TWI239054B - Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging - Google Patents

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Shafidul Islam
Antonio Romarico Santos San
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Description

1239054 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於-般的電子構裝，及更特別玉也，關於一部份 具圖案又引線框架與製造及使用該引線框架的一方法。該 部份具圖案之引線框架比傳統的引線框架更強及更穩定。 部份具圖案（引線框架的剛性改進製造引線框架封裝的製 程及增進終端產品的整體可靠度。 【先前技術】 使用引線框架製造電子構裝，有許多製程步驟使引線框 架承文機械及熱應力。目前引線框架更細的幾何形狀及半 導體晶片上—直增加的線路積體化已導致製程置放更大的 應力在引線框架上。細建構的引線框架表現精巧的镶 邊，或模版金屬結構傾向f曲、破裂、走樣及容易變形。（見 圖Mlb)。該傳統的引線框架被使用在工業上以產生各種 的晶片封裝，包括打線接合與覆晶㈣封裝。（見㈣及 3a-3b) ° 傳統的引線框架—般缺乏結構的剛性。引線框架的手指 形部份可能相當的脆弱及難以固^在位置。其導致處理的 破裂、傷害及在組裝製程的扭曲與複雜的打線接合情況。 結果：崎佳化接合參數以補償接合製程期間引線框架 的反彈0最佳化接合來數以强 ^數以補犒引線框架的機械不穩定性 〈失敗可能導致不良的接合黏著，及因此不良 良的接合可靠度。 …1 從中心部份延伸之一血刑 〃、J的引線框架之手指形部份，被 85098 1239054 :為晶片接收面積，也被視為一晶片焊墊。該晶片通常以 向下钻著到接收面積，及前面定位向上以端點座落在 晶片周圍，或以—陣列形式覆蓋過晶片表面。該接收面積 典型地具有約5 mmX5随的尺寸，及從晶片焊塾面積向外 I伸的引線典型地具有約1〇 _長χι麵寬\〇.5咖厚的 尺寸4引線框架典型地利用—真空吸盤與機械爽固定住。 對不同尺寸與形狀的引線框架，該吸盤與夾子必需重新裝 置。本發明減輕該問題。 先酌技β /又表不任何引線框架可以忍受在目前的半導體 構裝製程考慮到的應力及可以-合理成本方式製造。心 明利用提供—部份具圖案之引線框架達成該目@，不僅增 進及引線框架本身的可製造性，而且增進從該引線框架形 成的電子封裝的集積性與可靠度。 7 【發明内容】 本發明提供一邵Y会且闰安、it t V具圖案义引線框架用在半導體構裝。 該引線框架包括且有_ μ本z t 、> 、 /、百上表面與底表面的膜。該膜的第一 區域是從上表面部价开彡士、 … 仞形成圖案但非完全通過膜到底表面。 該膜的第二區域，Ά % μ主7* ， u ^ /又仗上表面形成圖案，形成一晶片接收 區域用來支持一積體電路（Ic 夕 * 、）日曰片及$午^引線接觸用來提供
電氣連接到該IC晶片。第-區域在膜中形成溝槽及產生I 網狀結構連接沒從上表面部份形成圖案的第二區域。本發 明也指向一製造部份JL闰安、t 1仞具圖案 < 引線框架及指向利用該引 框架製作的電子封裝株。士 & 上 牛本务明的引線框架因為其網狀、 或網狀結構已增進結構的剛性。 85098 1239054 根據本發明，一金屬膜的上表面，引線框架從該表面形 成’使用標準光微影技術或相似的技術描繪將對應一晶片 接收區域及引線區域的輪廓首先形成圖案。在下一步驟， 從部份通過膜下厚度的膜之上表面實施蝕刻在描繪輪廓區 域之外的膜之第一區域以在膜中產生一引線框架。部份圖 案形成之後，從上表面沒形成圖案的剩下區域形成第二區 域，其將作為一晶片接收區域及沿上表面的引線。第一區 域形成一凹陷網狀區域在膜的上表面之下。第一區域的網 狀結構彼此連接引線部份及連接晶片接收區域。因此，該 部份具圖案的膜看起來類似一網狀的腳及保持其剛性性與 強度以致其可以忍受後續製造製程步驟的力量。特別地， 該部份具圖案的引線框架可以忍受打線接合與封裝製程期 間所考慮的力量。在某些具體實施例，該接收區域及電氣 引線可以從第二區域的相同部份形成（例如，在電氣引線支 撐積體電化晶片的情形同時因此提供電氣連接）。 本發明也提供使用部份具圖案的引線框架製造許多電子 封裝的唯一方法。該方法包括具有一上表面及一底表面之 膜的方法。在第一區域中，該膜從上表面部份形成圖案但 沒完全通到底表面。沒有從上表面部份形成圖案在膜上剩 下的第二區域形成許多部份具圖案的引線框架。每個引線 框架具有一晶片接收區域以支撐一積體電路（lc)晶片及許多 電氣引線以提供電氣連接到該ic晶片。 該膜的第一區域形成一網狀結構連接晶片接收區域及各 個引線框架的電氣引線。第一區域也互相連接許多引線框 85098 1239054 架在膜的通道部份。 才疋供弄多晶片，每一曰巧且古a 對應的輪架。纟Γ 電氣端點用來黏著到 接收〜晶片黏著到對應引線框架上的田片 接收£域及一電氣___ 的印片 線框架的電氣引嗦之、„ 日片的土^、-端點與引 引線框架及腔的1、、… 使用一封裝材料覆蓋 ML木及艇的通運邵份以完全 材料乾燥，從篦r ^ -胺的頂％。一當封裝 丁乾魬，攸罘一區域膜的底面會北 以移除坰邶紝拢=, ㈢面圖案形成製程 余騎、...構及膜的通道部份。体置覆蓋膜的通道部份 < 4 ί裝材料於是被切斷形成個別的封裝件。 在一較佳具體實施例中，哕 &一、 ” a万去包括形成引線框架的膜 、、、万塊/窗形圖案的矩陣，及包括製造晶片尺寸封裝件 本發明部份具圖案的引線框架有許多好處。引線框架平 坦及堅固未I虫刻的底表面在打線接合製程期間做為一柄佳 的熱庫。其提供更佳熱傳及更一致的接合品質。並且，該 堅固的結構提供-連續的表面給—通用的真空吸盤來向^ 抓住引線框架’因此在後續的製程步驟期間使晶片黏著製 程更穩定及該引線更安全。消除引線框架外緣的笨拙夾住 以允許一陣列矩陣引線框架設計及不需製程的轉換。因為 部份具圖案的引線框架之底邊是一平坦連續的表面，可以 用一通用的真空吸盤來抓下許多不同大小的框架。其去除 每次使用在構裝製程中不同尺寸的引線框架必需重新裝配 真空吸盤的複雜性。而且’不需進一步夾持。使用一通用 的真空吸盤及消除夾持使在第二區域上的二或三排搖晃的 引線結構能夠用在更局的引線範圍目。 85098 -10- 1239054 本發明指向一部份具圖案的引線框架其將調整打線接合 的晶片與焊錫凸塊化的覆晶。並且，本發明教導使用部份 具圖案的引線框架的方法以製作蝕刻引線框架封裝（ELp)其 使用打線接合，具覆晶的ELP(ELPF)，及也具基板柵格陣列 (LGA)焊墊的ELP或ELPF以形成蝕刻基板柵格睁列（elga) 封裝’其進一步說明在本發明的具體實施例中。 覆晶（FC)技術是向充分自動化接合一晶片上電氣端點到 下一階層構裝，也就是說，到一陶瓷或高分子基板的更加 一步驟，或到其稍後接合到該基板的一晶片微載具。該微 載具，其僅稍大於晶片本身，現在稱為晶片尺度封裝（csp)。 FC技術發展自薄帶自動接合（TAB)其也是打線接合（wb)的 起源。然而在WB與TAB，該晶片被定位在其背表面及做電 氣連接至位在其上表面周圍上的端點，在Fc技術中晶片的 方向被反向。該晶片面向下置放及晶片背面向上。本覆晶 方向具有重要的好處，其中其集中電氣功能在晶片背面上， 留下自由的頂邊用在發展高效率熱傳設計。 在FC製程中，晶片端點或接合焊墊以不同型式的凸塊覆 蓋在晶片表面，其中圖案可以被配置在一面積陣列、周圍 圖案或其他圖案上。該晶片可以下列方式黏著到下一階層： a)FC黏著到一引線框架；b)—層/基板，已知為内插板，的Fc 黏著，用來路徑重建一引線框架上的連接空間；〇Fc黏著 到在一引線框架上的一預黏著内插板；或d)使用傳統技術， 包括晶片迴焊方法，FC黏著到一印刷電路板。 使用傳統技術的晶片黏著當應用到QFN(Quacj plat No 85098 1239054 ^ )引線框架製造QFN封裝及其衍生物如VFQPF-N時， 成特力地g難。這是因為該傳統的引線框架—般缺乏結 ^ 1 引線框架的手指形部份可能相當脆弱及難以固 知雀的位置。其導致組裝製程中處理的破裂、傷害 及:曲以及複雜的晶片接合情況。FC接合製程要求凸塊焊 錫精準的對位懸掛及脆弱的引線框架之引線端。甚且，濕 的焊=端在經焊踢迴焊製程的置放後必需保持它們的位 置、、、口果，迴焊參數必需最佳化以補償晶片接合期間引線 框木的反弹，假如做得不適當，其可能導致不良的接點， 及導致最終產品不良的品質與不良的可靠度。 一般實際上利用形成-光阻圖案在—條金屬、或金屬膜 上以形成傳統的模版引線框架，及經由蝕刻該圖案以形成 從晶片接收區域延伸向外的手指形引線。通常也在指形之 間使用，拉桿”以致指形在各種製程步驟期間保持分隔，如 圖3a及3b所示。本發明利用形成—網狀、部份具圖案的％ 、、泉框木取代一模版引線框架減輕引線框架缺乏結構剛性的 問題。 根據本發明的方法，所有形成一半導體封裝的主要製程 步驟從變成一引線框架的膜之一邊實施。另一邊稱為底邊， 保留平坦及不接觸在-表面上，# —真空吸盤的表面。其 包括封裝及氣密密封部份形成的封裝件前邊。一當完成封 裝，該底表面背向蝕刻以選擇性地移除彼此連接的引線及 連接到晶片接收區域的網狀部份。在ELP情形中’其晶片背 向接合到在晶片接收區域的晶片烊墊及利用打線接合電氣 85098 > 12- 1239054 連接到晶片端點，所有中間網 ^ 4 η丈π仏嚴重的經過蝕刻以致 在打線接合端點的該晶片焊墊盥讀 土 ^ 線接觸現在利用包圍 孩晶片、導線與打線接合的接 — A又則表面的成型材料 彼此隔離。然而，在ELPF封裝情 、 衣μ义肀，僅彼此連接引線之 網狀邵份嚴重的經過蝕刻，因 為引、、泉本身連接到晶片焊錫 頭的凸塊提供電氣連接到下一階層的構裝。 經由移除網狀部份内蘇開厚度，或通道的埋人金屬且有 許多好處，包括消除傳播通過引線框架結構的鑛開力量， 及因此，防止金屬·咼分子界面 7利離。而且，經背向蝕刻 的電氣絕緣使任何切割或切斷夕 、 」乂刀蚧艾則旎夠條狀測試，或任何 進一步製程步驟之前，做該事項。在背向圖案形成之後， 在展表面上剩餘及曝露的金屬部份接著可以任何數目的可 坪材料經浸鍍錫浸鍍或無電鍍鎳完成閃亮。然而，該elga 封裝使用ELPF封裝的w t m日上 叼L以LGA焊墊用來連接到下— 的構裝。 屬 為了防止製造期間成型材料與其他封裝元件間的分離， :發明也教導在部份餘刻的引線框架之凹陷網狀部份的曝 路垂直壁上’如將與成型材料如樹脂接觸的引線的側壁上， 如何形成捲毛特徵。另饨，士 & n . $外’本發明也教導形成”唇"在晶片 焊墊與引線接點的邊緣上以# “ > I家上以致抓住在每個唇下的成型材 料’因此使成型材料難以&偶配表面分離。 明顯的從前述部份44尹丨& £丨M P + 切蚀刻的引線框架提供均一的結構與附 加的剛性及強度以忍受雷早斟 /、 、 又包于封裝製造的各種製造程序之應 力及應’k：。因為這些均一的遞r从所 ， 旳钱械性質，邵份蝕刻的引線框 85098 -13 - 1239054 =封裝= 受嚴格超音波導線接合到連接到下-階層構 在本於：另二其一攻今在傳統的高分子封裝已是不可能。 .子㈣：、體貫施例中，是形成具有超音波接合導線 私子封I的一万法。形成一妙却 …6蝕刻的引線框架，其中 藏引、，泉框罙包括網狀部份血利 一 刀/、才〗用通埂邵份彼此分離，具有 的底表面。晶片黏著到引線框架上的晶片接收區域。 =一晶片端點與對應的引線框架的電氣引線部份間做電 乳連接。導線被超音波接合到丨 y 7丨、求柩条的辰表面。利用一 封膠材料覆蓋包括隔離引線框架 求I木的通通邵份之該引線框架 加以封裝該引線框架。接菩眚 接耆貝她展表面的背向圖案形成以 移除網狀的部份與通道的部份。封裝的引線框架接著於通 道邰份被切斷以形成左底矣& μ 成*在底表面上具有超音波接合導線的個 別晶片尺寸封裝件。 【實施方式】 圖4-15b及16_24b表示形成一部份具圖案引線框架的封裝 =有引線範圍相當於接近晶片尺寸封裝（csp)的不同具體實 她例本@明的方法改進製造線的自動化與用其製作封裝 的品質及可靠度。其完成是利用實施一主要部份的製造製 程步驟具一部份具圖案的金屬膜形成一網狀引線框架在一 邊上。與傳統地穿孔模版引線框架相丨，使用在本發明的 引線框架是部份形成圖案在_邊上及在另一邊是堅固的與 平坦的。本結構改進了機械上與熱學上，及在實施晶片黏 著、打線接合與封裝製程期間沒有扭曲或變形。晶片黏著 與打線接合製程步驟完成以及晶片與打線接合被固定及氣 85098 -14- 1239054 密封裝在-成型材料之後，底面姓刻完全通過薄膜以隔離 引線與晶片焊墊彼此的接觸。結果，所得封裝 切斷沒殘留多餘的金屬。 卞衣件被 更特別地，圖4-1 5b表示形成一部份具圖案的引線框架用 在一打線接合的晶片及使用該引線框架用來形成一 ELp型式 兒子封裝的方法。另一方面，目16-22表示形成一部份具圖 業的引線框架用在一覆晶及使用該引線框架用來形成一 ELPF型式電子封裝的方法。一種形成elga型式電子封裝 的方法，使用目前部份具圖案的引線框架，也連結圖2钝與 24b—起做說明。 圖4是一膜的橫截面圖示，較佳地是一片金屬，較佳地是 銅，其不僅是形成一引線框架，而且在形成該引線框架的 後續製程步騾期間做為一穩定載具。該條金屬的厚度等於 或大於0.05 mm。在另一具體實施例，該厚度可以在〇.〇5至 〇.5 mm間的範圍。 开y成一引線框架典型地包括切出一條金屬，如切一模版， 及接著做成很細的指形引線。為了抓住該精巧的結構在同 一平面，可以使用真空吸盤。然而，傳統的真空吸盤典型 地不適合提供吸力吸住該精巧的裝置及該引線框架通常必 需夾住周圍。為該目的使用任何一套裝備從一型式及尺寸 的引線框架到另一型式及尺寸的引線框架必需重新裝置。 然而’本發明解除該再裝置的步驟。因為部份具圖案的引 線框架之底表面是堅固的及連續的，一傳統的真空吸盤在 製程期間可以容易地抓住該引線框架在同一平面。甚且， 85098 -15- 1239054 可以調整各種工業引線框架的一條狀金屬尺寸可以通用在 引線框架的製造。晶片黏著與打線接合的後續製程步驟可 以完成具有相當較小的應力及應變在形成的引線框架上。 因為引線框架被網狀結構抓在一起及直到最後步驟彼此不 分離，可以製造具有較細幾何的引線框架。 在引線框架上各種圖案的形成可以用許多方式完成。其 一途徑可以是戳印/鑄造圖案在金屬中。其他途1 =以包括 化學或電化學研磨及放電加工（EDM)。另一方面，光微影 形成圖案’其是半導體製.造較喜歡的主要依靠。在本笋明’了 圖續示的金屬帅00)在光微影形成圖案之前在前（或幻邊 及背(或底)邊兩者預電鍍。前表面與背表面兩者之任一面可 以—㈣預電鍍使個別地能夠接合及焊接。在―丑㈣每施 =m面以m的材料MNi/Pd/Au㈣或二電 鏡。在另一具體實施例，哕呰 ς /Pk ^ 4月表面以一可焊接的材料如 十、播鉛烊錫，浸鍍錫、無電鍍鎳或Au溶塊預電鍍。假 如兩要’該預電鍍可以在一稍後步驟實施。 开’該預電鐘的前面（11G)被光微影形成圖案以 /成對應日日片焊墊（115)與包圍該晶尸 ⑴3)。—電氣接點⑴3)可以1有特役為土 耽接點 ^ ^ .. "哥特斂為一引線的端點部份 :Sr構 面被些中間凹陷的網狀部份當金屬膜⑽)從背 部份將彼，稍後時間被移除以致端點部份與晶片焊塾 知知彼此隔離。包括一曰 有時被稱為晶片位置。：多：;叫與該包圍的接點⑴” 曰印片Κ置可以形成在以鏈輪扣 85098 -16- 1239054 到線軸的連續銅片捲上，以容易自動化形成包括一或更多 晶片位置的引線框架。圖5說明兩晶片位置，其將被形成兩 對應的引線框架，其接著將從它們形成兩封裝的零件。 圖5所示說明兩晶片位置的圖案接著利用蝕刻轉換成膜條 (100)。如圖6所示，本發明一主要的特徵是僅對通過金屬的 部份厚度實施蝕刻，其在文中被稱為部份形成圖案。部份 形成圖案實施在膜的第-區域以形成_網狀結構（13〇)其連 接個別引線框架的引線接點（113)之晶片焊墊（ιΐ5)。該第一 區域也在膜的通道部份（丨.3 6)彼此連接引線框架。 /如圖6a-c所示，一矩陣或該引線框架（例如，MW)可以 形成在-方塊/窗形膜（138)中。如圖61)與6。表示第—區域包 括該網狀結構(i 3 9)連接晶片焊墊與各引線框架的引線接 點H域也在膜㈣道料（136)彼此料許多引線框 在-具體實施例’該部份形成圖案可以改變25%至9〇〇/“ 膜厚。然而’該部份形成圖案事實上可以是任何膜厚的7 分比及邵份㈣量的決定可以利用考慮影響可製造性參奏 的各種GI子’包括可撓性、剛性及熱厚度（或熱傳導度）。^ 泉接點£域⑴3)與晶片焊^^域⑴5)的側邊尺寸可以根 尺寸所f最小㈣程度衫與打線接合或其他介 :了以用在下—階層構裝的已給封裝或封裝間的層間或層 連：二特別注意對細外觀可製造性及引線框架尺寸穩定 的里利用手指形引線的網狀結構現在較不重要。， 如圖73所不，晶片（14〇)接著黏著到晶片洋塾區域。較佳 85098 -17- 1239054 地使用-環氧樹脂（150)。圖7b是根據本發明晶片與晶片淨 間接點的放大圖，表示包括環氧樹脂或焊錫的黏著。 衣氧树月田（1 5 0)可以填充導電粒子以增進晶片的冷卻。或者， 浮錫“150 ) ’取代餐氧樹脂(15〇)，也可以用來提供晶片與 晶片焊塾之間-更強的接合及到周圍環境更有效的冷卻路 仫兩者。如圖8所示，環氧樹脂被固化。晶片黏著後，使用 已佑的打、.泉接合技術，如圖8所示，導線（16〇)被接合到端點 0:5)及對應的引線接點⑴3)。因為根據本發明形成的引線 王 有土固的、連、續·的背面其利用一真空吸盤（未表示） 剛性的置放及抓住在—平坦表面上，該引線網狀結構在打 線接合期間不跳動或反彈。該結果為極佳的接合，其改進 終端產品的可靠度。 θ中彡接日“與對應的接點後，在金屬膜前面上所有 ^牛接著以例如樹脂的成型材料做氣密封裝。封膠（Μ)形 =膜及所有曝露的表面上，包括引線框架及它們的結合 Χ(160)、晶片〇4〇)及接點⑴3)與網狀結構（130)及通道 當提升所得的模型封裝，乾淨的背面現在可用 ^ -製程。使用本揭露方法消除模 的腳座之問題。 《 A訂衣之卜 示’引線接點⑴3)與晶片浑塾⑴5)兩者現在可以 (135)t =離利用通過封裝背面蚀刻第—區域的網狀結構 自己的島嶁。在該點，通道部份⑽)也被 '背向蝕刻直達到成型材料。背向蝕刻全屬 用在可面的相同。然而，背面的姓刻時 85098 -18- 1239054 與用在前面的不@，依據從前面實施的部份蝕刻程 Y定1:1此，起始形成的邵份蝕刻引線框架可以習慣裁 製成適合用做最後封裝的自動化、品質、可靠度及功能性 的製造要求。 做為最後步驟’覆蓋引線框架間的通道部份(136)之封膠 (17〇)被切斷形成兩個別的封裝件如圖"所示。其以許多種 万式完成’包括鋸子切片、水刀切割、雷射切割或其組合， ^其他特別適合切割高分子的技術。m說，沒有更多 巫屬切穿及HI此沒有剥離與其他問題伴隨結合高分子與金 屬的切割。其與傳統封裝比較，通道間架橋金屬必需在封 裝被切斷的同時切斷。_候，當同時切斷金屬與高分 子兩者時，某些金屬碎片將短線及接觸，在鋸片上引起不 …可預/4的磨知。如圖6a所示，該方法也可以應用從 一矩陣引線框架製造許多封裝件。 —切斷的ELP上視圖如圖12a所示，其中表示接點（12〇)與 W (140)彼此_在它們自己的島嗅上，但僅經由已打線 接合的導線（⑽)彼此連接。圖12b表示晶片與包括—部份原 始金屬條（1〇〇)的接點之一間的一封裝角落之放大圖示，_ 上表面預電鍍形成可接合層⑴3) ’及一下表面預電鍍形成 可焊接層(123)。圖12b中，表示一 ”唇”在晶片的接點與角落 兩者之上。 在封裝下方之上的預電鍍表面（12〇)現在可用做許多目 的。首先’直接外接到晶片焊塾（14〇)的背面（125)提供一增 加的熱路徑用來冷卻。第二，接近晶片尺寸封裝（csp)腳= ^5098 -19- 1239054 内的接點（1 2 3 )使並可台g古IT m ㈣/、T ^在T —階層的構裝黏著緊密空間的 封裝件，及因此增加在相同區域的功能。 本發明另一方面提供—古本闽$ ’、 用來減少成型材料與將黏著 表面間剝離的可能性。完成利用半敍刻晶片坪塾周圍愈接 點區域的邊緣以形成一凸緣或一”唇，，，如參考圖m中的數 字（岡。也可能形成圖…中所示的不規則形狀空腔⑽） 以增進與成型材料接觸的表面之互鎖機構。各種其他空腔 的放亡圖示也表示在圖13“3f，及這些增強表面的形成可 以從可面結合進部份1虫刻。其將不必從背面I虫刻’因此成 型材料僅封裝從前面部份形成的表面。 圖1 4總結本發明Μ女、、土甘q 、， 々万法八開始k I面部份蝕刻一引線框 木（200)成I屬條及結束以同一方式背面圖案韻刻⑽)相 同的金f條以致形成所需的晶片焊墊與周圍的接點。因為 引泉仍《連接m過在金屬膜中部份敍刻的類網狀或網狀結 構上中間凹陷部份的第—區域，晶片黏著⑽）、環氧樹脂 固化（220)、打線接合（23 0)及封裝（240)的中間步驟全部完成 在機械上與熱學上穩定的引線框架。也重要的注意僅封裝 的所有7L件已保護在—封膠内之後，中間凹陷部份的第— 區域經由背面圖案蚀刻⑽）移除，及為了適當隔離， 接點及晶片坪塾做成彼此分離。結果，在分割⑽）成單獨 的接近晶片尺寸封裝期間不需切穿任何的金屬。 本發明的方法可以用來形成廣泛各種封裝，如用在一電 子封衣的—陣列型式的引線框架。—陣列型式封裝（400)的 視圖士圖1 5b所不’接著如圖1 5a所示為標準的周邊型式 85098 •20- 1239054 封裝（300)。其中數字（305)指示晶片端點的一周邊排列，數 字（405)指示端點的一陣列型式排列，其可以建構成行或交 錯。使用本揭露的部份圖案形成之發明形成兩封裝件如參 考數字（310)與（410)所示。在陣列型式ELP中，内引線（440) 與外引線（445)如所示。兩封裝件被封裝在成型材料（320)或 (420)中。背面圖案蝕刻以隔離接點與晶片以（33〇)與（43〇)指 不。數字（450)描述一接地環外觀，其被蝕刻成與模型在相 同的階層。數字（460)指向ELP底視圖上陣列型式的輸入/輸 出建構。 附圖16-24b所示的第二具體實施例揭露形成一部份具圖 案的VFQFP-N型式引線框架，其特別地適合大量生產Fc電 子封裝。因此’製作來調整覆晶的引線框架將被指示為Μ， 以與傳統的引線框架做區別。這是因4，不像傳統的引線 框架’ FCL較剛性與更適合自動化的製造線，如下說明。 與傳統所有目的之穿孔、模版引線框架相比，似也是 類網狀結構。一網狀FCL的前邊具有凹陷截面，包括部份形 成圖案的引線，其背面是堅固與平坦的。其提供機械的剛 性以在：以製私期間實施而無扭曲或變形。在完成晶片黏 著與氣密封裝之後，触刻背面以彼此《引線接點。結果，
沒有切成任何多餘的金屬，所彳I 荀听仵的封裝是切斷的。因此，FCL· 明，的具較細的幾何，如具VFQ㈣的封裝件，可以容易 地製造以致引線以類網狀或網狀結構以在__’及直到 取後切斷的步驟，不完全彼此分離。 如已揭露第一具體實施例部份形成圖案的引線框架，第 85098 -21 - 1239054 二具體實施例的FCL也從一片金屬形成，較佳地如圖4所示 的鋼膜’其中别表面與負表面兩者預電鍍或如前所述，該 預電鍍可以延緩到稍後步驟。（應該知道，對兩具體實施例 的製程步騾是相似的，除了第二具體實施例以，表示的那些 外，爹考數字已保持相同。相同參考數字（丨〇〇)已維持一致 用在兩具體實施例的金屬膜。）。接著，預電鍍的前邊（110，) 光微影形成圖案以形成晶片接收區域（丨丨5，）、包圍晶片接收 區域的引線部份（113，），及其他中間區域（117，）。後續的製 程步騾揭露在下面，引線的一端點部份將連接到Fc的端點， 而其他端點部份將連接到下一階層的構裝。包括一晶片接 收區域與包圍的引線之區域有時稱為一晶片位置，相似於 具打線接合的晶片之晶片位置。許多引線框架包括許多晶 片位置可以形成在以鏈輪連到線軸的連續捲繞銅片上以容 易自動形成包括一或更多晶片位置的引線框架。圖16說明 兩個晶片位置，其將形成兩對應引線框架，其接著將是將 從其中形成的兩封裝的零件。 圖16說明所示兩個晶片位置的圖案接著經由蝕刻利用部 份圖案形成轉成金屬膜（1〇〇)。圖17所示的部份圖案形成可 以達到二分之一、四分之一、或對該物質，任何比率的金 屬條厚度，及部份餘刻量可以藉考慮各種因子影響可製造 性參數，包括可撓性、剛性及熱厚度（或熱傳導度）來決定。 引泉接觸區域⑴3 )與晶片區域⑴5’）的侧面尺寸可以根據 所而取小化程度決定用在已知晶片位置包括晶片大小及其 可以被用在下一階層構裝之一已給封裝或封裝之間的層間 85098 -22- 1239054 或層内連接之引線。特別注意關心的料框架微細特徵與 尺寸穩定性之可製造性利用類手指开”丨線的網狀結構現在 較不重要。 覆晶（FC)(130’）接著被覆蓋以致在晶片前面上的端點（135，） 座落在引線的一端點部份’如圖18所示。在稍後步驟，引 線的相對端將形成電接觸連接到下一階層的構裝，如一卡 :戈-板。然而首先，如圖18所示晶片組裝在類網狀引線框 架結構上q皮送通過本技藝常㈣晶片接合爐。錫球被迴 焊以致迴焊被BLM限制，因此形成錫柱。因為根據本發明 形成的引線框架具有-堅固的、連續的背面被牢固及抓住 在一平坦表面上，該引線的類網狀結構在晶片接合爐中不 動搖或反彈，因此產生極佳的晶片接合。結果，本^露方 法增進最終產品，亦即VFGFP_N型態封裝件，的可靠度。 晶片接合後，晶片與在最初金屬膜前面上部份形成圖案 的引線接著被氣密封裝在-成型材料中，例如圖19所示為 —樹脂。封膠（140，）形成包裹所有曝露的表面、包括所有引 線⑴3’)、圍繞錫球(135，)、晶片之下方、沿著凹陷晶片接 *或的垂直壁⑴5 )、及除了未蝕刻外的凹陷區域之垂直 壁⑴7，）、抓住牢固在—平坦表面上之金屬條（⑽）的堅固及 平坦的背面。當掀起所得模型的封裝時，乾淨的背面可以 用來進一步製程。模料溢注到封裝下面上的腳架之通常考 慮的問題在本具體實施例也被消除。 立利用通過封裝件背面形成圖案對準在起始步驟已從前面 Η刀蝕刻〈圖案’引線⑽,)間現在已可以彼此隔離。繼婧 85098 -23- 1239054 ,,月向银W i到達成型材料。如圖μ所示，W線框架的 =狀#份’稱為區域⑴Γ)及⑴9()，被移除而中斷彼此 的叩片區域（115,) ’及彼此的引線（113，）。較佳的用來背向 形成金屬圖案的姓刻程序與用來從前面部份姓刻的程序相 7 :然而’從背向的蝕刻時間依據從前面實施的部份蝕刻 程度可以與用在前面的不同。因Α，部份㈣引線框架的 起始形成可以做成適合最後封裝件自動化、品質、可靠度 度與功能性的製造要求。 做為最後步驟，_的封裝，為了說明本發明的目的具 有兩封裝的晶片位i，接著被切斷成單獨的接近晶片尺寸 封裝（CSP)，其為更多VFQFP_N型式的封裝件，如圖2 i所示。 一切斷的部份形成圖案之引線框架封裝的上視圖如圖22a所 示，其中所示引線（113·)彼此隔離及連接到晶片（130,)下面 上的錫球（13 5 )。圖22b表示晶片與連接到可以提供在-- 或一板（150’）上的外部接點（145，）的引線之一之間封裝角落 的放大圖。該預電鍍表面（12〇,)已準備接合到同一圖中所示 的下一階層的接點。而且，引線（113,)的下面（114，）曝露到 周圍環境，因此提供增強的冷卻。 如揭露相同的技術以前被用來防止封膠從FCL表面剥 離，亦即利用結合圖13a-13f網狀引線框架凹陷區域（115，）與 (11 7 )的垂直壁上不規則形狀的空腔。這些表面強化的形成 已可以結合到從前面的邵份蝕刻。其將不必從背面蝕刻， 因此該成型材料僅封裝部份從前面形成的表面。 圖23總結本具體實施例的方法以從前面部份形成引線框 85098 -24- 1239054 架（2⑽，)圖案成-金屬條為開始及㈣方法背面形成相同金 屬條圖案（24G，）為結束以致形成所需的晶片接收區域及包圍 引線。因為引線仍舊連接通過金屬膜中部份蚀刻的類網狀 結構，該FC放置（210，）的中間步驟，冗晶片接合（潜），及 封裝（23〇|)全部完成在機械上與熱學上穩定的fcl上。重要 ，王，以、的僅所有封衣元件已保硬在封膠内之後，引線的網狀 部份選擇性經由背面圖案㈣⑽,）被移除，及引線被做成 彼此適合切斷的隔離。社吳 * 離、、口果在切割（250，）成單獨接近晶片 尺寸封裝件期間，不需切穿任何金屬。 本發明方法可以用來形成廣泛的各種封裝件，如一陣列 型式的一部份圖案之引線框架，其中一區域陣列的焊錫凸 塊:以利用晶片覆蓋同時晶片接合到引線框架上，相似於 揭露在本文中以一周邊組的坪錫凸塊的方法。而且，可以 同時形成—陣列具部份圖案之引線框架，及接著也同時^ 接合，接著利轉列切斷成眾多分離的型<VFQFP_N封裝 件。而且，各個所得csp於是可以提供具有焊錫凸塊、焊塾、 或其他電氣連接在封裝之下，以用在陣列型式接合在下一 階層構裝，以形成-具有球栅陣列的姓刻化線框架封裝， 或ELGA型式封裝，如圖24a及24b所示。圖％中，表示一 橫截面’其中晶片焊墊⑽，）形成在引線（145，）上。接著背 面形成圖案’引線(1451)彼此電氣隔離以接合到下一階層的 封裝。該（145，）曝露的底表面可以任何數量的可焊材料:浸 鍵錫浸鍍或無電鍍鎳披鍍完成晶亮。elga封装的底表面 (nr)如圖糾所示具有—用來電氣連接（145,)的陣列圖案。 85098 -25- 1239054 因為形成任 一 ELP、FTPF—、l：Tr^Ait ELPF或ELGA封裝的部份蝕刻方法在 各種製造步驟期間提供穩健性’其他電子封裝的形成也有 可能。-種該形式包括本發明引線框架封裝的打線接合到 下一階層的構裝。因為引線本身的脆弱，超音波接合技術 不能使用在傳統㈣線框架，除非它們被黏著到—剛性底 厘以提供穩定性及強度。相反，部份_的引線框架利用 它們的網狀結構是穩定的。部份蝕刻的引線框架之未蝕刻 與預電鍍的底表面(120，)提供剛性的接合區域或支柱以有效 地應用超音波能量對銘導線楔形物接合在elp4elpf方塊 或條狀因此’根據本發明另—方面，銘導線g川被超 上，如圖25a所示。該導線直徑範圍約0.001时至0.020忖之 =’後者的i㈣表帶狀而非線狀。該條形接著被封裝， 2面形成圖案與切斷以形成個別的接近csp。超音波接合是 需要的’ m為其避免曝露至球柵㈣型式封裝所經歷的錫 球接合溫度，及因此增進可靠度。銅導線球接合也可以鹿 用如圖25b所示。將瞭解如圖25a及25b所示csp可以是任— 音波黏著到—塊狀或條狀部份㈣的引線框架之底表面 ELP與ELPF。 本發明對電子封裝的製造製程提升許多增加的好處。例 如，在背面I虫刻之後及切斷之前，當封裝仍舊安排在方塊 内時-塊封裝將緊接著準備做條狀測試。其與處理該封裝 成個別單元相比提供一重要的好處。當其被安排在一方塊 内時，增進測試的可靠度。 本發明也使一製造廠能夠製造封裝具有兩或三排交錯的 85098 -26- 1239054 引線其可以倍增一所給封裝的1/0容量。該引線框架平坦連 續的底表面使能夠使用普通的組裝設備，其不需對每個應 用重新裝配’及其芫全地對自動化具有彈性。例如，2 X 2 至12X12封裝方塊間之製程不需要任何機械改變。並且， 本發明容易促進封裝結構對每一支腳具有一”分離，，（例如， 模型體的底邵在腳的表面間是2 mils”當晶片封裝被連接 到下一階層的構裝如一板時，該分離提供更加的好處。 然而本發明已特別的表示及參考特定的具體實施例說 月，熱悉此項技蟄人士應該瞭解可以做形式及詳細的改變 不偏離本發明的精神及範圍。 【圖式簡單說明】 圖la疋根據先前技藝，具有引線及一晶片焊墊區域之一 傳統引線框架的圖示。 圖lb是根據先前技藝圖u傳統引線框架的圖示，表示晶 片黏著到晶片焊墊，及晶片上端點到引線的打線接合。 、圖是根據先前技藝，—打線接合的與则線）拉引線的 ·、I日曰片尺寸封衣（csp)之橫截面圖示，表示利用引線連接 到下一階層的構裝。 圖2b是根據先前技藝 的接近-CSP之橫截面圖 下一階層的構裝。 ’一打線接合的與（不用引線）無引線 示，表示利用焊錫凸塊或球連接到 圖2c疋根據先前技藏，一曰 农馒日曰與拉引線的接近-CSP之橫 截面圖示，表示利用έ ^ 、 w、、求運接到下一階層的構裝。 圖2d是根據先前技蓺，一 ^ 设阳與無引線的接近_CSP之橫 85098 -27- 1239054 截面圖e ’表示利用踢球連接到下一階層的構裝。 一:3a是根據先前技藝，—模版引線框架的上視圖，表示 月面接合的晶片打線接合連接到引線框架的引線。 -圖3b是根據先前技藝，—模版引線框架的上視圖，表示 .'二^錫迴洋製程—覆晶連接到引線框架的引線。 圖4是根據本發明，以一可接合材料預電鑛在均勾厚度的 金屬膜兩邊之橫截面圖示。 、圖5疋根據本發明，圖4金屬膜的橫截面圖示，其中僅對 尤兩曰曰片位置的表面上的預電鍍已形成圖#，其每一位置 包括焊㈣包圍每—晶片焊塾之引線接點。 、圖6是根據本發明，圖4電鍍金屬膜的橫截面圖示，其已 邵份形成圖案。 圖疋根據本發明，表示一矩陣的部份具圖案之引線框 架的上視圖。 圖讣及“表示圖⑽示矩陣中的引線框架之漸進放大的 上視圖。 厂、圖並疋根據本發明’圖6邵份具圖案的金屬膜之橫截面圖 丁其中一晶片已被黏著到在兩晶片位置之各個晶片焊墊 上0 —圖疋根據本發明’晶片與晶片焊餐間之接點的放大圖 不’表不包括環氧樹脂或焊錫的黏著。 圖8是根據本發明，圖〜或7b晶片黏著的金屬膜之橫截面 : /、中每個晶片上的端點已被打線接合到形成在每個 晶片位置上的引線部份。 85098 -28- 1239054 圖9是根據本發明，圖8打線接合的引線框架之橫截面圖 不’其中金屬膜的上表面’包括該晶片與打線接合已被氣 密密封在一封膠中。 圖10是根據本發明，已從背面㈣移除每個引線框架的 弟一區域與膜中的通道區域之圖9的氣密緊密封裝之橫截面 圖示。 圖11是根據本發明形成兩分離的封裝件，兩接近晶片尺 寸邵份具圖案的封裝件之橫截面圖示，其中該封膠已在通 道區域被切斷。 圖12a是根據本發明，圖11的切斷封裝件之-的上視圖， 表示該晶片、接點與導線連接晶片端點到引線接點，及具 有一打線接合的接點之一的放大橫截面。 、 圖1 2 b是根據本發明日&卩曰‘ ^ 曰曰片文亍墊與接點之一之間區域的橫 截面圖示’表示為了提供錨定與防止剝離使用垂直表面上 的”唇”與成型材料接觸。 圖1 2 c是根據本發明曰& ^日3片绛墊與接點之一之間區域的橫 截面圖示，表示為了提供 、 杈仏鮞疋與防止剝離使用垂直表面上 不同形狀的空腔與成型材料接觸。 圖Ua-Uf是根據本發明，可以被使用來提供銷定方法給 圖12b與心中所示垂直表面上的成型材料之各種空腔圖。 圖14是根據本發明，她纟士 〜〜形成一邵份具圖案的封裝 種製程步驟之流程圖。 圖1 5 a是根據本發明，矣一 月表7^一封裝件具周邊I/O建構之上 視、側視及底視圖。 85098 -29- 1239054 圖15b是根據本發明’表示一封裝件具1/〇焊墊陣列建構 之上視、側視及底视圖。 圖16是根據本發明，圖4一金屬膜的橫截面圖示，其中僅 對應兩覆晶位置的上表面之預電鍍已形成圖案，其各位置 包括一晶片接收區域及包圍各晶片接收區域之引線。 圖17是根據本發明，圖16中已部份具圖案形成一網狀引 線框架（即網狀結構）之電鍍金屬膜的橫截面圖示。 圖18是根據本發明，表示覆晶(FC)接合之一晶片接合的 引線框架（FCL)之橫截面圖示。 圖19是根據本發明，圖18 FCL的橫截面圖示，其中金屬 膜的上表面，包括該晶片，已氣密封裝在一封膠中。 圖20是根據本發明，已從背面蝕刻選擇性移除個別引線 間與凹陷晶片接收區域間的網狀部份之圖19的氣密緊密封 裝之橫截面圖示。 圖21是根據本發明’已從圖2()的封裝切斷之兩接近晶片 尺寸邰份具圖案的封裝件之橫截面圖示。 圖22a是根據本發明，圖以切斷的封裝件之—的上視圖， 表示晶片與引線連接晶片端點到引線的終端部份，: 連接到下一階層的構裝。 ^是輯本發明，覆晶與連接到表示_引線的兩端點 、、疋下階層構裝間區域的放大橫截面圖示。 圖23是根據本發明，總結形成支撐一覆晶的—部产且 术的封裝件之各種製程步驟的流程圖。 ’、θ 圖％及24b是根據本發明，表示已被切斷之兩接近晶片 85098 -30- 1239054 尺寸部份具圖案的封裝件之橫截面圖示與下視圖，及接著 提供具球柵陣列連接點來連接到下一階層的構裝以形成一 ELGA型式的封裝。 圖25a及25b是根據本發明，表示本發明的另一具體實施 例，其中圖24a及24b的封裝件個別地以鋁線超音波接合， 及或者利用銅線球接合的技術。 【圖式代表符號說明】 100 金屬條 105 唇 . 107 不規則形狀空腔 110，110 丨 預電鍍的前面 111 丨，119' 類網狀部份 113 電氣接點 113? 引線部份 114' 下面 115 晶片焊墊 115? 晶片接收區域 117f 中間區域 130,135,139 網狀結構 130’ (FC)覆晶 136 通道部份 138 方塊/窗形膜 140 晶片 145,1351 端點 85098 -31 - 1239054 145f 外部接點 150 樹脂 150’ *—或一板 160 結合導線 170,140' 封膠 120 接點 120? 預電鍍表面 121 鋁線 123 可錫焊層 125 背面 1351 錫球 200,2001 引線框架 210 晶片黏者*的中間步 210f FC放置 220 樹脂固化 220? FC晶片接合 230 打線接合 240,230f 封裝 25 0,3 3 0,43 0,240丨背面形成圖案蝕刻 260 切斷 300 標準周圍型式封裝 305 晶片端點的周邊排 310, 410 封裝件 320,420 成型材料 -32- 85098 1239054 405 端點的陣列型式排列 440 内引線 445 外引線 450 接地環外觀 460 陣列型式輸入/輸出的建構 -- 85098

Claims (1)

1239054 拾、申請專利範圍： 1. 一種邵份具圖案的引線框架，用來製造一電子封裝，勺才 一膜具有一上表面及一底表面； 該膜具有第一區域從上表面部份具圖案但不完全通到 底表面； 該膜具有第二區域沒從上表面部份具圖案，該第一区 域形成一晶片接收區域用來支撐一積體電路（IC)晶片及許 多用來提供電氣連接到該1C晶片之電氣引線；及 第一區域形成一網狀結構交連沒從上表面形成圖案的 弟二區域。 2·如申請專利範圍第丨項之部份具圖案的引線框架，其中該 膜包括銅及其銅合金。 3·如申請專利範圍第丨項之部份具圖案的引線框架，其中該 膜具有一厚度大於或等於〇 〇5 mm。 4·如申請專利範圍第i項之部份具圖案的引線框架，其中該 上表面是裸露的銅用做覆晶黏著。 5·如申請專利範圍第i項之部份具圖案的引線框架，其中該 上表面是預電鍍一可接合的材料。 6·如申請專利範圍第5項之部份具圖案的引線框架，其中該 可接合的材料包括Ni/Pd/Au鑄錠或Ag。 7·如申請專利範圍第i項之部份具圖案的引線框架，其中該 底表面是裸露的銅用做後組裝電鍍或用做完成電鍍浸鍍。 8.如申請專利範圍第i項之部份具圖案的引線框架，其中該 底表面是預電鍍一可錫焊的材料。 85098 1239054 申叫專利範圍第8項之部份具圖案的引線框架，其中今 可錫焊的材料包括Sn/Pb、無鉛焊錫、浸鍍錫、無電鍍妒 或Au轉鍵。 又次 10·如申請專利範園第1項之部份具圖案的引線框架，其中嗦 膜利用戳印部份形成圖案。 11 ·如申請專利範圍第1項之部份具圖案的引線框架，其中嗦 膜利用餘刻部份形成圖案。 Λ 12·如申請專利範圍第1項之部份具圖案的引線框架，其中兮 第一區域具有粗糙表面.或毛皺外表的内部垂直壁用來増進 一封膠的黏著。 13 · —種形成邵份具圖案的引線框架之方法，包括以下步驟· 形成一膜具有一上表面及一底表面； 從上表面部份形成膜圖案，但不完全通到在第—區域 <膜的底表面以形成一網狀結構，其交連沒從上表面形成 圖案的第二區域； 其中該第二區域具有一晶片接收區域用來支撐一積體 電路（1C)晶片及許多用來提供電氣連接到該1(：晶片之電氣 引線。 14.如申請專利範圍第13項的方法，其中該膜包括銅及其合 金。 15·如申請專利範圍第13項的方法，其中該膜具有一厚度等 於或大於0.05 mm。 16_如申請專利範圍第13項的方法，其中該部份形成圖案包 括移除約25%至90%的膜厚。 85098 1239054 如申請專利範圍第13項的方法，進—步包括預電鍍膜上 表面的步騾，特別用在打線接合。 以如申請專利範圍第13項的方法，進—步包括預電鍵膜底 表面的步騾，特別用在打線接合。 19.如申請專利範圍第13項的方法，進—步包括預電鐘膜上 表面及底表面的步驟。 2〇.如申請專利範圍第17項或第19項的方法，其中該上表面 的預電鍍包括使用一導線可接合的材料。 21. 如申請專利範圍”項的方法，其中該導線可接合的材 料包括Ni/Pd/Au或Ag。 22. 如申請專利範圍第18項或第㈣的方法，其中該底表面 的預電鍍包括使用一可錫焊的材料。 23. 如申請專利第22項的方法，其中該可料的材料是 Sn/Pb、無鉛焊錫、浸鍍錫、無電鍍鎳或Au鑄錠。 24. 如申請專利範圍第13項的方法，其中該第一區域具有不 規則形狀曝露的垂直壁當與其他材料卸接時以形成互鎖表 面0 25·如申請專利範圍第13項的方法，其中該晶片接收區域包 括電氣引線的終端部份以調整一覆晶的焊錫凸塊接合。 26.—種使用部份具圖案的引線框架形成許多電子封裝之方 法，包括以下步驟： 提供一膜具有一上表面及一底表面； 從上表面部份形成膜圖案，但不完全通到在第—區域 謂的底表面，留下沒從上表面部份形成圖案的第二區域 85098 1239054 在版上d第—區域形成許多部份具圖案的引線框架，每 一個具有晶片接收區域用來支撐—積體電路⑽晶片及許 多電氣引線用來提供電氣連接到霞晶片； 該第-區域形成-網狀結構交連每—個引線框架的晶 片接收區域及電氣引線以及連接許多料框架到在膜的通 道邵份中之其他引線框架； 才疋1、彳夕曰曰片每一個具有許多電氣端點用來黏著到對 應的引線框架； 黏著每一晶片到一對應的引線框架上的晶片接收區 域； 點與引線框架的電氣引線 在母一晶片的至少一 間形成一電氣連接； 應用-封膠材料覆蓋引線框架與膜的通道部份而封 該引線框架； 以移除網狀結 從膜的第一區域之底表面背向形成圖案 構及膜的通道部份；及 切斷該曝露在膜的通道部份之封膠材料以形成個別的 晶片尺寸封裝件。 晶片是一半導 27.如申請專利範圍第26項的方法，其中每— 體晶片 28·如申請專利範圍第26項的方法，其中黏著晶片的步驟是 使用-環氧樹脂利用t面接合該晶片至卜晶片焊細开= 一 I虫刻的引線框架封裝（ELP)而完成。 29_如申請專利範圍第26項的方法，其中形成至w、— ^ —運接的 85098 -4- 1239054 步驟是使用打線接合技術完成。 3 0.如申請專利範圍第％項的方法，其中黏著該晶片的步驟 是利用連接晶片上的端點到延伸至晶片接收區域的電氣号丨 線之終端部份以形成一具有一覆晶的ELP(ELpF)*完成。 3 1.如申請專利範圍第26項的方法，其中形成電氣連接的步 驟是利用連接晶片上的端點到延伸至晶片接收區域的電氣 引線之終端部份而完成。 32. 如申請專利範圍第26項的方法，其中該封膠材料是—樹 脂。 . ' 33. 如申請專利範圍第26項的方法，其中每一引線框架進一 步包括具有曝露垂直壁的第一區域及該封膠材料與該曝露 垂直壁互鎖。 34. 如申請專利範圍第26項的方法，其中每一封裝的底表面 形成有電氣連接點用來連接電氣引線到下一階層的黏著。 35·如申請專利範圍第26項的方法，其中許多引線框架放入 一方塊/窗形圖案的矩陣中。 36·如申請專利範圍第26項的方法，其中該封裝是晶片尺寸 封裝。 37·—種形成電子封裝的方法，該電子封裝具有超音波接合 導線，包括以下步驟： 元成一塊邵份蝕刻的引線框架，其中該引線框架，包 括、、’罔狀邰份及利用通道部份彼此分離，並具有一底表面； 黏著晶片到對應的引線框架上之晶片接收區域； 在每一晶片端點與對應的引線框架之電氣引線部份間 85098 1239054 形成電氣連接； 超首波接合導線到該引線框架之底表面； 使用一封膠材料覆蓋引線框架及分離該引線框架之通 道邵份來封裝該引線框架； 背面形成底表面圖案以移除網狀部份及通道部份；以 及 切斷舖蓋通道部㈣封膠材料以开X具有轉在底表 面上之個別晶片尺寸封裝。 38·如申請專利範圍第37項的方法，其中該引線框架包括— 銅膜或銅合金。 39.如申請專利範圍第37項的方法，其中該引線框架利用戳 印或鑄造形成。 力申叫專利範圍第38項的方法，其中該銅膜具有一厚度 大於或等於〇.〇5 mm。 41.如申請專利範圍第37項的方法，其中該晶片包括一半導 體裝置。 Ή請專利範圍第37項的方法，其中黏著晶片是使用一 環氧樹脂利用背面接合該晶片到晶片接收區域而完成。 '如申請專利範圍第37項的方法，其中黏著晶片是使用錫 丹利用3面接合該晶片到晶片接收區域而完成。 *如申請專利範圍第37項的方法，其中形成電氣連接是使 用打線接合技術完成。 45.如申請專利範圍第37項的方法，其中形成電氣連接是利 用連接晶片上的端點到延伸至晶片區域的電氣引線之終端 85098 1239054 部份來完成。 46. 如申請專利範圍第37項的方法，其中超音波接合的導線 包括鋁線。 47. 如申請專利範圍第37項的方法，其中該封膠材料是一樹 脂。 48. 如申請專利範圍第37項的方法，其中該背面圖案形成是 利用蝕刻來完成。 49. 如申請專利範圍第37項的方法，其中該切斷是利用分割 該封膠來完成。 85098
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