KR20050073581A - 패턴 형성 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

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김주호
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삼성전자주식회사
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Abstract

피처리 기판상에 형성된 열감응성 물질층과, 상기 열감응성 물질층과 상기 피처리 기판 사이에 형성된 제1 광흡수 열변환층과, 상기 열감응성 물질층의 상기 제1 광흡수 열변환층이 존재하지 않는 쪽에 형성된 제2 광흡수 열변환층을 포함하며, 상기 열감응성 물질층이 상기 제1 광흡수 열변환층과 상기 제2 광흡수 열변환층의 사이에 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료가 제공된다. 상기 열감응성 물질층의 양 표면상에 형성된 상기 제1 및 제2 광흡수 열변환층에서 발생된 열을 이용함으로써 포토레지스트로 이루어진 상기 열감응성 물질층내에 고 종횡비의 미세 패턴이 형성될 수 있다.

Description

패턴 형성 재료 및 패턴 형성 방법{Pattern forming materials and pattern formation method using the materials}
본 발명은 기판의 미세 가공에 관한 것으로, 특히 기판 상의 미세 패턴 형성 재료 및 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로나 광디스크 원판과 같은 전자, 전기 부품의 제조시에 진공 자외선(VUV), X선 등을 사용하는 광리소그래피법과 같은 미세 패턴 형성 방법에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 현재 이러한 기술을 이용하여 선폭 0.1μm 이하의 미세 구조가 실현되고 있으며 수년 후의 실용화가 기대되고 있다.
현재 전자/전기 부품 제조용 레지스트 패턴은 소정의 마스크 패턴을 통해 감광성 레지스트막에 활성광을 조사하여 화상을 형성한 다음 현상함으로써 제작되고 있다. 형성되는 레지스트 패턴의 최소 치수는 광의 회절에 의해 제한되기 때문에 실용상으로는 사용 파장을 약간 밑도는 정도의 치수가 한도로 되어 있다. 그런데 이 회절한계는 사용하는 광의 파장과 렌즈의 개구수에 의존하며 파장이 짧은 광을 사용할수록, 또 렌즈의 개구도를 크게 할수록 한계치를 작게 할 수 있다. 그러나 렌즈의 개구도의 증대는 기술상 거의 한계에 달했기 때문에 현재는 파장이 짧은 광을 사용함으로써 레지스트 패턴의 미세화를 꾀하는 방향으로 진행되고 있다.
이 때문에 심자외광(deep UV), 레이저광, 연X선(soft X-ray) 등을 사용한 새로운 노광기술에 대한 연구가 실시되고 있다. 현 상황에서, KrF 엑시머 레이저나 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 치수 150nm 전후의 미세화가 가능해졌다. 그러나, 고성능 광원의 개발, 광학 재료나 레지스트 재료의 특성 개선 등 부수적인 주변 기술의 문제점도 해결해야만 한다. 또한 더 작은 광원이나 더 작은 광학계의 사용을 가능하게 하고 에너지도 절약할 수 있는 기술에 대한 필요성이 존재한다.
또 전자선 리소그래피법은 전자선을 사용하기 때문에 광에 비해 훨씬 미세한 가공이 가능하며 수 nm의 가공 치수가 실현되어 있다. 그러나 전자선의 가속이나 편향을 진공중에서 실시해야 하기 때문에 진공조가 필요하고 또 전자를 가속, 편향하기 위한 전극이나 전원 등도 대규모이다. 또 수십 kV라는 높은 가속 전압을 사용하기 때문에 안전성에 대한 배려가 필요하다.
이상과 같이 광의 단파장화나 전자선 이용 미세 패턴 형성은 비용이 많이 드는 기술이 되어 버린다. 이와 같은 종래의 미세 패턴 형성 방법이 가진 결점을 극복하기 위해 여러가지 패턴의 형성 방법이 제안되고 있다. 예를 들면 일본특원평8-249493호는 레이저광을 칼코겐 화합물에 조사하여 열을 발생시키고 칼코겐 화합물 중에 결정 상태의 차를 발생시켜 패턴을 묘화하는 방법을 개시하고 있다. 이 미세패터닝 방법은 결정 상태의 차이에 의한 식각률을 이용해 미세 가공하는 것으로서, 회절한계를 넘은 패턴 묘화가 가능하다. 그러나 결정 상태의 차이에 의한 식각률의 차가 매우 적은데다가 칼코겐 화합물의 막은 반드시 균일하지 않기 때문에 같은 결정 상태의 막에서도 식각률이 다르며 특히 입계 부분이 먼저 식각됨으로써 품질이 좋은 미세 패턴을 얻기 힘들다. 또한 칼코겐 화합물을 반드시 사용해야 하기 때문에 반도체의 미세 가공에는 적용할 수 없으며 칼코겐 화합물의 변형에 기인하는 트러블도 피할 수 없다는 결점이 있다.
그 밖에 활성광에 의한 열로 레지스트에 묘화하는 패턴 형성 재료 및 패턴 형성 방법도 제안되고 있다(Microelectronic Engineering 61-62, 2002, p.415- 421). 이것은 피처리 기판과 피가공층인 레지스트 사이에 Ge2Sb2Te5로 이루어지는 광흡수 열변환층을 설치하고 해당 광흡수 열변환층에 활성광을 조사함으로써 열을 발생시키고 그 위의 레지스트층에 열에 의한 화학반응을 일으켜 미세 패턴을 형성한다는 것이다. 이 방법으로 100nm의 가공 치수가 얻어졌다. 활성광의 광원으로서 저렴한 반도체 레이저를 사용하고 있기 때문에 KrF 엑시머 레이저나 ArF 엑시머 레이저 또는 전자선을 사용한 경우와 같이 고성능에 고가의 광원이 필요 없고 또 에너지 소비도 적어 매우 저비용의 기술이다. 또 상기와 같은 칼코겐 화합물을 사용한 경우에 비해 가공 정밀도가 좋고 미세 패턴의 가공으로 적용이 가능하다는 장점이 있다.
그러나 상기와 같은 광흡수 열변환층을 사용한 레지스트의 패터닝 방법에는 다음과 같은 한계가 있다. 해당 광흡수 열변환층에서 발생한 열이 레지스트에 전해지는 양은 소망하는 미세패턴을 형성하는 데 충분하지 않다. 예컨대 100nm의 패턴을 형성하려는 경우 가공되는 패턴의 높이는 기껏해야 30nm 정도가 한계라는 문제가 있다. 즉 이 방법은 높은 종횡비의 패터닝을 실시하는 경우에는 적용될 수 없다. 발생하는 열량을 증가시켜 가공 속도를 높이거나 또는 패터닝의 높이를 확보하기 위해 강한 레이저를 조사하여 가열하면 레지스트가 증발해 버린다는 문제가 있었다.
도 1은 본 발명의 패턴 형성 재료의 구조의 예 및 그것을 사용한 패터닝 방법의 원리를 도시한 단면 설명도이다.
도 2는 활성광이 광흡수 열변환층에 입사되었을 때의 광강도 및 온도의 분포를 도시한 도면이다.
도 3 및 4는 본 발명의 제 2 구현예에 따른 미세패턴 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 5 및 6은 본 발명의 제3 구현예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 7 및 8은 본 발명의 제4 구현예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 9 및 10은 본 발명의 제5 구현예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 11 및 12는 본 발명의 제6 구현예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 제7 구현예에서 형성된 미세 패턴을 원자간력 현미경으로 관찰한 결과를 도시한 도면이다.
그래서 본 발명은 상기 과제를 해결하여 높은 종횡비의 미세 패턴을 형성하는 데 유용한 신규의 패턴 형성 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 피처리 기판 상에 미세 패턴을 형성할 때 광 및 열감응성 물질층의 하면 및 상면에 제1 및 제2 광흡수 열변환층을 각각 배합하고 활성광을 사용한 열에 의한 상기 광 및 열감응성 물질층을 가공함으로써 효율적으로 상기 광 및 열감응성 물질층의 패터닝를 실시하여 높은 종횡비의 미세 패턴 가공을 가능하게 하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 본 발명은 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 피처리 기판상에 형성된 광 및 열감응성 물질층과, 상기 광 및 열감응성 물질층의 제1측인 상기 피처리 기판과 상기 광 및 열감응성 물질층의 사이에 형성된 제1 광흡수 열변환층과, 상기 제1측에서 상기 광 및 열감응성 물질층을 사이에 두고 대향하는 제2측에 형성된 제2 광흡수 열변환층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료를 제공한다.
본 발명의 다른 태양에 있어서, 본 발명은 상기 패턴 형성 재료를 이용하는 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상기 광 및 열반응층이 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층 사이에 끼워지는 구조로 되어 있기 때문에 상기 광 및 열반응층을 양면에서 효율적으로 가열할 수 있게 된다. 그 결과 상기 광 및 열감응성 물질층의 증발이나 변형 없이 양호한 형상을 유지하면서 미세 패턴에 패턴 높이가 높은, 소위 고 종횡비의 패터닝이 가능해진다.
다음으로 도면에 기초해 본 발명의 구현예에 대해 설명하기로 한다.
[제1구현예]
도 1은 본 발명의 패턴 형성 재료의 구조의 일예 및 그것을 사용한 패터닝 방법의 원리를 나타내는 단면 설명도이다. 도 1의 패턴 형성 재료는 피처리 기판(1) 위에 기판 보호층(2)을 사이에 두고 제1 광흡수 열변환층(3), 제1 열완충층(4), 광 및 열감응성 물질층(5), 제2 열완충층(6), 제2 광흡수 열변환층(7) 및 캡층(8)을 차례로 적층한 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조를 가진 패턴 형성 재료에 렌즈(9)를 통해 활성광(10)을 조사하면 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 작용에 의해 상기 활성광(10)의 에너지는 열(11)로 변환된다. 그 열이 상기 제1 열완충층(4) 및 상기 제2 열완충층(6)을 운반하고 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 일부인 성형부(12)를 가열하여 화학반응을 일으킨다. 본 도면에 있어서는 상기 활성광(10)을 피처리 기판(1) 쪽에서 조사하고 있는데 필요에 따라 반대쪽에서 조사헤도 좋다. 각 층의 두께는 2∼200nm의 범위에서 선택되지만 가공 치수나 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 재질에 따라 더 얇게 또는 더 두껍게 할 수 있다.
또 상기 활성광(10)은 상기 제1 광흡수 열변환층(3)에 전부 흡수되지는 않으며 빠져나가는 광의 비율도 크다. 빠져나간 광을 다시 상기 제2 광흡수 열변환층(7)으로 흡수시켜 활성광(10)을 효율적으로 열로 변환할 수 있다. 따라서 필요한 활성광의 출력도 적기 때문에 광흡수 열변환층이 한 층 밖에 없는 종래 예에 비해 효율적으로 활성광을 열로 변환할 수 있다. 그 결과 종래 발생했던 활성광의 출력을 과잉 증가시켜 광 및 열감응성 물질층을 증발시키는 문제를 일으키지 않는다. 이와 같이 하여 상기 활성광(10)은 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)으로 흡수되어 열로 변환된다. 변환된 열은 상기 광 및 열감응성 물질층(5)에 전파되어 상기 성형부(12)에 화학반응을 일으킨다. 계속해서 이 반응한 영역을 식각하여 제거하거나 또는 반대로 다른 영역을 제거함으로써 패턴을 형성할 수 있다.
여기에서, 활성광에 의해 상기 활성광의 회절한계를 초과한 미세 패턴의 형성이 가능해지는 원리를 도 2에 나타낸다.
도 2는 활성광이 광흡수 열변환층에 입사했을 때의 광강도 및 온도 분포를 나타내는 그래프이다. 도 2를 참조하면, 스폿 직경(20)에 나타나는 직경으로 입사되는 활성광(21)은 광강도 분포(22)로 도시되는 가우스 분포를 가져 스폿 중심의 광강도가 강하고, 광흡수 열변환층의 온도는 온도 분포(23)로 도시되는 가우스 분포가 된다. 또 유효 영역(24)으로 도시한 영역은 상기 광 및 열감응성 물질이 반응을 일으키는 온도 이상의 영역으로서 상기 스폿 직경(21)보다 작아진다. 이와 같이 온도 분포가 가우스 분포를 가지며 반응에 기여하는 온도 영역의 분포가 상기 스폿 직경(21)보다 작은 것이 중요하다. 이 성질을 이용하여 활성광의 강도나 조사 시간을 더 조정하여 상기 광 흡수열 변환층(3) 및 상기 광 흡수열 변환층(7)이 발열하는 상태를 조정한다. 그 결과 상기 광 및 열감응성 물질층(5)에 있어서 스폿 중심부에만 선택적으로 열에 의한 화학반응을 일으킬 수 있으며 미세 패턴 가공이 가능해져 가공에 사용한 활성광의 회절한계를 훨씬 초과한 미세 패턴의 가공이 가능해진다.
또 종래와 같이 광 및 열감응성 물질층 아래에만 광 흡수열 변환층을 설치한 구조에서는 광흡수 열변환층에서 광 및 열감응성 물질층으로 전파하는 열량에는 한계가 있기 때문에 광 및 열감응성 물질층의 열에 의한 반응이 생기는 높이, 즉 가공이 가능한 높이에는 한계가 있었다. 그러나 본 발명에 있어서는 상기 광 및 열반응층(5)이 상기 광 흡수열 변환층(3) 및 상기 광 흡수열 변환층(7)에 끼워지는 구조로 되어 있기 때문에 상기 광 및 열반응층을 양면에서 효율적으로 가열할 수 있게 되고, 미세 패턴에 패턴 높이가 높은, 이른바 고 종횡비의 패터닝이 가능해진다.
또 본 발명의 광흡수 열변환층(3) 및 광흡수 열변환층(7)은 수 백 ℃에 달하는 경우가 있어 급격한 온도 상승에 의해 발생하는 문제의 대책을 위해 이하에 도시한 기판 보호층(2)을 설치했다.
우선, 상기 광 흡수열 변환층(3)에서 발생한 열에 의해 상기 피처리 기판(1)이 손상되는 것을 막기 위해 상기 기판 보호층(2)을 상기 피처리 기판(1)의 표면에 설치했다. 상기 기판 보호층(2)의 적당한 재료로는, 예컨대 ZnS·SiO2와 같은 무기 화합물이나 폴리이미드와 같은 유기화합물을 사용할 수 있다. 상기 기판 보호층(2)의 두께는 통상 50∼500nm의 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하지만 사용하는 광의 파장 및 재질에 의존하기 때문에 반드시 이 두께에 한정되지는 않는다. 다만 상기 피처리 기판(1)이 내열성을 갖는 경우에는 특별히 설치할 필요는 없다.
또 상기 광 흡수열 변환층(3) 및 상기 광 변환열 변환층(7)의 발열에 의한 급격한 온도 상승에 의해 상기 광 및 열감응성 물질층(5)이 급격하게 변형, 증발, 팽창하는 경우가 있다. 이것을 방지하기 위해 상기 광 및 열감응성 물질층(5)과 상기 제1 광 흡수열 변환층(3) 사이에 상기 제1 열완충층(4)을, 상기 광 및 열감응성 물질층(5)과 상기 상기 제2 광 흡수열 변환층(7) 사이에 상기 제2 열완충층(6)을 각각 설치했다. 상기 제1 열완충층(4) 및 상기 제2 열완충층(6)의 재료로는 상기 기판 보호층(2)과 동일한 것을 사용할 수 있다. 상기 제1 열완충층(4) 및 제2 열완충층(6)의 두께는 5∼100nm, 바람직하게는 10∼50nm의 범위 내에서 선택된다. 상기 제1 열완충층(4) 및 상기 제2 열완충층(6)의 두께는 열의 확산 및 패터닝 형상에 영향을 주기 때문에 원하는 패터닝의 미세 치수보다 얇게 하는 것이 바람직하다. 또 상기 제1 열완충층(4) 및 상기 제2 열완충층(6)은 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 내열성에 의해, 또는 활성광의 조사 조건 등의 차이에 의해 생략한 구조로 할 수도 있다. 또 필요에 따라 상기 제1 열완충층(4) 및 제2 열완충층(6) 중 어느 한쪽의 열완충층만 남겨도 좋다.
상기 광 및 열감응성 물질층(5)이 급격히 변형, 증발, 팽창되는 것을 방지함 과 동시에 상기 제2 광흡수 열변환층(7)이 급격히 변형, 증발, 팽창되는 것을 방지하기 위해 상기 제2 광흡수 열변환층(7) 위에 상기 캡층(10)을 설치할 수 있다. 상기 캡층(10)의 적당한 재료로는 투명 플라스틱, 투명 유리, 유전체 등이 사용된다. 또 상기 캡층(10)의 두께는 5∼200nm, 바람직하게는 10∼50nm의 범위 내에서 선택되지만 반드시 이 두께에 한정되는 것은 아니다. 또 캡층(10)에 관해서도 광 및 열감응성 물질의 내열성에 의해 또는 활성광의 조사 조건 등의 차이에 의해 생략한 구조로 할 수도 있다.
또 이러한 구조를 가진 본 발명의 패턴 형성 재료에서의 피처리 기판(1)의 재료로는, 일반적으로 리소그래피법에 의해 전자, 전기 부품을 제조할 때 기판으로서 통상 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 이와 같은 것으로는 예컨대 규소, 탄탈륨, 알루미늄, 갈륨-비소, 유리판과 같은 무기질 기판이나 폴리프로필렌, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 스틸렌계 수지, 염화비닐계 수지 등의 플라스틱 기판 등이 있다. 그 밖에 알루미늄, 탄탈륨, 산화 규소 등의 무기질 기판이나 유리판 위에 알루미늄이나 탄탈륨을 증착한 것이나 광경화성 수지층으로 피복한 것도 사용할 수 있다.
또 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 재료로는, 가열 또는 활성광의 조사에 의해 성질이 변화되고 현상 처리에 의해 패턴을 현저하게 나타낼 수 있는 성능을 가진 물질이면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 이와 같은 것으로는 예컨대 지금까지 리소그래피법에 의해 전자, 전기 부품을 제조할 때 사용되었던 포지티브형 및 네거티브형 포토레지스트를 들 수 있다. 전자선 레지스트 등도 열에 의해 변화되기 때문에 사용할 수 있다.
다음으로 제1 광흡수 열변환층(3) 및 제2 광흡수 열변환층(7)의 재료로는 광을 흡수해 열로 변환하는 기능을 가진 것이라면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 이와 같은 재료로는 예컨대 DVD-RAM의 기록층으로서 사용되고 있는 Ge2Sb2Te5와 같은 Ge-Sb-Te합금이나 Sb금속, Ag-In-Sb-Te합금, Ag-In-Sb-Te-V합금과 같은 합금, 니오브산리튬(lithium niobate), 메틸니트로아닐린과 같은 화합물이 있다.
본 발명의 패턴 형성 재료에서의 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 두께로는 10∼1000nm, 바람직하게는 50∼200nm의 범위 내를 들 수 있다. 또 상기 광 흡수열 변환층(3) 및 상기 광 흡수열 변환층(7)의 두께로는 5∼300nm, 바람직하게는 10∼150nm의 범위 내를 들 수 있다. 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 두께는 사용하는 광의 파장 및 재질에 의존하기 때문에 반드시 이 두께에 한정되는 것은 아니다.
다음으로 상기 패턴 형성 재료를 사용하여 실제로 미세 패턴을 형성하는 방법에 대해 도면에 기초하여 순서대로 설명하기로 한다.
[제2구현예]
도 3(A), 3(B) 및 도 4(C), 4(D)는 본 발명의 미세 패턴 형성 방법의 예를 나타내는 공정도이다. 단 도면에 있어서 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
우선 도 3(A)에 있어서는 피처리 기판(1) 위에 기판 보호층(2)를 사이에 두고 제1 광흡수 열변환층(3), 제1 열완충층(4), 광 및 열감응성 물질층(5), 제2 열완충층(6), 제2 광흡수 열변환층(7), 캡층(8)으로 이루어진 패턴 형성 재료가 형성 되어 있다. 상기 광 및 열감응성 물질층(5)에는 포지티브형 포토레지스트를 사용하고 있다. 또 상기 피처리 기판(1) 하에는 활성광을 집광하기 위한 렌즈(9)가 설치 되어 있다.
도 3(B)에 있어서 활성광(10), 예를 들면 레이저광을 조사하여 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 일부에 있어서 열(11)을 발생시켜 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 성형부(12)를 선택적으로 가열하면 포지티브형 포토레지스트인 상기 성형부(12)는 열에 의해 광에 감응하지 않는 물질로 변화한다. 이 경우 상기 상기 광 및 열반응층(5)이 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)에 끼워진 구조로 되어 있기 때문에 상기 광 및 열반응층(5)을 양면에서 효율적으로 가열할 수 있게 되어 미세 패턴에 패턴 높이가 높은, 이른바 고 종횡비의 패터닝이 가능해진다.
도 4(C)에 있어서, 제2 열완충층(6), 제2 광흡수 열변환층(7) 및 캡층(8)의 박리 후 다른 활성광, 예를 들면 청색광(13)을 전면에 걸쳐 조사하면 상기 성형부(12) 이외의 삭제부(12')가 반응하여 현상액에 용해되는 물질로 변화한다. 또 상기 별도의 활성광의 조사는 제2 열완충층(6), 제2 광흡수 열변환층(7) 및 캡층(8)의 박리 전에 실시해도 같은 결과를 얻을 수 있다.
다음에 현상 처리를 하면 상기 삭제부(12')가 박리되어 레지스트의 성형부(12)만이 남아 패턴이 형성된다.
상기 광 및 열감응성 물질층(5) 위에 퇴적되어 있는 상기 제2 열완충층(6), 상기 제2 광흡수 열변환층(7) 및 상기 캡층(8)을 박리하는 방법으로는 건식 식각, 습식 식각 어느 방법으로도 박리 가능하다. 건식 식각에는 반응성 이온 식각(RIE)법이나 스퍼터 식각법 등을 들 수 있다. 습식 식각에는 HF, KOH, HCl 등이 사용된다. 본 발명은 여기에서 언급된 방법이나 용액의 종류에 의한 것이 아니며 박리 가능한 방법이라면 아무 문제 없다.
본 구현예에 사용하는 광원으로는, 일반적인 미세 패턴 묘화시에 사용되고 있는 각종 활성광 중에서 필요에 따라 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 또 도 3(B)의 공정에 이용한 상기 활성광(10)과, 도 4(C)의 공정에 이용한 상기 별도의 활성광(13)은 예를 들어 각각 다른 파장의 것을 사용해도 되지만 동일 파장의 것을 사용하는 것도 가능하며 광 및 열감응성 물질의 특성에 따라 적당히 선택하면 된다. 이와 같은 활성광으로는 가시광, 심자외광, i선, g선, KrF엑시머 레이저, ArF엑시머 레이저 등이 있다.
[제3구현예]
또 상기 제2구현예는 도 5(A),(B) 및 도 6(C),(D)에 도시한 바와 같이 변경할 수 있다. 다만 도면 중에서 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 첨부하고 설명을 생략한다.
도 5(A)를 참조하면, 상기 피처리 기판(1) 위에 상기 제1 광흡수 열변환층(3), 상기 광 및 열감응성 물질층(5) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)으로 이루어진 패턴 형성 재료가 형성되어 있다. 이 경우 상기 기판 보호층(2), 상기 제1 열완충층(4),상기 제2 열완충층(6) 및 상기 캡층(8)이 생략된 구성으로 되어 있다. 상기와 같이 이들 열보호층 및 캡층은 상기 피처리 기판(1)의 내열성 및 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 내열성, 상기 활성광의 강도 등의 조건에 의해 생략한 구성으로 할 수 있다.
도 5(B)를 참조하면, 활성광(10), 예를 들면 레이저광을 조사하여 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 일부에 있어서 열(11)을 발생시켜 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 성형부(12)를 선택적으로 가열하면 포지티브형 포토레지스트인 상기 성형부(12)는 열에 의해 광에 감응하지 않는 물질로 변화된다. 이 경우 상기 상기 광 및 열반응층(5)이 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)에 끼워진 구조로 되어 있기 때문에 상기 광 및 열반응층(5)을 양면에서 효율적으로 가열할 수 있어 미세 패턴에 패턴 높이가 높은, 이른바 고 종횡비의 패터닝이 가능해진다.
도 6(C)를 참조하면, 제2 광흡수 열변환층(7)의 박리 후 상기 별도의 활성광, 예를 들면 청색광(13)을 전면에 걸쳐 조사하면 상기 성형부(12) 이외의 삭제부(12')가 반응하여 현상액에 용해되는 물질로 변화된다. 또 상기 별도의 활성광의 조사는 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 박리 전에 실시해도 같은 결과를 얻을 수 있다.
다음에 도 6(D)에 있어서 현상 처리를 하면 상기 삭제부(12')가 박리되어 레지스트의 성형부(12) 만이 남아 패턴이 형성된다.
[제4구현예]
제4구현예를 도 7(A),(B) 및 도 8(C),(D)에 도시한다. 단 도면 중에서 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 첨부하고 설명을 생략한다.
도 7(A),도 8(C) 및 도 8(D)에 도시한 공정은 각각 제2구현예의 도 3(A), 도 4(C) 및 도 4(D)에 나타낸 공정과 동일하다.
도 7(B)를 참조하면, 상기 렌즈(9) 주위에는 상기 피처리 기판(1)을 가열하기 위한 장파장의 활성광(15)을 조사하는 램프 히터(13)가 설치되어 있다.상기 램프 히터(13)에 의해 상기 광 및 열감응성 물질층(5)이 가열되기 때문에 상기 광 흡수열 변환층(3) 및 광흡수 열변환층(7)으로부터의 발열의 상승 효과로 상기 광 및 열반응 성물질층(5)의 열에 의한 반응이 촉진된다. 또 이 때문에 상기 활성광(10)의 조사량을 낮게 억제할 수 있게 된다.
또 가열 기구는 램프 히터(13)에 한정되지 않으며 예를 들면 상기 피처리 기판(1)을 유지하는 지지대(미도시)에 설치되는 저항 히터 등의 전기적인 히터를 사용할 수도 있다.
[제5구현예]
다음으로 제5구현예를 도 9(A),(B)및 도 10(C)∼(D)에 도시한다. 단 도면 중에서 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 첨부하고 설명을 생략한다.
도 9(A)에서의 패턴 형성 재료의 구성은 도 3(A)의 제2구현예의 경우와 동일하다.
도 9(B)에 있어서, 상기 활성광(13)을 조사하여 상기 광 및 열감응성 물질층(5) 전체를 상기 현상액에 가용인 성질로 변화시킨다. 더욱이 본 공정에서의 상기 활성광(13)의 조사는 상기 캡층(8), 상기 제2 광흡수 열변환층(7) 및 상기 제2 열완충층(6)이 형성되기 전에 실시할 수도 있다.
다음으로 도 10(C)에 있어서 활성광(10), 예를 들면 레이저광을 조사하여 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 일부에 있어서 열(11)을 발생시켜 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 성형부(12)를 선택적으로 가열하면 포지티브형 포토레지스트인 상기 성형부(12)는 현상액에 가용인 성질에서 불용인 성질로 다시 변화된다. 이것은 이하의 반응에 따른다. 상기 도 9(B)의 공정에 있어서 상기 활성광이 조사되었을 때 상기 광 및 열반응성 물자층 중에는 H+(프로톤)이 발생한다. 본 공정에 있어서 광 및 열반응성 매체인 포지티브형 포토레지스트가 가열되면 상기 H+가 촉매가 되어 가교 반응이 일어나고 현상액에 불용인 성질로 변화된다. 또 본 구현예에 있어서도 마찬가지로 상기 광 및 열반응층(5)이 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)에 끼워진 구조로 되어 있기 때문에 상기 광 및 열반응층(5)을 양면에서 효율적으로 가열할 수 있게 되어 미세 패턴에 패턴 높이가 높은, 이른바 고 종횡비의 패터닝이 가능해진다.
다음으로 도 10(D)에 있어서 상기 제2 열완충층(6), 제2 광흡수 열변환층(7) 및 캡층(8)을 박리한다.
다음으로 도 10(E)에 있어서 현상을 하고 상기 삭제부(12')를 박리하여 상기 성형부(12)의 패터닝을 완성한다.
[제6구현예]
여기까지는 광 및 열감응성 물질에 포지티브형 포토레지스트를 사용한 예를 나타냈지만 네거티브형 포토레지스트를 사용해도 동일한 패터닝을 실시할 수 있다. 이하 네거티브형 포토레지스트를 사용한 예인 도 11(A),(B) 및 도 12(C),(D)를 나타낸다. 다만 도면 중에서 상기 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 첨부하고 설명을 생략한다.
도 11(A)를 참조하면 상기 광 및 열감응성 물질층(5)에 네거티브형 포토레지스트가 사용되고 있는 것 외에는 제2구현예의 도 3(A)와 동일한 구성이다.
다음으로 도 11(B)에 있어서 활성광(10), 예를 들면 레이저광을 조사하여 상기 제1 광흡수 열변환층(3) 및 상기 제2 광흡수 열변환층(7)의 일부에 있어서 열(11)을 발생시키고 상기 광 및 열감응성 물질층(5)의 성형부(12)를 선택적으로 가열하면 네거티브형 포토레지스트인 상기 성형부(12)는 현상액에 가용인 성질에서 불용인 성질로 변화한다.
도 12(C) 및 (D)에 있어서는, 제5구현예의 경우의 도 10(D)∼(E)의 공정과 동일하며 상기 제2 열완충층(6), 제2 광흡수 열변환층(7) 및 캡층(8)의 박리를 실시한 후 현상하고 상기 삭제부(12')를 박리하여 상기 성형부(12)의 패터닝을 완성한다.
이와 같이 네거티브형 포토레지스트를 사용한 경우에도 포지티브형 포토레지스트를 사용한 경우와 마찬가지로 패터닝을 실시할 수 있으며 미세 패턴에 패턴 높이가 높은, 이른바 고 종횡비의 패터닝이 가능해진다.
다음에 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 하는데 본 발명은 이들 예에 의해 한정되지는 않는다.
[제7구현예]
제2구현예의 도 3(A)에 도시한 패턴 형성 재료의 구조에서의 피처리 기판(1)으로서 폴리카보네이트제 디스크 기판(두께 600nm)을, 기판 보호층(2)로서 ZnS·SiO2(두께 200nm)을, 제1 광흡수 열변환층(3) 및 제2 광흡수 열변환층(7)으로서 Ge2Sb2Te5층(각 두께 15nm)을, 제1 열완충층(4) 및 제2 열완충층(6)으로서 ZnS·SiO2(각 두께 20nm), 캡층(8)으로서 ZnS·SiO2(두께 20nm), 광 및 열감응성 물질층(5)으로서 두께 70nm의 포지티브형 포토레지스트층(클라리언트사제, 제품명「AZ5214-e」)을 각각 사용하여 패턴 형성 재료를 구성하고 제2구현예의 방법에 기초하여 이하의 방법으로 패터닝을 실시했다.
우선 상기 패턴 형성 재료가 구성된 피처리 기판을 디스크 위에 재치하고 그 기판쪽에서 파장 635nm의 레이저광을 조사했다. 이 때의 광학계의 개구수는 0.6, 사용한 파장은 635nm이고 회절한계는 530nm이기 때문에 열을 사용하지 않고 광으로 직접 반응시킨 경우에는 이 이하의 칫수의 미세 패턴을 묘화할 수 없다.
다음에 광디스크 드라이브 테스터를 사용하여 이 재료를 선속(線速) 6m/s로 회전시키고 압축한 출력 3mW의 레이저광을 1회전만 조사했다. 또 조사한 후 300nm 레이저 조사의 위치를 바꾸어 근접한 라인을 묘화했다.
박리 공정에 대해서는 캡층(8) 및 제2 열완충층(6)의 박리에는 농도 1%의 불화수소(HF) 수용액, 제2 광흡수 열변환층(7)의 박리에는 수산화칼륨 수용액(농도 10%)과 과산화수소수(농도 35%)를 1:5로 혼합한 용액을 사용했다. 또 현상액으로는 유기알칼리 수용액(도쿄응화공업사제, NMD―W)를 사용하여 현상했다.
이와 같이 하여 얻은 미세 패턴을 원자간력(力) 현미경(Atomic Force Microscope)으로 관찰한 결과를 도 13에 사진으로 도시했다. 본 도면 중에 화살표로 나타낸 라인이 제작한 패턴이다. 선폭 130nm의 라인이 근접하여 존재한다는 것을 알 수 있다. 또 이 패터닝의 크기는 최고 60nm로 거의 레지스트의 두께와 동일하며 레지스트의 증발이나 변형이 발생하지 않고 양호한 형상으로 종래에 비해 고 종횡비의 패터닝이 가능해졌다는 것을 알 수 있다.
본 구현예에서 사용한 광학계는 일반적인 가시광 레이저를 사용하고 있으며 현재 미세패턴 형성에 사용되고 있는 진공 자외선(VUV), X선 등을 사용한 광리소그래피법에 비해 대단히 저렴한 방법이다.
이상 본 발명을 바람직한 구현예에 의해 설명했지만 본 발명은 상기 특정 구현예로 한정되는 것은 아니며 특허 청구 범위에 기재한 요지 내에서 여러가지 변형·변경이 가능하다.
본 발명에 따르면, 피처리 기판상에 미세 패턴을 형성할 때 광 및 열감응성 물질층의 하면 및 상면에 광흡수 열변환층을 각각 배합하고 활성광을 이용한 열에 의한 상기 광 및 열감응성 물질층 가공을 실시함으로써 효율적으로 상기 광 및 열감응성 물질층을 패터닝할 수 있게 했다. 그 결과 상기 광 및 열감응성 물질층의 증발이나 변형 없이 양호한 형상으로 종래에 비해 고 종횡비의 패터닝이 가능해졌다.

Claims (19)

  1. 피처리 기판상에 형성된 열감응성 물질층과,
    상기 열감응성 물질층과 상기 피처리 기판 사이에 형성된 제1 광흡수 열변환층과,
    상기 열감응성 물질층의 상기 제1 광흡수 열변환층이 존재하지 않는 쪽에 형성된 제2 광흡수 열변환층을 포함하며,
    상기 열감응성 물질층이 상기 제1 광흡수 열변환층과 상기 제2 광흡수 열변환층의 사이에 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층은 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층에 조사되는 활성광을 흡수하여 열로 변환하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층은 Ge―Sb-Te합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열감응성 물질층은 다른 활성광이 조사됨으로써 용해액인 현상액에 불용에서 가용으로, 또는 가용에서 불용으로 성질이 변화하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층에 의해 상기 활성광으로부터 변환된 열에 의해 상기 열감응성 물질층이 상기 별도의 활성광의 조사에 의해 상기 현상액에 불용에서 가용으로 변화하는 성질이 없어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층에 의해 상기 활성광으로부터 변환된 열에 의해 상기 열감응성 물질층이 상기 현상액에 가용에서 불용으로 변화하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  7. 제5항에 있어서, 상기 열감응성 물질층은 포지티브형 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  8. 제6항에 있어서, 상기 열감응성 물질층은 네거티브형 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리 기판과 상기 제2 광흡수 열변환층 사이에 적어도 1층 이상의 열보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  10. 제9항에 있어서, 상기 열 보호층은 상기 피처리 기판과 상기 제1 광흡수 열변환층 사이에 설치한 기판 보호층인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 열 보호층은 상기 열감응성 물질층과 상기 제1 광흡수 열변환층 사이에 설치한 열완충층인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 보호층은 상기 열감응성 물질층과 상기 제2 광흡수 열변환층 사이에 설치한 별도의 열완충층인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 광흡수 열변환층의 위에 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 패턴 형성 재료를 사용한 패턴 형성 방법.
  15. 피처리 기판상에 형성된 열감응성 물질층과, 상기 열감응성 물질층과 상기 피처리 기판 사이에 형성된 제1 광흡수 열변환층과, 상기 열감응성 물질층의 상기 제1 광흡수 열변환층이 존재하지 않는 쪽에 설치한 제2 광흡수 열변환층을 포함하며, 상기 열감응성 물질층이 상기 제1 광흡수 열변환층과 상기 제2 광흡수 열변환층의 사이에 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 재료를 사용하는 패터닝 방법으로서,
    (a) 활성광을 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층에 조사함으로써 상기 제1 광흡수 열변환층 및 상기 제2 광흡수 열변환층이 발열하고 상기 발열에 의해 상기 열감응성 물질층의 상기 성형부(pattern portion)가 변질되는 단계; 및
    (b) 상기 열감응성 물질층의 삭제부(non-pattern portion)를 박리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 성형부의 변질 후 다른 활성광을 상기 열감응성 물질층에 조사하는 노광공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에 다른 활성광을 상기 열감응성 물질층에 조사하는 노광공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
  18. 제15항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열감응성 물질층은 포지티브형 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 열감응성 물질층은 네거티브형 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602004029711D1 (de) * 2003-12-09 2010-12-02 Ricoh Kk Trukturkörper, medium zur herstellung des strukturkörpers und optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zur herstellung des optischen aufzeichnungsmediums
JP4581047B2 (ja) * 2004-08-24 2010-11-17 独立行政法人産業技術総合研究所 パターン形成材料、パターン形成方法および光ディスク
US8859184B2 (en) 2005-07-28 2014-10-14 Ricoh Company, Ltd. Write-once-read-many optical disk having low-to-high recording property accommodating short wavelength recording
JP4558641B2 (ja) * 2005-12-27 2010-10-06 株式会社リコー 構造体形成用媒体、及び転写された媒体
KR100770274B1 (ko) 2007-06-13 2007-10-26 삼성에스디아이 주식회사 레지스트의 패턴형성방법
WO2009093700A1 (ja) 2008-01-25 2009-07-30 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha シームレスモールドの製造方法
JP4859145B2 (ja) * 2008-12-25 2012-01-25 独立行政法人産業技術総合研究所 エッチングレジスト
PT2253782E (pt) 2009-05-19 2013-11-18 Pacadar Sa Estrutura de apoio para uma turbina eólica
JP2012256846A (ja) * 2011-05-16 2012-12-27 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
JP6307269B2 (ja) * 2013-04-09 2018-04-04 旭化成株式会社 微細パターン形成用積層体、モールドの製造方法
WO2015046327A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 独立行政法人物質・材料研究機構 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法
CN111367146B (zh) * 2020-04-17 2022-08-26 苏州科技大学 一种相变-热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6253886A (ja) * 1984-12-26 1987-03-09 Asahi Chem Ind Co Ltd 情報記録媒体
JPS6353886A (ja) 1986-08-25 1988-03-08 ソニー株式会社 電磁ジヤ−ポツト
US5368986A (en) * 1991-05-02 1994-11-29 Hitachi, Ltd. Information recording media, manufacturing method for the same, and information recording method
JPH05342629A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Hitachi Ltd 情報記録媒体
US5635267A (en) * 1992-09-17 1997-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium of phase change type having variably grooved tracks depending on their radial locations
WO1996002021A1 (fr) * 1994-07-11 1996-01-25 Konica Corporation Element initial pour plaque lithographique et procede de preparation de ladite plaque
CN1252885A (zh) * 1997-04-16 2000-05-10 旭化成工业株式会社 光学信息记录媒体的制造方法和用该方法制造的光学信息记录媒体
JP3967776B2 (ja) * 1997-09-18 2007-08-29 株式会社日立製作所 光記録媒体
JPH11203724A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Sony Corp 光ディスク及びその製造方法
JP3500325B2 (ja) * 1998-06-26 2004-02-23 株式会社東芝 相変化記録媒体、その製造方法及び製造装置
JP2000215510A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Asahi Chem Ind Co Ltd 光情報記録媒体
JP2002086945A (ja) 2000-09-12 2002-03-26 Fuji Photo Film Co Ltd 感熱性平版印刷用原板
US6582890B2 (en) * 2001-03-05 2003-06-24 Sandia Corporation Multiple wavelength photolithography for preparing multilayer microstructures
EP1266767B1 (en) * 2001-06-11 2006-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Planographic printing plate precursor, substrate for the same and surface hydrophilic material
KR100415048B1 (ko) * 2001-06-29 2004-01-13 한국과학기술연구원 고밀도 광 정보저장 매체
CA2420978A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Multi-color image-forming material and method for forming multi-color image using the same

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