KR20050008637A - 플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템 - Google Patents

플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20050008637A
KR20050008637A KR1020047002945A KR20047002945A KR20050008637A KR 20050008637 A KR20050008637 A KR 20050008637A KR 1020047002945 A KR1020047002945 A KR 1020047002945A KR 20047002945 A KR20047002945 A KR 20047002945A KR 20050008637 A KR20050008637 A KR 20050008637A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
stage
edge
plasma etching
ring
Prior art date
Application number
KR1020047002945A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100583418B1 (ko
Inventor
임동수
Original Assignee
(주)소슬
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)소슬 filed Critical (주)소슬
Publication of KR20050008637A publication Critical patent/KR20050008637A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100583418B1 publication Critical patent/KR100583418B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 가장자리에 퇴적된 막질과, 파티클을 플라즈마 에칭으로 건식 세정함에 있어서, 웨이퍼의 가장자리 상면에서 밑면에 이르는 영역에, 플라즈마가 발생되도록 하여, 상기 웨이퍼의 가장자리 세정이 완벽하게 행해지는 플라즈마 에칭 챔버를 제공하는 것이며, 이것은 캐소드를 거쳐 고주파가 인가되는 웨이퍼의 가장자리에 대하여, 상하로 대향하는 1쌍의 애노드를 가지는 구성, 또는 웨이퍼의 가장자리에서 그 상 하측으로 캐소드와 애노드가 대향하고, 상호 대치하고 있는 간격의 주변부를 뷰링으로 실드 시키는 구성으로 된 것이며, 또한, 상기 구성의 플라즈마 에칭 챔버를 복수 열로 배열하고, 일반의 핸들러가 복수열의 카세트 받침, 혹은, 로드 포트로부터 웨이퍼를 취출하여, 일단 웨이퍼 정렬부를 경유시켜 OF 위치를 자세 교정시키게 한 다음에, 로드락 챔버를 경유하거나, 혹은, 직접 상기 플라즈마 에칭 챔버로 장입 하여 에칭 되게 하고, 에칭 처리된 웨이퍼는, 다시 핸들러가 취출하여 로드락 챔버를 경유하거나, 또는, 직접 카세트나, 로드 포트로 반납하는 플라즈마 에칭 시스템을 실현하는 것이다.

Description

플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템{PLASMA ETCHING CHAMBER AND PLASMA ETCHING SYSTEM THEREWITH}
웨이퍼의 표면에 막질을 적층하는 패턴 단계에 있어서, 웨이퍼의 가장자리 끝에도 불필요하게 막질이 적층되고, 게다가 웨이퍼의 상면을 플라즈마로 에칭하는 건식 세정공정 중에는, 에칭에 의해 발생하는 부산물(By―Product)이 완전하게 배기되지 않고, 웨이퍼의 가장자리 끝의 상면에서 측면, 및, 밑면에 걸쳐 퇴적되어, 파티클로서 남는다.
즉, 플라즈마 에칭 된 웨이퍼는, 도 9의 도시와 같이, 웨이퍼(91)의 가장자리 끝에서 측면, 및, 밑면까지 연속적으로 파티클(93)이 퇴적되어, 스테이지(95)와 웨이퍼(91) 사이까지 침입하는 양상을 보이고 있다.
통상, 가장자리부는, 반도체 칩으로 되지 않는 부분이나, 여기에 남겨지는막질과 파티클(이하, 파티클이라 약칭함)은, 이후의 반도체 공정에서, 반도체 칩에 심각한 손상을 불러 일으키는 요인으로 되기 때문에, 제거되어야 한다.
웨이퍼의 가장자리 끝에 있어서, 상술한 바와 같이 퇴적되는 파티클은, 습식 세정법에서 제거할 수 있으나, 이 방법은 세정되는 반도체에 새롭게 다른 불량을 불러 일으키는 요소를 가지고 있고, 세정된 후에 남는 용액은 반응성이 강하고, 환경에 나쁜 공해물질로서 남겨져, 그 처리도 쉽지 않다.
일본국 공개특허공보 평성 07-142449호는 상기 웨이퍼의 가장자리 끝에 잔존하는 파티클을 플라즈마로 에칭하는 장치를 개시하고 있다.
예시된 장치는, 웨이퍼의 가장자리에 대응하여 배치된 상 하부 전극 사이로 반응가스를 불어 넣어, 플라즈마에 의한 에칭이 행해지게 하는 한편, 상부 전극의 중앙부로 불활성가스를, 불어 넣어, 상기와 같이 생성되는 플라즈마가 웨이퍼의 내측으로 침입할 수 없는 상태로 하고 있다.
그러나, 상기의 장치는 고주파를 웨이퍼와 대향하는 상부전극 측으로 인가하는 구성이기 때문에, 웨이퍼에는 셀프 바이어스가 인가되지 않으므로, 에칭속도가 늦고, 공정시간도 길게 된다.
그 위에, 에칭은 웨이퍼의 가장자리 상면에만 행해져서, 그 측면에서 밑면에 걸쳐 퇴적되어 있는 파티클을 완전하게 제거할 수 없다.
본 발명의 목적은, 플라즈마 에칭에 의하여, 웨이퍼의 가장자리 끝에 퇴적된 막질과, 파티클을, 에칭 하여 제거하는 경우에, 웨이퍼의 가장자리 상면에서 측면ㆍ밑면까지 연속하여 완전하게 고효율로 에칭 할 수 있는 플라즈마 에칭 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 신규한 플라즈마 에칭 챔버를, 반도체 생산 공정에 적용시킬 수 있도록, 단시간 내에 대량의 웨이퍼를 처리할 수 있는 플라즈마 에칭 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 가장자리 끝에 남겨지는 막질(膜質)과 파티클의 세정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 플라즈마 건식 에칭 된 웨이퍼의 가장자리 끝에 남는 막질, 및, 그 주변에 퇴적되는 파티클을, 플라즈마로 에칭 하여 완벽하게 제거할 수 있는 플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 관련된 플라즈마 에칭 챔버의 구조를 나타내는 측단면도.
도 2는 도 1의 챔버 내부에 배치된 스테이지의 변형 예를 나타내는 부분 측단면도.
도 3은 도 1의 챔버 내부에서 스테이지의 부근에 배치되는 얼라이너에 의한 웨이퍼의 중심을 합치시키는 정렬 예를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명에 관련된 에칭 챔버에서, 웨이퍼 가장자리 끝의 에칭 과정을 설명하기 위한 부분 확대 단면도.
도 5는 도 4에 도시한 에칭의 결과를 설명하기 위하여 웨이퍼의 가장자리를 확대하여 도시한 측면도.
도 6은 도 4에 대응하는 도면으로서, 상부에 부착되는 절연체의 변형에 의한 플라즈마의 변화된 형태를 나타내는 확대 단면도.
도 7은 도 5에 대응하는 도면으로서, 도 6에 도시한 구성에 의해 에칭 된 웨이퍼의 가장자리를 도시하는 측면도.
도 8은 본 발명에 관련된 에칭 챔버의 다른 실시 예로서, 도 4에 대응하여 웨이퍼의 에칭 과정을 나타내는 확대 단면도.
도 9는 도 8에 도시한 실시 예의 변형 예로서, 도 4에 대응하여 웨이퍼의 에칭 과정을 나타내는 확대 단면도.
도 10은 본 발명의 에칭 시스템에 관련된 일 실시 예를 나타내는 개략 구성도.
도 11은 본 발명의 에칭 시스템에 관련된 다른 실시 예를 나타내는 개략 구성도.
도 12는 통상의 방식으로 플라즈마 에칭 된 웨이퍼의 가장자리 끝에 파티클이 퇴적된 모양을 나타내는 부분 확대도.
상기의 목적을 구현하는 본 발명의 플라즈마 에칭 챔버는, 챔버의 내부에 배치된 스테이지를 거쳐 웨이퍼로 고주파(Radio―Frequency)를 인가할 수 있게 캐소드를 설치하고, 상기 스테이지의 외주 끝에서 웨이퍼의 가장자리 보다 낮은 위치로 링 상의 하부 애노드를 배치함과 아울러, 상기 스테이지의 상방에 링 상의 상부 애노드를, 상기 링 상의 하부 애노드에 대향하도록 배치하고, 상기 웨이퍼의 가장자리 끝과 상기 링 상의 상부 애노드와의, 및, 상기 웨이퍼 가장자리 끝과 상기 링 상의 하부 애노드와의 사이를 동시에 방전시켜 발생하는 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼의 가장자리 상면에서 밑면에 이르는 영역을 연속적으로 에칭하는 구성을 가진다.
또한, 본 발명의 에칭 챔버는, 스테이지 상에 재치 되는 웨이퍼의 가장자리 상측과 하측에, 각각 링 상의 상부 애노드와, 링 상의 하부 캐소드를 대향 배치하고, 또한, 상기 링 상의 상부 애노드 외주 측에 뷰링을 설치하여, 플라즈마 공간의 확장을 제한해서, 상기 링 상의 상부 애노드와 링 상의 하부 캐소드와의 사이로 흐르는 반응가스의 압력분포를 조절하여, 방전에 의해 발생하는 플라즈마가, 상기 웨이퍼의 가장자리 상면에서 밑면에 이르는 영역을 효과적으로 에칭하는 구성을 가진다.
또한, 본 발명의 플라즈마 에칭 챔버는, 상기 스테이지의 상방으로 대향 배치되는 원반상 절연체의 외주면에 웨이퍼와 평행으로 연장되는 홈을 형성하여, 에칭의 경계면이 직각상으로 되도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 에칭 챔버는, 웨이퍼의 상방에 대향 배치되는 절연체의 중심을, 오목면으로 형성하여, 그 부근에서의 방전이 억제되도록 할 수 있다.
또, 본 발명의 플라즈마 에칭 챔버는, 상기 스테이지의 상면에 웨이퍼를 안정하게 재치 하기 위한 수단, 혹은, 최적의 웨이퍼 에칭이 실행되도록 하기 위하여, 웨이퍼 상면과 링 상의 상부 애노드와의 방전 간격을 측정하여, 최적의 치수로 되도록, 위치 제어하는 레이저 센서 등을, 더욱 갖출 수 있다.
또, 본 발명의 플라즈마 에칭 챔버는, 상기 스테이지 상에 재치 되는 웨이퍼를, 바른 자세로 수정하기 위하여 중심을 합치시키는 얼라이너를, 더욱 갖출 수 있다.
또, 상술한 목적을 구현하는 본 발명의 플라즈마 에칭 시스템은, 웨이퍼가 수납된 카세트를, 복수 배열된 카세트 받침의 어느 하나로 공급하면, 핸들러가 상기 웨이퍼를 취출하여, 웨이퍼 정렬부로 이송하고, 여기에서 웨이퍼의 OF위치(orientation frat)의 자세 교정이 행해지면, 다시 핸들러가 웨이퍼를 취출하고, 챔버에 장입 시켜 에칭이 행해질 수 있게 하고, 웨이퍼의 에칭이 완료하면, 핸들러는 챔버로부터 웨이퍼를 취출하여 본래의 카세트로 장입 하는 과정을 반복한다.
또한, 본 발명의 플라즈마 에칭 시스템은, 웨이퍼가 수납된 카세트를 로드 포트로 공급하면, 보조 핸들러가 웨이퍼를 취출하고, 웨이퍼 정렬부로 이송시켜 OF위치를 자세 교정한 후, 교정된 웨이퍼를 로드락 챔버에 임시로 수납하면, 핸들러가 로드락 챔버에서 웨이퍼를 취출하고, 복수 배치된 챔버의 어느 하나로 장입 하여, 에칭이 행해지도록 하고, 에칭이 종료되면, 상기 핸들러는, 웨이퍼를 취출하여 로드락 챔버로 다시 장입하고, 로드락 챔버에 장입 된 웨이퍼를 보조 핸들러가 취출하여, 본래의 카세트로 반납하는 과정을 반복한다.
본 발명의 이점과 장점은 이하의 바람직한 실시 예를 통하여 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 관련된 에칭 챔버의 구조를 도시하고 있다.
도면에서, 챔버(2)의 내부는, 도어(4)에 의해, 웨이퍼(W)가 출입하는 게이트(6)를 폐쇄하는 것에 의해, 외부로부터 격리되는 공간(8)로 되고, 그 중앙 하측에는 웨이퍼(W)를 탑재시키기 위한 스테이지(10)가 설치되어 있다.
공간(8)의 분위기는 외부에서 격리된 후에, 대략 10-1~ 10-3Torr 정도의 저압으로 조정된다.
스테이지(10)의 상면 중앙에는, 액츄에이터(12)에 의해 승강 가능한 캐소드(14)가 배치되어서, 플라즈마 발진기(16)와 접속되어 있으며, 또한 스테이지 내부에는 강제 냉각용 워터 재킷(18)이 형성되고, 여기에서 외부로 열린, 적어도 2개의 통로(20)를 거쳐, 냉매가 순환할 수 있게 되어 있고, 스테이지(10)의 외주에는 링 상의 하부 애노드(22)가 절연재(23)를 개재하여 부착되어 있다.
캐소드(14)는 상방에서 공급되는 웨이퍼(W)를 인수한 후에, 일정 위치까지 하강하여 상기 스테이지(10)의 상단으로 웨이퍼(W)를 재치 시키게 동작한다.
이 때, 링 상의 하부 애노드(22)의 위치는, 스테이지(10)에 재치 된 웨이퍼(W)의 가장자리와의 사이로, 방전에 요구되는 소정의 간격이 이루어지도록, 상기 웨이퍼(W) 보다 낮게 배치되어야 한다.
본 발명에 의한 에칭 챔버에 있어서, 더 바람직한 것은, 스테이지(10)를 도 2에 도시한 구조로 하는 것이다.
도 2에 예시된 스테이지(10)의 상면에는, 캐소드(14)를 갖춘 절연판(100)이 있고, 그 밑 쪽에는, 적어도 3개의 핀(102)을 갖춘 플레이트(104)가 있으며, 상기 핀(102)은 절연판(100)을 관통하여 상방으로 출몰 할 수 있게 배치되고, 또, 플레이트(104)는 상기 액츄에이터(12)와 연결되어 승강할 수 있는 구조를 가지며, 이와 같은 구조의 경우에 캐소드(14)는, 상기 절연판(100)의 밑면 중앙에 마련된다.
상술한 구조는, 스테이지(10) 위로 돌출하고 있는 핀(102)에 의해, 웨이퍼(W)의 밑면을 받치면서 인수하고, 다음에 액츄에이터(12)가 하강하면, 흔들림 없이 웨이퍼(W)를 절연판(100) 상으로 재치 시키는 작용을 한다.
다시, 도 1을 참조하면, 상기 스테이지(10)의 상방에는, 이것과 거의 같은 면적을 가진 스템(24)이, 상방으로 연장된 로드(26)에 의해, 상하로 승강 가능하게 배치되어 있으며, 또한 스템(24)의 내부에도 스테이지(10)와 마찬가지로 워터 재킷(28)이 마련되어서, 상기 로드(26)의 내부로 열린 통로(30)를 통해 냉매가 순환한다.
스템(24)의 밑면에는, 중앙에 소정 반경의 오목면(32)을 형성한 절연체(34)가 부착되어 있고, 그 주위로는 링 상의 상부 애노드(36)가, 하부 애노드(22)와 대향하도록 배치되고, 이들 상 하부 애노드(36)(22)는 양자 모두 접지되어 있다.
한편, 절연체(34)의 두께가 너무 얇으면, 그 전체 면에 걸쳐 방전이 일어나고, 이것에 의해 웨이퍼(W)의 중심부에도 플라즈마가 발생하여 불필요한 에칭을 할 우려가 있으나, 본 발명에서는, 오목부(32)에 의해 절연체(34)의 중앙부가, 다른 부분 보다 웨이퍼(W)의 상면과 대치하는 간격이 크므로 전기장의 세기가 약하게 되어, 오목부(32)에서는 방전이 일어나지 않는다.
그렇지만, 절연체(34)의 두께와, 방전과의 관계도 무시할 수 없는 것이며, 실험에 의하면, 절연체(34)의 두께가 15mm 미만인 때에, 가장자리 부분에서 안정하게 방전하는 상황에서는, 상기 오목부(32)가 있음에도 불구하고 중앙부에서도 방전이 일어남을 확인하였다.
따라서, 절연체(34)의 두께는 15mm 이상으로 하는 것이 좋다.
한편, 절연체(34)와 상부 애노드(36)와의 사이는 반응가스 출구(38)가 링상으로 열려서, 제1 관로(40)를 거쳐 주입되는 반응가스를, 웨이퍼(W)의 가장자리로 불어 넣게 되어 있음과 아울러, 중심 측 오목부(32)에는 질소가스 출구(42)가 열려서, 제2 관로(44)를 통해 공급되는 질소가스를 상기 웨이퍼(W)의 중심으로 불어 넣게 되어 있다. 제1 및 제2 관로(40)(44)를 갖춘 상기 로드(26)는, 그 외측 단이 수평 바아(46)를 개재하여 포스트 바아(48)와 연결되고, 또, 포스트 바아(48)는 챔버(2)의 외부 상측에 마련된 가이더(50)에 축 지지되는 것에 의해 흔들림 없이 승강하게 된다. 또, 로드(26)의 승강 작동은 상기 수평 바아(46)를 연동시키는 볼 스크루(52)와 스테핑 모터(54)에 의해 행해진다.
본 발명에 의한 에칭 챔버는, 더 바람직하게는, 챔버(2)의 외주 일 측에 레이저 센서(56)를 구비하며, 이 센서(56)는 웨이퍼(W)와, 상부 애노드(36)의 갭을 측정하여, 컨트롤러로 피드 백시키는 것에 의해, 상기 스템(24)의 하강 지점을 정확하게 제어할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련된 에칭 챔버는, 더 바람직하게는, 공간(8)의 내부에서 스테이지(10)의 상단 면 주위로 등분 배치되는 복수의 반경방향 조정용 얼라이너(58)를 구비하고 있다.
상기 얼라이너(58)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 실린더(580)에 의해 진퇴 하는 피스톤 로드(582)로 구성되며, 상기 피스톤 로드(582)는, 모두 같은 길이로 신장되면서 웨이퍼(W)의 가장자리를, 가볍게 포착 또는 압압하는 것에 의해 중심위치를 맞춰서, 상기 웨이퍼(W)는 바른 자세로 교정되고, 최후로 OF위치를 합치시키게 된다.
본 발명의 에칭 챔버에 의하면, 웨이퍼(W)의 가장자리 끝의 상면에서 밑면에 이르는 일정 부위가 각각 상 하부 애노드(36)(22)와의 사이로, 소정의 간격을 두고 대치하는 것으로 되므로, 이 부분에만 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
즉, 질소가스의 출구(42)에서 불어 나오는 질소가스는, 웨이퍼(W)의 중심부에서 에어 커튼을 형성하여, 에칭 시에 웨이퍼의 가장자리에서 생성되는 반응기(反應基)들이, 상기 웨이퍼의 중심부로 흘러 들어가는 것을 막게 된다.
또 한편으로는, 반응가스 출구(38)에서 불어 나오는 반응가스, 예를 들면, 알곤, CF4, SF6는, 상기 웨이퍼(W)의 가장자리로 경유하여 흘러 퍼지기 때문에, 플라즈마는 웨이퍼의 가장자리에만 생성된다.
이 때, 캐소드(14)로 고주파를 인가하면, 도 4의 도시와 같이, 웨이퍼(W)의 가장자리에만 행해지는 방전에 의해, 반응가스 출구(38)로부터 흘러나오는 반응가스, 더욱 상세하게는, 반응가스 CF4는 이온화 되고, 이 조건에서, CF4→ CF3+ F*, 혹은 CF4→ CF2+ 2F*등이, 해리 반응에 의해 생성되고, 중성 F 라디칼(R)이, 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 표면으로 충돌하여, 그 곳에 퇴적되어 있는 파티클과 표면에서 반응하고, 휘발성 화합물로 변환시키는 과정을 통해, 에칭이 진행되며, 이와 동시에 반응가스는 계속하여 도면의 화살표 방향으로 흐른다.
상기 반응가스에 의해, 웨이퍼의 가장자리 끝에 플라즈마(Ps)가 발생할 때에, 웨이퍼의 내부 측에는 오목면(32)에 의해 간격이 넓고, 또한 방전이 어려운 질소와 같은 분자상 다원자분자가 흘러 나오기 때문에, 그 부근에서의 방전은 발생하지 않는다.
상기 반응가스에 의해, 플라즈마(Ps)가 발생하는 때에, 그 내측에는 가스의 이온화에 수반하는 공간전하층(S: sheath)이 형성되고, 이 공간전하층(S)에서는 방전이 이루어지지 않으므로, 플라즈마의 발생은 될 수 없다. 따라서 중성 F 라디칼(R)도 생성되지 않기 때문에, 상기 공간전하층(S)에 속하는 부분에서는 에칭이 행해지지 않는다.
한편, 상기 공간전하층(S)의 두께는 플라즈마 에칭에 지장이 없는 한도로, 챔버(2)의 진공도, 고주파 발진 강도 등을, 조정하여 최소화할 수는 있으나, 완벽하게 그 영향에서 벗어날 수는 없다.
도 5는, 본 발명에 관련된 에칭 챔버로 웨이퍼(W)의 가장자리 부근을 에칭 한 결과를 도시한다.
웨이퍼(W)의 가장자리 끝에서 에칭 경계는, 상기 공간전하층(S)의 영향으로, 에칭각(θ)을 가지는 경사면(Ws)으로 형성되고, 점선으로 표시된 부분은 에칭 된 부분과, 그 끝에 퇴적되어 있던 파티클(P)이다.
실제에 있어서, 상기 공간전하층(S)의 두께가 최소로 되도록 조절하여도, 에칭각(θ)은 2 ~ 3도로 되고, 이 정도의 에칭각에서는 웨이퍼의 소자가 손상되지 않는다.
상기 에칭각(θ)을, 0에 가깝게 하기 위하여, 도 6의 도시와 같이, 상측에 위치하는 절연체(34)의 외주면에 웨이퍼(W)와 평행하게 홈(64)을 새긴다.
절연체(34)가 상기 홈(64)을 갖추면, 그 외주면을 타고 흘러 나오는 반응가스는, 홈(64)의 내주 면에 이르러, 도시한 바와 같이, 홈(64)에 따라 변곡되는 것에 의해 플라즈마도 확산되는 모양으로 되며, 여기에서 생성되는 중성 F 라디칼(R)은, 그 하측의 공간전하층(S)을 투과하여 웨이퍼(W)의 표면에 대해, 직각으로 충돌하게 되므로, 최적의 에칭 형상, 즉, 도 7의 도시와 같이, 웨이퍼(W)의 가장자리 끝의 약간 내측에서, 에칭 경계는 거의 수직으로 된다.
실제에 있어서, 상기 홈(64)의 최적한 깊이(D)는 1.8mm이었다.
상술한 실시 예는, 캐소드(14)와 1쌍의 애노드(22)(36)를 갖춘 구성에 대하여 설명하고 있으나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
도 8은 본 발명에 관련된 에칭 챔버의 다른 실시 예를 도시하는 것으로, 상기 실시 예와 동일한 부분에는, 동일 부호로 표시하고 있다.
이 실시 예는, 스테이지(10)의 외주에 링 상의 하부 애노드(22) 대신에, 링 상의 하부 캐소드(66)를 부착하고, 플라즈마 발진기(16)에 접속시킴과 아울러, 링 상의 상부 애노드(36) 외측으로 뷰링(68)을 부착하여 반응가스의 확산을 억제할 수 있게 한 구성으로 되어 있다.
상기 뷰링(68)은, 링 상의 애노드(36)와 하부 캐소드(66)의 주위를 기계적으로 실드 하여, 반응가스가 외부로 퍼지지 않고 수렴되면서, 웨이퍼(W)의 가장자리 밑면 부근을 경유하여 흘러 나가도록, 안내하는 것에 의해, 상기 웨이퍼(W)의 상면에서 밑면에 이르는 부분으로 충분하게 플라즈마(Ps)를 발생시키게 하는 작용을 한다.
뷰링(68)을 갖춘 구성에 있어서, 반응가스의 흐름 압력은 상기 뷰링(68)의 내주 면과, 링 상의 캐소드(66)의 외주면과의 간격(G)을 적절하게 설정하는 것으로, 조절할 수 있다. 이것은, 플라즈마가 발생되는 영역을 제한하는 것에 의해, 작은 동력으로도 플라즈마를 일으킬 수 있다.
이 실시 예에 있어서도, 상술한 실시 예에서와 동일한 목적으로 절연체(34)의 외주에 홈(64)을 형성할 수 있다.
또, 도 9의 도시와 같이, 절연체(34)의 외주에 홈(64)을 새기고, 상기 뷰링(68)을 생략하여도, 소망의 플라즈마 에칭 기능을 얻을 수 있다.
이 경우에, 상하로 대향 배치된 링 상의 상부 애노드(36)와 링 상의 하부 캐소드(66)와의 사이로, 방전 시켜서 플라즈마(Ps)가 발생하게 하면, 반응가스 출구(38)를 거쳐 흘러나오는 반응가스가, 주변으로 흩어져 흐름이 약화되는 것에 의해, 가장자리 끝의 에칭은 충분치 않게 될 우려도 있으나, 상기 홈(64)에 의해 발생하는 공간전하층(S)의 변곡점에 기초하는 최적의 에칭 영역을, 웨이퍼(W)의 가장자리 끝에 일치시키는 것으로, 소망하는 웨이퍼(W)의 가장자리 끝의 에칭을 실현할 수 있다.
상술한 구성을 특징으로 하는 본 발명의 에칭 챔버는, 건식 세정 과정에서 플라즈마에 의한 고열이 발생하게 되지만, 스테이지(10)와, 스템(24)은 냉각되는 구조를 가지고 있으므로, 가열 문제는 일어나지 않는다. 이 때, 냉매로는 탈 이온수(초순수)가 좋다.
또, 도 8 및 도 9에 도시한 실시 예에 있어서도, 도 2 및 도 3에 도시한 수단을, 더욱 갖출 수 있음은 물론이다.
본 발명에 관련된 에칭 챔버를 이용하여, 도 10에 도시한 에칭 시스템을 실현할 수 있다.
도 10의 시스템에 있어서, 챔버(2)는 복수 열로 배치되고, 그 전단 측에는 일반의 핸들러(70)를 중심으로 하여, 복수의 카세트 받침(72)과, 웨이퍼 정렬부(74)가 소정 위치마다 배치되어 있다. 웨이퍼(W)는 카세트(C)에 수납된 채로, 복수의 카세트 받침(72) 중의 어느 하나로 공급된다.
이 경우에, 상기 카세트 받침(72)은 도시하지 않은 센서에 의해 제어되는 구동수단으로 일정 각도 자전 조절되도록 하여, 카세트(C)로부터 핸들러(70)가 웨이퍼(W)를 바른 자세로 취출할 수 있게 하는 것이 바람직하다.
또, 상기 카세트 받침(72)의 주변에 임의의 비 안전지역을 설정하고, 그 주위에 인체 감지 센서(76)를 배치해서, 상기 핸들러(70)의 구동 중에, 상기 비 안전지역의 안으로 작업자의 신체 일부가 들어오면, 이를 센싱 하여 상기 핸들러(70)의 작동을 중단시키게 하는 것도 가능하다.
상기 핸들러(70)는 카세트(C)에서 취출한 웨이퍼(W)를, 일단, 웨이퍼 정렬부(74)로 이송하여 재치 시킨다. 이 웨이퍼 정렬부(74)는, 일반의 구동수단에 의해, 미리 설정된 각도만큼 자전하여, 인수된 웨이퍼(W)를, 챔버(2)의 장입에 알맞은 방향으로, 즉, OF위치로 맞춰지도록 자세 교정 시키는 것이다.
웨이퍼 정렬부(74)로 정렬을 끝낸 웨이퍼(W)는, 핸들러(70)에 의해 취출되어서, 챔버(2)의 게이트(6)로 입장되어, 스테이지(10) 상으로 재치 된다.
스테이지(10) 상에 재치 된 웨이퍼(W)는, 다시, 얼라이너(58)에 의해 최후로 OF위치를 맞추게 자세 교정되고, 게이트(6)의 도어(4)가 닫히면, 챔버(2)의 내부 공간(8)은 외부로부터 격리되어서 진공으로 된다. 이어서 상측의 스템(24)이 하강하여, 스테이지(10)에 재치 된 웨이퍼(W) 상방에서 대향 위치로 정지한다.
이 때, 스템(24)의 하강은 레이저 센서(56)에 의해 측정되고, 웨이퍼(W)와의 사이가, 에칭에 최적한 간격을 이루도록 제어되고, 설정된 범위를 벗어나면, 작동이 중단됨과 아울러, 경보를 울린다.
상기 스템(24)이, 정해진 위치까지 하강하면, 외부에서 불활성가스와 반응가스가 공급되면서, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 가장자리 끝이 에칭 된다.
에칭이 종료되면, 상기 스템(24)은 상승 복귀하고 도어(4)가 열리며, 핸들러(70)는 에칭 된 웨이퍼(W)를 회수하여, 카세트(C)로 반송하여 반납한다. 이렇게 회수된 웨이퍼(W)는 이후 공정으로 이송된다.
본 발명에 있어서, 웨이퍼(W)의 양/불량 검사는 통상적인 샘플링에 의한 판정방식으로 행한다.
도 10의 미설명 부호 78은 챔버(2)로 냉매를 공급하여 순환시키는 냉각기이고, 다른 미설명 부호 80은 챔버(2)와 플라즈마 발진기(16) 사이로 개재되는 전력 매칭기 이다. 이들은 예시에 지나지 않고, 하나의 챔버(2)마다 전용화 되도록, 각각 복수로 마련되어 있으나, 단일의 유니트로 복수의 챔버(2)에 공용화(共用化)시켜도 무방하다.
본 발명에 관련된 에칭 시스템의 다른 실시 예로서, 도 11은 핸들러(70)를 중심으로 하고, 그 주위에 다수 배열된 챔버(2)를 갖추고, 상기 핸들러(70)의 출입 단에 복수의 로드락 챔버(82)가 배치됨과 아울러, 이 로드락 챔버(82)에 인접하여 일반의 반도체 공정에서 연속하는 복수의 로드 포트(84)가 배치되고, 상기 로드락 챔버(82)와, 로드 포트(84) 사이로, 웨이퍼(W)는 보조 핸들러(86)에 의해 운반되고, 상기 로드락 챔버(82)로 장입 되기 전에 얼라이너(88)를 경유하여 자세 교정된 후에 장입 되는 시스템으로 구성되어 있다.
이 실시 예에 도시한 시스템에 있어서도, 웨이퍼(W)의 장입과 취출, 그리고, 자세 교정 등은, 상술한 실시 예와 동일하게, 핸들러, 얼라이너 등에 의해 행해지는 것이나, 가장 많은 수의 챔버(2)를 배치할 수 있고, 또, 웨이퍼의 건식 세정을 축차제어의 일괄공정에 의한 자동화로 할 수 있다.
본 발명은 일반의 건식 세정 공정에서 웨이퍼의 가장자리 끝으로 퇴적되는 파티클을, 플라즈마로 건식 에칭하는 공정에 있어서, 웨이퍼 가장자리의 상면에서 측면을 거쳐 밑면에 이르는 부분을, 단일공정으로 에칭 할 수 있고, 또 웨이퍼의 가장자리 끝만 정확하게 에칭 할 수 있는 장점을 가진다.
따라서, 웨이퍼의 가장자리에서, 소망하는 부위를, 짧은 가동시간으로 에칭 할 수 있어서, 단위시간당 처리율도 높고, 종래의 습식세정 반도체소자의 원가 절감에 기여하는 바가 크며, 게다가 종래의 습식세정을 생략하는 것에 의해, 공정도간단하게 되는 이점을 가진다.

Claims (11)

  1. 웨이퍼를 스테이지 상에 재치 하여, 가장자리 부분이 링 상의 상 하부 전극 사이로 위치되게 하고, 상기 웨이퍼의 중심부로는, 상측의 스템 중심을 거쳐 질소가스를 불어 넣어 비 방전영역으로 함과 아울러, 상기 스템의 가장자리로는 반응가스를 불어 넣으면서, 가스 방전을 행하여, 상기 웨이퍼의 가장자리만 에칭 되게 하는 플라즈마 에칭 챔버에 있어서,
    상기 스테이지의 내부에 설치되어서 웨이퍼로 고주파를 인가하는 캐소드와,
    상기 스테이지의 외주에서 상기 웨이퍼의 가장자리 보다 낮은 위치로 배치되는 링 상의 하부 애노드와,
    상기 스테이지의 상방으로 승강 가능하게 설치되는 스템과,
    상기 스템의 밑면에 부착되고 상기 스테이지의 상면과 대향하는 밑면의 중앙에 오목부를 보유하는 절연체와,
    상기 절연체의 외주에서 반응가스 출구를 사이에 두고 배치되는 링 상의 상부 애노드로 이루어지고, 상기 웨이퍼의 가장자리와 링 상의 상 하부 애노드 사이로 플라즈마를 발생하는 구성으로 된 플라즈마 에칭 챔버.
  2. 웨이퍼를 스테이지 상에 재치 하여 가장자리 부분이 링 상의 상 하부 전극 사이로 위치되게 하고, 상기 웨이퍼의 중심부로는, 상측의 스템 중심을 거쳐 질소가스를 불어 넣어 비 방전영역으로 함과 아울러, 상기 스템의 가장자리로는 반응가스를 불어 넣으면서, 가스 방전을 행하여, 상기 웨이퍼의 가장자리만 에칭 되게 하는 플라즈마 에칭 챔버에 있어서,
    상기 챔버의 내부에 배치되는 링 상의 캐소드와.
    상기 챔버의 내측 상방에 배치된 상기 스템의 밑면으로 부착되어서, 중심부의 방전을 방지하기 위하여 오목부가 형성되어 있는 절연체와,
    상기 절연체의 외주에 배치되어서 상기 링 상의 캐소드와 대향 위치하고, 그 사이로 플라즈마를 일으키는 링 상의 애노드와,
    상기 링 상의 애노드 외주에 배치되어서, 상기 링 상의 캐소드와 애노드와의 사이를 통과하는 반응가스의 유로를 제어하기 위한 간격을 형성하는 뷰링을 포함한 구성으로 된 플라즈마 에칭 챔버.
  3. 상기 절연체는, 그 외주면 소정 개소에 홈을 새겨서, 반응가스의 흐름에 변곡점이 생기게 한 것을 특징으로 하는 청구범위 1항 또는 2항에 기재된 플라즈마 에칭 챔버.
  4. 상기 절연체의 두께는, 15mm 이상으로 설정된 것을 특징으로 하는 청구범위 1항 또는 2항에 기재된 플라즈마 에칭 챔버.
  5. 상기 스테이지의 상면을 피복하는 절연판과, 상기 절연판의 하측에서 상방으로 출몰 가능하게 배치된, 적어도, 3개의 수직핀과, 상기 스테이지의 내부에서 상기 수직핀을 승강 시키는 플레이트를 더 갖춘 것을 특징으로 하는 청구범위 1항 또는 2항에 기재된 플라즈마 에칭 챔버.
  6. 상기 홈의 깊이가 1.8mm로 설정된 것을 특징으로 하는 청구범위 2항에 기재된 플라즈마 에칭 챔버.
  7. 상기 링 상의 상부 애노드와 웨이퍼 상면과의 사이 간격을 측정하기 위한 레이저 센서를 더 갖춘 것을 특징으로 하는 청구범위 1항 또는 2항에 기재된 플라즈마 에칭 챔버.
  8. 상기 스테이지의 주위로 등분 배열되는 실린더와, 상기 실린더 각각에 있어서 동시에 같은 길이로 신장되는 피스톤 로드를 포함한 얼라이너를 더 갖춘 것을 특징으로 하는 청구범위 1항 또는 2항에 기재된 플라즈마 에칭 챔버.
  9. 웨이퍼를 스테이지 상에 재치 하여, 가장자리 부분이 링 상의 상 하부 전극 사이로 위치되게 하고, 상기 웨이퍼의 중심부로는, 상측의 스템 중심을 거쳐 질소가스를 불어 넣어 비 방전영역으로 함과 아울러, 상기 스템의 가장자리로는 반응가스를 불어 넣으면서, 가스 방전을 행하여, 상기 웨이퍼의 가장자리만 에칭 되게 하는 플라즈마 에칭 챔버에 있어서,
    상기 웨이퍼가 재치 되는 스테이지에 캐소드를 배치하여, 상기 웨이퍼로 고주파가 인가되게 하고, 상기 스테이지의 외주에 배치된 링 상의 하부 애노드 및, 상기 스테이지의 상방에 대향하는 절연체의 외주로 배치된 링 상의 상부 애노드가, 대향하는 상기 웨이퍼의 가장자리와의 사이로, 동시에 방전을 행하여, 상기 웨이퍼의 가장자리 상면에서 밑면에 이르는 영역을 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버.
  10. 웨이퍼가 수납된 카세트를 접수하는 복수의 카세트 받침과,
    취출된 웨이퍼를 챔버로 장입 하기 전에, OF위치를 맞추도록 자세 교정 시키는 웨이퍼 정렬부와,
    장입 된 웨이퍼의 가장자리를 플라즈마 에칭하는 복수의 챔버와,
    상기 웨이퍼의 장입과 취출을 행하는 핸들러를 갖춘 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 시스템.
  11. 웨이퍼가 수납된 카세트를 접수하는 복수의 로드 포트와,
    취출된 웨이퍼를 챔버에 장입 하기 전에, OF 위치를 맞추도록 자세 교정 시키는 웨이퍼 정렬부와,
    자세 교정된 웨이퍼나, 또는 에칭 된 웨이퍼를 임시로 수납하는 복수의 로드락 챔버와,
    상기 로드포트와 상기 웨이퍼 정렬부 및, 로드락 챔버와의 사이에서 웨이퍼를 이송하는 보조 핸들러와,
    웨이퍼의 가장자리를 플라즈마 에칭하는 복수의 챔버와,
    상기 로드락 챔버에 수납된 웨이퍼를 취출하여 상기 챔버로 장입하고, 에칭 된 웨이퍼는 챔버에서 취출하여 로드락 챔버로 반납하는 핸들러를 갖춘 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 시스템.
KR1020047002945A 2003-05-12 2004-02-27 플라스마 에칭 챔버 KR100583418B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20030029783 2003-05-12
KR1020030029783 2003-05-12

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20-2004-0005789U Division KR200349874Y1 (ko) 2003-05-12 2004-03-04 플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050008637A true KR20050008637A (ko) 2005-01-21
KR100583418B1 KR100583418B1 (ko) 2006-05-25

Family

ID=33432432

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047002945A KR100583418B1 (ko) 2003-05-12 2004-02-27 플라스마 에칭 챔버
KR20-2004-0005789U KR200349874Y1 (ko) 2003-05-12 2004-03-04 플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20-2004-0005789U KR200349874Y1 (ko) 2003-05-12 2004-03-04 플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7615131B2 (ko)
EP (1) EP1560262B1 (ko)
JP (1) JP4122004B2 (ko)
KR (2) KR100583418B1 (ko)
CN (1) CN100397589C (ko)
AU (1) AU2003284723A1 (ko)
WO (1) WO2004100247A1 (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598915B1 (ko) * 2005-03-28 2006-07-10 세메스 주식회사 마이크로웨이브를 이용한 기판 가장자리 식각 장치
WO2008108604A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-12 Sosul Co., Ltd. Apparatus and method of processing substrates
KR101317160B1 (ko) * 2007-03-08 2013-10-11 램 리써치 코포레이션 플라즈마 식각 장치, 이를 포함하는 플라즈마 식각 시스템및 이를 이용하는 기판의 식각 방법
KR101380861B1 (ko) * 2007-11-09 2014-04-03 참엔지니어링(주) 플라즈마 에칭 챔버
KR101402235B1 (ko) * 2008-04-04 2014-05-30 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101413525B1 (ko) * 2008-04-04 2014-07-01 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101432562B1 (ko) * 2007-12-31 2014-08-21 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101433769B1 (ko) * 2008-02-05 2014-08-25 (주)소슬 베벨식각을 위한 반도체 제조장치
KR101468221B1 (ko) * 2007-02-02 2014-12-03 램 리써치 코포레이션 프로세스 챔버에서 프로세스 제외 및 프로세스 실행의영역들을 규정하는 장치
KR20150141140A (ko) * 2014-06-09 2015-12-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532354B1 (ko) * 2004-05-31 2005-11-30 삼성전자주식회사 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법
KR100635377B1 (ko) 2004-08-10 2006-10-17 세메스 주식회사 기판 가장자리 식각 장치
KR100646413B1 (ko) 2004-08-12 2006-11-15 세메스 주식회사 기판 가장자리 식각 장치 및 방법
KR101149332B1 (ko) * 2005-07-29 2012-05-23 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치
KR101218114B1 (ko) * 2005-08-04 2013-01-18 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치
US20070068623A1 (en) * 2005-09-27 2007-03-29 Yunsang Kim Apparatus for the removal of a set of byproducts from a substrate edge and methods therefor
US8475624B2 (en) * 2005-09-27 2013-07-02 Lam Research Corporation Method and system for distributing gas for a bevel edge etcher
US8083890B2 (en) * 2005-09-27 2011-12-27 Lam Research Corporation Gas modulation to control edge exclusion in a bevel edge etching plasma chamber
US7909960B2 (en) * 2005-09-27 2011-03-22 Lam Research Corporation Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer
KR101249247B1 (ko) 2005-12-21 2013-04-01 참엔지니어링(주) 플라즈마 에칭 챔버
US20070215049A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Transfer of wafers with edge grip
JP4410771B2 (ja) * 2006-04-28 2010-02-03 パナソニック株式会社 ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
US9184043B2 (en) * 2006-05-24 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge electrodes with dielectric covers
US7938931B2 (en) * 2006-05-24 2011-05-10 Lam Research Corporation Edge electrodes with variable power
WO2008005541A2 (en) * 2006-07-07 2008-01-10 Accretech Usa, Inc. Clean ignition system for wafer substrate processing
US7718542B2 (en) * 2006-08-25 2010-05-18 Lam Research Corporation Low-k damage avoidance during bevel etch processing
US20080128088A1 (en) * 2006-10-30 2008-06-05 Jusung Engineering Co., Ltd. Etching apparatus for edges of substrate
KR100823302B1 (ko) * 2006-12-08 2008-04-17 주식회사 테스 플라즈마 처리 장치
KR100978754B1 (ko) * 2008-04-03 2010-08-30 주식회사 테스 플라즈마 처리 장치
US20080277064A1 (en) * 2006-12-08 2008-11-13 Tes Co., Ltd. Plasma processing apparatus
US20080156772A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Yunsang Kim Method and apparatus for wafer edge processing
US8398778B2 (en) 2007-01-26 2013-03-19 Lam Research Corporation Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
US7858898B2 (en) * 2007-01-26 2010-12-28 Lam Research Corporation Bevel etcher with gap control
US8580078B2 (en) * 2007-01-26 2013-11-12 Lam Research Corporation Bevel etcher with vacuum chuck
US8268116B2 (en) * 2007-06-14 2012-09-18 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for protecting a region of process exclusion adjacent to a region of process performance in a process chamber
CN101241854B (zh) * 2007-02-06 2011-06-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆生产工艺
US8137501B2 (en) * 2007-02-08 2012-03-20 Lam Research Corporation Bevel clean device
CN101627461B (zh) * 2007-03-05 2012-01-11 朗姆研究公司 具有可变功率的边缘电极
KR101357698B1 (ko) * 2007-04-12 2014-02-04 (주)소슬 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
WO2008114958A1 (en) 2007-03-16 2008-09-25 Sosul Co., Ltd. Apparatus for plasma processing and method for plasma processing
JP2008243937A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US8069817B2 (en) * 2007-03-30 2011-12-06 Lam Research Corporation Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses
KR101342989B1 (ko) * 2007-05-03 2013-12-18 (주)소슬 기판 에지 식각 장치
JP2010524225A (ja) * 2007-04-02 2010-07-15 ソースル シーオー エルティディー 基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置
KR20120059630A (ko) * 2007-06-21 2012-06-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 테이블 상에 기판을 적재하는 방법, 디바이스 제조 방법, 컴퓨터 프로그램물, 데이터 캐리어 및 장치
KR101412620B1 (ko) * 2007-06-28 2014-06-26 램 리써치 코포레이션 플라즈마 식각 장치
US7981307B2 (en) * 2007-10-02 2011-07-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for shaping gas profile near bevel edge
WO2009070216A1 (en) * 2007-11-21 2009-06-04 Lam Research Corporation Bevel plasma treatment to enhance wet edge clean
CN101986777B (zh) * 2007-12-27 2014-02-19 朗姆研究公司 斜面蚀刻工艺之后的铜脱色防止
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
KR101404010B1 (ko) * 2008-03-06 2014-06-12 주성엔지니어링(주) 기판 가장자리 식각장치 및 이를 이용한 기판 가장자리식각방법
US8257503B2 (en) * 2008-05-02 2012-09-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for detecting plasma unconfinement
US8501283B2 (en) * 2010-10-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Methods for depositing bevel protective film
US20130098390A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Infineon Technologies Ag Device for processing a carrier and a method for processing a carrier
CN102956432B (zh) * 2012-10-19 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的大气压等离子体处理装置
KR101925581B1 (ko) 2012-11-23 2018-12-05 주식회사 원익아이피에스 챔버 세정 방법
CN103545164B (zh) * 2013-10-30 2016-06-15 大连理工大学 一种射频等离子体反应室
US9633862B2 (en) * 2015-08-31 2017-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
CN109392853A (zh) * 2018-11-19 2019-03-01 中国科学院南京地理与湖泊研究所 自动化鱼类电捕科学调查装置
KR20210144871A (ko) * 2019-04-30 2021-11-30 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 슬라이딩 대상물의 표면에 대한 슬라이딩 처리물의 공급 또는 배제 방법
CN112992637A (zh) * 2019-12-02 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法
KR102396431B1 (ko) 2020-08-14 2022-05-10 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
CN112863992B (zh) * 2021-01-12 2023-01-17 广东中图半导体科技股份有限公司 一种等离子刻蚀装置
KR102580583B1 (ko) * 2021-08-10 2023-09-21 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
CN115954302B (zh) * 2023-02-03 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 晶边刻蚀设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142449A (ja) 1993-11-22 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プラズマエッチング装置
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
US5848670A (en) * 1996-12-04 1998-12-15 Applied Materials, Inc. Lift pin guidance apparatus
US6146463A (en) * 1998-06-12 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for aligning a substrate on a support member
JP4055880B2 (ja) * 1999-06-02 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理監視用窓部材及びプラズマ処理装置用の電極板
KR100433008B1 (ko) * 2001-04-18 2004-05-31 (주)소슬 플라즈마 식각 장치
US6770166B1 (en) * 2001-06-29 2004-08-03 Lam Research Corp. Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor
JP2002324829A (ja) 2001-07-13 2002-11-08 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR100442194B1 (ko) * 2002-03-04 2004-07-30 주식회사 씨싸이언스 웨이퍼 건식 식각용 전극

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598915B1 (ko) * 2005-03-28 2006-07-10 세메스 주식회사 마이크로웨이브를 이용한 기판 가장자리 식각 장치
KR101468221B1 (ko) * 2007-02-02 2014-12-03 램 리써치 코포레이션 프로세스 챔버에서 프로세스 제외 및 프로세스 실행의영역들을 규정하는 장치
WO2008108604A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-12 Sosul Co., Ltd. Apparatus and method of processing substrates
KR101317160B1 (ko) * 2007-03-08 2013-10-11 램 리써치 코포레이션 플라즈마 식각 장치, 이를 포함하는 플라즈마 식각 시스템및 이를 이용하는 기판의 식각 방법
KR101380861B1 (ko) * 2007-11-09 2014-04-03 참엔지니어링(주) 플라즈마 에칭 챔버
KR101432562B1 (ko) * 2007-12-31 2014-08-21 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8864936B2 (en) 2007-12-31 2014-10-21 Charm Engineering Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
KR101433769B1 (ko) * 2008-02-05 2014-08-25 (주)소슬 베벨식각을 위한 반도체 제조장치
KR101402235B1 (ko) * 2008-04-04 2014-05-30 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101413525B1 (ko) * 2008-04-04 2014-07-01 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20150141140A (ko) * 2014-06-09 2015-12-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003284723A1 (en) 2004-11-26
CN1692475A (zh) 2005-11-02
EP1560262A1 (en) 2005-08-03
JP4122004B2 (ja) 2008-07-23
CN100397589C (zh) 2008-06-25
EP1560262A4 (en) 2007-08-15
KR100583418B1 (ko) 2006-05-25
EP1560262B1 (en) 2017-08-23
US7615131B2 (en) 2009-11-10
JPWO2004100247A1 (ja) 2006-07-13
US20050173067A1 (en) 2005-08-11
WO2004100247A1 (ja) 2004-11-18
KR200349874Y1 (ko) 2004-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200349874Y1 (ko) 플라즈마 에칭 챔버와, 이를 이용한 플라즈마 에칭 시스템
US4209357A (en) Plasma reactor apparatus
KR100265288B1 (ko) 반도체소자 제조용 식각장치의 배플
US8864936B2 (en) Apparatus and method for processing substrate
US8852387B2 (en) Plasma processing apparatus and shower head
KR20010102395A (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
JP2001230239A (ja) 処理装置及び処理方法
KR20140144647A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2003051490A (ja) プラズマ処理装置
KR100419585B1 (ko) 이온주입시스템용이온빔실드
KR101218052B1 (ko) 배플, 플라즈마 장치, 및 기판처리방법
KR101297711B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
KR20060060997A (ko) 웨이퍼 에지 식각 장치
KR100734778B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JPH07102372A (ja) 被処理物の真空処理方法及び装置
KR100504541B1 (ko) 화학기상 증착장비 및 이의 제조방법
KR100994463B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR101040941B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20080026340A (ko) 배플 플레이트를 구비한 플라즈마 처리 장치
KR20150116003A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법
KR101213391B1 (ko) 기판처리장치
JPH0737864A (ja) 被処理物の真空処理方法及び装置
US20040113100A1 (en) Polarity exchanger and ion implanter having the same
KR20030093794A (ko) 쉴드 링을 갖는 플라즈마 챔버 장치
JPH11310887A (ja) 反応性イオンエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Request for invalidation trial [patent]
J206 Request for trial to confirm the scope of a patent right
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_DEFENSIVE REQUESTED 20060728

Effective date: 20061220

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20060728

Effective date: 20070228

G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140520

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150508

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160519

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170519

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180521

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190507

Year of fee payment: 14