KR20060090567A - 와이어 본딩 방법 - Google Patents
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Abstract
저루프화를 한층 더 도모할 수 있는 와이어 본딩 방법을 제공한다.
제1 본딩점인 다이(3)의 패드(2)에 제1 본딩을 수행한 후, 제2 본딩점인 배선(4) 상에 제2 본딩을 수행하고, 패드(2)와 배선(4)을 와이어(10)로 접속하는 와이어 본딩 방법이다. 패드(2) 상에 미리 범프(12)를 형성하고, 이 범프(12) 형성 공정에서의 와이어 절단 공정에 의해 캐필러리(6)의 끝단부로부터 돌출된 와이어(10)를 횡방향으로 절곡하여 굽힘부(15)를 형성하고, 그런 다음 굽힘부(15)를 범프(12)에 본딩하여 상기 제1 본딩 공정을 수행하고, 그런 다음 와이어(10)를 배선(4)에 본딩하여 상기 제2 본딩 공정을 수행한다.
와이어 본딩 방법, 배선, 패드, 절단, 굽힘부, 범프, 볼, 본딩점, 캐필러리
Description
도 1은 본 발명의 와이어 본딩 방법의 제1 실시 형태를 도시한 공정도이고,
도 2는 도 1에 이어지는 공정도이고,
도 3은 본 발명의 와이어 본딩 방법의 제2 실시 형태를 나타내며, 도 1(f)에 이어지는 공정도이고,
도 4는 도 3에 이어지는 공정도이고,
도 5는 본 발명의 와이어 본딩 방법의 제3 실시 형태를 도시한 공정도이고,
도 6은 도 5에 이어지는 공정도이고,
도 7은 본 발명의 와이어 본딩 방법의 제4 실시 형태를 나타내며, 도 5(d)에 이어지는 공정도이고,
도 8은 도 7에 이어지는 공정도이다.
<부호의 설명>
1 : 회로 기판 2 : 패드
3 : 다이 4 : 배선
5 : 클램퍼 6 : 캐필러리
10 : 와이어 11 : 볼
12 : 범프 13 : 홀 부분
14 : 박육부 15 : 굽힘부
16 : 제1 본딩부 17 : 제2 본딩부
20 : 하부 제1 본딩부 22 : 상부 제1 본딩부
23 : 제1 본딩부 24 : 제2 본딩부
30 : 박육부 31 : 볼 네크부
본 발명은 와이어 본딩 방법에 관한 것으로서, 특히 저루프화에 적합한 와이어 본딩 방법에 관한 것이다.
제1 본딩점에 볼을 본딩하는 볼 본딩 방법은, 볼의 네크부는 재결정 영역으로 되어 있고, 단단하고 부서지기 쉬우므로, 와이어 루프는 재결정 영역 부분보다 윗 부분부터 절곡할 필요가 있다. 따라서, 저루프화의 요구에 부응할 수 없다.
이의 개선책으로서, 특허 문헌 1 및 2에 개시한 와이어 본딩 방법을 들 수 있다. 이 방법은 먼저 다이의 패드에 와이어 끝단에 형성한 볼을 본딩하여 압착 볼을 형성한다. 다음, 캐필러리를 상승시킨 후, 배선(외부 리드)과 반대 방향으로 이동시킨다. 계속하여 캐필러리를 상승시킨 후, 패드의 바로 위까지 이동시킨다. 다음, 캐필러리를 하강시켜 상기 압착 볼 상에 와이어를 압착시킨다. 그런 다음에는 캐필러리를 배선 상으로 이동시켜 와이어를 배선에 본딩한다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평 9-51011호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 2004-172477호 공보
상기 종래 기술은 패드에 본딩한 압착 볼 상에 와이어의 재결정 영역 부분을 절곡하여 본딩하므로 패드 상의 본딩 높이를 낮출 수 있어 저루프화를 도모할 수 있다. 그러나, 압착 볼 상에 와이어를 두 겹으로 포개서 본딩할 필요가 있어 저루프화에는 자연히 한계가 있었다.
본 발명의 과제는 저루프화를 한층 더 도모할 수 있는 와이어 본딩 방법을 제공 하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 청구항 1은, 제1 본딩점인 다이의 패드에 제1 본딩을 수행한 후, 제2 본딩점인 배선 상에 제2 본딩을 수행하고, 상기 패드와 상기 배선을 와이어로 접속하는 와이어 본딩 방법에 있어서, 상기 패드 상에 미리 범프를 형성하고, 이 범프 형성 공정에서의 와이어 절단 공정에 의해 캐필러리의 끝단부로부터 돌출된 와이어를 횡방향으로 절곡하여 굽힘부를 형성하고, 그런 다음 상기 굽힘부를 상기 범프에 본딩하여 상기 제1 본딩 공정을 수행하고, 그런 다음 와이어를 상기 배선에 본딩하여 상기 제2 본딩 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 청구항 2는, 제1 본딩점인 배선에 제1 본딩을 수행한 후, 제2 본딩점인 다이의 패드 상에 제2 본딩을 수행하여 상기 배선과 상기 패드를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 방법에 있어서, 상기 패드 상에 미 리 범프를 형성하고, 이 범프 형성 공정에서의 와이어 절단 공정에 의해 캐필러리의 끝단부로부터 돌출된 와이어를 횡방향으로 절곡하여 굽힘부를 형성하고, 이 굽힘부를 상기 배선에 본딩하여 하부 제1 본딩부를 형성하는 공정과, 캐필러리를 상승 및 상기 하부 제1 본딩부의 상방으로 이동시키고, 그런 다음 캐필러리를 하강시켜 와이어를 상기 하부 제1 본딩부 상에 포개서 접속하여 상부 제1 본딩부를 형성하는 공정으로부터 상기 제1 본딩 공정을 수행하고, 그런 다음 와이어를 상기 범프에 본딩하여 상기 제2 본딩 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 청구항 3은, 상기 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 굽힘부는 클램퍼로 와이어를 클램핑하여 상기 클램퍼를 횡방향으로 이동시켜 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 청구항 4는, 상기 청구항 1에 있어서, 상기 굽힘부는 클램퍼로 와이어를 클램핑하고, 다음에 본딩할 패드와 배선을 접속하는 방향에 평행하며, 또한 배선측으로 캐필러리를 이동시켜 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 청구항 5는, 상기 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 범프는 볼을 상기 패드에 본딩한 후, 캐필러리의 하단의 엣지부가 범프 상에 형성된 홀 부분의 높이 이내에 위치하도록 캐필러리를 상승시키고, 다음에 캐필러리를 횡방향으로 이동시켜 범프와 와이어의 접속부에 박육부를 형성하고, 계속하여 캐필러리를 일정량 상승시킨 후, 와이어를 잡아당겨 상기 박육부로부터 절단하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 청구항 6은, 상기 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 범프는 볼을 상기 패드에 본딩하고, 이 때의 볼의 파괴를 와이어를 잡아당겼을 때 볼 네크부 하부로부터 떨어져 나가는 두께가 될 때까지 눌러 찌그러뜨려 볼 네크부 하부에 박육부를 형성하고, 다음에 와이어를 비스듬히 상방으로 잡아당겨 상기 박육부로부터 절단하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
본 발명의 와이어 본딩 방법의 제1 실시 형태를 도 1 및 도 2에 따라 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 세라믹 기판이나 프린트 기판 또는 리드프레임 등으로 이루어지는 회로 기판(1) 상에는 패드(2)가 형성된 다이(3)가 탑재되어 있다. 또 회로 기판(1)에는 배선(4)이 형성되어 있다.
먼저 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 클램퍼(5)를 통해서 캐필러리(6)에 삽입 통과된 와이어(10)의 끝단에는 도시하지 않은 전기 토치에 의해 볼(11)을 형성하고, 그런 다음 클램퍼(5)는 열린 상태가 된다. 다음에, 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)가 하강하여 제1 본딩점인 패드(2)에 볼(11)을 본딩한다. 이에 따라 볼(11)의 일부는 캐필러리(6)의 관통공(6a) 안으로 불거져 나오고, 범프(12) 상에 홀 부분(13)이 형성된다. 계속하여 도 1(c)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)의 하단의 엣지부(6b)가 홀 부분(13)의 높이 이내에 위치하도록 캐필러리(6)를 상승시킨다.
다음에, 도 1(d)에 도시한 바와 같이, 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)를 함께 제2 본딩점인 배선(4)측 방향으로 이동시키고, 범프(12)와 와이어(10)의 접속부에 박육 부(薄肉部)(14)를 형성한다. 다음에, 도 1(e)에 도시한 바와 같이, 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)가 함께 일정량 상승한다. 계속하여 클램퍼(5)가 닫히고, 도 1(f)에 도시한 바와 같이 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)는 함께 제2 본딩점인 배선(4) 측으로 이동한다. 이에 따라, 와이어(10)는 박육부(14)로부터 절단되고, 패드(2) 상에 범프(12)가 형성된다. 또 캐필러리(6)의 하단으로부터 돌출된 와이어(10)의 끝단은 범프(12)측 방향으로 구부러진 굽힘부(15)가 형성된다.
다음 도 1(g)에 도시한 바와 같이, 굽힘부(15)가 범프(12)의 상방에 위치하도록 이동된다. 계속하여 도 1(h)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)가 하강하여 범프(12)에 굽힘부(15)를 본딩하여 제1 본딩부(16)를 형성한다. 또한 클램퍼(5)는 열린 상태가 된다.
그런 다음에는 종래와 마찬가지로 제2 본딩점인 배선(4)에 와이어(10)를 접속한다. 즉 도 2(a)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)는 상승 및 도 2(b)에 도시한 바와 같이 배선(4)의 방향으로 이동하여 와이어(10)를 내보내고, 그런 다음 하강하여 와이어(10)를 배선(4)에 본딩하여 제2 본딩부(17)로 한다. 다음, 도 2(c)에 도시한 바와 같이 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)가 함께 상승하고, 이 상승 도중에 클램퍼(5)가 닫히고 와이어(10)는 제2 본딩부(17)의 베이스로부터 절단된다.
이와 같이 제1 본딩점인 패드(2)에 범프(12)를 형성하고 이 범프(12)로부터 와이어(10)를 절단할 때, 캐필러리(6)의 끝단부에 돌출된 와이어 굽힘부(15)를 형성하므로, 제1 본딩점에 본딩하는 경우의 와이어 끝단부의 굽힘부(15)를 특별한 장치를 설치하지 않고 기존의 와이어 본딩 장치에 의해 형성할 수 있다. 또 범프 (12)에 굽힘부(15)를 직접 본딩하므로 제1 본딩점의 루프 높이를 낮출 수 있다. 즉, 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다. 또한 상기 굽힘부(15)는 범프(12)로부터 와이어(10)를 절단할 때 다음에 접속할 범프(12)와 배선(4)에 평행하며, 또한 제2 본딩점인 배선(4) 측으로 캐필러리(6)를 이동시켜 형성한다. 이에 따라, 와이어 끝단부의 굽힘부(15)의 방향을 다음 본딩에 적합한 방향으로 구부릴 수 있음과 동시에, 이 굽힘부(15)를 범프(12)에 본딩한 후, 제2 본딩점인 배선(4)에 본딩하기 위한 와이어 루프 형상을 낮출 수 있다. 이러한 점으로부터도 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다.
또한 범프(12)는 볼(11)을 패드(2)에 본딩한 후, 캐필러리(6)의 하단의 엣지부(6b)가 범프(12) 상에 형성된 홀 부분(13)의 높이 이내에 위치하도록 캐필러리(6)를 상승시키고, 다음에 캐필러리(6)를 횡방향으로 이동시켜 범프(12)와 와이어(10)의 접속부에 박육부(14)를 형성하고, 계속하여 캐필러리(6)를 일정량 상승시킨 후, 와이어(10)를 잡아당겨 박육부(14)로부터 절단하여 형성하여 범프(12)의 상면이 평탄해지므로 이 범프(12)에 접속된 와이어(10)의 배선 방향이 거의 수평해져서 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 방법의 제2 실시 형태를 도 1(a) 내지 도 1(f), 도 3 및 도 4에 따라 설명한다. 본 실시 형태는 도 1(a) 내지 도 1(f)의 공정에 의해 패드(2) 상에 범프(12)를 형성함과 동시에, 캐필러리(6) 하면의 범프(12)측 방향으로 절곡된 굽힘부(15)를 형성할 때까지는 상기 실시 형태와 동일하다. 다음, 상기실시 형태는 범프(12) 상에 굽힘부(15)를 본딩하였으나, 본 실시 형태는 굽힘부 (15)를 배선(4) 상에 본딩한다. 즉, 상기 실시 형태는 패드(2)가 제1 본딩점이고 배선(4)이 제2 본딩점이 되었다. 본 실시 형태는 반대로 배선(4)이 제1 본딩점이고 패드(2)가 제2 본딩점인 경우를 나타낸다.
도 1(f)의 공정 후, 도 3(a)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)는 배선(4)의 상방으로 이동된다. 다음, 도 3(b)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)가 하강하여 제1 본딩점인 배선(4)에 굽힘부(15)를 본딩하여 하부 제1 본딩부(20)를 형성한다. 또 클램퍼(5)는 열린 상태가 된다.
다음 도 3(c)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)를 상승시키고, 계속하여 도 3(d)에 도시한 바와 같이 하부 제1 본딩부(20)의 상방으로 이동시킨다. 다음 도 3(e)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)를 하강시키고, 도 3(d)에 도시한 와이어 부분(21)을 절곡하여 하부 제1 본딩부(20) 상에 와이어 부분(21)을 본딩하여 상부 제1 본딩부(22)를 형성하고 제1 본딩부(23)로 한다.
그런 다음에는 제2 본딩점인 패드(2) 상에 형성된 범프(12) 상에 와이어(10)를 접속한다. 즉, 도 3(f)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)는 상승 및 도 4(a)에 도시한 바와 같이 패드(2)의 방향으로 이동하여 와이어(10)를 내보내고, 그런 다음 하강하여 와이어(10)를 범프(12)에 본딩하여 제2 본딩부(24)로 한다. 다음, 도 4(b)에 도시한 바와 같이 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)가 함께 상승하고, 이 상승 도중에 클램퍼(5)가 닫히고 와이어(10)는 제2 본딩부(24)의 베이스로부터 절단된다.
본 실시 형태는 제1 본딩점이 배선(4)으로 되어 있다. 따라서, 단순히 굽힘부(15)를 배선(4)에 본딩하는 것만으로는 본딩 강도가 약하다. 본 실시 형태는 굽 힘부(15)를 제1 본딩점에 본딩하여 먼저 하부 제1 본딩부(20)를 형성하고, 그런 다음 이 하부 제1 본딩부(20) 상에 와이어 부분(21)을 절곡하고 서로 포개서 상부 제1 본딩부(22)를 형성하므로, 제1 본딩점에 대한 본딩 강도의 신뢰성이 훨씬 향상된다. 또 패드(2)에 범프(12)를 형성하고, 이 범프(12)를 제2 본딩점으로 하여 와이어(10)를 직접 본딩하므로, 패드(2) 측의 루프 높이가 낮아진다. 즉, 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다. 또한 제2 본딩점인 패드(2)에 범프(12)를 형성하고, 이 범프(12)로부터 와이어(10)를 절단할 때, 캐필러리(6)의 끝단부로 돌출된 와이어 굽힘부(15)를 형성하므로, 제1 본딩점에 본딩하는 경우의 와이어 끝단부의 굽힘부(15)를 특별한 장치를 설치하지 않고 기존의 와이어 본딩 장치에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 방법의 제3 실시 형태를 도 5 및 도 6에 따라 설명한다. 또한, 상기 각 실시 형태와 동일 또는 해당 부재에는 동일한 부호를 붙여 설명한다. 본 실시 형태는 상기 제1 실시 형태와 범프(12)의 형성 방법만이 다를 뿐이다.
먼저, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 클램퍼(5)를 통과하여 캐필러리(6)에 삽입 통과된 와이어(10)의 끝단에는 도시하지 않은 전기 토치에 의해 볼(11)을 형성하고, 그런 다음에 클램퍼(5)는 열린 상태가 된다. 다음 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)가 하강하여 제1 본딩점인 패드(2)에 볼(11)을 본딩한다. 이 경우, 볼(11)을 극한까지 눌러 찌그러뜨린다는 점이 상기 실시 형태와 다르다. 예를 들면 볼 네크부 하부의 높이(H)가 0∼5μm 정도(와이어(10)를 비스듬히 상방으로 잡아당겼을 때 볼 네크부 하부로부터 떨어져 나가는 두께)가 될 때까지 볼(11)을 눌러 찌그러뜨린다. 이에 따라, 볼 네크부 하부의 높이(H)는 박육부(30)가 된다. 다음 도 5(c)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)의 하단의 엣지부(6b)가 홀 부분(13)의 높이보다 높은 위치가 되도록 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)를 일정량 상승시킨다.
다음 클램퍼(5)가 닫히고, 도 5(d)에 도시한 바와 같이 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)는 함께 제2 본딩점인 배선(4)측의 비스듬히 상방으로 이동한다. 이에 따라, 와이어(10)는 볼 네크부 하부의 박육부(30)로부터 절단되고, 패드(2) 상에 범프(12)가 형성된다. 또 캐필러리(6)의 하단으로부터 돌출된 와이어(10)의 끝단은 범프(12)측 방향으로 구부러진 굽힘부(15)가 형성되고, 이 굽힘부(15)의 끝단에는 볼 네크부(31)가 설치된다.
그런 다음에는 도 1(g), 도 1(h) 및 도 2와 동일한 공정이 수행된다. 즉, 도 5(e)에 도시한 바와 같이 굽힘부(15)가 범프(12)의 상방에 위치하도록 이동된다. 계속하여 도 5(f)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)가 하강하여 범프(12)에 굽힘부(15)를 본딩하여 제1 본딩부(16)를 형성한다. 또 클램퍼(5)는 열린 상태가 된다.
그런 다음에는 종래와 마찬가지로 제2 본딩점인 배선(4)에 와이어(10)를 접속한다. 즉, 도 6(a)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)는 상승 및 도 6(b)에 도시한 바와 같이 배선(4)의 방향으로 이동하여 와이어(10)를 내보내고, 그런 다음 하강하여 와이어(10)를 배선(4)에 본딩하여 제2 본딩부(17)로 한다. 다음 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)가 함께 상승하고, 이 상승 도중에 클램퍼(5)가 닫히고, 와이어(10)는 제2 본딩부(17)의 베이스로부터 절단된다.
이와 같이 구성하여도 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 특히 본 실시 형태는 범프(12) 형성시의 볼(11)의 파괴를 와이어(10)를 잡아당겼을 때 볼 네크부 하부로부터 떨어져 나가는 두께가 될 때까지 눌러 찌그러뜨리므로, 범프(12)의 높이가 매우 낮게 형성된다. 따라서, 본 실시 형태는 상기 제1 실시 형태보다 패드(2) 상의 루프 높이를 훨씬 낮출 수 있어 저 와이어 루프화를 한층 더 도모할 수 있다.
본 발명의 와이어 본딩 방법의 제4 실시 형태를 도 5(a) 내지 도 5(d), 도 7 및 도 8에 따라 설명한다. 본 실시 형태는 도 5(a) 내지 도 5(d)의 공정에 의해 패드(2) 상에 범프(12)를 형성함과 동시에, 캐필러리(6) 하면의 범프(12)측 방향으로 구부러진 굽힘부(15) 및 볼 네크부(31)를 형성할 때까지는 상기 실시 형태와 동일하다. 그 이후에는 상기 제2 실시 형태(도 3 및 도 4 참조)와 동일한 공정이 수행된다.
즉, 도 5(d)의 공정 후, 도 7(a)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)는 배선(4)의 상방으로 이동된다. 다음 도 7(b)에 도시한 바와 같이, 캐필러리(6)가 하강하여 제1 본딩점인 배선(4)에 굽힘부(15)를 본딩하여 하부 제1 본딩부(20)를 형성한다. 또 클램퍼(5)는 열린 상태가 된다.
다음 도 7(c)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)를 상승시키고, 계속하여 도 7(d)에 도시한 바와 같이 하부 제1 본딩부(20)의 상방으로 이동시킨다. 다음 도 7(e)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)를 하강시키고, 도 7(d)에 도시한 와이어 부분(21)을 절곡하여 하부 제1 본딩부(20) 상에 와이어 부분(21)을 본딩하여 상부 제1 본딩부(22)를 형성하여 제1 본딩부(23)로 한다.
그런 다음에는 제2 본딩점인 패드(2) 상에 형성된 범프(12) 상에 와이어(10)를 접속한다. 즉, 도 7(f)에 도시한 바와 같이 캐필러리(6)는 상승 및 도 8(a)에 도시한 바와 같이 패드(2)의 방향으로 이동하여 와이어(10)를 내보내고, 그런 다음 하강하여 와이어(10)를 범프(12)에 본딩하여 제2 본딩부(24)로 한다. 다음 도 8(b)에 도시한 바와 같이 클램퍼(5) 및 캐필러리(6)가 함께 상승하고, 이 상승 도중에 클램퍼(5)가 닫히고, 와이어(10)는 제2 본딩부(24)의 베이스로부터 절단된다.
이와 같이 구성하여도 상기 제2 실시 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 특히 본 실시 형태는 상기 제3 실시 형태와 마찬가지로, 범프(12)의 형성시의 볼(11)의 파괴를 와이어(10)를 잡아당겼을 때 볼 네크부 하부로부터 떨어져 나가는 두께가 될 때까지 눌러 찌그러뜨리므로, 범프(12)의 높이가 매우 낮게 형성된다. 따라서, 본 실시 형태는 상기 제2 실시 형태보다 패드(2) 상의 루프 높이를 훨씬 낮출 수 있어, 저 와이어 루프화를 한층 더 도모할 수 있다.
또한, 제2 및 제4 본 실시 형태의 경우에는 굽힘부(15)를 하부 제1 본딩부(20)로 하여 이 하부 제1 본딩부(20) 상에 상부 제1 본딩부(22)를 형성하므로 굽힘부(15)의 굽힘 방향은 제2 본딩점 방향일 필요가 없으며, 임의의 방향이어도 좋다.
청구항 1 및 2는 제1 본딩점인 패드에 범프를 형성하고 이 범프로부터 와이 어(110)를 절단할 때, 캐필러리의 끝단부에 돌출된 와이어 굽힘부를 형성하므로, 제1 본딩점에 본딩하는 경우의 와이어 끝단부의 굽힘부를 특별한 장치를 설치하지 않고 기존의 와이어 본딩 장치에 의해 형성할 수 있다.
또 청구항 1은 범프에 굽힘부를 직접 본딩하므로 제1 본딩점의 루프 높이를 낮출 수 있어, 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다. 청구항 2는 범프를 제2 본딩점으로 하여 와이어를 직접 본딩하므로, 청구항 1과 마찬가지로 제2 본딩점의 루프 높이를 낮출 수 있어 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다. 또 청구항 2는 굽힘부를 제1 본딩점인 배선에 본딩하여 먼저 하부 제1 본딩부를 형성하고, 그런 다음 이 하부 제1 본딩부 상에 와이어를 절곡하고 서로 포개서 상부 제1 본딩부를 형성하므로, 배선에 대한 본딩 강도의 신뢰성이 훨씬 향상된다.
청구항 4는 청구항 1에서, 굽힘부는 범프로부터 와이어를 절단할 때 다음에 접속할 범프와 배선에 평행하며, 또한 제2 본딩점인 배선 측으로 캐필러리를 이동시켜 형성하므로, 와이어 끝단부의 굽힘부의 방향을 다음 본딩에 적합한 방향으로 구부릴 수 있음과 동시에, 이 굽힘부를 범프에 본딩한 후, 제2 본딩점인 배선에 본딩하기 위한 와이어 루프 형상을 낮출 수 있다. 이러한 점으로부터도 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다.
청구항 5는 범프의 상면이 평탄해지므로 이 범프에 접속된 와이어의 배선 방향이 거의 수평해져 저 와이어 루프화를 도모할 수 있다.
청구항 6은 범프의 형성시의 볼의 파괴를 와이어를 잡아당겼을 때 볼 네크부 하부로부터 떨어져 나가는 두께가 될 때까지 눌러 찌그러뜨리므로 범프의 높이가 매우 낮게 형성되어 패드 상의 루프 높이를 훨씬 더 낮출 수 있어, 저 와이어 루프화가 한층 더 도모된다.
Claims (6)
- 제1 본딩점인 다이의 패드에 제1 본딩을 수행한 후, 제2 본딩점인 배선 상에 제2 본딩을 수행하고, 상기 패드와 상기 배선 사이를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 방법에 있어서,상기 패드 상에 미리 범프를 형성하고, 이 범프 형성 공정에서의 와이어 절단 공정에 의해 캐필러리의 끝단부로부터 돌출된 와이어를 횡방향으로 절곡하여 굽힘부를 형성하고, 그런 다음 상기 굽힘부를 상기 범프에 본딩하여 상기 제1 본딩 공정을 수행하고, 그런 다음 와이어를 상기 배선에 본딩하여 상기 제2 본딩 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
- 제1 본딩점인 배선에 제1 본딩을 수행한 후, 제2 본딩점인 다이의 패드 상에 제2 본딩을 수행하여 상기 배선과 상기 패드 사이를 와이어로 접속하는 와이어 본딩 방법에 있어서,상기 패드 상에 미리 범프를 형성하고, 이 범프 형성 공정에서의 와이어 절단 공정에 의해, 캐필러리의 끝단부로부터 돌출된 와이어를 횡방향으로 절곡하여 굽힘부를 형성하고, 이 굽힘부를 상기 배선에 본딩하여 하부 제1 본딩부를 형성하는 공정과, 캐필러리를 상승 및 상기 하부 제1 본딩부의 상방으로 이동시키고, 그런 다음 캐필러리를 하강시켜 와이어를 상기 하부 제1 본딩부 상에 포개서 접속하여 상부 제1 본딩부를 형성하는 공정으로부터 상기 제1 본딩 공정을 수행하고, 그 런 다음 와이어를 상기 범프에 본딩하여 상기 제2 본딩 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 굽힘부는 클램퍼로 와이어를 클램핑하여 이 클램퍼를 횡방향으로 이동시켜 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
- 제1항에 있어서,상기 굽힘부는 클램퍼로 와이어를 클램핑하고, 다음에 본딩할 패드와 배선을 연결하는 방향에 평행하며, 또한 배선측으로 캐필러리를 이동시켜 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 범프는 볼을 상기 패드에 본딩한 후, 캐필러리의 하단의 엣지부가 범프 상에 형성된 홀 부분의 높이 이내에 위치하도록 캐필러리를 상승시키고, 다음에 캐필러리를 횡방향으로 이동시켜 범프와 와이어의 접속부에 박육부를 형성하고, 계속하여 캐필러리를 일정량 상승시킨 후, 와이어를 잡아당겨 상기 박육부로부터 절단하여 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 범프는 볼을 상기 패드에 본딩하고, 이 때의 볼의 파괴를 와이어를 잡아당겼을 때 볼 네크부 하부로부터 떨어져 나가는 두께가 될 때까지 눌러 찌그러뜨려 볼 네크부 하부에 박육부를 형성하고, 다음에 와이어를 비스듬히 상방으로 잡아당겨 상기 박육부로부터 절단하여 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00031701 | 2005-02-08 | ||
JP2005031701A JP4298665B2 (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060090567A true KR20060090567A (ko) | 2006-08-14 |
KR100765376B1 KR100765376B1 (ko) | 2007-10-10 |
Family
ID=36778943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050121554A KR100765376B1 (ko) | 2005-02-08 | 2005-12-12 | 와이어 본딩 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060175383A1 (ko) |
JP (1) | JP4298665B2 (ko) |
KR (1) | KR100765376B1 (ko) |
TW (1) | TW200629447A (ko) |
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- 2005-12-12 KR KR1020050121554A patent/KR100765376B1/ko not_active IP Right Cessation
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JP4298665B2 (ja) | 2009-07-22 |
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US20060175383A1 (en) | 2006-08-10 |
TWI358096B (ko) | 2012-02-11 |
JP2006222128A (ja) | 2006-08-24 |
US7934634B2 (en) | 2011-05-03 |
KR100765376B1 (ko) | 2007-10-10 |
US20090194577A1 (en) | 2009-08-06 |
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Legal Events
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