KR20060052305A - 노광 방법 및 장치 - Google Patents

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KR20060052305A
KR20060052305A KR1020050102185A KR20050102185A KR20060052305A KR 20060052305 A KR20060052305 A KR 20060052305A KR 1020050102185 A KR1020050102185 A KR 1020050102185A KR 20050102185 A KR20050102185 A KR 20050102185A KR 20060052305 A KR20060052305 A KR 20060052305A
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요시하루 사사키
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후지 샤신 필름 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 레지스트층 등의 광에 감도를 갖는 감광층이 적층된 프린트 배선 기판 등의 기록 매체에 패턴을 노광할 때에, 감광층의 밀착성을 유지하면서도 감광층을 제거할 수 없거나, 감광층이 박리되기 쉬워지거나 하는 것을 방지하는 것을 과제로 한다.
이를 위해 노광 장치(3)에 의해 기판에 형성된 레지스트층에 배선 패턴을 노광할 때에 배선 패턴의 에지 영역에 조사되는 광 조사 에너지를 에지 영역 이외의 다른 영역에 조사하는 광 조사 에너지보다 크게 한다.
감광층, 에지영역, 기록매체, 광 빔

Description

노광 방법 및 장치{EXPOSURE METHOD AND APPARATUS}
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 노광 장치를 포함하는 프린트 배선 기판 제조 시스템의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일실시형태에 의한 노광 장치의 외관을 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 노광 장치로 이용되는 스캐너를 도시한 사시도이다.
도 4는 감광 재료에 형성되는 노광 완료 영역을 도시한 평면도(a) 및 각 노광 헤드에 의한 노광 영역의 배열을 도시한 도면(b)이다.
도 5는 도 2의 노광 장치에 있어서의 노광 헤드의 개략 구성을 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 노광 헤드의 구성을 도시한 광축에 따른 부주사 방향의 단면도이다.
도 7은 디지털 마이크로 미러 디바이스(ＤＭＤ)의 부분 확대도이다.
도 8은 ＤＭＤ의 동작을 설명하는 설명도이다.
도 9는 본 실시형태에 있어서 노광되는 패턴을 도시한 도면이다.
도 10은 본 실시형태에 있어서 노광되는 패턴에 포함되는 영역을 도시한 평면도(a) 및 노광 후의 기판에 있어서의 (ａ)의 Ｉ-I선에 대응하는 위치에 있어서의 단면도(b)이다.
도 11은 전화소에 있어서 값이 1인 화소 패턴을 도시한 도면(a) 및 값이 1인 화소와 값이 0인 화소가 교대로 늘어선 패턴을 도시한 도면(b)이다.
도 12는 본 실시형태에 있어서 사용되는 마스크 필름의 예를 도시한 도면이다.
도 13은 2회의 노광을 행할 때에 1회째의 노광에 사용되는 마스크 필름의 예를 도시한 도면(a) 및 2회째의 노광에 사용되는 마스크 필름의 예를 도시한 도면(b)이다.
[부호의 설명]
1: 프린트 배선 기판 제조 시스템 2: 라미네이트 장치
3,8: 노광 장치 4,9: 현상 장치
5: 에칭 장치 6: 박리 장치
7: 솔더 레지스트 도포 장치 10: 큐어(cure) 장치
11: 도금 장치 12: CAM 시스템
50: 디지털 마이크로 미러 디바이스(DMD)
52,54,57,58: 결상 광학계 렌즈 55: 마이크로 렌즈 어레이
56: 피노광면 59: 애퍼츄어(aperture) 어레이
66: 수은 램프 67: 조사 렌즈계
71: 콜리메이터 렌즈 72,73: 마이크로 플라이 아이 렌즈
74: 필드 렌즈 150: 감광 재료
152: 스테이지 162: 스캐너
166: 노광 헤드 168: 노광 영역
170: 노광 완료 영역
본 발명은 레이저 광원으로부터 발생된 광 빔 등에 의해 프린트 배선 기판의 배선 패턴 등의 소정 패턴을 프린트 배선 기판 등의 기록 매체에 적층된 감광층에 노광하는 노광 방법 및 장치에 관한 것이다.
종래, 디지털 마이크로 미러 디바이스(DMD) 등의 공간 광 변조 소자를 이용하여 화상 데이터에 따라서 변조된 광 빔에 의해 화상 노광을 행하는 노광 장치가 여러 가지로 제안되어 있다. 이와 같은 노광 장치의 용도의 하나로서 프린트 배선 기판의 제조 공정에 있어서의 이용이 공지되어 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
일반적으로, 프린트 배선 기판은 다음 공정에 의해 제조된다. 우선, 배선 패턴을 형성하는 기판에 형성된 도전층[예를 들면 동(銅)박막]상에 광 조사에 의해 경화하는 감광성 재료로 이루어지는 드라이 필름 레지스트층(이하 간단히 레지스트층이라 함)을 형성한다. 이어서, 그 레지스트층에 대하여 배선 패턴과 같은 형상으로 광 빔을 노광한다. 그리고, 현상에 의해 레지스트층에 있어서의 광 빔이 조사되지 않은 부분을 제거하고, 배선 패턴과 같은 형상의 패턴(이하, 레지스트 패턴이라 칭함)을 형성한 후, 그 레지스트 패턴을 마스크로서 도전층을 에칭한다. 그리고, 레지스트층을 제거함으로써 도전층에 배선 패턴을 형성한다.
또한, 광 조사에 의해 경화되는 솔더 레지스트를 도포하여 반경화시켜, 전극 부위의 상면 둘레가 소정 폭으로 피복되어 개구되도록 한 패턴과 같은 형상으로 광 빔을 노광한다.
그리고, 솔더 레지스트층에 있어서의 현상에 의해 광 빔이 조사되지 않은 부분을 제거한 후에 솔더 레지스트층을 완전히 경화시켜, 그 후 땜납의 습윤성을 높이기 위해서 니켈-금도금층 등을 형성함으로써 프린트 배선 기판이 완성된다.
상술한 레지스트층 및 솔더 레지스트층의 노광은 종래, 배선 패턴 혹은 전극 부위의 상면 둘레가 소정 폭으로 피복되는 패턴(이하 배선 패턴 등이라 함)과 같은 형상의 개구부를 갖는 마스크 필름을 레지스트층 및 솔더 레지스트층에 각각 밀착시킨 상태에서 행하여져 왔었지만, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 화상 기록 장치를 이용하면 레지스트층 및 솔더 레지스트층에 직접 패턴을 기록(노광)할 수 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 2004-1244호 공보
상술한 바와 같이, 배선 패턴 등을 노광할 경우에는 레지스트층 및 솔더 레지스트층(이하, 감광층이라 함)의 밀착성이 낮으면, 여러가지 문제가 발생한다. 예를 들면, 레지스트층의 밀착성이 낮으면, 레지스트층의 에지 부분이 기판으로부터 남아버려, 현상 공정 중에 있어서 현상액이 레지스트층과 기판 사이에 들어가고, 후의 에칭 공정이나 도금 공정에 있어서 소망의 에칭이나 도금을 할 수 없게 되어버린다. 또한, 솔더 레지스트층을 형성하는 공정에 있어서는 현상 후의 도금 공정에 있어서 프린트 배선 기판이 전처리 액이나 도금액에 표백되지만, 솔더 레지스트 층의 밀착성이 낮으면, 솔더 레지스트층의 에지 부분이 기판으로부터 남아버려, 소망하는 도금을 행할 수 없게 되어 버린다.
이 때문에, 배선 패턴 등의 노광시에는 레지스트층 및 솔더 레지스트층에 있어서의 노광된 부분이 박리되지 않도록, 광 빔의 조사 에너지를 어느 정도 크게 할 필요가 있다.
그러나, 조사 에너지가 지나치게 크면, 에칭 후에 레지스트층을 완전히 제거할 수 없게 될 우려가 있다. 또한, 솔더 레지스트층의 경우 조사 에너지가 지나치게 크면, 광 중합 반응이 과대하게 생김으로써 경화 수축이 커지고, 그 결과, 솔더 레지스트층을 경화시키는 공정에 있어서 솔더 레지스트층의 전체가 용이하게 박리될 우려가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안한 것으로, 감광층의 밀착성을 유지함과 아울러 감광층을 제거할 수 없거나, 감광층이 박리되기 쉬워지거나 하는 것을 방지하면서, 패턴의 노광을 행하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 노광 방법은 소정 광원으로부터 발생된 광에 감도를 갖는 감광층이 적층된 기록 매체에서의 상기 감광층에 소정의 조사 에너지를 갖는 광에 의해 소정 패턴을 노광하는 노광 방법에 있어서,
상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지를 다른 영역의 조사 에너지보다 크게 하여, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 한다.
감광층을 구성하는 재료로서는 드라이 필름 레지스트(DFR) 및 솔더 레지스트 등, 광에 감도를 갖고 광 조사에 의해 경화하는 감광 재료를 사용할 수 있다.
소정 광원으로서는 감광층이 감도를 갖는 예컨대 자외선 등을 발하는 광원을 이용할 수 있다. 또한, 광원으로서는 광 빔을 발하는 레이저 광원, 면노광을 행하는 광원 등, 기록 매체를 노광하는 것이 가능한 광원이면 어떠한 광원도 이용할 수 있다.
또한, 에지 영역의 조사 에너지는 다른 영역의 조사 에너지의 1.1∼3.0배인 것이 바람직하다.
또한, 에지 영역은 소정 패턴의 에지 내측이며, 에지로부터 100㎛ 이하의 영역인 것이 바람직하다.
또한, 에지 영역은 소정 패턴의 에지 내측이며, 에지로부터 20㎛ 이하의 영역인 것이 바람직하다.
또한, 에지 영역은 소정 패턴에서의 최소폭의 1/3 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의한 노광 방법에서는 상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에 있어서,
상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서는 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 상기 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 방법에서는 상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광 원인 경우에 있어서,
상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴의 영역에서 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
상기 주사 후, 상기 소정 패턴에서의 상기 에지 영역에서만 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 방법에서는 상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에 있어서,
상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴 영역에서 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
상기 주사 후, 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 방법에 있어서는 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 마스크 필름을 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 방법에 있어서는 상기 기록 매체에서의 상기 소 정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴 영역에서 광을 투과하는 제 1 마스크 필름, 및 상기 기록 매체에서의 소정 패턴 이외의 부분을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역에서만 광을 투과하는 또는 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 제 2 마스크 필름을 각각 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 해도 좋다.
본 발명에 의한 노광 장치는 소정 광원으로부터 발생된 광에 감도를 갖는 감광층이 적층된 기록 매체에서의 상기 감광층에 소정의 조사 에너지를 갖는 상기 광에 의해 소정 패턴을 노광하는 노광 장치에 있어서,
상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지를 다른 영역의 조사 에너지보다 크게 하여, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 노광 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치에 있어서는 상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에 있어서,
상기 광 빔을 상기 소정 패턴에 따라서 변조하여 주사하는 주사 수단을 더 구비하는 것으로 하고,
상기 노광 제어 수단을 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프로 하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정의 패턴을 상기 감광층에 노광하도 록 상기 주사 수단을 제어하는 수단으로서도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치에 있어서는 상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에 있어서,
상기 광 빔을 상기 소정 패턴에 따라서 변조하여 주사하는 주사 수단을 더 구비하는 것으로 하고,
상기 노광 제어 수단을 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 부분에서 오프로 하고, 상기 소정 패턴 영역에서 온이 되도록 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
상기 주사 후, 상기 소정 패턴에서의 상기 에지 영역에서만 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 상기 주사 수단을 제어하는 수단으로서도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치에 있어서는 상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에 있어서,
상기 광 빔을 상기 소정 패턴에 따라서 변조하여 주사하는 주사 수단을 더 구비하는 것으로 하고,
상기 노광 제어 수단을 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프로 하고, 상기 소정 패턴 영역에서 온이 되도록 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
상기 주사 후, 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 상기 주사 수단을 제어하는 수단으로서도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치에 있어서는 상기 노광 제어 수단을 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 마스크 필름을 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 수단으로서도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치에 있어서는 상기 노광 제어 수단을 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴의 영역에서 광을 투과하는 제 1 마스크 필름 및 상기 기록 매체에서의 소정 패턴 이외의 부분을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역에서만 광을 투과하는 또는 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 제 2 마스크 필름을 각각 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써 상기 소정의 패턴을 상기 감광층에 노광하는 수단으로서도 좋다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 노광 장치를 포함하는 프린트 배선 기판 제조 시스템의 구성을 도시한 개략 블록도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 의한 프린트 배선 기판 제조 시스템(1)은 동박이 형성된 기판에 드라이 필름 레지스트(DFR)를 라미네이트하여 레지스트층을 형성하는 라미네이트 장치(2), 레지스트층에 배선 패턴을 노광하는 노광 장치(3), 노광된 레지스트층을 현상하여 배선 패턴과 같은 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 현상 장치(4), 레지스트 패턴이 형성된 기판상의 동박을 에칭하여 배선 패턴을 형성하는 에칭 장치(5), 에칭 후에 기판에 남아있는 레지스트층을 박리하는 박리 장치(6), 배선 패턴이 형성된 기판에 솔더 레지스트를 도포하여 솔더 레지스트층을 형성하는 솔더 레지스트 도포 장치(7), 솔더 레지스트층에 있어서의 전극 부위의 표면 둘레가 소정 폭으로 피복되어 개구되도록 한 패턴(개구 패턴이라 함)을 노광하는 노광 장치(8), 노광된 솔더 레지스트층을 현상하여 개구 패턴과 같은 형상의 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 현상 장치(9), 솔더 레지스트층을 경화시키는 큐어 장치(10), 전극 부분의 땜납의 습윤성을 높이기 위한 니켈-금도금층을 형성하는 도금 장치(11), 및 레지스트층 및 솔더 레지스트층으로 기록해야 할 패턴을 벡터 데이터로 이루어지는 패턴 데이터로서 노광 장치(3,8)에 출력하여 광 빔을 변조하도록 노광 장치(3,8)를 제어하는 CAM(Computer Aided Manufacturing)시스템(노광 제어 수단)(12)을 구비한다.
또한, 레지스트층 및 솔더 레지스트층은 노광된 부분이 경화되는 재료로 이루어진다. 따라서, 배선 패턴은 실제의 배선 패턴 부분에 노광되는 패턴이며, 개구 패턴은 개구시키지 않는 부분에 노광되는 패턴이다.
도 2는 노광 장치의 사시도이다. 또한, 노광 장치(3) 및 노광 장치(8)는 동일한 구성을 갖기 때문에, 여기에서는 노광 장치(3)에 대해서만 설명한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 노광 장치(3)는 레지스트층이 형성된 시트상의 기판(150)을 표면에 흡착하여 유지하는 평판상의 스테이지(152)을 구비하고 있다. 또한, 4개의 다 리부(154)에 지지되는 두꺼운 판상의 설치대(156)의 상면에는 스테이지 이동 방향을 따라서 연장된 2개의 가이드(158)가 설치되어 있다. 스테이지(152)는 그 길이 방향이 스테이지 이동 방향을 향하도록 배치됨과 아울러, 가이드(158)에 의해 왕복 이동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 이 노광 장치에는 스테이지(152)를 가이드(158)에 따라서 구동하기 위한 도시되지 않은 구동 장치가 설치되어 있다.
설치대(156)의 중앙부에는 스테이지(152)의 이동 경로를 넘도록 コ글자상의 게이트(160)가 설치되어 있다. コ글자상의 게이트(160)의 단부의 각각은 설치대(156)의 양측면에 고정되어 있다. 이 게이트(160)를 사이에 두고 한쪽 측에는 스캐너(162)가 설치되고, 다른쪽 측에는 감광 재료(150)의 선단 및 후단을 검지하는 복수(예를 들면 2개)의 검지 센서(164)가 설치되어 있다. 스캐너(162) 및 검지 센서(164)는 각각 게이트(160)에 부착되어, 스테이지(152)의 이동 경로의 상방에 고정 배치되어 있다. 또한, 스캐너(162) 및 검지 센서(164)는 이들을 제어하는 도시되지 않은 콘트롤러에 접속되어 있다.
스캐너(162)는 도 3 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이, ｍ행 n열(예를 들면 3행 5열)의 개략 매트릭스상으로 배열된 복수(예를 들면 14개)의 노광 헤드(166)을 구비하고 있다. 이 예에서는 감광 재료(150)의 폭과의 관계로 3행째에는 4개의 노광 헤드(166)가 배치되어 있다. 또한, ｍ행째의 ｎ열째에 배열된 각각의 노광 헤드를 가리킬 경우는 노광 헤드(166)mn로 표기한다.
노광 헤드(166)에 의한 노광 영역(168)은 부주사 방향을 단변으로 하는 직사 각형상이다.
따라서, 스테이지(152)의 이동에 따라 감광 재료(150)에는 각 노광 헤드(166)마다 띠상의 노광 완료 영역(170)이 형성된다. 또한, ｍ행째의 ｎ열째에 배열된 각각의 노광 헤드에 의한 노광 영역을 나타내는 경우는 노광 영역(168)mn으로 표기한다.
또한, 도 4(a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 띠상의 노광 완료 영역(170)이 부주사 방향과 직교하는 방향으로 빈틈없이 나란하도록, 라인상으로 배열된 각 행의 노광 헤드의 각각은 배열 방향으로 소정 간격(노광 영역의 장변의 자연수배, 본 실시형태에서는 2배) 옮겨져 배치되어 있다. 이 때문에, 1행째의 노광 영역(168)mn과 노광 영역(168)12 사이의 노광될 수 없는 부분은 2행째의 노광 영역(168)21과 3행째의 노광 영역(168)31에 의해 노광될 수 있다.
노광 헤드(16611∼166mn)의 각각은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 입사된 광 빔을 CAM시스템(12)으로부터 입력된 패턴 데이터에 따라서 각 화소 마다 변조하는 공간 광 변조 소자로서 디지털·마이크로 미러·디바이스(DMD)(50)를 구비하고 있다. 이 DMD(50)은 데이터 처리부와 미러 구동 제어부를 구비한 도시되지 않은 콘트롤러에 접속되어 있다. 이 콘트롤러의 데이터 처리부에서는 입력된 패턴 데이터에 의거하여, 각 노광 헤드(166)마다 DMD(50)의 제어해야 할 영역내의 각 마이크로 미러를 구동 제어하는 제어 신호를 생성한다. 또한, 제어해야 할 영역에 대해서는 후술한다. 또한, 미러 구동 제어부에서는 데이터 처리부에서 생성된 제어 신호에 의거하여, 각 노광 헤드(166)마다 DMD(50)의 각 마이크로 미러의 반사면의 각도를 제어한다. 또한, 반사면의 각도의 제어에 대해서는 후술한다.
DMD(50)의 광입사측에는 1개의 수은 램프(66), 이 수은 램프(66)로부터 발생된 광을 광량 분포 보정한 후에 DMD(50)상으로 집광하는 렌즈계(67), 이 렌즈계(67)를 통과한 광을 DMD(50)을 향하여 반사시키는 미러(69)가 이 순서대로 배치되어 있다. 또한, 도 5에서는 렌즈계(67)를 개략적으로 도시하고 있다.
상기 렌즈계(67)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 수은 램프(66)의 필라멘트(66a)로부터 출사되어 리플렉터(66b)에 의해 전방측에 집광된 광을 평행광화하는 콜리메이터 렌즈(71), 이 콜리메이터 렌즈(71)를 통과한 광의 광경로에 삽입된 마이크로 플라이 아이 렌즈(72), 이 마이크로 플라이 아이 렌즈(72)와 마주 보는 상태로 배치된 다른 마이크로 플라이 아이 렌즈(73), 및 이 마이크로 플라이 아이 렌즈(73)의 전방 끝 미러(69)측에 배치된 필드 렌즈(74)로 구성되어 있다. 마이크로 플라이 아이 렌즈(72 및 73)는 미소 렌즈 셀이 종횡으로 다수 배치되어서 이루어지는 것이며, 그들의 미소 렌즈 셀 각각을 통과한 광이 각각 DMD(50)에 서로 겹쳐진 상태에서 입사되므로, DMD(50)를 조사하는 광의 광량 분포가 균일화된다.
또한, DMD(50)의 광반사측에는 DMD(50)에서 반사된 광을 감광 재료(150)의 주사면(피노광면)(56)상으로 결상하는 렌즈계(51)가 배치되어 있다. 렌즈계(51)는 DMD(50)와 피노광면(56)이 공역 관계가 되도록 배치되어 있다. 이 렌즈계(51)는 도 5에서는 개략적으로 도시되어 있지만, 도 6에 상세히 도시된 바와 같이, 2개의 렌 즈(52,54)로부터 이루어지는 확대 결상 광학계와, 2개의 렌즈(57,58)로 이루어지는 결상 광학계와, 이들의 광학계 사이에 삽입된 마이크로 렌즈 어레이(55)와, 애퍼츄어 어레이(59)로 구성되어 있다. 상기 마이크로 렌즈 어레이(55)는 DMD(50)의 각 화소에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈(55a)가 배치되어 이루어지는 것이다. 또한 애퍼츄어 어레이(59)는 마이크로 렌즈 어레이(55)의 각 마이크로 렌즈(55a)에 대응하는 다수의 애퍼츄어(59a)가 형성되어 이루어지는 것이다.
DMD(50)는, 도 7에 도시된 바와 같이, SRAM셀(메모리 셀)(60)상에 미소 미러(마이크로 미러)(62)가 지주에 의해 지지되어 배치되는 것이며, 화소(픽셀)을 구성하는 다수(예를 들면, 600개×800개)의 미소 미러를 격자상으로 배열하여 구성된 미러 디바이스이다. 각 픽셀에는 최상부에 지주에 지지된 마이크로 미러(62)가 설치되어 있고, 마이크로 미러(62)의 표면에는 알루미늄 등의 반사율이 높은 재료가 증착되어 있다. 또한, 마이크로 미러(62)의 반사율은 90%이상이다. 또한, 마이크로 미러(62)의 바로 아래에는 힌지 및 요크를 포함하는 지주를 통하여 통상의 반도체 메모리의 제조 프로세스에서 제조되는 실리콘 게이트의 CMOS의 SRAM셀(60)이 배치되어 있고, 전체는 모놀리식(일체형)으로 구성되어 있다.
DMD(50)의 SRAM셀(60)에 디지털 신호가 기록되면 지주에 지지된 마이크로 미러(62)가 대각선을 중심으로 하여 DMD(50)가 배치된 기판측에 대하여 ±α도(예를 들면 ±10도)의 범위에서 경사질 수 있다. 도 8(a)는 마이크로 미러(62)가 온 상태인 +α도로 경사진 상태를 나타내고, 도 8(b)는 마이크로 미러(62)가 오프 상태인 -α도로 경사진 상태를 나타낸다. 따라서, 화상 신호에 따라서 DMD(50)의 각 픽셀 에 있어서의 마이크로 미러(62)의 경사를 도 7에 도시된 바와 같이 제어함으로써, DMD(50)에 입사된 광은 각각의 마이크로 미러(62)의 경사 방향으로 반사된다.
또한, 도 7에는 DMD(50)의 일부를 확대하고, 마이크로 미러(62)가 +α도 또는 -α도로 제어되어 있는 상태의 일예를 도시한다. 각각의 마이크로 미러(62)의 온 오프 제어는 DMD(50)에 접속된 도시되지 않은 콘트롤러에 의해 행하여진다. 또한, 오프 상태의 마이크로 미러(62)에 의해 광 빔이 반사되는 방향으로는 광흡수체 (도시되지 않음)가 배치되어 있다.
여기서, 본 실시형태에 있어서는 패턴 에지 영역에 있어서의 광 빔의 조사 에너지가 에지 영역 이외의 다른 영역에서의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사가 제어된다. 이하, 이 제어에 대해서 상세히 설명한다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 도 9에 도시된 바와 같이 가로가 긴 직사각형 형상의 영역(A0)내에 있어서 원형 및 정방형의 2개의 영역(A1,A2) 및 영역(A1,A2) 이외의 영역(A3)를 갖고, 영역(A3)에만 광 빔이 조사되도록 패턴을 노광하는 것으로서 설명하지만, 본 실시형태는 도 9에 도시된 바와 같은 패턴의 노광에 한정되는 것이 아니다.
CAM시스템(12)이 출력하는 패턴 데이터는 광 빔을 조사하는 부분의 화소값이 1, 그 이외의 부분의 화소값이 0의 값을 갖는 2수치 데이터이다. 그리고, 패턴을 노광할 때에 패턴 에지 영역에서의 광 빔의 조사 에너지가 에지 영역 이외의 다른 영역에서의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사를 제어하기 위해서 CAM시스템(12)은 패턴 데이터를 구성하는 화소 데이터 중, 에지 영역 이외의 다른 영역에 서의 화소 데이터로부터 선택된 일부의 화소 데이터 값을 광 빔을 오프하는 값으로 치환한다. 구체적으로는, 광 빔의 조사 위치의 간격을 다른 영역에 대해서는 에지 영역의 1/2로 함으로써, 다른 영역에서의 화소 데이터 값을 1화소 간격으로 0으로 치환한다.
즉, 도 10(a)에 도시된 바와 같이 영역(A3)에서의 원형 영역(A1)의 에지 영역(A4), 영역(A3)에서의 정방형 영역(A2)의 에지 영역(A5), 및 영역(A3)의 에지 영역(A6)에서의 광 빔의 조사 위치의 간격을 영역(A3)에서의 영역(A4,A5,A6) 이외의 다른 영역(A3'이라 함)에서의 광 빔의 조사 위치 간격의 2배로 한다. 이것에 의해, 영역(A4,A5,A6)에 대응하는 패턴 데이터는 도 11(a)에 도시된 바와 같이 모든 화소에서 값이 「1」 (사선)이 되고, 영역(A3')에 대응하는 패턴 데이터는 도 11(b)에 도시된 바와 같이 값이 「1」의 화소와 값이 「0」의 화소가 교대로 늘어선 패턴이 된다. 따라서, 영역(A4,A5,A6)은 영역(A3')의 2배의 조사 에너지에 의해 노광되는 것이 된다.
이와 같이 노광을 행함으로써 도 10(b)에 도시된 바와 같이, 기판(150)과 레지스트층(200)에서의 에지 영역(도면 중 흑색으로 도시됨)과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 광 빔의 조사 위치 간격을 여러가지로 변경함으로써 광 빔의 조사 에너지를 변경할 수 있지만, 본 실시형태에 있어서는 영역(A4,A5,A6)이 영역(A3')의 1.1∼3.0배의 조사 에너지에 의해 노광되도록 조사 위치의 간격을 변경하는 것이 바람직하다.
또한, 에지 영역(A4,A5,A6)의 폭은 100㎛ 이하, 바람직하게는 20㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 패턴을 선형상으로 노광할 경우에는 선폭의 1/3 이하인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 선폭이 60㎛인 경우에는 20㎛ 이하인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 노광 장치의 동작에 대해서 설명한다. 또한, 여기서는 레지스트층에 배선 패턴을 노광하는 노광 장치(3)의 동작에 대해서 설명한다.
도 5 및 6에 도시된 수은 램프(66)로부터 발생된 예를 들면, 파장 360∼420㎚대역의 광은 전술한 바와 같이, 렌즈계(67)를 통하여 광량 분포가 균일화된 후에 DMD(50)에 조사된다. 이 DMD(50)에 접속된 도시 외의 콘트롤러에는 배선 패턴에 따른 패턴 데이터가 입력되어 콘트롤러 내의 프레임 메모리에 일단 기억된다.
또한, 도 2에 도시된 기판(150)을 표면에 흡착한 스테이지(152)는 도시되지 않은 구동 장치에 의해 가이드(158)에 따라 게이트(160)의 상류측으로부터 하류측으로 일정 속도로 이동된다. 스테이지(152)가 게이트(160) 아래를 통과할 때에 게이트(160)에 장착된 검지 센서(164)에 의해 기판(150)의 선단이 검출되면, 상기 프레임 메모리에 기억되어 있는 패턴 데이터가 복수 라인 정도씩 순차 판독되고, 이 판독된 패턴 데이터에 의거하여 데이터 처리부에서 각 노광 헤드(166)마다 제어 신호가 생성된다. 그리고, 미러 구동 제어부에 의해 생성된 제어 신호에 의거하여 각 노광 헤드(166)마다 DMD(50)의 마이크로 미러 각각이 온 오프 제어된다.
수은 램프(66)로부터의 광이 DMD(50)에 조사되어 있을 때 DMD(50)의 온 상태의 마이크로 미러에 반사된 광은 렌즈계(51)에 의해 집광되어, 기판(150)의 피노광 면(56)상에 집속된다. 이렇게 하여, 수은 램프(66)로부터 출사된 광이 DMD(50)의 각 마이크로 미러 마다 온 오프되어, 기판(150)이 DMD(50)의 사용 화소수와 거의 동수의 화소 단위[노광 영역(168)]로 노광된다. 또한, 기판(150)이 스테이지(152)와 함께 일정 속도로 이동됨으로써, 기판(150)이 스캐너(162)에 의해 스테이지 이동 방향과 반대 방향으로 부주사되어, 각 노광 헤드(166)마다 띠상의 노광 완료 영역(170)이 형성된다.
그리고, 스캐너(162)에 의한 감광 재료(150)의 부주사가 종료되고 검지 센서(164)에 기판(150)의 후단이 검출되면, 스테이지(152)는 도시되지 않은 구동 장치에 의해 가이드(158)에 따라 게이트(160)의 최상류측에 있는 원점으로 복귀하고, 다시 가이드(158)에 따라 게이트(160)의 상류측으로부터 하류측으로 일정 속도로 이동된다.
노광 완료 후, 배선 패턴이 노광된 기판(150)은 현상 장치(4)에서 현상되며, 이것에 의해, 레지스트층에서의 배선 패턴이 노광되지 않은 부분이 제거되어 기판(150)상에 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 에칭 장치(5)에 있어서, 레지스트 패턴이 형성된 기판상의 동박이 에칭되어 배선 패턴이 형성된다. 또한, 박리 장치(6)에 있어서 기판(150)에 남아있는 레지스트층이 제거된다.
이어서, 솔더 레지스트 도포 장치(7)에 있어서 배선 패턴이 형성된 기판에 솔더 레지스트가 도포되어 솔더 레지스트층이 형성된다. 그리고, 노광 장치(8)에 있어서 개구 패턴이 노광된다. 이때에 있어서도 개구 패턴 에지 영역은 다른 영역보다도 조사 에너지를 크게 하여 노광이 된다. 개구 패턴이 노광된 기판(150)은 현 상 장치(9)에서 현상되며, 이것에 의해, 솔더 레지스트층에서의 개구 패턴이 노광되지 않은 부분이 제거되어, 솔더 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 큐어 장치(10)에 있어서 솔더 레지스트층이 경화되고, 또한 도금 장치(11)에 있어서 니켈-도금층이 형성되어 프린트 배선 기판이 완성된다.
이와 같이, 본 실시형태의 노광 장치에 있어서는 배선 패턴 및 개구 패턴 에지 영역(A4,A5,A6)에서의 광 빔의 조사 에너지를, 다른 영역(A3')에서의 광 빔의 조사 에너지보다도 크게 하여 배선 패턴 및 개구 패턴을 노광하도록 한 것이다. 이 때문에, 에지 영역(A4,A5,A6)에서 레지스트층 및 솔더 레지스트층과 기판의 밀착성을 높게 할 수 있고, 이것에 의해, 노광 후의 공정에 있어서 레지스트층 및 솔더 레지스트층에 있어서의 에지 영역의 뜨는 상태를 방지할 수 있다.
특히, 레지스트층에 대해서는 노광 후의 현상 공정에 있어서 레지스트층과 기판(150)의 사이에 현상액이 들어가는 것이 없어지고, 그 결과, 후의 에칭 공정이나 도금 공정에 있어서 소망의 에칭이나 도금을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 조사 에너지를 크게 하는 것은 배선 패턴에 있어서의 에지 영역만이기 때문에, 에칭 후에 레지스트층을 완전히 제거하는 것도 용이하게 된다.
또한, 솔더 레지스트층에 대해서는 현상 후의 도금 공정에 있어서 솔더 레지스트층과 기판(150) 사이에 전처리 액이나 도금액이 들어가는 일이 없어지고, 그 결과 소망하는 도금을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 조사 에너지를 크게 하는 것은 개구 패턴에 있어서의 에지 영역만이기 때문에, 광 중합 반응은 과대하게 되지않고, 경화 수축도 허용 범위 내가 되기 때문에, 솔더 레지스트층이 박리되어 버릴 우려도 없다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는 배선 패턴 및 개구 패턴 에지 영역에서의 광 빔의 조사 위치의 간격을 다른 영역의 2배가 되도록 한 패턴 데이터를 이용하고, 1회의 노광에 의해 배선 패턴 및 개구 패턴을 형성하고 있지만, 복수회의 노광에 의해 배선 패턴 및 개구 패턴을 형성해도 좋다. 이하, 복수회의 노광을 행하는 경우에 대해서 설명한다. 또한, 이후에서는 상기 실시형태와 같이, 도 9에 도시된 패턴을 노광하는 것으로서 설명한다.
우선, 영역(A3)의 전체를 동일한 조사 에너지에 의해 1회 노광한다. 이 때, 광 빔의 조사 위치의 간격은 영역(A3)의 전체에 있어서 동일하다. 그리고, 1회째의 노광이 종료된 기판(150)을 원점으로 복귀시킨 후, 2회째의 노광을 행한다. 2회째의 노광에 있어서는, 에지 영역(A4,A5,A6)에 대응하는 화소 위치에만 광 빔을 조사하는 것으로 한다.
이와 같이, 광 빔을 복수회 노광함으로써도, 배선 패턴 및 개구 패턴 에지 영역(A4,A5,A6)에서의 광 빔의 조사 에너지를 다른 영역(A3')에서의 광 빔의 조사 에너지보다도 크게 하여 배선 패턴 및 개구 패턴을 노광할 수 있다.
또한, 이와 같이 복수회의 노광에 의해 패턴을 형성하는 경우에 있어서, 2회째의 노광 때에, 상기 실시형태와 같이, 에지 영역(A4,A5,A6)에서의 광 빔의 조사 에너지를 다른 영역(A3')에서의 광 빔의 조사 에너지보다도 크게 하여 노광을 행하도록 해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는 패턴 데이터에 의해 광 빔을 변조하여 패턴 의 노광을 행하고 있지만, 배선 패턴 및 개구 패턴의 각각 같은 형상의 개구부를 갖는 마스크 필름을 레지스트층 및 솔더 레지스트층이 형성된 기판(150)에 각각 밀착시켜서 노광을 행하도록 해도 좋다. 또한, 이와 같은 마스크 필름을 사용했을 경우의 노광은 면노광이어도 좋으며, 상기 실시형태와 같은 광 빔을 균일한 조사 에너지로서 기판(150)의 전면을 주사함으로써 노광하는 것으로서도 좋다.
도 12는 마스크 필름의 예를 도시한 도면이다. 도 12에 도시된 바와 같이 마스크 필름(M1)은, 도 9에 도시된 패턴으로 동일한 패턴을 노광하는 것이며, 가로가 긴 직사각형 형상의 영역(A10)내에 원형 및 정방형의 2개의 영역(A11,A12), 영역(A10)에서의 영역(A11,A12) 이외의 영역(A13), 영역(A13)에서의 원형의 영역(A11)의 에지 영역(A14), 영역(A13)에서의 정방형의 영역(A12)의 에지 영역(A15), 영역(A13)의 에지 영역(A16) 및 영역(A10) 외의 영역(A17)이 포함되어 있다.
또한, 영역(A11,A12,A17)의 광의 투과율이 0(즉 차광)으로 되고, 영역(A13)에서의 에지 영역(A14,A15,A16)의 투과율이 영역(A13)에서의 에지 영역(A14,A15,A16) 이외의 다른 영역(A13'이라 함)의 투과율보다도 크게 되어 있다. 예를 들면, 에지 영역(A14,A15,A16)의 투과율이 100%(즉 전투과), 다른 영역(A13')의 투과율이 50%로 되어 있다. 이것에 의해, 에지 영역(A14,A15,A16)에는 다른 영역(A13')의 2배의 조사 에너지에 의해 노광이 행하여진다.
또한, 투과율을 여러가지로 변경함으로써 광 빔의 조사 에너지를 변경할 수 있지만, 본 실시 형태에 있어서는 에지 영역(A14,A15,A16)이 다른 영역(A13')의 1.1∼3.0배의 조사 에너지에 의해 노광되도록 투과율을 변경하는 것이 바람직하다.
이러한 마스크 필름(M1)을 레지스트층 및 솔더 레지스트층이 형성된 기판(150)에 밀착시켜서 노광을 행함으로써도, 배선 패턴 및 개구 패턴 에지 영역(A14,A15,A16)에 있어서의 광 빔의 조사 에너지를 다른 영역(A13')에서의 광 빔의 조사 에너지보다도 크게 하여 배선 패턴 및 개구 패턴을 노광할 수 있다.
또한, 도 12에 도시된 마스크 필름을 이용하여 한 번의 광 조사에 의해 패턴을 노광하는 것이 가능하지만, 복수 종류의 마스크 필름을 이용하여 복수회의 광 조사에 의해 배선 패턴 및 개구 패턴을 노광해도 좋다.
이하, 복수회의 노광을 행할 경우에 사용하는 마스크 필름에 대해서 설명한다.
도 13은 복수회의 노광을 행하는 경우에 사용하는 마스크 필름의 예를 도시한 도면이다. 또한, 여기에서는 2회의 노광에 의해 패턴을 형성하는 마스크 필름의 예에 대해서 설명한다.
우선, 도 13(a)에 도시된 마스크 필름(M2)에 의해 1회째의 노광을 행한다.
도 13(a)에 도시된 마스크 필름(M2)은 도 9에 도시된 패턴과 동일한 패턴을 노광하는 것이며, 가로가 긴 직사각형 형상의 영역(A10)내에 원형 및 정방형의 2개의 영역(A11,A12), 영역(A10)에서의 영역(A11,A12) 이외의 영역(A13) 및 영역(A10) 외의 영역(A17)이 포함되어 있다. 또한, 영역(A11,A12,A17)의 광의 투과율이 0(즉 차광)으로 되고, 영역(A13)의 투과율이 100%(즉 전투과)로 되고 있다.
이어서, 도 13(b)에 도시된 마스크 필름(M3)에 의해 2회째의 노광을 행한다.도 13(b)에 도시된 마스크 필름(M3)은 도 12에 도시된 마스크 필름(M1)과 같은 영 역(A10∼A17)을 갖지만, 영역(A11,A12,A17)에 더해서 영역(A13')의 광의 투과율이 0(즉 차광)으로 되고, 에지 영역(A14,A15,A16)의 투과율이 100%(즉 전투과)로 되어 있는 것이다.
또한, 이와 같이 2회의 노광을 행하는 경우에 있어서 2회째의 노광 때에 도 12에 도시된 마스크 필름(M1)을 이용하고, 에지 영역(A14,A15,A16)에서의 광 빔의 조사 에너지를 다른 영역(A13')에서의 광 빔의 조사 에너지보다도 크게 하여 배선 패턴 및 개구 패턴의 노광을 행하도록 해도 좋다.
이와 같은 2개의 마스크 필름(M2,M3)을 레지스트층 및 솔더 레지스트층이 형성된 기판(150)에 각각 밀착시켜서 2회의 노광을 행함으로써도, 배선 패턴 및 개구 패턴 에지 영역(A14,A15,A16)에서의 광 빔의 조사 에너지를 다른 영역(A13')에서의 광 빔의 조사 에너지보다도 크게 하여 배선 패턴 및 개구 패턴을 노광할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는 노광 장치(3)의 광원으로서 수은 램프를 이용하고 있지만, 레이저 광원을 이용해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는 프린트 배선 기판에 노광을 행하는 노광 방법 및 장치에 대해서 설명하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니고 컬러 필터나, 주재, 리브재, 스페이서 및 격벽 등의 디스플레이 재료, 혹은 홀로그램, 마이크로 머신 및 프루프(proof) 등의 패턴 형성용 기록 매체를 노광할 경우에도 본 발명의 노광 방법 및 장치를 적용할 수 있는 것은 물론이다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 일본 특허 공개 2000-227661호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 광주사 광학계로서 레이저 광원, 레이저 광원의 광변조를 행하는 AOM 및 폴리곤 미러를 채용한 노광 장치 등, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지로 변형하여 실시할 수 있다.
본 발명에 의하면, 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 에지 영역 이외의 다른 영역의 조사 에너지보다 크게 되어, 소정 패턴이 기록 매체에 노광된다. 이 때문에, 에지 영역에서 감광층이 보다 강하게 경화됨으로써, 감광층의 에지 영역과 기록 매체의 밀착성을 높게 할 수 있고, 이것에 의해, 노광 후의 공정에 있어서 감광층에 형성된 소정 패턴에서의 에지 영역의 뜨는 상태를 방지할 수 있다.
따라서, 감광층이 적층된 기록 매체가 프린트 배선 기판을 제조하기 위한 레지스트층이 적층된 기판인 경우에는 노광 후의 현상 공정에 있어서 레지스트층과 기판 사이에 현상액이 들어가는 일이 없어지고, 그 결과, 후의 에칭 공정이나 도금 공정에 있어서 소망의 에칭이나 도금을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 조사 에너지를 크게 하는 것은 소정 패턴에서의 에지 영역만이기 때문에, 에칭 후에 레지스트층을 완전히 제거하는 것도 용이하게 된다.
또한, 감광층이 적층된 기록 매체가 프린트 배선 기판을 제조하기 위한 솔더 레지스트층이 적층된 기판인 경우에도 현상 후의 도금 공정에 있어서 솔더 레지스트층과 기판 사이에 전처리 액이나 도금액이 들어가는 일이 없어지고, 그 결과, 소망하는 도금을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 조사 에너지를 크게 하는 것은 소정의 패턴에서의 에지 영역만이기 때문에, 광 중합 반응은 과대하게 되지 않고 경화 수축도 허용 범위 내가 되기 때문에, 솔더 레지스트층이 박리될 우려도 없어진다.

Claims (12)

  1. 소정 광원으로부터 발생된 광에 감도를 갖는 감광층이 적층된 기록 매체에서의 상기 감광층에 소정의 조사 에너지를 갖는 광에 의해 소정 패턴을 노광하는 노광 방법에 있어서:
    상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지를 다른 영역의 조사 에너지보다 크게 하여, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에,
    상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서는 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 상기 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에,
    상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에 오프가 되고, 상기 소 정 패턴의 영역에서 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
    상기 주사 후, 상기 소정 패턴에서의 상기 에지 영역에서만 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에,
    상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴 영역에서 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
    상기 주사 후, 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 마스크 필름을 각각 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴 영역에서 광을 투과하는 제 1 마스크 필름, 및 상기 소정 패턴에서의 에지 영역에서만 광을 투과하는 또는 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 제 2 마스크 필름을 각각 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  7. 소정 광원으로부터 발생된 광에 감도를 갖는 감광층이 적층된 기록 매체에서의 상기 감광층에 소정의 조사 에너지를 갖는 상기 광에 의해 소정 패턴을 노광하는 노광 장치에 있어서:
    상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지를 다른 영역의 조사 에너지보다 크게 하여, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 노광 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에,
    상기 광 빔을 상기 소정 패턴에 따라서 변조하여 주사하는 주사 수단을 더 구비하고,
    상기 노광 제어 수단은 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 상기 주사 수단을 제어하는 수단인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에,
    상기 광 빔을 상기 소정 패턴에 따라서 변조하여 주사하는 주사 수단을 더 구비하고,
    상기 노광 제어 수단은 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 부분에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴 영역에서 온이 되도록 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
    상기 주사 후, 상기 소정 패턴에서의 상기 에지 영역에서만 온이 되도록 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 상기 주사 수단을 제어하는 수단인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 소정 광원이 광 빔을 발하는 광원인 경우에,
    상기 광 빔을 상기 소정 패턴에 따라서 변조하여 주사하는 주사 수단을 더 구비하고,
    상기 노광 제어 수단은 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴 영역에서 온이 되도록 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사하고,
    상기 주사 후, 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역에서 오프가 되고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 조사 에너지가 상기 다른 영역의 조사 에너지보다도 커지도록 광 빔의 조사 에너지를 제어하면서, 상기 광 빔에 의해 상기 기록 매체를 주사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하도록 상기 주사 수단을 제어하는 수단인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 노광 제어 수단은 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 마스크 필름을 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 수단인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 노광 제어 수단은 상기 기록 매체에서의 상기 소정 패턴 이외의 영역을 차광하고, 상기 소정 패턴의 영역에서 광을 투과하는 제 1 마스크 필름 및 상기 기록 매체에서의 소정 패턴 이외의 부분을 차광하고, 상기 소정 패턴에서의 에지 영 역에서만 광을 투과하는 또는 상기 소정 패턴에서의 에지 영역의 투과율이 상기 다른 영역의 투과율보다도 큰 제 2 마스크 필름을 각각 통하여 상기 광을 상기 기록 매체에 조사함으로써, 상기 소정 패턴을 상기 감광층에 노광하는 수단인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
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