KR20050004140A - 구리 화합물 및 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
분해온도가 100∼300℃의 범위이고, 하기 식(1):[R1COO]n[NH3]mCuX1 p(1)(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 O∼1, n개의 R1은 각각 하기 식(2), CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H를 나타내고, 동일해도 되고, 상이해도 되며, 또는 n이 2일때, 2개의 [R1CO0]는 함께 하기 식(3)을 나타내고,
R2, R3, R4는 각각 CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H이고, R5는 -(CHX2)r- 이고, X2는 H, OH 또는 NH2이고, r은 0∼4, q는 1∼4, X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자)로 나타내어지는 단위가 1 이거나 또는 다수로 연결한 구리 화합물이다.
이에 의해, 전자 디바이스 등의 제조 공정에서 필요한 구리 박막을 안전하고, 저렴한 가격으로, 또한 용이하게 형성할 수 있는 구리 화합물과 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 구리 화합물 및 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 자세하게는 전자 디바이스의 배선 형성 등에 적합한 구리 화합물 및 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 공업적으로 비도전성 기재상에 구리 박막을 형성하는 방법으로서는 무전해 구리 도금법이 일반적으로 이용되고 있다. 예컨대 프린트 기판의 제조 공정에서는 기재 상에 무전해 구리 도금법을 이용하여 도전성의 구리 박막이 형성되고,그 후 이를 소지(素地)로하여 전기구리도금법에 의해 구리 배선에 필요한 두께인 구리 박막이 형성된다.
그러나, 상기 무전해 구리 도금법에서 이용되는 도금욕에는 발암성을 갖는 포름알데히드가 사용되고 있어 작업 환경, 폐액의 처리에 문제가 있다.
또, 태양전지, 반도체 디바이스, 전자 디스플레이 디바이스 등의 제조 공정에서는 스퍼터링법, 진공증착법, CVD법 등의 진공공정으로 구리 배선이 형성되고 있다.
이러한 방법은 대규모의 진공 증착 장치를 필요로 하고, 또한 진공 배치(batch) 처리로 인하여 생산성이 낮고, 비용이 높다.
또, 하기 특허 문헌 1에는 구리의 초미립자의 분산액을 기재에 도포하여 300∼400℃로 소성하고 구리 박막을 형성하는 것이 제안되어 있다.
특허 문헌 1: 일본국 특개 2000-123634호 공보
그러나, 상기 종래의 기술은 소성이 고온에서 이루어지므로, 내열 온도가 낮은 유기기재에는 적용될 수 없다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 전자 디바이스 등의 제조 공정에서 필요한 구리 박막을 안전하고, 저렴한 가격으로, 또한 용이하게 형성할 수 있는 구리 화합물을 제공하는 것에 있다. 또한 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에서 얻어진 석출물의 적외(IR) 분석 차트.
도 2는 본 발명의 실시예 1에서 얻어진 구리 화합물의 열중량 측정(TG) 차트.
도 3은 본 발명의 실시예 1에서 얻어진 구리 화합물의 분말 X선회절 차트.
도 4는 본 발명의 실시예 3에서 얻어진 구리 박막의 화학분석용 전자 분광(ESCA)분석 차트.
본 발명자들은 여러 가지의 유기 금속 화합물에 관하여 검토한 결과, 하기 식(1)에서 나타내어지는 구리 화합물이 100∼300℃의 비교적 저온에서 분해하여 금속 구리를 석출하고, 구리 박막을 형성하는 것을 인지하여 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 분해 온도가 100∼300℃의 범위이고, 하기 식(1):
[R1COO]n[NH3]mCuX1 p···(1)
(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 O∼1이고, n개의 R1은 각각 하기 식(2), CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H를 나타내되 n개의 R1은 서로 동일해도 되고, 상이해도 되며, 또는 n이 2일때, 2개의 [R1CO0]는 함께 하기 식(3)을 나타내며,
R2, R3, R4는 각각 CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H,
R5는 -(CHX2)r-,
X2는 H, OH 또는 NH2,
r은 0∼4,
q는 1∼4,
X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수 연결한 구리 화합물이다.
본 발명의 구리 박막의 제조 방법은 상기의 구리 화합물을 구리의 비산화 분위기 하에서 100∼300℃로 가열한 후에 60℃이하까지 냉각하여 구리 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구리 화합물은 상기 식(1)에 나타내어지는 단위로 이루어진다. 상기 구리 화합물은 상기 식(1)에 나타내어지는 단위 중의 하나로 이루어져도 되고, 2이상 연결한 물질이어도 된다.
또한, 2이상 연결한 물질의 경우, 무기물과 같이 그 수에 상한은 없다.
상기 식(1)에 나타내어지는 단위의 예로서는, 예컨대 하기 식 (4):
[HCOO]n[NH3]mCuX1 p···(4)
(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 0∼1, X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자이다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수 연결한 구리 화합물이다.
다른 예로는, 상기 식(1)이 하기 식 (5):
[HCOO]2[NH3]2CuX3p ···(5)
(단, p는 상기와 같고, X3은 H2O 또는 용매 분자이다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수 연결한 구리 화합물이다.
또한 다른 예로는, 상기 식(1)이 하기 식 (6):
[R1COO]2[NH3]2Cu ···(6)
(단, R1은 상기와 같고, 2개의 R1은 각각 동일해고 되고, 상이해도 된다)으로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수 연결한 구리 화합물이다.
또한 다른 구리 화합물로서는 상기 식(1)이 하기 식(7):
[OOC-R5-COO][NH3]2Cu ···(7)
(단, R5는 상기와 동일하다)
로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수 연결한 구리 화합물이다.
상기 용매분자는 구리 화합물을 제조할 시에 이용하는 용매나, 구리 화합물을 도포하기 위해서 용액화하는데 이용하는 용매 등의 분자이다. 상기 용매분자로는 예컨대 메탄올, 에탄올, 디메틸설폭사이드, 디클로로메탄, 클로로포름 등의 분자를 들 수 있다.
상기 구리 화합물의 제조 방법에 특별한 한정은 없지만, 예컨대 구리포르메이트 등의 카르복시산과 구리와의 화합물에 암모니아수를 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 또, 산화 구리에 포름산 등의 카르복시산을 반응시켜, 그 후 암모니아수를 반응시킴으로써 제조할 수 있다.
상기 구리 화합물은 구리 박막의 제조에 유용하다. 즉, 기재(基材)의 근방에서 상기 구리 화합물에 열, 광 등의 에너지를 부여하여 분해시킴으로써, 기재 표면에 용이하게 구리 박막을 형성할 수 있다.
상기 기재에 특별한 한정은 없고, 예컨대 폴리이미드, 에폭시 수지, 비스마레이미드·트리아진 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 등의 열 경화성 수지, ABS 수지, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 불소수지, 액정 폴리머 등의 열가소성 수지, 세라믹스, 실리콘, 유리, 금속, 천연 섬유나 합성 섬유로 이루어진 종이나 직물, 목재 등 여러가지의 기재를 들 수 있다. 유리 섬유나 합성 섬유를 보강 섬유로 하여 수지를 함침시킨 프리프레그 기재이어도 된다. 상기 기재의 형상에도 특별한 한정은 없고, 막, 선, 봉, 관, 판, 다공질재 등 중의 어떠한 형상이라도 된다.
상기 기재는 구리 박막의 접착성 향상 등의 필요에 따라서, 청정하거나, 화학적 처리, 물리적 처리 등에 의해 표면 개질하여도 된다.
다음에 본 발명의 구리 박막의 제조 방법을 설명한다. 본 발명의 제조 방법에서는, 우선 상기 구리 화합물을 구리의 비산화 분위기 하에서 100∼300℃로 가열한 후에 60℃이하까지 냉각하여 구리 박막을 형성한다. 상기 비산화 분위기는 환원성 분위기, 불활성 분위기, 감압 분위기, 환원성 가스 및 불활성 가스의 초임계상태의 분위기로부터 선택되는 적어도 하나의 분위기인 것이 바람직하다. 상기 가열 온도는 구리 화합물의 분해 온도 이상이면 좋지만, 바람직한 가열 온도는 구리 화합물의 종류, 가열 시의 분위기 등에 따라 일률적으로 규정할 수 없어 이들에 따라서 적절하게 설정된다. 또한, 가열 온도가 지나치게 높으면 기재의 내열 온도가 낮은 경우에는 기재에 열화가 발생하거나, 에너지의 낭비가 발생한다. 바람직한 예로는 140℃이상 200℃이하의 가열로 분해할 수 있다.
상기 가열 방법에 특별한 한정은 없고, 가열 분위기에 있었던 방법을 선택하면 된다. 예컨대 히터, 레이저 등을 이용하여 가열할 수 있다.
환원성 분위기로는 수소, 일산화탄소, 암모니아 가스 등이나, 이들과 질소, 헬륨, 아르곤, 이산화탄소 등의 불활성 가스를 혼합한 분위기를 들 수 있다.
또, 불활성 분위기로는 질소, 헬륨, 아르곤, 이산화탄소 등을 들 수 있다.
제조 방법에 대해 예를 들면, 밀폐 용기 내에 구리 화합물을 기재에 대향시켜 간격을 두어 배치하고, 감압 하에서 가열하여 구리 화합물을 분해시켜 대향한 기재 상에 구리를 증착시킴으로써, 기재 표면에 구리 박막을 형성할 수 있다(이하, 「구리 박막 형성법 A」라고 한다.).
상기 감압은 예컨대 진공 펌프로부터 10kPa 이하, 또는 1kPa 이하로 감압하는 것이 바람직하다.
상기 기압, 가열 시간 등의 조건은 구리 화합물과 기재와의 거리, 목적의 구리 박막의 두께 등에 따라서 임의로 설정할 수 있다. 가열 온도는 100∼300℃의 범위 내에서 임의로 설정할 수 있다.
소정의 가열이 행해진 후에 60℃이하까지 냉각하고, 이어서 감압을 해제한다. 60℃이하로 냉각하기 전에 감압을 해제하면 구리 박막이 산화되어, 금속 구리의 박막을 얻게 된다.
구리 화합물을 밀폐 용기 내에 배치할 시에는 구리 화합물만을 배치해도 되고, 구리 화합물을 용매 등에 용해 또는 분산시킨 용액 형상, 분산액 형상, 페이스트 형상으로 해서 배치해도 된다.
상기 용매에 특별한 한정은 없고, 구리 화합물의 분해 반응을 저해하지 않는 것이라면 좋고, 구리 화합물이 분해할 때까지 휘발되어버리는 것이 바람직하다. 예컨대 메타놀, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 펜탄, 헥산, 벤젠, 톨루엔 등의 탄화수소계 용매, 디에틸에테르, 테트라하이드로퓨란, p-디옥산 등의 에테르계 용매, 염화 메틸렌, 클로로포름 등의 할로겐계 용매, 리모넨, 게라니올, 텔피네올, 리나롤 등의 텔펜계 용매 등을 들 수 있다. 이들의 용매는 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상 병용하여도 된다.
상기 용액, 분산액 및 페이스트로는 용매 외에, 구리 박막의 기능을 손상시키지 않는 범위에서 각종 첨가제를 이용하여도 된다. 예컨대 용액의 점도를 조정하는 증점재, 습성(濕性)을 향상시키는 계면 활성제 등을 사용할 수 있다.
또, 예컨대 밀폐 용기 내에서, 상기 구리 화합물을 기재 표면에 접촉시켜 배치하고, 완만한 감압 하에서 가열하는 것으로도 기재 표면에 구리 박막을 형성할수 있다(이하, 「구리 박막 형성법 B」라고 한다.). 상기 완만한 감압은 예컨대, 아스피레터로부터 90∼1 kPa, 또는 50∼5 kPa로 감압하는 것이 바람직하다.
상기 기압, 가열시간 등의 조건은, 구리화합물의 배치 방법, 목적의 구리 박막의 두께 등에 따라서 임의로 설정할 수 있다. 가열 온도는 100∼300℃의 범위 내에서 임의로 설정할 수 있다.
소정의 가열이 행해진 후에, 구리 박막 형성법 A와 동일하게 가열시의 분위기를 유지한 채로 60℃이하까지 냉각하고, 이어서 감압을 해제한다.
구리 박막 형성법 B에서도, 구리 화합물만을 배치하여도 되고, 구리 화합물을 용매 등에 용해 또는 분산시킨 용액 형상, 분산액 형상, 페이스트 형상 등으로 하여 배치하여도 된다.
구리 화합물을 기재 표면에 접촉시켜 배치시키는 방법으로 특별한 한정은 없지만, 예컨대 분체의 경우에는 정전사진 방식 등을 들 수 있고, 용액이나 분산액의 경우에는 스핀 코트, 딥 코트, 커튼 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 인젝트, 스크린 인쇄 등의 방법을 들 수 있고, 페이스트의 경우에는 스크린 인쇄 등의 방법을 들 수 있다.
상기 용매에 특별한 한정은 없고, 구리 박막 형성법 A와 같은 용매가 사용된다. 또한 상기 용액, 분산액 및 페이스트에는 용매 외에 구리 박막 형성법 A와 동일하게 각종 첨가제를 이용하여도 된다. 상기 용액 등의 점도를 조정함으로써 도막의 두께를 조정할 수 있고, 얻어지는 구리 박막의 두께를 조정할 수 있다. 막의 두께는, 예컨대 0.01∼10㎛의 범위에서 조정할 수 있다.
또한, 상기 구리 박막 형성법 B에서, 완만한 감압 분위기 대신에 환원성 또는 불활성 분위기하에서 가열하여도 된다.
환원성 분위기로는 수소, 일산화탄소, 암모니아 가스 등이나, 이들과 질소, 헬륨, 아르곤, 이산화탄소 등의 불활성 가스를 혼합한 분위기를 들 수 있다.
또, 불활성 분위기로는 질소, 헬륨, 알곤, 이산화탄소 등을 들 수있다.
이상과 같이, 본 발명의 구리 박막의 제조 방법은 가열 온도가 비교적 저온이므로, 예컨대 폴리이미드, 에폭시 수지, 비스마레이미드·트리아진 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 등의 열경화성 수지, ABS 수지, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 불소수지, 액정 폴리머 등의 열가소성 수지등의 내열 온도가 낮은 유기기재를 이용하는 프린트 기판의 구리 배선의 형성에 이용하면 기재를 열화시키지 않고 구리 박막이 형성 가능하다.
상기 구리 배선은 하기와 같이 형성하여도 된다.
(1) 기재 전면에 구리 박막을 형성한 후에 포토 에칭법으로 배선 부분을 남겨 구리 박막을 에칭하여 형성한다.
(2) 기재 전면에 구리 박막을 형성한 후에 이를 급전층으로서 전면에 구리 도금하고, 이어서 포토 에칭법으로 배선 부분을 남겨 구리 박막을 에칭하여 형성한다.
(3) 기재 전면에 구리 박막을 형성한 후에 이를 급전층(給電層)으로서 패턴 도금하는 세미 에디티브법으로 형성한다.
(4) 기재를 배선의 네가패턴의 마스크로 피복하고, 구리를 증착시켜 형성한다.
(5) 구리 화합물의 용액이나 페이스트를 배선의 네가 패턴의 스크린을 통해서 인쇄하여 가열하는 방법으로 형성한다.
또, 실리콘, 유리 기판 등에 대규모의 진공 증착 장치를 이용하지 않고 구리 배선을 형성할 수 있으므로, 태양 전지, 반도체 디바이스, 전자 디스플레이 등의 제조에 상당히 유용하다.
또한 본 발명의 구리 박막의 제조 방법은 전자 부품뿐만 아니라, 장식품, 가구, 건축재 중의 어느 용도로도 이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 전자 디바이스 등의 제조 공정에서 필요한 구리 박막을 저온으로 안전하고, 저렴한 가격으로, 또한 용이하게 형성할 수 있는 구리 화합물과, 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또, 종래의 스퍼터링법, 진공 증착법, CVD법 등의 진공 프로세스 및 도금법에 의한 구리 박막의 제조 방법과 상이하고, 특정한 화합물을 열 처리함으로써 간편하게 구리 박막을 형성하는 공업적 방법을 제공할 수 있다.
(실시예)
본 발명을 실시예에서 더욱 자세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이들의 실시예로부터 아무런 한정도 되지 않는다.
(실시예 1)
메탄올 중에 구리 포르메이트·4수화물 1몰과, 암모니아수 2몰을 부가하여 실온(25℃)으로 1시간 교반하였다. 불용물을 여과하여 얻어진 메탄올 용액을 농축하고, 방치하여 청색의 석출물을 얻었다. 이 석출물을 여과하여 감압 건조를 행하였다.
얻어진 석출물을 적외(IR) 분석한 결과를 도 1에 도시한다. 도 1에서, 카보닐기와 암모니아의 흡수로 추정되는 피크가 인정되었다.
또, 상기 청색의 석출물을 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min의 승온 스피드로 가열하고, 열중량 측정(TG)에 의한 열분석을 행하였다. 도 2에 열중량 측정(TG)에 의한 열분석의 결과를 도시한다. 도 2로부터, 약 150℃에서 분해에 의한 큰 중량 감소가 있다는 것을 알 수 있다.
얻어진 석출물을 분말 X선 회절법에 의해 분석하였다. 그 결과를 도 3에 도시한다. 또, 원자 흡광 분석에 의해 구리의 함유율을 조사한 바, 33.91중량%였다.
다음에 상기 청색의 석출물을 메탄올로 용해하고, 이 메탄올 용액을 디클로로메탄이 들어간 샘플 튜브에 살짝 첨가한 후에 봉관하여 5일간 방치하고, 청색 바늘 형상의 단결정과 청백의 가루 형상의 석출물을 얻었다.
청색 바늘 형상 단결정의 원소 분석 및 X선 구조 해석을 하였다. 탄소, 수소 및 질소의 원소 분석의 결과를 하기의 표 1에 도시한다.
| C | H | N | Cu | |
| 이론치 | 12.80 | 4.26 | 14.94 | 33.88 |
| 실측치1 | 12.8 | 4.4 | 14.5 | - |
| 실측치2 | 12.8 | 4.4 | 14.6 | - |
(비고) 각 수치는 질량%이다.
이상의 원자 흡광 분석, 원소 분석 및 X선 구조 해석의 결과로부터, 청색 바늘 형상 단결정은 Catena-[(μ-formato-o, o')-bis(ammine)(formato-o)Capper(II)]
(하기 화학식 (8))인 것이 확인되었다.
(화학식 8)
(단, q는 양의 정수.)
이 구조로부터 분말 X선 회절의 회절도를 시뮬레이트한 바, 도 3에 도시하는 실측 결과와 거의 일치하고 있었다.
(실시예 2)
메탄올 중에 산화 구리(I) 1몰, 포름산암모늄 4몰을 부가하여, 실온에서 4시간 교반하였다. 불용물을 여과하여 얻어진 메탄올 용액에 아세트산 에틸을 부가하고 방치하여 청색의 석출물을 얻었다. 석출물을 여과하여 감압 건조를 하였다.
얻어진 석출물을 IR분석한 바, 카보닐기와 암모니아의 흡수가 인정되었다.
또, 열 분석의 결과, 약 145℃에서 분해에 의한 큰 중량 감소가 있었다.
(실시예 3)
실시예1에서 얻어진 청색의 석출물을 스테인레스판 상에 10g/m2가 되도록 균일하게 늘어놓았다. 상기 스테인레스판 상의 석출물과 폴리이미드 필름이 15mm의 간격을 두고 대향하도록 스테인레스제의 치구에 의해 고정하고, 이를 진공 오븐에넣어 10OPa로 감압한 후에 170℃에서 30분간 가열하며, 그 후 50℃까지 냉각한 후에 감압을 해제하여 진공 오븐으로부터 취출하였다. 취출한 폴리이미드 필름 상에는 금속 광택이 있는 구리 박막이 형성되었다.
이 구리 박막의 두께를 전해식 막 두께 측정기로 측정한 바 0.07㎛이었다.
도 4에 이 구리 박막의 화학 분석용 전자 분광(ESCA) 분석 결과를 도시한다. Cu2p3/2가 933eV로 검출되고, 금속 구리인 것을 확인할 수 있었다.
얻어진 구리 박막을 급전층으로서 황산 구리 도금욕을 이용하여 전기 구리도금을 행한 바, 시판의 구리박막을 급전층으로 한 경우와 동일한 구리 도금막이 형성되었다.
(실시예 4)
실시예 2에서 얻어진 청색의 석출물을 같은 양의 시클로헥산올과 혼합하여 페이스트 형상으로 하였다.
얻어진 페이스트를 프린트 배선판용의 유리 에폭시 기재 상에 2Og/m2가 되도록 균일하게 도포하고, 이를 진공 오븐에 넣어 10kPa로 감압한 후에 170℃에서 30분간 가열하였다. 그리고 50℃까지 냉각한 후에 진공 오븐으로부터 취출하였다.
취출한 유리 에폭시 기재 상에 적구리색의 구리 박막이 형성되었다.
이 구리 박막의 두께를 전해식 막 두께 측정기로 측정한 바 0.38㎛이었다.
얻어진 구리 박막을 급전층으로하여 황산 구리 도금욕을 이용하여 전기 구리 도금을 행한 바, 시판의 구리박막을 급전층으로 한 경우와 동일하게 구리 도금막이 형성되었다.
(실시예 5)
실시예 1에서 얻어진 청색의 석출물을 메탄올에 용해하고, 유리 기판 상에 도포하며 메탄올을 유거하여 유리 기판 상에 10g/m2의 양으로 석출시켰다.
이 유리 기판을 전기로에 넣고, 노내를 질소 가스로 불활성 분위기로 치환하였다. 다음에 170℃로 30분 가열한 후 냉각하여 50℃ 이하로 떨어진 후에 오븐에서 취출하였다. 취출한 유리 기판 상에 적구리색의 구리 박막이 형성되었다.
얻어진 구리 박막의 두께를 전해식 막 두께 측정기로 측정한 바 0.12㎛였다.
얻어진 구리 박막을 급전층으로서 황산 구리 도금욕을 이용하여 전기 구리 도금을 한 바, 시판의 구리박막을 급전층으로 한 경우와 동일하게 구리 도금막이 형성되었다.
본 발명은 전자 디바이스 등의 제조 공정에서 필요한 구리 박막을 안전하고, 저렴한 가격으로, 또한 용이하게 형성할 수 있는 구리 화합물과 이를 이용한 구리 박막의 제조 방법을 제공한다.
Claims (11)
- 분해 온도가 100∼300℃의 범위이고, 하기 식 (1):[R1COO]n[NH3]mCuX1 p···(1)(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 O∼1, n개의 R1은 각각 하기 식(2), CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H를 나타내고, 동일해도 되고, 상이해도 되며,또는 n은 2일때, 2개의 [R1CO0]는 함께 하기 식(3)을 나타내고,R2, R3, R4는 각각 CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H,R5는 -(CHX2)r-,X2는 H, OH 또는 NH2,r은 0∼4,q는 1∼4,X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자)로 나타내어지는 단위가 1 이거나 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 화합물.
- 제1항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식 (4):[HCOO]n[NH3]mCuX1 p···(4)(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 0∼1, X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자이다)로 나타내어지는 단위가 1 이거나 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 화합물.
- 제1항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식 (5):[HCOO]2[NH3]2CuX3p ···(5)(단, p는 상기와 동일하고, X3은 H2O 또는 용매 분자이다)로 나타내어지는 단위가 1 이거나 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 화합물.
- 제1항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식 (6):[R1COO]2[NH3]2Cu ···(6)(단, 2개의 R1은 각각 상기와 동일해도 되고, 상이해도 된다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 화합물.
- 제1항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식 (7):[OOC-R5-COO][NH3]2Cu ···(7)(단, R5는 상기와 동일하다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수 연결한 것을 특징으로 하는 구리 화합물.
- 분해 온도가 100∼300℃의 범위이고, 하기 식 (1):[R1COO]n[NH3]mCuX1 p···(1)(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 O∼1, n개의 R1은 각각 하기 식(2), CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H를 나타내고, 동일해도 되고, 상이해도 되며,또는 n이 2일때 2개의 [R1CO0]는 함께 하기 식(3)을 나타내고,R2, R3, R4는 각각 CH2X2, CH2X2(CHX2)q, NH2또는 H,R5는 -(CHX2)r-,X2는 H, OH 또는 NH2,r은 0∼4,q는 1∼4,X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자)로 표시되는 단위가 1 또는 다수 연결한 구리 화합물을 구리의 비산화 분위기하에서 100 ~ 300℃로 가열한 후에, 60℃이하 까지 냉각시켜 구리박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 구리박막의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 비산화 분위기가 환원성 분위기, 불활성 분위기, 감압 분위기, 환원성 가스 및 불활성 가스의 초임계 상태의 분위기로부터 선택되는 하나 이상의 분위기인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식(4):[HCOO]n[NH3]mCuX1 p···(4)(단, n은 1∼3, m은 1∼3, p는 0∼1, X1은 NH4 +, H2O 또는 용매 분자이다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 박막의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식(5):[HCOO]2[NH3]2CuX3p ···(5)(단, p는 상기와 동일하고, X3은 H2O 또는 용매 분자이다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 박막의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식(6):[R1COO]2[NH3]2Cu ···(6)(단, 2개의 R1은 각각 상기와 동일하여도 되고, 상이하여도 된다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 박막의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식(1)이 하기 식(7):[OOC-R5-COO][NH3]2Cu ···(7)(단, R5는 상기와 동일하다)로 나타내어지는 단위가 1 또는 다수로 연결한 것을 특징으로 하는 구리 박막의 제조 방법.
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