KR20050054472A - 광도파로의 제조방법 - Google Patents

광도파로의 제조방법 Download PDF

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KR20050054472A
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무네가즈노리
모치즈키아마네
나이토우류우스케
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은,
장척의 기재 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포한 후, 그 층을 경화시켜 하부 클래딩 층을 형성하는 공정; 하부 클래딩 층 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하는 공정; 도포된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 연속적으로 노광하는 공정; 노광된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 노광-후 가열하는 공정; 가열 후의 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 현상함으로써 상기 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층에서의 미노광부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성하는 공정; 현상된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 경화시켜, 하부 클래딩 층 위에 소정의 패턴을 갖는 코어 층을 형성하는 공정; 및 상기 코어 층을 피복하기 위해 하부 클래딩 층 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하고, 그 전구체 층을 경화시켜 상부 클래딩 층을 형성하는 공정을 포함하는 광도파로의 제조방법에 관한 것이다.

Description

광도파로의 제조방법{PROCESS FOR PRODUCING OPTICAL WAVEGUIDE}
본 발명은 광도파로의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 광디바이스를 서로 광접속시키기 위한 광도파로의 제조방법에 관한 것이다.
광도파로는 복수의 광디바이스의 사이를 광접속시키기 위해서 사용되며, 광섬유의 개발에 의한 광통신 시스템의 실용화에 따라 그 개발이 진행되고 있다.
이러한 광도파로는 예컨대, 내열성 및 투명성이 우수한 감광성 폴리이미드 수지 전구체 조성물을 이용하여 제조함으로써 저비용으로 대량 생산될 수 있는 것으로 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2002-356615호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 방법은 실제로는 금형을 이용하여 광도파로를 매엽식(배치식)으로 제조하기 때문에, 양산성의 향상 및 그 양산성에 근거하는 저비용화를 성취하기 위해서는 한계가 있다.
본 발명의 목적은, 양산성의 향상 및 저비용화를 충분히 성취할 수 있는 광도파로의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적 및 효과는 이하의 기술로부터 자명해질 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 광도파로의 제조방법은,
장척의 기재 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포한 후, 그 층을 경화시켜 하부 클래딩 층을 형성하는 공정;
하부 클래딩 층 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하는 공정;
도포된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 연속적으로 노광하는 공정;
노광된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 노광-후 가열하는 공정;
가열 후의 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 현상함으로써 상기 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층에서의 미노광부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성하는 공정;
현상된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 경화시켜, 하부 클래딩 층 위에 소정의 패턴을 갖는 코어 층을 형성하는 공정; 및
상기 코어 층을 피복하기 위해 하부 클래딩 층 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하고, 그 전구체 층을 경화시켜 상부 클래딩 층을 형성하는 공정을 포함하는 광도파로의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층은, 유기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 반응시키는 것에 의해 수득된 폴리이미드 수지 전구체와 하기 화학식 1로 표시되는 1,4-다이하이드로피리딘 유도체로 이루어진 감광제를 포함하는 것이 바람직하다:
상기 식에서,
Ar은 1,4-다이하이드로피리딘환에 대한 결합 위치에 대하여 오르토 위치에 나이트로기를 갖는 방향족기를 나타내고; R1은 수소 원자 또는 1 내지 3의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타내고; R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1 또는 2의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타낸다.
본 발명의 광도파로의 제조방법에서, 하부 클래딩 층은 기재 위에 연속적으로 형성되고, 소정의 패턴을 갖는 코어 층은 하부 클래딩 층 위에 연속적으로 형성된다. 또한, 상부 클래딩 층은 코어 층을 피복하기 위해 하부 클래딩 층 위에 연속적으로 형성된다. 즉, 하부 클래딩 층, 코어 층 및 상부 클래딩 층이 각각 연속적으로 형성된다. 이 때문에, 본 제조방법은 매엽식(배치식) 방법과 비교시에 양산성의 향상의 성취에 상당히 효과적이다. 따라서, 폴리이미드 수지를 포함하는 광도파로는 저비용 생산에 효과적이다.
도 1a 내지 1e는, 본 발명의 광도파로의 제조방법의 한 실시양태를 개념적으로 나타내는 제조 공정도이다.
이 방법에서, 도 1a 내지 1e에 도시된 바와 같이 2개의 롤(R)을 서로 소정 간격으로 대향 배치하여, 한편의 롤(R)은 보내기 위해 이용하고, 다른 쪽의 롤(R)은 권취(拳取)하기 위해 이용한다. 후술하는 각 공정을 이들 롤(R) 사이에서 연속적으로 실시하거나, 또는 웹이 한 편의 롤(R)에 권취된 상태가 된 경우에 실시한다. 보다 구체적으로는, 공정을 연속적으로 실시하는 경우에는 소정의 공정이 다음과 같은 방식으로 수행된다. 광도파로(9)의 제조 도중에 소정의 공정에 선행하는 공정을 마치고 한 편의 롤(R)에 권취된 웹을, 소정 단계에서 이 롤(R)에서 내보내어 다른 쪽의 롤(R)에서 권취함으로써, 소정의 공정이 이들 2개이 롤(R) 사이에서 연속적으로 실시될 수 있다.
도 1a 내지 1e에서는, 편의상 모든 공정을 웹이 한 편의 롤(R)에서 보내어 다른 쪽의 롤(R)에서 권취하도록 기재하고 있지만, 실제의 공정에서는 웹을 상기 다른 쪽의 롤(R)에서 보내어 상기 언급된 한 편의 롤(R)에서 권취하는 경우도 있다. 또한, 한편의 롤(R) 및 다른 쪽의 롤(R)의 사이에서 보내기 및 권취를 교대로 실시하는 경우도 있다. 따라서, 실제의 공정에 따라 적절한 작동을 선택한다.
이 방법에서, 도 1a에 나타낸 바와 같이 먼저 장척의 기재(1)를 준비한다. 기재(1)는 장척의 평판띠의 형태이다. 예컨대, 스테인레스강 또는 합금 42 등의 금속박, 또는 폴리이미드 수지 등의 내열성 수지 필름 등이 사용된다. 그 두께는, 예컨대 5 내지 200μm, 바람직하게는 10 내지 50μm이고, 그 폭은, 예컨대 50 내지 500 mm, 바람직하게는 125 내지 250 mm이고, 그 길이는 예컨대, 5 내지 200 m, 바람직하게는 10 내지 100 m이다.
장척의 기재(1)는, 예컨대 기재(1)가 한편의 롤(R)에 권취되고, 이것의 말단은 다른 쪽 롤(R)로 향해 보내기 위한 준비 과정에서 이동되어 다른 쪽의 롤(R)에 고정되는 권취된 상태로 준비된다.
본 발명의 방법에서, 도 1b에 나타낸 바와 같이 언더클래딩 층(3)을 형성하기 위해 기재(1) 위에 폴리이미드 수지 전구체 층(2)을 연속적으로 도포한다. 폴리이미드 수지 전구체 층(2)을 연속적으로 도포하기 위해서, 우선 한편의 롤(R)에서 다른 쪽의 롤(R)을 향해 보내어지는, 기재(1) 위에 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스(varnish)를 연속적으로 도포한다. 이어서, 도포된 니스를 연속적으로 예비 건조시킨다.
폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스는, 폴리이미드 수지 전구체가 용매(후술하는 반응 용매)에 용해되어 있는 수지 용액이다. 폴리이미드 수지 전구체는 폴리아마이드산[poly(amic acid)]이고, 1종 이상의 유기 테트라카복실산 이무수물과 1종 이상의 다이아민을 반응시키는 것에 의해 얻을 수 있다.
유기 테트라카복실산 이무수물의 예는 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로판이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로판이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)에테르 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)설폰산 이무수물을 포함한다.
이들의 예는 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 4,4-비스(3,4-다이카복시트라이플루오로페녹시)테트라플루오로벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-다이카복시트라이플루오로페녹시)테트라플루오로벤젠 이무수물, (트라이플루오로메틸)피로멜리트산 이무수물, 다이(트라이플루오로메틸)피로멜리트산 이무수물, 다이(헵타플루오로프로필)피로멜리트산 이무수물 등의 불소-치환 테트라카복실산 이무수물을 추가로 포함한다.
이들 유기 테트라카복실산 이무수물은 단독으로 또는 2종 이상의 조합물로 사용될 수 있다.
다이아민의 예는 m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, 3,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 4,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,4-다이아미노톨루엔, 2,6-다이아미노톨루엔, 4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐을 포함한다.
이것의 예는 2,2'-비스(트라이플루오로메톡시)-4,4'-다이아미노바이페닐(TFMOB), 3,3'-다이아미노-5,5'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판(BAAF), 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕헥사플루오로프로판(HFBAPP), 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐(TFMB), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BIS-AP-AF), 2,2-비스(3-아미노-4-메틸페닐)헥사플루오로프로판(BIS-AT-AF), 2,2'-다이플루오로벤지딘(FBZ), 4,4'-비스(아미노옥타플루오로)바이페닐, 3,5-다이아미노벤조트라이플루오라이드, 1,3-다이아미노-2,4,5,6-테트라플루오로벤젠, 및 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)벤지딘(BTFB) 등의 불소-치환 다이아민을 추가로 포함한다.
이런 다이아민은 단독으로 또는 2종 이상의 조합물로 사용될 수 있다.
폴리이미드 수지 전구체는 1종 이상의 유기 테트라카복실산 이무수물 및 1종 이상의 다이아민을 통상의 방법으로 반응시키는 것에 의해 수득될 수 있다. 예컨대, 거의 등몰(equimolar)의 유기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 혼합물을 불활성기체 분위기 하에서, 250℃ 이하의 온도, 바람직하게는, 실온(25℃) 내지 80℃의 범위에서, 약 5 내지 20시간 동안 반응 용매 중에서 교반함으로써, 폴리이미드 수지 전구체를 점성이 있는 용액, 즉 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스로서 얻을 수 있다.
반응 용매는 유기 테트라카복실산 이무수물 및 다이아민을 용해시킴과 동시에, 수득된 폴리이미드 수지 전구체를 용해할 수 있는 것이면, 특별히 제한되지 않는다. 이들의 예는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세토아마이드, N,N-다이에틸아세토아마이드, 다이메틸설폭사이드 등의 극성 용매를 포함한다. 이들 극성 용매는 단독으로 또는 이들 중 2종 이상의 혼합 용매로서 이용될 수 있다.
언더클래딩 층(3)을 형성하기 위해 이와 같이 수득된 폴리이미드 수지 전구체는, 그 중량 평균 분자량이 예컨대, 1.5 x 105 이상, 바람직하게는 2.0 x 105 내지 3.5 x 105이다. 폴리이미드 수지 전구체의 중량 평균 분자량이 1.5 x 105 미만인 경우, 후술하는 오버클래딩 층(7)의 형성 시에 언더클래딩 층(3)에 크랙이 생기는 경우가 있다.
폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스의 고형분 농도는 예컨대, 1 내지 50중량%, 바람직하게는 5 내지 30중량% 이다.
언더클래딩 층(3)을 형성하기 위한 폴리이미드 수지 전구체는, 생성된 언더클래딩 층(3)이 형성되는 코어 층(6)보다 굴절률이 낮게 되도록 배합된다. 보다 구체적으로는, 하기 수학식 1에 의해 정의되는 △ 값이 단일 모드의 경우 0.2 내지 0.8이 되도록, 멀티 모드의 경우 0.5 내지 3.0이 되도록 코어 층(6)과 언더클래딩 층(3)의 굴절률을 조정한다:
△ = (n1-n2)/n1 x 100
(상기 식에서, n1 = 코어 층의 굴절률이고, n2 = 언더클래딩 층의 굴절률이다)
유기 테트라카복실산 이무수물 또는 다이아민으로 2종 이상의 화합물을 이용하여, 이들의 조성비를 적절히 변경하여 굴절률을 조정할 수 있다.
폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스를 기재(1) 위에 연속적으로 도포 하기 위해서는, 캐스팅(casting), 스프레이 코팅, 또는 댐(dam) 코팅기, 코마(comma) 코팅기, 역-롤(reverse roll) 코팅기를 이용한 코팅법 등의 공지된 도포법이 사용된다. 그 후, 예비건조는 예컨대, 2개의 롤(R)의 사이에 설치된 길이 2 내지 5 m의 건조 오븐을 이용하여 수행될 수 있다. 80 내지 100℃의 건조 온도 및 0.2 내지 0.5 m/분의 반송 속도로 조정하면서, 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스가 도포된 기재(1)를 연속적으로 건조 오븐에 통과시켜 건조시킬 수 있다.
이 공정에서, 건조 오븐을 통과한 기재(1)를 다른 쪽의 롤(R)에서 권취할 때에 기재(1) 위에 형성된 폴리이미드 수지 전구체 층(2)이 그 위에 권취되는 기재(1)와 접촉되는 것을 방지하기 위해서, 기재(1)의 인접한 층들 사이에 스페이서를 장착한다. 이와 같이 기재(1)를 권취함에 의해, 층 사이의 거리는 소정의 값을 유지한다. 웹이 권취되는 후속적인 매 공정에서, 권취된 층들 사이에 스페이서를 장착하여 소정의 거리를 유지시킨다.
본 발명의 방법에서, 기재(1) 위에 형성된 폴리이미드 수지 전구체 층(2)은 이어서 경화(이미드화)되어 하부 클래딩 층으로서 언더클래딩 층(3)을 형성한다.
폴리이미드 수지 전구체 층(2)은 다음과 같은 방법으로 경화될 수 있다. 다른 쪽의 롤(R)에 권취된 폴리이미드 수지 전구체 층(2)을 롤(R)과 함께 권취된 상태로 가열 오븐에 위치시키고, 진공 하에서, 예컨대 300 내지 400℃, 바람직하게는 330 내지 380℃에서 가열시킨다. 이에 의해, 폴리이미드 수지 전구체 층(2)은 이미드화되어 폴리이미드 수지를 포함하는 언더클래딩 층(3)을 형성한다.
언더클래딩 층(3)의 두께는, 예컨대 5 내지 20μm, 바람직하게는 10 내지 2O μm이다.
그 후, 본 발명의 제조방법에서, 도 1c에 나타낸 바와 같이, 코어 층(6)을 형성하기 위해 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 언더클래딩 층(3) 위에 연속적으로 도포한다. 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 연속적으로 도포하기 위해, 먼저 감광성 폴리이미드 수지 전구체를 함유하는 니스를 한편의 롤(R)로부터 다른 쪽의 롤(R)로 보내어지는 기재(1) 위에 형성된 언더클래딩 층(3) 위에 연속적으로 도포한다. 이어서, 도포된 니스를 연속적으로 예비 건조시킨다.
감광성 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스는 상기 폴리이미드 수지 전구체 니스에 감광제를 혼입함으로써 수득될 수 있다.
코어 층(6)을 형성하기 위한 폴리이미드 수지 전구체는 언더클래딩 층(3)보다 생성된 코어 층(6)이 보다 높은 굴절률을 갖도록 배합된다. 보다 구체적으로는, 유기 테트라카복실산 이무수물 또는 다이아민으로서 2종 이상의 화합물을 이용하여 이들의 조성비를 변경하여 이들의 굴절률을 조정한다.
감광제는 특별히 제한되지 않지만, 하기 화학식 1로 표시되는 1,4-다이하이드로피리딘 유도체가 바람직하게 사용된다:
화학식 1
상기 식에서,
Ar은 1,4-다이하이드로피리딘환에 대한 결합 위치에 대하여 오르토 위치에 나이트로기를 갖는 방향족기를 나타내고; R1은 수소 원자 또는 1 내지 3의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타내고; R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1 또는 2의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타낸다.
상기 화학식 1의 Ar로 표시되는, 오르토 위치에 나이트로기를 갖는 방향족기의 바람직한 예는 o-나이트로페닐을 포함한다. R1, R2, R3, R4 및 R5로 표시되는 1, 2 또는 3의 탄소 원자를 갖는 알킬기의 바람직한 예는 메틸(C1), 에틸(C2), n-프로필(C3) 및 이소프로필(C3)을 포함한다.
1,4-다이하이드로피리딘 유도체의 구체적인 예는 1-에틸-3,5-다이메톡시카보닐-4-(2-나이트로페닐)-1,4-다이하이드로피리딘, 1-메틸-3,5-다이메톡시카보닐-4-(2-나이트로페닐)-1,4-다이하이드로피리딘, 1-프로필-3,5-다이메톡시카보닐-4-(2-나이트로페닐)-1,4-다이하이드로피리딘, 1-프로필-3,5-디에톡시카보닐-4-(2-나이트로페닐)-1,4-다이하이드로피리딘을 포함한다.
혼입되는 감광제의 비율은, 예컨대 폴리이미드 수지 전구체 100중량부에 대하여 0.1 내지 1O중량부, 바람직하게는, O.1 내지 4중량부이다. 그 비율이 O.1중량부보다 적으면, 패턴의 형성이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 그 비율이 10중량부보다 많으면, 광학 손실이 증가하는 경우가 있다.
용해조정제, 예컨대 폴리에틸렌글라이콜, 폴리프로필렌글라이콜, 폴리프로필렌글라이콜 다이페닐 에테르, 폴리에틸렌 글라이콜 다이메틸 에테르를 감광성 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스에 배합할 수도 있다. 이들 용해조정제는 단독으로 또는 2종 이상의 조합물로 사용될 수 있다. 이러한 용해조정제의 중량 평균 분자량은, 예컨대 150 내지 1000, 바람직하게는 200 내지 800이다. 혼입되는 용해조정제의 비율은, 예컨대 폴리이미드 수지 전구체 100중량부에 대하여 10 내지 45중량부, 바람직하게는 15 내지 30중량부이다.
언더클래딩 층(3) 위에 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스를 연속적으로 도포 하기 위해서는, 캐스팅(casting), 스프레이 코팅, 또는, 댐(dam) 코팅기, 코마(comma) 코팅기, 역-롤(reverse roll) 코팅기를 이용한 코팅법 등의 공지된 도포법이 사용된다. 계속되는 예비건조는 예컨대, 2개의 롤(R)의 사이에 설치된 길이 2 내지 5 m의 건조 오븐을 이용하여 수행된다. 80 내지 100℃의 건조 온도 및 0.2 내지 0.5 m/분의 반송 속도로 조정하면서, 언더클래딩 층(3) 위에 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스가 도포된 기재(1)를 연속적으로 건조 오븐에 통과시킨다.
그 후, 본 발명의 제조방법에서, 도 1d에 나타낸 바와 같이, 소정의 패턴을 갖는 포토마스크(5)를 통해서 도포된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 연속적으로 노광한다.
사용되는 포토마스크(5)는, 폴리이미드 수지 전구체 층(4)의 노광 부분이 이후의 현상 후에 잔존하여 광투과 부분에 상응하는 코어 층(6)을 제공할 수 있는 소정의 패턴과 동일한 패턴을 갖도록 형성되는 포토마스크이다.
노광은 다음과 같은 방식으로 수행된다. 2개의 롤(R) 사이에 포토마스크(5)를 배치하고, 한편의 롤(R)에서 다른 쪽의 롤(R)을 향하여 보내어지는 기재(1)상의 언더클래딩 층(3) 위에 형성된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 연속적으로 노광한다. 노광장치로서는, 예컨대 자동 반송 기능을 갖춘 자외선 조사 장치 등이 사용된다. 또한, 노광 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)과 포토마스크(5)를 직접 접촉시키는 하드 접촉(hard contact) 노광 방법, 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)과 포토마스크(5)의 사이에 약간의 간극을 마련하는 근사(proximity) 노광 방법, 또는 투영 노광 방법 등 공지의 노광 방법이 사용될 수 있다.
본 제조방법에서, 도 1e에 나타낸 바와 같이, 노광 후의 감광성 폴리이미드 수지 전구체층(4)을 연속적으로 노광-후 가열한다. 노광-후 가열은, 예컨대 2개의 롤(R) 사이에 설치된 길이 2 내지 5 m의 가열 오븐을 사용하여 수행될 수 있다. 가열 온도 140℃ 이상, 반송 속도를 0.1 내지 0.25 m/분으로 조정하면서, 언더클래딩 층(3) 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)이 형성된 기재(1)를 연속적으로 가열오븐에 통과시켰다. 이 노광-후 가열에 의해서, 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 노광된 부분의 용해도가 감소되어, 후속적 현상에서 미노광부분을 용해시켜 네가티브(negative) 화상이 형성된다.
다음, 이 방법에서는, 도 2f에 나타낸 바와 같이, 노광-후 가열된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 연속적으로 현상한다. 이 현상은, 예컨대 2개의 롤(R)의 사이에 설치된 길이 2 내지 5 m의 현상조(現像槽)를 이용하여 수행된다. 반송 속도를 0.2 내지 0.5 m/분으로 조정하면서, 언더클래딩 층(3) 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)이 형성된 기재(1)를 연속적으로 현상조로 통과시킨다. 현상 방법은, 특별히 제한되지는 않지만, 예컨대 침지법 또는 스프레이법 등의 공지의 방법이 사용된다. 현상온도는 보통 25 내지 50℃이다. 또한, 현상제로서는, 예컨대 수산화테트라메틸암모늄과 같은 유기 알칼리 수용액이나, 예컨대 수산화나트륨, 수산화칼륨과 같은 무기 알칼리 수용액이 사용된다. 알칼리 농도는 보통 2 내지 5중량%이다. 필요에 따라서는, 알칼리수용액에 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 아이소프로판올 등의 저급 지방족 알코올을 첨가할 수 있다. 현상조는 현상실과 수세실을 구비하는 것이 바람직하다.
이런 현상에 의해서, 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)에서의 미노광부분이 제거되어, 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)이 소정의 패턴으로 형성된다.
본 제조방법에서, 현상된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 경화함으로써 언더클래딩 층(3) 위에 코어 층(6)을 소정의 패턴으로 형성한다. 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)은 다음과 같은 방식으로 경화될 수 있다. 현상 후에 다른 쪽의 롤(R)에서 권취된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)을 롤(R)과 함께 권취된 상태로 가열 오븐 내에 배치하고, 예컨대 진공 하에 300 내지 400℃, 바람직하게는 330 내지 380℃에서 가열한다. 이로 인해, 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(4)이 이미드화하여, 폴리이미드 수지로 이루어지는 코어 층(6)이 소정의 패턴으로서 형성된다.
코어 층(6)의 두께는, 예컨대 단일 모드의 경우에는 4 내지 10μm, 바람직하게는 6 내지 8μm, 멀티 모드의 경우에는 10 내지 100μm, 바람직하게는 30 내지 50μm이다. 예컨대 서로 소정 간격으로 평행하게 배열되는 복수의 라인 패턴으로 형성된다.
본 발명의 제조방법에서, 도 2g에 나타낸 바와 같이, 코어 층(6)을 피복하기 위해 폴리이미드 수지 전구체 층(8)을 언더클래딩 층(3) 위에 연속적으로 도포한다. 폴리이미드 수지 전구체 층(8)을 연속적으로 도포하기 위해서는, 상기와 같이 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스를 코어 층(6)을 피복하기 위해 한편의 롤(R)에서 다른 쪽의 롤(R)을 향하여 보내어지는 기재(1)상에 형성된 언더클래딩 층(3) 위에 연속적으로 도포한다. 이어서, 도포된 니스를 연속적으로 예비건조한다.
폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스는 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스에 대해 상기에서 기술된 바와 같다. 이 니스는 생성된 오버클래딩 층(7)이 코어 층(6)보다 굴절률이 낮게 되도록 배합된다. 바람직하게는, 언더클래딩 층(3)을 형성하기 위한 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스와 같은 배합을 갖는 니스가 사용된다.
언더클래딩 층(3) 위에 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스를 연속적으로 도포하기 위해서는, 상기와 같이, 캐스팅(casting), 스프레이 코팅, 또는, 댐(dam) 코팅기, 코마(comma) 코팅기, 역-롤(reverse roll) 코팅기를 이용한 코팅법 등의 공지된 도포법이 사용된다. 그 후, 예비건조는 상기와 같이, 예컨대 2개의 롤(R)의 사이에 설치된 길이 2 내지 5 m의 건조 오븐을 이용하여 수행된다. 80 내지 100℃의 건조 온도 및 0.2 내지 0.5 m/분의 반송 속도로 조정하면서, 언더클래드 층(3) 위에 폴리이미드 수지 전구체를 포함하는 니스가 도포된 기재(1)를 연속적으로 건조 오븐에 통과시킨다.
다음, 본 발명의 제조방법에서, 언더클래딩 층(3) 위에 형성된 폴리이미드 수지 전구체 층(8)을 경화(이미드화)시킴으로써 상부 클래딩 층으로서의 오버클래딩 층(7)을 형성한다.
폴리이미드 수지 전구체 층(8)은 다음과 같은 방식으로 경화될 수 있다. 다른 쪽의 롤(R)에서 권취된 폴리이미드 수지 전구체 층(8)을 롤(R)과 함께 권취된 상태로 가열 오븐 내에 배치하고, 예컨대 진공 하에 300 내지 400℃, 바람직하게는 330 내지 380℃에서 가열한다. 이와 같이, 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층(8)이 이미드화하여, 폴리이미드 수지로 이루어지는 오버클래딩 층(7)이 코어 층(6)을 피복하도록 언더클래딩 층(3) 위에 형성된다.
오버클래딩 층(7)의 두께는, 예컨대 5 내지 50μm, 바람직하게는 20 내지 3O μm이다.
다음, 본 발명의 방법에서, 도 2h에 나타낸 바와 같이, 각 광도파로(9)에 대응하는 패턴이 되도록 기재(1)를 연속적으로 에칭한다. 에칭은, 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 다음과 같은 방식으로 수행될 수 있다. 목적하는 패턴을 형성하도록 건식 필름 등으로 이루어진 에칭 레지스트로써 연속적으로 기재(1)의 표면을 피복한다. 그 후, 예컨대 염화 제이철(ferric chloride) 용액을 이용하여 연속적으로 습식 에칭하고, 그 후 연속적으로 에칭 레지스트를 박리한다.
그 후, 본 발명의 제조방법에서는, 도 2i에 나타낸 바와 같이 웹을 각 광도파로(9)로 절단한다. 이와 같이 광도파로(9)를 수득한다. 웹을 각 광도파로(9)로 절단하는 것은 특별히 제한되지 않지만, 광도파로(9)의 패턴에 대응하도록 웹을 절단하기 위해 절단기(cutter)나 고정밀도 금형 등을 이용한다.
이러한 광도파로(9)의 제조방법에 의하면, 기재(1) 위에 언더클래딩 층(3)을 연속적으로 형성하고, 그 언더클래딩 층(3) 위에 소정의 패턴을 갖는 코어 층(6)을 연속적으로 형성한다. 또한, 코어 층(6)을 피복하기 위해 오버클래딩 층(7)을 언더클래딩 층(3) 위에 연속적으로 형성한다. 즉, 언더클래딩 층(3), 코어 층(6) 및 오버클래딩 층(7)이 연속적으로 형성되기 때문에, 매엽식(배치식)과 비교하여 현저하게 양산성의 향상을 성취할 수 있다. 결과적으로, 폴리이미드 수지로 이루어지는 광도파로(9)를 저비용으로 효율적으로 제조할 수 있다.
수득된 광도파로(9)는 특별히 제한되지 않고, 여러가지 광디바이스를 광접속하는데 사용될 수 있다. 구체적으로는, 직선 광도파로, 굽은(bend) 광도파로, 교차광도파로, Y-분지형 광도파로, 슬라브(slab) 광도파로, 마하-젠더(Mach-Zehnder)형 광도파로, AWG 형광도파로, 그래프팅 광도파로, 광도파로 렌즈 등으로서 사용된다.
이들 광도파로에 의해 접속되는 광디바이스의 예는 파장 필터, 광스위치, 광 분지 단위, 광 합성기(multiplexer), 광 합분파기(multiplexer/demultiplexer), 광 증폭기, 파장 변환기, 파장 분할기, 광 스플리터(splitter), 방향성 결합기 및 레이저 다이오드 또는 광다이오드를 하이브리드-집적한 광전송 모듈러스를 포함한다.
상기의 설명에 있어서, 기재(1)와 언더클래딩 층(3)과의 사이의 밀착력이 불충분한 경우에는, 이들 사이에, 예컨대 폴리이미드 수지로 이루어지는 밀착층을 제공할 수 있다. 또한, 기재(1)의 표면에 밀착력을 높이기 위한 표면 처리를 실시할 수도 있다.
실시예
이하의 실시예를 참고하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명을 실시예에 한정되는 것으로 해석하여서는 안 된다.
실시예 1
폴리이미드 수지 전구체 니스의 합성
500 mL의 분리형 플라스크에서 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐(TFMB)(0.09몰(28.8 g))을 질소 분위기 하에서 N,N-다이메틸아세토아마이드(DMAc) 275.2 g에 용해시켰다. 교반하면서 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물(6 FDA)(0.09몰(40.0 g))을 그 용액에 가했다. 그 후, 그 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반함으로써 폴리아마이드산 니스(이하, 폴리이미드 수지 전구체 니스로 부른다)를 수득하였다.
감광성 폴리이미드 수지 전구체 니스의 합성
상기에서 수득된 폴리이미드 수지 전구체 니스에 폴리이미드 수지 전구체 니스의 고형분 100중량부에 대하여 4-o-나이트로페닐-3,5-다이메톡시카보닐-1-에틸-1,4-다이하이드로피리딘 2중량부 및 폴리에틸렌 글라이콜 다이메틸 에테르(중량 평균 분자량 500) 30중량부를 첨가하였다. 그 혼합물을 균일하게 교반하여 감광성 폴리아마이드산 니스(이하, 감광성 폴리이미드 수지 전구체 니스로 부른다)를 수득하였다.
광도파로의 제작
하기의 공정을 롤-대-롤(roll-to-roll) 방법으로 실시함으로써 광도파로를 제작했다.
우선, 롤에 권취된 상태의 두께 25μm, 폭 125 mm, 길이 100 m의 스테인레스강 포일로 이루어진 기재를 준비하였다(도 1a 참조). 이어서, 이 기재 위에 폴리이미드 수지 전구체 니스를 연속적으로 도포하였다. 이 도포된 니스는 2개의 롤의 사이에 설치된 길이 2 m의 건조 오븐(건조 온도 90℃, 반송 속도 0.2 m/분)에 웹을 통과시켜 예비 건조되어 폴리이미드 수지 전구체 층을 형성하였다(도 1b 참조). 그 후, 이 웹을 롤에 권취하였다. 권취에 있어서는, 권취되는 층들 사이에 두께 1 mm의 스페이서를 장착하였다(또한, 기재를 생략하였지만, 이하의 공정에서도 동일한 방식으로 스페이서를 장착했다).
다음, 그 웹을 롤과 함께 권취된 상태로 가열 오븐 내에 배치하고, 진공 하에 380℃에서 가열하였다. 그 후, 폴리이미드 수지 전구체 층을 이미드화하여, 폴리이미드 수지로 이루어지는 언더클래딩 층을 형성했다. 하부 클래딩 층의 두께는 20μm였다.
그 후, 이 언더클래딩 층 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 니스를 연속적으로 도포하였다. 이 도포된 니스는 2개의 롤의 사이에 설치된 길이 2 m의 건조 오븐(건조 온도 90℃, 반송 속도 0.2 m/분)에 통과시켜 예비건조 되어 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 형성하였다(도 1c 참조).
다음, 자동반송기능을 갖춘 자외선조사장치를 이용하여 이 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 노광하였다(도 1d 참조). 사용된 노광 방법에서, 8 cm x 8 cm의 영역 내에 광도파로의 소정의 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여, 노광선으로서 i-선(i-line)(365 nm)에 50 mJ/cm2의 노광량으로 접촉 노광을 실시했다. 폴리이미드 수지 전구체 층을 20 cm 간격으로 노광하여 100 m 내에 500개의 네가티브 화상 패턴을 형성했다.
그 후, 노광된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 2개의 롤 사이에 설치된 길이 2 m의 가열 오븐(가열 온도 180℃, 반송 속도 0.2 m/분)에 통과시켜 노광-후 가열했다(도 1e 참조).
다음, 길이 3 m의 현상조, 길이 1 m의 일차 수세조, 길이 3 m의 2차 수세조를 구비하는 스프레이식 현상조를 이용하여 노광-후 가열 처리된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 현상했다(도 2f 참조). 현상에서, 현상액으로서 에탄올/10% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(부피비 1:1) 용액을 이용하고, 현상조의 용액 온도를 4O℃로, 일차 수세조의 수온을 35℃로, 2차 수세조의 수온을 25℃로 조정하면서, 폴리이미드 수지 전구체 층을 0.2 m/분의 반송 속도로 순차적으로 현상조, 1차 및 2차 수세조를 연속적으로 통과시켰다. 그 후, 웹을 롤에 권취했다. 현상 후의 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층의 두께는 약 8μm이며, 현상에 의해 미노광 부분이 모두 용해된 것을 확인했다.
다음, 그 웹을 롤과 함께 권취된 상태로 가열 오븐 내에 배치하고, 진공 하에 330℃에서 가열했다. 그 후, 현상된 폴리이미드 수지 전구체 층을 이미드화하여, 폴리이미드 수지로 이루어지는 코어 층을 소정의 패턴으로 형성했다. 코어 층의 두께는 약 7μm였다.
다음, 코어 층을 피복하기 위해 폴리이미드 수지 전구체 니스를 언더클래딩 층 위에 연속적으로 도포하였다. 그 후, 웹을 2개의 롤 사이에 설치된 길이 2 m의 가열 오븐(가열 온도 90℃, 반송 속도 0.2 m/분)에 통과시켜 상기 니스를 예비건조 시켜 폴리이미드 수지 전구체 층을 형성하였다(도 1g 참조). 그 후, 이 웹을 롤에 감았다.
다음, 그 웹을 롤과 함께 권취된 상태로 가열 오븐 내에 배치하고, 진공 하에 330℃에서 가열했다. 이와 같이, 폴리이미드 수지 전구체 층을 이미드화하여, 폴리이미드 수지로 이루어지는 오버클래딩 층을 형성했다. 오버클래딩 층의 두께는 약 30μm였다.
그 후, 건식 필름으로 이루어지는 에칭 레지스트로 각 광도파로에 대응하는 패턴이 되도록 기재의 표면을 연속적으로 피복했다. 그 후, 염화 제이철 용액을 이용하여 연속적으로 기재를 습식 에칭한 후, 연속적으로 에칭 레지스트를 박리했다(도 2h 참조). 이와 같이, 각 광도파로에 대응하는 패턴화된 기재가 형성하였다.
그 후, 이와 같이 제조된 웹을 절단기를 사용하여 각 광도파로마다 절단하여, 광도파로를 수득하였다(도 2i 참조).
상기에 도시되고 기술된 본 발명의 형태 및 세부 사항에서 다양한 변형이 가능하다는 것은 당업자에게 또한 명백할 것이다. 이런 변형은 본원에 첨부된 청구범위의 정신 및 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.
본 출원은 2003년 12월 4일에 출원된 일본 특허 출원 제 2003-406331 호에 기초한 것이고, 이의 개시 내용은 그 전체가 본원에 참고로 인용된다.
본 발명의 광도파로의 제조방법에 의하면, 기재 위에 하부 클래딩 층을 연속적으로 형성하고, 그 하부 클래딩 층 위에 코어 층을 소정의 패턴으로 연속적으로 형성한다. 또한, 코어 층을 피복하기 위해 상부 클래딩 층을 하부 클래딩 층 위에 연속적으로 형성한다. 즉, 하부 클래딩 층, 코어 층 및 상부 클래딩 층을 연속적으로 형성하기 때문에, 매엽식(배치식)에 비교하여 양산성의 향상을 현저히 성취할 수 있다. 결과적으로, 폴리이미드 수지로 이루어진 광도파로를 효율적으로 저비용으로 제조할 수 있다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 광도파로의 제조방법의 한 실시 양태를 개념적으로 나타내는 제조 공정도로서, 도 1a는 장척(長尺)의 기재를 준비하는 공정이고; 도 1b는 기재 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하는 공정이고; 도 1c는 언더클래딩 층 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포 하는 공정이고; 도 1d는 도포된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 연속적으로 노광하는 공정이고; 도 1e는 노광된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 노광-후 가열하는 공정을 나타낸다.
도 2f 내지 2i는, 도 1a 내지 도 1e에 계속하여 본 발명의 광도파로의 제조방법의 한 실시양태를 개념적으로 나타내는 제조 공정도로서, 도 2f는 가열 후의 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 현상하는 공정이고; 도 2g는 코어 층을 피복하기 위해 언더클래딩 층 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하는 공정이고; 도 2h는 기재를 각 광도파로에 대응하도록 연속적으로 에칭하는 공정이고; 도 2i는 웹(web)을 각 광도파로로 절단하는 공정을 나타낸다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 기재
2 폴리이미드 수지 전구체 층
3 언더클래딩 층
4 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층
5 포토마스크
6 코어 층
7 오버클래딩 층
8 폴리이미드 수지 전구체 층
9 광도파로

Claims (2)

  1. 장척(長尺)의 기재 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포한 후, 그 층을 경화시켜 하부 클래딩 층을 형성하는 공정;
    하부 클래딩 층 위에 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하는 공정;
    도포된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 연속적으로 노광하는 공정;
    노광된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 노광-후 가열하는 공정;
    가열 후의 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 현상함으로써 상기 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층에서의 미노광부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성하는 공정;
    현상된 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층을 경화시켜, 하부 클래딩 층 위에 소정의 패턴을 갖는 코어(core) 층을 형성하는 공정; 및
    상기 코어 층을 피복하기 위해 하부 클래딩 층 위에 폴리이미드 수지 전구체 층을 연속적으로 도포하고, 그 전구체 층을 경화시켜 상부 클래딩 층을 형성하는 공정을 포함하는 광도파로의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 폴리이미드 수지 전구체 층이,
    유기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 반응시키는 것에 의해 수득된 폴리이미드 수지 전구체; 및
    하기 화학식 1로 표시되는 1,4-다이하이드로피리딘 유도체로 이루어진 감광제를 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로의 제조방법:
    화학식 1
    상기 식에서,
    Ar은 1,4-다이하이드로피리딘환에 대한 결합 위치에 대하여 오르토 위치에 나이트로기를 갖는 방향족기를 나타내고; R1은 수소 원자 또는 1 내지 3의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타내고; R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1 또는 2의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타낸다.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005165139A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光導波路の製造方法
JP4417198B2 (ja) 2004-08-02 2010-02-17 日東電工株式会社 光導波路の製造方法
KR100841223B1 (ko) 2006-02-28 2008-06-26 (주)포인테크 광특성 보상을 위한 온도무의존 광도파로열 격자회로 소자및 그 제작 방법
US20100195952A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-05 Nitto Denko Corporation Multi-layer structure
US20100196588A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-05 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing a multi-layer structure
US7974508B2 (en) 2009-02-03 2011-07-05 Nitto Denko Corporation Multi-layer structure and method for manufacturing the same
JP2011006507A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Nitto Denko Corp ポリイミド化合物およびその製法、ならびにその化合物より得られる光学フィルム・光導波路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0815537A (ja) * 1990-03-16 1996-01-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ポリマー状光学導波管及びこれを製造する方法
JP2000121858A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 平面導波路型光回路の形成方法
JP2004302325A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Hitachi Cable Ltd 光電気複合基板の製造方法
EP1538465A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-08 Nitto Denko Corporation Process for producing optical waveguide
US7024093B2 (en) * 2002-12-02 2006-04-04 Shipley Company, Llc Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5462700A (en) * 1993-11-08 1995-10-31 Alliedsignal Inc. Process for making an array of tapered photopolymerized waveguides
JP2002148804A (ja) * 2000-11-08 2002-05-22 Nitto Denko Corp 感光性樹脂組成物および回路基板
US7037637B2 (en) * 2002-07-17 2006-05-02 Nitto Denko Corporation Photosensitive polyimide resin precursor composition, optical polyimide obtained from the composition, optical waveguide using the polyimide, and process for producing the optical waveguide
JP3947457B2 (ja) * 2002-11-29 2007-07-18 日東電工株式会社 ポリイミド光導波路の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0815537A (ja) * 1990-03-16 1996-01-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ポリマー状光学導波管及びこれを製造する方法
JP2000121858A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 平面導波路型光回路の形成方法
US7024093B2 (en) * 2002-12-02 2006-04-04 Shipley Company, Llc Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom
JP2004302325A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Hitachi Cable Ltd 光電気複合基板の製造方法
EP1538465A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-08 Nitto Denko Corporation Process for producing optical waveguide

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JP2005165139A (ja) 2005-06-23
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