태들일 때 대응하는 복수의 제 2 극성들에서 방사선을 전송하는, 방사선 특성 제어 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 석영 화소 소자들을 포함하고, 상기 각각의 화소 소자는 제어기에 결합되고 상기 제어기는 제 1 소자 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 제 2 소자 상태들로 각각의 화소 소자 상태를 독립적으로 변화시키기 위하여 각각의 화소 소자에 가변 전압을 인가하도록 구성되고, 상기 각각의 화소 소자는 제 1 소자 상태일 때 제 1 위상에서 방사선을 전송하고, 임의의 제 2 소자 상태들일 때 대응하는 복수의 제 2 위상들에서 방사선을 전송하는, 방사선 특성 제어 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 가공품 지지부 사이에 배치된 레티클을 더 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 가공품 지지부 사이에 배치된 레티클을 더 포함하고, 레티클 및 가공품 지지부 중 적어도 하나는 다른 것에 대해 이동할 수 있는, 방사선 특성 제어 장치.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 독립적으로 전기적으로 어드레스 가능한 적어도 제 1 및 제 2 어레이들의 소자들을 포함하고, 상기 각각의 어레이는 방사선 경로를 교차하고 상기 방사선 경로에 일반적으로 수직인 두 개의 직교 방향들로 연장하고, 상기 제 1 어레이의 소자들은 상태를 변화시키고 방사선 빔의 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배 중 하나를 변경시키기 위하여 제 1 전기 신호들을 수신하도록 구성되고, 상기 제 2 어레이의 소자들은 상태를 변화시키고 방사선 빔의 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배의 다른 것들을 변경시키기 위해 제 2 전기 신호들을 수신하도록 구성되는, 방사선 특성 제어 장치.
  24. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 컬럼들 및 로우들의 어레이에 배열된 복수의 전기적으로 어드레스 가능한 소자들을 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  25. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 적응성 소자들을 포함하고, 상기 소자들 각각은 방사선 빔에 적어도 부분적으로 투명하여 적어도 일부의 방사선 빔이 통과하는, 방사선 특성 제어 장치.
  26. 제 16 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 반사 소자들을 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  27. 마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 장치에 있어서,
    마이크로리소그래픽 가공품을 운반하기 위하여 배치된 지지 표면을 갖는 가공품 지지부;
    방사선 경로를 따라 가공품 지지부 쪽으로 방사선 빔을 지향시키도록 배치된 방사선 소스로서, 상기 방사선 빔은 방사선 경로에 일반적으로 횡단하는 평면 내에서 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 소스;
    상기 방사선 소스 및 가공품 지지부 사이의 방사선 경로 내에 배치된 적응성 구조로서, 상기 방사선 빔을 수신하고 제 1 분배로부터 제 2 분배로 각각의 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 독립적으로 변화시키기 위하여 하나의 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시키도록 구성되고, 각각의 상기 제 2 분배는 제 2 분배들의 일반적으로 연속하는 스펙트럼으로부터 선택되는, 상기 적응성 구조;
    상기 적응성 구조의 상태를 변화시키기 위하여 전기 신호들을 적응성 구조에 지향하도록 적응성 구조에 전기적으로 결합된 제어기; 및
    상기 적응성 구조와 상기 가공품 지지부 사이에 배치된 레티클로서, 상기 레티클 및 상기 가공품 지지부 중 적어도 하나는 다른 것에 대해 이동할 수 있는, 방사선 특성 제어 장치.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 적응성 소자들을 포함하고, 상기 소자들 각각은 방사선 빔에 대해 적어도 부분적으로 투명하여, 적어도 일부의 방사선 빔이 통과하는, 방사선 특성 제어 장치.
  29. 제 27 항에 있어서,
    상기 적응성 구조는 복수의 반사 소자들을 포함하는, 방사선 특성 제어 장치.
  30. 마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 방법 에 있어서,
    방사선 소스로부터 방사선 경로를 따라 방사선 빔을 지향시키는 단계로서, 상기 방사선 빔은 일반적으로 방사선 경로를 횡단하는 평면 내의 위치의 함수로서 크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 빔 지향 단계;
    방사선 경로 내에 배치된 적응성 구조상에 방사선 빔을 충돌시키는 단계;
    크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배 중 적어도 하나를 변화시키기 위하여 하나의 상태로부터 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 적응성 구조의 적어도 하나의 소자 상태를 변화시키는 단계;
    상기 방사선 빔을 상기 적응성 구조의 적어도 하나의 소자를 통하여 멀어지게 통과시키는 단계; 및
    마이크로리소그래픽 가공품 상에 적응성 구조로부터 멀어지게 지향된 방사선 빔을 충돌시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    하나의 상태를 변화시키는 단계는 하나의 상태를 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 변화시키는 단계를 포함하고, 상기 복수의 이용 가능한 다른 상태들은 다른 크기 분배들, 또는 다른 위상 분배들 또는 다른 극성 분배들에 해당하는, 방사선 특성 제어 방법.
  32. 제 30 항에 있어서,
    전기적으로 어드레스 가능한 소자들의 제 1, 제 2 및 제 3 어레이들을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계로서, 각각의 어레이는 방사선을 경로를 교차하고 방사 경로에 일반적으로 수직인 두 개의 직교 방향들로 연장하는, 상기 방사선 빔 통과 단계;
    제 1 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 크기 분배를 변경하도록 제 1 전기 신호들을 제 1 어레이로 지향시키는 단계;
    제 2 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 위상 분배를 변경하도록 제 2 전기 신호들을 제 2 어레이로 지향시키는 단계; 및
    제 3 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 극성 분배를 변경하도록 제 3 전기 신호들을 제 3 어레이로 지향시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 적어도 하나의 소자의 상태를 변화시키는 단계는 컬럼들 및 로우들의 어레이로 배열된 복수의 전기적으로 어드레스 가능한 소자들 중 적어도 하나에 전기 신호를 지향시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  34. 제 30 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 적어도 하나의 소자 상태를 변화시키는 단계는 다른 상태들의 일반적으로 연속적인 스펙트럼에서 하나의 상태를 임의의 복수의 다른 상태 들로 변화시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  35. 제 30 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 마이크로리소그래픽 가공품 사이에 배치된 레티클을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  36. 제 30 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 마이크로리소그래픽 가공품 사이에 배치된 레티클을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계; 및
    마이크로리소그래픽 가공품 상에 방사선 빔을 충돌시키는 동안, 다른 것에 관련하여 레티클 및 마이크로리소그래픽 가공품 사이의 적어도 하나를 이동시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  37. 마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 방법에 있어서,
    방사선 경로를 따라 방사선 소스로부터 방사선 빔을 지향시키는 단계로서, 상기 방사선 빔은 방사선 경로에 일반적으로 횡단하는 평면 내의 위치의 함수로서 위상 분배 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 빔 지향 단계;
    방사선 경로에 배치된 적응성 구조상에 방사선 빔을 충돌시키는 단계;
    위상 분배 및 극성 분배 중 적어도 하나를 변화시키기 위하여 하나의 상태에 서 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 적응성 구조의 적어도 하나의 소자 상태를 변화시키는 단계;
    적응성 구조의 적어도 하나의 소자로부터 멀어지게 방사선 빔을 지향시키는 단계; 및
    마이크로리소그래픽 가공품 상에 상기 적응성 구조로부터 멀어지게 지향된 방사선 빔을 충돌시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 적어도 하나의 소자를 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 적어도 하나의 소자로부터 방사선 빔을 반사시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  40. 제 37 항에 있어서,
    상기 하나의 상태를 변화시키는 단계는 상기 적응성 구조의 적어도 하나의 소자에 전기 신호를 인가하는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  41. 마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 방법 에 있어서,
    방사선 경로를 따라 방사선 소스로부터의 방사선 빔을 지향시키는 단계로서, 상기 방사선 빔은 방사선 경로에 일반적으로 횡단하는 평면 내 위치의 함수로서 크기 분배, 위상 분배, 및 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 빔 지향 단계;
    상기 방사선 경로에 배치된 적응성 구조상에 방사선 빔을 충돌시키는 단계;
    상기 크기 분배, 상기 위상 분배 및 상기 극성 분배 중 적어도 두 개의 독립적으로 변화시키기 위하여 하나의 상태로부터 다른 상태로 적응성 구조의 적어도 두 개의 독립적으로 제어 가능한 소자들 각각의 상태를 변화시키는 단계;
    방사선 경로를 따라 적응성 구조로부터 멀어지게 방사선 빔을 지향시키는 단계; 및
    마이크로리소그래픽 가공품 상에 적응성 구조로부터 멀어지게 지향된 방사선 빔을 충돌시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  42. 제 41 항에 있어서,
    적응성 구조의 적어도 두 개의 독립적으로 제어 가능한 소자들 각각의 상태를 변화시키는 단계는,
    크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배 중 하나를 변화시키기 위하여 하나 이상의 제 1 전기 신호들을 적응성 구조의 하나 이상의 제 1 소자들로 지향시키는 단계;
    크기 분배, 위상 분배 및 극성 분배의 다른 것을 변화시키기 위하여 하나 이 상의제 2 전기 신호들을 적응성 구조의 하나 이상의 제 2 소자들로 지향시키는 단계; 및
    하나 이상의 제 1 소자들 및 그 다음 하나 이상의 제 2 소자들을 통하여 순차적으로 방사선 빔을 통과시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  43. 제 41 항에 있어서,
    상기 상태를 변화시키는 단계는 하나의 상태에서 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 상태를 변화시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  44. 제 41 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 소자들을 통하여 상기 방사선 빔을 통과시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  45. 제 41 항에 있어서,
    상기 적응성 구조의 소자들로부터 상기 방사선 빔을 반사시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  46. 제 41 항에 있어서,
    전기적으로 어드레스 가능한 소자들의 제 1, 제 2 및 제 3 어레이들을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계로서, 상기 각각의 어레이는 방사선 경로를 교차하 고 방사선 경로에 일반적으로 수직인 두 개의 직교 방향들로 연장하는, 상기 방사선 빔 통과 단계;
    제 1 어레이 상태를 변화시키고 방사선 빔의 크기 분배를 변경하도록 제 1 전기 신호들을 제 1 어레이로 지향시키는 단계;
    제 2 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 위상 분배를 변경하도록 제 2 전기 신호들을 제 2 어레이로 지향시키는 단계; 및
    제 3 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 극성 분배를 변경하도록 제 3 전기 신호들을 제 3 어레이로 지향시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  47. 제 41 항에 있어서,
    상기 적응성 구조 및 마이크로리소그래픽 가공품 사이에 배치된 레티클을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  48. 마이크로리소그래픽 가공품으로 지향된 방사선 특성들을 제어하기 위한 방법에 있어서,
    방사선 소스로부터 방사선 경로를 따라 방사선 빔을 지향시키는 단계로서, 상기 방사선 빔은 방사선 경로에 대해 일반적으로 횡단하는 평면 내의 위치의 함수로서 상기 방사선 빔은 제 1 크기 분배, 제 1 위상 분배 및 제 1 극성 분배를 갖는, 상기 방사선 빔 지향 단계;
    상기 방사선 경로에 배치된 적응성 구조상에 상기 방사선 빔을 충돌시키는 단계;
    상기 제 1 크기 분배를 제 2 크기 분배로 변화시키고, 상기 제 1 위상 분배를 제 2 위상 분배로 변화시키고, 상기 제 1 극성 분배를 제 2 극성 분배로 변화시키기 위하여 하나의 상태로부터 임의의 복수의 이용 가능한 다른 상태들로 상기 적응성 구조의 복수의 적응성 소자들 각각의 상태를 변화시키는 단계로서, 각각의 변화는 다른 두 개에 무관한, 상기 복수의 적응성 소자들 각각의 상태를 변화시키는 단계;
    상기 적응성 구조를 통하여 멀리 방사선 경로를 따라 방사선 빔을 지향시키는 단계;
    상기 적응성 구조 및 마이크로리소그래픽 가공품 사이에 배치된 레티클을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계; 및
    마이크로리소그래픽 가공품 상에 상기 적응성 구조로부터 멀어지게 지향된 방사선 빔을 충돌시키는 단계를 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    전기적으로 어드레스 가능한 소자들의 제 1, 제 2 및 제 3 어레이들을 통하여 방사선 빔을 통과시키는 단계로서, 상기 각각의 어레이는 방사선 경로를 교차하고 방사선 경로에 일반적으로 수직인 두 개의 직교 방향들로 연장하는, 상기 방사선 빔 통과 단계;
    제 1 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 크기 분배를 변경하기 위하여 제 1 어레이에 제 1 전기 신호들을 지향시키는 단계;
    제 2 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 위상 분배를 변경하기 위하여 제 2 어레이에 제 2 전기 신호들을 지향시키는 단계;
    제 3 어레이의 상태를 변화시키고 방사선 빔의 극성 분배를 변경하기 위하여 제 3 어레이에 제 3 전기 신호들을 지향시키는 단계를 더 포함하는, 방사선 특성 제어 방법.
KR1020067009225A 2003-10-14 2004-10-13 마이크로리소그래픽 처리를 위한 방사선 빔 특성들을제어하기 위한 방법들 및 시스템들 KR100888159B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/684,794 2003-10-14
US10/684,794 US6894765B2 (en) 2003-10-14 2003-10-14 Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
PCT/US2004/033904 WO2005043244A2 (en) 2003-10-14 2004-10-13 Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060111509A true KR20060111509A (ko) 2006-10-27
KR100888159B1 KR100888159B1 (ko) 2009-03-10

Family

ID=34423029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067009225A KR100888159B1 (ko) 2003-10-14 2004-10-13 마이크로리소그래픽 처리를 위한 방사선 빔 특성들을제어하기 위한 방법들 및 시스템들

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6894765B2 (ko)
EP (1) EP1685445B1 (ko)
JP (1) JP4446280B2 (ko)
KR (1) KR100888159B1 (ko)
CN (1) CN1894630B (ko)
TW (1) TWI371650B (ko)
WO (1) WO2005043244A2 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6794100B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US6784975B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate
US6894765B2 (en) * 2003-10-14 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
JP4528580B2 (ja) * 2004-08-24 2010-08-18 株式会社東芝 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US7271874B2 (en) * 2004-11-02 2007-09-18 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
US7446855B2 (en) * 2005-07-25 2008-11-04 Micron Technology, Inc Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure
US7528932B2 (en) * 2005-12-21 2009-05-05 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
US20070200276A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Micron Technology, Inc. Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features
CN101669071B (zh) * 2007-04-25 2012-03-21 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统
US8102506B2 (en) * 2007-06-26 2012-01-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and device for controlling a plurality of actuators and an illumination device for lithography
US7838178B2 (en) * 2007-08-13 2010-11-23 Micron Technology, Inc. Masks for microlithography and methods of making and using such masks
NL1035986A1 (nl) * 2007-09-28 2009-03-31 Asml Holding Nv Controlling fluctuations in pointing, positioning, size or divergence errors of a beam of light for an optical apparatus.
US20100290016A1 (en) * 2008-01-02 2010-11-18 Bryan Kaehr Microdevice fabrication
TWI434143B (zh) 2008-09-22 2014-04-11 Nanya Technology Corp 微影設備
CN101713925B (zh) * 2008-10-08 2013-01-09 南亚科技股份有限公司 光刻装置
DE102011084637A1 (de) * 2011-10-17 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie Beleuchtungseinrichtung
DE102012200371A1 (de) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102015214477A1 (de) * 2015-07-30 2016-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
US9846128B2 (en) * 2016-01-19 2017-12-19 Applied Materials Israel Ltd. Inspection system and a method for evaluating an exit pupil of an inspection system
DE102016213025A1 (de) 2016-07-18 2016-09-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerung für Mikrospiegelanordnungen in Lithographiesystemen

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6461716A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Canon Kk Illuminator
US5142132A (en) * 1990-11-05 1992-08-25 Litel Instruments Adaptive optic wafer stepper illumination system
US5719704A (en) * 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3075381B2 (ja) * 1992-02-17 2000-08-14 株式会社ニコン 投影露光装置及び転写方法
US5436464A (en) * 1992-04-13 1995-07-25 Nikon Corporation Foreign particle inspecting method and apparatus with correction for pellicle transmittance
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3301153B2 (ja) * 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
JP3395280B2 (ja) * 1993-09-21 2003-04-07 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3308063B2 (ja) * 1993-09-21 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JP3564735B2 (ja) * 1994-06-16 2004-09-15 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JP3477698B2 (ja) * 1994-06-13 2003-12-10 株式会社ニコン 走査型露光装置および走査露光方法
US5559816A (en) * 1994-10-26 1996-09-24 Lambda Physik Gesellschaft Zur Herstellung Von Lasern Mbh Narrow-band laser apparatus
JPH08153661A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Sony Corp 投影露光方法
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
US5907392A (en) * 1995-07-20 1999-05-25 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH09320933A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 走査型露光装置
US6259513B1 (en) * 1996-11-25 2001-07-10 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system with spatially controllable partial coherence
US6291110B1 (en) * 1997-06-27 2001-09-18 Pixelligent Technologies Llc Methods for transferring a two-dimensional programmable exposure pattern for photolithography
JP3559694B2 (ja) * 1997-10-14 2004-09-02 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3809268B2 (ja) * 1997-12-19 2006-08-16 キヤノン株式会社 デバイス製造方法
JPH11231234A (ja) 1998-02-12 1999-08-27 Asahi Optical Co Ltd 反射鏡
US6816302B2 (en) * 1998-03-02 2004-11-09 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6459472B1 (en) * 1998-05-15 2002-10-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic device
JP2000010058A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Hamamatsu Photonics Kk 空間光変調装置
US6251550B1 (en) * 1998-07-10 2001-06-26 Ball Semiconductor, Inc. Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data
US6215578B1 (en) * 1998-09-17 2001-04-10 Vanguard International Semiconductor Corporation Electronically switchable off-axis illumination blade for stepper illumination system
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
WO2000079345A1 (en) * 1999-06-22 2000-12-28 Massachusetts Institute Of Technology Acousto-optic light projector
US6379867B1 (en) * 2000-01-10 2002-04-30 Ball Semiconductor, Inc. Moving exposure system and method for maskless lithography system
US6552740B1 (en) * 2000-08-01 2003-04-22 Eastman Kodak Company Method and apparatus for printing monochromatic imaging using a spatial light modulator
US6897943B2 (en) * 2000-12-21 2005-05-24 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for aerial image improvement in projection lithography using a phase shifting aperture
US6586160B2 (en) * 2001-03-26 2003-07-01 Motorola, Inc. Method for patterning resist
US6674512B2 (en) * 2001-08-07 2004-01-06 Nikon Corporation Interferometer system for a semiconductor exposure system
US6784975B2 (en) 2001-08-30 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate
US6794100B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
JP3881865B2 (ja) * 2001-10-19 2007-02-14 株式会社 液晶先端技術開発センター 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法
US6844972B2 (en) * 2001-10-30 2005-01-18 Mcguire, Jr. James P. Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements
US6577379B1 (en) * 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
US6894765B2 (en) * 2003-10-14 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005043244A3 (en) 2005-08-18
CN1894630A (zh) 2007-01-10
US7053987B2 (en) 2006-05-30
JP2007508719A (ja) 2007-04-05
US20060176462A1 (en) 2006-08-10
TW200525281A (en) 2005-08-01
US7130022B2 (en) 2006-10-31
US20050078293A1 (en) 2005-04-14
KR100888159B1 (ko) 2009-03-10
US6894765B2 (en) 2005-05-17
WO2005043244A2 (en) 2005-05-12
TWI371650B (en) 2012-09-01
JP4446280B2 (ja) 2010-04-07
EP1685445B1 (en) 2018-12-19
EP1685445A2 (en) 2006-08-02
CN1894630B (zh) 2013-03-13
US20050200824A1 (en) 2005-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7130022B2 (en) Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
US7649615B2 (en) Advanced exposure techniques for programmable lithography
US7230679B2 (en) Method and apparatus for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US6885493B2 (en) Method and a device for reducing hysteresis or imprinting in a movable micro-element
KR100576746B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
US6548820B1 (en) Optical synthetic aperture array
JP4860674B2 (ja) リソグラフィ装置、個別制御可能要素アレイ及びデバイス製造方法
KR101057257B1 (ko) 편광된 레티클, 포토리소그래피 시스템, 및 편광광에 의해 편광된 레티클을 이용하여 패턴을 형성하는 방법
JP4699908B2 (ja) 電気光学調整器を使用するシステム及び方法
KR20060074870A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20060047613A (ko) 공간 광변조기의 가공 이미지 계산을 위한 시스템 및 방법
US20090117491A1 (en) Resolution enhancement techniques combining interference-assisted lithography with other photolithography techniques
JP2007011329A (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法
CN111077739B (zh) 极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法
JP2004214625A (ja) リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法
JP3905081B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7242456B2 (en) System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions
US20050151949A1 (en) Process and apparatus for applying apodization to maskless optical direct write lithography processes
TW202340866A (zh) 用於形成不同深度和形狀之結構的微影系統及相關方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee