JP4360981B2 - 銅薄膜の製造方法 - Google Patents
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又はnは2であって、2個の[R1COO]は一緒になって下記式(3)を表わし、
R2,R3,R4は、それぞれCH2X2,CH2X2(CHX2)q、NH2,H、
R5は−(CHX2)r−、
X2は、H,OH,NH2、
rは0〜4、
qは1〜4、
X1はNH4 +、H2O又は溶媒分子)
で表される単位が1又は複数連結した銅化合物がある。
また、不活性雰囲気としては窒素、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素等があげられる。
(1)基材全面に銅薄膜を形成した後、フォトエッチング法で配線部分を残して銅薄膜をエッチングして形成する。
(2)基材全面に銅薄膜を形成した後、これを給電層として全面に銅めっきし、次いでフォトエッチング法で配線部分を残して銅薄膜をエッチングして形成する。
(3)基材全面に銅薄膜を形成した後、これを給電層としてパターンめっきするセミアディティブ法で形成する。
(4)基材を配線のネガパターンのマスクで被覆し、銅を蒸着させて形成する。
(5)銅化合物の溶液やペーストを、配線のネガパターンのスクリーンを通して印刷し、加熱する方法で形成する。
メタノール中にギ酸銅・四水和物1モルと、アンモニア水2モルを加え、室温(25℃)で1時間撹拌した。不溶物を濾別し、得られたメタノール溶液を濃縮し、放置して青色の析出物を得た。この析出物を濾別し減圧乾燥を行なった。
メタノール中に酸化銅(I)1モル、ギ酸アンモニウム4モルを加え、室温で4時間撹拌した。不溶物を濾別し、得られたメタノール溶液に酢酸エチルを加え放置して青色の析出物を得た。析出物を濾別し、減圧乾燥を行なった。
実施例1で得られた青色の析出物を、ステンレス板上に10g/m2になるように均一に広げた。前記ステンレス板上の析出物とポリイミドフィルムとが15mmの間隔を置いて対向するようにステンレス製の冶具により固定し、これを真空オーブンに入れて100Paに減圧した後、170℃で30分間加熱し、その後50℃まで冷却した後、減圧を解除して真空オーブンから取り出した。取り出したポリイミドフィルム上には、金属光沢のある銅薄膜が形成された。
実施例2で得られた青色の析出物を等量のシクロヘキサノールと混合し、ペースト状とした。
実施例1で得られた青色の析出物をメタノールに溶解し、ガラス基板上に塗布し、メタノールを留去してガラス基板上に10g/m2の量で析出させた。
得られた銅薄膜を給電層として硫酸銅めっき浴を用いて電気銅めっきを行なったところ、市販の銅箔を給電層とした場合と同様に銅めっき膜が形成された。
Claims (7)
- 分解温度が100〜300℃の範囲であって、下記式(1):
又はnは2であって、2個の[R1COO]は一緒になって下記式(3)を表わし、
R2,R3,R4は、それぞれCH2X2,CH2X2(CHX2)q、NH2,H、
R5は−(CHX2)r−、
X2は、H,OH,NH2、
rは0〜4、
qは1〜4、
X1はNH4 +、H2O又は溶媒分子)
銅の非酸化雰囲気下で、100〜300℃に加熱した後、
60℃以下まで冷却して銅薄膜を形成することを特徴とする銅薄膜の製造方法。 - 前記非酸化雰囲気が、還元性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気、還元性ガス及び不活性ガスの超臨界状態の雰囲気から選ばれる少なくとも一つの雰囲気である請求項1に記載の銅薄膜の製造方法。
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