KR20060096442A - 녹색 발광 ｌｅｄ - Google Patents

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Abstract

본 발명은 2가의 유로퓸으로 도핑된 양이온 M을 포함하고, 실험식 M(1-c)Si2O2N2:Dc를 가지며, M = Sr 단독 또는 M = Sr(1-x-y)BayCax (0 ≤ x+y < 0.5)가 사용된 옥시니트리도실리케이트(oxynitridosilicate) 부류의 인광물질에 관한 것으로, 상기 옥시니트리도실리케이트는 완전히 또는 대부분 고온에 안정적인 변형물 HT를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

녹색 발광 ＬＥＤ {GREEN-EMITTING LED}
본 발명은 다음의 출원들과 밀접하게 관련된다:
2003P14657, 2003P14656, 및 2003P14655.
본 발명은 녹색 발광 LED에 관한 것이다. 본 출원에서 녹색 발광은 약 560 nm 부근의 영역에서의 발광을 의미하는 것으로 이해된다.
통상적인 LED는 대응하는 적합한 칩에 의해 색을 띤 발광을 실현하게 된다. 그러나, 녹색 발광의 예에서는 InGan 칩(청색) 또는 InGAIP 칩(적색)과 같은 확립된 기술들이 효율 부족으로 인해 사용될 수 없다는 문제점들이 나타난다. 대신에, 특별한 해결책들이 사용되어야 한다. 이런 종류의 특별한 해결책의 예들은 유럽 특허 출원 제584 599호, DE 제198 06 536호 및 DE 제100 24 924호에서 발견된다. 그러나 그것들은 여전히 상대적으로 낮은 효율을 가진다. 더욱이 그들은 발광의 색 자취(locus)에 있어서 상대적으로 강한 온도 이동(drift)을 가진다.
따라서, 대안으로 발광(luminescence) 변환 LED들을 기반으로 하는 녹색 발광 LED들이 개발되었다. 예들은 국제 특허 출원 제01/89001호 및 유럽 특허 출원 제1 150 361호에서 발견된다. 그러나, 지금까지 그것은 직접-발광 LED들에 비해 더 높은 효율을 달성할 수 있는 가능성을 가지지 못했다. 이것은 이 목적을 위해 지금까지 사용되어온 인광물질(BAM 유도체들 및 설파이드) 및 그것의 민감성 때문이다.
옥시니트리도실리케이트(oxynitridosilicate) 타입의 인광물질은 간단한 일반식 MSiON으로 공지되어 있다; 예를 들어 "On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials", J. van Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN 90-386-2711-4, Chapter. 6을 참조하라. 상기 물질은 Tb로 도핑되었다. 발광은 365 nm 또는 254 nm에 의한 여기(excitiation)하에서 성취된다.
새로운 타입의 인광물질은 아직 공개되지 않은 유럽 특허 출원 제02 021 117.8(문서 번호 2002P15736)호에 공지되어 있다. 상기 인광물질은 일반식 MSi2O2N2(M = Ca, Sr, Ba)의 Eu- 또는 Eu, Mn-공동 활성화된(coactivated) 옥시니트리도실리케이트로 이루어진다.
본 발명의 목적은, 가능한 효율이 높은 청구항 1의 전제부에 따른 녹색 발광 LED를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 색 자취를 안정화하기 위한 것이다.
상기 목적들은 기술된 청구항 1의 특징에 의해서 달성된다. 보다 구체적인 바람직한 실시예들은 종속항에서 기술된다.
지금까지는, 효율이 높은 동시에 외부 영향에 대하여 민감하지 않으며, LED에 사용될 수 있는 녹색 발광 인광물질이 존재하지 않았다.
본 발명이 제시하는 인광물질은 일반식 MSi2O2N2 (M = Ca, Sr, Ba)의 옥시니트리도실리케이트이고, 2가의 Eu에 의해 활성화되며, 상황에 따라 Mn이 조활성제로서 추가로 첨가되고, 이 경우 상기 인광물질은 대부분 또는 모두, 즉 50% 이상의 인광물질은 HT 상을 형성한다. 이러한 HT 변형물은 광대역 안에서, 즉 200 내지 480 nm의 넓은 범위에서 여기될 수 있고, 외부 영향에 대하여 매우 안정성을 갖고, 즉, 다시 말해 150 ℃에서 예측되는 분해(degradation)가 나타나지 않고, 그리고 변동 조건(20 내지 100℃에서 관찰될 수 있는 약간의 이동)하에서 매우 우수한 색 자취 안정성을 가지는 점을 특징으로 한다. 이러한 인광물질은 하기에서 종종 Sr Sion:Eu로 인용된다.
새로운 인광물질의 제조시, 특히 중요한 점은 고온의 사용으로서, 상기 합성 영역은 1300 내지 1600℃이다. 다른 결정적인 요인은 가능한 가장 높아야만 하는 출발 성분의 반응성이다.
이러한 인광물질은 특히 InGan 형태의 LED에 의해 효율적으로 여기될 수 있다.
유럽 특허 출원 제02 021 117.8호에서 공지된 인광물질 MSi2O2N2:Eu (M = Ca, Sr, Ba)은, 하기에서 Sr Sion으로 인용되는 M = Sr 또는 M = Sr(1-x-y)BayCax 이고 x+y < 0.5인 Sr-우세한(dominated) 실시예에서, 통제하기가 어렵다. 몇 가지 테스트 상황들이 탁월한 결과들을 제공하더라도, 지금까지는 신뢰할 수 있을 정도로 바람직한 결과들을 얻기 위한 기준 원칙이 존재하지 않았다. 추가적인 요인은, 높은 열 부하에서 인광물질의 효율이 감소되고 색 자취가 심하게 변동되는 어떤 경향이다.
놀랍게도, 상기 두 가지 상은 인광물질로서의 사용 적합성 측면에 있어서 기본적으로 상이하다고 나타났다. LT 상이 Eu-도핑된 인광물질로서 조건적으로만 사용될 수 있고 오렌지-적색광을 발광하는 경향을 보이는 반면, HT 상은 녹색광을 발광하는 인광물질로서 뛰어난 적합성을 가진다. 광대역에 걸쳐 두 가지 형태의 발광이 나타나는 두 가지 변형물의 혼합이 종종 존재한다. 따라서 바람직한 것은, 적어도 50 % 비율에서, 바람직하게는 적어도 70 %, 특히 바람직하게는 적어도 85 % 비율에서 가급적 순수한 형태로 HT 상을 제조하는 것이다.
이것은, 적어도 1300℃ 내지 1600℃를 넘지 않는 온도에서 실시되는 어닐링(annealing) 공정을 필요로 한다. 약 1450 내지 1580 ℃의 온도 범위가 바람직한데, 그 이유는 상기 범위보다 낮은 온도에서는 LT 상의 형성이 증가되고 상기 범위보다 높은 온도에서는 인광물질을 가공 처리하기가 더 어려워지기 때문이다; 약 1600℃ 이상에서는 강하게 소결된 세라믹 또는 용융물로서 존재한다. 최적의 온도 범위는 출발 물질의 정확한 조성 및 특성에 의존한다.
SiO2, SrCO3 및 Si3N4을 기본적인 성분으로 사용하는 실질적으로 화학량적인 출발 물질의 배치(batch)는 Sr Sion 타입의 효율적인 인광물질을 제조하는데 있어 특히 중요하다. 본 출원에서 Sr은 M의 대표적인 예로서 행동한다. 편차는 통상적인 경우와 마찬가지로, 용융제의 첨가를 포함하는 이상적인 화학량적 배치로부터 특히 10 %, 바람직하게는 5 %를 초과하지 않아야 한다. 1%의 최대 편차가 특히 바람직하다. 게다가, 예를 들어, 산화물 Eu2O3로서 구현된 도핑의 유로퓸-분류(fraction)를 위한 전구 물질이 존재한다. 이와 같은 발견은 상당한 화학량적 비율로 기본 성분인 SiO2를 첨가하는 이전의 공정과 상반되는 것이다. 이러한 발견은 또한 유럽 특허 출원 제02 021 117.8호에서 알려진 것과 일치하는 Ba-Sion과 같이 인광물질로서의 사용이 추천된 다른 Sion이 실제로 화학량적 양의 SiO2와 함께 제조되어야 한다는 사실 때문에 특히 놀랍다.
따라서, Sr Sion MSi2O2N2에 대응하는 배치는 11 내지 13 중량%의 SiO2, 27 내지 29 중량%의 Si3N4, 그리고 잔여물로 SrCO3를 사용한다. M에서의 Ba 및 Ca 비율은 탄산염으로서 대응하도록 첨가된다. 유로퓸은 예를 들어 산화물 또는 불화물로서, SrCO3에 대한 대체물로서 바람직한 도핑에 따라 첨가된다. 이 경우 배치 MSi2O2N2는 또한 만약에 전하 보유 측면에서 보상되기만 한다면 정확한 화학량으로부터의 임의의 편차로서 이해될 수 있다.
주 격자(host lattice), 특히 Si3N4의 출발 성분들이 가능한 높은 순도를 갖는 것이 특히 유리한 것으로 증명되었다. 따라서, 예를 들어 실리콘 테트라클로라이드로부터 출발하여, 액상으로부터 합성된 Si3N4가 특히 바람직하다. 특히 텅스텐 및 코발트에 의한 오염은 위험한 것으로 증명되었다. 각각의 이러한 성분들의 오염 정도는 가급적 낮아야 하는데, 이러한 전구 물질들을 기준으로 특히 100 ppm, 특히 50 ppm보다 낮아야 한다. 또한, 가급적 높은 반응성이 바람직한데, 이러한 파라미터는 반응 표면 영역(BET)에 의해 양으로 정해질 수 있고, 그것은 6 m2/g 이상, 바람직하게는 8 m2/g 이상이 되어야 한다. 알루미늄 및 칼슘에 의한 오염 정도도 이러한 전구 물질 Si3N4를 기준으로 가급적 100 ppm 미만이어야 한다.
바람직하지 않은 이종 상(foreign phase), M2Si5N8과 같은, 니트리도실리케이트 MxSiyNz의 정도가 증가하여 화학량적인 배치 및 온도 처리와 관련하여 상술한 공정으로부터 벗어나는 경우가, SiO2의 첨가량이 너무 낮게 설정되어 형성된 경우라면, 과량의 질소가 생성된다. 상기 화합물이 주목할 만한 인광물질이기는 하지만, 상기 화합물은 Sr Sion의 합성과 관련하여, 상기 이종 상이 Sr Sion의 녹색 방사선을 흡수하고, 경우에 따라서는 니트리도실리케이트에 의해 제공되는 적색 방사선으로 변환되기 때문에, 다른 니트리도실리케이트와 마찬가지로 매우 파괴적이다. 대조적으로, SiO2 첨가가 지나치게 높은 경우에는 예를 들어 Sr2SiO4와 같은 Sr 실리케이트가 형성되는데, 그 이유는 과량의 산소가 형성되기 때문이다. 두 가지 이종 상은 모두 유용한 녹색 발광을 흡수하거나 또는 적어도 공간과 같은 격자 결함(lattice defects)을 야기하며, 이와 같은 격자 결함은 인광물질의 효율에 심각한 악영향을 미친다. 사용된 출발점은 상기 이종 상들의 함량이 가급적 15 % 미만, 바람직하게는 심지어 5 % 미만이어야 한다는 기본 원리이다. 합성된 인광물질의 XRD-스펙트럼에서, XRD-회절각(diffraction angle) 2θ가 25 내지 32°의 범위에 있을 필요에 대응하여 모든 이종 상 피크의 세기는 약 31.8°에서 상기 HT 변형물을 특징짓는 메인 피크 세기의 1/3 이하, 바람직하게는 1/4 이하, 특히 바람직하게는 1/5 이하이어야 한다. 이와 같은 내용은 다른 무엇보다도 SrxSiyNz 타입, 특히 Sr2Si5N8 타입의 이종 상들에 적용된다.
처리 절차가 최적인 경우에는, 80 % 내지 확실하게 90 % 이상까지의 양자 효율을 달성할 수 있다. 대조적으로 처리 절차가 불확실한 경우에는, 상기 효율은 통상적으로 최대 50 내지 60 %의 양자 효율의 범위에 있게 된다.
따라서, 본 발명에 따라 제조할 수 있는 인광물질은 일반식 MSi2O2N2 (M = Ca, Sr, Ba)의 옥시니트리도실리케이트이고, 2가의 Eu에 의해 활성화되며, 상황에 따라 Mn이 조활성제로서 추가로 첨가되고, 이 경우 상기 인광물질은 대부분 또는 모두, 즉 50% 이상의 인광물질, 바람직하게는 85% 이상의 인광물질은 HT 상을 형성한다. 이러한 HT 변형물은 광대역 안에서, 즉 50 내지 480 nm의 넓은 범위, 특히 150 내지 480 nm의 넓은 범위, 특히 바람직하게는 250 내지 470 nm의 넓은 범위에서 여기될 수 있고, 외부 영향에 대하여 매우 안정성을 갖고, 즉, 다시 말해 150 ℃에서 예측되는 분해(degradation)가 나타나지 않고, 그리고 변동 조건(20 내지 100℃에서 관찰될 수 있는 약간의 이동)하에서 매우 우수한 색 자취 안정성을 가지는 점을 특징으로 한다. 추가적인 이점은 적색에서 상기 인광물질의 흡수율이 낮다는 것인데, 그것은 특히 인광물질 혼합물의 경우에 있어서 유리하다. 이러한 인광물질은 하기에서 종종 Sr Sion:Eu로 인용된다. 대다수의 HT 변형물은, 특히, 약 28.2°에서 XRD-스펙트럼에 있는 LT 변형물의 특징적인 피크가 25 내지 27°에서 XRD-스펙트럼에 있는 HT 변형물의 3가지 그룹의 반사로부터의 최대 피크에 비해 1:1 미만의, 바람직하게는 1:2 미만의 세기를 가진다는 점으로부터 인식될 수 있다. 본 출원의 각 실시예에서 인용된 XRD-스펙트럼들은 공지된 Cu-Kα 라인에 의한 여기와 관련이 있다.
활성제 농도가 동일한 경우, 상기 인광물질은 동일한 화학량의 LT 변형물과 다른 발광 특성을 나타낸다. HT 변형물이 최적화된 경우에 상기 HT 변형물의 반치폭(FWHM; Full Width at Half Maximum)은 단순한 이종 상 함유 혼합물 및 결함을 갖는 혼합물의 경우보다 훨씬 더 작고, 70 내지 80 nm의 범위에 있는 반면, 상기 단순한 이종 상 함유 혼합물 또는 결함을 갖는 혼합물은 약 110 내지 120 nm의 반치폭을 가진다. HT 변형물의 예에서 우세한 파장은 유의 수준의 이종 상을 함유하는 예보다 일반적으로 더 짧은데, 통상적으로 10 내지 20 nm 더 짧다. 추가적인 요인은 고순도 HT 변형물의 효율은 LT-우세한 혼합물 또는 이종 상 함유량이 높은 혼합물보다 통상적으로는 적어도 20%만큼 더 높고, 일부 예에서는 훨씬 더 높다는 것이다.
LT 변형물 및 이종 상의 함량이 충분히 낮다는 사실의 특징 중의 하나는 발광의 반치폭(FWHM)이 90 nm 미만이라는 것이다. 그 이유는 이종 상의 함량이 낮을수록, 특히 Sr2Si5N8:Eu와 같은 니트리도실리케이트-이종 상 Sr-Si-N-Eu의 이종 상이 풍부한 변형물로부터 특유한 오렌지-적색 발광 비율이 낮아지기 때문이다.
상술한 다른 결정성 구조를 밝히는 XRD-스펙트럼에서의 통상적인 반사들도, 반치폭의 감소 이외에 특징을 설정하기 위한 중요한 요인이 된다.
HT 변형물의 XRD-스펙트럼에서의 우세한 피크는 약 31.7°에서의 피크이다. 다른 두드러진 피크들은 25 내지 27°(25.3 및 26.0 및 26.3°)에서 대략 동일한 세기를 갖는 3개의 피크이며, 이 경우 최소로 회절되는 피크가 가장 센 피크이다. 다른 센 피크는 12.6°이다.
이러한 인광물질은 555 내지 565 nm의 범위에서 우세한 파장을 가지며 주로 녹색을 발광한다.
일반식 MSi2O2N2의 옥시니트리도실리케이트 분자 내에 있는 SiN 그룹의 대체물로서 약간의 AlO 그룹을, 특히 SiN-비율의 최대 30 %까지 혼합하는 것도 가능하다.
Sr Sion:Eu의 2가지 상은 구조적으로 상이한 2개의 주 격자 변형물과 유사하게 결정으로 될 수 있으며 각각 화학량의 SrSi2O2N2:Eu 배치를 사용하여 제조될 수 있다. 상기 화학량으로부터 약간의 편차는 가능하다. 당연히 다른 발광색을 갖는 주 격자 변형물의 뒤의 예에서, Eu로 도핑된 주 격자는 놀랍게도 청색에서 또는 UV 영역에서 여기시, 양쪽으로 발광한다. LT 변형물은 오렌지색의 발광을 보여주며, HT 변형물은 약 λdom = 560 nm에서 대체로 훨씬 더 높은 효율을 가지는 녹색 발광을 한다. 도핑 함량 및 도핑 재료(Eu 또는 Eu, Mn) 그리고 HT 변형물 및 LT 변형물의 상대적인 비율에 따라 인광물질의 바람직한 특성이 정확하게 설정될 수 있다.
HT 상을 선호하는 이유는 양자 효율에 있어서 단지 약간의 변동으로도 매우 넓은 스펙트럼 영역에 걸쳐 균일하게 우수한 수준으로 여기될 수 있기 때문이다.
게다가, 넓은 온도 범위에서 HT 변형물의 발광은 온도에 단지 약하게 의존한다. 따라서, 본 발명은 안정화를 위한 특별한 조치가 없어도 아무런 지장이 없는, 바람직하게는 LED 적용을 위한 최초로 발견된 녹색 발광 인광물질을 가진다. 이와 같은 사실은 특히 지금까지 상기 과제를 위해 가장 유망한 후보 물질로서 간주되던 인광물질, 즉 티오갈레이트(thiogallate) 인광물질 또는 클로로실리케이트(chlorosilicate)로부터 상기 인광물질을 구별되게 한다.
M = (Sr, Ba)이고, 바람직하게는 Ba가 없거나 또는 10 %까지 Ba를 함유하는 Sion 화합물은 넓은 범위의 발광 최대값을 갖는 효율적인 인광물질을 나타낸다. 이러한 최대값은 일반적으로 순수한 Sr Sion의 예에서보다 파장이 짧으며, 바람직하게는 520 내지 565 nm 범위이다. 더구나, 달성 가능한 색 공간(color space)은 작은 양(바람직하게는 30 몰%까지)의 Ca 및/또는 아연의 첨가에 의해확장될 수 있다; 발광 최대값은 Si를 Ge 및/또는 Sn으로 부분적으로 (25 몰%까지) 대체함으로써 순수한 Sr Sion에 비해 보다 긴 파장 범위로 이동된다.
또 다른 구체예는 M, 특히 Sr을 La3+ 또는 Li+와 같은 3가 또는 1가의 이온으로 부분적 치환하는 것이다. 상기 이온들의 비율은 M의 최대 20 몰%인 것이 바람직하다.
놀랍게도, HT 상의 Sr Sion은 λdom = 560 nm (우세한 파장)의 발광의 파장으로 정확히 정해질 수 있는 인광물질을 산출한다. 인광물질은 80%가 족히 넘는 양자 효율과 함께 청색 또는 UV LED로부터 빛을 변환한다. 루멘-기본 효율은 YAG:Ce에 근거한 전형적인 백색 LED들에서의 그것과 비교된다.
따라서, "순수 녹색" 변환 LED는 대부분 순수한 반도체의 변형보다 더 효율적인 상태의 크기이다.
발광 변환 LED의 발광색이 갖는 또 다른 이점은 사실상 수행 온도에 독립적이고, 그리고 결과적으로 상기 LED는 상이한 외부 온도에서 수행될 수 있고, 안정한 색 자취와 함께 흐릿하게 될 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 LED를 가지는 조명 시스템과 관련되며, 상기 조명 시스템은 또한 예로서, 흐릿함을 알리는 전기적 구성요소를 포함한다. 또한 상기 전기 제품들의 목적은 개개의 LED 또는 여러 그룹들의 LED들에 작용하기 위한 것에 있다.
본 발명은 두 가지 실시예를 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다.
도 1은 제 1 옥시니트리도실리케이트의 발광 스펙트럼이며;
도 2는 상기 옥시니트리도실리케이트의 반사 스펙트럼이고;
도 3은 발광 변화 LED로서 녹색광을 위한 광원으로서 사용되는 반도체 구성요소이고;
도 4는 사변형으로서 순수한 녹색을 나타내기 위한 사용영역을 가진 색 도표이고;
도 5는 발광 변화 LED의 스펙트럼적 분배를 보여준다.
본 발명에 따른 인광물질에 대한 구체적인 예가 도 1에 도시되어 있다. 이 실시예는 Eu-비율이 Sr로 채워진 격자 공간의 5 몰%를 차지하는 HT 변형물에서의 인광물질 SrSi2N2O2:(5% Eu2 +)의 발광에 관한 것이다. 발광 최대값은 540 nm에 있고, 평균 파장 λdom은 558 nm에 있다. 색 자취는 x = 0.357; y = 0.605이다. 이 실시예에서 여기는 460 nm에서 이루어졌다. FWHM은 76 nm이다. 양자 효율은 약 90%이다. 색 자취는 x = 0.357; y = 0.605이다.
도 2는 상기 인광물질에 대한 확산 방사 스펙트럼을 도시한 것이다. 그것은 440 nm 미만 범위의 명백한 최소값을 나타내고, 따라서, 상기 범위에서의 우수한 여기성(excitation)이 설명된다.
도 3은 백색광에 대한 광원의 구조를 명확하게 도시한 것이다. 광원은 예를 들어, 405 nm, 430 nm에 이르는 UV 영역에서 피크 발광 파장을 나타내는 InGan 형태의 칩(1)을 가진 반도체 구성 요소이고, 그리고 그것은 오목한 곳(9)의 영역 내 불투명한 기본 하우징(8) 내에 끼워 넣어진다. 칩(1)은 결합 와이어(14)를 통해 제 1 터미널(3)과 연결되고, 제 2 전기 터미널(2)과는 직접 연결된다. 상기 오목한 곳(9)은, 주요 성분으로서 에폭시 캐스팅 수지(80 내지 90 중량%) 및 발광 색소 (6)(20 중량% 미만)를 함유하는 포팅 화합물(5)로 채워진다. 상기 오목한 곳은 칩(1) 또는 색소(6)로부터의 1차 및 2차 방사선을 위한 반사체로서 이용되는 벽(17)을 가진다. UV-LED의 1차 방사선은 인광물질에 의해 완벽하게 녹색으로 변환된다. 인광물질은 상술한 옥시니트리도실리케이트가 사용된다.
여기서 바람직하게 사용될 수 있는 순수한 녹색 영역은 색 도표가 하기의 코너들을 가지는 사변체에 의해 대략적으로 정의되는 영역으로 여겨진다:
(1) : x/y = 0.22/0.595;
(2) : x/y = 0.37/0.46;
(3) : x/y = 0.41/0.59 및
(4) : x/y = 0.225/0.755
이것과 관련하여 도 4를 참조하라.
도 5는 405 nm에서의 피크와 LED 1차 발광 UV에 근거한 발광 변환 LED로부터의 발광의 스펨트럼적 분배를 도시하고 있다.

Claims (11)

  1. UV 또는 청색 방사 영역에서의 칩 발광인 1차 방사선 공급원; 및
    상기 1차 방사선 공급원의 앞에 배열되고 상기 칩의 상기 방사선이 완전히 또는 부분적으로 우세한 파장λdom = 550 내지 570 nm의 녹색광으로 변환되는 인광물질의 층을 포함하고,
    상기 인광물질은 양이온 M 및 일반식 M(1-c)Si2O2N2:Dc를 가지며, D는 2가의 유로퓸(europium)으로의 도핑을 나타내고, M은 Sr을 구성 성분으로서 포함하고 M = Sr 단독 또는 M = Sr(1-x-y)BayCax (0 ≤ x+y < 0.5)가 사용된 옥시니트리도실리케이트(oxynitridosilicate) 부류에 속하고,
    상기 옥시니트리도실리케이트는 완전히 또는 대부분 고온에 안정적인 HT변형물을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    발광(luminescence) 변환 LED로 만들어지는 녹색 발광(green-emitting) LED.
  2. 제 1 항에 있어서, Eu의 비율이 M의 0.1 내지 20 몰%를 차지하는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  3. 제 1 항에 있어서, Sr이 M의 주된 성분이고, M의 일부분이, 특히 30 몰%까지 Ba 및/또는 Ca로 대체되는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  4. 제 1 항에 있어서, M의 일부분이, 특히 30 몰%까지 Li 및/또는 La 및/또는 Zn로 대체되는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  5. 제 1 항에 있어서, 일반식 MSi2O2N2의 옥시니트리도실리케이트 내의 상기 SiN 그룹의 일부분이, 특히 30 몰%까지 AlO그룹으로 대체되는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  6. 제 1 항에 있어서, Eu의 일부분이, 특히 30 몰%까지 Mn으로 대체되는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 1차 방사선은 380 내지 430 nm의 범위, 특히 380 nm 이상의 피크 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 녹색 발광은 556 내지 564 nm의 범위에서 우세한 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 1차 방사선은 완전히 변환되는 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 칩은 430 내지 465 nm의 범위에서 피크 발광 파장을 가지는 InGaN 칩인 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 LED는 흐릿한(dimmable) 것을 특징으로 하는 녹색 발광 LED.
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