KR20060074870A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060074870A KR20060074870A KR1020050129720A KR20050129720A KR20060074870A KR 20060074870 A KR20060074870 A KR 20060074870A KR 1020050129720 A KR1020050129720 A KR 1020050129720A KR 20050129720 A KR20050129720 A KR 20050129720A KR 20060074870 A KR20060074870 A KR 20060074870A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- array
- radiation
- point
- diffusion function
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 리소그래피 장치에 있어서,방사선의 서브-빔들(sub-beams)의 어레이로서 기판상으로 방사선의 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;방사선의 상기 서브-빔들을 변조(modulate)하도록 구성된 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이; 및요청된 패턴을 상기 기판상에 실질적으로 형성하기 위해서, 상기 요청된 패턴을 정의하는 데이터를, 상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제어하기에 적합한 제어 신호로 전체적으로 또는 부분적으로 변환(convert)하도록 배치된 1이상의 데이터 처리 디바이스(data manipulation device)를 포함하는 데이터 경로를 포함하여 이루어지고,상기 1이상의 데이터 처리 디바이스는, 점-확산 함수 행렬의 의사-역행렬 형태(a pseudo-inverted form of a point-spread function matrix)를, 상기 요청된 패턴을 나타내는 컬럼 벡터(column vector)에 적용함으로써, 상기 변환을 수행하도록 배치되며, 상기 점-확산 함수 행렬은, 주어진 시간에 방사선의 상기 서브-빔들 중 하나에 의해 상기 기판상에 노광될 스폿들의 점-확산 함수의 상대 위치 및 형상에 관한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 의사-역행렬(pseudo-inverted matrix)은 상기 점-확산 함수 매트릭스의 특이 값 분해(singular value decomposition)에 의해 얻어지는 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,임계 크기(thresh magnitude)보다 낮은 크기를 갖는 상기 점-확산 함수 행렬의 특이 값들은, 역변환(inversion) 이전에 배제(exclude)되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 임계 크기는 최대 특이 값의 진폭(amplitude)의 약 10%인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 컬럼 벡터는, 상기 기판상의 복수의 그리드 위치들(grid positions)에 정의된 바와 같은 상기 요청된 패턴을 나타내는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 디바이스 제조 방법에 있어서,방사선의 서브-빔들의 어레이로서 기판상으로 방사선의 빔을 투영하는 단계;개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 이용하여 방사선의 상기 서브-빔들을 변조하는 단계; 및요청된 패턴을 상기 기판상에 실질적으로 형성하기 위해서, 상기 요청된 패턴을 정의하는 데이터를, 상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 상기 어레이를 제어하기에 적합한 제어 신호로의 전체적인 또는 부분적인 변환을 데이터 경로내의 데이터 처리 디바이스에서 실행하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 데이터의 전체적인 또는 부분적인 변환은, 상기 요청된 패턴을 나타내는 컬럼 벡터에 점-확산 함수 행렬의 의사-역행렬 형태를 적용함으로써 수행되며, 상기 점-확산 함수 행렬은, 주어진 시간에 방사선의 상기 서브-빔들 중 하나에 의해 상기 기판상에 스폿들의 점-확산 함수의 상대 위치 및 형상에 관한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 의사-역행렬은,상기 점-확산 함수 행렬을 분해하고, SVD(Singular Value Decomposition) 방법을 이용하여 그 특이 값들을 얻는 단계; 및상기 분해된 점-확산 함수 행렬에 기초하여 상기 점-확산 함수 행렬의 의사-역행렬을 얻는 단계에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,임계 크기보다 낮은 크기를 갖는 상기 점-확산 함수 행렬의 특이 값들은, 역변환 이전에 배제되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 임계 크기는 최대 특이 값의 진폭의 약 10%인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 컬럼 벡터는, 상기 기판상의 복수의 그리드 위치들에 정의된 바와 같은 상기 요청된 패턴을 나타내는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/020,642 | 2004-12-27 | ||
US11/020,642 US7126672B2 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060074870A true KR20060074870A (ko) | 2006-07-03 |
KR100734594B1 KR100734594B1 (ko) | 2007-07-02 |
Family
ID=35892520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050129720A KR100734594B1 (ko) | 2004-12-27 | 2005-12-26 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7126672B2 (ko) |
EP (1) | EP1674934B1 (ko) |
JP (1) | JP4223036B2 (ko) |
KR (1) | KR100734594B1 (ko) |
CN (1) | CN100524030C (ko) |
DE (1) | DE602005007563D1 (ko) |
SG (1) | SG123688A1 (ko) |
TW (1) | TW200629000A (ko) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8994920B1 (en) | 2010-05-07 | 2015-03-31 | Kenneth C. Johnson | Optical systems and methods for absorbance modulation |
US9188874B1 (en) | 2011-05-09 | 2015-11-17 | Kenneth C. Johnson | Spot-array imaging system for maskless lithography and parallel confocal microscopy |
US9097983B2 (en) * | 2011-05-09 | 2015-08-04 | Kenneth C. Johnson | Scanned-spot-array EUV lithography system |
US7126672B2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317510B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1696273B1 (en) * | 2005-02-23 | 2008-08-06 | ASML MaskTools B.V. | Method and apparatus for optimising illumination for full-chip layer |
US7209275B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-04-24 | Asml Holding N.V. | Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation |
DE102006019963B4 (de) * | 2006-04-28 | 2023-12-07 | Envisiontec Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung |
US7695950B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-04-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Δ5 desaturase and its use in making polyunsaturated fatty acids |
US7707538B2 (en) * | 2007-06-15 | 2010-04-27 | Brion Technologies, Inc. | Multivariable solver for optical proximity correction |
US20090199152A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Methods and apparatuses for reducing mura effects in generated patterns |
KR101680754B1 (ko) * | 2010-02-18 | 2016-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 헤드의 중첩 거리 결정 방법 및 이를 이용한 디지털 노광 장치 |
JP5709465B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 描画装置、および、物品の製造方法 |
US8660786B2 (en) * | 2011-08-17 | 2014-02-25 | Raytheon Company | Positioning module |
NL2009761A (en) * | 2011-11-29 | 2013-05-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program. |
NL2009817A (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program. |
WO2013107595A1 (en) | 2012-01-17 | 2013-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8584057B2 (en) * | 2012-03-01 | 2013-11-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Copmany, Ltd. | Non-directional dithering methods |
WO2013146184A1 (ja) | 2012-03-26 | 2013-10-03 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、処理装置及びデバイス製造方法 |
WO2014140047A2 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Micronic Mydata AB | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors |
US9754360B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-09-05 | The Research Foundation For The State University Of New York | Determination of spatial distribution of charged particle beams |
JP6723564B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2020-07-15 | 株式会社ピーエムティー | 露光方法 |
KR102637105B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | 영상 데이터를 처리하는 방법 및 장치 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5296891A (en) * | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
WO1997034171A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-18 | Johnson Kenneth C | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6720565B2 (en) * | 1999-06-30 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Real-time prediction of and correction of proximity resist heating in raster scan particle beam lithography |
KR100827874B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
US7050155B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-05-23 | Pixelligent Technologies Llc | Advanced exposure techniques for programmable lithography |
KR20050044369A (ko) * | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마스크없는 광자-전자 스팟-그리드 어레이 프린터 |
US6897941B2 (en) * | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP3563384B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
TWI298825B (en) | 2002-06-12 | 2008-07-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG125970A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-10-30 | Asml Masktools Bv | Feature optimization using interference mapping lithography |
US7317510B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7126672B2 (en) | 2004-12-27 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-12-27 US US11/020,642 patent/US7126672B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-06 SG SG200507861A patent/SG123688A1/en unknown
- 2005-12-14 TW TW094144281A patent/TW200629000A/zh unknown
- 2005-12-15 EP EP05257741A patent/EP1674934B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-15 DE DE602005007563T patent/DE602005007563D1/de active Active
- 2005-12-23 CN CNB2005100035482A patent/CN100524030C/zh active Active
- 2005-12-26 KR KR1020050129720A patent/KR100734594B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-26 JP JP2005371835A patent/JP4223036B2/ja active Active
-
2006
- 2006-10-12 US US11/546,394 patent/US7239373B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100524030C (zh) | 2009-08-05 |
CN1797207A (zh) | 2006-07-05 |
US20060139600A1 (en) | 2006-06-29 |
JP2006186364A (ja) | 2006-07-13 |
KR100734594B1 (ko) | 2007-07-02 |
EP1674934A1 (en) | 2006-06-28 |
TW200629000A (en) | 2006-08-16 |
US7239373B2 (en) | 2007-07-03 |
DE602005007563D1 (de) | 2008-07-31 |
EP1674934B1 (en) | 2008-06-18 |
US20070030470A1 (en) | 2007-02-08 |
US7126672B2 (en) | 2006-10-24 |
JP4223036B2 (ja) | 2009-02-12 |
SG123688A1 (en) | 2006-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100734594B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP4386886B2 (ja) | リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法 | |
KR100674225B1 (ko) | 잠재 오버레이 메트롤로지 | |
JP4448819B2 (ja) | リソグラフィ装置及び六角形画像グリッドを使用するデバイス製造方法 | |
KR100660501B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP4320319B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US7728956B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data | |
JP5112662B2 (ja) | リソグラフィ装置及びレチクル誘導cduを補償するデバイス製造方法 | |
JP5261442B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
KR100598636B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR100632887B1 (ko) | 격자 패치 배치, 리소그래피 장치, 검사 방법, 디바이스제조방법 및 이에 의해 제조된 디바이스 | |
KR101474894B1 (ko) | 리소그래피 장치의 프로그램가능 패터닝 디바이스를 제어하는 방법, 디바이스 제조방법, 및 리소그래피 장치 | |
JP4791179B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130614 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140616 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150619 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160621 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170616 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180619 Year of fee payment: 12 |