CN111077739B - 极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法 - Google Patents

极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111077739B
CN111077739B CN201910628673.4A CN201910628673A CN111077739B CN 111077739 B CN111077739 B CN 111077739B CN 201910628673 A CN201910628673 A CN 201910628673A CN 111077739 B CN111077739 B CN 111077739B
Authority
CN
China
Prior art keywords
euv
laser beam
illumination
mirror
optics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910628673.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111077739A (zh
Inventor
李承润
李斗珪
张赞三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN111077739A publication Critical patent/CN111077739A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111077739B publication Critical patent/CN111077739B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

Description

极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法
对相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月18日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0124576号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。
技术领域
本发明构思涉及曝光装置和/或曝光方法，并且更具体地，涉及使用极紫外光(EUV)的曝光装置和/或方法和通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法。
背景技术
近来，随着半导体电路线宽变得更精细，需要具有更短波长的光源。例如，EUV正被用作曝光光源。由于EUV的吸收特性，在EUV曝光工艺(process)中正使用反射式EUV掩模(mask)。另外，用于将EUV传递(transfer)到EUV掩模的照明(illumination)光学器件(optics)和用于将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上的投影光学器件可以各自包括多个反射镜(mirror)。随着曝光工艺的技术水平逐渐地提高，EUV掩模或反射镜中发生的小误差可能导致在晶片上形成图案时的严重误差。
发明内容
本发明构思提供了极紫外光(EUV)曝光装置、EUV曝光方法和/或通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其减轻或最小化在EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差，以减少套刻误差(overlay error)。
根据本发明构思的示例实施例，一种极紫外光(EUV)曝光装置包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成并且输出激光束；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射(irradiate)到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。
根据本发明构思的示例实施例，一种极紫外光(EUV)曝光装置包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；台(stage)，配置为在其上容纳(receive)曝光目标；以及激光装置，配置为生成激光束并且将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上以用于加热至少一个反射镜。
根据本发明构思的示例实施例，一种极紫外光(EUV)曝光方法包括：通过使用EUV源来生成和输出EUV；通过使用第一照明光学器件来将EUV传递到EUV掩模；通过使用投影光学器件来将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；通过使用激光装置来生成和输出激光束；通过使用第二照明光学器件来形成激光束的照明形状，并且将具有照明形状的激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。
根据本发明构思的示例实施例，一种制造半导体器件的方法包括：通过使用极紫外光(EUV)源来生成和输出EUV；通过使用第一照明光学器件来将EUV传递到EUV掩模；通过使用投影光学器件来将从EUV掩模所反射的EUV投影到晶片上，该晶片是曝光目标；通过使用激光装置来生成和输出激光束；通过使用第二照明光学器件来形成激光束的照明形状，将具有照明形状的激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上；对晶片进行图案化；以及对晶片执行随后的半导体工艺。
附图说明
根据结合附图的以下详细说明，将更加清楚地理解本发明构思的示例实施例，在附图中：
图1是图示根据示例实施例的EUV曝光装置的概念图；
图2A和图2B是用于描述套刻误差的横截面图；
图3A至图3C是用于描述套刻分量(overlay component)的概念图；
图4A和图4B分别是用于描述套刻误差的K13分量的矢量显示图和曲线图；
图5A和图5B分别是示出套刻误差的K13分量与残差X之间的关系的概念图和示出K13分量与残差预算(residual budget)之间的关系的曲线图；
图6是示出基于曝光工艺的进展、相对于晶片的套刻误差的K13分量变化的曲线图；
图7A和图7B是示出通过EUV掩模的EUV的照明形状，照射到反射镜上的EUV的形状以及与其相对应的温度轮廓(profile)的曲线图；
图8A至图8D是在图1的EUV曝光装置中的第二照明光学器件中所包括的光学设备(device)的概念图；
图9A至图9C是示出基于通过第二照明光学器件的处理的激光束的照明形状的概念图；
图10A至图10D是用于描述在图1的EUV曝光装置中采用激光束加热反射镜的原理的概念图；
图11和图12是图示根据一些示例实施例的EUV曝光方法的过程的流程图；以及
图13是图示通过使用图11的曝光方法制造半导体器件的方法的过程的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述一些示例实施例。相同的附图标记指代相同的元件，并且将省略其重复的描述。
图1是图示根据示例实施例的极紫外光(EUV)曝光装置100的概念图。图2A和图2B是用于描述套刻误差的横截面图。
参考图1至图2B，根据本示例实施例的EUV曝光装置100可以包括：EUV源110、第一照明光学器件(第1照明光学器件)120、投影光学器件(投影光学器件)130、激光源140、第二照明光学器件(第2照明光学器件)150、晶片台160、掩模支撑件165和控制器180。
EUV源110可以生成并且输出在大约5nm至大约50nm的波长范围内具有高能量密度的EUV L1。例如，EUV源110可以生成并且输出与13.5nm的波长相对应的、具有高能量密度的EUV L1。EUV源110可以包括基于等离子体的光源或同步加速辐射光源。在此，基于等离子体的光源可以表示生成等离子体并且使用基于等离子体发射的光的光源。例如，基于等离子体的光源可以是激光产生的等离子体(LPP)光源或放电产生的等离子体(DPP)光源。在根据本示例实施例的EUV曝光装置100中，EUV源110可以包括例如基于等离子体的光源。然而，在根据本示例实施例的EUV曝光装置100中，EUV源110不限于基于等离子体的光源。为了增加入射在第一照明光学器件120上的照明光的能量密度，基于等离子体的光源可以包括会聚(condense)反射镜，诸如会聚EUV的椭圆反射镜和/或球面反射镜。
第一照明光学器件120可以包括多个反射镜，并且可以将从EUV源110所发射的EUVL1传递到EUV掩模M。例如，来自EUV源110的EUV L1可以被第一照明光学器件120a的反射镜反射，并且可以入射在布置在掩模支撑件(supporter)165上的EUV掩模M上。
EUV掩模M可以是反射式掩模，其包括反射区域和非反射和/或中间反射区域。EUV掩模M可以包括图案，该图案包括：在基板上的用于反射EUV的反射多层以及设置在反射多层上的吸收层，该基板包括低热膨胀系数材料(LTEM)，诸如石英。反射多层可以具有其中钼(Mo)层和硅(Si)层交替堆叠数十层或更多层的结构。吸收层可包括，例如，TaN、TaNO、TaBO、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、碳(C)、碲(Te)、铂(Pt)、钯(Pd)、铬(Cr)和/或类似物。然而，反射多层的材料和吸收层的材料不限于上述材料。在此，吸收层可以对应于非反射和/或中间反射区域。
EUV掩模M可以反射经过第一照明光学器件120入射的EUV L1，以允许EUV L1入射在投影光学器件130上。更详细地，EUV掩模M可以基于包括基板上的反射多层和吸收层的图案的形状对来自第一照明光学器件120的照明光进行结构化以生成投影光，并且可以允许投影光入射在投影光学器件130上。可以基于EUV掩模M上的图案经过至少二级衍射来结构化投影光。投影光可以在保留关于EUV掩模M的图案的形状的信息的同时入射在投影光学器件130上，并且可以穿过投影光学器件130以在曝光目标W上形成与EUV掩模M的图案相对应的图像。在此，曝光目标W可以是包括诸如Si的半导体材料的衬底(substrate)(例如，晶片)。在下文中，曝光目标W和晶片可以可互换使用。因此，附图标记“W”也可以指代晶片。曝光目标W可以布置在晶片台160上。晶片台160可以在笛卡尔坐标系中的x-y平面上沿x方向和y方向移动，并且可以沿与x-y平面垂直的z方向移动。因此，随着晶片台160移动，曝光目标W可以沿x方向、y方向和z方向移动。
投影光学器件130可以包括多个反射镜。在图1中，投影光学器件130被图示为包括两个反射镜(例如，第一反射镜132和第二反射镜134)，但这是为了方便。在其他示例实施例中，投影光学器件130可以包括更多个反射镜。例如，投影光学器件130通常可以包括四到八个反射镜。然而，在投影光学器件130中所包括的反射镜的数目不限于此。
激光源140可以生成并且输出反射镜加热激光束L2。激光源140可以包括例如用于生成红外(IR)激光束的IR激光源和用于生成UV激光束的紫外(UV)激光源。然而，激光源140的种类不限于此。例如，在根据本示例实施例的EUV曝光装置100中，激光源140的示例可以包括用于生成满足以下条件的激光束L2的各种激光源。激光束L2的条件可以包括：用于向反射镜施加能量以加热反射镜的条件，和具有不改变曝光目标W上的光刻胶(photoresist)的化学属性的波长的条件。在一些示例实施例中，EUV曝光工艺可以与ArF浸没(ArFi)曝光工艺一起执行，并且激光束L2可以不包括在EUV曝光工艺中使用的EUV的波长和在ArFi曝光工艺中使用的深UV(DUV)的波长。
第二照明光学器件150可以将从激光源140发射的激光束L2传递到投影光学器件130的至少一个反射镜。例如，激光源140的激光束L2可以经过第二照明光学器件150直接地照射到投影光学器件130的第一反射镜132。在一些示例实施例中，激光束L2可以经过第二照明光学器件150直接地照射到投影光学器件130的除第一反射镜132之外的另一反射镜上。
第二照明光学器件150可以包括多个反射镜和具有各种功能的光学设备。第二照明光学器件150可以通过使用反射镜和光学设备来形成激光源140的激光束L2的照明形状。以这种方式，在根据本示例实施例的曝光装置100中，第二照明光学器件150可以形成激光束L2的照明形状，激光束L2可以照射到例如第一反射镜132的部分区域上，并且因此，第一反射镜132的部分区域可以被加热。下面将参考图8A至图9C更详细地描述其中第二照明光学器件150形成激光束L2的照明形状的示例。
用于测量反射镜的部分或整体的温度的温度传感器170可以布置在激光束L2照射到其上的第一反射镜132的后表面上。温度传感器170可以测量第一反射镜132的温度，并且因此，可以计算施加到第一反射镜132的热或能量的量。例如，在EUV曝光工艺中，温度传感器170可以基于施加到第一反射镜132的EUV L1来计算能量的第一量，并且可以基于计算的能量的第一量来计算通过激光束L2要施加到第一反射镜132的能量的第二量。温度传感器170可以基于第一反射镜132的每个部分中的EUV L1来计算温度和能量的量。因为计算第一反射镜132的每个部分的温度和能量的量，所以可以确定通过激光束L2要向其施加能量的第一反射镜132的区域，并且可以计算要施加到所确定的区域的能量的量。在测量第一反射镜132的各个部分的温度的情况下，多个温度传感器170可以分别地与第一反射镜132的各部分相对应地布置在第一反射镜132的后表面上。
以上已经将温度传感器170描述为仅布置在第一反射镜132上，但是不限于此。在其他示例实施例中，温度传感器170可以布置在EUV曝光装置100的其他反射镜上。例如，温度传感器170可以布置在投影光学器件130的其他反射镜上和/或第一照明光学器件120的反射镜上。根据示例实施例，除第一反射镜132之外，激光束L2可以被传递到沿着激光束L2的路径布置的反射镜，并且最终被传递到曝光目标W上的光刻胶。因此，可以通过激光束L2将特定量的能量施加到投影光学器件130的除第一反射镜132之外的其他反射镜。因此，在多个温度传感器170分别地布置在反射镜上的情况下，可以计算通过EUV光束L1和/或激光束L2施加的能量。如上所述，因为激光束L2必须配置为不改变曝光目标W上的光刻胶的化学属性，所以激光束L2可以具有不改变该化学属性的波长。例如，在曝光目标W上的光刻胶与EUV的波长和/或DUV的波长发生化学反应的情况下，激光束L2可以具有除EUV的波长和DUV的波长之外的波长。
在EUV曝光装置100中可以包括控制器180，用于控制EUV曝光装置100的各种操作(例如，EUV源110、第一照明光学器件(第1照明光学器件)120、投影光学器件(投影光学器件)130、激光源140、第二照明光学器件(第2照明光学器件)150、晶片台160和/或掩模支撑件165的操作(和/或计算))。
控制器180可以采用处理电路(诸如包括逻辑电路的硬件、包括软件的处理单元和执行软件的核心，或者硬件和处理单元的组合)来实施，其配置为控制例如图11至图13中所示的操作中的一些或所有。例如，处理电路可以包括但不限于处理器、中央处理单元(CPU)、控制器、算术逻辑单元(ALU)、数字信号处理器、微计算机、现场可编程门阵列(FPGA)、片上系统(SoC)、可编程逻辑单元、微处理器或能够以定义的方式进行响应和执行指令的任何其他设备。
在根据本示例实施例的EUV曝光装置100中，激光源140、第二照明光学器件150和温度传感器170可以配置(configure)用于加热反射镜的激光装置LA。
根据本示例实施例的EUV曝光装置100可以通过使用激光装置LA以激光束L2来加热投影光学器件130的至少一个反射镜，从而最小化由反射镜导致的套刻误差。在此，在EUV曝光工艺中，由激光装置LA的激光束L2加热的反射镜可以对应于由于EUV L1的不均匀加热而导致套刻误差的反射镜。例如，由激光装置LA的激光束L2加热的反射镜可以对应于与不能通过物理致动而补救的套刻误差的分量相关联的反射镜。
作为参考，套刻可以表示对应于上层的当前层与下层重叠的程度。在对上层执行的曝光工艺中，执行拍摄(shot)以基于下层的套刻掩模来尽可能多地与下层重合，从而最小化套刻误差。当套刻误差大时(例如，当下层与当前层之间的相对位置差大时)，可能对半导体器件的性能施加不利影响。
参考图2A和图2B，可以测量设置在作为下层的第一层210上的第一套刻标记OM1与设置在作为上层的第二层220上的第二套刻标记OM2，且可以计算第一套刻标记OM1与第二套刻标记OM2之间的相对位置差以用于计算套刻误差。当在第一层210上形成图案时，可以同时地形成第一套刻标记OM1；而当在第二层220上形成图案时，可以同时地形成第二套刻标记OM2。套刻标记可以以框型(box)图案形状或条型(bar)图案形状形成，并且可以形成在晶片的划道(scribe lane)上。然而，套刻标记的形状或位置不限于此。
图2B图示设置在半导体衬底201上的半导体器件。例如，可以在半导体衬底201上形成包括源/漏区域202和栅电极210g的晶体管TR，并且可以形成连接到栅电极210g的垂直接触220c。栅电极210g可以对应于设置在作为下层的第一层210上的图案，而垂直接触220c可以对应于设置在作为上层的第二层220上的图案。当不存在套刻误差时，垂直接触220c可以沿第一方向(x方向)布置在栅电极210g的中心部分中。然而，如图2B所示，由于各种原因，栅电极210g和垂直接触220c可以具有沿第一方向(x方向)的第一套刻误差OE1。当第一套刻误差OE1大时，垂直接触220c可能偏离栅电极210g并且可能连接到源/漏区域202；或者垂直接触220c可能仅与栅电极210g的一部分重叠并且可能连接到栅电极210g和源/漏区域202。具有第一套刻误差OE1的垂直接触220c的连接结构可能导致严重误差，诸如开路缺陷和/或短路缺陷。
套刻误差的分量可以彼此不同地区分，并且特别地，由于EUV扫描仪(scanner)或EUV曝光装置的硬件限制，套刻误差的分量中的一些不可能校正。例如，套刻误差的K13分量可以表示在与扫描方向垂直的x方向上具有三维(3D)函数(function)形状的套刻失真，并且在传统的ArFi扫描仪中，可以校正K13分量。然而，EUV扫描仪具有与ArFi扫描仪不同的硬件(HW)结构，并且因此，在EUV扫描仪中，反射镜必须大幅移动大约100mm至大约150mm，以便补偿与0.5nm的等级相对应的K13分量。因此，在EUV曝光工艺中，套刻误差的K13分量可以被分类为不可能校正的分量。将参考图3A至图3C来更详细地描述套刻误差的各种分量。
根据本示例实施例的EUV曝光装置100可以通过使用激光装置LA的第二照明光学器件150以激光束L2来加热投影光学器件130的至少一个反射镜的一部分，从而最小化在EUV曝光工艺中由反射镜的不均匀温度分布导致的套刻误差。例如，根据本示例实施例的EUV曝光装置100可以通过使用激光装置LA的第二照明光学器件150，以激光束L2来加热投影光学器件130的与套刻误差分量的K13分量的成因(cause)相对应的反射镜的一部分，从而校正K13分量。除校正K13分量之外，还可以通过传统方法校正套刻误差的其他分量，从而减小或最小化曝光目标W的套刻误差。
图3A至图3C是用于描述套刻分量的概念图。
参考图3A，图示了与套刻误差分量当中的一阶相对应的线性分量。例如，在左上部分中的K1分量可以表示沿第一方向(x方向)对一侧发生具有恒定大小的套刻误差的情况，而在右上部分中的K2分量可以表示沿第二方向(y方向)对一侧发生具有恒定大小的套刻误差的情况。当沿第一方向(x方向)的套刻误差被称为dx并且沿第二方向(y方向)的套刻误差被称为dy时，K1分量可以以dx＝k1的形式示出而K2分量可以以dy＝k2的形式示出。在此，第一方向(x方向)可以是布置在EUV掩模M下的狭缝延伸的方向，而第二方向(y方向)可以对应于EUV曝光工艺中的扫描方向并且可以与第一方向(x方向)垂直。
此外，在左下部分中的K3分量可以表示沿第一方向(x方向)对两侧发生具有与位置成比例的大小的套刻误差的情况，而在右下部分中的K4分量可以表示沿第二方向(y方向)对两侧发生具有与位置成比例的大小的套刻误差的情况。因此，K3分量可以以dx＝k3*x的形式示出，而K4分量可以以dy＝k4*y的形式示出。
除K1至K4分量之外的线性分量还可以包括以dx＝k5*y的形式示出的K5分量(未示出)和以dy＝k6*x的形式示出的K6分量。
参考图3B，图示了与套刻误差分量当中的二阶相对应的非线性分量。例如，在左侧部分中的K7分量可以表示沿第一方向(x方向)对两侧发生具有与位置的平方成比例的大小的套刻误差的情况，而在右侧部分中的K8分量可以表示沿第二方向(y方向)对两侧发生具有与位置的平方成比例的大小的套刻误差的情况。因此，K7分量可以以dx＝k7*x2的形式示出，而K8分量可以以dy＝k8*y2的形式示出。
除K7和K8分量之外的二阶分量还可以包括：以dx＝k9*x*y的形式示出的K9分量(未示出)、以dy＝k10*y*x的形式示出的K10分量(未示出)、以dx＝k11*y2的形式示出的K11分量(未示出)以及以dy＝k12*x2的形式示出的K12分量(未示出)。
参考图3C，图示了与套刻误差分量当中的三阶相对应的非线性分量。例如，左侧部分中的K13分量可以表示沿第一方向(x方向)对两侧发生具有与位置的三次方成比例的大小的套刻误差的情况，而在右侧部分中的K14分量可以表示沿第二方向(y方向)对两侧发生具有与位置的三次方成比例的大小的套刻误差的情况。因此，K13分量可以以dx＝k13*x3的形式示出，而K14分量可以以dy＝k14*y3的形式示出。
除K13和K14分量之外的三阶分量还可以包括：以dx＝k15*x2*y的形式示出的K15分量(未示出)、以dy＝k16*y2*x的形式示出的K16分量(未示出)、以dx＝k17*x*y2的形式示出的K17分量(未示出)、以dy＝k18*y*x2的形式示出的K18分量(未示出)、以dx＝k19*y3的形式示出的K19分量(未示出)以及以dy＝k20*x3的形式示出的K20分量(未示出)。
可以通过ArFi曝光装置中的物理致动来校正套刻误差的K1至K19分量。在此，物理致动可以表示向透镜提供压力或倾斜或者快速移动透镜的方法。此外，加热曝光目标(参见图1的W)的方法可以被视为用于校正套刻误差的物理致动方法之一。类似于ArFi曝光装置，EUV曝光装置100可以通过物理致动来校正套刻误差的K1至K12分量和K14至K19分量。然而，如上所述，由于ArFi曝光装置与EUV曝光装置100之间的HW差异，EUV曝光装置100可能几乎无法通过物理致动来校正K13分量。
图4A和图4B分别是用于描述套刻误差的K13分量的矢量显示图和曲线图。在图4B的曲线图中，x轴表示位置(位置)，y轴表示套刻误差的大小(误差)，而单位是仅示出相对大小的任意单位(a.u.)。
参考图4A和图4B，图4A中的矢量50的大小和方向可以表示由K13分量导致的套刻误差的大小和方向。例如，由K13分量导致的套刻误差的大小可以在远离第一方向(x方向)的中心的方向上增加。此外，由K13分量导致的套刻误差的大小可以相对于位置三维地增加。即，由K13分量导致的套刻误差的大小可以与位置的三次方成比例地增加。
图4B示出了由K13分量导致的套刻误差的大小相对于位置三维地增加。作为参考，x轴上的位置可以对应于图4A的第一方向(x方向)上的位置，其中套刻误差最大的-7和7部分可以是与图4A的矩形形状S的两侧相对应的部分。图4A的矩形形状S可以是与曝光工艺中的一次拍摄相对应的形状。因此，套刻误差在与一次拍摄中的两侧相对应的部分中最大，并且在相邻拍摄中以相同或基本相似的形式重复，如图4B所示。
图4A和图4B中所示的由K13分量导致的套刻误差可以表示在通过ArFi曝光工艺形成下层并且通过EUV曝光工艺形成作为上层的当前层之后，在两层(即，下层和当前层)之间测量的套刻误差。在下文中，套刻误差可以表示通过ArFi曝光工艺形成的下层与通过EUV曝光工艺形成的当前层之间的套刻误差。
图5A和图5B分别是示出套刻误差的K13分量与残差X(ResX)之间的关系的概念图和示出K13分量与残差预算(residual budget)之间的关系的曲线图。在图5B中，x轴表示K13分量，y轴表示残差预算R-B，而K13分量和残差预算中的每个的单位代表任意单位。
参考图5A，左侧部分示出了在不校正套刻误差的K13分量的情况下计算残差X值的示例，而右侧部分示出了根据本示例实施例的曝光装置100校正K13分量并且然后计算残差X值的示例。在此，残差可以表示在校正套刻误差分量当中的所有可校正分量之后计算的平均套刻误差值，而残差X可以表示第一方向(x方向)上的平均套刻误差值。换言之，左侧部分示出了在K13分量被视为不可校正分量的条件下计算残差X的示例，而右侧部分示出了在根据本示例实施例的曝光装置100作为可校正分量校正K13分量之后计算残差X的示例。
在晶片W的每个部分中，套刻误差被图示为矢量90。在图5A中，与套刻误差相对应的矢量90相对地大，但是可能在晶片W上出现与套刻误差相对应的大量矢量90而具有非常精细的尺寸。示出了，由于校正K13分量，右晶片W'上的矢量90变小或被去除，并且因此，残差X可以从A减小到A-α。因此，可以通过校正K13分量改进残差X。此外，当K13分量大时，基于K13分量的校正的残差X的改进程度可以进一步增加。与K13分量的校正相关联的残差X的差(例如，α)可以被称为由K13分量或残差预算导致的套刻惩罚(overlay penalty)。
参考图5B，随着K13分量的值增加，残差预算可以指数地增加。各自在EUV曝光工艺中使用的曝光装置和卡盘(chuck)彼此不同并且在右框中示出。即，分别地，N和M用于区分EUV曝光工艺中使用的EVU曝光装置，并且c1和c2用于区分布置在EUV曝光装置中的卡盘。如曲线图中所示，可以看出K13分量和残差预算之间的关系与EUV曝光装置和卡盘的种类无关。因此，当K13分量小时，不存在问题，但是当K13分量增加时，残差预算可能快速增加，从而导致晶片中半导体器件的更多缺陷并且导致良品率(yield rate)的显著降低。
图6是示出基于曝光工艺的进展相对于晶片的套刻误差的K13分量变化的曲线图。在图6中，x轴以在相同的EUV曝光装置中对晶片执行EUV曝光工艺的顺序来代表晶片的数目(晶片数目)，y轴表示每个晶片的K13分量，而单位可以是任意单位。
参考图6，随着晶片数目的增加，K13分量可能增加。在此，可以将K13分量的大小确定为绝对值。由晶片数目的增加导致的K13分量的增加可能是由EUV曝光装置的反射镜(例如，投影光学器件的至少一个反射镜)的EVU的不均匀加热导致的。换言之，当EUV曝光开始时，投影光学器件的反射镜(参见图1的130)可以具有均匀的温度分布。然而，由于在执行EUV曝光的同时通过EUV掩模M的反射而结构化的EUV的照明形状，在投影光学器件130的至少一个反射镜的一些区域中可能发生不均匀的加热。因此，相对应的反射镜可能在每个区域中不均匀地扩展，并且可能导致倾斜缺陷和/或镜面的像差，这可能导致具有K13分量的套刻误差。此外，随着晶片数目的增加，这种现象可能增加更多。因此，如曲线图中所示，随着晶片数目的增加，K13分量可能增加。
图7A和图7B是示出通过EUV掩模的EUV的照明形状、照射到反射镜上的EUV的形状以及与其相对应的温度轮廓的曲线图。在曲线图中，x轴代表与反射镜相对应的第一方向(x方向)上的位置(位置)，y轴表示温度(温度)，而单位可以是任意单位。
参考图7A，由EUV掩模(参见图1的M)反射的EUV可以具有如所示的双极(dipole)照明形状I11。阴影部分P可以对应于EUV集中的极(pole)。双极照明形状可以使得线和空间(L/S)图案能够容易地形成在曝光目标(参见图1的W)上。双极可以沿第一方向(x方向)布置，但是本示例实施例不限于此。在其他示例实施例中，双极可以通过改变EUV掩模M上的图案的形状或通过旋转EUV掩模M而沿第二方向(y方向)布置。此外，通过改变EUV掩模M上的图案的形状，EUV可以具有各种结构化的照明形状，诸如，圆形照明、环形照明和四极(quadrupole)照明。
参考图7B，具有双极照明形状的EUV可以照射到投影光学器件(参见图1的130)的至少一个反射镜(例如，第一反射镜132)上。在第一反射镜132中，EUV可以具有图7B中所示的照明形状。在图7B中，第一反射镜132以椭圆形形状示出，但是本示例实施例不限于此。在其他示例实施例中，第一反射镜132可以具有圆形形状。此外，代替椭圆形形状，与极相对应的极区域Ap可以具有圆形形状或与图7A中所示的双极的形状相同或基本上相似的形状。
如在图7B的下部所示的曲线图中所见，在与极相对应的极区域Ap中温度可能高，而在极区域Ap外部的外围区域Ab中温度可能低。由于EUV掩模M反射的双极的照明形状，第一反射镜132可以在其每个区域中具有不均匀的温度分布。因此，如上所述，第一反射镜132可以充当套刻误差的K13分量的成因。本示例实施例不限于双极照明形状，并且由于各种照明形状，第一反射镜132可以在其每个区域中具有不均匀的温度分布。由此，第一反射镜132可以充当套刻误差的K13分量的成因。
图8A至图8D是在图1的EUV曝光装置100中的第二照明光学器件150中所包括的光学设备的概念图。
参考图8A，在第二照明光学器件150中所包括的光学设备152可以采用L/S二元光栅来实施。具有L/S二元光栅结构的光学设备152可以处理激光源140的激光束，以使激光束具有双极照明形状。光学设备152可以改变L/S二元光栅之间的间隔，以调整双极照明的双极之间的间隔。在一些示例实施例中，光学设备152可以将排列L/S二元光栅的方向旋转例如90度，从而允许双极照明的双极沿第二方向(y方向)排列。
参考图8B，在第二照明光学器件150中所包括的光学设备152a可以采用棋盘(CB)二元光栅来实施。具有CB二元光栅结构的光学设备152a可以处理激光源140的激光束，以使激光束具有四极照明形状。光学设备152a可以改变CB二元光栅之间的间隔，以调整四极照明的四极之间的间隔。在一些示例实施例中，光学设备152a可以将排列CB二元光栅的方向旋转例如45度，从而允许四极照明的四极以45度旋转的方向布置。在其他示例实施例中，光学设备152a可以采用网格二元光栅来实施，并且光学设备152a可以通过使用网格二元光栅来处理激光束，以使激光束具有四极照明形状。
在图8A和图8B中，图示了分别具有L/S二元光栅结构和CB二元光栅结构的两个光学设备152和152a，但是光学设备的光栅结构不限于此。例如，除上述光栅结构之外，光学器件还可以以各种光栅结构实施，并且基于各种光栅结构来处理激光源140的激光束，以使激光束具有其他各种极照明形状。
参考图8C，在第二照明光学器件150中所包括的光学设备152b可以实施为包括与双极相对应的开口区域Op的狭缝板。激光源140的激光束可以穿过具有狭缝板结构的光学器件152b，以具有双极照明形状。可以基于双极在作为光学器件152b的狭缝板中提供两个开口区域Op，但是狭缝板的开口区域Op的位置或数目不限于此。例如，可以基于期望的激光束的照明形状来不同地改变作为光学设备152b的狭缝板的开口区域Op的位置或数目。
参考图8D，在第二照明光学器件150中所包括的光学设备152c可以实施为数字微反射镜装置(digital micro-mirror，DMD)。然而，光学设备152c不限于DMD，并且可以实施为另一种空间光调制器(SLM)。例如，光学设备152c可以实施为光栅光阀(GLV)、使用锆钛酸铅(铅)镧(PLZT)的电光装置、铁电液晶(FLC)等。
具有DMD结构的光学器件152c可以包括器件基板、设置在设备基板上的多个存储器单元(例如，静态随机存取存储器(SRAM)单元)以及在存储器单元上以二维(2D)阵列结构排列的多个微反射镜MR。例如，光学设备152c可以包括具有2D阵列结构的“1920*1080”个微反射镜MR。微反射镜MR的排列和数目不限于此。在其他示例实施例中，诸如具有高反射率的铝的材料可以沉积在每个微反射镜MR的表面上。例如，每个微反射镜MR的反射率可以是90％或更高。另外，每个微反射镜MR的纵向长度和横向长度可以彼此相同或基本相似，并且每个可以是几微米至几十微米。
当数字信号被施加到光学设备152c的存储器单元时，每个微反射镜MR可以相对于设备基板的表面在特定角度范围内倾斜。例如，特定角度范围可以是±12度的范围。然而，倾斜的范围不限于±12度的范围。可以控制每个微反射镜MR的倾斜，并且因此，基于每个微反射镜MR的倾斜，入射在光学设备152c上的激光束可以沿特定方向反射。因此，可以基于每个微反射镜MR的选择来处理激光束以具有各种照明形状，并且可以将激光束照射到投影光学器件130的至少一个反射镜(例如，第一反射镜(参见图1的132))上。在图8D中，阴影部分代表所选择的微反射镜MR，并且激光源140的激光束可以通过使用所选择的微反射镜MR被处理成具有双极照明形状。然而，基于光学设备152c的处理的激光束的形状不限于双极照明形状。在其他示例实施例中，通过从微反射镜MR当中适当地选择至少一个微反射镜，光学设备152c可以处理激光束以具有各种照明形状。
图9A至图9C是示出基于第二照明光学器件150的处理的激光束的照明形状的概念图。
参考图9A，激光源140的激光束可以由第二照明光学器件150处理以具有圆形照明形状Ill1。阴影部分P1可以对应于激光束集中的部分。例如，激光束可以由第二照明光学器件150的光学设备处理，以具有圆形照明形状Ill1。如以上参考图8A至图8D所描述地，光学设备可以被实施为例如二元光栅、狭缝板或DMD。例如，具有在其中心设置有一个开孔Op的狭缝板结构的光学设备152b可以处理激光束以具有圆形照明形状Ill1。在一些示例实施例中，具有DMD结构的光学设备152c可以通过从微反射镜MR当中适当地选择至少一个反射镜来处理激光束以具有圆形照明形状Ill1。
参考图9B，激光源140的激光束可以由第二照明光学器件150处理以具有环形照明形状Ill2。阴影部分P2可以对应于激光束集中的部分。例如，激光束可以由实施为例如二元光栅、狭缝板或DMD的光学设备处理，以具有环形照明形状Ill2。例如，具有在其外部部分设置有环形形状的开孔Op的狭缝板结构的光学设备152b可以处理激光束以具有环形照明形状Ill2。另外，具有DMD结构的光学设备152c可以通过从微反射镜MR当中适当地选择至少一个微反射镜来处理激光束以具有环形照明形状Ill2。此外，基于诸如圆形区域板的光栅结构，可以将激光束处理为具有两个或更多个环的环形照明形状。
参考图9C，激光源140的激光束可以由第二照明光学器件150处理以具有四极照明形状Ill3。阴影部分P3可以对应于激光束集中在其上的极。例如，激光束可以由实施为例如二元光栅、狭缝板或DMD的光学设备处理，以具有四极照明形状Ill3。例如，具有在其外部部分设置有对应于四极的四个开孔Op的狭缝板结构的光学设备152b可以处理激光束以具有四极照明形状Ill3。在一些示例实施例中，具有DMD结构的光学设备152c可以通过从微反射镜MR当中适当地选择至少一个微反射镜来处理激光束以具有四极照明形状Ill3。此外，具有CB二元光栅结构或网格二元光栅结构的光学设备152a可以处理激光束以具有四极照明形状Ill3。
根据一些示例实施例，激光源140的激光束可以由第二照明光学器件150处理，以对应于通过EUV掩模M的反射而结构化的EUV的照明形状。例如，在通过EUV掩模M的反射使EUV结构化以具有双极照明形状的情况下，激光束可以由第二照明光学器件150处理以具有双极照明形状。在通过EUV掩模M的反射而结构化EUV以具有四极照明形状的情况下，激光束可以由第二照明光学器件150处理以具有四极照明形状。
根据一些示例实施例，激光源140的激光束可以由第二照明光学器件150处理，以具有与通过EUV掩模M的反射而结构化的EUV的照明形状相反的照明形状(例如，照明形状的负形(negative shape))。例如，在通过EUV掩模M的反射结构化EUV以具有双极照明形状的情况下，激光束可以由第二照明光学器件150处理以具有其中光集中在双极周围的区域的照明形状。
图10A至图10D是用于描述在图1的EUV曝光装置100中采用激光束加热反射镜的原理的概念图。
参考图10A至图10D，温度传感器170可以布置在投影光学器件130的至少一个反射镜(例如，第一反射镜132)的后表面上。另外，EUV源110的EUV L1和激光源140的激光束L2可以同时地或顺序地照射到第一反射镜132上。可以基于由温度传感器170获得的关于第一反射镜132的温度信息以及基于温度信息的第一反射镜132期望的能量的量或温度分布，将具有适当能量的激光束L2照射到第一反射镜132的适当位置上。
例如，在未照射激光束L2的状态下，第一反射镜132的温度分布如在图10B的下部的曲线图中所示，并且由于第一反射镜132的温度分布，发生套刻误差的K13分量。在这种情况下，第二照明光学器件150可以处理激光束L2以具有与双极照明形状相反的照明形状(例如，双极照明形状的负形)(例如，其中激光束L2集中在极区域Ap之外的外围区域Ab上的照明形状)，并且通过采用具有该照明形状的激光束L2加热第一反射镜132，第一反射镜132的整个温度分布可以是均匀的，如图10C下部的曲线图所示。因此，可以校正由于极区域AP上的EUV集中而发生的套刻误差的K13分量。
此外，由于与上述原因不同的原因，可能发生套刻误差的K13分量。例如，在考虑到套刻误差的K13分量，EUV曝光装置100被设置为在第一反射镜132的外围区域Ab和极区域Ap之间保持特定温度差的情况下，未保持期望的温度差(例如，集中在极区域Ap上的EUV的量可能不足)，并且因此，可能发生套刻误差的K13分量。在这种情况下，第二照明光学器件150可以处理激光束L2以具有双极照明形状，并且通过采用具有双极照明形状的激光束L2加热第一反射镜132，第一反射镜132的外围区域Ab和极区域Ap之间的温度差可以增加到期望的水平。因此，可以校正因为集中在极区AP上的EUV不足而发生的套刻误差的K13分量。
在上文中，已经在上面描述了对套刻误差的K13分量执行的校正，但是通过将激光束照射到投影光学器件的至少一个反射镜上以加热至少一个反射镜可以校正套刻误差的与K13分量不同的其他分量。校正套刻误差的除K13分量之外的其他分量的校正方法(例如，物理致动方法)可以安装在EUV曝光装置100中，并且通过物理致动方法可能足以校正套刻误差的除K13分量之外的其他分量。因此，在EUV曝光装置100被设计为对套刻误差的其他分量执行物理致动方法的情况下，可以对套刻误差的其他分量省略采用激光束加热反射镜的校正方法。然而，在一些示例实施例中，可以通过同时地执行物理致动方法和采用激光束加热反射镜的校正方法来校正套刻误差的其他分量。
图11和图12是图示根据一些示例实施例的EUV曝光方法的过程的流程图。在下文中，将参考图11和图12结合图1来描述根据本示例实施例的EUV曝光方法，并且将简要地给出或将省略以上参考图1至图10D给出的描述。
参考图11，在根据本示例实施例的EUV曝光方法中，在操作S110中，EUV源110可以首先生成并且输出EUV L1。EUV L1可以例如在大约5nm至大约50nm的波长范围内具有高能量密度。例如，在根据本示例实施例的EUV曝光方法中，EUV L1可以具有例如对应于13.5nm波长的高能量密度。
随后，在操作S120中，第一照明光学器件120可以将EUV L1传递到EUV掩模M。在第一照明光学器件120中所包括的多个反射镜可以反射EUV L1以允许EUV L1入射在EUV掩模M上。
随后，在操作S130中，投影光学器件130可以将由EUV掩模所反射的EUV L1投影到作为曝光目标W的晶片W上。基于EUV掩模M上的图案，EUV L1可以通过由EUV掩模M的反射而以特定的照明形状结构化。具有特定照明形状的EUV L1可以不均匀地加热投影光学器件130的至少一个反射镜(例如，第一反射镜132)，并且由此，第一反射镜132的温度分布可能是不均匀的，导致曝光缺陷和套刻误差的K13分量。投影光学器件130将EUV L1投影到晶片W上可以表示将EUV L1投影到晶片W上的光刻胶上。
随后，在操作S135中，可以确定是否校正套刻误差的K13分量。可以基于套刻误差的K13分量是否超过阈值或预定标准来确定是否校正套刻误差的K13分量。
当不需要校正套刻误差的K13分量时(否)，EUV曝光方法可以结束。
另外，当需要校正套刻误差的K13分量时(是)，在操作S140中，激光源140可以生成并且输出用于加热的激光束L2。激光束L2可以是例如IR激光束或UV激光束。然而，激光束L2的种类不限于此。例如，激光束L2可以是具有下述波长的激光束L2，该波长不改变作为曝光目标W的晶片W上的光刻胶的化学属性。
随后，在操作S150中，第二照明光学器件150可以将激光束L2照射到投影光学器件130的反射镜上。激光束L2可以由第二照明光学器件150处理以具有各种照明形状。即，激光束L2可以由第二照明光学器件150的光学设备(诸如二元光栅、狭缝板或DMD)处理，以具有各种照明形状，诸如双极照明、四极照明、圆形照明和环形照明。激光束L2可以具有与激光束L2照射到其上的反射镜的要被加热的部分相对应的照明形状。例如，在具有双极照明形状的EUV L1照射到反射镜上并且激光束L2必须照射到除两个极区域之外的区域的情况下，激光束L2可以由第二照明光学器件150处理，以具有光集中在双极周围的区域上的照明形状。
在将激光束L2照射到反射镜上的操作S150之后，EUV曝光方法可以结束。根据一些示例实施例，可以在EUV曝光方法结束之前确定是否对另一晶片执行曝光工艺，并且当不需要对另一晶片执行曝光工艺时，EUV曝光方法可以结束。
参考图12，根据本示例实施例的EUV曝光方法可以类似于图11的EUV曝光方法。然而，根据本示例实施例的EUV曝光方法可以进一步包括：在确定是否校正K13分量的操作S135与生成并且输出激光束L2的操作S140之间，通过使用温度传感器170测量反射镜的部分或整体的温度的操作S137和计算要施加到反射镜的能量的量的操作S139。
在测量温度的操作S137中，可以基于通过温度传感器170获得的温度信息来计算由EUV L1施加到反射镜(例如，第一反射镜132)的能量的量或第一反射镜132的基于区域的温度分布。另外，在计算能量的量的操作S139中，可以确定能量要施加到的第一反射镜132的区域的位置，并且可以计算通过激光束L2要施加到相对应的位置的能量的量。随后，在将激光束L2照射到反射镜上的操作S150中，激光束L2可以由第二照明光学器件150处理，并且具有适当量的能量的激光束L2可以照射到第一反射镜的期望的区域上。
图13是图示通过使用图11的曝光方法制造半导体器件的方法的过程的流程图。在下文中，将参考图13结合图1来描述根据本示例实施例的EUV曝光方法，并且将简要地给出或将省略以上参考图11和图12给出的描述。
参考图13，可以执行图11的曝光方法。例如，可以执行操作S210至S250，包括：生成和输出EUV L1的操作S210至将激光束L2照射到反射镜上的操作S250。根据本示例实施例的制造半导体器件的方法可以执行图12的曝光方法，而不是图11的曝光方法。
随后，在操作S260中，可以基于曝光来图案化晶片W(例如，曝光目标W)。在此，曝光可以对应于将EVU L1照射到晶片W上的操作S230。如上所述，将EUV L1投影在晶片W上可以表示将EUV L1照射到涂覆在晶片W上的图案材料(例如光刻胶)上的操作。在基于图11的曝光方法的曝光工艺之后，可以通过显影工艺和蚀刻工艺形成要在晶片W上形成的实际图案。
随后，在操作S270中，可以在晶片W上执行随后的半导体工艺。随后的半导体工艺可以包括各种工艺。例如，随后的半导体工艺可以包括沉积工艺、蚀刻工艺、离子工艺、清洁工艺等。另外，随后的半导体工艺可以包括将晶片W个体化为半导体芯片的单个化工艺、测试半导体芯片的测试工艺以及封装半导体芯片的封装工艺。可以通过在晶片W上执行的随后的半导体工艺来完成半导体器件。
在通过使用根据本示例实施例的曝光方法来制造半导体器件的方法中，可以基于采用激光束L2加热反射镜的一部分的方法来执行最小化套刻误差的最佳曝光工艺，并且因此，可以制造误差率低且可靠性提高的半导体器件，从而显著提高良品率。
如上所述，根据示例实施例的EUV曝光装置和曝光方法可以通过使用激光装置采用激光束加热投影光学器件的至少一个反射镜，从而最小化由反射镜引起的套刻误差。例如，根据示例实施例的EUV曝光装置和曝光方法可以通过使用激光装置的照明光学器件利用激光束加热投影光学器件的至少一个反射镜的一部分，从而最小化由EUV曝光工艺中反射镜的不均匀温度分布引起的套刻误差。
此外，在通过使用根据示例实施例的曝光方法制造半导体器件的方法中，可以基于在曝光步骤中利用激光束加热反射镜的一部分的方法来执行用于使套刻误差最小化的最佳曝光工艺，并且因此，可以制造误差率低且可靠性提高的半导体器件，从而显着提高良品率。
虽然已经参考本发明构思的实施例具体示出和描述了本发明构思，但是将理解，在不脱离以下权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行在形式上和细节上的各种改变。

Claims (24)

1.一种极紫外光(EUV)曝光装置，包括：
EUV源，配置为生成并且输出EUV；
第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；
投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；
激光源，配置为生成并且输出激光束；以及
第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上；
其中，第二照明光学器件配置为通过使用二元光栅、狭缝板或数字微反射镜装置(DMD)中的至少一个来形成激光束的第一照明形状。
2.根据权利要求1所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得激光束经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的一部分。
3.根据权利要求1所述的EUV曝光装置，其中，第二照明光学器件配置为进行以下中的至少一个：
处理激光束以将第一照明形状形成为圆形照明、环形照明、双极照明或四极照明之一，或者
处理激光束以将第一照明形状形成为圆形照明、环形照明、双极照明或四极照明之一的负形。
4.根据权利要求1所述的EUV曝光装置，其中，第二照明光学器件配置为进行以下中的至少一个：
处理激光束以将第一照明形状形成为具有与从EUV掩模所反射的EUV的第二照明形状相同的形状，或者
处理激光束以将第一照明形状形成为具有从EUV掩模所反射的EUV的第二照明形状的负形。
5.根据权利要求1所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得当与曝光目标的层之间的套刻误差的第一分量相关联的误差随着位置沿第一方向从中心向两侧远离而三维地增加时，所述激光束对第一分量进行补偿，所述第一方向垂直于曝光工艺中的扫描方向。
6.根据权利要求5所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得所述激光束经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的第一部分或第二部分以对第一分量进行补偿，所述第一部分是至少一个反射镜的一部分，所述第二部分是至少一个反射镜的除所述第一部分之外的另一部分。
7.根据权利要求1所述的EUV曝光装置，还包括：
温度传感器，布置在至少一个反射镜的后表面上并且配置为测量至少一个反射镜的部分或整体的温度。
8.根据权利要求1所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得激光束具有不改变曝光目标的光刻胶的化学属性的波长。
9.一种极紫外光(EUV)曝光装置，包括：
EUV源，配置为生成并且输出EUV；
第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；
投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；
台，配置为在其上容纳曝光目标；以及
激光装置，配置为生成激光束并且将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上以用于加热至少一个反射镜；
其中，所述激光装置包括：
第二照明光学器件，配置为将激光束照射到至少一个反射镜的一部分上；以及
其中，第二照明光学器件配置为通过使用二元光栅、狭缝板或数字微反射镜装置(DMD)中的至少一个来形成激光束的照明形状。
10.根据权利要求9所述的EUV曝光装置，其中，所述激光装置还包括：
激光源，配置为生成和输出激光束；以及
温度传感器，布置在至少一个反射镜的后表面上并且配置为测量至少一个反射镜的部分或整体的温度。
11.根据权利要求10所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得激光束具有用于经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的一部分的照明形状。
12.根据权利要求9所述的EUV曝光装置，其中
第二照明光学器件配置为进行以下中的至少一个：
处理激光束以将照明形状形成为圆形照明、环形照明、双极照明或四极照明之一，或者
处理激光束以将照明形状形成为具有圆形照明、环形照明、双极照明或四极照明之一的负形。
13.根据权利要求10所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得当与曝光目标的层之间的套刻误差的第一分量相关联的误差随着位置沿第一方向从中心向两侧远离而三维地增加时，激光束经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的第一部分和第二部分以对第一分量进行补偿，所述第一部分是至少一个反射镜的一部分，所述第二部分是至少一个反射镜的除所述第一部分之外的另一部分，所述第一方向垂直于曝光工艺中的扫描方向。
14.根据权利要求10所述的EUV曝光装置，其中，激光源配置为生成激光束，使得激光束具有不改变曝光目标的光刻胶的化学属性的波长。
15.一种极紫外光(EUV)曝光方法，包括：
通过使用EUV源生成和输出EUV；
通过使用第一照明光学器件将EUV传递到EUV掩模；
通过使用投影光学器件将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；
通过使用激光装置生成和输出激光束；
通过使用第二照明光学器件形成激光束的照明形状；以及
将具有照明形状的激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上；
其中，照射激光束包括通过使用二元光栅、狭缝板或数字微反射镜装置(DMD)中的至少一个形成激光束的照明形状。
16.根据权利要求15所述的EUV曝光方法，其中，照射激光束还包括：通过使用激光装置经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的一部分。
17.根据权利要求15所述的EUV曝光方法，还包括：
在生成和输出激光束之前，
通过使用布置在至少一个反射镜的后表面上的温度传感器测量至少一个反射镜的部分或整体的温度；以及
基于测量的温度计算要施加到至少一个反射镜的能量的量，
其中，照射激光束还包括通过使用激光装置将具有计算的能量的量的激光束照射到至少一个反射镜。
18.根据权利要求17所述的EUV曝光方法，其中
计算能量的量包括确定至少一个反射镜的第一部分，所述第一部分是要施加激光束的部分，以及
照射激光束包括通过使用激光装置经过第二照明光学器件将激光束照射到确定的第一部分上。
19.根据权利要求15所述的EUV曝光方法，其中
形成激光束的照明形状包括以下中的至少一个：
处理激光束以将照明形状形成为圆形照明、环形照明、双极照明或四极照明之一，或者
处理激光束以将照明形状形成为具有圆形照明、环形照明、双极照明或四极照明之一的负形。
20.根据权利要求15所述的EUV曝光方法，其中，照射激光束还包括当与曝光目标的层之间的套刻误差的分量相关联的误差随着位置沿第一方向从中心向两侧远离而三维地增加时，通过使用激光束经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的第一部分和第二部分以对所述分量进行补偿，所述第一部分是至少一个反射镜的一部分，所述第二部分是至少一个反射镜的除所述第一部分之外的另一部分，所述第一方向垂直于曝光工艺中的扫描方向。
21.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
通过使用极紫外光(EUV)源生成和输出EUV；
通过使用第一照明光学器件将EUV传递到EUV掩模；
通过使用投影光学器件将从EUV掩模所反射的EUV投影到晶片上，所述晶片是曝光目标；
通过使用激光装置生成和输出激光束；
通过使用第二照明光学器件形成激光束的照明形状；
将具有照明形状的激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上；
对晶片进行图案化；以及
对晶片执行随后的半导体工艺；
其中，照射激光束包括通过使用二元光栅、狭缝板或数字微反射镜装置(DMD)中的至少一个形成激光束的照明形状。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，照射激光束还包括通过使用激光装置经过第二照明光学器件加热至少一个反射镜的一部分。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，照射激光束还包括通过使用布置在至少一个反射镜的后表面上的温度传感器来计算要施加到至少一个反射镜的能量的量。
24.根据权利要求21所述的方法，其中，照射激光束还包括：
通过使用布置在至少一个反射镜的后表面上的温度传感器确定第一部分，所述第一部分是要施加激光束的部分；和
计算要施加到第一部分的能量的量。
CN201910628673.4A 2018-10-18 2019-07-12 极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法 Active CN111077739B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0124576 2018-10-18
KR1020180124576A KR20200043767A (ko) 2018-10-18 2018-10-18 Euv 노광 장치와 노광 방법, 및 그 노광 방법을 포함한 반도체 소자 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111077739A CN111077739A (zh) 2020-04-28
CN111077739B true CN111077739B (zh) 2024-04-09

Family

ID=70280487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910628673.4A Active CN111077739B (zh) 2018-10-18 2019-07-12 极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10809624B2 (zh)
KR (1) KR20200043767A (zh)
CN (1) CN111077739B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210007275A (ko) 2019-07-10 2021-01-20 삼성전자주식회사 오버레이 보정 방법, 및 그 보정 방법을 기초로 한 포토리소그라피 방법, 반도체 소자 제조방법 및 스캐너 시스템
US11243478B2 (en) * 2019-07-31 2022-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for thermal management of reticle in semiconductor manufacturing
US20210302824A1 (en) * 2020-03-30 2021-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fully Reflective Phase-Edge Mask for EUV Lithography
JP2023053800A (ja) * 2021-10-01 2023-04-13 キヤノン株式会社 基板上の複数のショット領域の配列を求める方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、プログラム及び情報処理装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140608A1 (de) 2001-08-18 2003-03-06 Zeiss Carl Vorrichtung zur Justage eines optischen Elements
JP2005109158A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Canon Inc 冷却装置及び方法、それを有する露光装置、デバイスの製造方法
JP2005175187A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Canon Inc 光学部材、冷却方法、冷却装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス
DE102004047533A1 (de) 2004-09-30 2006-04-06 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur Temperierung von Elementen
US7372633B2 (en) 2006-07-18 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, aberration correction device and device manufacturing method
US8766212B2 (en) 2006-07-19 2014-07-01 Asml Netherlands B.V. Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering
WO2009148976A1 (en) 2008-06-03 2009-12-10 Brion Technologies, Inc. Lens heating compensation methods
EP2169464A1 (en) * 2008-09-29 2010-03-31 Carl Zeiss SMT AG Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
CN102472974B (zh) * 2009-07-17 2014-05-07 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备以及测量有关包含在其中的光学表面的参数的方法
KR102002269B1 (ko) 2010-07-30 2019-07-19 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 노광 장치
DE102010061950A1 (de) * 2010-11-25 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Anordnung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
WO2012097833A1 (en) 2011-01-20 2012-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a projection exposure tool
KR20130023423A (ko) 2011-08-29 2013-03-08 정성현 차량용 블랙박스 시스템
DE102011113521A1 (de) * 2011-09-15 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102011085358B3 (de) 2011-10-28 2012-07-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie und Verfahren zum Konfigurieren einer solchen optischen Anordnung
DE102012201075A1 (de) 2012-01-25 2013-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, EUV-Lithographieanlage und Verfahren zum Konfigurieren einer optischen Anordnung
KR101991405B1 (ko) 2012-09-19 2019-06-20 삼성전자주식회사 빔 형상기, 이를 구비하는 레이저 어닐링 시스템 및 이 시스템을 이용하여 반사형 포토 마스크를 제작하는 방법
US9389180B2 (en) 2013-02-15 2016-07-12 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for use with extreme ultraviolet light having contamination protection
DE102014203144A1 (de) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102014204171A1 (de) 2014-03-06 2015-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und optische Anordnung damit
JP2016042498A (ja) 2014-08-13 2016-03-31 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP6422307B2 (ja) 2014-11-05 2018-11-14 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111077739A (zh) 2020-04-28
US10809624B2 (en) 2020-10-20
US10969691B2 (en) 2021-04-06
US20200393767A1 (en) 2020-12-17
KR20200043767A (ko) 2020-04-28
US20200124975A1 (en) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111077739B (zh) 极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法
TWI476536B (zh) 微影裝置
JP5295939B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5335108B2 (ja) 照明系、リソグラフィ装置および方法
KR102257460B1 (ko) 리소그래피 공정 모니터링 방법
US11921421B2 (en) Overlay correcting method, and photolithography method, semiconductor device manufacturing method and scanner system based on the overlay correcting method
TW200525281A (en) Method and apparatus for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
TW202107196A (zh) 在半導體製造中對光罩進行熱管理的系統及方法
KR100558195B1 (ko) 광도 보정 방법과 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 광도보정 장치와 노광 장치
TWI548952B (zh) 微影投影曝光裝置及其操作方法
JP3905081B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2008283178A (ja) リソグラフィ装置および方法
US7737420B2 (en) Pixelated modulation of illumination pupil image
CN113552775A (zh) Euv曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法
JP3958261B2 (ja) 光学系の調整方法
JP4848229B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR101791729B1 (ko) 노출 강도를 조정함으로써 극성 불균형을 감소시키는 방법 및 시스템
JP6390879B2 (ja) 照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US20240152046A1 (en) Method of controlling semiconductor process and semiconductor processing apparatus
JP7431319B2 (ja) リソグラフィプロセスのサブフィールド制御及び関連する装置
KR20230166787A (ko) Uv렌즈 조절을 통해 패턴 위치 변경이 가능한 oled 마스크 노광장치
JP2006074045A (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、較正方法およびコンピュータ・プログラム製品
CN118068652A (zh) 校正euv套准的方法和包括该方法的制造半导体装置的方法
KR20240066624A (ko) 반도체 공정의 제어 방법 및 반도체 공정 장치
CN118033984A (zh) 叠加校正方法以及曝光方法和半导体器件制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant