KR20060047734A - 전자 디바이스에서의 사용을 위한 조성물 - Google Patents

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KR20060047734A
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near infrared
infrared radiation
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드미트리우스 멕코믹
제임스 더블유 노위키
치민 쳉
완다 오하라
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내쇼날 스타치 앤드 케미칼 인베스트멘트 홀딩 코포레이션
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Abstract

본 발명은 폴리머 수지, 도전성 충전제, 하나 이상의 근적외 흡수 첨가제 및 선택적으로 산소 포착제(scavenger) 또는 부식 억제제 또는 이들 모두와, 기타 첨가제, 예를 들어, 반응성 또는 비반응성의 희석제, 불활성 충전제 및 접착 촉진제를 포함하는 신속 경화성(fast curing) 조성물에 관한 것이다. 상기 조성물은 도전성이거나, 저항성이거나, 이방 도전성일 수 있다. 다른 구현예로서, 본 발명은 근적외 에너지 공급원에 노출시킴에 의해 경화물의 경화속도를 향상시키기 위한 방법에 관한 것이다.
신속 경화성 조성물, 도전성 충전제, 근적외선

Description

전자 디바이스에서의 사용을 위한 조성물{COMPOSITIONS FOR USE IN ELECTRONICS DEVICES}
본 발명은, 전자 디바이스에서의 사용을 위한 도전성 조성물, 저항성 조성물 및 이방 도전성(anisotropically conductive) 조성물의 경화속도를 향상시키기 위한 방법과, 전자 디바이스 내에서 도전성 조성물, 저항성 조성물 또는 이방 도전성 조성물로서의 사용을 위해 적합한 조성물에 관한 것이다.
도전성, 저항성 및 이방 도전성 조성물들은 반도체 패키지 및 전자 디바이스의 제조 및 조립에서 다양한 용도로 사용되고 있다. 예를 들어, 도전성 접착제는 (다이 부착 접착제로서) 기판상에 집적회로 칩을 접착시키기 위해 사용되거나, (표면 탑재 도전성 접착제로서) 회로 조립체를 인쇄 회로 기판상에 붙이기 위해 사용되며, 저항성 재료의 경우, 회로 기판 내의 평탄형 또는 매립형 저항체를 형성하기 위해 사용된다. 도전성 접착제의 경화시간은 전자 디바이스의 제조에 있어 매우 중요하다. 경화시간이 빠를수록 제조공정이 보다 효율적으로 된다. 일반적으로, 도전성 접착제는, 경화되지 않은 접착제를 포함하는 디바이스에 열을 가하는 단계를 수반하는 열적 방법을 통해 경화된다. 상기 열적 경화 방법은, 경화 오븐 등과 같은 장비에 대한 많은 투자를 필요로 하고, 경화에 요구되는 시간도 길다. 현재의 열적 경화 방법을 사용할 때보다 더 빨리 경화되고 효율적인 도전성 접착제를 개발하는 것은 매우 바람직한 일이다.
본 발명의 한 측면은 하나 이상의 전자부품(들) 또는 기판 중 적어도 일부에 도전성 접착제가 도포되는 것을 특징으로 하는, 적어도 제1의 전자 부품을 기판에 접착시키는 방법에 관한 것이다. 상기 접착제는 선택에 따라 근적외("NIR") 흡수 성분을 포함할 수 있다. 상기 방법은 접착제를 경화시키기에 충분한 시간 동안, NIR 조사 에너지로 상기 도포된 접착제를 조사하는 단계, 상기 접착제를 고화시키는 단계 및, 이로써, 전자 부품과 기판을 함께 접착시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 측면은, 접착제를 짧은 시간 동안 조사 에너지에 노출시키는 경우 상기 접착제가 신속히 경화하도록 하기 위해 유효량의 NIR 흡수 성분을 포함하는 조성물에 관한 것이다. 사용을 위해 선택된 NIR 흡수 성분은 상기 조성물 내에 용해되고/되거나 분산될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면은 조사에 의해 경화할 수 있고 선택에 따라 NIR 흡수 성분을 포함할 수 있는, 도전성 접착제와 같은 조성물을 포함한 제품 제조에 관한 것이다.
발명의 개요
본 발명은, NIR 경화의 사용에 의해, 도전성 접착제와 같은, 도전성 조성물, 저항성 조성물 및 이방 도전성 조성물의 경화속도를 증가시키는 방법을 포함한다. 본 발명의 추가적 구현예는, 접착제 시스템, 도전성 충전제 및 하나 이상의 NIR 흡수 성분을 포함하며, 선택에 따라 산소 포착제 또는 부식 억제제 또는 이들 모두, 반응성 또는 비반응성 희석제, 불활성 충전제 및 접착 촉진제를 함유하는 조성물을 포함한다.
발명의 상세 설명
수지, 희석제, 접착 촉진제, 충전제 및 기타 첨가제를 함유한 화학적 조성물은, 반도체 패키지와 같은 전자부품 패키지의 제조시, 접착제, 인캡슐란트(encapsulant)로서, 또는 저항체 또는 커패시터와 같은 일체형 부동층(integral passive)를 형성하기 위해 사용된다. 5,000 내지 30,000nm의 범위의 파장을 가진 적외선 오븐 내에서 통상 수행되는 중간-적외 경화와 달리, NIR 경화는 약 700 내지 5,000 nm의 범위의 적외선 파장에 대한 노출에 의해 수행된다. 다수의 전자분야 응용에 있어, 접착제의 경화는 경화된 조성물이 약 2 옴 미만의 저항을 가지도록 이루어져야 한다. 그러나, 특정한 전자산업 응용의 경우, 보다 높은 저항도 허용가능하다. 본 명세서 전반에 걸쳐 도전성 접착제에 관해 기술되지만, 본 발명은 도전성 잉크 등, 도전성, 저항성 및 이방 도전성 조성물로도 이용 가능하다. 본 발명의 조성물은 일반적으로 수지 기반의(resin-based) 조성물이며, 에폭시 수지, 에폭시/시아네이트 에스테르 혼합물 및 아크릴레이트와 같은 성분을 포함할 수 있다. 본 발명자들은 NIR 경화를 사용함에 의해, 오븐에서의 가열 경화와 같은 종래 기술상의 열적 방법을 통한 경화 보다, 예측할 수 없을 정도로 더 빠른 경화속도가 제공 되는 것을 확인하였다. 나아가, 어떤 경우, 조제에 하나 이상의 NIR 흡수 첨가제를 첨가함에 의해, NIR 경화에 대한 노출 시, 접착제의 경화속도가 증가되는 것을 확인하였다. 이러한 경우, NIR 흡수 첨가제를 함유하는 본 발명의 접착제 조성물에서는, NIR 에너지의 흡수가 증가되어, 접착제로 보다 신속한 열전달이 촉진되어 경화 속도성능이 최적화된다. 본 발명의 접착제는 짧은 시간동안의 조사 에너지에 대한 노출에 의해 반응성으로 되어 보다 우수한 온-라인(on-line) 성능을 제공하며, 제조속도를 보다 빨리할 수 있는 세팅 속도(set speed)를 제공한다.
본 발명의 접착제 조성물은, 회로 기판 등, 임의의 기판상에 전자 부품을 접착시키기 위해 사용될 수 있다. 접착제는 기판 및/또는 접착 대상인 전자 부품 중 한쪽 표면 또는 양쪽 표면에 코팅될 수 있다. 상기 기판 및 부품들은 통상 경화 전 서로 인접하도록 위치하며, 이들 간에 접착제가 존재한다. 만일 상기 기판이 반응성화(reactivation)에 사용되는 에너지에 투명하거나, 반투명인 경우라면, 우선 기판들 사이에 접착제를 샌드위치화하고, 이어서 NIR을 적용하여 경화를 개시한다. 만일 상기 기판이 상기 에너지에 투명하지 않은 경우, 접착제의 일부를 노출시킴에 의해 접착제의 경화를 개시한다.
이들 조제에서의 사용을 위한 수지의 예는, 현재 당해 기술분야에서 사용되고 있는 모든 수지, 예를 들어, 비닐, 아크릴, 페놀성, 에폭시, 말레이미드, 폴리이미드 또는 실리콘 함유 수지들을 포함한다. 이들의 조성 및 물성은 당해 기술 분야에서 공지되어 있다. 추가로, 시아네이트 에스테르를 에폭시 또는 기타 수지와 혼합할 수 있다.
반응성 희석제로서는, 글리시딜 에테르, 예를 들어, 1,4-부탄디올 글리시딜 에테르; 비닐 에테르, 예를 들어, 에틸렌 비닐 에테르; 및, 비닐 에스테르, 예를 들어, 에틸렌 비닐 에스테르; 및 아크릴레이트, 예를 들어 메틸메타크릴레이트를 들 수 있다.
비반응성 희석제로서는, 부틸 카비톨(butyl carbitol)을 들 수 있다.
접착 촉진제의 예는 실란 및 폴리비닐 부티롤이다.
조성물 내에 산소 포착제가 사용될 수도 있다. 본 명세서에서, 산소 포착제는 산소와 반응하여 산소가 전기화학 전지의 캐소드에서 추가의 반응을 일으키는 것을 방지하기 위한 모든 화합물로 정의된다. 산소 포착제의 예로서, 히드로퀴논, 카아보히드라지드, 트리히드록시벤젠, 아미노페놀, 히드라진, 피로갈롤(pyrogallol), 카아보히드라존, 폴리에틸렌아민, 시클로헥산디온, 히드록실아민, 메톡시프로필아민, 시클로헥실아민, 디에틸에탄올아민, 히드록시알킬히드록실아민, 4치환(tetrasubstituted) 페닐렌디아민, 몰포리노헥소즈 레덕톤(morpholinohexose reductone), 케토-글루코네이트, 아민 비설파이트(amine bisulfites), 락톤 유도체, 페놀 유도체 및 치환된 퀴놀린을 들 수 있다.
금속 산화물의 형성에 대항하기 위해, 부식 억제제를 사용할 수 있다. 본 명세서에서 부식억제제는, 고립 전자쌍을 가지며 금속과 결합하여 전기화학 전지의 애노드에서의 금속 반응성을 저해하는 모든 화합물, 예를 들어, 질소-, 황- 및 산소- 함유 화합물로 정의될 수 있다. 부식 억제제의 예로서, 1,10-페난티오딘(1,10-phenathiodine), 페노티아진, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 머켑토벤조티아졸, 디 시안디아미드, 3-이소프로필아미노-1-부틴, 프로파길 퀴놀린 브로마이드, 3-벤질아미노-1-부틴, 디프로파길 에테르, 디프로파길 티오에테르, 프로파길 카프로에이트, 디아미노헵탄, 페난트롤린, 아민, 디아민, 트리아민, 헥사메틸렌 이미드, 데카메틸렌이미드, 헥사메틸렌이민벤조에이트, 헥사메틸렌이민-3,5-디니트로벤조에이트, 헥사메틸렌테트라민, d-옥시미노-b-비닐 퀴누클리딘, 아닐린, 6-N-에틸 퓨린, 1-에틸아미노-2-옥타데실이미다졸린, 몰포린, 에탄올 아민, 아미노페놀, 8-히드록시퀴놀린, 피리딘 및 그 유도체, 퀴놀린과 그 유도체, 아크리딘(acridine), 이미다졸 및 그 유도체, 톨루이딘, 머켑탄, 티오페놀과 그 유도체, 설파이드, 설폭시드, 티오포스페이트 및 티오유레아를 들 수 있다.
임의의 산소 포착제는 부식 억제능을 가지며, 임의의 부식 억제제는 산소 포착능을 가진다.
본 발명의 조성물에서 사용되는 충전제는, 특정의 회로 부품에 요구되는 저항도, 전도도, 커패시턴스 또는 유전 특성의 소망하는 범위에 따라 달라진다. 특정의 최종 용도의 응용을 위한 필요한 전기적 특성을 얻기 위해, 충전제의 특정 형태 및 양을 정하는 것은 당업자에게 기술능력 범위이다. 모든 저항체도 어느 정도의 컨덕턴스를 나타내며, 모든 컨덕터도 어느 정도의 저항을 나타내어, 저항체 및 컨덕터는 개별 재료의 특정 성질에 따라 저항과 컨덕턴스의 연속부분을 형성한다는 것을 알 수 있다. 이러한 연속 부분의 형성은 유전체나 커패시터의 경우도 마찬가지이다. 유전체는 특정 유전상수에 따라 진정한 유전체 또는 단독 부품으로서, 또는 커패시터로서 기능한다.
도전성 충전제로서는, 은, 구리, 금, 팔라듐, 백금, 카본 블랙, 탄소섬유, 흑연, 인듐 주석 산화물, 은-코팅 구리, 은-코팅 알루미늄, 금속-코팅 유리구슬 및 안티몬 도핑된 주석 산화물을 들 수 있다. 불활성 충전제의 예로서는, 탈크, 실리카, 실리케이트, 알루미늄 니트리드 및 운모를 들 수 있다. 커패시턴스/유전체 충전제는 본 명세서에서 불활성 충전제로 볼 수도 있으며, 세라믹, 바륨 티타네이트 및 티타늄 디옥시드를 예로 들 수 있다. 또한, 탄소 나노튜브와 같은 도전성 나노 충전제 및/또는 실리케이트와 같은 비-도전성 나노 충전제도 이용할 수 있다.
본 발명의 조성물은 방사 NIR 에너지에 대한 노출을 통해 경화될 수 있다. 방사 NIR 에너지는 다수의 공급원에 의해 공급될 수 있으며, 이는 당업자에게 명확하다. 예로서, 레이저, 고압 제논 아크 램프, 코일형 텅스텐 와이어, 세라믹 방사 방열기 및 텅스텐-할로겐 램프를 들 수 있다. 근적외 영역 내의 조사 에너지를 사용하는 것이 바람직하다. 램프 및 레이저는 유효한 NIR 에너지 공급원이다.
약 700nm 내지 5,000nm의 피크 NIR 에너지 파장을 본 발명의 실시에 사용할 수 있다. 본 발명의 실시에 사용이 요구되는 방사 NIR 에너지를 생성할 수 있는 장비의 상업적 공급원은 Research Inc. (Eden Prairie, MN), Chromalox (Ogden, UT), DRI (Clearwater, FL), Advent Electric Inc. (Bridgeport, PA) 및 Gio-Quartz Inc. (Mentor, OH)를 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 접착제 조성물은, 요구되는 표면적 및 코팅 무게에 따라 연속 방식 또는 불연속 방식으로 도포될 수 있다. 특정 패턴을 사용하여 기판/접착제 접촉을 극대화할 수 있다. 접착제에 따라 비드 크기, 두께, 떨어진 거리 및 패턴을 변 화시킬 수 있다. 상기 접착제는 당업계에 공지된 방법으로 도포될 수 있으며, 상기 방법은 제트 분배(jet dispensing), 롤 코팅, 페인팅, 드라이 브러싱, 딥코팅 스프레잉, 슬롯 코팅, 스월 스프레잉, 프린팅(잉크 제트 프린팅), 플렉소그라피, 압출, 원자화 스프레이, 그라비아(패턴 휠 트랜스퍼), 정전, 기상 증착, 화이버화(fiberization) 및/또는 스크린 프린팅을 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 기판에의 도포 방법이 크게 중요하지는 않다.
단시간 내의 경화하는 접착제 능력인 경화 효율은 에너지 공급원(예를 들어, 램프 또는 레이저)의 출력, 접착제로부터 에너지 공급원까지의 거리, 에너지 공급원의 수 등에 따라 다르며, 이는 본 명세서의 기재로부터 당업자에게 명백하다. 경화시간은, 접착제의 수용도(receptivity)에 따라 다르며, 상기 수용도는 접착제의 코팅 무게 또는 두께, 방사 공급원이 접착제에 공급할 수 있는 에너지 플럭스 밀도 (즉, 단위면적 당 강도)에 따라 다르다. 에너지 플럭스 밀도는 램프 또는 전원의 거리, 촛점, 출력 및 강도를 의미한다.
바람직하게는, 상기 접착제는, 약 10초 미만의 시간, 바람직하게는 약 5초 미만, 더욱 바람직하게는 약 3초 미만의 시간동안 대략 1200 와트/sq inch 미만의 NIR 에너지, 보다 바람직하게는 대략 800 와트/sq inch 미만의 NIR 에너지의 노출시 경화한다. 기판에 도포된 경우, NIR 에너지에 대한 단기간의 노출, 바람직하게는 약 10초 미만, 보다 바람직하게는 약 2초 미만, 더욱 바람직하게는 약 0.5초 미만의 기간의 노출로 경화되는 열경화성 접착제가 바람직하다.
본 발명자들은, 적절한 NIR 흡수 성분을 특정의 종래 접착제에 첨가한 경우, 단기간의 방사 에너지에 의해 예상밖으로 빠른 강화된 경화를 달성할 수 있음을 밝혀내었다. 특정의 전형적 접착제는 NIR에 주로 투명한 반면, 에폭시 및, 선택에 따라 시아네이트 에스테르 및 NIR 흡수 성분을 포함하는 본 발명의 접착제는 에너지를 흡수하고 반사한다.
NIR 흡수 성분은 이들 염료, 안료, 충전제, 폴리머, 수지 또는, 에너지를 흡수하고, 흡수, 반사, 전달 및 전도의 최적의 밸런스를 제공할 수 있는 기타 성분을 포함한다. 예로써, 카본 블랙, 흑연, Solvent Red (2,3'-디메틸-4-(2-히드록시-나프틸아조)아조-벤젠), Solvent Green, 염료, 예를 들어 Clariant사로부터 구매할 수 있는 Forest Green 및 Royal Blue 마스터 배치 염료, 시아닌계 염료, 티타늄 옥시드와 같은 산화물, 테트라키스(디알킬아미노페닐)아미늄 염료, 스쿼릴리움 염료(squarylium dyes), 금속 배위체, 퀴논, 아조, 라디칼 멀티페닐메탄, 페릴렌, 방향족 아눌렌(aromatic annulenes), 플르오레닐리움 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이러한 에너지-흡수 성분은 다양한 흡수 특성을 나타낸다. 예를 들어, 할로겐 치환된 1,4,5,8- 테트라아닐리오안트라퀴논(1,4,5,8-tetraanilioanthraquinones)은 860nm 부근에서 우수한 흡수를 나타내며, 다른 영역의 NIR을 흡수할 수 있다. 또 다른 예로써, 스쿼라인(squaraine)은 비교적 긴 파장에서, 강하고 좁은 흡수 밴드를 나타냄을 특징으로 한다. 또한, 특별히 고안된 프탈로시아닌 화합물은 가시광에 대해 높은 투과도를 나타내며, 근적외선의 높은 효율의 차단(cut)을 제공한다.
본 발명의 실시에 사용하기 위해 바람직한 NIR 흡수 성분은 넓으며, Epolight 1125 (Epolene, Inc.), SDA 6248 (H.W. Sands Corp.), SDA2072(H.W. Sands Corp.) 및 카본블랙과 같은 NIR 흡수제를 포함한다. 카본 블랙의 경우, 다양한 방법, 예를 들어, 퍼니스 블랙 공정(furnace black method), 가스 (채널) 블랙 공정, 및 램프 블랙 공정에 의해 제조할 수 있다. 다양한 방법에 의해 제조된 카본 블랙의 방사 에너지 흡수에 영향을 미치는 중요 파라미터는 평균 주요 입자크기, 표면 화학 및 응집 구조이다. 본 발명의 실시에 사용하기 위한 NIR 흡수 성분은 일반적으로 약 400nm 내지 약 100,000nm, 바람직하게는 700nm 내지 10,000nm, 더욱 바람직하게는 약 700nm 내지 5,000nm 범위의 흡수를 가진다.
NIR 흡수성분은 기본 접착제의 제조 중 또는 기본 접착제의 제조 후, 어느 때나, 교반과 함께 첨가될 수 있다. 첨가량은 첨가제의 형태, 크기, 용해 또는 분산특성에 따라 다르다. 첨가제는 단기간(일반적으로 2초 미만)의 방사 에너지에 대한 노출시 접착제를 경화시키기에 충분한 양으로 첨가된다. 일반적으로, 상기 첨가제는 접착제 조성물 100부 당 약 0.001 내지 약 10부의 양으로 존재한다.
카본 블랙과 흑연 등의 안료는 그 본성 상 미립자이며, 약 0.01 내지 약 7 미크론의 범위의 평균입경을 가진 구형 형상일 수 있다. 안료입자가 응집하면, 응집물 크기는 증가한다. 상기 안료 응집물 크기는 바람직하게는 500 미크론 이하이다. 약 100 미크론 미만의 응집물 크기가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 50 미크론 이하이다.
본 발명의 전도성 접착제에서 사용하기에 적합한 NIR 흡수 성분은 소망하는 접착제와, 선택된, 다양한 입자크기 및 양의 첨가제를 블랜딩함에 의해 찾을 수 있다. NIR 흡수 성분을 접착제와 블랜딩하는 모든 공지된 방법, 예를 들어, ROSE ME- 100LC 등 패들 믹서 또는 고전단 믹서를 사용하여 본 발명의 접착제 조성물을 제조할 수 있으며, 이는 당업자에게 명백하게 이해될 수 있다. 방사 열 공급원으로부터의 광으로 각각의 샘플을 가열함에 의해 출발물질로서의 접착제와, NIR 흡수 성분을 함유하는 접착제를 비교한다. 적합한 첨가제는 허용가능한 접착강도 및 경화속도를 나타내는 것들이다. 본 발명의 실시에서, 흡수제(absorber) 코팅 충전제 및 인캡슐화 흡수제를 함유한 접착제가 포함된다.
본 발명의 한 구현예에 따른 접착제 조성물은 약 10 중량% 이하 (0%는 아님)의 에너지 흡수 첨가제; 약 10 내지 90 중량%의 수지, 약 1 내지 90 중량%의 충전제; 선택에 따라 약 0 내지 50 중량%의 희석제 및 약 0 내지 80 중량%의 불활성 충전제를 포함한다.
다른 측면에서, 본 발명은 조성물에 1종 이상의 근적외선 흡수 첨가제를 첨가하여 도전성 또는 저항성 조성물의 경화속도를 강화하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 하기의 비제한적 실시예에 의해 추가로 설명된다.
[실시예]
실시예 1
3종류의 상이한 도전성 접착제를 표 1에 나타낸 바와 같은 수지 및 은 충전제를 사용하여 제조하였다:
접착제 조성
조제 1 (wt%) 2 (wt%) 3 (wt%)
에폭시/시아네이트 에스테르 하이브리드 35 -- --
에폭시 -- 20 --
아크릴레이트 -- -- 25
은 65 80 75
적외선 벨트 오븐 내에서 첨가제를 가한 상태 및 가하지 않은 상태로 각 샘플의 경화시간을 측정하고, 그 결과를 표 2에 나타내었다:
첨가제 존재 및 부재 하의 접착제 경화
경화온도(℃) 경화시간(초) 조제 1 조제 1 w/0.25wt% 카본 블랙 조제 1 w/1 wt% 그린 염료 조제 3
73 4 경화되지않음
120* 2 경화되지 않음 부분경화
150 2 부분경화 완전경화 완전경화
150 4 완전경화
150 10 부분경화
150 20 완전경화
180 2 경화되지 않음
*: 열판 상에서 경화를 수행함
NIR 테스트 및 저항 측정은 다음과 같이 수행하였다: 저부 기판은 데이지 체인 패턴내에 링크된 은 잉크 패드를 포함하고, 상부 기판은 비연결(non-connected)의 은 잉크 패드인, 2개의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판 사이에 접착제 샘플을 샌드위치화하였다. 상기 기판을 배열하여, 상부의 은 잉크 패드가 저부 기판 상의 연결된 잉크 패드 사이에 브릿지를 형성하도록 하였다. 각각의 테스트 샘플을 이러한 브릿지 5개로 이루어진 루프 내에 담고, 이들 루프를 가로질러 저항을 측정하였다. 이들 샘플은 대략 1×1/16 인치의 크기를 가졌다. 상기 샘플은, 유효 라인 스피드를 10 내지 350 피트/분으로 (노출시간 8 내지 0.225초에 상응함) 하여 NIR 램프 하에서 샘플의 수평 움직임을 허용하는 직선 경화법을 사용하여 NIR을 통해 경화시켰다. 측정된 경화온도는 NIR 램프 전력에 따라 75 내지 95℃의 범위였다. 경화 후, 마이크로 저항 측정기를 사용하여 각 조제의 루프 저항을 측정하고, 그 결과를 표 3, 4 및 5에 나타내었다.
첨가제 부재하의 도전성 접착제 루프 저항
경화 방법 경화온도(℃) 경화시간(초) 조제 1 조제2 조제 3
열판 110 10 1.7-1.8 -- 0.9
열판 125 120 -- 0.8 --
카본 블랙 또는 NIR 염료를 상기 조제에 첨가하고, 상기 샘플을, 3200 와트의 램프를 사용하여 800 와트/sq. inch로 시편으로부터 시편 노출 거리를 변화시키면서 NIR 경화에 투입하였다. 각 조제의 결과는 표 4a, 4b 및 4c에 나타내었다.
Figure 112005023649946-PAT00001
Figure 112005023649946-PAT00002
Figure 112005023649946-PAT00003
표 2, 3 및 4a 내지 4c에 나타낸 바와 같이, 개질되지 않은 도전성 접착제의 경화속도는, 적외선 벨트 오븐 또는 열판을 경유한 경화와 달리, NIR에 대한 노출시 훨씬 빨라졌다. 표 4a 내지 4c에 나타낸 바와 같이, 에너지-흡수 첨가제의 첨가에 의해 각각 다른 접착제에서 다른 혜택이 나타났다. 도 4a에 나타낸 바와 같이, 카본 블랙 또는 그린 염료를 에폭시/시아네이트 에스테르 믹스를 포함한 접착제에 첨가한 경우, 바람직한 루프 저항 수준에서 빠른 경화속도를 제공하였다. 표 4b에 나타낸 바와 같이, 에폭시계 접착제는 첨가제의 존재 또는 부재하에 유사한 저항을 나타내었다. 마지막으로, 표 4c는 아크릴계 접착제의 경우, 에너지 흡수 첨가제의 첨가 없이 빠른 경화를 제공함을 나타낸다.
실시예 2
실시예 1의 조제 1을 상이한 온도 및 노출시간에서 적외선 오븐 내에 경화시켰다. 시험을 위해, 0.25 중량%의 카본 블랙을 시편에 첨가하고, 1 중량%의 그린 염료를 첨가하였다. 결과는 표 5에 나타내었다.
Figure 112005023649946-PAT00004
2 2회 시험의 평균
3 3회 시험의 평균
4 4회 시험의 평균
5 5회 시험의 평균
표 4a 내지 4c와 표 5의 비교로부터 알 수 있듯이, 적외선 벨트 오븐 경화를 통한 경화와 달리, NIR 경화를 통해 접착제의 저항값이 향상되었다.
당업자의 시각에서, 본 발명의 범위를 벗어나지 않은 본 발명의 다양한 개질 및 변형이 가능하다. 본 명세서에 기재한 특정 구현예는 예시를 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위와 이러한 청구범위에 부여된 균등의 범위에 의해서만 제한될 뿐이다.

Claims (43)

  1. 조성물을 기판상에 도포하는 단계 및, 상기 조성물을 경화시키기에 충분한 시간 동안, 상기 조성물을 근적외 방사 공급원(near infrared radiation source)에 투입하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스에의 사용을 위한 조성물의 경화방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 도전성(conductive), 저항성(resistive) 또는 이방 도전성(anisotropically conductive)인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 기판 상에 도포되기 전에 상기 조성물에 근적외 흡수 첨가제(near infrared absorbing additive)를 첨가하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 근적외 방사 공급원에 약 10초 미만으로 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 조성물은 근적외 방사 공급원에 2초 미만으로 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 조성물은 근적외 방사 공급원에 0.5초 미만으로 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 약 700nm 내지 약 5,000nm의 범위의 피크 파장을 가지는 근적외 방사에 노출되어 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 조성물의 저항이 약 2 옴(ohm) 미만이 되도록 충분한 시간 동안 경화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 조성물은 조성물의 저항이 약 1.5 옴 미만이 되도록 충분한 시간동안 경화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 근적외 흡수 첨가제는 대역(broad-band) NIR 흡수제, 카본블랙, 흑연, Solvent Red (2,3'-디메틸-4-(2-히드록시-나프틸아조)아조-벤젠), Solvent Green, 염료, 시아닌계 염료, 산화물, 티타늄 옥사이드, 테트라키스(디알킬아미노페닐)아미늄 염료, 스쿼릴리움 염료(squarylium dyes), 금속 배위체, 퀴논, 아조, 라디칼 멀티페닐메탄, 페릴렌, 방향족 아눌렌(aromatic annulenes), 플르오레닐리움(fluorenylium), 할로겐 치환된 1,4,5,8-테트라아닐리오안트라퀴논(halogen substituted 1,4,5,8-tetraanilioanthraquinones), 스쿼라인(squaraine), 프탈로시아닌 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 기판상에 조성물을 도포하는 단계, 상기 조성물에 인접하여 전자 부품을 위치시키는 단계 및, 상기 조성물을 경화시키기에 충분한 시간 동안, 상기 조성물을 근적외 방사 공급원에 투입하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스에 사용하기 위한 조성물의 경화방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 조성물은 도전성, 저항성 또는 이방 도전성인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 조성물을 기판 상에 도포하기 전, 상기 조성물에 근적외 흡수제를 첨가하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 조성물은 약 10초 미만의 시간 동안 근적외 방사 공급원에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 조성물은 2초 미만의 시간 동안 근적외 방사 공급원에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 조성물은 약 0.5초 미만의 시간 동안 근적외 방사 공급원에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 조성물은 약 700nm 내지 약 5,000nm의 범위의 피크 파장을 가지는 근적외 방사에 노출되어 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 조성물은 조성물의 저항이 약 2 옴 미만이 되도록 충분한 시간동안 경화시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 조성물은 조성물의 저항이 약 1.5 옴 미만이 되도록 충분한 시간동안 경화시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 근적외 방사에 대한 조성물의 노출 시, 조성물의 경화속도를 증가시키기 위한, 유효량의 근적외 흡수 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 디바이스에서의 사용을 위한 조성물.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 조성물은 도전성, 저항성 또는 이방 도전성인 것을 특징으로 하는 조성물.
  22. 제20항에 있어서, 상기 조성물은 하나 이상의 수지 및 하나 이상의 충전제를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 하나 이상의 수지는 에폭시, 시아네이트 에스테르, 아크릴레이트 및 이 들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 하나 이상의 충전제는 은, 구리, 금, 백금, 카본 블랙, 탄소섬유, 흑연, 알루미늄, 인듐 주석 산화물, 은-코팅 구리, 은-코팅 알루미늄, 금속-코팅 유리구슬, 안티몬 도핑된 주석 산화물, 탈크, 실리카, 실리케이트, 알루미늄 니트리드, 운모, 세라믹, 바륨 티타네이트, 티타늄 디옥시드, 나노충전제, 실리케이트, 탄소 나노튜브 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  25. 제20항에 있어서,
    부식 억제제, 희석제, 산소 포착제(oxygen scavenger), 접착 촉진제(adhesion promotor) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 근적외선 흡수 첨가제는, 대역 NIR 흡수제, 카본블랙, 흑연, Solvent Red (2,3'-디메틸-4-(2-히드록시-나프틸아조)아조-벤젠), Solvent Green, 염료, 시아닌계 염료, 산화물, 티타늄 옥사이드, 테트라키스(디알킬아미노페닐)아미늄 염료, 스쿼릴리움 염료, 금속 배위체, 퀴논, 아조, 라디칼 멀티페닐메탄, 페릴렌, 방 향족 아눌렌, 플르오레닐리움, 할로겐 치환된 1,4,5,8-테트라아닐리오안트라퀴논, 스쿼라인, 프탈로시아닌 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  27. 제20항에 있어서,
    상기 조성물은 10초 미만의 시간 동안 근적외 방사 공급원에 노출시 경화가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 조성물은 2초 미만의 시간 동안 근적외 방사 공급원에 노출시 경화가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 조성물은 약 0.5초 미만의 시간 동안 근적외 방사 공급원에 노출시 경화 가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  30. 제20항에 있어서,
    상기 조성물은 약 700nm 내지 5,000nm의 범위의 피크 파장을 가지는 근적외 방사에 노출시 경화 가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  31. 제20항에 있어서,
    약 10초 미만의 시간 동안 약 1200 와트/sq inch 미만의 근적외 에너지 노출 시 경화 가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  32. 제31항에 있어서,
    약 10초 미만의 시간 동안 약 800 와트/sq inch 미만의 근적외 에너지 노출 시 경화가능한 것을 특징으로 하는 조성물.
  33. 제20항에 있어서,
    상기 근적외선 흡수성분은 유기염료를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  34. 제20항에 있어서,
    상기 근적외 흡수성분은 하나 이상의 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 안료는 카본 블랙인 것을 특징으로 하는 조성물.
  36. 제34항에 있어서,
    상기 안료는 흑연인 것을 특징으로 하는 조성물.
  37. 제20항에 있어서,
    상기 조성물은 도전성 접착제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  38. 제19항에 따른 조성물을 포함하는 기판.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 조성물은 상기 기판의 하나 이상의 소정의 위치에, 제트 분배, 롤 코팅, 페인팅, 드라이 브러싱, 딥 코팅 스프레잉, 슬롯-코팅, 스월 스프레잉(swirl spraying), 프린팅, 플렉소 인쇄(flexographic), 압출, 원자화 분무(atomized spraying), 화이버화(fiberization), 그라비어, 정전 코팅(electrostatic), 기상 증착 및/또는 스크린 프린팅에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 기판.
  40. 제38항에 있어서,
    상기 조성물은 불연속 코팅으로 도포되는 것을 특징으로 하는 기판.
  41. 제38항에 있어서,
    상기 조성물은 연속 코팅으로 도포되는 것을 특징으로 하는 기판.
  42. 제38항에 있어서,
    전자 회로인 것을 특징으로 하는 기판.
  43. 제20항에 따른 조성물을 포함하는 전자 디바이스.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI393226B (zh) * 2004-11-04 2013-04-11 Taiwan Semiconductor Mfg 基於奈米管之填充物
US7378523B2 (en) * 2005-08-25 2008-05-27 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Quinolinols as fluxing and accelerating agents for underfill compositions
DE102005041221A1 (de) * 2005-08-31 2007-03-01 Krones Ag Herstellung von Etiketten mit RFID-Transpondern
JP4649662B2 (ja) * 2006-06-01 2011-03-16 独立行政法人産業技術総合研究所 スクアリリウム色素及びカーボンナノチューブからなる複合体。
WO2008103372A2 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Thermoceramix Inc. Gas heating apparatus and methods
DE102007015261A1 (de) 2007-03-27 2008-10-02 Aacure Aadhesives Gmbh Reaktivmasse und Verfahren zur Aufbringung hierfür
EP2217533B1 (en) * 2007-11-05 2012-10-03 Basf Se Heat shielding additives comprising a tungsten hydrogen bronze, a binary tungsten oxide and tungsten metal
KR101578241B1 (ko) * 2008-03-04 2015-12-16 다이닛뽄도료가부시키가이샤 비수계 잉크젯용 잉크 조성물
EP2304782A1 (en) * 2008-06-20 2011-04-06 Polymer Vision Limited An integrated circuit comprising light absorbing adhesive
US8361840B2 (en) * 2008-09-24 2013-01-29 Eastman Kodak Company Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture
US8980992B2 (en) 2009-03-04 2015-03-17 The Boeing Company Low radio frequency loss, static dissipative adhesives
US8293451B2 (en) * 2009-08-18 2012-10-23 International Business Machines Corporation Near-infrared absorbing film compositions
US8772376B2 (en) * 2009-08-18 2014-07-08 International Business Machines Corporation Near-infrared absorbing film compositions
CN101747593B (zh) * 2009-11-19 2011-08-10 哈尔滨工业大学 钛酸钡陶瓷粉作为导电填料的导电胶及其制备方法
US20120298929A1 (en) 2010-02-05 2012-11-29 Noritsuka Mizumura Reducing agent composition for the conductive metal paste
DE102010011127A1 (de) * 2010-03-11 2011-09-15 Bundesdruckerei Gmbh Klebstoffzusammensetzung für ein Sicherheits-und/oder Wertdokument mit einem Schaltkreis
CN101921505B (zh) * 2010-03-25 2012-12-26 江苏工业学院 一种无线射频识别系统印刷用导电油墨组合物
TWI434895B (zh) 2012-03-28 2014-04-21 Ind Tech Res Inst 染料與光電轉換裝置
US10329444B2 (en) * 2012-12-28 2019-06-25 Printed Energy Pty Ltd Nickel inks and oxidation resistant and conductive coatings
CN104854212A (zh) * 2013-01-31 2015-08-19 株式会社吴羽 近红外线照射型密封材料和其用途,以及构件的粘着方法
US9914687B2 (en) * 2013-03-29 2018-03-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Composition containing vinyl-group-containing compound
JP6498873B2 (ja) * 2013-06-05 2019-04-10 ユニチカトレーディング株式会社 機能性繊維糸及びこれを用いてなる織編物
CN104031578B (zh) * 2014-06-13 2016-03-16 河北大旗光电科技有限公司 采用导电、增强、填充三种不同功能粒子的异向性导电胶
WO2016200833A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-15 Avery Dennison Corporation Adhesives for chemical mechanical planarization applications
EP3282453B1 (en) * 2016-08-11 2023-07-12 Henkel AG & Co. KGaA Improved processing of polymer based inks and pastes
FR3065724B1 (fr) 2017-04-28 2019-06-07 Saint-Gobain Glass France Article destine a etre trempe protege par une couche temporaire

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341464A (en) * 1962-08-09 1967-09-12 American Cyanamid Co Heat resistant aminium salt infrared absorbers
US5744557A (en) * 1993-06-16 1998-04-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-curable cyanate/ethylenically unsaturated compositions
JPH07216272A (ja) * 1994-02-07 1995-08-15 Showa Denko Kk 光硬化性導電ペースト
KR100629923B1 (ko) * 1998-09-30 2006-09-29 돗빤호무즈가부시기가이샤 도전성페이스트와 도전성페이스트의 경화방법, 및 도전성페이스트를 이용한 비접촉형 데이터송수신체용 안테나의 형성방법과, 비접촉형 데이터송수신체
JP2000182691A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続部材及びこれを用いた接続方法
JP2000234075A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Toppan Forms Co Ltd 紙基材への熱硬化導電性インキの定着方法
US6284086B1 (en) * 1999-08-05 2001-09-04 Three - Five Systems, Inc. Apparatus and method for attaching a microelectronic device to a carrier using a photo initiated anisotropic conductive adhesive
JP5257642B2 (ja) * 2000-12-04 2013-08-07 住友電気工業株式会社 セラミックス光学部品及びその製造方法
JP3627011B2 (ja) * 2001-02-13 2005-03-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 接合方法
US6589411B1 (en) * 2001-05-10 2003-07-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrodeposition coating process
US6887556B2 (en) * 2001-12-11 2005-05-03 Agfa-Gevaert Material for making a conductive pattern
US6936644B2 (en) * 2002-10-16 2005-08-30 Cookson Electronics, Inc. Releasable microcapsule and adhesive curing system using the same

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Publication number Publication date
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