KR20050024264A - 고체 촬상 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
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- H01L2924/1615—Shape
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Abstract
고체 촬상 장치를 이하의 공정에 의해 제조한다. 다수개의 고체 촬상 장치 구성용의 다수조의 틀 형상의 리브를 집합시킨 격자 형상의 리브 형성 부재(10)를 수지 성형한다. 다수개의 배선 기판에 대응하는 영역을 가져, 각 영역에 다수의 배선 부재(12)가 설치된 집합 배선 기판(11)을 이용하고, 촬상 소자(14)를 집합 배선 기판의 상기 각 영역에 고정하고, 촬상 소자의 전극과 각 배선 부재를 금속 세선(15)에 의해 접속한다. 리브 형성 부재의 각 격자 내에 촬상 소자가 배치되도록, 리브 형성 부재를 배선 기판면에 대향시켜서 배선 기판면에 접합한다. 투명판(17)을 리브 형성 부재의 상단면에 접합하고, 각 하우징체마다, 기판부에 직교하고 또한 각 리브 형성 부재의 폭을 2분하는 방향으로 절단하여, 각 고체 촬상 장치를 각각의 조각으로 분리한다. 다수개의 하우징체를 일괄하여 수지 성형할 때의, 배선 기판과 수지제의 리브 간의 열 팽창의 차이에 기인하는 변형을 회피하여, 저렴한 하우징체를 제작하는 것이 가능하다.
Description
본 발명은, CCD 등의 촬상 소자가 하우징체 내에 탑재된 구성의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
고체 촬상 장치는, 비디오 카메라나 스틸 카메라 등에 널리 이용되며, CCD 등의 촬상 소자를 절연성 재료로 이루어지는 베이스 플레이트에 탑재하여, 수광 영역을 투광판으로 덮은 패키지의 형태로 제공된다. 장치의 소형화를 위해서, 촬상 소자는, 베어칩인 채로 베이스 플레이트에 탑재된다. 이와 같은 고체 촬상 장치의 종래예로서, 일본국 특개평 제5-267629호 공보에 기재된 고체 촬상 장치에 대해서, 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7에서, 21은 베이스 플레이트이고, 그 상면에 오목부가 형성되며, 오목부의 중앙에 촬상 소자 칩(22)이 고정되어 있다. 베이스 플레이트(21)에는 리드 단자(24)가 설치되고, 그 리드측 패드(25)와 촬상 소자 칩(22)의 본딩 패드(23)가, 금속선으로 이루어지는 본딩 와이어(26)에 의해서 접속되어 있다. 또, 베이스 플레이트(21)의 둘레 가장자리부 상면에는, 리브(28)가 일체로 형성되고, 그 상부에, 투명한 시일 글래스판(27)이 접합되며, 촬상 소자 칩(22)을 보호하기 위한 패키지가 형성되어 있다.
이와 같은 고체 촬상 장치는, 도시된 바와 같이 시일 글래스판(27)의 옆을 위쪽으로 향한 상태로 회로 기판 상에 탑재되고, 리드 단자(24)가 회로 기판 상의 전극과 접속하기 위해서 이용된다. 도시하지 않지만, 시일 글래스판(27)의 상부에는, 촬상 광학계가 조립된 경통(鏡筒)이, 촬상 소자 칩(22)에 형성된 수광 영역과의 상호의 위치 관계에 소정의 정밀도를 갖게 하여 장착된다. 촬상 동작시에는, 경통에 조립된 촬상 광학계를 통해서, 피촬상 대상으로부터의 광이 수광 영역에 집광되어, 광전 변환된다.
상기 종래예의 고체 촬상 장치는, 베이스 플레이트(21)의 둘레 가장자리부 상면에 리브(28)가 일체로 형성된 하우징체 구조를 갖는다. 하우징체를 수지 성형하기 위한 금형은 하우징체의 사양에 맞추어 제품마다 제작하지 않으면 안되어, 제조 비용을 높게 하는 하나의 원인이 된다.
이 때문에, 보다 저렴하게 제작할 수 있는 배선 기판을 이용하여, 배선 기판 상에 리브를 수지 성형하는 공정을 이용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 배선 기판 상에 리브를 수지 성형하는 경우, 리브를 성형하는 전후의, 금속 배선을 갖는 배선 기판과 수지제의 리브 간의 열 팽창의 차이에 기인하여, 하우징체에 휘어짐이나 비틀림과 같은 변형이 발생하기 쉽다. 특히, 다수개의 고체 촬상 장치용의 하우징체를 일괄적으로 제조하는 경우에 이 문제는 현저하다.
또, 하우징체의 내부 공간에서의 입사광의 산란을 억제하기 위하여, 리브에 테이퍼를 설치하는 경우가 있다. 테이퍼의 방향은 고체 촬상 장치의 설계에 따라서 상이하지만, 기판면에서 멀어짐에 따라서 리브의 폭이 커지는 방향의 테이퍼(이하 역 테이퍼라고 칭한다)를 설치하는 경우, 리브의 수지 성형에 장해를 발생한다. 즉, 베이스 플레이트(21)의 둘레 가장자리부 상면에 리브(28)가 일체적으로 형성된 하우징체 구조의 경우, 혹은 배선 기판 상에 리브를 수지 성형하는 경우 중 어느 경우에도, 리브의 역 테이퍼에 기인하여, 금형에서의 하우징체의 내부 공간을 형성하는 부분에서, 성형 후 금형에서 분리되는 것이 곤란해지기 때문이다.
본 발명은, 다수개의 고체 촬상 장치를 구성하기 위한 하우징체를 일괄적으로 제작할 때의, 배선 기판과 수지제의 리브 간의 열 팽창의 차이에 기인하는 하우징체의 변형 발생을 회피하여, 변형을 억제하며 저렴한 하우징체를 제작하는 것이 가능한 고체 촬상 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 본 발명은, 간단한 공정에 의해, 리브에 역 테이퍼를 설치하는 것을 가능하게 한 고체 촬상 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 절연성의 수지로 이루어지는 배선 기판과, 상기 배선 기판 상에 배치되어 내부 공간을 형성하는 틀 형상의 리브와, 상기 배선 기판과 상기 리브에 의해 형성된 하우징체의 상기 내부 공간으로부터 외부에 걸쳐서 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선 부재와, 상기 내부 공간 내에서 상기 배선 기판 상에 고정된 촬상 소자와, 상기 리브의 상단면에 접합된 투명판과, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선 부재를 접속하는 접속 부재를 구비한 고체 촬상 장치를 제조하는 방법이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 다수개의 고체 촬상 장치를 구성하기 위한 다수조의 상기 틀 형상의 리브를 집합시킨 격자 형상의 리브 형성 부재를 수지 성형하고, 다수개의 상기 배선 기판에 대응하는 영역을 가지며, 상기 각 영역에 상기 다수의 배선 부재가 설치된 집합 배선 기판을 이용하고, 상기 촬상 소자를 상기 집합 배선 기판의 상기 각 영역에 고정하여, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선 부재를 상기 접속 부재에 의해 접속하고, 상기 리브 형성 부재의 각 격자 내에 상기 촬상 소자가 배치되도록, 상기 리브 형성 부재를 상기 배선 기판면에 대향시켜 상기 배선 기판면에 접합하고, 상기 투명판을 상기 리브 형성 부재의 상단면에 접합하고, 상기 각 하우징체마다, 상기 기판부에 직교하고 또한 상기 각 리브 형성 부재의 폭을 2분하는 방향으로 절단하여, 상기 각 고체 촬상 장치를 각각의 조각으로 분리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 단독으로 수지 성형한 리브 형성 부재를 배선 기판에 접합시키기 때문에, 수지 성형시에 있어서의 배선 기판과 수지제의 리브 간의 열 팽창의 차이에 기인하는 하우징체의 변형 발생을 회피할 수 있어, 저렴한 하우징체를 정밀도 좋게 제작하는 것이 가능하다.
또, 리브 형성 부재를 단독으로 수지 성형하기 때문에, 리브에 형성되는 테이퍼가 수지 성형 후 금형에서 분리될 때에 장해가 되는 일은 없다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에서, 투명판을 접합할 때에, 다수개의 하우징체에 걸친 크기의 투명판을 리브 형성 부재의 상단면에 접합하고, 각 하우징체마다 절단할 때에, 투명판도 일괄적으로 절단하는 공정을 이용할 수 있다. 혹은, 투명판을 접합할 때에, 상기 각 하우징체에 각각 대응하는 다수개의 투명판을 이용하여, 상기 리브 형성 부재 상에, 인접하는 상기 각 투명판의 단 가장자리를 서로의 사이에 간극을 형성하여 재치하여, 간극의 영역에서 각 고체 촬상 장치를 각각의 조각으로 분리하는 공정을 이용해도 좋다.
또, 각 리브의 단면 형상이 상하 방향으로 테이퍼를 갖도록 리브 형성 부재를 수지 성형하고, 리브의 폭이 좁은 측이 배선 기판에 면하도록 리브 형성 부재를 배선 기판면에 접합함으로써, 용이하게 리브에 역 테이퍼를 설치할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 대해서, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. 우선 본 실시 형태에 의해 제조되는 고체 촬상 장치의 구조를 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은 고체 촬상 장치의 단면도, 도 2는 측면도이다. 도 3은 도 2의 하면을 도시하는 도면이다.
배선 기판(1)은 평판 형상이고, 통상의 배선 기판에 이용되는 절연성의 수지, 예를 들면 글래스 에폭시 수지로 이루어진다. 배선 기판(1) 상에 촬상 소자(2)가 고정되고, 그 촬상 소자(2)를 포위하도록, 배선 기판(1) 상에 직사각형 틀 형상의 평면 형상을 갖는 리브(3)가 접착재(5a)에 의해 접합되어 있다. 리브(3)는, 예를 들면 에폭시 수지로 이루어지고, 예를 들면 0.3㎜∼1.0㎜의 높이를 갖는다. 리브(3)의 내측면은, 배선 기판(1)으로부터 멀어짐에 따라서 리브(3)의 폭이 커지도록 경사져 있다. 즉, 리브(3)에 둘러싸인 내부 공간이 배선 기판(1)으로부터 멀어짐에 따라서 좁아지도록, 리브(3)의 단면 형상에 역 테이퍼가 부여되어 있다. 리브(3)의 경사의 각도는, 배선 기판(1)면에 직교하는 방향에 대해서 2˚∼12°의 범위로 하는 것이 바람직하다.
리브(3)의 상면에는, 투명판(4)이 접착제(5b)에 의해 접합되어 있다. 배선 기판(1), 리브(3), 및 투명판(4)에 의해, 내부에 공간을 갖는 패키지가 형성되어 있다. 배선 기판(1)에는, 패키지의 내부로부터 외부로 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선(6)이 형성되어 있다. 촬상 소자(2)의 패드 전극(2a)과 각 배선(6)을 접속하는 금속 세선(7)이, 패키지의 공간 내에 설치되어 있다. 패키지 전체의 두께는 2.0㎜ 이하이다. 촬상 소자(2)의 패드 전극(2a)과 각 배선(6)은 금속 배선(7)을 이용하는 것 이외의 다른 방법에 의해 접속하는 것도 가능하다.
배선(6)은, 촬상 소자(2)의 탑재면에 형성된 내부 전극(6a)과, 그 이면에 형성된 외부 전극(6b)과, 배선 기판(1)의 단면에 형성된 단면 전극(6c)으로 이루어진다. 외부 전극(6b)은, 내부 전극(6a)과 대응하는 위치에 배치되어 있다. 단면 전극(6c)은, 내부 전극(6a)와 외부 전극(6b)을 접속하고 있다. 내부 전극(6a), 외부 전극(6b), 및 단면 전극(6c)은 모두, 예를 들면, 도금에 의해 형성될 수 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 단면 전극(6c)은, 배선 기판(1)의 단면에 형성된 오목부(1a)에 배치되어 있다. 단면 전극(6c)의 표면은, 배선 기판(1)의 단면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있거나, 또는 배선 기판(1)의 단면보다도 오목하게 들어가 있다.
배선 기판(1)의 양면에서의, 내부 전극(6a)과 외부 전극(6b)의 주위의 영역에는, 절연막(8a, 8b)이 형성되어 있다(도 3에는 절연막(8b)을 도시하지 않음). 외부 전극(6b)의 표면은, 도시한 바와 같이 절연막(8b)의 표면보다도 오목하게 들어가 있거나, 혹은, 절연막(8b)의 표면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있다. 절연막(8b)과 외부 전극(6b)은, 서로 중첩 부분을 갖지 않도록 배치되어 있어도, 외부 전극(6b)의 주변 가장자리부와 절연막(8b)이 서로 겹치도록 배치되어 있어도 좋다.
패키지의 측면에 대응하는, 배선 기판(1)의 단면, 리브(3)의 측면 및 투명판(4)의 단면은, 실질적으로 동일 평면을 형성하고, 따라서 패키지 측면은 평탄하다. 패키지 측면은, 예를 들면, 제조 공정에서 배선 기판(1)의 단면, 리브(3)의 측면 및 투명판(4)의 단면을 일괄적으로 절단함으로써, 양호한 평탄도를 갖고 형성할 수 있다.
이상의 구성에 의하면, 배선 기판(1)은, 간소한 배선 기판을 이용하여 형성되고, 배선 기판(1)의 상면으로부터 단면을 경유하여 하면에 이르는 범위의 배선(6)을, 도금에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 패키지의 소형화가 용이하다.
다음에, 상기 구성의 고체 촬상 장치를 제조하기 위한, 본 실시 형태에서의 제조 방법에 대해서, 도 4a 내지 도 4f 및 도 5를 참조하여 설명한다.
우선 도 4a에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(10)를 수지에 의해 성형한다. 리브 형성 부재(10)는, 다수개의 고체 촬상 장치를 구성하기 위한 다수조의 틀 형상의 리브(3)(도 1 참조)를 집합시킨 형상을 갖는다. 그 평면 형상은, 도 5에 도시하는 바와 같이 격자 형상이다. 리브 형성 부재(10)는 이것만 단독으로, 예를 들면 금형을 이용하여 수지 성형된다. 또, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(10)에서의 각 리브의 단면 형상은, 상하 방향으로 테이퍼를 갖는다.
또, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 다수개의 배선 기판(1)(도 1 참조)에 대응하는 영역을 갖는 집합 배선 기판(11)을 준비한다. 집합 배선 기판(11)은 절연성의 수지로 이루어지는 평판 형상의 기재(基材)(11a)에 배선 부재(12)가 형성된 것이다. 배선 부재(12)에 의해, 배선 기판(1)에 대응하는 각 영역에 각각 다수의 배선(6)(도 1 참조)을 형성한다. 배선 부재(12) 이외의 부분의 기재(11a)의 상하면에는 절연막(13)이 형성되어 있다.
배선 부재(12)는, 기재(11a)의 상하면에 각각 형성된 상면 도전층(12a) 및 하면 도전층(12b)을 포함한다. 상면 도전층(12a)과 하면 도전층(12b)은, 상하 방향에서 상호로 대응하는 위치에 배치되고, 기재(11a)를 관통하여 형성된 관통 도전층(12c)에 의해 접속되어 있다. 이들 도전층은, 통상 이용되는 어떠한 방법으로 형성해도 좋다. 예를 들면, 기재(11a)에 관통 구멍을 형성하여, 도금에 의해 관통 도전층(12c)을 형성하고, 다음에 관통 도전층(12c)의 위치에 맞추어 상면 도전층(12a) 및 하면 도전층(12b)을 도금에 의해 형성할 수 있다.
다음에 도 4c에 도시하는 바와 같이, 배선 기판(1)에 대응하는 각 영역 내에 촬상 소자(14)를 고정하고, 촬상 소자(14)의 패드 전극(14a)과 각 상면 도전층(12a)을 금속 세선(15)에 의해 접속한다. 또한, 배선 기판(1)에 대응하는 각 영역의 경계에, 접착재층(16a)을 형성한다. 접착재층(16a)은, 관통 도전층(12c)의 위치에서 상면 도전층(12a)을 횡단하도록 배치한다.
다음에 도 4d에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(10)를 접착재층(16a) 상에 재치하여, 집합 배선 기판(11) 상에 접합한다. 이것에 의해, 각 격자 내에 촬상 소자(14)가 배치된다. 리브 형성 부재(10)는, 인접하는 각 고체 촬상 장치를 구성하는 리브(3)가 일체적으로 합체하여 배치된 상태를 형성하고, 후술하는 공정에서, 각 고체 촬상 장치에 개별적으로 소속되도록 분할된다. 또, 리브 형성 부재(10)는, 리브(3)의 폭이 좁은 측이 집합 배선 기판(11)에 면하는 방향으로 접합된다. 또한, 리브 형성 부재(10)의 상면에 접착재층(16b)을 형성한다.
다음에 도 4e에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(10)의 상단면에 접착재층(16b)을 통해서 투명판(17)을 재치하여, 투명판(17)을 접착재층(16b)에 의해 접합한다.
다음에 도 4f에 도시하는 바와 같이, 투명판(17), 리브 형성 부재(10) 및 집합 배선 기판(11)을 다이싱 블레이드(18)에 의해 절단하여, 각 고체 촬상 장치를 형성하는 각각의 조각으로 분리한다. 절단은, 도 4f에 도시한 바와 같이, 집합 배선 기판(11)에 직교하는 방향으로, 또한 평면 형상에서 각 리브 형성 부재(10)의 폭을 2분하는 방향으로 행한다. 그 결과, 리브 형성 부재(10), 상면 도전층(12a), 하면 도전층(12b), 및 관통 도전층(12c)이 2분되어, 각각 별개의 고체 촬상 장치에서의 리브(3), 내부 전극(6a), 외부 전극(6b) 및 단면 전극(6c)을 형성한다.
이 제조 방법에 의하면, 리브 형성 부재(10)를 단독으로 수지 성형한 후, 집합 배선 기판(11)에 접합하기 때문에, 리브 형성 부재(10)를 성형하는 전후의, 금속 배선을 갖는 집합 배선 기판(11)과 수지제의 리브 형성 부재(10) 간의 열 팽창의 차이에 기인하는 하우징체의 변형이 발생되는 일은 없다.
또, 이 제조 방법에 의하면, 리브(3)는 리브 형성 부재(10)의 반분의 폭이 되어, 소형화에 유리하다. 또, 투명판(17), 리브 형성 부재(10) 및 집합 배선 기판(11)을 일괄적으로 절단함으로써, 배선 기판(1)의 단면, 리브(3)의 측면 및 투명판(4)의 단면이 형성하는 평면은 실질적으로 동일 평면이 되어, 양호한 평탄도를 얻을 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 리브(3)에 역 테이퍼를 설치하는 경우를 예로 하였지만, 리브(3)에 역 테이퍼를 설치하지 않는 경우에도, 본 실시 형태와 같이 리브 형성 부재를 단독으로 성형 후, 배선 기판에 접합하는 것은 동일하게 효과적이다.
또, 상술한 바와 같이, 투명판(17)을 다수개의 하우징체에 걸친 크기로 하여, 각 하우징체마다 절단할 때에, 투명판(17)도 일괄적으로 절단하는 방법으로 한정하지 않고, 도 6에 도시하는 방법을 채용할 수도 있다. 즉, 각 하우징체에 대해서 각각 별개의 투명판(17a, 17b) 등을 준비하여, 인접하는 각 투명판(17a, 17b)의 단 가장자리를 리브 형성 부재(10) 상에 서로의 사이에 간극을 형성하여 재치한다. 그리고, 그 간극의 영역에서 각 고체 촬상 장치를 각각의 조각으로 분리한다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 단독으로 수지 성형한 리브 형성 부재를 배선 기판에 접합시키기 때문에, 수지 성형시에 있어서의 배선 기판과 수지제의 리브 간의 열 팽창의 차이에 기인하는 하우징체의 변형 발생을 회피할 수 있어, 저렴한 하우징체를 정밀도 좋게 제작할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의해 제조되는 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도,
도 2는 도 1의 고체 촬상 장치의 측면도,
도 3은 도 2의 저면도,
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시 형태에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
도 5는 동일 제조 방법에서의 리브 형성 부재를 도시하는 평면도,
도 6은 동일 제조 방법의 일부 공정을 변경한 예를 도시하는 단면도,
도 7은 종래예의 고체 촬상 장치의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 배선 기판 2 : 촬상 소자
3 : 리브 4, 17 : 투명판
6 : 배선 7, 15 : 금속 세선
10 : 리브 형성 부재 11 : 집합 배선 기판
12 : 배선 부재 13 : 절연막
14 : 촬상 소자
Claims (4)
- 절연성의 수지로 이루어지는 배선 기판과, 상기 배선 기판 상에 배치되어 내부 공간을 형성하는 틀 형상의 리브와, 상기 배선 기판과 상기 리브에 의해 형성된 하우징체의 상기 내부 공간으로부터 외부에 걸쳐서 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선 부재와, 상기 내부 공간 내에서 상기 배선 기판 상에 고정된 촬상 소자와, 상기 리브의 상단면에 접합된 투명판과, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선 부재를 접속하는 접속 부재를 구비한 고체 촬상 장치를 제조하는 방법에 있어서,다수개의 고체 촬상 장치를 구성하기 위한 다수조의 상기 틀 형상의 리브를 집합시킨 격자 형상의 리브 형성 부재를 수지 성형하고,다수개의 상기 배선 기판에 대응하는 영역을 갖고, 상기 각 영역에 상기 다수의 배선 부재가 설치된 집합 배선 기판을 이용하고,상기 촬상 소자를 상기 집합 배선 기판의 상기 각 영역에 고정하여, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선 부재를 상기 접속 부재에 의해 접속하고,상기 리브 형성 부재의 각 격자 내에 상기 촬상 소자가 배치되도록, 상기 리브 형성 부재를 상기 배선 기판면에 대향시켜서 상기 배선 기판면에 접합하고,상기 투명판을 상기 리브 형성 부재의 상단면에 접합하고,상기 각 하우징체마다, 상기 기판부에 직교하고 또한 상기 각 리브 형성 부재의 폭을 2분하는 방향으로 절단하여, 상기 각 고체 촬상 장치를 각각의 조각으로 분리하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명판을 접합할 때에, 상기 다수개의 하우징체에 걸친 크기의 상기 투명판을 상기 리브 형성 부재의 상단면에 접합하여, 상기 각 하우징체마다 절단할 때에, 상기 투명판도 일괄적으로 절단하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명판을 접합할 때에, 상기 각 하우징체에 각각 대응하는 다수개의 투명판을 이용하여, 상기 리브 형성 부재 상에, 인접하는 상기 각 투명판의 단 가장자리를 서로의 사이에 간극을 형성하여 재치하고, 상기 간극의 영역에서 상기 각 고체 촬상 장치를 각각의 조각으로 분리하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 각 리브의 단면 형상이 상하 방향으로 테이퍼를 갖도록 상기 리브 형성 부재를 수지 성형하고, 상기 리브의 폭이 좁은 측이 상기 배선 기판에 면하도록 상기 리브 형성 부재를 상기 배선 기판면에 접합하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003311722A JP4106003B2 (ja) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | 固体撮像装置の製造方法 |
JPJP-P-2003-00311722 | 2003-09-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050024264A true KR20050024264A (ko) | 2005-03-10 |
KR100610662B1 KR100610662B1 (ko) | 2006-08-10 |
Family
ID=34385930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040069917A KR100610662B1 (ko) | 2003-09-03 | 2004-09-02 | 고체 촬상 장치의 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7247509B2 (ko) |
EP (1) | EP1526577A2 (ko) |
JP (1) | JP4106003B2 (ko) |
KR (1) | KR100610662B1 (ko) |
CN (1) | CN100416816C (ko) |
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- 2003-09-03 JP JP2003311722A patent/JP4106003B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2004-08-27 US US10/927,715 patent/US7247509B2/en active Active
- 2004-09-01 EP EP04020751A patent/EP1526577A2/en not_active Withdrawn
- 2004-09-02 KR KR1020040069917A patent/KR100610662B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-09-03 CN CNB2004100752048A patent/CN100416816C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1591854A (zh) | 2005-03-09 |
US7247509B2 (en) | 2007-07-24 |
KR100610662B1 (ko) | 2006-08-10 |
US20050074912A1 (en) | 2005-04-07 |
EP1526577A2 (en) | 2005-04-27 |
CN100416816C (zh) | 2008-09-03 |
JP4106003B2 (ja) | 2008-06-25 |
JP2005079536A (ja) | 2005-03-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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