KR20060018153A - 박막트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
박막트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (18)
- 절연 기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 제1비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 제1비정질 실리콘층상에 확산 방지층 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 제2비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 제2비정질 실리콘층상에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계; 및상기 기판을 열처리하여 제1다결정 실리콘층 및 제2다결정 실리콘층으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계 이후,상기 금속 실리사이드층 및 제2비정질 실리콘층 영역을 식각하는 단계;상기 확산 방지층 패턴을 제거하는 단계;상기 제1비정질 실리콘층 영역의 제1다결정 실리콘층 및 제2다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지 스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계 이후,상기 금속 실리사이드층 및 제1다결정 실리콘층을 식각하는 단계;상기 확산 방지층 패턴을 식각하여 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계 이후,상기 금속 실리사이드층 및 제2비정질 실리콘층 영역을 식각하는 단계;상기 제1비정질 실리콘층 영역을 식각하여 반도체층 및 제1게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 제2게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계 이후,상기 금속 실리사이드층 및 제1다결정 실리콘층을 식각하여 제1게이트 절연막 및 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 제2게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 4항 또는 제 5항에 있어서,상기 제1게이트 절연막은 확산 방지층 패턴임을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1다결정 실리콘층은 MIC 결정화법으로 결정화된 다결정 실리콘층임을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2결정 실리콘층은 MILC 결정화법으로 결정화된 다결정 실리콘층임을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 MILC 결정화법으로 결정화된 다결정 실리콘층 또는 MIC 결정화법으로 결정화된 다결정 실리콘층 중 어느 하나 이상의 층으로 이루어져 있음을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1비정질 실리콘층은 400 내지 600Å의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제2비정질 실리콘층은 500 내지 1500Å의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 열처리는 400 내지 1300℃에서 진행함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 열처리는 400 내지 700℃에서 진행함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 확산 방지층 패턴을 형성하는 마스크는 상기 반도체층을 형성하는 마스크와 동일한 마스크를 이용함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 실리사이드층은 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd 및 Pt 중 어느 하나 이상의 금속과 실리콘의 화합물로 형성됨을 특 징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 실리사이드층은 니켈 실리사이드층임을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 확산 방지층 패턴은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단층 또는 복층으로 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 확산 방지층 패턴은 상기 금속 실리사이드 또는 제1다결정 실리콘층의 결정성이 확산 방지층 패턴 하부의 제2다결정 실리콘층으로 확산 또는 전파되는 것을 방지하는 패턴임을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
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