CN1894630B - 微光刻处理的辐射束特性控制方法和系统 - Google Patents

微光刻处理的辐射束特性控制方法和系统 Download PDF

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Abstract

公开了用于控制引导到微光刻工件上的辐射的特性的方法和装置。根据本发明一个实施例的装置包括被定位以将辐射束向着工件引导的辐射源，其中辐射束具有幅度分布、相位分布和偏振分布。自适应结构可以位于辐射束的路径中，并且可以具有多个独立可控、且可选择性透射辐射的元件，其中每一元件被配置为改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。控制器可以可操作地连接到自适应结构，以引导自适应结构的元件从一个状态改变为多个其他状态之一。因此，自适应结构可以提供具有多个辐射束特性的多个连续可变分布的辐射束。

Description

微光刻处理的辐射束特性控制方法和系统
技术领域
本发明一般地涉及在微光刻处理期间控制辐射束特性的方法和系统，其中辐射束特性包括相位、偏振和幅度分布。
背景技术
通常，通过从晶片中选择性去除材料并且以绝缘、半导体和/或导电材料填充得到的开口，在微特征工件(包括半导体镜片)中形成了微电子特征。一种典型的工艺包括在晶片上沉积一层辐射敏感光刻胶，然后在光刻胶层上定位图案化掩模或分划板，然后将带有掩模的光刻胶层暴露于选定辐射。然后将晶片接触显影剂，例如水基或溶剂。在一种情形中，光刻胶层最初通常可溶于显影剂，并且光刻胶层中通过掩模中的图案化开口暴露于辐射的部分从通常可溶变为通常抵抗显影剂(例如，具有较低溶解度)。或者，光刻胶层最初通常可以不溶于显影剂，并且光刻胶层中通过掩模中的开口暴露于辐射的部分变为更可溶。在任一种情形中，光刻胶层中抵抗显影剂的部分留在晶片上，并且通过显影剂去除光刻胶层的其他部分，以暴露出下面的晶片材料。
然后，对晶片进行刻蚀或者金属沉积工艺。在刻蚀工艺中，刻蚀剂去除暴露的材料，而不是在剩余光刻胶部分之下的受保护材料。因此，刻蚀剂在晶片材料或者在晶片上沉积的材料中形成了开口(例如，槽、沟道、或孔)的图案。可以用绝缘、导电或半导体材料来填充这些开口，以在晶片上建立多层微电子特征。然后对晶片单一化，以形成单独的芯片，这些芯片可以结合在广泛的电子产品中，例如计算机和其他消费或工业电子设备。
随着晶片中形成的微电子特征的尺寸减小(例如，为了减小电子设备中使用的芯片的尺寸)，也必须减小光刻胶层中形成的特征的尺寸。在某些工艺中，评估选定特征的尺寸(称作临界尺寸)，作为确定其他特征的尺寸是否符合制造规格的诊断措施。因此，选择临界尺寸为最有可能由于前述工艺的众多方面而产生误差。这种误差可以包括由辐射源和/或辐射源与掩模之间的光学器件产生的误差。误差还可以由掩模、掩模之间的差别和/或刻蚀工艺中的误差产生。临界尺寸还可能受曝光/显影工艺之前或在此期间、和/或刻蚀工艺之后(包括沉积工艺中的变化，和/或材料去除工艺中的变化，例如化学机械平坦化工艺)的工艺中的误差影响。
在晶片光学系统中校正透镜像差的一种通常方法(在授予McDonald等人的美国专利No.5,142,132中公开)是：从可变形镜反射入射辐射，可以调整可变形镜来校正透镜光学系统中的像差。然而，校正透镜像差通常不足以解决可能不利地影响临界尺寸的额外因素(如上所述)。因此，解决前述某些变化和误差的另一种方法是：在辐射源和掩模之间插入梯度滤波器，以空间调整照射晶片的辐射的强度。可选地，可以在掩模上沉积薄膜或表膜(pellicle)，以改变透射通过掩模的光强度。在任一种情形中，滤波器或表膜通过使入射到掩模的一部分上的辐射强度相对于入射到其他部分上的辐射强度减小，可以解决掩模之间的变化。
前述布置的一个缺点在于，当改变掩模时，可能难以改变梯度滤波器和/或表膜，和/或这种改变是耗时的。另一缺点在于，梯度滤波器和表膜不能解决在系统老化或发生其他改变时引入系统中的新误差和/或误差改变。
解决某些前述缺点的另一方法是提供像素化、衍射光学元件(DOE)代替固定几何衍射器件。像素化DOE通常包括可电子寻址的像素阵列，其中每个像素具有“开”状态和“关”状态。处于开状态的像素透射光，并且处于关状态的像素不透射光。因此，可以对这种DOE重复重新编程以产生新图案，这允许用户避免为每一新的微特征工件设计产生新的衍射元件相关联的成本。然而，这种方法的缺点在于，使像素在两个二进制状态之间翻转不能对入射到微光刻工件上的辐射提供足够的控制，这又导致次于标准或不可接受的工件。
附图说明
图1是根据本发明实施例、用于辐射微光刻工件的装置的局部示意图。
图2是根据本发明实施例、用于控制引导到微光刻工件上的辐射的特性的自适应结构的局部示意图。
图3是图2所示的自适应结构的一部分的局部示意平面图。
图4是根据本发明实施例、用于控制自适应结构的元件的布置的局部示意图。
图5是根据本发明另一实施例、包括反射元件的自适应结构的局部示意图。
图6是图示了使用根据本发明实施例的方法和装置所产生的辐射束的两个特性的分布的曲线图。
具体实施方式
A.介绍
本公开描述了用于控制引导到微光刻工件上的辐射的特性的方法和装置。这里通篇使用的术语“微光刻工件”包括在其上和/或在其中使用微光刻技术制造了或者可以制造亚微米电路或元件、数据存储元件或层、过孔或导线、微光学特征、微机械特征和/或微生物特征的工件。在任意的这些实施例中，由合适的材料(包括陶瓷)形成工件，并且可以支撑层和/或其他材料的其他构成，包括但不限于金属、介电材料和光刻胶。
根据本发明一个方面的一种装置包括工件支架，具有定位的支撑表面，以承载微光刻工件。辐射源可以被定位，以将辐射束沿着辐射路径向着工件支架引导，其中辐射束具有幅度分布、相位分布和偏振分布。自适应结构可以定位于辐射路径中，并且可以具有多个独立可控、且可选择性透射辐射的元件，其中每一元件被配置为接收一部分辐射束，并且从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。控制器可以可操作地连接到自适应结构，以引导自适应结构的元件从所述一个状态改变为多个其他状态之一。
在本发明的另一方面中，多个其他可用状态可以包括其他状态的实质上连续谱。控制器可以电连接到每一元件，并且被配置为向每一元件施加可变电压，以将每一元件的状态从一个状态独立地改变为多个其他状态中任一状态。
根据本发明另一方面的一种方法包括从辐射源将辐射束沿着辐射路径引导，其中辐射束具有幅度分布、相位分布和偏振分布，它们是辐射路径的实质上横向平面中位置的函数。该方法还可以包括将辐射束入射到位于辐射路径中的自适应结构上，并且将自适应结构的至少一个元件的状态从一个状态改变为另一状态，以独立改变至少两个分布。可以将辐射束沿着辐射路径引导离开自适应结构，以入射到微光刻工件上。
在根据本发明另一方面的一种方法中，改变自适应结构的至少一部分的状态可以包括将电信号引导到排列成列和行的阵列的多个电可寻址元件中至少一个元件。在本发明的又一方面中，可以使辐射束穿过位于自适应结构和微光刻工件之间的分划板。
B.根据本发明实施例的方法和装置
在如下的描述和图1～6中阐述了本发明特定实施例的许多具体细节，以提供对这些实施例的全面理解。然而，本领域普通技术人员应该理解，本发明可以具有额外实施例，并且本发明可以不利用如下所述的一些细节来实施。
图1示意性图示了根据本发明实施例、用于向微光刻工件160进行可控辐射的装置110。装置110可以包括辐射源120，其沿着辐射路径180将电磁辐射束128向着微光刻工件160引导。装置110还可以包括自适应结构140，其调整进入辐射束128的特性。如下面更详细描述，这些特性可以包括整个束128上的幅度(强度)、相位、和/或偏振的空间分布。可选地，辐射束128然后可以穿过透镜系统123，透镜系统123被配置为对源120发射的辐射进行整形和/或放大。可选地，装置110还可以包括用以扩散辐射的衍射元件122，以及定位来生成辐射源120的多个图像的光管124。光管124和/或定径透镜125可以确定辐射束128的尺寸，然后由镜子126将辐射束128引导通过聚焦透镜127沿着分划板辐射路径段181a至分划板或掩模130。
分划板130可以包括刻线孔径131，辐射穿过所述刻线孔径131在微光刻工件160上形成图像。辐射可以穿过缩小透镜139，其将分划板所定义的图像图案缩小为与微光刻工件160上要形成的特征尺寸相对应的尺寸。辐射束128然后入射到微光刻工件160的辐射敏感材料161(例如，光刻胶层)上，在材料161上形成图像。在一个实施例中，入射到材料161上的束128通常可以具有矩形形状，宽度为大约5mm至大约8mm，长度为大约26mm。在其他实施例中，入射到层161上的束128可以具有其他形状和尺寸。在一个实施例中，辐射的波长可以从如下值中选择：13纳米、157纳米、193纳米、248纳米及365纳米。在其他实施例中，波长可以具有这些值之下、之上或之间的值，只要波长适于曝光微光刻工件160上的材料161。
微光刻工件160可以由工件支架150承载。在一个实施例(扫描仪布置)中，工件支架150沿工件支架路径151移动，并且分划板130沿着分划板路径132以相反方向移动，以便在辐射源128的位置保持固定同时在整个材料161上扫描由分划板130产生的图像。因此，工件支架150可以连接到支架驱动器154，并且分划板130可以连接到分划板驱动器137。
当分划板130与微光刻工件160相反移动时，辐射源120可以闪烁，以利用分划板130产生的相应连续图像来辐射微光刻工件160的连续部分，直至扫描了微光刻工件160的整个场。在一个实施例中，在微光刻工件160移动一个束宽(例如，移动大约5mm到8mm)所需的时间内，辐射源120可以以大约20个周期的速率闪烁。在其他实施例中，辐射源120可以在整个扫描过程中以相同速率闪烁(假设分划板130和工件150每一个都以恒定速率移动)，以均匀辐射每一场。在另一实施例中，辐射源120可以传送连续辐射束128。在任一实施例中，每一场可以包括一个或多个管芯或芯片，并且在其他实施例中，每一场可以包括其他特征。
在另一实施例(步进机布置)中，辐射束128和分划板130可以在一次或多次闪烁中曝光微光刻工件160的整个场，同时分划板130和工件支架150相对于辐射路径180保持在固定的横向位置中。在曝光了场之后，分划板130和/或工件支架150可以相对于辐射路径180横向移动，将其他场与辐射束128对准。可以重复该过程，直至微光刻工件160的每一场都暴露于辐射束128。可从荷兰Veldhoven的ASML、纽约Lake Success的Canon USA，Inc.、以及日本东京的Nikon，Inc.获得合适的扫描仪和步进机设备。
在前述实施例的另一方面中，控制器170可以可操作地连接到分划板130(或分划板驱动器137)和工件支架150(或支架驱动器154)。因此，控制器170可以包括能自动控制并协调这些元件之间的相对移动的处理器、微处理器或其他设备(具有或没有用户输入)。控制器170还可以连接到自适应结构140，控制辐射束128的特性，如下面更详细描述。
图2是根据本发明实施例配置的自适应结构140的局部示意图。在该实施例的一个方面中，自适应结构140包括被确定大小和位置用以接受辐射束128的入口孔径141，以及被确定大小和位置用以发射辐射束128的出口孔径142。自适应结构140还包括一个或多个自适应部分143(图2中示意性示出了三个：第一自适应部分143a、第二自适应部分143b、以及第三自适应部分143c)，位于入口孔径141和出口孔径142之间。在一个实施例中，自适应部分143之间相隔间隙144，间隙144中填充了折射率匹配液体145，以减小在自适应部分143和间隙144之间的界面处发生反射的可能。在另一实施例中，可以取消间隙144，并且自适应部分143可以彼此相邻。
在任一前述实施例中，每一自适应部分143可以从一个状态改变为另一状态，以改变辐射束128的特定特性的分布。例如，在一个实施例中，第一自适应部分143a可以被配置为改变辐射束128的幅度或强度分布。第二自适应部分143b可以被配置为改变辐射束128的偏振分布，并且第三自适应部分143c可以被配置为改变辐射束128的相位分布。在其他实施例中，一个或多个自适应部分143a～143c可以改变辐射束128的不同特性，和/或可以改变自适应部分143a～143c的相对位置。在又一实施例中，可以取消一个或多个自适应部分143a～143c。在包括多于一个的自适应部分143的任何实施例中，可以独立控制每一自适应部分143，以改变该特定自适应部分143所专门针对的辐射束特性，如下面更详细描述。
图3是沿着基本上平行于辐射路径180的方向观察的、上面参考图2所描述的第一部分143a的局部示意图。在图3所示的实施例的一个方面中，第一部分143a可以包括多个单独可控的自适应元件146，它们位于基本上平坦的层中。在该实施例的另一方面中，每一自适应元件146可以具有基本上为直线的形状，例如方形。在其他实施例中，每一自适应元件146可以具有其他形状，例如六边形或圆形。在图2所示的实施例的另一方面中，自适应元件146可以排列为阵列147，例如，基本上为直线的阵列147。因此，自适应元件146可以排列成行(例如，行R1、R2、R3…)和列(例如，列C1、C2、C3…)。在其他实施例中，自适应元件146可以排列成其他图案。在任意的这些实施例中，每一自适应元件146可以接收一部分进入辐射束128(图2)，并且可以控制辐射束128的选定特性。例如，在一个实施例中，第一部分143a可以被配置为改变辐射束128的幅度或强度分布。因此，第一部分143a可以包括空间光调制器，例如可从科罗拉多Lafayette的Boulder Non-Linear Systems获得的模块LC-SLM，或者可从苏格兰的Dunfirmline的CRL Opto Limited获得的模块LCS2-9。
在其他实施例中，第一部分143a可以被配置为改变进入光束128的偏振。因此，第一部分143a可以包括多个自适应元件146，其中每个自适应元件146包括法拉第旋光器，例如可从科罗拉多Lafayette的Boulder Non-Linear Systems获得的铁电液晶旋光器或向列液晶旋光器。在又一实施例中，第一部分143a可以被配置为控制辐射束128的相位分布，并且因此可以包括由石英或其他合适材料制成的自适应元件146。在特定实施例中，第一部分143a可以包括电光调制器的阵列，例如，可从新泽西Bridgewater的Hamamatsu Corporation获得的平行对准的向列液晶空间光调制器。在任意的这些实施例中，每一自适应元件146可以控制辐射束128的特性，以具有从可用值的通常连续谱中选择的值，如下面参考图4所述。
图4是根据本发明实施例配置的控制器170以及自适应结构140的第一和第二部分143a、143b的部分的局部示意图。为了说明的目的，在图4中示出了(第一部分143a的)两个第一自适应元件146a和(第二部分143b的)两个第二自适应元件146b。在该实施例的一个方面中，第一自适应元件146a与第二自适应元件146b彼此独立受控。在该实施例的另一方面中，每一第一自适应元件146a可与其他第一自适应元件146a彼此独立受控，并且每一第二自适应元件146b可与其他第二自适应元件146b彼此独立受控。因此，控制器170可以包括针对每一第一自适应元件146a的第一元件控制器171a，以及针对每一第二自适应元件146b的第二元件控制器171b。
元件控制器171a、171b(统称为元件控制器171)可以被配置为不仅与相邻自适应元件相独立地控制每一自适应元件146，而且还可以选择性地从多于两个可用状态的谱中建立每一自适应元件146的状态。具体地，每一元件控制器171不是仅可以在“关”状态和“开”状态之间控制相应自适应元件146，而是可以在关状态和多个开状态之间控制相应自适应元件146。例如，当自适应元件146被配置为控制光束128的强度时，相应元件控制器171可以在完全打开(例如，全透射)和完全闭合(例如，非透射)之间的多个状态上改变自适应元件146的透射性。当自适应元件146被配置为改变光束128的偏振时，相应元件控制器171可以调整自适应元件146的状态，以产生例如在0°和90°之间的多个偏振值中的任意偏振值。当自适应元件146被配置为控制光束128的相位时，相应元件控制器171可以调整自适应元件146的状态，以产生例如从-180°到+180°的谱中的多个相移值中的任意相移(与相邻自适应元件相比)值。
在任意的前述实施例中，可以电激活每一自适应元件146，以从一个状态改变为另一状态，并且每一相应元件控制器171可以改变提供给自适应元件146的电势。因此，每一自适应元件146可以包括至少一个电输入148(图4中对于每一自适应元件146示出了两个)。当施加于每一自适应元件146上的电压改变时，由该自适应元件146控制的相应特性(例如，幅度、偏振或相位)也改变。通过从可用电压的谱中选择元件控制器171向相应自适应元件146施加的电压，操作者(具有或不具有来自基于计算机的例程的辅助)可以将由该自适应元件146控制的辐射束特性调整为具有相应值。可以以基本类似的方式控制相邻自适应元件146，以控制辐射束128的截面上选定特性的总体分布。在其他实施例中，自适应元件146可以接收在上述参数中也产生连续可变状态改变的其他输入。在一个实施例中，由每一自适应元件146控制的特性在给定状态中不会作为时间的函数改变。因此，可以将特性控制为在每一状态中没有时间变化，这可以增加自适应结构140产生的结果的可预测性。
在一个实施例中，控制器170可以包括可编程、计算机可读介质(例如，软件例程)，被配置为从用户接收输入信号，并且将适当的输出信号引导到自适应结构140。在其他实施例中，控制器170可以具有其他布置。在任意的这些实施例中，控制器170可以改变自适应结构140的状态，使得同一自适应结构140可以用来提供具有多种特性的辐射束128。
上面参考图1～4描述的装置110的实施例的一个特征在于：自适应结构140可以提供对辐射束128的幅度、偏振和/或相位分布的更精确控制，因为控制器170可以引导每一自适应元件146具有从可用值的通常连续谱中选择的状态。这种精确程度可以改进微光刻工件160的质量。例如，通过提供幅度、偏振和/或相位分布从一个区域向另一区域连续改变的辐射束128，与通过传统方法可获得的图案相比，可以改进投影到材料161上的图案的完整性。该技术还可以改进入射到辐射敏感材料161上的辐射束128的聚焦深度，并且可以减小在随后处理步骤中材料161对曝光时间的敏感度。当位于微光刻工件160上的辐射敏感材料161的厚度改变时，对曝光时间敏感度的减小可能特别重要。在这种情形中，辐射敏感材料161中厚的区域和薄的区域可以接收类似曝光时间，而不会对薄的区域过度曝光和/或对厚的区域曝光不足。
上面参考图1～4描述的自适应结构140的实施例的另一特征在于：自适应结构140可以独立改变辐射束128的两个或多个特性。例如，自适应结构140可以用来独立改变辐射束128的幅度分布、相位分布和偏振分布中任意两个。这种布置的优点在于：操作者对入射到辐射敏感材料161上的辐射束128的特性具有更高程度的控制。例如，操作者可以控制辐射束128的相位分布，而不会对辐射束128的偏振分布造成无意的变化，反之亦然。因此，对于传统设备可能作为改变目标特性的不受控副产品而改变辐射束的一个特性的应用，这种布置可能特别有利。
图5是图示了根据本发明实施例控制的辐射束128(图1)的两个独立可变参数的分布的曲线图。图5所示的X和Y轴定义辐射路径180的基本上横向平面(图1)，并且垂直轴A和P分布代表幅度和相位值。辐射束128可以具有带有两个峰值的幅度分布590以及带有单个峰值的相位分布591。在其他实施例中，幅度分布590和相位分布591可以具有其他独立受控的形状。在又一实施例中，辐射束128的其他特性(例如，束128的偏振)也可以与相位分布591和/或幅度分布590独立受控。
在其他实施例中，上面参考图1描述的装置110可以包括其他也独立控制辐射束128的两个或多个特性的自适应结构。例如，在图6所示的实施例中，自适应结构640包括多个反射自适应部分643(图6中示出了三个：第一自适应部分643a、第二自适应部分643b和第三自适应部分643c)。每一自适应部分643可以包括多个反射元件，其取向或其他属性由控制器670独立控制。自适应结构640还可以包括定向镜649，其被定位，以沿着直线轴对准辐射束128的进入部分和外出部分。在其他实施例中，可以取消定向镜649。在任意的这些实施例中，自适应部分643可以控制辐射束128的幅度、相位和/或偏振分布。在自适应部分643控制幅度分布的特定实施例中，自适应部分643可以包括基本上与未决美国专利申请No.09/945,316中所述结构类似的结构，该申请整体结合于此用作参考。在其他实施例中，这种自适应部分可以具有其他布置。
根据上述内容，将认识到，这里为了说明目的描述了本发明的特定实施例，但是在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可以做出各种修改。因此，本发明仅由所附权利要求限定。

Claims (46)

1.一种控制引导到微光刻工件上的辐射的特性的装置，包括：
工件支架，具有定位的支撑表面，以承载微光刻工件；
辐射源，被定位，以将辐射束沿着辐射路径向着工件支架引导，辐射束具有幅度分布、相位分布和偏振分布；
自适应结构，定位于辐射源和工件支架之间的辐射路径中，所述自适应结构具有多个独立可控的自适应元件，其中每一元件被配置为接收一部分辐射束，并且从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个；
分划板，位于自适应结构和工件支架之间；以及
控制器，可操作地连接到自适应结构，以引导自适应结构的元件从所述一个状态改变为多个其他状态之一。
2.根据权利要求1所述的装置，其中控制器电连接到每一元件，并且被配置为向每一元件施加可变电压，以将每一元件的状态从一个状态独立地改变为多个其他可用状态中的任一状态。
3.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构包括多个法拉第旋光器元件，每一法拉第旋光器元件连接到控制器，并且控制器被配置为独立地向每一法拉第旋光器元件施加可变电压，以将每一法拉第旋光器元件的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，每一法拉第旋光器元件在处于所述一个状态中时以第一偏振透射辐射，并且在处于所述其他状态中的任一状态时以多个其他偏振中的相应偏振透射辐射。
4.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构包括多个石英像素元件，每一像素元件连接到控制器，并且控制器被配置为独立地向每一像素元件施加可变电压，以将每一像素元件的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，每一像素元件在处于所述一个状态中时以第一相位透射辐射，并且在处于所述其他状态中的任一状态时以多个其他相位中的相应相位透射辐射。
5.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构的元件在每一 状态中具有非时变的透射性。
6.根据权利要求1所述的装置，其中分划板和工件支架中至少一个相对于另一个可移动。
7.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构包括电可寻址元件的第一、第二和第三阵列，每一阵列与辐射路径相交，并且沿着与辐射路径垂直的两个正交方向延伸，第一阵列的元件被配置为接收第一电信号，以改变状态，并改变辐射束的幅度分布，第二阵列的元件被配置为接收第二电信号，以改变状态，并改变辐射束的相位分布，第三阵列的元件被配置为接收第三电信号，以改变状态，并改变辐射束的偏振分布。
8.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构包括排列成列和行的阵列的多个电可寻址元件。
9.根据权利要求1所述的装置，其中多个其他可用状态包括其他状态的连续谱。
10.根据权利要求1所述的装置，其中多个独立可控的自适应元件每一个包括可选择性透射辐射的元件，并且每一元件被配置为接收一部分辐射束，并且从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。
11.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构对辐射束至少部分透射，以允许至少一部分辐射束穿过自适应结构。
12.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构包括多个反射元件。
13.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构被配置为独立地改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中任意两个。
14.根据权利要求1所述的装置，其中自适应结构包括电可独立寻址元件的至少第一和第二阵列，每一阵列与辐射路径相交，并且沿着与辐射路径垂直的两个正交方向延伸，第一阵列的元件被配置为接收第一电信号，以改变状态，并改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布之一，第二阵列的元件被配置为接收第二电信号，以改变状态，并改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中的另一个。 
15.根据权利要求1所述的装置，其中：
辐射束在辐射路径的横向平面上包括幅度分布、相位分布和偏振分布；
自适应结构被配置为接收辐射束，并且从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以独立地将幅度分布、相位分布和偏振分布中每一分布从第一分布改变为第二分布，每一第二分布是从第二分布的连续谱中选择的；以及
分划板和工件支架中至少一个相对于另一个可移动。
16.一种用于控制具有幅度分布、相位分布和偏振分布的辐射束的特性的自适应结构，该自适应结构包括：
进入孔径，设定其大小和位置以接收辐射束；
出射孔径，设定其大小和位置以发射辐射束；以及
至少两个自适应部分，定位于沿着进入孔径和出射孔径之间辐射路径的连续位置处，各个自适应部分包括多个独立可控的自适应元件，其中每一自适应部分被配置为接收一部分辐射束，并且从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。
17.根据权利要求16所述的自适应结构，还包括控制器，可操作地连接到自适应部分，以引导各个自适应部分的元件从所述一个状态改变为多个其他状态之一。
18.根据权利要求17所述的自适应结构，其中控制器电连接到各个自适应部分的每一元件，并且被配置为向每一元件施加可变电压，以将每一元件的状态从一个状态独立地改变为多个其他可用状态中的任一状态。
19.根据权利要求17所述的自适应结构，其中：
每个自适应部分包括多个法拉第旋光器元件，每一法拉第旋光器元件连接到控制器；并且
控制器被配置为独立地向每一法拉第旋光器元件施加可变电压，以将每一法拉第旋光器元件的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，每一法拉第旋光器元件在处于所述一个状态中时以 第一偏振透射辐射，并且在处于所述其他状态中的任一状态时以多个其他偏振中的相应偏振透射辐射。
20.根据权利要求17所述的自适应结构，其中：
每个自适应部分包括多个石英像素元件，每一像素元件连接到控制器；并且
控制器被配置为独立地向每一像素元件施加可变电压，以将每一像素元件的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，每一像素元件在处于所述一个状态中时以第一相位透射辐射，并且在处于所述其他状态中的任一状态时以多个其他相位中的相应相位透射辐射。
21.根据权利要求16所述的自适应结构，其中自适应部分的元件在每一状态中具有非时变的透射性。
22.根据权利要求16所述的自适应结构，其中每个自适应部分包括排列成列和行的阵列的多个电可寻址元件。
23.根据权利要求16所述的自适应结构，其中自适应结构包括三个自适应部分，第一自适应部分包括电可寻址元件的第一阵列，第二自适应部分包括电可寻址元件的第二阵列，并且第三自适应部分包括电可寻址元件的第三阵列，每一阵列与辐射路径相交，并且沿着与辐射路径垂直的两个正交方向延伸，并且其中：
第一阵列的元件被定位为接收第一电信号，以改变状态，并改变辐射束的幅度分布；
第二阵列的元件被定位为接收第二电信号，以改变状态，并改变辐射束的相位分布；以及
第三阵列的元件被定位为接收第三电信号，以改变状态，并改变辐射束的偏振分布。
24.根据权利要求16所述的自适应结构，其中多个其他可用状态包括其他状态的连续谱。
25.根据权利要求16所述的自适应结构，其中自适应部分每一个对辐射束至少部分透射，以允许至少一部分辐射束穿过自适应结构。
26.根据权利要求16所述的自适应结构，其中各个元件是直线 形的、六边形的或弓形的。
27.根据权利要求16所述的自适应结构，其中自适应部分彼此之间由间隙隔开。
28.根据权利要求27所述的自适应结构，还包括在各个自适应部分之间的至少一部分间隙中的折射率匹配液体，其中定位折射率匹配液体，以减小自适应部分与相应间隙之间界面处的反射。
29.根据权利要求16所述的自适应结构，其中自适应部分彼此直接接触。
30.根据权利要求16所述的自适应结构，其中各个自适应部分每一个包括可选择性透射辐射的元件，并且每一自适应部分被配置为接收一部分辐射束，并且从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。
31.根据权利要求16所述的自适应结构，其中每个自适应部分包括多个反射元件。
32.根据权利要求16所述的自适应结构，其中各个自适应部分每一个包括可选择性透射辐射的元件，并且每一自适应部分被配置为接收一部分辐射束，并且独立改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中任意两个。
33.根据权利要求16所述的自适应结构，其中自适应结构包括两个自适应部分，第一自适应部分包括电可寻址元件的第一阵列，第二自适应部分包括电可寻址元件的第二阵列，每一阵列与辐射路径相交，并且沿着与辐射路径垂直的两个正交方向延伸，并且其中：
第一阵列的元件被定位为接收第一电信号，以改变状态，并改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布之一；以及
第二阵列的元件被定位为接收第二电信号，以改变状态，并改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中的另一个。
34.一种控制引导到微光刻工件上的辐射的特性的方法，包括：
从辐射源将辐射束沿着辐射路径引导，辐射束具有幅度分布、相位分布和偏振分布，所述幅度分布、相位分布和偏振分布是辐射路径的横向平面中位置的函数； 
将辐射束入射到位于辐射路径中的自适应结构上；
将自适应结构的至少一个元件的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以改变幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个；
使辐射束穿过并离开自适应结构的所述至少一个元件；
使辐射束穿过位于自适应结构和工件支架之间的分划板；以及
将从自适应结构引出的辐射束入射到微光刻工件上。
35.根据权利要求34所述的方法，其中改变状态包括将状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，所有状态对应于不同的幅度分布，或不同的相位分布，或不同的偏振分布。
36.根据权利要求34所述的方法，还包括：
使辐射束穿过电可寻址元件的第一、第二和第三阵列，每一阵列与辐射路径相交，并且沿着与辐射路径垂直的两个正交方向延伸；
将第一电信号引导到第一阵列，以改变第一阵列的状态，并改变辐射束的幅度分布；
将第二电信号引导到第二阵列，以改变第二阵列的状态，并改变辐射束的相位分布；
将第三电信号引导到第三阵列，以改变第三阵列的状态，并改变辐射束的偏振分布。
37.根据权利要求34所述的方法，其中改变自适应结构的至少一个元件的状态包括将电信号引导到排列成列和行的阵列的多个电可寻址元件中至少一个元件。
38.根据权利要求34所述的方法，其中改变自适应结构的至少一个元件的状态包括从一个状态改变为其他状态的连续谱中的多个其他状态中的任一状态。
39.根据权利要求34所述的方法，还包括：
在将辐射束入射到微光刻工件上的同时，将分划板和微光刻工件中至少一个相对于另一个移动。
40.根据权利要求34所述的方法，还包括：
将自适应结构的至少一个元件的状态从一个状态改变为多个其 他可用状态中的任一状态，以改变幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。
41.根据权利要求34所述的方法，还包括使辐射束穿过自适应结构的所述至少一个元件。
42.根据权利要求34所述的方法，还包括从自适应结构的所述至少一个元件反射辐射束。
43.根据权利要求34所述的方法，其中改变状态包括向自适应结构的所述至少一个元件施加电信号。
44.根据权利要求34所述的方法，还包括：
将自适应结构的至少两个独立可控元件中每一个的状态从一个状态改变为另一状态，以独立改变幅度分布、相位分布和偏振分布中至少两个。
45.根据权利要求44所述的方法，其中改变自适应结构的至少两个独立可控元件中每一个的状态包括：
将一个或多个第一电信号引导到自适应结构的一个或多个第一元件，以改变幅度分布、相位分布和偏振分布中一个分布；
将一个或多个第二电信号引导到自适应结构的一个或多个第二元件，以改变幅度分布、相位分布和偏振分布中另一分布；以及
使辐射束顺序通过一个或多个第一元件然后通过一个或多个第二元件。
46.根据权利要求34所述的方法，其中：
从辐射源将辐射束沿着辐射路径引导包括引导具有第一幅度分布、第一相位分布和第一偏振分布的辐射束，所述第一幅度分布、第一相位分布和第一偏振分布是辐射路径的横向平面中位置的函数；
将自适应结构的至少一个元件的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态包括将自适应结构的多个自适应元件中每个的状态从一个状态改变为多个其他可用状态中的任一状态，以将第一幅度分布改变为第二幅度分布，将第一相位分布改变为第二相位分布，并且将第一偏振分布改变为第二偏振分布，每一改变与其他两种改变独立；并且 
其中该方法还包括沿辐射路径引导辐射束穿过并离开自适应结构，然后使辐射束穿过分划板。 
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