KR20040105271A - 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040105271A
KR20040105271A KR1020030035965A KR20030035965A KR20040105271A KR 20040105271 A KR20040105271 A KR 20040105271A KR 1020030035965 A KR1020030035965 A KR 1020030035965A KR 20030035965 A KR20030035965 A KR 20030035965A KR 20040105271 A KR20040105271 A KR 20040105271A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
leads
hole
stem
laser diode
device module
Prior art date
Application number
KR1020030035965A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100526504B1 (ko
Inventor
계용찬
박문규
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2003-0035965A priority Critical patent/KR100526504B1/ko
Priority to US10/685,910 priority patent/US7158550B2/en
Priority to CNB2003101036568A priority patent/CN100391065C/zh
Priority to JP2004000003A priority patent/JP3978188B2/ja
Publication of KR20040105271A publication Critical patent/KR20040105271A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100526504B1 publication Critical patent/KR100526504B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231—Stems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 광소자 모듈 패키지에 관한 것으로서, 광신호를 출사하는 레이저 다이오드와, 상기 레이저 다이오드로부터 출사된 광신호를 모니터링하기 위한 포토 다이오드를 구비하는 티오-캔(TO-CAN) 구조의 광소자 모듈 패키지에 있어서, 양면을 관통하고 지름방향에 평행하게 연장된 장공 형상의 제1 관통홀이 형성된 스템; 상기 제1 관통홀을 관통하여 1 열로 배열되는 다수의 리드들; 상기 제1 관통홀을 유리 재질의 밀봉제로 충진시켜 상기 스템과 리드들을 고정시킴을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법을 개시한다. 상기와 같이 구성된 광소자 모듈 패키지는 제작의 효율성이 증대됨과 동시에, 제작비용을 절감시키게 되었다.

Description

광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법 {OPTICAL MODULE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 광소자 모듈에 관한 것으로서, 특히 티오-캔(TO-CAN) 구조의 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
광소자 모듈은 인쇄회로기판 등 전기 회로 장치 상에 장착되어 고주파 신호를 광신호로 변환시켜 출사하게 된다. 최근 정보화 산업의 급속한 발전과 더불어 광통신망을 통한 정보 전송의 비중이 증가하고 있을 뿐만 아니라, 고속, 대용량화되고 있다. 따라서, 광소자 모듈의 고속화, 대용량화는 필수적으로 요구된다. 전통적으로 저가의 광소자 모듈에 채용되어 왔던 티오-캔 구조의 패키지가 최근에는 고속, 대용량의 광소자 모듈에 적용되고 있는 상황이다.
도 1은 종래 기술의 일 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지(100)를 나타내는 사시도로서, 티오-캔 구조의 광소자 모듈 패키지가 도시된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 일 실시 예에 따른 티오-캔 구조의 광소자 모듈 패키지(100)는 일면에 히트 싱크 블록(heat sink block)(111)이 돌출된 스템(101)과, 다수의 리드(102)들은 구비한다. 도 1에 도시된 광소자 모듈 패키지의 리드(102)들은, 레이저 다이오드(laser diode; LD)(103)의 캐소드(cathode)에 연결되는 직류(direct current; DC) 바이어스 리드(bias lead) 및 고주파(radiofrequency; RF) 리드, 모니터용 포토 다이오드(monitoring photo diode; m-PD)(104)의 애노드에 연결되는 애노드(anode) 리드, 상기 레이저 다이오드(103)의 애노드와 상기 포토 다이오드(104)의 캐소드에 연결되는 공통(common) 리드로 구성된다. 상기 스템(101) 상에는 상기 레이저 다이오드(103)와 상기 레이저 다이오드(103)의 출사 광을 검출하기 위한 포토 다이오드(104)가 각각 설치되며, 특히, 상기 레이저 다이오드(103)는 상기 히트 싱크 블록(111) 상에 장착된다. 상기 레이저 다이오드(103) 및 포토 다이오드(104)는 와이어 본딩(wire bonding) 등의 방법으로 상기 각각의 리드(102)들과 연결된다.
상기 각각의 리드(102)들은 상기 스템(101)의 양면을 관통하는 관통홀(113)에 동축 정렬된 후 유리 재질의 밀봉제(105)로 상기 관통홀(113)을 충진시키고, 상기 밀봉제(105)를 녹여 상기 리드(102)들을 상기 스템(101)에 고정시킴과 동시에 상기 관통홀(113)을 밀봉시키게 된다. 상기와 같은, 티오-캔 구조의 패키지로는 루미넌트 사(Luminent Inc.)의 제품 C-13-DFB10-TJ-SLC21이 있다.
그러나, 상기와 같이 구성된 광소자 모듈 패키지는 외부로부터 입력되는 고주파 신호들이 각각의 리드들을 지나는 동안, 리드 자체의 인덕턴스(inductance), 리드와 스템 사이의 기생 캐패시턴스(parasitic capacitance), 특성 임피던스 부정합 등의 원인에 의해 2.5Gbps 이상의 고속 전송에는 부적합한 실정이다. 더욱이, 각각의 리드들을 스템의 관통홀에 정렬시키고, 다수의 관통홀을 각각 밀봉시켜야 하기 때문에 제작에 소요되는 시간과 비용이 상승하는 문제점이 있다.
도 2는 종래 기술의 다른 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지(200)를 나타내는 사시도로서, 세라믹 피드스루(ceramic feedthrough)를 이용한 티오-캔 구조의 광소자 모듈 패키지가 도시된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 다른 실시 예에 따른 피드스루를 이용한 티오-캔 구조의 광소자 모듈 패키지(200)는 일면에 히트 싱크 블록(211)이 돌출된 스템(201)과, 상기 스템(201)에 삽입되는 세라믹 적층형 피드스루(203)를 구비한다. 상기 피드스루(203)는 상기 히트 싱크 블록(211) 상에 위치되며, 일면에는 동일면 도파로(coplanar waveguide; CPW)(202)가 형성된다. 상기와 같은 동일면 도파로형 패키지(200)는 리드(204)들을 통해 외부로부터 고주파 신호를 인가받게 된다. 이와 같은, 접합 평면 도파로형 패키지는 교세라 사(Kyocera Corp.)의 제품 TO TX PKG A2527이 있다.
상기 피드스루(203)는 세라믹 적층형 구조를 가지는데, LTCC(low temperatuer co-fired ceramic) 공정을 사용하므로 공정온도가 800 ~ 1000℃의 고온이며, 따라서, 제작 비용이 상승하는 문제점이 있다. 또한, 상기 피드스루(203)와 스템(201) 간의 기밀성(hermeticity)을 확보하기 어려울 뿐만 아니라, 리드(204)와 피드스루(203)의 접착력이 약하기 때문에 제품의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 고주파 특성이 우수하여 고속, 대용량의 광소자 모듈에 적용 가능한 패키지 및 제작 방법을 제공함과 동시에 제작이 용이하여 제작 비용이 저렴한 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 광신호를 출사하는 레이저 다이오드와, 상기 레이저 다이오드로부터 출사된 광신호를 모니터링하기 위한 포토 다이오드를 구비하는 티오-캔(TO-CAN) 구조의 광소자 모듈 패키지에 있어서,
양면을 관통하고 지름방향에 평행하게 연장된 장공 형상의 제1 관통홀이 형성된 스템;
상기 제1 관통홀을 관통하여 일렬로 배열되는 다수의 리드들;
상기 제1 관통홀을 유리 재질의 밀봉제로 충진시켜 상기 스템과 리드들을 고정시킴을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지를 개시한다.
또한, 본 발명은 레이저 다이오드 및 포토 다이오드를 포함하는 광소자 모듈 패키지의 제조 방법에 있어서,
지름방향에 대하여 평행하게 연장된 장공 형상의 관통홀이 형성된 스템을 구성하는 단계;
소정의 플레이트로부터 일방향으로 각각 연장되는 다수의 리드를 구비한 리드 프레임을 구성하는 단계;
상기 스템의 일면으로부터 상기 리드의 단부를 상기 관통홀 내에 삽입 및 정렬시키는 단계;
유리 재질의 밀봉제로 상기 관통홀을 밀봉시키는 단계를 포함하는 광소자 모듈 패키지의 제조 방법을 개시한다.
도 1은 종래 기술의 일 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지를 나타내는 사시도,
도 2는 종래 기술의 다른 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지를 나타내는 사시도,
도 3은 본 발명의 바람직한 제1 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지를 나타내는 사시도,
도 4는 도 3에 도시된 리드들이 조립되기 전의 리드 프레임을 나타내는 사시도,
도 5는 도 3에 도시된 광소자 모듈 패키지를 나타내는 평면도,
도 6은 본 발명에 제2 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지를 나타내는 평면도,
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지를 나타내는 평면도,
도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지 제조 방법을나타내는 흐름도.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지(300)는 일면에 히트 싱크 블록(311)이 형성된 스템(301)과, 레이저 다이오드(303) 및 포토 다이오드(304)가 장착된 서브 마운트(sub mount)(305)와, 다수의 리드(302)들을 구비하고, 상기 서브 마운트(305) 상에 장착된 레이저 다이오드(303) 및 포토 다이오드(304)에 고주파 신호를 인가하여 광신호를 출사하게 된다.
상기 스템(301)은 지름방향에 평행하게 연장되는 관통홀(313)이 양면을 관통하고, 일면에 히트 싱크 블록(311)이 돌출된다.
상기 관통홀(313)에 인접하는 상기 히트 싱크 블록(311)의 일면에 상기 서브 마운트(305)가 장착된다. 상기 서브 마운트(305)는 고주파 신호를 광신호로 변환하여 출사하는 레이저 다이오드(303)와, 상기 레이저 다이오드(303)로부터 출사되는 광신호를 검출하기 위한 모니터용 포토 다이오드(304)가 장착된다. 상기 포토 다이오드(304)는 상기 레이저 다이오드(303)의 후면 방출 광(back face emitting light)을 검출하여, 상기 레이저 다이오드(303)의 정상 동작 여부 및 자동출력 조절(APC; automatic power control) 동작을 하게 된다.
상기 서브 마운트(305)는 일면에 소정의 회로 패턴(351)이 형성된 실리콘 광학 벤치(silicon optical bench; 이하 'SiOB'라 칭함)로 구성될 수 있다. 상기 SiOB(305)는 본 출원인에 의해 출원된 대한민국 특허 출원번호 제2002-85022호(2002. 12. 27)에 상세하게 개시된다. 상기 레이저 다이오드(303) 및 포토 다이오드(304)는 상기 SiOB(305) 상에 장착되며, 상기 포토 다이오드(304)는 상기 레이저 다이오드(303)의 후면 방출 광을 검출하게 된다. 상기 회로 패턴(351)은 박막(thin film) 공정을 통해 형성되며, 초크용 인덕터(chock inductor), 임피던스 매칭용 저항 등을 포함할 수 있다.
상기 다수의 리드(302)들은 상기 관통홀(313)을 관통하여 일 단부(321)가 상기 스템(301)의 일면으로 돌출되고, 상기 관통홀(313)을 관통하여 상기 스템(301)의 타면으로 연장된다. 도시된 상기 리드(302)들은 상기 레이저 다이오드(303)의 직류 바이어스 리드, 상기 포토 다이오드의 애노드에 연결되는 애노드 리드 및 세 개의 고주파 리드들로 구성된다. 상기 고주파 리드들은 고주파 신호 리드와, 한 쌍의 그라운드 리드로 구성된다. 상기 리드(302)들은 각각 상기 SiOB(305)의 회로 패턴(351)을 통해 외부로부터 입력되는 고주파 신호를 상기 레이저 다이오드(303)로 인가시키게 된다.
상기 리드(302)들은 상기 관통홀(313)에 충진되는 유리 재질의 밀봉제(306)에 의해 상기 스템(301)에 고정된다. 유리 재질의 밀봉제(306)는 글래스 씨일 파우더(glass seal powder) 상태로 상기 리드(302)가 정렬된 관통홀(313) 내에 충진된 후, 500℃ 정도의 온도에서 용융되어 상기 관통홀(313)을 밀봉시키게 된다.
한편, 상기 광소자 모듈 패키지(300)로 인가되는 고주파 신호의 왜곡, 손실을 방지하기 위하여, 상기 광소자 모듈 패키지(300)의 특성 임피던스 매칭이 요구된다. 현재 상용화되어 있는 레이저 다이오드 드라이버 집적회로(laser diode driver IC; LDD), 펄스 패턴 발생기(pulse pattern generator; PPG) 등은 출력 임피던스가 25Ω 또는 50Ω으로 설정되고 있다. 상기 광소자 모듈 패키지의(300) 특성 임피던스는 상기 스템(301), 리드(302) 또는 유리 재질의 밀봉제(306)의 유전율 등을 조절하여 LDD, PPG 등의 출력 임피던스에 매칭시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지(400)를 나타낸 평면도로서, 선행 실시 예와 동일하게 구성되며, 다만 리드(302)의 수가 네 개로 구성된 형태이다. 이는 선행 실시 예에서 한 쌍으로 구성된 그라운드 리드가 본 실시 예에서 한 개의 그라운드 리드로 감소된 것이다. 상기 광소자 모듈 패키지(400)에 구비된 리드의 수가 감소함으로써, 각 리드 간의 간격을 확보하여 광소자 모듈 패키지(400)를 인쇄회로기판 상에 조립하는 공정이 용이하게 된다.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 광소자 모듈 패키지(700)를 나타낸 평면도로서, 스템(701)에 형성된 장공 형상의 제1 관통홀(713a)에 고주파 리드(721)를 구성하는 고주파 신호 리드와 한 쌍의 그라운드 리드를 고정하고, 히트 싱크 블록(711)의 양측에 각각 형성된 한 쌍의 제2 관통홀(713b)에 각각 리드(725)를 고정시켜, 직류 바이어스 리드와 포토 다이오드의 애노드 리드를 구성한 것이다. 각 리드들이 정렬되면, 상기 제1 및 제2 관통홀(713a, 713b)은 유리재질의 밀봉제(706, 769)로 충진된다. 상기와 같이 구성된 광소자 모듈 패키지(700)가 인쇄회로기판에조립될 때, 상기 제1 관통홀(713a) 상에 구성된 고주파 리드(721)는 인쇄회로기판의 상면에, 상기 제2 관통홀(713b) 상에 구성된 리드(725)들은 인쇄회로기판의 하면에 각각 전기적으로 접속되는 구성이다. 상기 제1 관통홀(713a)과 상기 제2 관통홀(713b) 사이의 간격은 인쇄회로기판의 두께에 따라 다르게 구성되며, 각 리드(721, 725) 간의 간격이 더 넓게 확보되어 조립이 더욱 용이하게 된다.
도 4와 도 8을 참조하면, 상기 광소자 모듈 패키지(300)를 제조하는 과정은, 상기 스템(301)에 장공 형상의 관통홀(313)을 형성하는 단계(11), 소정의 플레이트(323)로부터 일방향으로 연장된 다수의 리드(302)들을 구비하는 리드 프레임(325)을 구성하는 단계(21), 상기 리드(302)들을 상기 관통홀(313) 내에 정렬하는 단계(31), 유리 재질의 밀봉제(306)로 상기 관통홀(313)을 밀봉시키는 단계(41), 레이저 다이오드(303) 및 포토 다이오드(304)가 장착된 서브 마운트(305)를 히트 싱크 블록(311)에 장착하는 단계(51) 및 상기 리드 프레임(325)의 플레이트(323)를 제거하여 각각의 리드(302)들로 구성하는 단계(61)로 진행된다.
상기 리드(302)들을 상기 관통홀(313) 내에 정렬함에 있어, 상기 리드(302)들의 단부(321)가 소정 높이로 상기 스템(301)의 일면에 돌출되어야 함에 유의한다. 또한, 상기 유리 재질의 밀봉제로 상기 관통홀(313)을 충진시킨 후, 500℃의 온도에서 가열하면, 상기 밀봉제가 상기 관통홀 내에서 융착되어 상기 스템(301)과 리드(302)들을 고정시키게 된다.
도 4를 참조하면, 상기 리드(302)들은 최초 소정의 플레이트(323)로부터 일방향으로 연장된 형태의 리드 프레임(325) 형태로 제작된다. 상기 리드 프레임(325)은 각 리드(302)들의 단부(321; 도 3에 도시됨)가 상기 스템(301)의 일면, 바람직하게는 상기 히트 싱크 블록(311)이 형성된 면으로 돌출되도록 상기 스템(301)의 관통홀(313)에 삽입, 정렬된다. 상기 리드 프레임(325)이 상기 관통홀(313)에 정렬되면, 유리 재질의 밀봉제(306)에 의해 상기 관통홀(313) 내에 상기 리드(302)들이 고정된다. 상기 리드(302)들이 고정된 후, 상기 리드(302)들로부터 플레이트(323)가 분리된다. 이와 같은 과정을 통해 다수의 리드들을 동시에 용이하게 조립할 수 있다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광소자 모듈 패키지는 금속 재질의 스템에 다수의 리드를 고정함에 있어 유리 재질의 밀봉제를 사용함으로써, 열특성, 고주파 특성이 우수하면서도, 제작 공정이 간단하고 제작 비용이 저렴한 장점이 있다. 또한, 상기 광소자 모듈 패키지는 유리 재질의 밀봉제로 채워진 관통홀과 이로 둘러 싸인 동일면 도파로 구조를 제공함으로써, 25Ω 또는 50Ω의 임피던스 매칭이 가능하고, 기생 임피던스 성분을 감소시켜 고주파 특성이 향상되었다. 더욱이, 스템에 리드를 1열로 배치하여 인쇄회로기판에 조립하는 공정이 편리하며, 리드 프레임을 이용하여 리드의 동일면 도파로 설계가 자유로우며, 스템 조립 공정도 간단한 장점이 있다. 또한, 다수의 리드들이 일렬로 정렬된 상태에서 상기 스템에 삽입, 정렬되므로, 제작의 효율성을 향상시키고 제작비용을 절감하게 되었다.

Claims (10)

  1. 광신호를 출사하는 레이저 다이오드와, 상기 레이저 다이오드로부터 출사된 광신호를 모니터링하기 위한 포토 다이오드를 구비하는 티오-캔(TO-CAN) 구조의 광소자 모듈 패키지에 있어서,
    양면을 관통하고 지름방향에 평행하게 연장된 장공 형상의 제1 관통홀이 형성된 스템;
    상기 제1 관통홀을 관통하여 1 열로 배열되는 다수의 리드들;
    상기 제1 관통홀을 유리 재질의 밀봉제로 충진시켜 상기 스템과 리드들을 고정시킴을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 스템은 일면에서 상기 제1 관통홀과 근접하는 위치에 돌출되는 히트 싱크 블록(heat sink block)이 형성됨을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  3. 제2 항에 있어서,
    일면에 소정의 회로 패턴이 형성되고, 상기 회로 패턴이 형성된 면 상에 레이저 다이오드가 장착되며, 상기 제1 관통홀에 근접하는 상기 히트 싱크 블록의 일면에 부착되는 서브 마운트를 더 구비함을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 리드들은 상기 레이저 다이오드의 직류 바이어스 리드 및 고주파 신호 리드와, 상기 모니터용 포토 다이오드의 애노드 리드와, 적어도 하나 이상의 그라운드 리드를 포함함을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 리드들은 적어도 하나 이상의 그라운드 리드와 레이저 다이오드의 고주파 신호 리드로 구성되며,
    상기 광소자 모듈 패키지는,
    각각 상기 스템의 양면을 관통하는 한 쌍의 제2 관통홀과;
    각각 상기 제2 관통홀을 관통하는 한 쌍의 리드들을 더 구비하고,
    상기 제2 관통홀을 유리 재질의 밀봉제로 충진시켜 상기 스템과 리드들을 고정시킴을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 관통홀을 관통한 한 쌍의 리드들은 각각 상기 레이저 다이오드의 직류 바이어스 리드와, 모니터용 포토 다이오드의 애노드 리드임을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 관통홀의 사이에 위치되며, 상기 스템의 일면에서 상기 제1 관통홀과 근접하는 위치에서 돌출되는 히트 싱크 블록이 형성됨을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지.
  8. 레이저 다이오드 및 포토 다이오드를 포함하는 광소자 모듈 패키지의 제조 방법에 있어서,
    지름방향에 대하여 평행하게 연장된 장공 형상의 관통홀이 형성된 스템을 구성하는 단계;
    소정의 플레이트로부터 일방향으로 각각 연장되는 다수의 리드를 구비한 리드 프레임을 구성하는 단계;
    상기 스템의 일면으로부터 상기 리드의 단부를 상기 관통홀 내에 삽입 및 정렬시키는 단계;
    유리 재질의 밀봉제로 상기 관통홀을 밀봉시키는 단계를 포함함을 특징으로하는 광소자 모듈 패키지의 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 스템은 일면에서 상기 관통홀과 근접하는 위치에 돌출되는 히트 싱크 블록(heat sink block)을 구비하고,
    일면에 소정의 회로 패턴이 형성되고, 상기 회로 패턴이 형성된 면 상에 레이저 다이오드가 장착된 서브 마운트가 상기 관통홀에 근접한 상기 히트 싱크 블록의 일면에 장착되는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지 제조 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 리드들이 정렬된 관통홀을 밀봉제로 밀봉한 후, 상기 리드 프레임의 플레이트를 상기 리드들로부터 분리하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 모듈 패키지 제조 방법.
KR10-2003-0035965A 2003-06-04 2003-06-04 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법 KR100526504B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0035965A KR100526504B1 (ko) 2003-06-04 2003-06-04 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법
US10/685,910 US7158550B2 (en) 2003-06-04 2003-10-15 Optical element module package and method for manufacturing the same
CNB2003101036568A CN100391065C (zh) 2003-06-04 2003-11-11 光学元件模块封装及其制造方法
JP2004000003A JP3978188B2 (ja) 2003-06-04 2004-01-05 光素子モジュールパッケージ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0035965A KR100526504B1 (ko) 2003-06-04 2003-06-04 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040105271A true KR20040105271A (ko) 2004-12-16
KR100526504B1 KR100526504B1 (ko) 2005-11-08

Family

ID=33487877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0035965A KR100526504B1 (ko) 2003-06-04 2003-06-04 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7158550B2 (ko)
JP (1) JP3978188B2 (ko)
KR (1) KR100526504B1 (ko)
CN (1) CN100391065C (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100882225B1 (ko) * 2006-03-28 2009-02-06 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 광소자용 패키지와 이것을 사용한 광반도체 장치
WO2019132075A1 (ko) * 2017-12-28 2019-07-04 주식회사 옵텔라 광효율이 향상된 광학모듈

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7218657B2 (en) * 2003-07-09 2007-05-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitting module having a can type package and providing a temperature sensor therein
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール
KR100856280B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-03 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드 패키지
US7295590B2 (en) * 2004-11-15 2007-11-13 Intel Corporation Method for measuring VCSEL reverse bias leakage in an optical module
JP4815814B2 (ja) * 2005-02-04 2011-11-16 三菱電機株式会社 光モジュール
TWM272296U (en) * 2005-02-18 2005-08-01 Yun-Shiuan Ye Thin-type laser module
KR100696192B1 (ko) * 2005-11-24 2007-03-20 한국전자통신연구원 광송수신 모듈용 패키지
US20070228385A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 General Electric Company Edge-emitting light emitting diodes and methods of making the same
JP2009026835A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザモジュール及びこれを備えた半導体レーザモジュール装置
US20130163917A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Finisar Corporation Optical subassembly with an extended rf pin
CN103368065B (zh) * 2012-03-29 2015-08-19 山东华光光电子有限公司 一种固态激光器阵列的封装结构及其封装方法
US9054484B2 (en) * 2012-04-04 2015-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Packaged optical semiconductor device
KR20140063323A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 한국전자통신연구원 피드 스루
CN104049311A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光通讯模组组装装置
US8908728B1 (en) * 2013-07-08 2014-12-09 Schott Ag Transistor outline package
JP6678007B2 (ja) * 2015-11-05 2020-04-08 新光電気工業株式会社 光素子用パッケージ及びその製造方法と光素子装置
WO2017131092A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 京セラ株式会社 配線基板、光半導体素子パッケージおよび光半導体装置
US10295768B2 (en) * 2016-07-08 2019-05-21 Finisar Corporation Chip on leadframe optical subassembly
IT201700009942A1 (it) * 2017-01-30 2018-07-30 Alberici S P A Lampada led e metodo per realizzarla
CN108172633B (zh) * 2018-02-22 2024-09-10 河北中瓷电子科技有限公司 一种半导体器件的封装结构
CN108390255A (zh) * 2018-02-22 2018-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光学次模块及光模块
JP6806835B2 (ja) * 2018-04-28 2021-01-06 エスゼット ディージェイアイ テクノロジー カンパニー リミテッドＳｚ Ｄｊｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ 半導体装置
JP2021027136A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
CN110783810B (zh) * 2019-10-23 2020-08-14 武汉东飞凌科技有限公司 同轴封装型边发射激光器的封帽同轴度定位方法
CN112993745B (zh) * 2019-12-13 2022-06-10 潍坊华光光电子有限公司 一种提升to封装气密性的管脚结构及烧结方法
JP7350646B2 (ja) * 2019-12-17 2023-09-26 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
JP7331727B2 (ja) * 2020-02-19 2023-08-23 住友電気工業株式会社 光半導体デバイス
JPWO2021166215A1 (ko) * 2020-02-21 2021-08-26
US11340412B2 (en) * 2020-02-28 2022-05-24 CIG Photonics Japan Limited Optical module
EP3965146A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-09 Schott Ag Header for an electronic component
JP7437278B2 (ja) * 2020-09-25 2024-02-22 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
KR102495148B1 (ko) * 2020-11-30 2023-02-07 주식회사 오이솔루션 To-can 타입 반도체 패키지를 위한 임피던스 신호선의 구조
CN112234429B (zh) * 2020-12-10 2021-07-09 武汉乾希科技有限公司 多通道激光发射器和光通信器件
KR102566981B1 (ko) 2022-09-20 2023-08-16 (주)전원테크 티오-캔 타입의 분포귀환형 레이저 다이오드의 온도유지장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4768070A (en) * 1986-03-20 1988-08-30 Hitachi, Ltd Optoelectronics device
US5089861A (en) * 1990-05-09 1992-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device with mounting block
US5252856A (en) * 1990-09-26 1993-10-12 Nec Corporation Optical semiconductor device
JPH04133480A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Corp 光半導体装置用ステム
JPH06314857A (ja) * 1993-03-04 1994-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
EP0654866A3 (en) 1993-11-23 1997-08-20 Motorola Inc Carrier for connecting a semiconductor cube and manufacturing method.
US5974066A (en) * 1997-05-09 1999-10-26 Motorola, Inc. Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit
JPH1154806A (ja) * 1997-08-04 1999-02-26 Hitachi Ltd ペルチエクーラ及び光素子モジュール
JPH11103120A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH11231173A (ja) 1998-02-12 1999-08-27 Fujitsu Ltd 高速動作可能な光デバイス
JP3869575B2 (ja) * 1999-03-02 2007-01-17 ローム株式会社 半導体レーザ
CN2406391Y (zh) * 1999-12-01 2000-11-15 镭鐽兴业有限公司 激光二极管装置
JP4074419B2 (ja) 2000-03-14 2008-04-09 シャープ株式会社 半導体レーザ装置のワイヤボンディング方法
JP2002289961A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 光リンクモジュール
EP1246326A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-02 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Electronic packages
US6795461B1 (en) * 2001-04-23 2004-09-21 Thomas H. Blair Optoelectric module
JP3607220B2 (ja) * 2001-06-06 2005-01-05 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
JP2003037329A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Hitachi Cable Ltd 光送信器
JP4262937B2 (ja) 2001-07-26 2009-05-13 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JP3853279B2 (ja) * 2002-02-01 2006-12-06 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ
USD505664S1 (en) * 2002-07-10 2005-05-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100882225B1 (ko) * 2006-03-28 2009-02-06 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 광소자용 패키지와 이것을 사용한 광반도체 장치
WO2019132075A1 (ko) * 2017-12-28 2019-07-04 주식회사 옵텔라 광효율이 향상된 광학모듈

Also Published As

Publication number Publication date
KR100526504B1 (ko) 2005-11-08
US20040247004A1 (en) 2004-12-09
CN1573387A (zh) 2005-02-02
JP2004363550A (ja) 2004-12-24
JP3978188B2 (ja) 2007-09-19
CN100391065C (zh) 2008-05-28
US7158550B2 (en) 2007-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100526504B1 (ko) 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법
KR100575969B1 (ko) 티오-캔 구조의 광 모듈
JP4687133B2 (ja) 光送信アセンブリ
JP3998526B2 (ja) 光半導体用パッケージ
US6836492B2 (en) Laser-diode module, optical transceiver and fiber transmission system
US8218973B2 (en) Optical transmitter device and optical transmitter module
US8908726B2 (en) Enclosure for a laser package
US20090003398A1 (en) Light-transmitting module capable of responding a high-frequency over 10GHz
KR100480253B1 (ko) 광모듈
US20050244095A1 (en) Integrated optical sub-assembly having epoxy chip package
US20220224073A1 (en) Optical module
JPH11231173A (ja) 高速動作可能な光デバイス
JP2011108938A (ja) Ｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール
CN113875103A (zh) 光模块
US20240097399A1 (en) Semiconductor laser light source device
JP2004063852A (ja) 光半導体集積装置
US20040091268A1 (en) Transmitter optical sub-assembly
JP4212845B2 (ja) 光半導体素子モジュール
JP2004363360A (ja) 光送受信モジュール
JPH11176966A (ja) 半導体素子収納パッケージ
JP2008103774A (ja) 高周波光伝送モジュールおよび光伝送器
JPH09148675A (ja) 光モジュールの実装構造
JP4105647B2 (ja) 半導体レーザモジュール及び光伝送器
US7206518B2 (en) High speed optoelectronic subassembly and package for optical devices
JP4454233B2 (ja) 光パッケージ及びそれを用いた光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080903

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee