KR20010102395A - 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 - Google Patents

진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010102395A
KR20010102395A KR1020017010855A KR20017010855A KR20010102395A KR 20010102395 A KR20010102395 A KR 20010102395A KR 1020017010855 A KR1020017010855 A KR 1020017010855A KR 20017010855 A KR20017010855 A KR 20017010855A KR 20010102395 A KR20010102395 A KR 20010102395A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
exhaust port
mounting table
processing unit
central axis
Prior art date
Application number
KR1020017010855A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100446875B1 (ko
Inventor
아마노히데아키
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 히가시 데쓰로
Publication of KR20010102395A publication Critical patent/KR20010102395A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100446875B1 publication Critical patent/KR100446875B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Abstract

반도체 웨이퍼(W)에 필름 증착 처리 가하기 위한 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 웨이퍼 재채대(3)가 진공용기(2)의 중앙에 설치된다. 재치대(3)는 지지부(6)를 경유해 측벽(63)에 장착된다. 상기 재치대(3)의 직경과 동일하거나 그보다 작은 직경을 갖는 배기 포트(9)가 재치대(3) 아래에 설치된다. 배기 포트(9)의 중심축(C1)은 재치대(3)의 중심축으로부터 지지부(6)의 연장방향과 반대방향으로 변위되며, 그에 따라 효과적인 배기를 달성한다.

Description

진공 처리 장치 및 진공 처리 방법{VACUUM PROCESSING APPARATUS}
반도체 웨이퍼(이하 "웨이퍼"라 칭함)를 처리하기 위한 플라즈마 CVD(화학 증착 : chemical vapor deposition) 장치가 있다. 종래에 평행한 평판형 CVD 장치가 상기한 종류의 장치로서 공지되어 있다. 평행한 평판형 CVD 장치에 있어서, 하부 전극을 구성하는 웨이퍼 재치대(wafer placement stage)는 진공용기의 중앙에 배치되고, 상부 전극을 구성하는 가스 공급부는 재치대와 대향하도록 설치된다. 플라즈마는 상부 전극과 하부 전극 사이에 전압을 가함으로써 발생되고, 발생된 플라즈마는 웨이퍼상에 소정의 얇은 필름을 형성하도록 웨이퍼로 조사된다. 웨이퍼상에 형성된 얇은 층의 면내 균일성(in-surface uniformity)은 진공용기로부터의 배기의 등방성에 의해 상당히 영향을 받는다. 따라서, 배기 포트는 배기의 등방성을 확보하도록 재치대 바로 아래에 설치된다.
반면에, 플라즈마 CVD 장치에서 갭 충전 특성(gap fill characteristic)을향상시키기고자 하는 기술적 요구가 있다. 갭 충전 특성을 향상시키기 위해서, 대 유량(large flow) 및 고 진공 프로세스가 요구되며, 이는 종래의 장치에 의해 달성될 수 없다. 그 이유는 도 1을 참조하여 상술된다.
도 1에 도시된 플라즈마 CVD 장치는 원통형 진공용기(11)와, 하부 전극을 구성하는 대체로 원형 재치대(12)와, 재치대(12)용 지지부(14)와, 상부 전극을 구성하는 가스 공급부(13)와, 배기 포트(15)와, 터보-분자 펌프(turbo-molecular pump)(16)를 포함한다. 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)는 재치대(12)상에 위치된다.
최근에, 재치대(12)의 직경은 반도체 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라 증가한다. 따라서, 배기 포트(15)의 직경과 동일하거나 또는 그 이상의 직경을 갖는 재치대(12)가 배기 포트(15)의 바로 위에 존재한다. 즉, 가스 공급부(13) 위에서 보았을 때, 배기 포트(15)는 전체 배기 포트(15)가 재치대(12)에 의해 덮여진 상태로 있다. 상기 구조체에 있어서, 진공용기(11)내에서 이동하는 가스 분자와 같은 입자는 직선으로 이동하여 배기 포트(15)에 도달할 수 없다. 따라서 배기 효율이 저하된다고 하는 문제점이 있다.
발명의 요약
본 발명의 일반적인 목적은 전술된 문제점이 제거된 향상되고 유용한 진공 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 보다 특별한 목적은 대직경을 갖는 피처리체에 대해서도 높은 배기 효율 및 도달 진공도(ultimate vacuum)를 달성할 수 있는 진공 처리 장치를 제공하는 것이다.
전술된 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공용기내에 설치된 실질적으로 원형인 재치대상에 피처리체가 배치되고, 상기 진공용기에 처리 가스를 공급함으로써 상기 피처리체에 소정의 처리를 가하기 위한 진공 처리 장치에 있어서, 진공용기는 재치대 아래에 실질적으로 원형인 배기 포트를 가지며, 배기 포트는 재치대의 직경과 동일하거나 또는 그보다 작은 직경을 가지며, 배기 포트(9)의 중심축은 재치대의 중심축으로부터 변위되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 재치대 위에서 보았을 때 배기 포트 부분이 재치대로부터 돌출하기 때문에, 높은 배기 속도가 달성되며, 도달 진공도가 증가된다.
본 발명에 따른 진공 처리 장치는 진공용기의 측벽으로부터 진공용기의 중앙쪽으로 연장시킴으로써 재치대를 지지하는 지지부가 제공될 수 있으며; 상기 재치대의 중심축에 대한 배기 포트의 중심축의 변위 방향은 지지부의 연장 방향과 대향된 방향이다.
재치대의 지지부 아래의 영역이 지지부에 의해 덮이기 때문에, 만일 배기 포트가 상기 영역으로 돌출하는 경우, 배기 효율의 향상 효과가 작다. 따라서, 배기 포트가 재치대의 지지부의 연장 방향과 대향된 방향으로 돌출하도록 함으로써, 배기 효율은 최대로 향상될 수 있다.
전술된 발명에 있어서, 지지부는 중공형 구조를 가질 수 있으며, 유틸리티 공급 라인(utility supply line)이 그내에 제공될 수 있다. 또한, 유틸리티 공급 라인은 적어도 하나의 가스 공급 라인과, 냉매 공급 라인과, 전력 공급 라인을 포함할 수 있다. 또한, 지지부는 진공용기에 착탈식으로 부착될 수 있다.
또한, 전술된 발명에 있어서, 재치대를 둘러싸기 위한 배플판이 제공될 수 있다. 배플판은 다수의 개구를 갖는 것이 바람직하며, 배기 포트가 변위되는 측면상의 개방 면적비는 대향 측면상의 개방 면적비보다 작을 수 있다.
또한, 전술된 발명에 있어서, 재치대의 중심축에 대한 배기 포트의 중심축의 변위는 배기 포트 직경의 11분의 1과 동일하거나 또는 그보다 작은 것이 바람직하다. 배기 포트는 진공용기를 10㎩보다 낮은 압력으로 유지시킬 수 있는 용량을 갖는 진공 펌프에 연결되는 것이 바람직하다. 진공 펌프는 터보-분자 펌프일 수 있다.
또한, 전술된 발명에 있어서, 실질적으로 원형인 샤워헤드를 구성하는 가스 공급부가 진공용기내에 설치되고, 샤워헤드의 중심축이 재치대의 중심축과 일치하는 것이 바람직하다.
재치대 및 가스 공급부는 피처리체에 필름 증착 처리를 가하도록 구성될 수 있다. 또한, 상부 전극 및 하부 전극은 서로 대향하도록 제공될 수 있으며, 발생된 플라즈마에 의해 피처리체에 필름 증착 처리를 가하기 위해, 처리 가스의 플라즈마는 상부 전극과 하부 전극 사이에서 발생된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 진공용기내에서 피처리체에 소정의 처리를 가하기 위한 진공 처리 방법에 있어서, 진공용기의 배기 포트 위의 위치에 피처리체를 배치시키는 단계로서, 상기 피처리체의 중심이 소정의 거리만큼 배기 포트의 중심으로부터 수평으로 변위되는, 상기 배치 단계와; 피처리체에 대해서 배기 포트와 대향된 측면으로부터 피처리체에 처리 가스를 공급하고, 소정의 처리를 가하도록 배기 포트를 통해 처리 가스를 배기시키는 단계를 포함한다. 소정의 처리는 필름 증착 처리일 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련하여 하기의 상세한 설명을 참조함으로써 보다 명백해질 수 있다.
본 발명은 진공 처리 장치 장치, 특히 진공하에서 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체에 필름 증착 처리 등을 가하는 진공 처리 장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 진공 처리 장치의 구조를 도시하는 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 CVD 장치의 단면도,
도 3은 진공용기, 재치대 및 지지부의 사시도,
도 4는 배기 포트 및 재치대의 평면도,
도 5는 도 2에 도시된 플라즈마 CVD 장치에 사용되는 배플판의 평면도,
도 6은 재치대의 중심축에 대한 배기 포트의 중심축의 변위와 유효 배기 속도 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 2를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 진공 처리 장치의 상세한 설명이 하기에 주어진다. 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 진공 처리 장치는 플라즈마 CVD 장치이며, 이 플라즈마 CVD 장치는 피처리체로서의 웨이퍼에 CVD 처리를 가한다. 플라즈마 CVD 장치는 알루미늄으로 제조된 원통형 진공용기(2)를 포함한다. 진공용기(2)는 웨이퍼(W)의 반송구를 개방 및 폐쇄하기 위한 게이트 밸브(21)를 구비한다. 대체로 원형인 재치대(3)는 피처리체인 웨이퍼(W)를 위치시키도록 진공용기(2)의 상부에 설치된다. 재치대(3)는 대체로 원형인 재치부(4)와, 재치부(4)의 직경보다 약간 큰 직경을 갖는 대체로 원형인 베이스부(5)[재치부 지지대(I)]를 포함한다.
정전기 척을 구성하는 척 전극(chuck electrode)(41)은 재치부(4)의 표면 근처에 매설된다. 또한, 가열기(42)는 척 전극(41) 아래에 매설되며, 상기 가열기는 웨이퍼(W)의 온도를 조절하기 위한 온도 제어 유닛을 구성한다. 또한, 척 전극(41)은 고주파 전력을 인가하기 위한 하부 전극으로서 작동한다. 냉매 유로(51)가 베이스부(5)에 형성되어, 이 냉매 유로(51)를 통해 냉매를 유동시킴으로써 베이스부(5)를 소정의 온도로 냉각시킨다. 또한, 헬륨 가스 공급로(52)(도면에 단일선으로 표시됨)가 베이스부(5)에 제공된다. 헬륨 가스는 헬륨 가스 공급로(52)를 통해 재치부(4)와 베이스부(5) 사이의 소형 갭으로 공급되고, 헬륨 가스의 압력을 제어함으로써 베이스부(5)로부터 재치부(4)로의 열 전달을 제어한다. 그에 따라, 가열기(42)와 함께 웨이퍼(W)의 온도를 조절한다.
진공용기(2)내의 재치대(3)[재치부(4)와 베이스부(5)]의 지지 구조에 대한 상세한 설명이 주어진다. 도 2에 도시된 바와 같이, 재치대(3)는 베이스부(5)의 직경과 대략 동일한 직경을 갖는 중공 원통형부(61)상에 지지된다. 중공 직사각형 칼럼부(62)는 원통형부(61)의 측면에 연결되고, 원통형부(61)의 내측 공간 및 직사각형 칼럼부(62)의 내측 공간은 서로 연통된다. 직사각형 칼럼부(62)는진공용기(2)의 측벽(63)을 관통함으로써 외측으로 연장하여, 진공용기(2)의 외측 공간으로 개방된다. 즉, 직사각형 칼럼부(62)의 내측 공간은 진공용기(2)의 외측 공간과 연통한다. 직사각형 칼럼부(62)의 개구는 뚜껑 부재(도면에 도시되지 않음)에 의해 폐쇄될 수 있다. 측벽(63)은 직사각형 칼럼부(62)에 연결되고, 측벽(63)과 함께 직사각형 칼럼부(62)는 분리될 수 있으며 진공용기(2)의 다른 측벽(22)에서 제거될 수 있다. 도 2에 도시된 구조에 있어서, 중공 구조를 가지며 재치대(3)를 지지하는 지지부(6)는 원통형부(61) 및 직사각형 칼럼부(62)에 의해 구성된다.
베이스부(5)는 그의 중앙에 구멍(5a)이 제공되고, 접속부(64)는 구멍(5a)을 폐쇄하도록 원통형부(61)에 제공된다. 냉매 유로(51)에 연결된 냉매 유로(64a)는 접속부(64)에 형성된다. 냉각수는 지지부(6)의 내측 공간으로 연장하는 유로 부재(65)로부터 냉매 유로(64a, 51)로 공급되며, 유로 부재(65)는 예를 들면 냉각수 공급원과 같은 외측 냉매 공급원(도면에 도시되지 않음)에 연결된다.
전력 공급선(43)의 단부는 척 전극(41)에 연결된다. 전력 공급선(43)은 접속부(64)를 통해 연장하고, 직사각형 칼럼부(62)의 중공부를 경유해 외측 정합 박스(M1)내로 들어가서 고주파 전원(E1)에 접속된다. 또한, 전력 공급선(43)은 정전기 척용 직류 전원(도면에 도시되지 않음)에 접속된다. 절연 파이프(66)는 접속부(64)와 정합 박스(M1) 사이에 제공되며, 전력 공급선(43)은 절연 파이프(66)를 통해 연장한다. 또한, 전력 공급선(44)의 단부는 가열기(42)에 접속되고, 전력 공급원(44)은 접속부(64)를 통해 연장하고 절연 파이프(66)를 통과함으로써 정합박스(M1)에 들어간다. 또한, 헬륨 가스 공급로(52)는 지지부(6)의 내측 공간을 통해 연장하여 외측 가스 공급원(도면에 도시되지 않음)에 접속된다. 도 2에 도시된 실시예에 있어서, 가스 공급로(52), 유로 부재(65) 및 전력 공급선(43, 44)은 유틸리티 공급 라인에 해당한다.
재치대(3)에는 3개의 리프트 핀(7)이 제공되며, 상기 리프트 핀(7)은 원주방향으로 배치되고 재치대(3)를 관통하여, 웨이퍼(W)를 위로 밀어올린다. 리프트 핀(7)은 지지부(6)의 외측에 설치된 승강기구(71)에 의해 지지부(6)에 설치된 승강 부재(72)를 경유해 수직으로 이동가능하다. 리프트 핀(7)이 그 내에 제공되는 각각의 관통 구멍은 벨로우즈(73)에 의해 밀봉됨을 알 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 배면 또는 베이스부(5)의 온도를 검출하기 위한 센서(도면에 도시되지 않음)의 신호선이 지지부(6)의 내측 공간에 제공된다. 또한, 센서의 신호선 및 전력 공급선은 유틸리티 공급 라인에 해당한다.
샤워헤드를 구성하는 가스 공급부(8)는 재치대(3)와 대향하도록 진공용기(2)의 천장에 제공된다. 정합 박스(82)는 냉각부(81)를 거쳐 가스 공급부(8)상에 장착되며, 상기 냉각부(81)에는 냉매 유로(81a)가 형성된다. 가스 공급부(8)는 처리 가스를 배출하도록 구성되며, 상기 처리 가스는 가스 공급 파이프(83)를 거쳐 다수의 개구(84)를 통과하여 웨이퍼(W)로 공급된다. 또한, 가스 공급부(8)는 상부 전극으로서 작동하며, 정합 박스(82)내의 고주파 전원(E2)에 접속되고, 진공용기(2)와는 절연된다.
배플판(20)은 재치대(3)의 외면과 진공용기(2)의 내벽 사이에 설치된다. 배플판(20)은 개방 면적비가 대략 25%인 다수의 개구를 갖는다. 배기 포트(9)는 진공용기(2)의 바닥에 형성되고, 상기 배기 포트는 재치대(3)의 직경과 대략 동일하거나 또는 그보다 작은 직경을 갖는다. 재치대(3)의 직경은 재치대에서 최대 직경이다. 즉, 도 2에 도시된 실시예에 있어서, 재치대(3)의 직경은 베이스부(5)의 직경에 해당하며, 베이스부(5)의 직경은 288㎜ 이고, 배기 포트(9)의 직경은 270㎜ 이다. 진공 펌프로서의 터보-분자 펌프(91)는 배기 포트(9)에 접속된다.
배기 포트(9)의 중심축(C1)은 재치대(3)의 중심축(C2)으로부터 변위된다. 변위 방향은 지지부(6)와 대향된 방향, 즉 지지부(6)가 진공용기(2)의 측면쪽으로 연장하는 방향의 반대 방향이다. 또한, 배기 포트(9)의 중심축(C1)과 재치대(3)의 중심축(C2) 사이의 거리인 변위(D)는 15㎜로 설정된다. 변위(D)를 설정하는 방법은 하기에 상술된다.
전술된 플라즈마 CVD 장치의 작동에 대한 상세한 설명이 하기에 주어진다. 첫째로, 진공용기(2)는 소정의 진공이 형성될 때까지 배기된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반송 암(도면에 도시되지 않음)에 의해 게이트 밸브(21)를 통해 진공용기(2)내로 반송되며, 웨이퍼(W)는 재치대(3)상에 배치된다. 재치대(3)상의 웨이퍼(W)의 배치는 수직으로 이동하는 리프트 핀(7)에 의해 이루어진다. 그런 후, 진공용기(2)는 소정의 진공도, 예를 들면 0.266㎩ 내지 0.399㎩(2 mTorr 내지 3 mTorr)로 유지되는 반면, 처리 가스인 모노실란(monosilane)(SiH4) 가스 및 산소(O2)가 가스 공급부(42)로부터 진공용기(2)로 소정의 유동 속도를 가지고 각기공급된다. 그런 후, 2㎒, 1㎾, 및 16㎒, 3㎾의 고주파 전력이 각기 고주파 전원(E1, E2)에 의해 하부 전극(재치대)(3)과 상부 전극(가스 공급부)(8)에 인가된다. 그에 따라, 고주파 전기장이 하부 전극(3)과 상부 전극(8) 사이에 발생되고, 이 고주파 에너지에 의해 처리가스의 플라즈마가 발생된다. 그런 후, 발생된 플라즈마를 웨이퍼(W)상으로 조사시킴으로써 실리콘 산화막이 웨이퍼(W)상에 형성된다.
전술된 실시예에 따르면, 배기 포트(9)의 중심축(C1)은 재치대(3)의 중심축(C2)으로부터 지지부(6)와 대향된 방향으로 변위되고, 그에 따라 배기 포트(9) 위에서 보았을 때[즉, 샤워헤드를 구성하는 가스 공급부(8)측에서 보았을 때], 재치대(3)와 지지부(6)가 배기 포트(9)를 중첩하지 않는 부분이 있다. 따라서, 도 4에 해칭 처리된 반달형 부분으로 도시된 바와 같이, 배기 포트(9)의 일부는 재치대(3) 및 지지부(6)의 투영 영역(projected area)으로부터 돌출한다. 따라서, 진공용기(2)내에서 이동하는 가스 분자와 같은 입자는 직선 경로로 이동함으로써 배기 포트(9)에 도달할 수 있다. 그에 따라, 배기 포트(9)로 들어가는 입자의 가능성이 증가되고, 이는 높은 배기 효율을 달성한다. 그에 따라, 웨이퍼(W)의 직경이 증가될 때, 진공용기(2)는 예를 들면 1800 리터/초(liters/second)의 배기 속도를 갖는 터보-분자 펌프와 같은 터보-분자 펌프(91)와 같은 소형 펌프를 사용함으로써 높은 배기 효율로 배기될 수 있다. 또한, 도달 진공도(ultimate vacuum)가 증가되고, 양호한 갭 충전 특성을 가지고 필름 증착 처리가 수행될 수 있다.
또한, 지지부(6)가 재치대(3)와 함께 진공용기(2)로부터 제거될 수 있기 때문에, 재치대(3)에 대한 유지보수 작업이 용이하게 된다. 또한, 유용성과 연관된유지보수 작업은 지지부(6)를 진공용기(2)에서 제거함이 없이 수행될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 진공 처리 장치는 용이한 유지보수 작업을 할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 진공 처리 장치에는 배플판(20)이 제공되어, 가스의 배기가 높은 등방성을 가지고 수행될 수 있다. 즉, 배플판(20)은 재치대(3)에 대한 배기 포트(9)의 변위에 의해 야기되는 배기의 편향을 보상하는 기능을 갖는다. 본 실시예에 있어서, 비록 배플판(20)의 개방 면적비가 전체 배플판에 비해 약 25%이지만, 재치대(3)로부터 돌출하는 배기 포트(9)의 일부분의 위의 면적의 개방 면적비는 배플판(20)의 다른 부분의 개방 면적비보다 국부적으로 작다. 그에 따라, 재치대(3)에 대한 배기 포트(9)의 변위에 의해 야기되는 배기의 편향은 보상된다.
도 5는 본 발명에 사용되는 배플판(20)의 평면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 원주방향으로 배치되는 다수의 슬릿(20a)이 배플판(20)에 형성되며, 슬릿(20a)의 피치(P)는 재치대(3)로부터 돌출하는 배기 포트(9)측에서 보다 크고 대향 측에서는 보다 작다. 또한, 각 슬릿(20a)의 폭(A)은 돌출측에서 보다 작고, 대향측에서는 보다 크다. 그에 따라, 배플판의 개방 면적비는 국부적으로 변한다. 개방 면적비를 변화시키는 구성이 전술된 구조체에 한정되지 않으며, 예를 들면 각 슬릿(20a)의 길이도 변할 수 있다. 배기의 편향이 무시할 정도인 경우에도 항상 배플판(20)을 제공할 필요가 없음을 알 수 있다.
본 실시예의 구조에 있어서, 재치대(3)에 대한 배기 포트(9)의 변위는 배기 속도가 감소된다고 하는 역효과를 갖는다. 즉, 배기 포트(9)가 재치대(3)로부터 변위되는 경우, 재치대(3)의 투영 영역에서 멀리 떨어진 내측에 위치된 영역이 있다. 변위(D)가 큰 경우, 재치대(3)의 투영 영역의 내측 영역에 의한 배기 효율의 감소 정도는 재치대(3)의 투영 영역으로부터 돌출하는 영역에 의한 배기 효율의 증가 정도보다 커질 수 있다. 그러한 경우의 배기 속도는 배기 포트(9)가 변위되지 않는 경우의 배기 속도보다 작게 된다. 따라서, 변위(D)는 이러한 점을 고려하여 결정되어야 한다.
따라서, 큰 변위가 배기 포트(9)에 제공되고 배기의 등방성이 배플판(20)에 의해 유지되는 경우, 배플판(20)에 의해 제공되는 컨덕턴스(conductance)[저항률(resistivity)]가 증가되고, 이는 전반적으로 배기 효율(배기 속도)의 감소를 야기시킨다.
도 6은 재치대(3)의 중심축(C2)에 대해 배기 포트(9)의 중심축(C1)의 변위(D)와 유효 배기 속도 사이의 관계의 연구 결과를 도시하는 그래프이다. 변위(D)가 증가되는 경우, 배기 속도 또한 증가되고 약 15㎜에서 최대로 된다. 변위(D)가 약 15㎜를 초과하는 경우, 배기 속도는 감소되며; 변위가 약 25㎜인 경우, 배기 포트(9)가 변위되지 않은 경우보다 작게 된다. 즉, 유효 배기 속도는 변위(D)가 약 15㎜인 경우 최대이며, 배기 속도는 변위(D)가 약 25㎜보다 작지 않은 경우에만 변위시키지 않은 경우보다 높다. 배기 포트(9)의 직경은 270㎜이며, 변위(D)는 배기 포트(9) 직경의 11분의 1보다 작은 것이 바람직함을 알 수 있다. 본 발명은 전술된 도면에 근거하며, 본 발명에 따른 진공 처리 장치는 변위(D)가 15㎜로 설정되어 있기 때문에 높은 유효 배기를 달성할 수 있다.
또한, 본 발명은 진공용기(2)내의 가스 유동이 점성 유동과 분자 유동의 중간 또는 분자 유동 범위인 경우 특히 효과적이다. 따라서, 예를 들면 본 발명은 10㎩ 이하의 압력에서 처리가 수행되는 경우가 적절하다.
전술된 실시예에 있어서, 진공 펌프는 터보-분자 펌프에 한정되지 않는다. 또한, 진공중에서 수행되는 처리와 같은 에칭 처리, 스퍼터링 처리 또는 애싱 처리(ashing process)가 있다.
본 발명은 상술된 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 각종 변형 및 변화가 이루어질 수 있다.

Claims (15)

  1. 진공용기(2)내에 설치된 실질적으로 원형인 재치대(3)상에 피처리체(W)가 배치되고, 상기 진공용기(2)에 처리 가스를 공급함으로써 상기 피처리체에 소정의 처리를 가하기 위한 진공 처리 장치에 있어서,
    상기 진공용기(2)는 상기 재치대(3) 아래에 실질적으로 원형인 배기 포트(9)를 가지며, 상기 배기 포트의 직경은 상기 재치대(3)의 직경과 동일하거나 또는 그보다 작으며,
    상기 배기 포트(9)의 중심축(C1)은 상기 재치대(3)의 중심축(C1)으로부터 변위되는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공용기(2)의 측벽(63)으로부터 상기 진공용기(2)의 중앙쪽으로 연장시켜서 상기 재치대(3)를 지지하도록 지지부(6)가 제공되고,
    상기 재치대(3)의 중심축(C2)에 대한 상기 배기 포트(9)의 중심축(C1)의 변위 방향이 상기 지지부(6)의 연장 방향과 대향된 방향인 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부(6)는 중공형 구조체이며, 유틸리티 공급 라인(utility supply line)이 그내에 제공되는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유틸리티 공급 라인은 적어도 하나의 가스 공급 라인(52)과, 냉매 공급 라인(65)과, 전력 공급 라인(43, 44)을 포함하는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지부(6)는 상기 진공용기(2)에 착탈식으로 부착되는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    배플판(20)이 상기 재치대(3)를 둘러싸도록 제공되는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 배플판(20)은 다수의 개구(20a)를 가지며, 상기 배기 포트(9)가 변위되는 측면상의 개방 면적비는 대향 측면상의 개방 면적비보다 작은 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재치대(3)의 중심축(C2)에 대한 상기 배기 포트(9)의 중심축(C1)의 변위(D)는 상기 배기 포트(9) 직경의 11분의 1과 동일하거나 또는 그보다 작은 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배기 포트(9)는 상기 진공용기(2)를 10㎩보다 낮은 압력으로 유지시킬수 있는 용량을 갖는 진공 펌프(91)에 접속되는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 진공 펌프는 터보-분자 펌프(91)인 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    실질적으로 원형인 샤워헤드를 구성하는 가스 공급부(8)가 상기 진공용기(2)내에 설치되고, 상기 샤워헤드의 중심축이 상기 재치대(3)의 중심축(C2)과 일치하는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 재치대(3) 및 상기 가스 공급부(8)는 피처리체(W)에 필름 증착 처리를 가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상부 전극(8) 및 하부 전극(41)이 서로 대향하도록 제공되며, 처리 가스의 플라즈마가 상기 상부 전극(8)과 상기 하부 전극(41) 사이에서 발생되고 상기 발생된 플라즈마에 의해 피처리체(W)에 필름 증착 처리를 가하는 것을 특징으로 하는
    진공 처리 장치.
  14. 진공용기(2)내에서 피처리체(W)에 소정의 처리를 가하기 위한 진공 처리 방법에 있어서,
    상기 진공용기(2)의 배기 포트(9) 위의 위치에 피처리체(W)를 배치시키는 단계로서, 상기 피처리체(W)의 중심이 소정의 거리만큼 상기 배기 포트(9)의 중심으로부터 수평으로 변위되는, 상기 배치 단계와,
    상기 피처리체(W)에 대해서 상기 배기 포트(9)와 대향된 측면으로부터 피처리체(W)에 처리 가스를 공급하고, 상기 소정의 처리를 가하도록 상기 배기 포트(9)를 통해 처리 가스를 배기시키는 단계를 포함하는
    진공 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 소정의 처리는 필름 증착 처리인 것을 특징으로 하는
    진공 처리 방법.
KR10-2001-7010855A 2000-01-12 2001-01-11 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 KR100446875B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2000-00003337 2000-01-12
JP2000003337 2000-01-12
PCT/JP2001/000081 WO2001051680A1 (en) 2000-01-12 2001-01-11 Vacuum processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010102395A true KR20010102395A (ko) 2001-11-15
KR100446875B1 KR100446875B1 (ko) 2004-09-04

Family

ID=18532298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7010855A KR100446875B1 (ko) 2000-01-12 2001-01-11 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6767429B2 (ko)
EP (1) EP1169490B1 (ko)
JP (1) JP3996771B2 (ko)
KR (1) KR100446875B1 (ko)
DE (1) DE60133159T2 (ko)
TW (1) TW480595B (ko)
WO (1) WO2001051680A1 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4592856B2 (ja) * 1999-12-24 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びガス処理装置
JP3996771B2 (ja) * 2000-01-12 2007-10-24 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
US8617351B2 (en) 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US8048806B2 (en) 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
US20040129218A1 (en) * 2001-12-07 2004-07-08 Toshiki Takahashi Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
JP4110907B2 (ja) * 2002-10-02 2008-07-02 セイコーエプソン株式会社 記録装置、記録方法、プログラム、およびコンピュータシステム
US7140066B1 (en) * 2003-04-01 2006-11-28 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Apparatus and method for inspecting and cleaning semiconductor devices
JP4074224B2 (ja) * 2003-06-26 2008-04-09 住友重機械工業株式会社 真空装置及び電子ビーム近接露光装置
US8236105B2 (en) * 2004-04-08 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling gas flow in a semiconductor substrate processing chamber
US20050241764A1 (en) * 2004-05-03 2005-11-03 Letson Thomas A Baffle to reduce azimuthal etch asymmetry
US7988816B2 (en) 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7951262B2 (en) 2004-06-21 2011-05-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7740737B2 (en) * 2004-06-21 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US20080110567A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-15 Miller Matthew L Plasma confinement baffle and flow equalizer for enhanced magnetic control of plasma radial distribution
US7780866B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution
JP2009200184A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のバッフル板
US7987814B2 (en) 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
JP5597463B2 (ja) * 2010-07-05 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN103377979B (zh) * 2012-04-30 2016-06-08 细美事有限公司 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置
US9490152B2 (en) * 2012-05-29 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Asymmetrical chamber configuration
US10669625B2 (en) * 2013-03-15 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Pumping liner for chemical vapor deposition
US9852905B2 (en) * 2014-01-16 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber
CN105408984B (zh) * 2014-02-06 2019-12-10 应用材料公司 用于启用轴对称以用于改进的流动传导性和均匀性的在线去耦合等离子体源腔室硬件设计
JP5743120B2 (ja) * 2014-04-07 2015-07-01 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及び方法
US20170207078A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus and semiconductor process
US20180128647A1 (en) 2016-11-10 2018-05-10 Aixtron Se Device and method to control the uniformity of a gas flow in a cvd or an ald reactor or of a layer grown therein
CN111316092A (zh) * 2017-11-30 2020-06-19 株式会社岛津制作所 基质膜形成装置
US11685994B2 (en) * 2019-09-13 2023-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CVD device pumping liner
US20220051912A1 (en) * 2020-08-12 2022-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Gas flow control during semiconductor fabrication

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60227414A (ja) * 1985-03-29 1985-11-12 Hitachi Ltd 薄膜製造装置
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
KR920002864B1 (ko) * 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
US4985281A (en) * 1988-08-22 1991-01-15 Santa Barbara Research Center Elemental mercury source for metal-organic chemical vapor deposition
US5685912A (en) * 1995-06-20 1997-11-11 Sony Corporation Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment
US5552017A (en) * 1995-11-27 1996-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for improving the process uniformity in a reactor by asymmetrically adjusting the reactant gas flow
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
JP3341619B2 (ja) * 1997-03-04 2002-11-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US6083344A (en) * 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6287635B1 (en) * 1997-08-11 2001-09-11 Torrex Equipment Corp. High rate silicon deposition method at low pressures
JPH1187247A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造装置及びその製造方法
JPH11243079A (ja) 1998-02-24 1999-09-07 Toshiba Corp プラズマ処理装置
JP2000049216A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法
JP3996771B2 (ja) * 2000-01-12 2007-10-24 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
US20020148565A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-17 Applied Materials, Inc. Mushroom stem wafer pedestal for improved conductance and uniformity
US6589023B2 (en) * 2001-10-09 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Device and method for reducing vacuum pump energy consumption
US6701066B2 (en) * 2001-10-11 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Delivery of solid chemical precursors

Also Published As

Publication number Publication date
EP1169490B1 (en) 2008-03-12
JP2003519932A (ja) 2003-06-24
US20020134308A1 (en) 2002-09-26
JP3996771B2 (ja) 2007-10-24
EP1169490A1 (en) 2002-01-09
TW480595B (en) 2002-03-21
DE60133159D1 (de) 2008-04-24
KR100446875B1 (ko) 2004-09-04
US6767429B2 (en) 2004-07-27
DE60133159T2 (de) 2009-03-19
WO2001051680A1 (en) 2001-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100446875B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
US5445709A (en) Anisotropic etching method and apparatus
KR0151769B1 (ko) 플라즈마 에칭장치
KR100265288B1 (ko) 반도체소자 제조용 식각장치의 배플
JP3208044B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5242539A (en) Plasma treatment method and apparatus
US6024827A (en) Plasma processing apparatus
US7547860B2 (en) Microwave plasma processing apparatus for semiconductor element production
US20090017635A1 (en) Apparatus and method for processing a substrate edge region
US20090065145A1 (en) Plasma Processing Apparatus And Method Capable Of Adjusting Temperature Within Sample Table
US20070068798A1 (en) Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component
US20090314432A1 (en) Baffle plate and substrate processing apparatus
US20080283086A1 (en) Substrate processing apparatus and cleaning method therefor
US11031262B2 (en) Loadlock integrated bevel etcher system
JP3121524B2 (ja) エッチング装置
US6358324B1 (en) Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor
KR20160009542A (ko) 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
JP3258885B2 (ja) 成膜処理装置
US6488863B2 (en) Plasma etching method
JP2001308079A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3253002B2 (ja) 処理装置
TWI791202B (zh) 氣體遮擋環、等離子體處理裝置及調控聚合物分佈的方法
KR20230024385A (ko) 반도체 프로세싱 챔버를 위한 비대칭 배기 펌핑 플레이트 설계
JP3996002B2 (ja) 真空処理装置
WO2000045427A1 (fr) Procede et dispositif de traitement au plasma

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee