KR20050007350A - 부분적으로 패터닝된 리드 프레임 및 이를 제조하는 방법및 반도체 패키징에서 이를 이용하는 방법 - Google Patents

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Abstract

리드 프레임 및 니어-칩 스케일 패키징(CSP) 리드-카운트들을 구비한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임 패키지를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이것은 한쪽에 있는 웨브형 리드 프레임 내에 형성된 부분적으로 패터닝된 금속 스트립(100)을 이용하여 제조 공정 단계들의 주요 부분을 수행함으로써 달성된다. 금속 리드 프레임의 바닥면은, 칩(140)과 와이어(160)들을 포함하는 전방면이 밀폐되듯이 밀봉된 후에야 칩-패드 및 와이어 본드 콘택(113)들을 격리시키기 위하여 패터닝된다. 전기적으로 절연되는 결과적인 패키지는 어떠한 추가적인 금속 절단없이도 스트립 테스팅 및 신뢰성 있는 싱귤레이션을 가능하게 한다.

Description

부분적으로 패터닝된 리드 프레임 및 이를 제조하는 방법 및 반도체 패키징에서 이를 이용하는 방법{PARTIALLY PATTERNED LEAD FRAMES AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME IN SEMICONDUCTOR PACKAGING}
리드 프레임들을 사용하는 전자 패키지들의 제조에 있어서, 리드 프레임들이 기계적 및 열적 응력(stress)들을 겪게 되는 몇 가지 공정 단계들이 있다. 현 리드 프레임들의 보다 미세한 지오메트리들과 반도체 칩 상의 회로들의 계속 증가하는 집적도(integration)로 인하여 리드 프레임들 상에 훨씬 더 큰 응력이 존재하게 하는 처리가 초래되고 있다. 미세하게 구성된 리드 프레임들은 종종 매우 정교한 자수(embroidery), 또는 쉽게 휘고, 깨지고, 손상되고, 변형되는 경향이 있는 스텐실형 금속 구조체들과 흡사하다(도 1a 및 도 1b 참조). 이러한 종래의 리드 프레임들은 산업계에서 와이어 본딩된 패키지 및 플립-칩(FC) 패키지들을 포함하는 다양한 칩 패키지들을 생산하는데 사용된다(도 2a 내지 도 2d 및 도 3a 내지 도 3b 참조).
종래의 리드 프레임들은 일반적으로 구조적인 강성(rigidity)이 부족하다. 리드 프레임들의 핑거형 부분들은 상당히 얇고(quite flimsy) 제 위치에 유지시키기가 어려울 수 있다. 이것은 조립 공정 및 정교한 와이어 본딩 상황에서 취급 결함(handling flaw), 손상 및 왜곡(distortion) 등을 유발시킨다. 그 결과, 본드 파라미터(bond parameter) 파라미터들은 본딩 공정 시에 리드 프레임 바운싱(bouncing)을 보상하도록 최적화되어야 한다. 리드 프레임의 기계적인 불안정성을 보상하기 위한 본딩 파라미터들을 최적화하는 것에 실패하면 불량 본드 부착(bond adhesion)이 발생하게 되고, 이로 인해 상기 본드의 불량 품질 및 불량 신뢰성이 초래된다.
통상적인 리드 프레임의 핑거형 부분들은, 칩 수용 영역으로 알려진, 또한 칩-패드로도 알려진 중앙부로부터 연장된다. 칩은 일반적으로 후방면을 아래쪽으로 하여 상기 수용 영역에 부착되고, 그 전방면은 어레이의 형태로 상기 칩의 표면 위쪽에 또는 상기 칩의 주변부 상에 주변적으로(peripherally) 위치된 단자들과 직면하여 위치된다. 상기 수용 영역은 통상적으로 대략 5mm x 5mm의 치수를 가지며, 칩-패드 영역으로부터 바깥쪽으로 연장되는 리드선들은 통상적으로 대략 10mm 길이 x 1mm 폭 x 0.5mm 두께의 치수를 가진다. 리드 프레임은 통상적으로 진공 척 및 기계적 클램프들에 의해 유지(hold down)된다. 상기 척 및 클램프들은 상이한 크기 및 형상의 리드 프레임들에 맞게 수정(refit)되어야만 한다. 본 발명은 이러한 문제를 없앤다.
종래 기술은 현 반도체 패키징 공정들에서 겪게 되는 응력들을 견딜 수 있고 비용 효율 방식(cost effective manner)으로 제조될 수 있는 어떠한 리드 프레임도 보여주지 못하고 있다. 본 발명은 리드 프레임 자체의 제조성을 향상시킬 뿐만 아니라 그로부터 형성되는 전자 패키지들의 집적성과 신뢰성을 향상시키는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임을 제공함으로써 이러한 과제를 해결한다.
본 발명은 일반적으로 전자 패키징에 관한 것으로, 특히 부분적으로 패터닝된 리드 프레임 및 그것을 제조 및 이용하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 부분적으로 패터닝된 리드 프레임은 종래의 리드 프레임들보다 더 강하고 더욱 안정적이다. 상기 부분적으로 패터닝된 리드 프레임의 견고성(sturdiness)은 리드 프레임 패키지들을 제조하는 공정을 개선시키고, 최종 제품의 전반적인 신뢰성을 증대시킨다.
도 1a는 종래 기술에 따라 칩-패드 영역 및 리드선들을 구비한 종래의 리드 프레임의 다이어그램이다.
도 1b는 종래 기술에 따라 한 칩의 칩-패드에 대한 부착 및 상기 칩 상의 단자들의 리드선들에 대한 와이어 본딩을 보여주는 도 1a의 종래의 리드 프레임의 다이어그램이다.
도 2a는 종래 기술에 따라 리드선들에 의한 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 보여주는, 와이어-본딩되고 (리드선으로) 리딩(leading)된 니어(near)-칩 스케일 패키지(CSP)의 단면도이다.
도 2b는 종래 기술에 따라 솔더 범프 또는 볼(solder bumps or balls)에 의한 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 보여주는, 와이어-본딩되고 리딩없는(리드선이 없음) 니어-CSP의 단면도이다.
도 2c는 종래 기술에 따라 리드선들에 의한 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 보여주는 플립-칩(flip-chip) 및 리딩된 니어-CSP의 단면도이다.
도 2d는 종래 기술에 따라 솔더 볼들에 의한 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 보여주는 플립-칩 및 리딩된 니어-CSP의 단면도이다.
도 3a는 종래 기술에 따라 리드 프레임의 리드선들에 대한 백-본딩된(back-bonded) 칩의 와이어-본딩된 연결을 보여주는 스텐실형(stencil-like) 리드 프레임의 평면도이다.
도 3b는 종래 기술에 따라 솔더 리플로우 공정(solder reflow process)을 통한 리드 프레임의 리드선들에 대한 플립된 칩의 연결을 보여주는 스텐실형 리드 프레임의 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따라 본딩가능한 물질로 양쪽 면에 예비-도금된 균일한 두께의 금속막의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따라 단지 최상부면 상의 예비-도금만이 두 칩 사이트(site)들에 대응하여 패터닝되고, 각각의 사이트는 각각의 칩-패드를 둘러싸는 리드 콘택들 및 칩-패드를 포함하는 도 4의 금속막의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따라 부분적으로 패터닝된 도 4의 도금된 금속막의 단면도이다.
도 6a는 본 발명에 따라 부분적으로 패터닝된 리드 프레임들의 매트릭스를보여주는 평면도이다.
도 6b 및 도 6c는 도 6a에 도시된 매트릭스 내의 리드 프레임들의 점진적으로 확대된 평면도를 도시한 도면이다.
도 7a는 본 발명에 따라 각각의 두 칩 사이트 상의 칩-패드에 한 칩이 부착된 도 6의 부분적으로 패터닝된 금속막의 단면도이다.
도 7b는 본 발명에 따라 에폭시 또는 솔더를 포함하는 부착부를 보여주는 칩과 칩 패드간의 결합부(joint)의 확대도이다.
도 8은 본 발명에 따라 각각의 칩 상의 단자들이 리드 프레임의 리드선 부분들에 본딩되어 각각의 칩 사이트 상에 형성되도록 하는 도 7a 또는 도 7b의 칩이 부착된 금속막의 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따라 칩들과 와이어 본드들을 포함하여 금속막의 최상부면이 함침제로 밀폐되듯이(hermetically) 밀봉된 도 8의 와이어 본딩된 리드 프레임의 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따라 각각의 리드 프레임의 제1영역 및 상기 금속막 내의 스트리트 영역(street region)들을 제거하도록 후방면으로부터 에칭된 도 9의 밀폐되듯이 밀봉된 패키지의 단면도이다.
도 11은 본 발명에 따라 2개의 별도의 패키지들을 형성하기 위하여, 함침제가 상기 스트리트 영역들 내에 싱귤레이트된 2개의 니어 칩 사이즈의 부분적으로 패터닝된 패키지들의 단면도이다.
도 12a는 본 발명에 따라 칩, 칩 단자들을 리드 콘택들에 연결시키는 콘택들및 와이어들, 그리고 와이어 본드를 구비한 상기 콘택들 중 하나의 확대단면을 보여주는 도 11의 싱귤레이트된 패키지들 중 하나의 평면도이다.
도 12b는 본 발명에 따라 앵커링(anchoring)을 제공하고 딜라미네이션을 막기 위하여, 몰딩 물질과의 접촉이 이루어지는 수직면들상의 "립"의 사용을 보여주는 콘택들 중 하나와 칩-패드 사이의 영역의 단면도이다.
도 12c는 본 발명에 따라 앵커링을 제공하고 딜라미네이션을 막기 위하여, 몰딩 물질과의 접촉이 이루어지는 수직면들상의 상이한 형상의 공동(cavity)들의 사용을 보여주는 콘택들 중 하나와 칩-패드 사이의 영역의 단면도이다.
도 13a 내지 도 13f는 본 발명에 따라 도 12b 및 도 12c에 도시된 수직면들 상의 몰딩 물질에 앵커링 수단을 제공하는데 사용될 수 있는 다양한 공동들의 다이어그램이다.
도 14는 본 발명에 따라 부분적으로 패터닝된 패키지를 형성하는 다양한 공정 단계들을 요약하는 플로우차트이다.
도 15a는 본 발명에 따라 주변적 I/O 구성(peripheral I/O configuration)을 갖는 패키지의 평면도, 측면도 및 저면도를 보여주는 다이어그램이다.
도 15b는 본 발명에 따라 I/O 패드들의 어레이 구성을 갖는 패키지의 평면도, 측면도 및 저면도를 보여주는 다이어그램이다.
도 16은 본 발명에 따라 단지 최상부면 상의 예비-도금만이 두 칩 사이트들에 대응하여 패터닝되고, 각각의 사이트는 각각의 칩 수용 영역을 둘러싸는 리드선들 및 칩 수용 영역을 포함하는 도 4의 금속막의 단면도이다.
도 17은 본 발명에 따라 웨브형(web-like) 리드 프레임(즉, 웨빙된 구조)을 형성하도록 부분적으로 패터닝된 도 16의 도금된 금속막의 단면도이다.
도 18은 본 발명에 따라 플립-칩(FC) 결합을 보여주는 칩-결합된 리드 프레임(FCL)의 단면도이다.
도 19는 본 발명에 따라 칩들을 포함하는 금속막의 최상부면이 함침제로 밀폐되듯이 밀봉된 도 18의 FCL의 단면도이다.
도 20은 본 발명에 따라 개별적인 리드선들 사이 그리고 후퇴된 칩 수용 영역들 사이의 웨브부들을 선택적으로 제거하도록 후방면으로부터 에칭된 도 19의 밀폐되듯이 밀봉된 패키지의 단면도이다.
도 21은 본 발명에 따라 도 20의 패키지로부터 싱귤레이트된 2개의 니어 칩 사이즈의 부분적으로 패터닝된 패키지들의 단면도이다.
도 22a는 본 발명에 따라 칩 단자들을, 다음 레벨의 패키징에 대해 연결되는 리드선들의 단부들에 연결시키는 리드선들 및 칩을 보여주는 도 21의 싱귤레이트된 패키지들 중 하나의 평면도이다.
도 22b는 본 발명에 따라 한 리드선의 2개의 단부 연결을 보여주는 다음 레벨의 패키징에 대한 연결부와 플립 칩 사이의 영역의 확대단면도이다.
도 23은 본 발명에 따라 플립-칩을 둘러싸는 부분적으로 패터닝된 패키지를 형성하는 다양한 공정 단계들을 요약하는 플로우차트이다.
도 24a 및 도 24b는 본 발명에 따라 싱귤레이트된 다음, ELGA-타입 패키지를 형성하기 위하여 다음 레벨의 패키징으로의 연결을 위한 볼 그리드 어레이 커넥터들이 제공되는 2개의 니어 칩 사이즈의 부분적으로 패터닝된 패키지들의 단면도 및 저면도를 도시한 도면이다.
도 25a 및 도 25b는 본 발명에 따라 도 24a 및 도 24b의 패키지들이 알루미늄 와이어들 및 대안적으로는 구리 와이어 볼 본딩 기술들로 각각 초음속으로 본딩되는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
본 발명은 반도체 패키징에 사용하기 위한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임을 제공한다. 상기 리드 프레임은 최상부면과 바닥면을 구비한 막으로 이루어진다. 상기 막의 제1영역은 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝되지만, 바닥면까지 상기 막이 완전히 패터닝되는 것은 아니다. 최상부면으로부터 패터닝되지 않은 상기 막의 제2영역은, 집적회로(IC)를 지지하기 위한 칩 수용 영역 및 상기 IC 칩에 전기 연결부들을 제공하기 위한 복수의 리드 콘택들을 형성한다. 상기 제1영역은 상기 막 안에 트렌치들을 형성하고, 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝되지 않은 제2영역을 상호연결(interconnect)시키는 웨빙된 구조체(webbed structure)를 생성한다. 본 발명은 또한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임들을 제조하는 방법 및 상기 리드 프레임들을 이용하여 만들어진 전자 패키지들에 관한 것이다. 본 발명의 리드 프레임은 웨브형 또는 웨빙된 구조체이기 때문에 향상된 구조적 강성을 가진다.
본 발명에 따르면, 리드 프레임이 형성되어야 할 금속막의 최상부면이 우선 칩 수용 영역 및 리드선들에 대응하는 영역들을 아웃라이닝(outlining)하기 위하여표준 포토리소그래피 기술들 또는 유사 기술들을 이용하여 패터닝된다. 다음 단계에서, 상기 막 내에 리드 프레임 패턴을 생성하기 위하여 아래에 있는 막(underlying film)의 두께를 부분적으로 관통하도록 상기 막의 최상부면으로부터 상기 아웃라이닝된 영역들 외부에 있는 상기 막의 제1영역에서 에칭이 수행된다. 상기 부분 패터닝 후, 최상부면으로부터 패터닝되지 않은 나머지 영역들은 제2영역을 형성하는데, 이는 최상부면을 따라 칩 수용 영역 및 리드선들로서의 역할을 한다. 상기 제1영역은 상기 막의 최상부면 밑에 후퇴된(recessed) 웨빙된 영역을 형성한다. 상기 제1영역의 웨빙된 구조체는 리드선 부분들을 서로 연결시키고 칩 수용 영역에도 연결시킨다. 따라서, 부분적으로 패터닝된 막은 웨빙된 풋(webbed foot)과 유사하게 보이고, 그 강성 및 강도를 유지함으로써 후속 제조 공정 단계들의 힘들을 견딜 수 있게 된다. 특히, 부분적으로 패터닝된 리드 프레임은 와이어 본딩 및 캡슐화(encapsulation) 공정들 시에 겪게 되는 힘들을 견딜 수 있다. 일부 실시예들에서, 칩 수용 영역 및 전기 리드선들은 제2영역의 동일한 부분들로부터 형성될 수 있다(예컨대, 전기 리드선들이 집적된 칩을 지지할 뿐만 아니라 그것에 대한 전기 연결을 제공하는 경우).
본 발명은 또한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임들을 이용하여 복수의 전자 패키지들을 제조하는 독특한 방법을 제공한다. 본 방법은 최상부면과 바닥면을 구비한 막을 포함한다. 제1영역에서, 상기 막은 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝되지만, 바닥면까지 완전히 패터닝되지는 않는다. 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝되지 않은 상기 막 상의 나머지 제2영역은 부분적으로 패터닝된 복수의 리드프레임들을 형성한다. 각각의 리드 프레임들은 집적회로(IC) 칩을 지지하기 위한 칩 수용 영역 및 상기 IC 칩에 전기 연결부들을 제공하기 위한 복수의 전기 리드선들을 구비한다.
상기 막의 제1영역은 상기 칩 수용 영역들 및 각각의 리드 프레임의 전기 리드선들을 상호연결시키는 웨빙된 구조체를 형성한다. 상기 제1영역은 또한 상기 막의 스트리트 부분(street portion)들에서 복수의 리드 프레임들을 서로 연결시킨다.
복수의 칩이 제공되는데, 그 각각의 칩은 대응하는 리드 프레임에 대한 부착(attachment)을 위한 복수의 전기 단자들을 구비한다. 각각의 칩은 대응하는 리드 프레임 상의 칩 수용 영역에 부착되며, 전기 연결부는 각각의 칩의 1 이상의 단자와 리드 프레임의 전기 리드선들 중 하나 사이에 형성된다. 그 후, 상기 막의 최상부를 완전히 덮기 위하여 상기 막의 스트리트 부분들 및 리드 프레임들 위로 함침제 물질(encapsulant material)이 가해진다. 일단 함침제 물질이 건조되면, 상기 막의 스트리트 부분들 및 웨빙된 구조체를 제거하기 위하여 상기 제1영역에서 상기 막의 바닥면으로부터 백 패터닝(back patterning) 공정이 수행된다. 그 후, 상기 막의 스트리트 부분들 위로 배치된 함침제 물질은 개별적인 패키지들을 형성하도록 싱귤레이트(singulate)된다.
바람직한 실시예에서, 본 방법은 리드 프레임들이 상기 막내에 블록/윈도우 패턴으로 매트릭스 내에 형성되는 단계를 포함하며, 칩 스케일 패키지(chip scale package)들의 생산도 포함한다.
본 발명의 부분적으로 패터닝된 리드 프레임은 몇 가지 장점들이 있다. 리드 프레임의 평탄하면서도 고형의 에칭되지 않은 바닥면은 와이어 본딩 공정 시에 우수한 히트 싱크(heat sink)로서 역할을 한다. 이는 열전달을 훨씬 더 좋게 하며, 보다 확실한 본드 품질을 제공한다. 부가적으로, 고형의 구조체는 리드 프레임을 유지하기 위하여 보편적인 진공 척(universal vacuum chuck)에 대해 연속적인 표면을 제공함으로써, 후속 공정 단계들 시에 칩-부착 공정을 보다 안정적이게 하고 리드선들을 보다 안전하게 한다. 리드 프레임의 외측 에지들의 서투른 클램핑(awkward clamping)이 소거되어, 컨버젼(conversion)이 필요없는 처리 및 어레이-매트릭스 리드 프레임 디자인을 가능하게 한다. 부분적으로 패터닝된 리드 프레임의 바닥면은 평탄한 연속적인 표면이기 때문에, 보편적인 진공 척이 수많은 상이한 크기의 프레임들을 유지하는데 사용될 수 있다. 이는 상이한 치수의 리드 프레임이 패키징 공정에 채택될 때마다 매 번 진공 척을 수정해야 하는 복잡성을 없앤다. 또한, 클램핑이 더이상 필요치 않다. 보편적인 진공 척의 사용 및 클램핑의 생략은 보다 큰 리드 카운트(lead count)들을 위해 제2영역 상에 듀얼 또는 트리플 행(dual or triple row)을 가진 스태거링된(staggered) 리드선들의 구조를 가능하게 한다.
본 발명은 와이어-본딩된 칩들 뿐만 아니라 솔더 범핑된 플립-칩(solder bumped flip-chip)들을 수용하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 본 발명의 실시예들에 추가로 기술되는 바와 같이, 와이어-본딩을 이용하는 ELP(etched lead frame package)들, 플립-칩들을 구비한 ELP(ELPF)들,및 ELGA(etched land grid array) 패키지들을 형성하는 LGA(land grid array)를 구비한 ELP 또는 ELPF들을 제조하는데 부분적으로 패터닝된 리드 프레임을 사용하는 방법들도 제공한다.
플립 칩(FC) 기술은 다음 레벨의 패키징(즉 세라믹 또는 플라스틱 기판 또는 추후 이 기판에 결합되는 칩 마이크로캐리어)에 대한 칩 상의 전기 단자들의 완전 자동화된 결합(joining)을 향한 또하나의 진보이다. 이하 칩 자체보다 약간만 큰 마이크로캐리어는 칩 스케일 패키지(CSP)라 한다. FC 기술은 와이어 본딩(WB)에 기원을 둔 TAB(tape automated bonding)로부터 진화되었다. WB 및 TAB에서는 칩이 그 뒷면에 위치되고 최상부면 상의 주변부 둘레에 위치된 단자들로의 전기 연결들이 이루어지는 반면, FC 기술에서는 칩의 방위가 반전되어 있다. 칩은 아래쪽을 향하여 배치되고, 칩의 후방면은 위쪽으로 배향된다. 이러한 플립-칩 방위는, 고효율 열전달 디자인 개발에 사용하기 위하여 최상부면은 자유롭게 두면서, 전기 기능부들을 칩의 아랫면 상에 집중시킨다는 중요한 장점을 가진다.
FC 공정에서, 칩 단자들 또는 본드 패드들은 상기 칩의 표면 위에서 상이한 타입의 범프들로 밀봉되는데, 여기서 패턴들은 영역 어레이, 주변적 패턴들 또는 여타의 패턴들로 배치(deploy)될 수 있다. 상기 칩은 다음과 같은 방식으로 다음 레벨에 부착될 수 있다: a) 리드 프레임에 대한 FC 부착; b) 리드 프레임 상의 연결 간격(connection spacing)을 변경(re-routing)하기 위하여, 인터포저(interposer)로 알려진 층/기판의 FC 부착; c) 리드 프레임 상의 예비-부착된 인터포저에 대한 FC 부착; 또는 d) 칩 리플로우(chip reflow) 방법들을 포함하는 종래의 기술들을 이용하여 프린트된 회로기판에 대한 FC 부착.
종래의 기술들을 이용한 칩 부착은 특히 QFN(Quad Flat No Lead) 패키지들 및 그 파생물인 VFQPF-N 등의 제조 시에 QFN 리드 프레임들에 적용되는 경우에 어려워진다. 그 이유는 종래의 리드 프레임들은 일반적으로 구조적인 강성이 부족하기 때문이다. 리드 프레임들의 핑거형 부분들은 상당히 얇고 정확한 소정 위치에 유지시키기가 어려울 수 있다. 이것은 조립 공정들과 정교한 칩 본딩 상황들에서 취급 결함, 손상 및 왜곡 등을 유발시킨다. FC 결합 공정들은 리드 프레임의 매달리고 얇은(hanging and flimsy) 리드 단부들에 대해 범핑된 솔더 헤드들의 정밀한 정렬을 요구한다. 나아가, 습식 솔더 단부들은 솔더 리플로우 공정을 통한 배치 후에도 그들 위치들을 유지하여야만 한다. 그 결과, 리플로우 파라미터들은 칩 결합 시에 리드 프레임 바운싱을 보상하도록 최적화되어야 하는데, 이것이 적절하게 행해지지 않는다면, 불량 결합들을 초래하여, 최종 제품의 품질 불량 및 신뢰성 불량을 초래할 수 있다.
종래의 스텐실형 리드 프레임들을 형성하는 것은 일반적으로, 금속 스트립 또는 금속막 상에 포토레지스트를 패터닝하고, 칩 수용 영역으로부터 바깥쪽으로 연장되는 핑거형 리드선들을 형성하도록 상기 패턴을 에칭함으로써 이루어진다. 또한 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 핑거들간의 "타이-바아(tie-bars)"를 사용하여 상기 핑거들이 여러 공정 단계들 시에 떨어져 있도록 하는 것이 일반적이다. 본 발명은 스텐실형 리드 프레임 대신에 부분적으로 패터닝된 웨브형 리드 프레임을 형성함으로써 리드 프레임의 구조적인 강성의 결핍 문제를 해결한다.
본 발명의 방법에 따르면, 반도체 패키지를 형성하는 모든 주요 공정 단계들은 리드 프레임이 될 막의 한쪽 면에서 수행된다. 다른쪽 면, 즉 바닥면은 평탄하면서도 진공 척의 표면과 같은 표면 상에 닿지 않도록 유지된다. 이는 패키지의 부분적으로 형성된 전방면을 캡슐화하고 밀폐되듯이 밀봉하는 단계를 포함한다. 일단 캡슐화가 완료되면, 리드선들을 서로 연결시키고 또한 칩 수용 영역에 연결시키는 웨빙된 부분들을 선택적으로 제거하도록 바닥면이 백-에칭(back-etching)된다. 칩이 칩 수용 영역에서 칩-패드에 백-본딩되고, 와이어 본딩에 의해 칩 단자들에 대한 전기 연결이 이루어지는 ELP 경우에는, 중간의 웨빙된 부분들 모두가 에칭을 통해 절단(sever)되어, 상기 칩, 와이어들 및 와이어-본딩된 콘택 영역들의 전방면을 둘러싸는 몰딩 물질에 의해 칩-패드 및 리드 콘택들이 와이어 본딩된 단부에서 서로 격리되게 된다. 하지만, ELPF 패키지의 경우에는, 리드선들을 서로 연결시키는 웨빙된 부분들만이 에칭을 통해 절단되는데, 그 이유는 칩 솔더 헤드 범프들에 연결되는 리드선들 자체가 다음 레벨의 패키징에 대한 전기 연결부들을 제공하기 때문이다.
웨빙된 부분들내에서, 스트리트들 또는 소오 두께(saw thickness)까지의 임베디드(embedded) 금속의 제거는, 리드 프레임 구조체의 도처에 전달되는 소오 힘(saw force)들의 소거 및 이로 인한 금속-플라스틱 인터페이스들에서의 딜라미네이션(delamination)의 방지를 포함하여 몇 가지 장점들을 가진다. 또한, 백-에칭을 통한 전기 절연은 어떠한 소잉 또는 싱귤레이션에도 앞서서 또는 그것이 관련되는한 어떠한 추가 처리 단계들에도 앞서서 스트립 테스팅을 가능하게 한다. 백 패터닝 후, 바닥면 상의 남아 있는 노출된 금속 부분들은 침지-주석 디핑(immersion-tin dipping) 또는 무전해-니켈 도금을 통해 소정의 땜납가능한(solderable) 물질들로 플래시 마감(flash finish)될 수 있다. 하지만, ELGA 패키지는 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 위한 LGA 패드들을 구비하도록 ELPF 패키지의 FC를 사용한다.
제조 시에 패키지의 여타의 구성요소들과 몰딩 물질간의 어떠한 분리도 방지하기 위하여, 본 발명은 또한 수지와 같은 몰딩 물질과 접촉하게 되는, 부분적으로 에칭된 리드 프레임의 후퇴된 웨빙된 부분들의 노출된 수직벽들 상에, 예를 들어 리드선들의 측벽들상에, 로킹 피처(locking feature)들을 형성하는 방법을 제공한다. 대안으로서, 리드 콘택들 및 칩-패드의 에지들 상에 "립(lips)"을 형성하여, 각각의 립 아래에 몰딩 물질을 캡쳐함으로써, 몰딩 물질이 메이팅 표면들(mating surfaces)로부터 분리되는 것을 어렵게 한다.
부분적으로 에칭된 리드 프레임이 전자 패키지들의 제조 시에 다양한 제조 공정들의 응력 및 스트레인(strain)을 잘 견딜 수 있도록 구조체의 단일성(unity) 및 부수적인 강성과 강도를 제공한다는 것은 상술된 내용으로부터 명백하다. 이는 지금까지 종래의 플라스틱 패키지들로는 불가능했던, 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 위한 패키지의 바닥으로의 와이어들의 초음파 본딩의 가혹함(rigor)을, 부분적으로 에칭된 리드 프레임 패키지는 견딜 수 있다는 독특한 기계적인 특성들 때문이다. 본 발명의 또 다른 실시예에는, 초음파 본딩된 와이어들을 구비한 전자 패키지들의 형성 방법이 개시되어 있다. 한 블록의 부분적으로 에칭된 리드 프레임들이 형성되는데, 웨빙된 부분들을 포함하고 스트리트 부분들에 의해 서로 분리되는 상기 리드 프레임들은 연속적인 바닥면을 가진다. 칩들은 리드 프레임들 상의 칩 수용 영역들에 부착된다. 전기 연결부들은 대응하는 리드 프레임의 전기 리드선 부분들과 각각의 칩의 단자들 사이에 이루어진다. 와이어들은 리드 프레임들의 바닥면에 초음파로 본딩된다. 리드 프레임들은 상기 리드 프레임들을 분리시키는 스트리트 부분들을 포함하는 리드 프레임들 위로 함침제 물질을 적용하여 캡슐화된다. 다음으로 상기 바닥면의 백 패터닝이 웨빙된 부분들과 스트리트 부분들을 제거하도록 수행된다. 그 후, 캡슐화된 리드 프레임들은 스트리트 부분들 위로 싱귤레이트되어, 바닥면 상의 초음파로 본딩된 와이어들을 구비한 개별적인 칩 스케일 패키지들을 형성하게 된다.
도 4 내지 15b 및 도 16 내지 도 24b는 니어-칩 스케일 패키지(CSP)들에 필적할 만한 리드 카운트들을 갖는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임 패키지를 형성하는 다른 실시예들을 보여준다. 본 발명의 방법은 제조 라인의 자동화 및 그로부터 제조된 패키지들의 품질과 신뢰성을 개선시킨다. 이는 한 면 상의 웨브형 리드 프레임 내에 형성된 부분적으로 패터닝된 금속막을 이용하여 제조공정 단계들의 주요 부분을 수행함으로써 달성된다. 종래에 스텐실형 리드 프레임을 통해 펀칭(punching)되는 것과는 대조적으로, 본 발명에 사용된 리드 프레임은 한 면 상에서 부분적으로 패터닝되고, 다른 면 상에서는 고형화(solid) 및 평탄화된다. 이러한 구조는 기계적으로 그리고 열적으로 모두 개선되며, 칩-부착, 와이어 본드 및 캡슐화 공정 시에 왜곡 또는 변형(deformation)없이 수행된다. 칩 부착 및 와이어 본딩 공정 단계들이 완료된 후, 칩 및 와이어 본드들이 고정되고 몰딩 물질로 밀폐되듯이 캡슐화되며, 바닥면은 리드 콘택들을 칩-패드로부터 서로 격리시키기 위하여 상기 막을 완전히 통과하도록 에칭된다. 후속해서, 결과적인 캡슐화된 패키지는 어떠한 추가적인 금속 절단없이도 싱귤레이트된다.
보다 상세하게, 도 4 내지 도 15b는 와이어-본딩된 칩을 위한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임의 형성 및 그것을 이용하여 ELP-타입 전자 패키지를 형성하기 위한 방법을 보여준다. 한편, 도 16 내지 도 22는 플립-칩을 위한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임의 형성 및 그것을 이용하여 ELPF-타입 전자 패키지를 형성하기 위한 방법을 보여준다. 본 발명의 부분적으로 패터닝된 리드 프레임을 이용하는 ELGA-타입의 전자 패키지를 형성하는 방법도 도 24a 및 도 24b와 연계되어 설명된다.
도 4는 리드 프레임 내에 형성될 뿐만 아니라 상기 리드 프레임을 형성하는 계속되는 공정 단계들 도중에 안정된 캐리어(carrier)로서의 역할을 하는 막(바람직하게는 금속(바람직하게는 구리) 시트)의 단면도이다. 금속 스트립의 두께는 대략 0.05 mm 보다 크거나 같다. 또 다른 실시예에서는, 두께가 대략 0.05 내지 0.5 mm 사이의 범위에 있을 수 있다.
리드 프레임을 형성하는 것은 통상적으로 스텐실을 절단하는 것과 같이 금속 스트립을 절단한 다음 매우 미세한 핑거형 리드선들과 작업하는 것을 수반한다. 이러한 정교한 구조를 제 위치에 유지시키기 위하여, 진공 척이 사용될 수 있다. 하지만, 종래의 진공 척들은 통상적으로 이러한 정교한 디바이스에 흡입(suction)을 제공하는데 순응되지 않고, 리드 프레임은 보통 주변적으로 클램핑(clamp down)되어야만 한다. 이러한 목적을 위하여 사용된 어떠한 장비(rigging)도 한 타입 및 사이즈의 리드 프레임으로부터 또 다른 것에 맞게 수정되어야만 한다. 하지만, 본 발명은 이러한 수정 단계가 생략된다. 부분적으로 패터닝된 리드 프레임의 바닥면이고형이고 연속적이기 때문에, 종래의 진공 척은 처리 시에 리드 프레임을 제 위치에 용이하게 유지시킬 수 있다. 나아가, 다양한 산업적인 리드 프레임들을 수용할 수 있는 한 사이즈 금속 스트립이 리드 프레임들의 제조 시에 보편적으로 사용될 수 있다. 와이어 본딩 및 칩 부착의 후속 공정 단계들은 리드 프레임 상에 훨씬 작은 응력 및 스트레인이 형성된 채 수행될 수 있다. 지오메트리들이 훨씬 더 미세한 리드 프레임들이 용이하게 제작될 수 있는데, 그 이유는 리드선들이 웨브형 구조체들에 의해 함께 유지되고, 그 최종 단계까지 서로 분리되지 않기 때문이다.
리드 프레임 상에 다양한 패턴들을 형성하는 것은 여러 방법들로 달성될 수 있다. 한 가지 방법은 패턴을 금속 내에 스탬핑/코이닝(stamping/coining)하는 것을 들 수 있다. 다른 방법으로는 화학적 또는 전기화학적 밀링 및 EDM(electrical discharge machining)을 포함할 수도 있다. 다른 한편으로는, 반도체 제조의 대표격(mainstay)인 포토리소그래피 패터닝이 바람직하다. 본 발명에서, 도 4에 도시된 금속 스트립(100)은 포토리소그래피 패터닝에 앞서, 전방(또는 최상부)면과 후방(또는 바닥)면 모두에 예비-도금된다. 전방면과 후방면 어느 한쪽 또는 양쪽 모두는 각각 본딩 뿐만 아니라 땜납성(solderability)이 가능한 물질로 예비-도금될 수 있다. 일 실시예에서, 전방면은 Ni/Pd/Au-스트라이크(strike) 또는 Ag와 같은 본딩가능한 물질로 예비-도금된다. 또 다른 실시예에서는, 후방면이 Sn/Pb, 무연 땜납, 침지-주석 무전해-니켈 또는 Au-스트라이크와 같은 땜납가능한 물질로 예비-도금된다. 상기 예비-도금은 필요에 따라 추후 단계에서 수행될 수 있다.
다음 단계에서, 예비-도금된 전방면(110)은 칩-패드 영역을 둘러싸는 전기콘택(113)들 및 칩-패드(115)에 대응하는 영역들을 형성하기 위하여 포토리소그래피로 패터닝된다. 전기 콘택(113)은 웨브형 구조를 형성하는 중간 후퇴부들의 제1영역을 통해 칩-패드 영역(115)에 연결되는 리드선의 단부로서의 특징을 가질 수 있다. 이러한 웨브형 중간 후퇴부들은 금속막(100)이 뒤로부터 에칭되는 경우 추후에 제거되어, 단부들과 칩-패드 부분들이 서로 격리되도록 한다. 하나의 칩-패드(115) 및 이를 둘러싸는 콘택(113)들을 포함하는 영역들은 때때로 칩 사이트들로 명명된다. 복수의 칩 사이트들은, 1 이상의 칩 사이트를 포함하는 리드 프레임들의 형성을 쉽게 자동화하도록 스풀(spool)에 스프로켓(sprocket)된 구리 시트의 연속적인 롤 상에 형성될 수 있다. 도 5는 2개의 칩 사이트를 예시하는데, 이는 2개의 대응하는 리드 프레임들로 형성되며, 이는 그들로부터 형성되는 두 패키지들의 일부분일 것이다.
도 5에 예시된 2개의 칩 사이트들에 도시된 패턴은 에칭에 의해 막 스트립(100)으로 전사(transfer)된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 주된 특징은 에칭이 금속의 두께를 부분적으로만 통과하도록 수행된다는 점이다(이하 본 명세서에서는 이것을 부분 패터닝이라 칭한다). 부분 패터닝은 각각의 리드 프레임의 리드 콘택(113)들을 칩 패드(115)들에 연결시키는 웨빙된 구조체(130)를 형성하도록 상기 막의 제1영역에서 수행된다. 상기 제1영역은 또한 상기 막의 스트리트 부분(136)들에서 서로에 대해 리드 프레임들을 연결시킨다.
도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, (예컨대, 16 x 16의) 매트릭스 또는 리드 프레임들은 블록/윈도우 막(138)내에 형성될 수 있다. 도 6b 및 도 6c는 상기제1영역이 각각의 리드 프레임의 리드 콘택들 및 칩 패드를 연결시키는 웨빙된 구조체(139)를 포함한다는 것을 보여준다. 상기 제1영역은 또한 상기 막의 스트리트 부분(136)들에서 복수의 리드 프레임들을 서로 연결시킨다.
일 실시예에서, 부분 패터닝은 상기 막의 두께의 25% 내지 90%로 변할 수 있다. 하지만, 부분 패터닝은 사실상 상기 막의 두께의 어떠한 퍼센트로도 이루어질 수 있으며, 부분 에칭 정도는 유연성, 견고성 및 열적 두께(또는 열적 도전성)를 포함하는 제조성 파라미터들에 영향을 끼치는 여러 팩터들을 고려하여 결정될 수 있다. 리드 콘택 영역(113)들과 칩-패드 영역(115)들의 가로방향 치수는, 다음 레벨의 패키징에서 패키지들 사이의 또는 주어진 패키지 내의 인터레벨(interlevel) 또는 인트라레벨(intralevel) 연결들에 사용될 수 있는 여타의 연결 매체 또는 와이어 본드들 및 주어진 칩 사이즈들에 바람직한 소형화(miniaturization)의 정도를 토대로 결정될 수 있다. 특히, 리드 프레임의 미세한 피처들 및 치수 안정성(dimensional stability)에 대한 제조성 문제(manufacturability concerns)가 여기서는 핑거형 리드선들의 웨브형 구조체에 의해 보다 덜 중요하다는 점에 유의한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 그 다음에 칩(140)들은 바람직하게는 에폭시(150)를 이용하여 칩-패드 영역들에 부착된다. 도 7b는 본 발명에 따라 에폭시 또는 솔더를 포함하는 부착부를 보여주는 칩 패드 및 칩 사이의 결합부의 확대도이다. 에폭시(150)는 칩의 냉각을 증대시키기 위하여 도전성 입자들로 충전될 수 있다. 대안으로, 에폭시(150) 대신에 솔더 페이스트(150')가 사용되어 칩과 칩-패드간의 보다 강한 본드 및 주위 환경에 대한 보다 효과적인 냉각 경로를 제공할 수도 있다. 에폭시는 경화되어, 8에 도시된 바와 같이 된다. 칩 부착 후, 와이어(160)들은 도 8에 도시된 바와 같이 잘 알려진 와이어 본딩 기술들을 이용하여, 단자(145)들에 그리고 대응하는 리드 콘택(113)들에 본딩된다. 본 발명에 따라 형성된 리드 프레임은 예컨대 진공 척(도시안됨)에 의해 평탄면 상에 단단히 자리잡고 유지되는 고형이면서 연속적인 후방면을 가지기 때문에, 리드선들의 웨브형 구조체는 와이어 본딩 시에 플러터링(fluttering) 또는 바운싱되지 않는다. 이는 우수한 본드들을 발생시켜, 최종 제품의 신뢰성을 향상시킨다.
도 9에서, 칩들과 대응하는 콘택들을 연결시킨 후, 금속막의 전방면 상의 모든 구성요소들은 예컨대 수지에 의해 몰딩 물질로 밀폐되듯이 캡슐화된다. 함침제(encapsulant; 170)는 리드 프레임들과 그와 관련된 와이어(160)들, 칩(140)들과 콘택(113)들 뿐만 아니라 웨빙된 구조체(130) 및 스트리트 부분(136)들을 포함하여 모든 노출된 표면들과 상기 막 위에 형성된다. 결과적인 몰딩된 패키지가 들어올려지면, 깨끗한 후방면이 추가 처리에 이용될 수 있다. 흔히 겪게 되는 패키지의 아랫면에서의 풋프린트에 대한 몰드 플래싱(mold flashing) 문제는 본 명세서에 개시된 방법에 의해 해결된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 리드 콘택(113)들과 칩-패드(115)들 모두는, 패키지의 후방면을 통과하도록 제1영역의 웨빙된 구조체(135)를 에칭함으로써 그들 자체의 아일랜드(island)들을 형성하도록 서로 격리될 수 있다. 이 때, 스트리트 부분(136)들도 백 에칭(back etching)된다. 백 에칭은 몰딩 물질에 도달할 때까지계속된다. 금속을 백 에칭하는 에치 방법은 전방면에 사용되는 것과 동일하여야만 한다. 하지만, 후방면에 대한 에치 시간은 전방면으로부터 수행된 부분 에칭 정도에 따라 전방면에 사용된 것과 상이할 수 있다. 따라서, 초기 형성의 부분 에치 리드 프레임이 최종 패키지의 자동화, 품질, 신뢰성 및 기능성에 대한 제조 요건들에 적합하도록 주문 제작될 수 있다.
최종 단계에서, 리드 프레임들간의 스트리트 부분(136)들 위의 함침제(170)는 도 11에 도시된 바와 같이 2개의 개별적인 패키지들을 형성하도록 싱귤레이트된다. 이것은 소오 슬라이싱(saw slicing), 워터-제트-컷, 레이저-컷 또는 그들의 조합 혹은 플라스틱을 절단하는데 특히 적합한 여타의 기술들을 포함하는 여러 방법들로 달성된다. 다시 말해, 절단해야 할 금속이 더 이상 없으므로, 플라스틱과 금속을 조합하여 절단하는 것과 관련된 딜라미네이션 및 다른 문제들이 없게 된다. 이는 패키지가 싱귤레이트되는 것과 동시에 스트리트들간의 브리징 금속(bridging metal)이 절단되어야만 하는 종래의 패키지들과 비교될 수 있다. 금속과 플라스틱 모두를 동시에 절단하는 경우, 일부 금속 칩들은 여러 번 라인들과 콘택들을 단락시킬 수 있어, 바람직하지 않고 예측할 수도 없는 소오 블레이드(saw blade)들의 마모를 초래하게 된다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 상기 방법은 또한 리드 프레임들의 매트릭스로부터 수많은 패키지들을 생산하는데 적용될 수도 있다.
싱귤레이트된 ELP의 평면도가 도 12a에 도시되어 있는데, 여기서 콘택(120)들과 칩(140)은 그들 자체의 아일랜드들 상에서 서로 격리되어 있으며, 단지 와이어 본딩된 와이어(160)들을 통해서만 서로 연결되어 있다. 도 12b는, 원래의 금속스트립의 일부분(100), 본딩가능한 층을 형성하기 위해 예비-도금된 최상부면(113) 및 땜납가능한 층을 형성하기 위해 예비-도금된 바닥면(123)을 포함하는 콘택들 중 하나와 칩 사이의 패키지의 코너의 확대도를 보여준다. 도 12b에서, "립"은 칩의 코너 및 콘택 상에 모두 도시되어 있다.
몇 가지 목적을 위하여 패키지의 아랫면 상의 예비-도금된 표면(120)이 사용될 수 있다. 첫째, 칩-패드(140)의 뒷면(125)에 대한 직접적인 외부 액세스가 냉각용 추가 가열 경로를 제공한다. 둘째, 니어-칩 사이즈 패키지(CSP)의 풋프린트 내의 콘택(123)들은 다음 레벨의 패키징에서 타이트하게(tightly) 이격된 패키지들을 장착시키는 것을 가능하게 하여, 동일한 면적에 대한 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태는, 몰딩 물질과 그것이 부착되어야 하는 표면들 사이의 딜라미네이션의 가능성을 줄이기 위한 수단을 제공한다. 이는 도 12b에서 도면부호(105)로 나타낸 것과 같은 레지(ledge) 또는 "립"을 형성하기 위하여 콘택 영역들 및 칩-패드 주위의 에지들을 하프-에칭(half-etching)함으로써 달성된다. 또한, 몰딩 물질과 접촉하게 되는 표면들의 인터로킹 메커니즘(interlocking mechanism)을 강화시키기 위하여, 도 12c에 도시된 불규칙하게 성형된 공동(107)들을 형성하는 것도 가능하다. 다양한 기타 공동들의 확대도들도 도 13a 내지 도 13f에 도시되어 있으며, 상기 표면 강화부들의 형성은 전방면으로부터의 부분 에칭에 용이하게 통합될 수 있다. 이것은 몰딩 물질이 전방면으로부터 부분적으로 형성되는 표면들만을 캡슐화하는 한 후방면으로부터의 에칭에는 필수적인 것은 아니다.
도 14는 원하는 칩-패드 및 둘러싸는 콘택들을 형성하고자 하는 방식으로 전방면으로부터 금속 스트립내로의 리드 프레임(200)의 부분 에칭에서부터 시작하여 동일한 금속 스트립의 백 패턴 에칭(250)으로 끝나는 본 발명의 방법을 요약한다. 칩 부착(210), 에폭시 경화(220), 와이어 본딩(230) 및 캡슐화(240)의 중간 단계들은 모두 기계적으로 그리고 열적으로 안정된 리드 프레임에서 달성되는데, 그 이유는 리드선들이 여전히 금속막 내의 부분적으로 에칭된 웨브형 또는 웨빙된 구조체 상의 중간 후퇴부들의 제1영역을 통해 연결되기 때문이다. 또한, 패키지의 모든 구성요소들이 함침제로 경화된 후에만 중간 후퇴부들의 제1영역이 백 패턴 에칭(250)을 통해 제거된다는 점, 및 칩-패드 뿐만 아니라 주변적 콘택들이 적절한 격리(isolation)를 위하여 서로 분리하도록 만들어져 있다는 점을 유의하는 것도 중요하다. 그 결과, 단일 니어 칩 사이즈 패키지들로의 싱귤레이션(260) 시에 어떠한 금속도 절단할 필요가 없게 된다.
본 발명의 방법은 전자 패키지용 어레이 타입의 리드 프레임과 같은 광범위한 패키지들을 형성하는데 사용될 수 있다. 어레이 타입 패키지(400)의 평면도가 도 15a에 도시된 표준 주변적 타입 패키지(300)에 이웃하여 도 15b에 도시되어 있다. 도면부호 305는 칩 단자들의 주변장치 구성예를 나타내는 한편, 도면부호 405는 단자들의 어레이 타입 구성예(peripheral arrangement)를 나타내는데, 이는 인-라인(in-line) 또는 스태거링된 구조일 수 있다. 두 패키지들은 도면부호 310 및 410으로 표시된 바와 같이 본 명세서에 개시된 부분 패터닝 발명을 이용하여 형성된다. 어레이 타입 ELP에는, 내측 리드선(440)들과 외측 리드선(445)들이 도시되어 있다. 두 패키지들은 몰딩 물질(320 또는 420)로 캡슐화된다. 콘택들과 칩을 격리시키기 위한 백 패턴 에칭이 도면부호 330 및 430으로 표시되어 있다. 도면부호 450은 그라운드 링 피처(ground ring feature)를 나타내는데, 이는 몰드와 동일한 레벨로 에칭된다. 도면부호 460은 ELP의 저면도 상의 어레이 타입 입력/출력 구성을 가리킨다.
도16 내지 도 24b에 도시된 제2실시예에는 FC 전자 패키지들을 대량 생산하는 데에 특히 적합한 부분적으로 패터닝된 VFQFP-N 타입 리드 프레임을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이하, 플립-칩을 수용하도록 되어 있는 리드 프레임은 종래의 리드 프레임들과 구별하기 위하여 FCL이라 칭할 것이다. 이는 후술하는 바와 같이 FCL들이 종래의 리드 프레임들과는 달리 자동화된 제조 라인들에 대해 훨씬 더 순응가능하며 더 튼튼하기 때문이다.
FCL들은 또한 종래의 범용 펀칭 스루된(punched through) 스텐실형 리드 프레임들과는 대조적으로 웨브형 구조체들이다. 웨브형 FCL의 전방면은 부분적으로 패터닝된 리드선들을 포함하는 후퇴된 섹션들을 가지는 한편, 후방면은 고형이면서 평탄하다. 이는 제조 공정들 시에 왜곡 또는 변형없이 수행하기 위한 기계적인 견고성을 제공한다. 패키지의 밀폐적인 밀봉 및 칩 부착의 종료 후, 리드 콘택들을 서로 격리하도록 후방면이 에칭된다. 후속해서, 결과적인 캡슐화된 패키지가 어떠한 추가 금속의 절단없이도 싱귤레이트된다. 따라서, 리드선들이 웨브형 또는 웨빙된 구조체들에 의해 함께 유지되고 싱귤레이션의 그 최종 단계까지 서로 완전히 분리되지 않으므로, VFQFP-N 패키지들에서와 같이 훨씬 더 미세한 지오메트리들을 갖는 FCL들이 용이하게 제조될 수 있다.
제1실시예에서 개시된 부분적으로 패터닝된 리드 프레임과 마찬가지로, 제2실시예의 FCL 또한 금속 시트, 바람직하게는 도 4에 도시된 바와 같은 구리막으로 형성되는데, 여기서 전방면과 후방면 모두는 예비-도금되거나 또는 앞서 언급된 바와 같이 도금이 추후 단계로 연기될 수 있다(두 실시예들에서의 공정 단계들이 유사하므로, 도면부호들은 제2실시예에 특별히 표시한 것을 제외하고는 동일한 것으로 적절하게 나타내었음을 유의한다. 두 실시예들에 사용된 금속막에 대한 일관성을 위해 동일한 도면번호인 100은 유지되었다). 그 후, 예비-도금된 전방면(110')은 칩 수용 영역(115')들, 상기 칩 수용 영역들을 둘러싸는 리드선 부분(113')들 및 기타 중간 영역(117')들을 형성하기 위하여 포토리소그래피로 패터닝된다. 아래에 기술되는 후속 공정 단계에서, 리드선들의 일 단부는 FC의 단자들에 연결되는 한편, 나머지 다른 단부는 다음 레벨의 패키징에 연결된다. 칩 수용 영역 및 둘러싸는 리드선들을 포함하는 영역들은 때때로, 와이어-본딩된 칩들을 갖는 칩 사이트들과 유사하게 칩 사이트로 명명된다. 복수의 칩 사이트들을 포함하는 복수의 리드 프레임들은, 1 이상의 칩 사이트들을 포함하는 리드 프레임들의 형성을 쉽게 자동화하기 위하여 스풀에 스프로켓된 구리 시트의 연속적인 롤 상에 형성될 수 있다. 도 16은 두 칩 사이트들을 예시하며, 이는 2개의 대응하는 리드 프레임들로 형성되는데, 이는 그들로부터 형성되는 2개의 패키지들의 일부분일 것이다.
그 후, 도 16에 예시된 두 칩 사이트들에 도시된 패턴이 에칭을 통한 부분적인 패터닝에 의해 금속막(100)으로 전사된다. 도 17에 도시된 부분적인 패터닝은 금속 스트립의 1/2, 1/4 또는 실제로는 어떠한 비율의 두께까지도 될 수 있으며,부분 에칭 정도는 유연성, 견고성 및 열적 두께(또는 열적 도전성)를 포함하는 제조성 파라미터들에 영향을 끼치는 여러 팩터들을 고려하여 결정될 수 있다. 리드 콘택 영역(113')들과 칩 영역(115')들의 가로방향 치수는, 다음 레벨의 패키징에서의 패키지들 사이 또는 주어진 패키지 내의 인터레벨 또는 인트라레벨 연결들에 사용될 수 있는 리드선들 및 칩 사이즈를 포함하는 주어진 칩 사이트들에 바람직한 소형화의 정도를 토대로 결정될 수 있다. 특히, 리드 프레임의 치수 안정성 및 미세한 피처들에 대한 제조성 문제가 여기서는 핑거형 리드선들의 웨빙된 구조체에 의해 보다 덜 중요하다는 점에 유의한다.
그 후, 플립-칩(FC)(130)은, 칩의 전방면 상의 단자(135')들이 도 18에 도시된 바와 같이 리드선들의 일 단부 상에 있도록 플립오버된다(flipped over). 추후 단계에서, 리드선들의 대향하는 단부는 카드 또는 보드와 같은 다음 레벨의 패키징에 대한 연결을 위하여 전기 콘택들 내에 형성될 것이다. 하지만, 우선 도 18에 도시된 웨브형 리드 프레임 구조체 상에 조립된 칩들은, 당업계에서 실시되는 바와 같이 칩 결합 노(chip joining furnace)를 통과하도록 보내진다. 솔더 볼들은 리플로우가 BLM에 의해 제한되도록 리플로우되므로, 솔더 필러(solder pillar)들을 형성하게 된다. 본 발명에 따라 형성된 리드 프레임은, 평탄면 상에 단단하게 자리잡고 유지되는 고형의 연속적인 후방면을 가지므로, 리드선들의 웨브형 구조체가 칩-결합 노에서 플러터링 또는 바운싱되지 않고, 이에 따라 우수한 칩 결합이 이루어지게 된다. 그 결과, 개시된 방법은 최종 제품의 신뢰성, 즉 VFQFP-N 타입 패키지들의 신뢰성을 향상시킨다.
칩 결합 후, 원래의 금속막의 전방면 상의 부분적으로 패터닝된 리드선들을 따라 칩들이 도 19에 도시된 바와 같이 몰딩 물질, 예컨대 수지에 의해 밀폐되듯이 캡슐화된다. 함침제(140')는 리드선(113')들의 표면, 솔더 볼(135')들 주위, 칩들의 아래쪽, 후퇴된 칩 수용 영역(115')들의 수직벽들을 따라, 뿐만 아니라 평탄면 상으로 단단하게 유지되는 금속 스트립(100)의 에칭되지 않고 고형이면서 평탄한 후방면을 제외한 후퇴된 영역(117')들의 수직벽들의 표면을 포함하여 모든 노출된 표면들 주위에 형성된다. 결과적인 몰딩된 패키지가 들어올려지면, 깨끗한 후방면이 추가 처리에 이용될 수 있다. 흔히 겪게 되는 패키지의 아랫면에서의 풋프린트에 대한 몰드 플래싱 문제도 본 실시예에서는 소거된다.
이제, 리드선(113')들은, 공정의 시작단계에서 전방면으로부터 부분적으로 에칭된 패턴과 정렬된 패키지의 후방면을 통한 패터닝에 의해 서로 용이하게 격리될 수 있다. 몰딩 물질에 도달할 때까지 백 에칭이 계속된다. 이것은 도 20에 도시되어 있는데, 여기서 리드 프레임들의 웨브형 부분들, 즉 영역(111', 119')들은 칩 영역(115')들을 서로 단절시키고 또한 리드선(113')들을 서로 단절시키기 위하여 제거된다. 금속을 백 패터닝하기 위한 에치 방법(etch recipe)은 전방면으로부터의 부분적인 에칭에 사용된 방법과 동일한 것이 바람직하다. 하지만, 후방면으로부터의 에치 시간은, 전방면으로부터 수행된 부분적인 에칭 정도에 따라 전방면에 사용된 시간과 상이할 수 있다. 따라서, 초기 형성의 부분적인 에치 리드 프레임이 최종 패키지의 자동화, 품질, 신뢰성 및 기능성에 대한 제조 요건들에 적합하도록 주문 제작될 수 있다.
최종 단계로서, 본 발명을 예시하는 목적을 위한 2개의 캡슐화된 칩 사이트들을 구비한 도 20의 패키지는 다음에, 도 21에 도시된 바와 같이, 복수의 VFQFP-N 타입 패키지들인 단일 니어-칩 사이즈 패키지(CSP)들로 싱귤레이트된다. 싱귤레이트된 부분적으로 패터닝된 리드 프레임 패키지의 평면도가 도 22a에 도시되어 있는데, 여기서 리드선(113')들은 서로 격리되어 도시되어 있으며, 칩(130')의 아랫면 상의 솔더 볼(135')들에 연결되어 있다. 도 22b는 카드 또는 보드(150') 상에 제공될 수 있는 외부 콘택(145')에 연결된 리드선들 중 하나와 칩 사이의 패키지의 코너의 확대도를 보여준다. 예비-도금된 표면(120')은 동일한 도면에 도시된 바와 같이 다음 레벨의 콘택에 결합되도록 미리 준비되어 있다. 또한, 리드선(113')들의 아랫면(114')은 주위 환경에 노출되기 때문에 냉각을 강화시키게 된다.
앞서 개시된 동일한 기술들이, 즉 웨빙된 리드 프레임의 후퇴된 영역(115', 117')의 수직벽들 상의 도 13a 내지 도 13f의 불규칙하게 성형된 공동들을 통합시킴으로써, FCL의 표면들로부터 함침제의 딜라미네이션을 막는데 사용될 수 있다. 상기 표면 강화부들의 형성은 전방면으로부터의 부분 에칭에 용이하게 통합될 수 있다. 이것은 몰딩 물질이 전방면으로부터 부분적으로 형성되는 표면들만을 캡슐화하므로 후방면으로부터의 에칭에 필수적인 것은 아니다.
도 23은 원하는 칩 수용 영역들과 둘러싸는 리드선들을 형성하고자 하는 방식으로 전방면으로부터 금속 스트립내로의 리드 프레임(200')의 부분 에칭에서부터 시작하여 동일한 금속 스트립의 백 패터닝(240')으로 끝나는, 본 실시예의 방법을 요약한다. FC 배치(210'), FC 칩 결합(220') 및 캡슐화(230')의 중간 단계들은 모두 기계적으로 그리고 열적으로 안정된 FCL 상에서 달성되는데, 그 이유는 리드선들이 여전히 금속막 내의 부분적으로 에칭된 웨브형 구조체를 통해 연결되기 때문이다. 또한, 패키지의 모든 구성요소들이 함침제로 경화된 후에만 리드선들의 웨브부들이 백 패턴 에칭(240')을 통해 선택적으로 제거된다는 점, 및 리드선들이 적절한 격리를 위하여 서로 분리하게 되어 있다는 점을 유의하는 것도 중요하다. 그 결과, 단일 니어 칩-사이즈 패키지로의 싱귤레이션(250') 시에 어떠한 금속도 절단할 필요가 없게 된다.
본 발명의 방법은, 주변적 세트의 솔더 범프들을 구비하는 본 명세서에 개시된 방법과 유사하게, 칩이 플립오버된 채로 영역 어레이의 솔더 범프들이 리드 프레임 상으로 동시에 칩 결합될 수 있는 어레이 타입의 부분적으로 패터닝된 리드 프레임과 같은 광범위한 패키지들을 형성하는데 사용될 수 있다. 또한, 부분적으로 패터닝된 리드 프레임들 자체의 어레이가 동시에 형성되고, 그 후 동시에 FC 결합된 다음, 다수의 별도 VFQFP-N 타입 패키지들로의 상기 어레이의 싱귤레이션이 이어질 수도 있다. 또한, 각각의 결과적인 CSP에는, 도 24a 및 도 24b에 도시된 ELGA-타입 패키지 또는 볼 그리드 어레이를 구비한 에칭된 리드 프레임 패키지를 형성하기 위한 다음 레벨의 패키징 상으로의 어레이 타입 결합(array type joining)을 위해 패키지 바로 밑에 솔더 범프, 패드 또는 여타의 전기 연결부들이 제공될 수 있다. 도 24a에는, 칩 패드(135')들이 리드선(145')들 위에 형성되는 단면도가 도시되어 있다. 백-패터닝에 이어서, 리드선(145')들은 다음 레벨의 패키징에 결합되도록 서로 전기적으로 절연된다. 도면부호 145'의 노출된 바닥면들은 침지-주석 디핑 또는 무전해-니켈 도금을 통해 소정의 땜납가능한 물질들로 플래시 마감될 수 있다. ELGA 패키지의 바닥면(111')이 도 24b에 도시되어 있는데, 전기 연결부(145')용 어레이 패턴이 있다.
ELP, ELPF 또는 ELGA 패키지들 중 어떤 하나를 형성하는 부분 에칭 방법은 여러 제조 단계들 시에 로버스트(robustness)을 제공하기 때문에, 여타 형태의 전자 패키지들도 가능하다. 이러한 형태의 일례는 다음 레벨 패키징에 대한 본 발명의 리드 프레임 패키지들의 와이어 본딩을 포함한다. 안정성 및 강도를 제공하기 위하여 솔리드 베이스(solid base)에 부착되지 않는다면 리드선들 자체의 연약함(fragility) 때문에 초음파 본딩 기술들은 종래의 리드 프레임들에 사용될 수 없다. 이와는 대조적으로, 부분적으로 에칭된 리드 프레임들은 그 웨빙된 구조체에 의해 안정적다. 부분적으로 패터닝된 리드 프레임의 에칭되지 않고 예비-도금된 바닥면(120')은 솔리드 본딩 영역들 또는 포스트(post)들을 제공하여, 알루미늄 와이어 웨지 본딩용 초음파 에너지를 ELP 또는 ELPF들의 블록이나 스트립들에 효과적으로 제공하게 된다. 그러므로, 본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 알루미늄 와이어(121)들은 도 25a에 도시된 바와 같이 부분적으로 에칭된 리드 프레임들의 블록 또는 스트립의 바닥면에 초음파로 부착된다. 상기 와이어 직경 범위는 대략 0.001인치 내지 0.020인치 사이에 있으며, 후자 직경은 와이어 대신 리본(ribbon)을 나타낸다. 그 후, 상기 스트립들은 캡슐화, 백-패터닝 및 싱귤레이트되어, 개별적인 니어-CSP들을 형성하게 된다. 초음파 본딩이 바람직한데, 그 이유는 볼 그리드 어레이 타입 패키지들에 의해 경험한 볼 본딩 온도들에 대한 노출을 피하게 됨으로써 신뢰성이 향상되기 때문이다. 구리 와이어 볼 본딩은 또한 도 25b에 도시된 바와 같이 적용될 수도 있다. 도 25a 및 도 25b에 도시된 CSP들은 ELP 및 ELPF들 중 어느 하나일 수 있다는 것을 이해할 수 있다.
본 발명은 전자 패키지용 제조 공정에 수많은 부가적인 장점들을 촉진시킨다. 예컨대, 백 에칭 후에 그리고 싱귤레이션 전에, 한 블록의 패키지들은 본질적으로 스트립 테스팅의 준비가 되어 있는 한편, 상기 패키지들은 여전히 상기 블록 내에 배치되어 있다. 이것은 개별적인 유닛들로서 패키지들을 취급하는 것에 비교해서 상당한 장점을 제공한다. 패키지들이 한 블록 내에 배치되는 동안의 패키지들의 스트립 테스팅은 테스트의 신뢰성을 향상시킨다.
본 발명은 또한 제조자가 주어진 패키지의 I/O 능력을 배가시킬 수 있는 스태거링된 리드선들의 듀얼 또는 트리플 행들을 구비한 패키지들을 생산하는 것을 가능하게 한다. 리드 프레임들의 평탄하면서도 연속적인 바닥면은 보편적인 조립 장비(universal assembly equipment)의 사용을 가능하게 하고, 이는 각각의 적용예에 맞는 수정이 필요치 않으며, 자동화에 완전히 유연하다. 예를 들어, 2x2 내지 12x12 패키지 블록들 사이의 처리는 어떠한 기계적인 변화도 요구하지 않는다. 또한, 본 발명은 각각의 풋(foot)에 대한 "스탠드 오프(stand off)"를 갖는 패키지들의 구성을 아주 용이하게 한다(예컨대, 풋의 표면에서 몰딩된 몸체의 바닥 사이의 2 mil로). 스탠드 오프는 칩 패키지들이 보드와 같은 다음 레벨의 패키징에 연결되어야 할 경우에 추가 장점들을 제공한다.
지금까지 본 발명은 특정 실시예들을 참조하여 특별히 도시되고 설명되었지만, 당업계의 당업자에게는 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않고도 형태 및 상세의 다양한 변화들이 가능하다는 것은 자명하다.

Claims (49)

  1. 전자 패키지의 제조에 사용하기 위한 부분적으로 패터닝된 리드 프레임에 있어서,
    최상부면 및 바닥면을 구비한 막을 포함하여 이루어지고;
    상기 막은 상기 바닥면까지 완전히 통과하지는 않도록 상기 최상부면으로부터 부분적으로는 패터닝된 제1영역을 구비하며;
    상기 막은 상기 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝되지 않은 제2영역을 구비하고, 상기 제2영역은 집적회로(IC) 칩을 지지하기 위한 칩 수용 영역 및 상기 IC 칩에 전기 연결부들을 제공하기 위한 복수의 전기 리드선들을 형성하며; 및
    상기 제1영역은 상기 최상부면으로부터 패터닝되지 않은 상기 제2영역을 상호연결하는 웨빙된 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 막은 구리 또는 그 구리 합금들을 포함하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 막은 대략 0.05mm 보다 크거나 같은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 최상부면은 플립 칩 부착을 위한 베어(bare) 구리인 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 최상부면은 본딩가능한 물질로 예비-도금되는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 본딩가능한 물질은 Ni/Pd/Au-스트라이크 또는 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 바닥면은 조립후 도금(post-assembly plating) 또는 마감 도금 디핑(finish plating dipping)을 위한 베어 구리인 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 바닥면은 땜납가능한 물질로 예비-도금되는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 땜납가능한 물질은 Sn/Pb, 무연 땜납, 침지-주석, 무전해-니켈 또는 Au-스트라이크를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 막은 스탬핑에 의해 부분적으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 막은 에칭에 의해 부분적으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1영역은 함침제의 부착을 개선하기 위해 거친 표면들 또는 로킹 피처들을 갖는 내부 수직벽들을 가지는 것을 특징으로 하는 부분적으로 패터닝된 리드 프레임.
  13. 부분적으로 패터닝된 리드 프레임을 형성하는 방법에 있어서,
    최상부면 및 바닥면을 구비한 막을 형성하는 단계;
    상기 막을 제1영역에서 상기 바닥면까지 완전히 통과하지는 않도록 상기 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝하여, 상기 최상부면으로부터 패터닝되지 않은 제2영역을 상호연결하는 웨빙된 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 제2영역은 집적회로(IC) 칩을 지지하기 위한 칩 수용 영역 및 상기 IC 칩에 전기 연결부들을 제공하기 위한 복수의 전기 리드선들을 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 막은 구리 및 그 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 막은 0.05mm 보다 크거나 같은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 부분 패터닝은 상기 막 두께의 대략 25% 내지 90%를 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    특히 와이어 본딩을 위하여, 상기 막의 최상부면을 예비-도금하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    특히 와이어 본딩을 위하여, 상기 막의 바닥면을 예비-도금하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 막의 최상부면 및 바닥면을 예비-도금하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제17항 또는 제19항에 있어서,
    최상부면을 예비-도금하는 상기 단계는 와이어 본딩가능한 물질을 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 본딩가능한 물질은 Ni/Pd/Au 또는 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 바닥면을 예비-도금하는 단계는 땜납가능한 물질을 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 땜납가능한 물질은 Sn/Pb, 무연 땜납, 침지-주석, 무전해-니켈 또는 Au-스크라이크인 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제13항에 있어서,
    상기 제1영역은, 여타의 물질들과 맞물리는 경우에 인터로킹 표면들을 형성하도록 불규칙한 형상들을 갖는 노출된 수직벽들을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제13항에 있어서,
    상기 칩 수용 영역은, 플립-칩의 솔더 범프 결합부를 수용하도록 전기 리드선들의 단부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 부분적으로 패터닝된 리드 프레임들을 이용하여 복수의 전자 패키지들을 형성하는 방법에 있어서,
    최상부면 및 바닥면을 구비한 막을 제공하는 단계;
    상기 막을 제1영역에서 상기 바닥면까지 완전히 통과하지는 않도록 상기 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝하여, 상기 막 위의 제2영역은 상기 최상부면으로부터 부분적으로 패터닝되지 상태가 되게 하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 제2영역은 복수의 부분적으로 패터닝된 리드 프레임들을 형성하며, 그 각각은 집적회로(IC) 칩을 지지하기 위한 칩 수용 영역 및 상기 IC 칩에 전기 연결부들을 제공하기 위한 복수의 전기 리드선들을 구비하며,
    상기 제1영역은, 각각의 리드 프레임의 상기 전기 리드선들 및 상기 칩 수용 영역들을 상호연결시키고 상기 복수의 리드 프레임들을 상기 막의 스트리트 부분들에서 서로에 대해 연결시키는 웨빙된 구조체를 형성하며,
    대응하는 리드 프레임에 대한 부착을 위한 복수의 전기 단자들을 각각 구비한 복수의 칩들을 제공하는 단계;
    대응하는 리드 프레임 상의 상기 칩 수용 영역에 각각의 칩을 부착하는 단계;
    각각의 칩의 1 이상의 단자와 상기 리드 프레임의 전기 리드선들 중 하나 사이의 전기 연결부를 형성하는 단계;
    상기 막의 상기 스트리트 부분들 및 상기 리드 프레임들 위쪽에 함침제 물질을 가하여 상기 리드 프레임들을 캡슐화하는 단계;
    상기 막의 상기 스트리트 부분들 및 상기 웨빙된 구조체를 제거하도록 상기 제1영역을 상기 막의 상기 바닥면으로부터 백 패터닝하는 단계; 및
    개별적인 칩 스케일 패키지들을 형성하도록 상기 막의 상기 스트리트 부분들위쪽에 배치된 상기 함침제 물질을 싱귤레이팅하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    각각의 칩은 반도체 칩인 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    칩을 부착하는 상기 단계는, 에칭된 리드 프레임 패키지(ELP)를 형성하도록 에폭시 수지를 이용하여 칩-패드에 상기 칩을 백-본딩함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    1 이상의 상호연결부를 형성하는 상기 단계는 와이어-본딩 기술들을 이용하여 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제26항에 있어서,
    칩을 부착하는 상기 단계는, 플립-칩을 구비한 ELP(ELPF)를 형성하도록 상기 칩 수용 영역까지 연장되는 전기 리드선들의 단부들에 상기 칩 상의 단자들을 연결시킴으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제26항에 있어서,
    전기 연결부를 형성하는 상기 단계는, 상기 칩 수용 영역까지 연장되는 상기 전기 리드선들의 단부들에 상기 칩 상의 단자들을 연결시킴으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제26항에 있어서,
    상기 함침제 물질은 수지인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제26항에 있어서,
    각각의 리드 프레임은 노출된 수직벽들을 갖는 제1영역을 더 포함하고, 상기 함침제 물질은 상기 노출된 수직벽들과 인터로킹하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제26항에 있어서,
    각각의 패키지의 상기 바닥면에는, 상기 전기 리드선들을 다음 레벨의 부착부에 연결시키기 위한 전기 커넥터들이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제26항에 있어서,
    상기 복수의 리드 프레임들은 블록/윈도우 패턴으로 매트릭스 내에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제26항에 있어서,
    상기 패키지들은 칩 스케일 패키지들인 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 초음파 본딩된 와이어들을 구비한 전자 패키지들을 형성하는 방법에 있어서,
    부분적으로 에칭된 리드 프레임들의 블록을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 스트리트 부분들에 의해 서로 분리되며 웨빙된 부분들을 포함하는 상기 리드 프레임들은 바닥면을 가지며;
    대응하는 리드 프레임들 상의 칩 수용 영역들에 칩들을 부착하는 단계;
    각각의 칩의 단자들과 상기 대응하는 리드 프레임의 전기 리드선 부분들간의 전기 연결부들을 형성하는 단계;
    상기 리드 프레임들의 상기 바닥면에 와이어들을 초음파로 본딩하는 단계;
    상기 리드 프레임들을 분리시키는 상기 스트리트 부분들 및 상기 리드 프레임들 위쪽에 함침제 물질을 가하여 상기 리드 프레임들을 캡슐화하는 단계;
    상기 웨빙된 부분들 및 상기 스트리트 부분들을 제거하도록 상기 바닥면을 백 패터닝하는 단계; 및
    그 바닥면 상에 와이어들을 구비한 개별적인 칩 스케일 패키지들을 형성하도록 상기 스트리트 부분들 위쪽에 배치된 상기 함침제 물질을 싱귤레이팅하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제1항에 있어서,
    상기 리드 프레임들은 구리 또는 구리 합금 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제1항에 있어서,
    상기 리드 프레임들은 스탬핑 또는 코이닝에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제2항에 있어서,
    상기 구리 막은 대략 0.05mm 보다 크거나 같은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제1항에 있어서,
    상기 칩은 반도체 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제1항에 있어서,
    칩들을 부착하는 상기 단계는 에폭시 수지를 이용하여 칩 수용 영역들에 칩들을 백-본딩함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제1항에 있어서,
    칩들을 부착하는 상기 단계는 솔더 페이스트를 이용하여 칩 수용 영역들에칩들을 백-본딩함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제1항에 있어서,
    연결부들을 형성하는 상기 단계는 와이어-본딩 기술들을 이용하여 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제1항에 있어서,
    전기 연결부들을 형성하는 상기 단계는 상기 칩 영역까지 연장되는 전기 리드선들의 단부들에 상기 칩 상의 단자들을 연결시켜 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제1항에 있어서,
    상기 초음파 본딩된 와이어들은 알루미늄 와이어들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제1항에 있어서,
    상기 함침제 물질은 수지인 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제1항에 있어서,
    백 패터닝하는 상기 단계는 에칭에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제1항에 있어서,
    싱귤레이팅하는 상기 단계는 상기 함침제를 슬라이싱함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
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