KR100660501B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100660501B1
KR100660501B1 KR1020050129853A KR20050129853A KR100660501B1 KR 100660501 B1 KR100660501 B1 KR 100660501B1 KR 1020050129853 A KR1020050129853 A KR 1020050129853A KR 20050129853 A KR20050129853 A KR 20050129853A KR 100660501 B1 KR100660501 B1 KR 100660501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
localized
array
data
substrate
sub
Prior art date
Application number
KR1020050129853A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060074880A (ko
Inventor
마르첼 본테코에
파트리시우스 알로이시우스 야코부스 틴네만스
람베르투스 게라르두스 마리아 케셀스
하셀 마르코 코르넬리스 야코부스 마르티누스 반
보우터 프란스 빌렘 물크후이제
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20060074880A publication Critical patent/KR20060074880A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100660501B1 publication Critical patent/KR100660501B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

리소그래피 장치는 방사선 서브-빔들의 어레이로서 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템 및 기판상에 요청되는 도즈 패턴을 형성시키기 위하여 방사선 서브-빔들을 모듈레이팅하도록 구성되는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 포함한다. 상기 요청되는 도즈 패턴은 적어도 이웃하는 국부화된 노광들이 실질적으로 상이한 시간에 묘화되고 각각의 국부화된 노광이 방사선 서브-빔들 중 하나에 의해 생성되는 국부화된 노광들의 어레이로부터 시간에 걸쳐 조성된다. 리소그래피 장치는 또한, 요청되는 도즈 패턴을 형성하는 데이터를 패턴내의 대응되는 포인트들의 시퀀스에서의 요청되는 도즈를 나타내는 데이터의 시퀀스로 전환시키도록 구성된 래스터라이저 디바이스, 및 데이터의 시퀀스를 수용하고 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제어하기에 적합한 제어신호를 구성하도록 구성되는 데이터 조작 디바이스를 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 명세서에 채용되고 그 일부를 형성하는 첨부도면들은 본 발명을 예시하며, 나아가 설명부와 함께 본 발명의 원리들을 설명하고 당업자들이 본 발명을 구성 및 사용할 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이, 마이크로 렌즈 어레이 및 이에 의해 형성되는 스폿 격자의 일 부분의 측면도;
도 3은 노광된 스폿 격자의 형성을 나타낸 도;
도 4는 데이터 경로내의 데이터 조작 디바이스를 나타낸 도;
도 5 및 6은 인접한 국부화된 노광들을 위한 콘텍스트 정보를 사용하는 구성들을 나타낸 도이다.
이하, 본 발명은 첨부도면을 참조하여 설명될 것이다. 도면들에 있어, 같은 참조부호들을 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 수 있다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판(예를 들어, 작업대상물(workpiece), 대상물, 디스플레이 등)의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC), 평판 디스플레이 및 미세 구조체 관련 여타 디바이스들의 제조시에 사용될 수 있다. 종래 리소그래피 장치에서, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝수단이 IC(또는 여타 디바이스)의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선감응재(예를 들어, 레지스트) 층을 가지는 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼 또는 유리판)상의 (예를 들어, 다이의 일부, 또는 하나의 다이 또는 수개의 다이를 포함하는) 타겟부상에 묘화(imaging)될 수 있다. 패터닝수단은, 마스크 대신에 회로 패턴을 생성하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 어레이들을 활용하는 리소그래피 시스템은 일반적으로 마스크 없는 시스템이라 기술된다.
일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상으로 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스테퍼, 및 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스캐너를 포함한다.
기판상에 생성될 제품 패턴은, 예를 들어 GDS Ⅱ(Graphic Design System Ⅱ) 포맷에 따라 벡터 디자인 패키지를 사용하여 형성될 수 있다. 마스크 없는 (maskless) 시스템에서, 이러한 디자인 패키지로부터의 출력 파일은 추가 처리 스테이지를 더 포함할 수 있는 데이터 경로를 통해 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로 전송되는 제어신호를 유도하도록 처리된다. 제어신호는 어레이에 의해 패터닝될 각각의 방사선 플래시에 대해 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 각 요소의 스위칭을 관리하기 위한 정보들을 포함한다(통상적인 스트로브 주파수들은 이 응용례에 대해 50kHz의 영역내에 있음). 이러한 데이터의 볼륨으로 전달하는데 필요한 대역폭은 엄청나게 클 수 있다. 이 상황은 데이터 경로에서(즉, 출력 파일과 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 사이에서) 발생하는 데이터 전환 및 최적화 처리에 의해 악화된다. 이들 데이터 처리 단계는 (방대한 볼륨의 데이터를 저장해야 하는 것을 회피하고 장치 조건에서의 변화들에 반응할 수 있도록 하기 위해) 흔히 묘화시에 구현되며, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로 전달되는 데이터 부분들에 대한 액세스를 필요로 한다. 요청되는 이미지가 기판에 기록될 수 있는 정확성 및 속도와 관련된 제한 및/또는 비용의 추가적인 증가를 야기하는 상술된 데이터 처리를 수용하기 위해서는 데이터 경로내에 높은 속도의 처리수단 및 추가의 높은 대역폭의 연결부들이 채용될 필요가 있다.
따라서, 마스크 없는 리소그래피 시스템의 데이터 경로에서 이용가능한 대역폭의 보다 효율적인 사용을 가능하게 하는 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법이 필요하다.
일 실시예에 따르면, 투영시스템, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이, 래스터라이저 디바이스(rasterizer device) 및 데이터 조작 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 투영시스템은 방사선 서브-빔들의 어레이로서 기판상에 방사선 투영빔을 투영하도록 구성된다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는 기판상에 요청되는 도즈 패턴을 실질적으로 형성시키기 위해 방사선 서브-빔들을 모듈레이팅하도록 구성된다. 요청되는 도즈 패턴은, 적어도 이웃하는 국부화된 노광들이 실질적으로 상이한 시간에 묘화되고 각각의 국부화된 노광이 방사선 서브-빔들 중 하나에 의해 생성되는 국부화된 노광들의 어레이로부터 시간에 걸쳐 조성된다. 래스터라이저 디바이스는, 요청되는 도즈 패턴을 형성하는 데이터를 패턴내의 포인트들의 대응 시퀀스에서 요청되는 도즈를 나타내는 데이터의 시퀀스로 전환하도록 구성된다. 데이터 조작 디바이스는, 데이터의 시퀀스를 수용하고 그로부터 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제어하기에 적합한 제어신호를 구성하도록 이루어진다. 데이터 조작 디바이스는 각각의 국부화된 노광을 위한 원하는 서브-빔 세기를 계산하여 요청되는 도청 패턴을 재생성하도록 구성된다. 각각의 국부화된 노광에 대해, 상기 계산은 국부화된 노광 주위의 기판상의 영역에서의 요청되는 도즈 패턴을 포함하는 콘텍스트 정보를 기초로 한다. 데이터 조작 디바이스는 데이터 시퀀스의 일 부분을 저장하도록 구성되는 메모리 버퍼를 포함한다. 데이터 조작 디바이스는 또한, 메모리 버퍼에 의해 제공되는 콘텍스트 정보를 기초로 하여 복수의 이웃하는 국부화된 노광들에 대해 원하는 서브-빔 세기를 계산하도록 구성되는 원하는 서브-빔 세기 계산장치를 포함한다.
또 다른 실시예에 따르면, 방사선 빔을 방사선 서브-빔들의 어레이로서 기판상에 투영하는 단계; 상기 기판상에 요청되는 도즈 패턴을 실질적으로 형성시키기 위하여 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로 방사선의 서브-빔들을 모듈레이팅하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다. 요청되는 도즈 패턴은, 적어도 이웃하는 국부화된 노광들이 실질적으로 상이한 시간에 묘화되고, 각각의 국부화된 노광이 방사선 서브-빔들 중 하나에 의해 생성되는 국부화된 노광들의 어레이로부터 시간에 걸쳐 조성된다. 또한, 상기 방법은, 요청되는 도즈 패턴을 형성하는 데이터를, 패턴내의 포인트들의 대응되는 시퀀스에서의 요청되는 도즈를 나타내는 데이터의 시퀀스로 전환하는 단계; 데이터 조작 디바이스에서의 데이터의 시퀀스를 수신하는 단계; 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제어하기에 적합한 데이터 조작 디바이스에서의 제어신호를 구성하는 단계; 및 데이터 조작 디바이스에서 각각의 국부화된 노광을 위한 원하는 서브-빔 세기를 계산하여 상기 요청되는 도즈 패턴을 재생성시키는 단계를 더 포함한다. 각각의 국부화된 노광을 위하여, 상기 계산은 국부화된 노광 주위의 기판상의 영역에 요청되는 도즈 패턴을 포함하는 콘텍스트 정보를 기초로 한다. 데이터 조작 디바이스는 데이터 시퀀스의 일 부분을 저장하도록 구성되는 메모리 버퍼를 포함한다. 또한, 데이터 조작 디바이스는 메모리 버퍼에 의해 제공되는 콘텍스트 정보를 기초로 하여 복수의 이웃하는 국부화된 노광들을 위한 원하는 서브-빔 세기를 계산하도록 구성된 원하는 서브-빔 세기 계산장치를 포함한다.
본 발명의 추가 실시예들, 특징들 및 장점들과, 본 발명의 다양한 실시예들 의 구조 및 작동에 대해서는 첨부도면을 참조하여 상세히 후술된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용에 대하여 언급하였으나, 본 명세서에서 기술된 리소그래피 장치는 DNA 칩들, MEMS(micro-electromechanical system), MOEMS(micro-optical-electromechanical system), 집적 광학시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 박막 자기 헤드, 마이크로 및 매크로 유체 디바이스 등의 제조 등과 같은 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판 처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 채택되는 "개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이"라는 용어는, 원하는 패턴이 기판의 타겟부내에 형성될 수 있도록 입사 방사선 빔에 패터닝된 단면을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)" 및 "공간 광 변조 기(Spatial Light Modulator; SLM)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 이하, 이러한 패터닝장치의 예시에 대해 개시된다.
프로그래밍가능한 거울 어레이는 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)을 포함할 수 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, 예를 들어 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다.
적절한 공간 필터를 사용하면, 필터는 회절광을 필터링하여, 비회절광이 남게해 기판에 도달할 수 있도록 한다. 이러한 방식으로, 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 대안례로서, 반사된 빔으로부터 비회절광이 필터링되어, 회절광을 남게해 기판에 도달하게 할 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 회절 광학 MEMS(micro electrical mechanical system) 디바이스의 어레이가, 위와 대응되는 방식으로 사용될 수도 있다. 각각의 회절 광학 MEMS 디바이스는, 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자(grating)를 형성하도록 서로에 대해 변형(deform)될 수 있는 복수의 반사 리본(reflective ribbon)들을 포함할 수 있다.
추가 대안실시예에는, 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전 작동 수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축선을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용한 프로그래밍가능한 거울 어레이가 포함될 수 있다. 마찬가지로, 상기 거울들은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울들은 입사되는 방사선 빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사시킬 것이다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울들의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단을 사용하여 수행될 수 있다.
상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는 1이상의 프로그래밍가능한 거울 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 거울 어레이에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 이들은 본 명세서에 인용 참조되고 있다. 프로그래밍가능한 LCD 어레이 또한 사용될 수 있다. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다.
예를 들어, 피처들의 프리-바이어싱(pre-biasing), 광 근접성 보정 피처들, 위상 변화 기술 및 다중 노광 기술들이 사용되는 경우, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상에 "디스플레이된" 패턴은 기판의 또는 기판상의 소정 층으로 최종적으로 전사(transfer)된 패턴과 실질적으로 상이할 수도 있음을 이해하여야 한다. 이와 유사하게, 기판상에 최종적으로 생성된 패턴은 어느 한 순간에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상에 형성된 패턴과 일치하지 않을 수도 있다. 이는 기판의 각 부분상에 형성된 최종 패턴이 주어진 시간 주기 또는 주어진 노광 횟수에 따라 만들어진 구성의 경우일 수 있으며, 그 동안에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상의 패턴 및/또는 기판의 상대적인 위치가 변경된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 408, 355, 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, 및 (예를 들어, 파장이 5-20㎚범위에 있는) 극자외(EUV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절한, 굴절 광학시스템, 반사 광학시스템, 및 카타디옵트릭 광학시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
또한, 조명시스템은 방사선의 빔의 지향, 성형 또는 제어를 위한 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학 구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학 구성요소를 포괄할 수 있으며, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들이 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고도 언급될 수 있을 것이다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 대상물(또는 기판) 테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는, 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지시키는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피장치에서, 예를 들어 프로그래밍가능한 마스크(즉, 제어가능한 요소들의 어레이)와 투영시스템의 제1요소 사이 및/또는 투영시스템의 제1요소와 기판사이의 다른 공간들에 적용될 수도 있다. 침지 기술(immersion technique)은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다.
또한, 상기 장치에는, (예를 들어, 기판에 화학제품을 선택적으로 적용하거나 기판의 표면 구조를 선택적으로 수정하기 위하여) 유체와 기판의 조사된 부분들간의 상호작용을 가능하게 하는 유체 처리 셀이 제공될 수도 있다.
리소그래피 투영장치
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(100)는 적어도 방사선시스템(102), 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104), 대물테이블(106)(예를 들어, 기판테이블), 및 투영시스템("렌즈")(108)을 포함한다.
방사선시스템(102)은 방사선(예를 들어 UV 방사선)의 빔(110)을 공급하는데 사용될 수 있으며, 특히 이 경우에는 방사선 소스(112)를 포함할 수도 있다.
개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)(예를 들어, 프로그램가능한 거울 어레이)는 빔(110)에 패턴을 적용시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 위치는 투영시스템(108)에 대해 고정될 수 있다. 하지만, 대안적인 구성에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 투영시스템(108)에 대해 그것을 정확히 위치시키는 위치설정 디바이스(도시 안됨) 에 연결될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 개별적으로 제어가능한 요소들(104)은 (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소들의 반사형 어레이를 가지는) 반사형으로 구성된다.
대물테이블(106)에는 기판(114)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판)을 잡아주는 기판홀더(상세히 도시되지는 않음)가 제공될 수 있으며, 대물테이블(106)은 투영시스템(108)에 대해 기판(114)을 정확히 위치시키는 위치설정 디바이스(116)에 연결될 수 있다.
투영시스템(108)(예를 들어, 거울 시스템 또는 쿼츠 및/또는 CaF2 물질로 만들어진 렌즈 요소를 포함하는 쿼츠 및/또는 CaF2 렌즈 시스템 또는 카타디옵트릭 시스템)은 기판(114)의 타겟부(120)(예를 들어, 1이상의 다이)상에 빔 스플리터(beam splitter; 118)로부터 수용된 패터닝된 빔을 투영하는데 사용될 수 있다. 투영시스템(108)은 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 이미지를 기판(114)상에 투영시킬 수도 있다. 대안적으로, 상기 투영시스템(108)은, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 요소들이 셔터들로서 기능하는 2차 소스(secondary source)들의 이미지들을 투영시킬 수도 있다. 또한, 투영시스템(108)은, 2차 소스들을 형성하고 기판(114)상에 마이크로스폿(microspot)들을 투영시키기 위해, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수도 있으며, 이에 대해서는 보다 상세히 후술된다.
소스(112)(예를 들어, 주파수 삼중(tripled) Nd:YAG 레이저)는 방사선의 빔 (122)을 생성할 수 있다. 상기 빔(122)은, 곧바로, 또는 예를 들어 빔 익스팬더(126)와 같은 컨디셔닝 디바이스(126)를 거친 후에, 조명시스템(일루미네이터)(124)으로 공급된다. 일루미네이터(124)는 빔(122)의 스폿 크기를 조정하도록 줌을 설정하는 조정장치(128)를 포함할 수 있다. 또한, 일루미네이터(124)는 일반적으로 스폿 생성기(130) 및 콘덴서(132)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 다음의 것들로 제한되는 것은 아니지만, 스폿 생성기(130)는, 예를 들어 굴절 또는 회절 격자, 분할(segmented) 거울 어레이, 웨이브가이드 등일 수 있다. 이러한 방식으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상에 입사되는 빔(110)은 원하는 줌, 스폿 크기, 균일성 및 그 단면에서의 세기 분포를 갖는다.
도 1과 관련하여, 상기 소스(112)는 리소그래피 투영장치(100)의 하우징내에 놓일 것이다. 대안실시예에서, 상기 소스(112)는 리소그래피 투영장치(100)로부터 멀리 떨어져 있을 수도 있다. 이 경우, 방사선 빔(122)은 (가령, 적절한 지향 거울에 의해) 상기 장치(100)안으로 지향될 수도 있다. 본 발명의 범위내에는 이 두 시나리오가 모두 고려되어 있음을 이해하여야 할 것이다.
이어서, 상기 빔(110)은 빔 스플리터(118)를 이용하여 지향된 후에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)를 거친다(intercept). 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)에 의하여 반사되면, 상기 빔(110)은 투영시스템(108)을 통과하여 기판(114)의 타겟부(120)상에 상기 빔(110)을 포커싱한다.
위치설정 디바이스(116){및 빔 스플리터(140)를 통해 간섭계 빔(138)을 수용하는 베이스 플레이트(base plate;136)상의 선택적 간섭계 측정 디바이스(134)}의 도움으로, 대물테이블(106)은, 상기 빔(110)의 경로내에 상이한 타겟부(120)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 사용된다면, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)용 위치설정 디바이스는, 예를 들어 스캔 중에 상기 빔(110)의 경로에 대해 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 위치를 정확히 보정하는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 도 1에는 명확히 도시되어 있지 않으나, 대물테이블(106)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현된다. 또한, 유사한 시스템이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)를 위치시키는데 사용될 수도 있다. 요구되는 상대 이동을 제공하도록 대물테이블(106) 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)가 고정된 위치를 가지는 동안, 빔(110)이 대안적으로/추가적으로 이동될 수 있음을 이해할 것이다.
상기 실시예의 또 다른 구성에서는, 대물테이블(106)이 고정될 수도 있으며, 기판(114)이 상기 대물테이블(106)상에서 이동할 수 있다. 이것이 행해지면, 대물테이블(106)에는 평탄한 최상면상에 다수의 개구부들이 제공되며, 상기 개구부들을 통해 가스가 공급되어, 기판(114)을 지지할 수 있는 가스 쿠션(gas cushion)을 제공한다. 통상적으로, 이를 공기 베어링 구성(air bearing arrangement)이라 칭한다. 기판(114)은 상기 빔(110)의 경로에 대해 상기 기판(114)을 정확히 위치시킬 수 있는 1이상의 액추에이터(도시 안됨)를 이용하여 대물테이블(106)상에서 이동된다. 대안적으로, 상기 기판(114)은 상기 개구부들을 통해 가스를 선택적으로 공급 및 차단시킴으로써 대물테이블(106)상에서 이동될 수도 있다.
본 명세서에는 기판상의 레지스트를 노광하는 본 발명에 따른 리소그래피 장치(100)에 대해 기술되었으나, 본 발명은 이러한 용도로 제한되지 않으며 상기 장치(100)는 레지스트없는 리소그래피(resistless lithography)에서 사용하기 위한 패터닝된 빔(110)을 투영하는데 사용될 수도 있음을 이해해야 한다.
기술된 장치는 적어도 5가지 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드: 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 전체 패턴은 한번에{즉, 단일 "섬광(flash)"} 타겟부(120)상에 투영된다. 대물테이블(106)은 상이한 타겟부(120)가 패터닝된 빔(110)에 의해 조사(irradiate)되도록 상이한 위치에 대해 X 및/또는 Y 방향으로 이동된다.
2. 스캔 모드: 주어진 타겟부(120)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는다는 것을 제외하고는 본질적으로 스텝 모드와 동일하다. 대신에, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 v의 속도로 주어진 방향("스캔방향", 예를 들어 Y 방향)으로 이동가능해서, 패터닝된 빔(110)이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)에 걸쳐 스캐닝하도록 이루어진다. 이와 함께, 대물테이블(106)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동되며, 여기서 M은 투영시스템(108)의 배율이다. 이 방식으로, 비교적 큰 타겟부(120)가 분해능이 저하 없이 노광될 수 있다.
3. 펄스모드: 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 기본적으로 정지상태로 유지되며 전체 패턴은 펄스 방사선 시스템(102)을 사용하여 기판(114)의 타겟부(120)상에 투영된다. 대물테이블(106)은 패터닝된 빔(110)이 기판(114)을 가 로질러 라인을 스캐닝할 수 있도록 기본적으로 일정한 속도로 이동된다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 패턴은 방사선시스템(102)의 펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트되고, 연속적인 타겟부(120)가 기판(114)상의 요구되는 장소에서 노광되도록 펄스들이 시간조정된다(timed). 따라서, 패터닝된 빔(110)은 기판(114)의 스트립(strip)에 대해 전체(complete) 패턴을 노광시키도록 기판(114)을 가로질러 스캔할 수 있다. 상기 프로세스는 한 라인씩 전체 기판(114)이 노광될 때까지 반복된다.
4. 연속스캔모드: 실질적으로 일정한 방사선시스템(102)이 사용되고, 패터닝된 빔(110)이 기판(114)을 가로질러 스캔하고 그를 노광시킴에 따라 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 패턴이 업데이트되는 것을 제외하고는 본질적적으로 펄스모드와 동일하다.
5. 픽셀 격자 묘화 모드: 기판(114)상에 형성되는 패턴은 어레이(104)상으로 지향되는 스폿 제너레이터(spot generator:130)에 의해 형성되는 스폿들의 후속 노광에 의하여 실현된다. 노광되는 스폿들은 실질적으로 동일한 형상을 가진다. 기판(114)상에서 스폿들은 실질적으로 격자로 프린팅된다. 일 예시에서, 스폿의 크기는 프린팅된 픽셀 격자의 피치보다 더 크지만, 노광 스폿 격자보다 훨씬 더 작다. 프린팅된 스폿들의 세기를 변화시킴으로써, 패턴이 실현된다. 노광 플래시들 사이에서, 스폿들에 걸친 세기 분포는 변화된다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들을 채용할 수 있다.
묘화시스템
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 구성을 나타내고 있다. 도시된 구성에 따르면, 어레이(104)의 요소들의 그룹들은 "수퍼-픽셀"(10)로서 함께 묘화된다. 하지만, 수퍼-픽셀들을 사용하기 보다는 단일 픽셀들을 개별적으로 묘화하는 것이 본 발명의 범위내에 속한다. 각각의 (수퍼-)픽셀(10)은, 간략히 하기 위해 사이에 어퍼처 스톱(33)이 배치되는 2개의 단순한 렌즈(31, 32)로 이루어진 것으로 나타낸 광학시스템(30)을 통과하는 방사선의 서브-빔들(35)을 생성시킨다. 이 위치에서의 어퍼처 스톱(33)은 기판(114)에 도달하는 원하지 않는 방사선의 레벨을 저감시킬 필요가 있다. 각각의 (수퍼-)픽셀(10)로부터의 방사선은, 광학시스템(30)을 통과한 후에 기판(114) 표면의 "스폿"(20a-20d) 또는 국부화된 영역상에 각각의 서브-빔(35)을 포커싱하는 마이크로-렌즈 어레이(16)의 마이크로-렌즈(15)상에 입사된다. 수퍼-픽셀(10)을 위한 통상적인 구조는 도면에 도시되어 있으며 5x5 요소의 정방형 격자를 포함한다. 형성되는 스폿 격자(20)의 스폿들 각각의 세기는, 각각의 (수퍼-)픽셀(10)을 구성하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 요소들의 틸트를 제어함으로써 입사 레이저 광의 각각의 플래시에 대해 제어된다.
스폿 격자(20)의 스폿들의 분리부(separation)는 통상적으로 3미크론 정도인 통상적인 임계치수(CD)(묘화될 수 있는 최소 피처의 측정치)보다 훨씬 더 큰 300미크론 정도로 이루어질 수 있다. 국부화된 노광들의 보다 밀집된 패턴, 즉 "노광되는 스폿 격자"는 주기적인 플래싱 레이저 소스를 사용하고, 스캔 축선(Y)에 대해 작은 각도만큼 오프셋된 직사각형 스폿 격자의 축선(22)들 중 하나를 갖는 스캔 방향(Y)을 따라 기판을 이동시킴으로써 달성된다. 논의된 실시예에 따르면, 레이저는 50kHz로 플래싱하도록 구성되고, 기판은 초당 62.5mm의 속도로 이동된다. 그 결과 국부화된 노광들은 Y방향으로 1.25미크론만큼 분리된다. 스캔 방향(Y)에 대해 수직한 X방향으로의 분리부는 스폿 격자가 스캔 축선(Y)에 대해 이루는 각도에 따른다. (이 값들 및 여타 실시예들에 제공되는 값들은 예시에 지나지 않으며 제한의 의도는 없다.)
도 3에는 기판(114)상의 패턴 또는 균일한 도즈-맵을 생성시키도록 구성된 스폿-격자에 대한 제 때의(in time) 스냅샷을 나타내는 구조가 개략적으로 도시되어 있다. 채워진 원들은 주어진 시간의 스폿 격자의 스폿들 각각의 위치들을 나타내는 한편, 빈 원들은 보다 이른 시간에 기록된 스폿들을 나타낸다(즉, 그들은 노광된 스폿 격자에서 "국부화된 노광들"이라 언급되기도 하는 "노광된 스폿들"을 나타낸다). 명확히 하기 위해 오버랩 없이 도시되어 있으나, 각 스폿의 세기 프로파일은 통상적으로 그것의 이웃하는 것들과 오버랩되도록 구성된다. 기판(114)은 페이지에 대해 고정되어 유지되는 투영시스템(108) 및 스폿 격자에 대해 Y-축선을 따라 도면의 상부로 이동되고 있다. Y-축선에 대한 축선(22)의 각도는 명확히 하기 위해 과장되었으며, 작업 장치에 대해서는 훨씬 더 작은 각도가 이용될 수 있다(대응적으로 스폿 분리부(24) 대 스폿 분리부(26)의 비들은 예시에 나타낸 것보다 훨씬 더 크다). 스폿들(20a 내지 20d)은 도 2에서와 동일한 방식으로 참조부호가 부여된 포커싱된 빔들에 대응되지만, 축선(22)을 따라 본 것들이다.
본 발명의 일 실시예에 따라 사용되는 레이저 모드는 기판(114)에 이르는 줄곧 광학시스템을 통해 유지되는 Gaussian-형상의 세기 프로파일을 부여하는 TEM00이다. 하지만, 다른 레이저 모드들 및 세기 프로파일 또한 사용될 수 있다. 연속적인 세기의 패턴은 이웃하는 스폿들이 오버래핑되도록 구성함으로써 달성된다. 상술된 바와 같이, 기술된 실시예에 따른 가장 가까운 스폿 분리부는 1.25미크론이며 각각 연관된 Gaussian의 통상적인 표준편차는 대략 0.75미크론이다.
이러한 구성에 따르면, 스폿(41, 42)과 같은, Y방향으로 이웃하는 스폿들은 레이저 빔의 주기(0.02ms)만큼 분리되는 상대적으로 근접한 간격의 시간들로 묘화된다. 한편, 스폿(43, 44)과 같은, X방향으로 이웃하는 스폿들은 상당히 상이한 시간으로 묘화된다. 예를 들어, 스폿 격자의 스폿들간의 분리부가 320미크론인 경우에, X방향으로 노광될 다음 이웃하는 것을 위해 1.25㎛의 노광된 스폿 거리를 갖는 256개의 플래시가 필요할 것이다.
상술된 바와 같이, 제어신호는 데이터 경로를 따라 어레이(104)로 전달된다. 데이터 경로는 리소그래피 장치의 사용자에 의해 요청되는 방사선의 패턴 또는 도즈 맵을, 어레이(104)가 기판(114)상의 요청되는 도즈 맵을 생성하도록 하는 신호로 전환시키는 역할을 한다. 이 프로세스를 수행하기 위하여, 데이터 경로는, 요청되는 패턴의 (통상적으로 부분 처리되는) 버전을 포함하는 입사 데이터 스트림을 분석하고, 필요한 신호를 어레이(104), 또는 그것이 어레이(104)로 지나가기 이전에 데이터 스트림을 더 처리하는 장치로 출력하도록 구성되는, 도 4에 도시된 데이 터 조작 디바이스(50)를 포함하는 처리장치를 포함한다. 데이터 조작 디바이스(50)의 기능의 일부는, (예를 들어, 기판(114)에 대한 포인트들의 격자상에 형성될 수 있는) 요청되는 도즈-맵의 각 픽셀에 대하여 어레이(104)의 수퍼-픽셀들이 작동될 필요가 있는지, 어느 정도 필요한지 결정을 내리는 단계를 포함한다. 데이터 조작 디바이스(50)는 기판(114)상에 만들어질 국부화된 노광들 각각에 대한 최적의 서브-빔 세기를 효과적으로 계산한다. 그 다음, 요청되는 도즈-맵은, 스폿 격자가 기판(14)의 표면 위를 이동할 때 생성되는 국부화된 노광들의 어레이로부터 시간에 걸쳐 조성된다. 최적의 서브-빔의 세기를 갖는 어레이(104)를 제공하는 프로세스는, 레이저의 각 플래시에 대하여 각각의 수퍼-픽셀이, 기판 격자 요소들 중 하나보다 큰 기판상의 영역의 (불-균일한) 조명을 유발하여, 각각의 국부화된 노광에 대해, 원하는 서브-빔 세기가 어떠한 도즈 맵이 국부화된 노광을 둘러싼 영역에서 요청되었는지에 달려 있게 되도록 하는 점에서 복잡하다.
요청되는 도즈-맵은 기판(114)상의 격자 위치들 각각에서 요청되는 도즈를 나타내는 요소들을 포함하는 칼럼 벡터로서 표현될 수 있다. 요청되는 도즈-맵에서의 격자 위치들은 메트롤로지 프레임 좌표계내에서의 그들의 좌표: xMF, yMF에 대해 특성화될 수 있다. 상술된 바와 같이, 이 요청된 도즈-맵은 어레이(104)의 수퍼-픽셀들로부터 기인한 노광되는 스폿들의 수집으로부터 조성될 것이다. 이들 스폿 각각은 그들 세기의 단면 공간 종속성을 나타내는 특정 포인트-스프레드(point-spread) 함수를 가질 것이다. 또한, 스폿들을 포커싱하는데 사용되는 마이크로-렌 즈 어레이의 불규칙성으로 인해, 스폿 격자에서의 예측되는 그들의 위치들로부터 스폿들 각각의 위치 변동이 존재할 것이다. 스폿 위치와 스폿 포인트-스프레드 함수의 형상 둘 모두는 캘리브레이션 데이터 저장장치(52)를 통해 데이터 조작 디바이스(50)로 입력될 수 있다.
이러한 방식으로 이미지를 형성하는 프로세스는 픽셀 격자 묘화라 언급된다. 수학적으로, 요청되는 도즈-맵은, 각각의 스폿에 대한 포인트-스프레드 함수로 곱해지는 각 스폿에서 요청되는 세기의 모든 가능한 노광된 스폿들에 걸친 합과 동일하도록 설정된다. 이는 다음과 같은 등식으로 표현될 수 있다.
Figure 112005076334888-pat00001
여기서, In는 스폿 n에 대해 요청되는 개별 노광된 스폿 세기를 나타내고, PSFn((xMF-xn)(yFM-yn))은 포인트-스프레드 함수(스폿 n의 위치 xMF, yMF에서의 도즈 분포)를 나타내고, xn 및 yn은 개별 노광된 스폿의 위치를 나타내며, D(xMF, yMF)는 요청되는 도즈-맵을 나타낸다.
데이터 조작 디바이스(50)는 다음의 문제를 해결하도록 구성된다: 요청되는 도즈-맵 및 포인트-스프레드 함수 정보(캘리브레이션 데이터로서 제공됨)가 주어지면, 가능한 한 정확하게 요청되는 도즈-맵을 묘화하기 위해 제공될 필요가 있는 개별 노광 스폿 세기들(또는 그에 대응되는 원하는 서브-빔 세기들)은 어떤 것인가? 요청되는 패턴이 형성되는 각 격자 포인트에 대하여, 데이터 조작 디바이스(50)는 격자 포인트 영역의 다수의 노광된 스폿들에 대한 노광된 스폿 세기들에 대한 데이터를 수신 및 분석해야 한다. 이 정보는 나아가 격자 포인트 영역의 요청되는 패턴으로부터 유도된다. 일반적으로, "콘텍스트 반경"은 요청되는 패턴의 주어진 격자 포인트에 대해 형성될 수 있다. 상기 "콘텍스트 반경"은 특정 정확도로 해당 격자 포인트에서 원하는 패턴을 얻을 수 있는 방법을 계산할 때 고려되는 요청되는 패턴의 영역을 한정한다. 요청되는 콘텍스트 반경의 크기는 노광되는 스폿 격자를 위한 포인트-스프레드 함수의 (완벽하게 형성된 격자 위치들로부터의) 위치 편차 및 형상에 달려 있다. 통상적으로, 그것은 포인트 스프레드 함수의 표준편차의 수배에 이르도록 선택되며, 따라서 수 미크론에 걸쳐 연장 수 있다.
통상적인 적용에 있어서, 기판에 기록될 피처들의 개수는 엄청나게 많으며, 전체 요청되는 도즈 패턴을 나타내는 데이터는 어레이(104)를 피딩하는 데이터 경로의 하드웨어에 대해 아무때나(at any one time) 이용가능한 것은 아니다. 도 4에 도시된 바와 같이, 사용자에 의해 입력되는 원하는 패턴(400)의 기술적 표현(descriptive representation)을, 기판(114)상에 형성될 국부화된 노광들의 시퀀스에 실질적으로 대응되는 데이터의 시퀀스(후술되겠지만, 반드시 국부화된 노광들이 실제로 생성되는 동일한 시퀀스는 아님)로 전환하는 래스터라이저 디바이브(410)가 제공된다. 래스터라이징되는 요청되는 도즈 패턴을 나타내는 데이터는, 요청되는 패턴 모두가 기판(114)상에 기록될 때까지, 래스터라이저(410)에 의해 데이터 경로(70)에 걸쳐 소정 시간 주기를 통해 점진적으로 포워딩된다. 데이터 경로(70)에서 끊어진 라인 부분들은 패터닝 프로세스의 다른 실시형태들을 다루는 다른 데이터 조작 디바이스들을 포함할 수 있는 섹션들을 나타낸다. 상술된 바와 같이, 아무때나 주어진 서브-빔에 대해 적용하기 위한 원하는 서브-빔 세기는 관련 국부화된 노광의 위치 주위의 콘텍스트 영역내의 요청되는 도즈 패턴을 입력으로서 취하여 계산된다. 이 데이터는 래스터라이징된 데이터의 시퀀스로부터 얻어진다. 이웃하는 또는 부근 포인트들에 대한 계산은 유사한(즉, 오버래핑) 콘텍스트 정보를 필요로 하지만, 이러한 포인트들이 (특히, 스캐닝방향에 수직한 방향으로 이웃하는 포인트들에 대하여) 상이한 시간에 묘화되기 때문에, 이 정보는 데이터 경로 아래로 수회 보내져, 큰 데이터 대역폭에 대한 필요에 기여하고 장치가 작동할 수 있는 속도를 제한한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구성을 나타내고 있으며, 이웃하는 포인트들(또는 콘텍스트 반경에 대해 부근의 포인트들)에 대한 콘텍스트 정보의 오버래핑 특성은 필요한 전체 대역폭을 저감시키기 위해 활용된다. 래스터라이저(410)에 의하여 데이터의 시퀀스로서 포워딩된, 요청되는 도즈 맵의 적어도 일 부분을 저장하도록 구성되는 제1메모리 버퍼(60)(예를 들어, RAM과 같은 휘발성 메모리를 포함함) 및 상기 제1메모리 버퍼(60)에 연결되고 노광되는 스폿 격자의 각각의 국부화된 노광(즉, 노광된 스폿)에 대해 원하는(예를 들어, 최적의) 방사선 세기를 계산하도록 구성되는 원하는 서브-빔 세기 계산장치(62)를 포함하는 데이터 조작 디바이스(50)가 제공된다. 메모리 버퍼(60)는, 익스펠링된(예를 들어, 기록된(write over) 시간의 설정된 주기동안 데이터가 데이터 조작 디바이스(50)에 이르면 데이터를 저장한다. 메모리 버퍼(60)는 계산장치(62)가 오버래핑 콘텍스트 정보를 복수 회 얻을 수 있는 수단을 제공하며, 상기 정보가 없으면 래스터라이저(410)로부터 데이터 경로(70) 아래로 수회 보내져야만 한다. 메모리 버퍼(60)의 크기(그것이 래스터라이저(410)으로부터 보내지는 데이터의 주어진 블록을 저장할 수 있는 주기를 결정함)는, 기판상의 주어진 포인트에 대해 요청되는 도즈 패턴 데이터가 그것이 콘텍스트 정보로서 관련되어 있는 동안(즉, 해당 포인트에서 요청되는 패턴에 의해 잠재적으로 영향을 받는 포인트들에 대하여 어레이(104)에 대해 서브-빔 세기들을 출력하기 위해 계산장치를 취하는 동안) 계산장치(62)에 대해 이용가능하도록 선택될 수 있다. 따라서, 그것은 요청되는 도즈 패턴과 관련된 영역 또는 콘텍스트 반경의 크기에 달려 있다.
데이터 조작 디바이스는, 계산장치(62)에 의해 계산되는 원하는 국부화된 노광 세기들을 저장하도록 구성된 제2메모리 버퍼(64)(예를 들어, RAM과 같은 휘발서어 메모리를 포함함), 및 적절한 시간에 어레이의 적절한 요소들을 작동시키는데 필요한 정보를 어레이(104)에 제공하기 위해 계산장치(62)에 의해 출력되는 결과들로부터 제어신호를 조정하도록 구성되는 데이터 리-오더링(re-ordering) 디바이스(66)를 포함한다.
듀얼 버퍼 장치는, 노광되는 스폿 격자의 세기들이, 국부화된 노광들이 기판상에서 실제로 생성되는 순서로 지정되는 것과는 다른 최적의 방식으로 계산될 수 있도록 하기 때문에 유리하다. 이 형태는 제2메모리 버퍼(64)에 의해 달성되며, 상기 제2버퍼는, 계산후에 노광되는 스폿 격자 세기의 정보가 리-오더링되도록 하여, 계산이 수행되는 방식에 보다 나은 유연성을 부여한다. 이는, 콘텍스트 정보가 재- 사용될 수 있는 유효성을 향상시켜, 잠재적으로는 요구되는 대역폭을 더욱 저감시키고 요구되는 제1메모리 버퍼(60)의 크기 및 그것으로부터 데이터가 추출될 수 있는 효율성을 감소시킨다.
도 5 및 6은 콘텍스트 정보를 다루는 대안적인 구성들을 예시하고 있다. 도 5는 요구되는 도즈 패턴이 형성될 수 있는 포인트들을 나타내는 포인트(80)들의 격자를 예시하고 있다. 원(82, 83)은, 예를 들어 스캐닝 방향(Y) 또는 스캐닝 방향에 수직한 방향으로의 이웃하는 국부화된 노광들을 나타낸다. 상술된 바와 같이, 스폿(82, 83) 각각과 연관된 실제 방사선 도즈 분포는 불균일하게 연장되고 오버랩된다. 서로 접촉하는 빈 원들은, 명확히 하기 위해 국부화된 노광의 중심 및 다른 국부화된 노광이 노광 82와 83 사이의 위치에서 센터링된다는 관점에서 가장 가까이 이웃하여 국부화된 노광들이 존재한다는 사실을 나타내는데 사용되었다. 여기에서는 가장 가까이에 이웃한 것들은 나타내었으나, 데이터 조작 디바이스는 복수의 이웃하는 국부화된 노광들에 대한 원하는 서브-빔의 세기들을 계산하도록 구성된다. 본 명세서에서 "이웃하는(neighboring)"이라는 용어는, 몇몇 공유된 콘텍스트 정보가 존재하여 1이상의 버퍼를 포함함으로써 절감(saving)이 이루어지는 서브-빔의 세기들이 국부화된 노광들에 대해 계산된다는 것을 의미한다.
국부화된 노광들(82, 83) 각각은, 기판(114)상의 국부화된 노광 중심-포인트의 콘텍스트 반경내의 콘텍스트 정보를 고려하여 계산되는 세기를 가지고 생성될 수 있다. 국부화된 노광들(82, 83)에 대한 콘텍스트 정보를 형성하는 요청된 도즈-맵의 영역은 각각 원 84 및 85로 나타나 있다. 교차부의 영역은 공유된 콘텍스트 정보를 나타내고 연관된 포인트들(86)은 빈 원이 아닌 채워진 원으로서 나타나 있다.
본 실시예에 따른 데이터 조작 디바이스(50)는, 어레이(104)에 의해 필요한 순서에 따라 개별적으로 각각의 스폿에 대한 세기를 계산해야하기 보다는 하나의 작동시 복수의 국부화된 노광들 모두를 포함하는 노광되는 스폿 격자 부분을 계산함으로써 콘텍스트 데이터에서의 이러한 오버랩을 활용할 수 있다. 이는, 제어신호로서 어레이(104)로 보내지기 이전에 데이터가 리-오더링될 수 있도록 하는 메모리 버퍼(64)에 의해 가능해진다. 함께 처리될 노광되는 스폿의 세트는 공유된 콘텍스트 정보를 최대로 활용하고 계산이 수행될 수 있는 효율성은 최소화시키도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 요청되는 도즈 맵의 적절한 부분들에 계산장치(62)를 제공하는데에 시프트 레지스터 메모리 디바이스가 사용되는 경우에, 스폿들의 행을 하나씩 계산하도록 선택하는 것이 편리할 수 있다. 이러한 상황이 예를 들어 도 5에 예시되어 있다. 여기서, 하나의 노광된 스폿으로부터 다음의 것으로의 이동을 고려할 필요가 있는 추가적인 콘텍스트 정보는 전체 콘텍스트 반경과 연관되지 않고 단지 축소된 영역(87)과 연관된 것이라는 점을 알 수 있다. 시프트 레지스터 기구는, 계산을 수행하는데 필요한 정보를 계산장치(62)에 제공하기 위해 이미 저장된 데이터에 여분의 데이터를 부가하는 편리한 방식을 제공한다. 영역(88)에 속한 것과 같은 트레일링 데이터는 필요하다면 메모리장치로부터 퍼징(purge)될 수 있다. 이러한 구성은 불필요한 리-트랜스미션(re-transmission) 및 콘텍스트 정보의 리-라이팅(re-writing)을 회피한다.
콘텍스트 데이터는 또한 상이한 형상의 콘텍스트 영역들을 사용하여 포함될 수 있다. 도 6은 상술된 시프트 레지스터 기구를 사용하면 매우 잘 구현될 수 있는 구성을 나타낸다. 여기서는, 도 5의 84 및 85의 원형 영역보다는 직사각형 콘텍스트 영역들(89, 90)이 채용된다. 직사각형 영역들은, 그들이 요청되는 도즈 맵이 형성되는 격자의 기하학적 구조에 보다 잘 대응되기 때문에 더욱 쉽게 구현될 수 있다.
본 실시예를 위해 필요한 리-오더링될 데이터를 저장하는 메모리 버퍼(64)의 크기는 제어신호가 한번에 계산되도록 하는 노광되는 스폿 격자에 얼마나 많은 포인트들이 있는가에 달려 있다. 전체 행이 계산될 경우에, 메모리 버퍼의 깊이는 스캔 속도로 나뉘어진 마이크로-렌즈 어레이의 길이에 비례할 것이다. 이는, 행의 최초로 국부화된 노광 생성과 행의 최종적으로 국부화된 노광 생성간의 경과된 시간을 나타낸다.
결론
본 발명의 다양한 실시예들에 대해 상술하였으나, 그들은 예시에 지나지 않으며 제한의 의도는 없다는 것을 이해해야 한다. 당업자라면, 본 발명의 기술적사상 및 범위를 벗어나지 않는 형태 및 세부사항에 있어서의 다양한 변화들이 이루어질 수 있다는 것을 명백히 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 폭 및 범위는 상술된 실시예에 의해 제한되어서는 안되며, 후속 청구항 및 그들의 균등물에 따라서만 한정되어야 한다.
설명부는 청구항을 해석하는데에 주로 사용되어야 한다. 설명부는 본 발명인 (들)에 의해 구현된 것으로서 1이상의 실시예들을 나열하고 있으나 그들 모두를 개시하고 있지는 않으며, 따라서 청구항을 제한하려는 의도는 없다.
본 발명에 따르면, 마스크 없는 리소그래피 시스템의 데이터 경로에서 이용가능한 대역폭의 보다 효율적인 사용을 가능하게 하는 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법을 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 서브-빔들의 어레이로서 기판상에 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 투영시스템;
    실질적으로 상기 기판상에 요청되는 도즈 패턴을 형성시키기 위해 상기 방사선 서브-빔들을 모듈레이팅하도록 구성되는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로서, 상기 요청되는 도즈 패턴은 적어도 이웃하는 국부화된 노광들이 실질적으로 상이한 시간에 묘화되고 각각의 국부화된 노광이 상기 방사선 서브-빔들 중 하나에 의해 생성되는 국부화된 노광들의 어레이로부터 시간에 걸쳐 조정되는, 상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이;
    상기 요청되는 도즈 패턴을 형성하는 데이터를, 패턴내의 대응되는 포인트들의 시퀀스에서 요청되는 도즈를 나타내는 데이터의 시퀀스로 전환시키도록 구성되는 래스터라이저 디바이스; 및
    상기 데이터의 시퀀스를 수용하고, 그로부터 상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제어하기에 적합한 제어신호를 구성하도록 구성되는 데이터 조작 디바이스로서, 상기 데이터 조작 디바이스는 상기 요청되는 도즈 패턴을 재생성시키기 위해 각각의 국부화된 노광에 대해 원하는 서브-빔의 세기를 계산하도록 구성되고, 상기 계산은 각각의 국부화된 노광에 대하여 상기 국부화된 영역 주위의 상기 기판상의 영역에서 상기 요청되는 도즈 패턴을 포함하는 콘텍스트 정보를 기초 로 하는 상기 데이터 조작 디바이스를 포함하고, 상기 데이터 조작 디바이스는,
    상기 콘텍스트 정보의 적어도 일 부분을 저장하도록 구성되는 메모리 버퍼로서, 상기 콘텍스트 정보의 부분은 상기 데이터 시퀀스의 적어도 일 부분을 포함하는 상기 메모리 버퍼; 및
    상기 메모리 버퍼에 의해 제공되는 상기 콘텍스트 정보를 기초로 하여 복수의 이웃하는 국부화된 노광들에 대한 상기 원하는 서브-빔의 세기를 계산하도록 구성되는 원하는 서브-빔 세기 계산장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 원하는 서브-빔 세기 계산장치에 의하여 수행되는 계산의 결과들을 저장하도록 구성되는 제2메모리 버퍼; 및
    실질적으로 연관된 국부화된 노광들이 묘화될 순서로, 상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 원하는 서브-빔의 세기가 공급되는 방식으로 상기 저장된 결과로부터의 상기 제어신호를 조성하도록 구성되는 데이터 리-오더링 디바이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 버퍼에 저장되는 상기 데이터 시퀀스의 상기 부분의 크기는 상기 원하는 서브-빔 세기 계산장치에 사용되는 상기 콘텍스트 정보의 양에 의해 결 정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 원하는 서브-빔 세기 계산장치는, 행의 2이상의 국부화된 노광들 중 첫번째 것이 묘화되기 이전에 상기 투영시스템에 대한 상기 기판의 이동 방향에 수직한 방향을 따라 형성되는 상기 국부화된 노광들의 행에서 상기 국부화된 노광들 중 2이상에 대해 원하는 서브-빔의 세기를 계산하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 원하는 서브-빔 세기 계산장치는, 국부화된 노광들의 전체 행의 첫번째 국부화된 노광이 묘화되기 전에 상기 투영시스템에 대한 상기 기판의 이동 방향에 수직한 방향을 따라 형성되는, 상기 데이터 조작 디바이스가 작동하는 상기 패턴 부분의 상기 국부화된 노광들의 전체 행에 대해 원하는 서브-빔의 세기들을 계산하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 버퍼는 시프트 레지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 데이터 조작 디바이스는 묘화시 상기 제어신호를 계산하도록 구성되고, 상기 메모리 버퍼는 묘화시 상기 데이터 조작 디바이스에 액세스가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 디바이스 제조방법에 있어서,
    방사선 서브-빔들의 어레이로서 기판상에 방사선 빔을 투영하는 단계;
    실질적으로 상기 기판상에 요청되는 도즈 패턴을 형성시키기 위하여 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로 상기 방사선 서브-빔들을 모듈레이팅하되, 상기 요청되는 도즈 패턴은, 적어도 이웃하는 국부화된 노광들이 실질적으로 상이한 시간에 묘화되고 각각의 국부화된 노광이 상기 방사선 서브-빔들 중 하나에 의해 생성되는 국부화된 노광들의 어레이로부터 시간에 걸쳐 조성되는 단계;
    상기 요청되는 도즈 패턴을 형성하는 데이터를, 패턴내의 대응되는 포인트들의 시퀀스에서의 요청되는 도즈를 나타내는 데이터의 시퀀스로 전환시키는 단계;
    데이터 조작 디바이스에서 상기 데이터의 시퀀스를 수용하는 단계;
    상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 제어하기에 적합한 데이터 조작 디바이스에서 제어신호를 구성하는 단계; 및
    상기 데이터 조작 디바이스에서, 상기 요청되는 도즈 패턴을 재생성하기 위하여 각각의 국부화된 노즈에 대해 원하는 서브-빔의 세기를 계산하되, 상기 계산은 각각의 국부화된 영역에 대해 상기 국부화된 노광 주위의 상기 기판상의 영역에 서 상기 요청되는 도즈 패턴을 포함하는 콘텍스트 정보를 기초로 하는 단계를 포함하고, 상기 데이터 조작 디바이스는,
    상기 콘텍스트 정보의 적어도 일 부분을 저장하도록 구성되는 메모리 버퍼로서, 상기 콘텍스트 정보의 부분은 상기 데이터 시퀀스의 적어도 일 부분을 포함하는 상기 메모리 버퍼; 및
    상기 메모리 버퍼에 의해 제공되는 상기 콘텍스트 정보를 기초로 하여 복수의 이웃하는 국부화된 노광들에 대한 상기 원하는 서브-빔의 세기를 계산하도록 구성되는 원하는 서브-빔 세기 계산장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 콘텍스트 정보의 적어도 일 부분을 저장하되, 상기 콘텍스트 정보의 부분은 상기 데이터 시퀀스의 적어도 일 부분을 포함하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 메모리 버퍼에 의해 제공되는 상기 콘텍스트 정보를 기초로 하여 복수의 이웃하는 국부화된 노광들에 대해 원하는 서브-빔의 세기를 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  11. 제8항의 방법을 이용하여 형성되는 평판 디스플레이.
KR1020050129853A 2004-12-27 2005-12-26 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 KR100660501B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/020,643 2004-12-27
US11/020,643 US7317510B2 (en) 2004-12-27 2004-12-27 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060074880A KR20060074880A (ko) 2006-07-03
KR100660501B1 true KR100660501B1 (ko) 2006-12-22

Family

ID=35788271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050129853A KR100660501B1 (ko) 2004-12-27 2005-12-26 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7317510B2 (ko)
EP (1) EP1674933A3 (ko)
JP (1) JP2006186371A (ko)
KR (1) KR100660501B1 (ko)
CN (1) CN100487582C (ko)
SG (1) SG123689A1 (ko)
TW (1) TWI319839B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7126672B2 (en) * 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403265B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
US7477772B2 (en) * 2005-05-31 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US7209275B2 (en) * 2005-06-30 2007-04-24 Asml Holding N.V. Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation
DE102006019963B4 (de) * 2006-04-28 2023-12-07 Envisiontec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung
EP2131243B1 (en) * 2008-06-02 2015-07-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating a stage position
KR101680754B1 (ko) * 2010-02-18 2016-12-13 삼성디스플레이 주식회사 광학 헤드의 중첩 거리 결정 방법 및 이를 이용한 디지털 노광 장치
US8351120B2 (en) * 2010-09-15 2013-01-08 Visera Technologies Company Limited Optical device having extented depth of field and fabrication method thereof
US9696636B2 (en) 2011-11-29 2017-07-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program
JP5881851B2 (ja) * 2011-12-06 2016-03-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、セットポイントデータを提供する装置、デバイス製造方法、セットポイントデータの計算方法、およびコンピュータプログラム
KR101633759B1 (ko) * 2012-01-12 2016-06-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 세트포인트 데이터를 제공하는 장치, 디바이스 제조 방법, 세트포인트 데이터를 제공하는 방법, 및 컴퓨터 프로그램
DE102012210071A1 (de) * 2012-06-15 2013-12-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage
US9424388B2 (en) 2014-12-17 2016-08-23 International Business Machines Corporation Dividing lithography exposure fields to improve semiconductor fabrication
US10714366B2 (en) * 2018-04-12 2020-07-14 Kla-Tencor Corp. Shape metric based scoring of wafer locations
US11681228B2 (en) * 2018-06-19 2023-06-20 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and apparatus for illuminating image points
US20220326616A1 (en) * 2019-08-30 2022-10-13 Applied Materials, Inc. Multi-tone scheme for maskless lithography

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
EP0527166B1 (de) * 1990-05-02 1995-06-14 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) * 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) * 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US6133986A (en) * 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
DE69711929T2 (de) 1997-01-29 2002-09-05 Micronic Laser Systems Ab Taeb Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) * 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
TW520526B (en) * 2000-05-22 2003-02-11 Nikon Corp Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing micro-device
JP4320694B2 (ja) * 2001-08-08 2009-08-26 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光式描画方法
US7302111B2 (en) 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
WO2003038518A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Pixelligent Technologies Llc Advanced exposure techniques for programmable lithography
JP3563384B2 (ja) * 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
SE0200864D0 (sv) 2002-03-21 2002-03-21 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for printing large data flows
SG130007A1 (en) * 2002-06-12 2007-03-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7407252B2 (en) 2004-07-01 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Area based optical proximity correction in raster scan printing
US7126672B2 (en) * 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7317510B2 (en) 2008-01-08
EP1674933A2 (en) 2006-06-28
EP1674933A3 (en) 2007-06-27
TW200628999A (en) 2006-08-16
JP2006186371A (ja) 2006-07-13
KR20060074880A (ko) 2006-07-03
SG123689A1 (en) 2006-07-26
US20060139980A1 (en) 2006-06-29
TWI319839B (en) 2010-01-21
CN1797203A (zh) 2006-07-05
CN100487582C (zh) 2009-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100660501B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR100659254B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4854765B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR100734594B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100637885B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4277138B2 (ja) リソグラフィ装置及び装置製造方法
KR100730060B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4417325B2 (ja) 光パターニング方法および光パターニングシステム
KR20060072052A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR100734596B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US7728956B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
JP5198381B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7230677B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
JP4740742B2 (ja) マルチｓｌｍマスクレスリソグラフィにおける散乱光を最小化する方法、投影光学系および装置
JP4431535B2 (ja) リソグラフィ・グレイ・スケール化の方法及びシステム
US7180577B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
JP4791179B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5346356B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121207

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141205

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151204

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161205

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171208

Year of fee payment: 12