KR20060046159A

KR20060046159A - 패턴 묘화장치 및 패턴 묘화방법

Info

Publication number: KR20060046159A
Application number: KR1020050043908A
Authority: KR
Inventors: 히로유키 시로타
Original assignee: 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date: 2004-06-14
Filing date: 2005-05-25
Publication date: 2006-05-17
Also published as: CN1716099A; TW200540577A; CN100451837C; JP2005353927A; TWI301932B; KR100678507B1

Abstract

DMD의 미소(微小) 미러에 대응하는 광조사 영역(61)의 배열을 기판 상에 설정된 묘화셀(620)의 배열에 대하여 경사시키고, 광조사 영역군을 묘화셀군에 대하여 주(主)주사방향에 상대적으로 이동하는 것에 의해 패턴의 묘화를 행하는 경우에, 및 주주사방향에 관하여 서로 인접하는 2개의 광조사 영역(61)에서, 부(副)주사방향에 대한 중심 사이의 거리를 묘화셀(620)의 묘화피치와 동일하게, 또, 주주사방향에 대한 중심 사이의 거리를 묘화피치의 a배로 하고, 묘화피치의 n배(단, n은 3이상의 정수)의 거리만큼 광조사 영역군을 상대적으로 이동하는 동안에 각 광조사 영역(61)에의 광조사의 ON/OFF를 1회 제어한다. 여기서, (a² + 1)과 n을 서로소로 하는 것에 의해, 고해상도에서 고속으로 적절한 패턴을 묘화할 수 있다.

패턴, 묘화, 주사방향, 묘화피치, 광조사 영역.

Description

패턴 묘화장치 및 패턴 묘화방법{PATTERN WRITING APPARATUS AND PATTERN WRITING METHOD}

도 1은, 패턴 묘화장치의 구성을 나타내는 도면이다.

도 2는, DMD를 나타내는 도면이다.

도 3은, 광조사 영역 및 묘화셀을 나타내는 도면이다.

도 4는, 광조사 영역군 전체 및 묘화셀군을 나타내는 도면이다.

도 5는, 패턴 묘화의 흐름을 나타내는 도면이다.

도 6 내지 도 9는, 묘화 도상의 광조사 영역 및 묘화셀을 나타내는 도면이다.

도 10 내지 도 13은, 광조사 영역군의 경사와 광조사 영역의 크기와의 관계를 나타내는 도면이다.

도 14는, 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15A는, 1묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15B는, 2묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15C는, 3묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15D는, 4묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15E는, 5묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15F는, 6묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 15G는, 8묘화피치 마다의 ON/OFF에 의한 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 16은, 광강도가 다른 경우의 누적광량을 나타내는 도면이다.

도 17은, 광원의 ON/OFF 제어의 흐름을 나타내는 도면이다.

본 발명은, 감광 재료에 공간 변조된 광을 조사해서 패턴을 묘화하는 패턴 묘화장치에 관한 것이다.

종래부터, 공간 광변조 디바이스를 이용해서 감광 재료 상에 패턴을 묘화하는 기술이 제안되어 있다. 이러한 기술로서, 예컨대, 특개 2003-332221호 공보(문헌 1)에서는, DMD(디지털·마이크로 미러·디바이스)가 투영된 광조사 영역군을, 그 배열 방향에 대하여 경사진 주사방향으로 감광 재료 상을 주사하는 것에 의해, 광조사 영역군보다도 높은 밀도에서 감광 재료 상에 설정된 묘화셀군에 패턴을 묘화하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 문헌 1에서는, 각 광조사 영역에의 광의 조사의 ON/OFF제어를, 광조사 영역군이 묘화셀 2개분의 거리를 이동할 때마다 행하는 것에 의해, 배속으로 묘화를 행하는 방법도 개시되어 있다.

그런데, 반도체 기판이나 프린트 기판의 미세화에 의해 패턴의 묘화속도의 향상은 중요하게 되고 있고, 문헌 1에 기재된 방법에서도 2배속을 넘는 속도에서의 패턴 묘화의 실현이 희망된다. 그러나 단순하게 광조사 영역군의 이동 속도를 높게 한 것 만으로 적절한 고속묘화가 실현된다고는 할 수 없다.

본 발명은, 감광 재료에 광을 조사해서 패턴을 묘화하는 패턴 묘화장치에 향해져 있고, 2차원으로 배열된 광조사 영역군을 배열 방향에 대하여 경사진 주사방향으로 주사해서 고해상도에서 묘화를 행할 때에, 고속 또한 적절한 묘화의 실현을 목적으로 하고 있다.

본 발명에 관한 패턴 묘화장치는, 감광 재료상에서 서로 수직한 2개의 배열 방향으로 일정한 피치에서 배열되는 광조사 영역군의 각각으로 변조된 광을 조사하는 광조사부와, 감광 재료상에서 광조사 영역군을 배열 방향에 대하여 경사진 주사방향에 주사시켜, 주사방향 및 주사방향에 수직한 방향으로 일정한 묘화피치에서 감광 재료 상에 고정 배열된 묘화영역군의 각각에 대하여 복수의 광조사 영역을 상대적으로 통과시키는 주사기구와, 광조사 영역군의 주사에 동기하면서 광조사 영역군에의 광조사의 ON/OFF를 개별로 제어하는 것에 의해, 감광 재료 상의 각 묘화영역에 조사되는 광의 양을 제어하는 제어부를 구비하고, 광조사 영역군의 상기 2개의 배열 방향 중 주사방향에 거의 따르는 방향에 관해서 서로 인접하는 광조사 영역에서, 주사방향에 수직한 방향에 대한 중심간의 거리가 묘화피치와 같고, 주사방향에 대한 중심간의 거리가 묘화피치의 a배(단, a는 2이상의 정수)이며, 제어부가 묘화피치의 n배(단, n은 3이상의 정수)의 거리만 광조사 영역군을 상대적으로 이동 하는 동안에 광조사의 ON/OFF를 1회 제어하고, (a² + 1)과 n이 서로소이다.

본 발명에 의하면, 공간 변조된 광을 이용해서 해상도에서 고속묘화를 행할 수 있다.

바람직하게는, 광조사 영역군에서 상기 2개의 배열 방향 중 주사방향에 거의 따르는 방향으로 배열되는 광조사 영역의 수가 M이며, M이 (a×n)의 정수배라고 하고, 이것에 의해, 각 묘화영역과 같은 회수만 중복 노광을 행할 수 있다.

또한, 본 발명의 일형태에서는, 광조사 영역에의 광의 조사가 ON이 된 후, 광조사 영역군의 묘화피치의 n배의 거리의 상대 이동이 완료하기 전에 광조사 영역에의 광의 조사가 OFF된다. 바람직하게는, 광조사 영역에의 광의 조사가 ON이 되고 나서 OFF가 되기까지의 동안에, 광조사 영역군이 묘화피치만큼 상대 이동한다. 이것에 의해, 주사방향의 묘화해상도의 저하를 억제할 수 있다. 이와 같은 묘화제어가 행하여질 경우는, 광조사부는, ON/OFF 제어 가능한 광원과, 광원으로부터의 광을 공간 변조하는 공간 광변조 디바이스를 구비하는 것이 바람직하고, 광원의 ON/OFF 제어에 의해 용이하게 주사방향의 해상도의 저하를 억제할 수 있다.

본 발명은 또, 감광 재료에 광을 조사해서 패턴을 묘화하는 패턴 묘화방법에도 향해져 있다.

상술한 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조해서 이하에 행하는 본 발명의 상세한 설명에 의해 명백해질 것이다.

도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 패턴 묘화장치(1)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 1에서는 장치의 내부구조를 나타내기 위해서 장치의 일부를 파선으로 나타내고 있다. 패턴 묘화장치(1)는, 포토레지스트막이 형성된 기판(9)을 유지하는 스테이지(2), 스테이지(2)를 도 1 중 Y방향으로 이동시키는 스테이지 이동기구(31), 광 빔을 기판(9)을 향해 출사하는 광조사부(4), 광조사부(4)의 헤드부(40)를 도 1 중 X방향으로 이동시키는 헤드부 이동기구(32), 및, 광조사부(4) 및 헤드부 이동기구(32)에 접속된 제어부(5)을 갖는다.

광조사부(4)는 헤드부(40)에 접속된 광원 유닛(41)을 가지고, 광원 유닛(41)은, 광원인 고출력의 LED(411) 및 렌즈군(412)을 구비하고, 렌즈군(412)로부터의 광은 광섬유(413)에 입사해서 헤드부(40)로 안내된다. 헤드부(40)는 격자 모양으로 배열된 미소 미러군이 마련되어진 DMD(42)를 가지고, 미소 미러군에 의해 광원 유닛(41)으로부터의 광 빔이 반사되는 것에 의해 2차원으로 공간 변조된 광 빔이 안내된다.

구체적으로는, 광섬유(413)로부터 출사된 광은 로드 인테그레이터(433), 렌즈(434) 및 미러(435)를 통해서 미러(436)로 안내되고, 미러(436)는 광 빔을 집광시키면서 DMD(42)로 안내된다. DMD(42)에 입사하는 광 빔은 소정의 입사각에서 DMD(42)의 미소 미러군에 균일하게 조사된다. 이상과 같이, 로드 인테그레이터(433), 렌즈(434), 미러(435) 및 미러(436)에 의해 광원 유닛(41)으로부터의 광을 DMD(42)로 안내하는 조명 광학계(43)가 구성된다.

DMD(42)의 각 미소 미러 중 소정의 자세(후술하는 DMD(42)에 의한 광조사의 설명에서, ON상태에 대응하는 자세)에 있는 미소 미러로부터의 반사광에만 의해 형 성되는 변조된 광 빔의 다발(즉, 공간 변조된 광 빔)은 큐브 빔 스플릿터(441)에 입사해서 반사되고, 줌렌즈(442)에 의해 배율이 조정되어서 투영렌즈(443)로 안내된다. 줌렌즈(442)는 줌용의 액츄에이터(442a)에 의해 변배 가능하게 되고, 투영렌즈(443)는 오토 포커스(AF)용의 액츄에이터(443a)에서 초점맞춤이 가능하게 된다. 그리고, 투영렌즈(439)로부터의 광 빔은 미소 미러군에 대하여 광학적으로 공액(共役)이 되는 기판(9) 상의 영역으로 안내되고, 각 미소 미러에서 변조된(즉, 변조의 요소가 된다) 광 빔이 대응하는 광조사 영역에 조사된다. 이와 같이, 패턴 묘화장치(1)에서는 큐브 빔 스플릿터(441), 줌렌즈(442), 투영렌즈(443)에 의해, 각 미소 미러로부터의 광을 기판(9) 상의 대응하는 광조사 영역에 축소 투영하는 투영 광학계(44)가 구성된다.

또, 큐브 빔 스플릿터(441)의 윗쪽에는, 하프미러(451), AF용의 레이저 다이오드(LD)(452) 및 AF검출용의 센서(453)가 배치되어, LD(452)로부터의 광이 하프미러(451)를 투과해서 큐브 빔 스플릿터(441), 줌렌즈(442), 투영렌즈(443)를 통해서 기판(9)에 조사되고, 기판(9)으로부터의 광이 역방향으로 진행해서 하프미러(451)에서 반사되어 센서(453)에 의해 검출된다. 센서(453)의 출력은 AF시의 액츄에이터(443a)의 제어에 이용된다.

스테이지(2)는 리니어 모터인 스테이지 이동기구(31)의 이동체측에 고정되고 있어, 제어부(5)가 스테이지 이동기구(31)를 제어하는 것에 의해, 미소 미러군으로부터의 광이 조사되는 광조사 영역군(1개의 미소 미러가 1개의 광조사 영역에 대응하는 것이라고 한다.)이 포토레지스트막 상을 도 1 중 Y방향으로 상대적이고 연속 적으로 상대 이동한다. 즉, 광조사 영역군은 헤드부(40)에 대하여 상대적으로 고정되고, 기판(9)의 이동에 의해 광조사 영역군이 기판(9) 상을 이동한다.

헤드부(40)는 헤드부 이동기구(32)의 이동체측에 고정되어, 광조사 영역군의 주주사방향(도 1 중 Y방향)에 대하여 수직한 부주사방향(X방향)으로 간헐적으로 이동한다. 즉, 주 주사가 종료할 때마다 헤드부 이동기구(32)는 다음 주 주사의 시작 위치에 헤드부(40)를 X방향으로 이동시킨다.

도 2는 DMD(42)를 나타내는 도면이다. DMD(42)는 실리콘 기판(421) 상에 다수의 미소 미러가 격자 모양으로 등간격으로 배열된(서로 수직한 2방향에 M행 N열로 배열되어 있는 것으로서 이하 설명한다.) 미소 미러군(422)을 가지는 공간 광변조 디바이스이며, 각 미소 미러에 대응하는 메모리셀에 기록된 데이터를 따라서, 각 미소 미러가 정전계 작용에 의해 소정의 각도만큼 기운다. 또, 광은, DMD(42)에 수직하며 열방향에 대하여 45도의 각도를 이루는 면에 따라 입사각 24도로 입사하고, 각 미소 미러를 균일하게 조명한다. DMD(42)는 실제로는 768행 1024열의 미소 미러를 가지는 것이 사용되어, 선두 행으로부터 192행분만이 조명된다.

도 1에 나타내는 제어부(5)로부터 DMD(42)에 리셋 펄스가 입력되면, 각 미소 미러는 대응하는 메모리셀에 기록된 데이터에 따라 반사면의 대각선을 축으로서 소정의 자세로 일제히 기운다. 이것에 의해, DMD(42)에 조사된 광 빔은 각 미소 미러가 기우는 방향에 따라 반사되어, 광조사 영역에의 광조사의 ON/OFF가 행하여진다. 즉, 메모리셀에 ON을 나타내는 데이터가 기록된 미소 미러가 리셋 펄스를 수신하면, 그 미소 미러에 입사하는 광은 줌렌즈(437)에 반사되고, 대응하는 광조사 영역 에 광(미소한 광 빔)이 조사된다. 또한, 미소 미러가 OFF상태가 되면, 미소 미러는 입사한 광을 줌렌즈(437)와는 다른 소정의 위치로 반사하고, 대응하는 광조사 영역은 광이 안내되지 않는 상태가 된다.

도 3은 패턴 묘화장치(1)에서의 기판(9) 상의 광조사 영역(61) 및 묘화셀(620)을 나타내는 도면이다. 광조사 영역(61)은 헤드부(40)에 대하여 고정된 영역이며, 묘화셀(620)은 기판(9) 상에 고정된 묘화제어의 최소단위에 상당하는 영역(예컨대, 2㎛사방이라고 한다.)이며, 헤드부(40)가 기판(9)에 대하여 상대적으로 이동하는 것에 의해, 광조사 영역(61)이 묘화셀(620) 상을 상대적으로 이동한다. 묘화셀(620)은, DMD(42)에 의한 광조사 영역(61)의 중심위치(정확하게는, 연속적으로 이동하고 있는 도중의 광조사 영역(61)의 중심위치)를 기준으로 기판(9) 상의 영역을 분할한 노광 영역이다. 도 3에서는, DMD(42)의 각 미소 미러에 대응해서 광이 조사되는 격자 모양의 광조사 영역군을 2점 쇄선으로 나타내고, 기판(9) 상의 묘화셀군을 실선으로 나타내고 있다. 또, 도 3에서는 묘화셀(620) 및 광조사 영역(61)의 일부만이 도시되어 있다.

묘화셀(620)은 도 3중의 X방향(부주사방향) 및 Y방향(주주사방향)으로 각각 동일한 피치(이하, 「묘화피치」라고 부른다.)(PW)에서 고정 배열된 직사각형의 노광 영역이며, 대응하는 묘화셀 데이터(DMD(42)에 기록된 데이터)에 따른 광의 조사가 광조사 영역(61)의 중앙의 묘화셀(620)(부호 621을 붙인다.)을 중심으로 해서 행하여진다. DMD(42)의 각 미소 미러의 반사광이 조사되는 광조사 영역(61)은 미소 미러의 형상에 대응해서 거의 정방형의 영역으로 되어 있다. 도 4에서 나타내는 바 와 같이, 광조사 영역(61)은 DMD(42)의 미소 미러에 대응해서 서로 수직한 2방향에 대하여 일정한 피치(이하,「조사 피치」라고 부른다.)(PI)에서 M행 N열로 배열되고, 광조사 영역(61)의 배열 방향이 주주사방향에 대하여 경사지도록 DMD(42)가 헤드부(40)내에서 경사지게 설치된다.

도 3에서 나타내는 바와 같이, 광조사 영역군의 주주사방향에 대한 경사는, 광조사 영역군의 2개의 배열 방향 중, 주주사방향에 거의 따르는 방향(주주사방향과 이루는 각이 작은 방향)에 관해서 서로 인접하는 2개의 광조사 영역(61)에서, 부주사방향(X방향)의 중심간 거리(L1)와 묘화셀(620)의 묘화피치(PW)(부주사방향에 관해서 인접하는 묘화셀(620)의 중심간 거리)가 같아지고, 또한, 주주사방향(Y방향)의 중심간 거리(L2)가 묘화피치(PW)의 4배가 되도록 기울여진다. 이하의 설명에서는, 거의 Y방향에 따르는 방향을 DMD(42)에서의 열방향이라 하고, 거의 X방향에 따르는 또 하나의 방향을 행방향이라 부른다. 도 4 중 평행 사선을 붙여서 나타내는 바와 같이, 주주사방향에 정확히 따라 나란한 2개의 광조사 영역(61)은 열방향으로 조사 피치(PI)의 4배, 행방향으로 조사 피치(PI)만큼 떨어진다.

다음에, 패턴 묘화장치(1)가 기판(9) 상의 포토레지스트막에의 패턴의 묘화를 행할 때의 동작에 대해서 도 5를 참조하면서 설명을 행한다. 이하, 패턴 묘화장치(1)의 동작의 설명에서는, 묘화셀군에 대하여 광조사 영역군이 주주사방향 및 부주사방향으로 이동하는 것으로 한다.

우선, 묘화가 개시되는 경우에는, 묘화셀(620) 중 최초의 광조사 영역(61)의 위치에 대응하는 것(예컨대, 도 3에서 각 광조사 영역(61)의 중앙에 위치하는 부호 621을 붙이는 묘화셀)에의 묘화셀 데이터가, 제어부(5)로부터 대응하는 DMD(42)의 각 미소 미러의 메모리셀에 송신된다(스텝S11). 그 후, 광조사 영역군의 주 주사가 시작되고(스텝S12), 묘화셀군에 대하여 광조사 영역군이 묘화시작 위치에 도달하면 (스텝S13), 제어부(5)가 DMD(42)에 리셋 펄스를 송신하는 것에 의해, 각 미소 미러가 메모리셀의 데이터에 따른 자세가 되고, 최초의 묘화셀(621)에의 노광이 행하여진다(스텝S14). 또, 정확하게는, 상기 노광은 광의 조사의 ON/OFF를 제어하는 동작을 가리키고, 광이 조사되지 않을 경우를 포함하지만, 이하의 설명에서는 노광에 관한 제어를 단지 「노광」이라고 부른다.

리셋 펄스가 송신된 후, 곧 다음의 묘화셀(620)(본 실시형태에서는 도 3 중 각 묘화셀(621)의 (-Y)측에 4묘화피치 만큼 떨어진 묘화셀(622)에 대응하는 묘화셀 데이터가 각 미소 미러의 메모리셀에 송신되고, 메모리셀로의 데이터의 기록이 행하여진다(스텝S16). 리셋 펄스의 DMD(42)에의 송신은, 스테이지 이동기구(31)가 스테이지(2)를 주주사방향으로 연속적으로 이동시키는 동작에 동기해서 행하여지고, 1회째의 리셋 펄스로부터 묘화셀군이 주주사방향에 묘화피치(P)의 4배의 거리만큼 이동한 시점에서 다음 리셋 펄스가 DMD(42)에 송신되고(스텝S17, S14), 각 미소 미러가 묘화셀 데이터를 따른 자세가 된다. 따라서, 최초의 리셋 펄스 후의 각 광조사 영역에의 광조사의 ON/OFF의 상태는, 묘화셀군이 묘화피치의 4배의 거리를 이동하는 동안 유지한다.

제어부(5)가 스테이지 이동기구(31)에 의한 광조사 영역군의 주사에 동기하면서 광조사 영역군에의 광조사의 ON/OFF를 개별로 제어해서 이상의 노광이 반복되 면, 18회째의 리셋 펄스(최초의 리셋 펄스를 포함한다.)에서 최초에 노광이 행하여진 묘화셀(621)을 중심으로 하는 2번째의 노광이 행하여진다. 18회째의 리셋 펄스의 직전의 상태(즉, 17회째의 리셋 펄스의 후의 상태)에서는, 최초에 노광이 행하여진 묘화셀로부터 (-Y)방향을 향해서 나란한 17개의 묘화셀(최초의 묘화셀을 포함한다.)의 각각을 중심으로 하는 노광이 1회만 행하여진 단계로 되어 있다. 상기 묘화동작에 대해서, 도 6 내지 도 9를 참조해서 더 자세하게 설명한다.

도 6은 묘화셀군과 광조사 영역군을 나타내는 도면이며, 검게 전부 칠한 묘화셀(620)(부호 62a를 붙인다.)을 중심으로 해서 최초의 리셋 펄스 시에 노광이 행하여진다. 도 6에서는, 묘화셀(62a)에 대하여 정확하게 (+Y)측에 위치하는 광조사 영역(61), 즉, 열방향으로 4조사 피치 또한 행방향으로 1조사 피치만큼 서로 떨어진 복수의 광조사 영역(61)에 평행 사선을 붙이고 있고, (-Y)측의 것으로부터 순차로, 부호 61a, 61b, 61c, 61d, 61e를 붙이고 있다.

이하의 설명에서는, 리셋 펄스 때에 광조사 영역(61a~61e)의 중앙에 위치하는 묘화셀에 부호 62a~62e를 붙인다. 또한, 이해를 보조하기 위해서, 최초의 노광 시에 광조사 영역(61a)의 중심에 위치하는 묘화셀(62a)의 위치를 좌표표현을 이용해서 C(0, 0)으로 나타내고, 묘화셀(62a)의 (-Y)측에 인접하는 묘화셀의 위치를 C(0, 1)로 나타낸다. 또한, 광조사 영역(61a~61e)의 위치도 행 및 열방향의 좌표표현을 이용해서 각각 R(0, 0), R(1, 4), R(2, 8), R(3, 12), R(4, 16)으로 나타낸다. 이것들의 좌표표현은 적당히 설명중에 부가한다.

도 7은 2회째의 리셋 펄스가 DMD(42)에 송신된 시점에서의 묘화셀군과 광조 사 영역군을 나타내는 도면이다. 1회째의 리셋 펄스의 후, 광조사 영역군이 묘화셀군에 대하여 묘화피치의 4배의 거리를 이동하는 동안, 각 광조사 영역에 대한 노광 상태(광조사의 ON 또는 OFF)가 유지되고, 2회째의 리셋 펄스의 시점에서는, 최초의 묘화셀(62a)(C(0, 0))로부터 (-Y)방향으로 묘화피치의 4배의 거리만큼 떨어진 묘화셀(62a)(C(0, 4))을 중심으로 해서 노광이 행하여진다. 도 8은 6회째의 리셋 펄스 시의 모양을 나타내고 있고, (-Y)측의 묘화셀(62a)(C(0, 20))을 중심으로 하는 광조사 영역(61a)에의 노광이 행하여지는 동시에, 가장 (+Y)측의 묘화셀(62a)(C(0, 0))로부터 3묘화피치만큼 (-Y)측으로 떨어진 묘화셀(62b)(C(0, 3))을 중심으로 하는 광조사 영역(61b)(R(1, 4))에 대하여도 노광이 행하여진다. 이후, 광조사 영역군이 묘화피치의 4배의 거리를 이동할 때마다 광조사 영역(61b)에서 하나의 묘화셀(62a)로부터 3묘화피치만큼 (-Y)측으로 떨어진 묘화셀을 중심으로 하는 노광이 행하여진다.

도 9는 18회째의 리셋 펄스가 DMD(42)에 송신된 직후의 상태를 나타내는 도면이다. 도 9에서 나타내는 바와 같이 광조사 영역군이 (-Y)방향으로 묘화셀군에 대하여 상대적으로 이동하면, 가장 (-Y)측의 광조사 영역(61a)에 의한 노광이 중심이 된 복수의 묘화셀(62a)의 사이의 묘화셀을 중심으로 해서 광조사 영역(61b~61d)에 의해 노광이 행하여진다. 그 결과, 도 9 중 묘화셀군의 가장 (-X)측의 열의 (+Y)측의 부분에 주목하면, 광조사 영역(61a, 61d, 61c, 61b)에 의해 노광이 행하여진 4개의 묘화셀(62a, 62d, 62c, 62d)이 (-Y)방향을 향해 순서대로 나란하게 되고, 18회째의 리셋 펄스의 직전은, 최초에 노광이 행하여진 묘화셀(62a)(C(0, 0)) 로부터 (-Y)방향을 향해 나란한 17개의 묘화셀(최초의 묘화셀을 포함한다.)의 각각을 중심으로 하는 노광이 1회만 행하여진 단계가 된다.

그리고, 18회째의 리셋 펄스에 동기해서 가장 (+Y)측의 묘화셀(62a)(C(0, 0))을 중심으로 하는 광조사 영역(61e)(R(4, 16))에의 노광이 행하여진다. 이후, 리셋 펄스에 동기하고, 도 9에 나타내는 광조사 영역보다도 더 (+Y)측에 존재하는 광조사 영역에 의해, 동일한 묘화셀을 중심으로 하는 2회째의 노광이 순차 행하여지고, 또, 동일 묘화셀로의 3회째 이후의 노광도 행하여진다. 중복 노광의 주기는 17리셋 펄스가 된다.

상기 중복 노광의 모양을 좌표표현을 이용해서 설명하면, 리셋 펄스 시에, C(0, 4k)(k는 0이상의 정수)의 묘화셀(620)은 R(m, 4m)(m = 0, 4, 8, 12…44)의 광조사 영역(61)의 중심에 위치하고, C(0, 4k+1)의 묘화셀(620)은 R(m, 4m)(m = 3, 7, 11, 15…47)의 광조사 영역(61)의 중심에, C(0, 4k+2)의 묘화셀(620)은 R(m, 4m)(m = 2, 6, 10, 14…46)의 광조사 영역(61)의 중심에, C(0, 4k+3)의 묘화셀(620)은 R(m, 4m)(m = 1, 5, 9, 13…45)의 광조사 영역(61)의 중심에 각각 위치한다.

이상의 동작을 반복하는 것에 의해, 패턴 묘화장치(1)에서 M행의 미소 미러를 구비하는 DMD(42)가 이용되는 경우에는, 스테이지 이동기구(31)에 의해 기판(9) 상의 각 묘화셀(620)에 대하여 복수의 광조사 영역(61)이 상대적으로 통과하는 것에 의해 (M/16)회 중복해서 노광 동작이 행하여지고, 각 묘화셀(620)을 중심으로 하는 (M/16)계조의 광량제어가 가능하게 된다. 실제로는 M은 192가 되고, 12회의 중복 노광의 제어가 행하여진다. 물론, 도 3에서 나타내는 바와 같이 1개의 광조사 영역(61)은 복수의 묘화셀(620)을 덮는 크기이며, 더욱이, 2개의 리셋 펄스 사이에서 노광 상태를 유지하면서 묘화셀군이 묘화피치의 4배의 거리 이동하기 위해서, 정확하게 (M/16)계조의 광조사를 행할 수 없다. 그러나, 묘화되는 패턴의 최소 선폭(즉, 패턴 분해능)은 선폭의 최소 제어단위(즉, 선폭 정밀도)보다도 충분히 크게 되어, 연속해서 존재하는 몇개의 묘화셀(620)에 대하여 광의 조사가 행하여지고, 연속해서 존재하는 다른 몇개의 묘화셀(620)에 대하여 광이 조사되지 않는 동작이 행하여지기 때문에, 실용상은 문제는 생기지 않는다. 예컨대, 패턴 중의 선폭 또는 인접하는 선의 사이의 스페이스의 폭이 20㎛가 되고, 선폭 또는 스페이스의 폭의 최소 제어단위가 2㎛가 된다.

광조사 영역군의 1회의 주 주사의 동안에 행하여지는 묘화가 완료하면(도 5:스텝S15), 주 주사가 정지된다(스텝S16). 그리고, 다른 주 주사가 행하여질 경우에는 헤드부 이동기구(32)에 의해 광조사 영역군이 X방향으로 부 주사되어서 스텝S11로 되돌아가고, 스테이지 이동기구(31)에 의해 스테이지(2)를 역방향((-Y)방향)으로 이동시키면서 다음 묘화가 행하여진다.

이상과 같이, 패턴 묘화장치(1)에서는, 리셋 펄스간에 묘화셀군을 묘화피치의 4배의 거리만큼 이동하기 위해서, 리셋 펄스간에 묘화셀군을 묘화피치만큼 이동할 경우와 비교해서 4배의 속도로 묘화가 행하여진다(이하, 이 동작을 「4배속 묘화」이라고 부른다.). 이것에 의해, 패턴의 선폭을 제어하면서 고속으로 묘화를 행할 수 있다.

그런데, 도 9에서 나타내는 바와 같이, 묘화피치의 4배만큼 떨어진 2개의 묘화셀(62a)(검게 전부 칠한 것)의 사이의 각 묘화셀을 중심으로 하는 광조사 영역(61b~61d)에의 노광이 확실하게 행하여지기 위해서는, 바꾸어 말하면, 각 묘화셀을 중심으로 하는 노광을 행하기 위해서는, 광조사 영역(61) 사이의 묘화피치수와 리셋 펄스간에 묘화셀군이 이동하는 거리의 묘화피치수가 서로소인(양자의 최대공약수가 1이다) 것이 필요하게 된다. 도 9의 경우, 광조사 영역(61)사이의 묘화피치수가 17이며, 리셋 펄스간에 묘화셀군이 이동하는 거리의 묘화피치수는 4이며, 서로소이다. 또, 광조사 영역(61) 사이의 묘화피치수가 17이므로, 광조사 영역(61)의 행수가 충분히 클 경우는 2배속에서 16배속 사이에서 임의로 묘화속도가 변경 가능해진다.

도 10 내지 도 13은, 광조사 영역군의 경사와 광조사 영역(61)의 크기와의 관계를 나타내는 도면이다. 도 10에서는, 주사방향에 따라 나란한 2개의 광조사 영역(61)이, 열방향으로 조사 피치(PI)의 2배, 행방향으로 조사 피치(PI)만큼 떨어진 상태를 나타내고, 도 11, 도 12, 도 13에서는 주사방향에 따라 나란한 2개의 광조사 영역(61)이, 열방향으로 각각 조사 피치(PI)의 3, 4, 5배, 행방향으로 조사 피치(PI)만큼 떨어진 상태를 나타내고 있다. 도 10 내지 도 13에서는, 광조사 영역(61) 및 묘화셀(620)이 정사각형이며, 광조사 영역군의 2개의 배열 방향 중 주사방향에 거의 따르는 방향(열방향)에 관해서 서로 인접하는 광조사 영역(61)에서, 주사방향에 수직한 방향에 대한 중심간의 거리가 묘화피치(PW)와 같고, 주사방향에 대한 중심간의 거리가 묘화피치(PW)의 2, 3, 4, 5배(이하,「a배」라 부른다. 단, a 는 2이상의 정수)가 된다.

한편, 도 10 내지 도 13에서, 주사방향에 정확히 따라 나란한 2개의 광조사 영역(61)사이의 거리는, 묘화피치(PW)의 5, 10, 17, 26배(일반적으로는, (a² + 1)배)가 된다. 따라서, 도 10 내지 도 13에서는, 각각 5, 10, 17, 26과의 사이에서 서로소인 양의 정수배의 속도로 묘화를 행할 수 있고, 도 10의 경우는 2, 3, 4배속의 묘화, 도 11의 경우는 3, 5, 7, 9배속의 묘화, 도 12의 경우는 2, 3, 4, 5…배속의 묘화, 도 13의 경우는, 3, 5, 7, 9…배속의 묘화가 가능하다. 즉, (a² + 1)과 n이 서로소일 경우, 제어부(5)가 묘화피치(PW)의 n배의 거리만큼 광조사 영역군을 상대적으로 이동하는 동안에 광조사의 ON/OFF를 1회 제어하는 고해상도의 n배속 묘화를 적절하게 행할 수 있다.

이 때, (a² + 1)회의 리셋 펄스 마다, 각 묘화셀(620)은 열방향으로 조사 피치(PI)의 (a×n)배, 행방향으로 조사 피치(PI)의 n배 떨어진 별도의 광조사 영역(61)의 중심을 통과하는 것이 된다. 따라서, 광조사 영역군이 M행, 즉, 주주사방향에 거의 따르는 방향으로 배열된 광조사 영역(61)의 수가 M일 경우, M이 (a×n)의 정수배이면, 광조사 영역군이 상대적으로 묘화셀군을 통과할 때에, 열방향으로 나란한 각 묘화셀(620)과 같은 회수만큼 중복 노광이 행하여지게 된다(단, 광조사 영역군의 (±X)측의 단부가 통과하는 묘화셀을 제외한다.).

또, 배속을 넘는 묘화를 행할 경우에는 n은 3이상의 정수가 되고, 기판 상의 레지스트막의 묘화의 경우, 재료특성이나 광조사 영역(61)의 크기 등을 고려하면 바람직한 n의 값으로서 4를 들 수 있다.

또한, n배속 묘화를 행할 경우, 중복 노광 회수는 (M/(a×n))(소수점이하 잘라서 버림)이 되고, 이것에 대하여 묘화셀군이 묘화피치(PW) 이동할 때마다 리셋 펄스를 DMD(42)에 보내는 1배속 묘화의 경우는 (M/a)회의 중복 노광이 가능하다. 실제로는, (M/a)회 중복 노광할 필요가 없는 경우가 대부분이므로, n배속 노광은, DMD(42)가 가지는 가능한 한 많은 미소 미러를 이용해서 필요 최소한의 중복 노광 회수에서 고속으로 묘화를 행하는 기술이라고 할 수 있다.

그런데, 도 10 내지 도 13에서 나타내는 바와 같이, 광조사 영역군의 열방향의 주주사방향으로부터의 경사를 작게 하는 만큼, 광조사 영역(61)이 묘화셀(620)에 대하여 상대적으로 커진다. 반대로, 광조사 영역(61)의 크기가 일정한 경우는, 광조사 영역군의 열방향의 주주사방향으로부터의 경사를 작게 하는 만큼 묘화셀(620)을 작게 설정할 수가 있다고 할 수 있다. 광조사 영역(61)의 1변의 길이는, 묘화피치(PW)의 (a² + 1)의 평방근배가 되고, 예컨대, a가 4에서 4배속 묘화가 행하여질 경우에 리셋 펄스간에서 1개의 광조사 영역(61)에의 광의 조사가 행하여지면, 도 14 중의 선(631, 632)상에서의 누적광량은 선(641, 642)에서 나타내는 분포가 된다. 즉, 묘화셀(620)의 크기에 대하여 광범위하게 광의 조사가 이루어지고, 특히 주주사방향에 관해서 넓은 범위에서 광이 조사된다. 그리고, 광조사의 ON/OFF에 의해 도 14에 나타내는 광량분포를 중합된 것이 기판(9) 상의 감광 재료에 축적되는 광 에너지의 분포가 되고, 이 분포에 의해 패턴의 묘화가 행하여진다.

도 15A는, 광조사 영역군이 1묘화피치 이동할 때마다 광조사 영역(61)에의 광의 조사를 교대로 ON 및 OFF 한 경우의 주주사방향에 관한 누적광량을 나타내는 도면이다. 도 15B~도 15G는, 각각 광조사 영역군이 묘화피치의 2, 3, 4, 5, 6, 8배 이동할 때마다 광조사를 교대로 ON 및 OFF 한 경우의 누적광량을 나타낸다. ON 또는 OFF가 되는 거리가 긴 만큼, 즉, 부주사방향으로 신장하는 선을 묘화할 때의 선폭이 커지는 만큼, 누적광량분포의 피크가 높아지고, 골이 깊어진다는 것이 판단된다. 또한, 감광 재료는 일정한 양 이상의 광이 조사되었을 때에 감광하는 것으로, 광량(광 파워)을 제어하는 것에 의해서도 패턴의 선폭을 제어할 수 있다.

단, 감광 재료에는 충분히 광을 조사해야 하는 것도 있어, 이 경우, 광원으로부터의 광의 세기를 조정하는 동시에 광조사의 ON 및 OFF의 타이밍을 조정하는 것에 의해, 소정의 선폭의 패턴이 그려진다. 예컨대, 이미지셋터에서 은염 등의 감광 재료에 패턴을 묘화할 경우, 감광 재료를 감광시키는 것에 의해 패턴 묘화의 목적이 달성되기 때문에, 감광에 필요한 최소한의 광을 감광 재료에 조사하는 것만으로 충분하다. 이것에 대하여, 반도체 등의 기판 상의 포토레지스트에 패턴을 묘화할 경우, 후 공정의 에칭 시에 포토레지스트가 박리하거나 과잉으로 제거되지 않도록 포토레지스트를 감광시키는 이상의 양의 광을 조사할 필요가 있다.

이 경우, 도 16에서 나타내는 바와 같이, 8묘화피치 광조사를 ON으로 하고, 8묘화피치 OFF로 하는 것에 의해 얻어지는 가는 선(711)으로 나타내는 누적광량의 분포를 감광 재료에 주는 것에 의해, 문턱치(TH)를 경계로 선폭(W)으로 감광시킬 수 있을 경우라도, 광강도를 올려 6묘화피치 광조사를 ON으로 하고, 10 묘화피치 OFF로 하는 것에 의해 얻어지는 굵은 선(712)으로 나타내는 누적광량의 분포를 감광 재료에 주는 것에 의해, 충분히 광이 조사된 선폭(W)의 패턴이 얻어진다.

여기에서, 패턴 묘화장치(1)의 경우, 기술과 같이 묘화셀(620)과 비교해서 큰 광조사 영역(61)을 이용하는 것에 의해, 광량분포가 주주사방향 및 부주사방향으로 어느 정도 넓어진다. 그리고, 고속묘화를 행하는 것에 의해, 도 14에서 나타내는 바와 같이 광량분포가 주주사방향으로 더 신장한다. 묘화되는 패턴의 선폭이 충분히 클 경우, 주주사방향에 관한 선폭은 상술의 광강도 및 ON/OFF제어의 조합에 의해 정밀도를 유지할 수 있지만, 묘화가능한 최소의 선폭, 즉 해상도는, 부주사방향과 비교해서 주주사방향에서 저하가 회피될 수 없다.

그래서, 패턴 묘화장치(1)에서는 광원인 LED(411)를 묘화셀군이 n묘화피치만큼 이동하는 도중에 순간적으로 소등하는 제어도 가능하게 되어 있다. LED(411) 의 ON/OFF제어(즉, 변조)가 행하여질 경우, 도 5에 나타내는 패턴 묘화장치(1)의 동작에서 스텝S14와 스텝S15의 사이에 도 17에 나타내는 스텝S21~S23이 실행된다. LED(411)의 변조가 행하여질 경우, 스텝S14에서 각 미소 미러의 자세가 갱신된 후, 곧 LED(411)가 점등되고(스텝S21), 묘화셀군이 묘화피치(PW)만큼 이동하면(스텝S22), LED(411)가 소등된다(스텝S23). 그 후, 다음 묘화 데이터가 메모리셀에 기록되고(스텝S16), 이전의 리셋 펄스로부터 묘화피치(PW)의 n배의 거리만큼 묘화셀군이 이동하면(스텝S17), 스텝S14로 되돌아간다.

이상의 동작에 의해, 광조사 영역(61)에의 광의 조사가 ON이 되고 나서 OFF가 되기 까지의 동안에, 광조사 영역군이 묘화피치(PW)만큼 상대 이동하고, 광조사 영역(61)에의 광의 조사는 리셋 펄스의 간격의 1/n로 제한된다. 그 결과, 광의 조사의 주주사방향의 넓이를 부주사방향과 같은 정도로 억제하면서 고속묘화를 행하는 것이 실현된다.

광원으로서 LED나 LD가 이용되는 경우, DMD(42)의 변조 한계속도의 1/10이하의 시간에서 광원을 ON/OFF 제어할 수 있다. 따라서, 예컨대, 8배속묘화(n=8)라도 주주사방향의 해상도의 저하를 억제하면서 용이하게 묘화를 행할 수 있다. 이 경우, 리셋 펄스간에 감광 재료에 주어지는 광 에너지의 양은 1/8로 감소하기 때문에, 광원으로부터의 광강도를 높일 수 있고, 감광 재료도 감도가 높은 것이 사용된다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 변형이 가능하다.

패턴 묘화장치(1)에 설치되는 공간 광변조 디바이스는, 상기 실시형태에서 이용할 수 있는 DMD(42)에 한정되지 않고, 예컨대, 액정 셔터 등의 공간 광변조 디바이스를 사용하는 것도 가능하다. 또한, 광원으로서 복수의 발광 다이오드 등을 2차원 배열하고, 발광 다이오드군에 대응하는 광조사 영역군의 배열 방향이 주사방향에 대하여 경사진 상태로, 각 발광 다이오드의 ON/OFF를 광조사 영역의 상대 이동에 동기해서 제어하는 것에 의해, 패턴의 묘화가 행하여져도 된다. 또한, 광원의 ON/OFF 제어가 행하여지지 않을 경우는, 초고압 수은이 광원으로서 사용되어도 된다.

도 17에 나타내는 광원의 ON/OFF 제어에서, 광원은 반드시 광조사 영역군이 1묘화피치(PW) 이동한 시점에서 OFF가 될 필요는 없고, 예컨대, 충분한 누적광량이 필요할 경우는, 묘화피치(PW)의 2배의 거리 이동한 시점에서 OFF가 되어도 된다. 즉, 광조사 영역(61)에의 광의 조사가 ON이 된 후, 광조사 영역군의 묘화피치(PW)의 n배의 거리의 상대 이동이 완료하기 전에 광조사 영역(61)에의 광의 조사가 OFF가 되는 것이라면 OFF가 되는 타이밍은 적당히 설정되어서 좋다. 또한, 광원 이외의 소자에 의해, 공간 광변조 디바이스의 제어보다도 빠르게 광조사가 OFF로 되어도 된다.

스테이지(2)와 헤드부(40)의 주주사방향 및 부주사방향에의 상대 이동(즉, 기판(9) 상의 묘화셀군과 광조사 영역군과의 상대 이동)은, 스테이지(2) 또는 헤드부(40)의 어느 쪽만의 이동에 의해 행하여져도 좋다.

더욱이, 상기 실시형태에서는 광조사 영역군에서 부주사방향의 단부에 위치하는 광조사 영역(61)(예컨대, 도 4에서의 (-X)측 또한 (+Y)측의 광조사 영역(61))에의 광조사의 제어를 언급하지 않고 있지만, 제어를 간단히 하기 위해서 이것들의 광조사 영역(61)에의 광조사는 행하여지지 않아도 되고, 부 주사 후의 묘화를 고려하면서 이것들의 광조사 영역(61)에의 광조사가 제어되어도 된다.

본 발명을 상세하게 묘사하여 설명했지만, 기술의 설명은 예시적이며 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 양태이 가능한 것이 이해되어야 한다.

본 발명에 의하면, 공간 변조된 광을 이용하여 해상도에서 고속 묘화를 행할 수 있다. 또, 각 묘화영역에 같은 횟수만큼 중복 노광을 행할 수 있고, 주사방향의 묘화해상도의 저하를 억제할 수 있다. 또, 광원의 ON/OFF 제어에 의해 용이하게 주사방향의 해상도의 저하를 억제할 수 있다.

Claims

감광재료에 광을 조사하여 패턴을 묘화하는 패턴 묘화장치로서,

감광재료 상에서 서로 수직한 2개의 배열방향으로 일정한 피치에서 배열되는 광조사 영역군의 각각으로 변조된 광을 조사하는 광조사부와,

감광재료 상에서 상기 광조사 영역군을 배열방향에 대하여 경사진 주사방향으로 주사시키고, 상기 주사방향 및 상기 주사방향에 수직한 방향으로 일정한 묘화피치에서 상기 감광재료 상에 고정배열된 묘화 영역군의 각각에 대하여 복수의 광조사 영역을 상대적으로 통과시키는 주사기구와,

상기 광조사 영역군의 주사에 동기하면서 상기 광조사 영역군에의 광조사의 ON/OFF를 개별로 제어하는 것에 의해, 감광재료 상의 각 묘화영역에 조사되는 광의 양을 제어하는 제어부를 구비하고,

상기 광조사 영역군의 상기 2개의 배열방향 중 상기 주사방향에 거의 따른 방향에 관하여 서로 인접하는 광조사 영역에서, 상기 주사방향에 수직한 방향에 대한 중심간의 거리가 상기 묘화피치와 같고, 상기 주사방향에 대한 중심간의 거리가 상기 묘화피치의 a배(단, a는 2이상의 정수)이고, 상기 제어부가 상기 묘화피치의 n배(단, n은 3이상의 정수)의 거리만큼 상기 광조사 영역군을 상대적으로 이동하는 동안에 상기 광조사의 ON/OFF를 1회제어하고, (a² + 1)과 n이 서로소인, 패턴 묘화장치.
제 1 항에 있어서,

상기 광조사 영역군에서 상기 2개의 배열방향 중 상기 주사방향에 거의 따른 방향에 배열되는 광조사 영역의 수가 M이고, M이 (a×n)의 정수배인, 패턴 묘화장치.
제 1 항에 있어서,

광조사 영역에의 광의 조사가 ON이 된 후, 상기 광조사 영역군의 상기 묘화피치의 n배의 거리의 상대이동이 완료하기 전에 상기 광조사 영역에의 광의 조사가 OFF가 되는, 패턴 묘화장치.
제 3 항에 있어서,

상기 광조사 영역에의 광의 조사가 ON이 되고 나서 OFF가 되기 까지의 동안에, 상기 광조사 영역군이 상기 묘화피치만큼 상대 이동하는, 패턴 묘화장치.
제 3 항에 있어서,

상기 광조사부가, ON/OFF 제어가능한 광원과,

상기 광원으로부터의 광을 공간 변조하는 공간 광변조 디바이스를 구비하는, 패턴 묘화장치.
감광재료에 광을 조사하여 패턴을 묘화하는 패턴 묘화방법으로서,

감광재료 상에서 서로 수직한 2개의 배열방향에 일정한 피치에서 배열되는 광조사 영역군의 각각으로 변조된 광을 조사하고, 상기 광조사 영역군을 배열방향에 대하여 경사진 주사방향으로 주사시키고, 상기 주사방향 및 상기 주사방향에 수직한 방향에 일정한 묘화피치에서 상기 감광재료 상에 고정배열된 묘화 영역군의 각각에 대하여 복수의 광조사 영역을 상대적으로 통과시키는 주사공정과,

상기 광주사 영역군의 주사에 동기하면서 상기 광조사 영역군에의 광조사의 ON/OFF를 개별로 제어하는 것에 의해, 감광재료 상의 각 묘화영역에 조사되는 광의 양을 제어하는 제어공정을 구비하고,

상기 광조사 영역군의 상기 2개의 배열방향 중 상기 주사방향에 거의 따른 방향에 관하여 서로 인접하는 광조사 영역에서, 상기 주사방향에 수직한 방향에 대한 중심간의 거리가 상기 묘화피치와 같고, 상기 주사방향에 대한 중심간의 거리가 상기 묘화피치의 a배(단, a는 2이상의 정수)이고, 상기 제어공정에서 상기 묘화피치의 n배(단, n은 3이상의 정수)의 거리만큼 상기 광조사 영역군이 상대적으로 이동하는 동안에 상기 광조사의 ON/OFF가 1회제어되고, (a² + 1)과 n이 서로소인, 패턴 묘화방법.
제 6 항에 있어서,

상기 광조사 영역군에서 상기 2개의 배열방향 중 상기 주사방향에 거의 따른 방향에 배열되는 광조사 영역의 수가 M이고, M이 (a×n)의 정수배인, 패턴 묘화방법.
제 6 항에 있어서,

광조사 영역에의 광의 조사가 ON이 된 후, 상기 광조사 영역군의 상기 묘화피치의 n배의 거리의 상대이동이 완료하기 전에 상기 광조사 영역에의 광의 조사가 OFF가 되는, 패턴 묘화방법.
제 8 항에 있어서,

상기 광조사 영역에의 광의 조사가 ON이 되고 나서 OFF가 되기 까지의 동안에, 상기 광조사 영역군이 상기 묘화피치만큼 상대 이동하는, 패턴 묘화방법.
제 8 항에 있어서,

ON/OFF 제어가능한 광원으로부터의 광이 공간 광변조 디바이스에 의해 공간 변조되어 상기 광조사 영역군으로 안내되는, 패턴 묘화방법.