CN100391065C - 光学元件模块封装及其制造方法 - Google Patents

光学元件模块封装及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100391065C
CN100391065C CNB2003101036568A CN200310103656A CN100391065C CN 100391065 C CN100391065 C CN 100391065C CN B2003101036568 A CNB2003101036568 A CN B2003101036568A CN 200310103656 A CN200310103656 A CN 200310103656A CN 100391065 C CN100391065 C CN 100391065C
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
hole
optical element
element module
laser diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003101036568A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1573387A (zh
Inventor
桂溶灿
朴文圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1573387A publication Critical patent/CN1573387A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100391065C publication Critical patent/CN100391065C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231Stems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232Lead-frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches

Abstract

一种具有TO-can结构的光学元件模块封装,包括用于发出光信号的激光二极管和用于监控从激光二极管发出的光信号的光电二极管。所述封装包括:管座,具有以与所述管座的径向相平行的呈长孔形状形成的第一通孔和从所述管座的一端伸出的热沉块;子架,安装在所述热沉块一侧,并具有在其表面上形成的电路图案,其中将所述激光二极管和所述光电二极管安装在所述子架上;以及多根引线,排列成一排,并设置在所述第一通孔中;以及其中,以玻璃材料的密封剂填充所述第一通孔,从而,将所述管座和所述多根引线固定在一起,以及所述多根引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。

Description

光学元件模块封装及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光学元件模块,更具体地,涉及一种具有TO-can结构的光学元件模块封装及其制造方法。
背景技术
通常,安装在电路设备(如印刷电路板等)上的光学元件模块将射频信号调制成光信号。由于信息产业的快速发展,作为更快、更大数据容量需求的结果,通过光通信网络传输信息存在着日益增长的趋势。传统上,TO-can结构封装已经应用在便宜的光学元件模块中,而目前,也正被用于快速、大数据容量的光学元件模块。
图1是示出了具有TO-can结构的传统光学元件模块封装100的透视图。如图所示,光学元件模块封装100包括管座101,管座101具有从一端伸出的热沉块111和位于另一端的多根引线102。这些引线102包括激光二极管阳极引线、激光二极管103阴极引线、光电二极管阳极引线102和光电二极管阴极引线102。通常,激光二极管阳极引线与管座101电连接,将通过外部偏置T形(bias-tee)与直流(DC)偏置电流组合在一起的RF信号输入激光二极管阳极引线。将激光二极管103和检测从激光二极管103发出的光的光电二极管104安装在管座101上。将激光二极管103安装在热沉块111上,并通过引线焊接方法,将激光二极管103和光电二极管104与相应的引线102相连。
引线102与延伸通过管座101的各个通孔113同轴对准。然后,以玻璃材料的密封剂105填充通孔113。熔化密封剂105,将引线102与管座101合成一体,与此同时,密封通孔113。
从Luminent Inc.可以得到上述具有TO-can结构的封装,销售产品名称为“C-13-DFB10-TJ-SLC21”。但是,这类光学元件封装并不适用于高于几个Gbps的高速传输,因为这种封装将受到其引线的固有电感、其引线与管座之间的寄生电容以及在从外部输入的射频信号通过各个引线时可能发生的特性阻抗失配的影响。此外,由于各个引线必须与管座中的多个通孔对准,并且必须独立地密封通孔,制造程序很不方便。
图2是示出了具有使用陶瓷连接线的TO-can结构的另一传统光学元件模块封装200的透视图。如图所示,光学元件模块封装200包括管座201,管座201具有从其一端伸出的热沉块211和插入到管座201中的叠片陶瓷连接线203。连接线203定位在热沉块211上,并且在其表面上形成了共平面形波导(CPW)202。CPW型封装200通过引线204从外部接收射频信号。Kyocera Corp.销售这类CPW封装,产品名称为“TO TX PKGA2527”。
上述封装存在一些缺点。首先,通过在800~1000□温度下的低温互烧结陶瓷(LTCC)处理形成具有叠片陶瓷结构的连接线203。这种高温处理增加了制造成本。此外,很难保证连接线203与管座201之间的密闭性。此外,引线204与连接线203之间的连接强度较低。所有这些因素导致了不可靠的产品。
发明内容
因此,研究本发明,通过引入由于其出色的射频特性而可以应用于快速、大容量光学元件模块的一种封装及其制造方法,克服了上述问题并提供了额外的优点。
一个方面在于,本发明能够以简单、可靠和便宜的执行过程实现。
在另一方面中,提供了一种具有TO-can结构的光学元件模块封装,所述TO-can结构具有用于发出光信号的激光二极管和用于监控从所述激光二极管发出的所述光信号的光电二极管。所述封装包括:管座,具有以与所述管座的径向相平行的呈长孔形状形成的第一通孔和从所述管座的一端伸出的热沉块;子架,安装在所述热沉块一侧,并具有在其表面上形成的电路图案,其中将所述激光二极管和所述光电二极管安装在所述子架上;以及多根引线,排列成一排,并设置在所述第一通孔中;以及其中,以玻璃材料的密封剂填充所述第一通孔,从而,将所述管座和所述多根引线固定在一起,以及所述多根引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。
在本发明的另一方面中,提供了一种包括激光二极管和光电二极管的光学元件模块封装的制造方法。首先,提供管座,所述管座具有以与所述管座的径向平行延伸的呈长孔形状形成的加长通孔;设置从所述管座的一侧伸出的热沉块;设置引线框,所述引线框具有沿远离板的方向延伸的多根引线;将所述引线的末端从所述管座的一端插入到所述通孔中,并对准所述引线的所述末端;利用玻璃材料的密封剂密封所述通孔;设置子架,所述子架具有在其表面上形成的电路图案,并安装有所述激光二极管和所述光电二极管;以及将所述子架安装在所述热沉块上,其中所述多根引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。
在本发明的另一方面中,提供了一种光学元件模块封装,具有用于发出光信号的激光二极管和用于监控从所述激光二极管发出的所述光信号的光电二极管,所述封装包括:管座,具有在所述管座上以呈长孔形状形成的第一通孔和在所述管座上形成的第二通孔对、以及从所述管座的一端伸出的热沉块;子架,安装在所述热沉块一侧,并具有在其表面上形成的电路图案,其中将所述激光二极管和所述光电二极管安装在所述子架上;以及射频引线,设置在所述第一通孔中,以及多根引线,设置在所述第二通孔中,其中,以玻璃材料的密封剂填充所述第一通孔,从而,将所述管座和所述射频引线固定在一起,以及所述射频引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。
附图说明
通过以下参照附图的详细描述,本发明的上述特征和优点将变得更加清楚,其中:
图1是表示现有技术光学元件模块封装一个实施例的透视图;
图2是按照现有技术示出了光学元件模块封装的另一实施例的透视图;
图3是表示本发明示光学元件模块封装第一优选实施例的透视图;
图4是示出了在装配图3所示的引线之前的引线框的透视图;
图5是示出了图3所示的光学元件模块封装的俯视图;
图6是按照本发明示出了光学元件模块封装的第二优选实施例的顶视图;
图7是按照本发明示出了光学元件模块封装的第三优选实施例的顶视图;以及
图8是描述本发明实施例的光学元件模块封装制造方法的流程图。
具体实施方式
随后,将参照附图,对按照本发明优选实施例的光学元件模块封装及其制造方法进行描述。为了清晰和简明的目的,在有可能会使本发明的主题不清楚时,将省略对本文已引入过的已知功能和结构的详细描述。
如图3到图5所示,按照本发明第一优选实施例的光元件模块封装300包括:管座301,在其一端形成了热沉块311;子架305,在上面安装有激光二极管303和光电二极管304;以及在另一端形成的多根引线302。在操作中,当射频信号施加于安装在子架305上的激光二极管303和光电二极管304上时,封装300发出光信号。
管座301具有与管座301的径向平行延伸的加长通孔313,使加长通孔313从一侧到另一侧延伸通过管座301。管座301还具有从其一端伸出的热沉块311。
子架305安装在热沉块311的侧面上,与加长通孔313相邻。子架305安装有用于将射频信号调制成光信号的激光二极管303和用于检测从激光二极管303发出的光信号的监控光电二极管304。光电二极管304检测从激光二极管303的背侧发出的光,以检查激光二极管303是否运行正常,并执行自动功率控制(APC)。
子架305可以由在其表面上形成有电路图案351的硅光具座(此后称为“SiOB”)制成。电路图案351通过薄膜处理形成,并且可以包括扼流电感器、阻抗匹配电阻等。将激光二极管303和光电二极管304安装在SiOB 305上。光电二极管304检测从激光二极管303的背侧发出的光。多根引线302延伸通过加长通孔313,以一端321从管座301的上表面突出。如图所示,引线302设置有与激光二极管303相连的直流偏置引线、与光电二极管304相连的引线和三根射频引线。射频引线由射频信号引线和一对环绕接地引线组成。引线302通过SiOB 305的电路图案351将从外部输入的设备信号提供给激光二极管303。
引线302通过填充在加长通孔313中的玻璃材料的密封剂306固定在管座301上。在玻璃密封状态下,将密封剂306填充到其中已经将导向302对准了的加长通孔313中。然后,在大约500□的温度下熔化密封剂306,以密封加长通孔313。
应当注意的是,为了防止施加在光学元件模块封装300上的射频信号失真或损耗,封装需要特性阻抗匹配。目前商用的激光二极管驱动器(LDD)IC或脉冲图样发生器(PPG)的输出阻抗均设置为25Ω或50Ω。例如,可以通过修改玻璃材料的密封剂的介电常数或引线302的直径等,使光学元件模块封装300的特性阻抗与这些LLD和PPG的输出阻抗相匹配。
图6是表示本发明第二实施例光学元件模块封装400的俯视图。第二实施例的结构和工作情况除了其具有四根引线302之外,实质上与上面参照图3所描述的相同。因此,省略了对前一段中所描述的类似元件的讨论,以避免重复,由于已经参照图3对其进行了描述。第二实施例设置了四根引线302,因为第一实施例中的一对接地引线被减少为单一的接地引线。接地引线数目的这种减少通过确保了每根引线之间足够的距离,使其更容易将封装400装配到印刷电路板上。
图7是按照本发明的第三优选实施例示出了光学元件模块封装700的顶视图。在此实施例中,将作为一组构成了射频引线721的射频信号引线和一对接地引线限制在以管座701的深孔形的形式形成的第一通孔713a中。然后,将引线725限制在每对第二通孔713b中,第二通孔713b形成在热沉块711的两侧。引线725构成了直流偏置引线和光电二极管的引线。在对准引线之后,以玻璃材料的密封剂706、769填充第一和第二通孔713a、713b。
当将如上构造的光学元件模块封装700装配到印刷电路板上时,设置在第一通孔713a中的射频引线721与板的上侧电连接,而设置在第二通孔713b中的引线725与板的下侧电连接。可以依照电路板的厚度,修改第一和第二通孔713a、713b之间的距离,或者反之。这样确保了引线721、725之间更大的距离,以便更容易装配。
参照图8,一种光学元件模块封装300的制造方法由以下步骤构成:步骤11,提供管座301,具有以呈长孔形状形成的加长通孔313;步骤21,设置引线框325,具有沿远离板323的方向延伸的多根引线302;步骤31,在通孔313中对准引线302;步骤41,以玻璃材料的密封剂306密封加长通孔313;步骤51,将子架305安装在热沉块311上,在子架305上安装有激光二极管303和光电二极管304;以及步骤61,去除引线框325的板323,以分离每根引线302。
当在加长通孔313中对准引线302时,引线302的端321必须伸出到距管座301的一端确定的高度。在以玻璃材料的密封剂填充加长通孔313之后,在500□以上的温度,对密封剂加热。于是,密封剂熔化,并固定在通孔中,以固定管座301和引线302。
再参照图4,将引线302配置为沿某一方向从初始的板323延伸的引线框325。将引线框325插入到管座301的加长通孔313中,然后对准,使引线302的每个端321(图3所示)均从管座301的一个端面伸出,最好从形成了热沉块311的端面伸出。当在加长通孔313中对准引线框325时,通过玻璃材料的密封剂306,将引线302固定在加长通孔302中。在固定了引线302之后,从引线302去除板323。此处理很容易同时装配多根引线。
如上所述,按照本发明的光学元件模块封装利用了玻璃材料的密封剂,将多根引线固定在金属材料的管座中。因此,此封装具有出色的热特性、射频特性,与此同时,很容易以较少的成本进行制造。此外,此封装设置了以玻璃材料的密封剂填充的通孔,以及由这些通孔环绕的共面形波导结构。这样能够与25Ω和50Ω进行阻抗匹配,并减少了寄生阻抗分量,以改进射频特性。此外,能够以方便的方式,将封装装配到印刷电路板上,因为在管座上成排地排列了引线。引线框的使用能够按照需要设计引线的共面形波导,并简化管座装配处理。由于将排成一排的多根引线插入到管座中并对准,改进了制造效率,而且降低了制造成本。
尽管已经参照本发明的特定优选实施例示出和描述了本发明,但本领域的技术人员应当清楚的是,在不偏离所附权利要求所定义的本发明的精神和范围的前提下,可以对其进行多种形式和细节上的修改。

Claims (21)

1.一种光学元件模块封装,具有用于发出光信号的激光二极管和用于监控从所述激光二极管发出的所述光信号的光电二极管,所述封装包括:
管座,具有以与所述管座的径向相平行的呈长孔形状形成的第一通孔和从所述管座的一端伸出的热沉块;
子架,安装在所述热沉块一侧,并具有在其表面上形成的电路图案,其中将所述激光二极管和所述光电二极管安装在所述子架上;以及
多根引线,排列成一排,并设置在所述第一通孔中;以及
其中,以玻璃材料的密封剂填充所述第一通孔,从而,将所述管座和所述多根引线固定在一起,以及所述多根引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。
2.按照权利要求1所述的光学元件模块封装,其特征在于所述热沉块与所述第一通孔相邻。
3.按照权利要求2所述的光学元件模块封装,其特征在于所述子架附在所述热沉块的一个端面上。
4.按照权利要求3所述的光学元件模块封装,其特征在于所述激光二极管将射频信号调制为光信号,以及所述光电二极管检测从所述激光二极管发出的光信号。
5.按照权利要求1所述的光学元件模块封装,其特征在于所述多根引线包括激光二极管的直流偏置引线、射频信号引线、监控光电二极管的引线以及至少一根接地引线。
6.按照权利要求1所述的光学元件模块封装,其特征在于所述多根引线包括至少一根接地引线和所述激光二极管的射频信号引线。
7.按照权利要求1所述的光学元件模块封装,其特征在于还包括从一侧到另一侧延伸通过所述管座的第二通孔对和延伸通过所述第二通孔的附加引线对,其中,以玻璃材料的密封剂填充所述第二通孔,从而,将所述管座和附加引线固定在一起。
8.按照权利要求7所述的光学元件模块封装,其特征在于所述附加引线对之一是所述激光二极管的直流偏置引线,而另一根是所述监控光电二极管的引线。
9.按照权利要求7所述的光学元件模块封装,其特征在于所述管座具有从其一端伸出的热沉块,所述热沉块位于所述第二通孔之间,与所述第一通孔相邻。
10.一种包括激光二极管和光电二极管的光学元件模块封装的制造方法,包括以下步骤:
提供管座,所述管座具有以与所述管座的径向平行延伸的呈长孔形状形成的加长通孔;
设置从所述管座的一侧伸出的热沉块;
设置引线框,所述引线框具有沿远离板的方向延伸的多根引线;
将所述引线的末端从所述管座的一端插入到所述通孔中,并对准所述引线的所述末端;
利用玻璃材料的密封剂密封所述通孔;
设置子架,所述子架具有在其表面上形成的电路图案,并安装有所述激光二极管和所述光电二极管;以及
将所述子架安装在所述热沉块上,
其中所述多根引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。
11.按照权利要求10所述的方法,其特征在于所述热沉块与所述通孔相邻。
12.按照权利要求10所述的方法,其特征在于将所述电路图案形成在所述子架的、安装有所述激光二极管的表面上。
13.按照权利要求10所述的方法,其特征在于还包括以下步骤:密封所述通孔,该通孔中已经利用密封剂对准和固定了所述引线,然后分离所述引线框的所述板与所述引线。
14.按照权利要求10所述的方法,其特征在于在大约500℃的温度下使所述密封剂熔化,以密封所述通孔。
15.一种光学元件模块封装,具有用于发出光信号的激光二极管和用于监控从所述激光二极管发出的所述光信号的光电二极管,所述封装包括:
管座,具有在所述管座上以呈长孔形状形成的第一通孔和在所述管座上形成的第二通孔对、以及从所述管座的一端伸出的热沉块;
子架,安装在所述热沉块一侧,并具有在其表面上形成的电路图案,其中将所述激光二极管和所述光电二极管安装在所述子架上;以及
射频引线,设置在所述第一通孔中,以及多根引线,设置在所述第二通孔中,
其中,以玻璃材料的密封剂填充所述第一通孔,从而,将所述管座和所述射频引线固定在一起,以及所述射频引线通过所述电路图案向所述激光二极管提供从外部输入的射频信号。
16.按照权利要求15所述的光学元件模块封装,其特征在于所述射频引线包括射频信号引线和成对的接地引线。
17.按照权利要求15所述的光学元件模块封装,其特征在于多根引线构成了直流偏置引线和光电二极管的引线。
18.按照权利要求15所述的光学元件模块封装,其特征在于所述光学元件模块封装适合于装配在印刷电路板上,从而,设置在所述第一通孔中的所述射频引线与所述电路板的上侧面电连接,而设置在所述第二通孔中的所述多根引线与所述电路板的下侧面电连接。
19.按照权利要求18所述的光学元件模块封装,其特征在于根据电路板的厚度,有选择地调整所述第一和第二通孔之间的距离,或者相反。
20.按照权利要求15所述的光学元件模块封装,其特征在于所述热沉块位于所述第二通孔之间,与所述第一通孔相邻。
21.按照权利要求15所述的光学元件模块封装,其特征在于以玻璃材料的密封剂填充所述第一和第二通孔,使所述管座与所有引线固定在一起。
CNB2003101036568A 2003-06-04 2003-11-11 光学元件模块封装及其制造方法 Expired - Fee Related CN100391065C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0035965A KR100526504B1 (ko) 2003-06-04 2003-06-04 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법
KR200335965 2003-06-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1573387A CN1573387A (zh) 2005-02-02
CN100391065C true CN100391065C (zh) 2008-05-28

Family

ID=33487877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101036568A Expired - Fee Related CN100391065C (zh) 2003-06-04 2003-11-11 光学元件模块封装及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7158550B2 (zh)
JP (1) JP3978188B2 (zh)
KR (1) KR100526504B1 (zh)
CN (1) CN100391065C (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7218657B2 (en) * 2003-07-09 2007-05-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitting module having a can type package and providing a temperature sensor therein
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール
KR100856280B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-03 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드 패키지
US7295590B2 (en) * 2004-11-15 2007-11-13 Intel Corporation Method for measuring VCSEL reverse bias leakage in an optical module
JP4815814B2 (ja) * 2005-02-04 2011-11-16 三菱電機株式会社 光モジュール
TWM272296U (en) * 2005-02-18 2005-08-01 Yun-Shiuan Ye Thin-type laser module
KR100696192B1 (ko) * 2005-11-24 2007-03-20 한국전자통신연구원 광송수신 모듈용 패키지
JP4970924B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-11 三菱電機株式会社 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置
US20070228385A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 General Electric Company Edge-emitting light emitting diodes and methods of making the same
JP2009026835A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザモジュール及びこれを備えた半導体レーザモジュール装置
US20130163917A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Finisar Corporation Optical subassembly with an extended rf pin
CN103368065B (zh) * 2012-03-29 2015-08-19 山东华光光电子有限公司 一种固态激光器阵列的封装结构及其封装方法
JP5835470B2 (ja) * 2012-04-04 2015-12-24 三菱電機株式会社 半導体パッケージ
KR20140063323A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 한국전자통신연구원 피드 스루
CN104049311A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光通讯模组组装装置
US8908728B1 (en) * 2013-07-08 2014-12-09 Schott Ag Transistor outline package
JP6678007B2 (ja) * 2015-11-05 2020-04-08 新光電気工業株式会社 光素子用パッケージ及びその製造方法と光素子装置
WO2017131092A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 京セラ株式会社 配線基板、光半導体素子パッケージおよび光半導体装置
US10295768B2 (en) * 2016-07-08 2019-05-21 Finisar Corporation Chip on leadframe optical subassembly
IT201700009942A1 (it) * 2017-01-30 2018-07-30 Alberici S P A Lampada led e metodo per realizzarla
WO2019132075A1 (ko) * 2017-12-28 2019-07-04 주식회사 옵텔라 광효율이 향상된 광학모듈
CN108390255A (zh) * 2018-02-22 2018-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光学次模块及光模块
CN108172633A (zh) * 2018-02-22 2018-06-15 河北中瓷电子科技有限公司 一种半导体器件的封装结构
JP6806835B2 (ja) * 2018-04-28 2021-01-06 エスゼット ディージェイアイ テクノロジー カンパニー リミテッドSz Dji Technology Co.,Ltd 半導体装置
JP2021027136A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 CIG Photonics Japan株式会社 光モジュール
CN110783810B (zh) * 2019-10-23 2020-08-14 武汉东飞凌科技有限公司 同轴封装型边发射激光器的封帽同轴度定位方法
CN112993745B (zh) * 2019-12-13 2022-06-10 潍坊华光光电子有限公司 一种提升to封装气密性的管脚结构及烧结方法
JP7350646B2 (ja) * 2019-12-17 2023-09-26 CIG Photonics Japan株式会社 光モジュール
JP7331727B2 (ja) * 2020-02-19 2023-08-23 住友電気工業株式会社 光半導体デバイス
JPWO2021166215A1 (zh) * 2020-02-21 2021-08-26
US11340412B2 (en) * 2020-02-28 2022-05-24 CIG Photonics Japan Limited Optical module
EP3965146A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-09 Schott Ag Header for an electronic component
JP7437278B2 (ja) * 2020-09-25 2024-02-22 CIG Photonics Japan株式会社 光モジュール
CN112234429B (zh) * 2020-12-10 2021-07-09 武汉乾希科技有限公司 多通道激光发射器和光通信器件
KR102566981B1 (ko) 2022-09-20 2023-08-16 (주)전원테크 티오-캔 타입의 분포귀환형 레이저 다이오드의 온도유지장치

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4768070A (en) * 1986-03-20 1988-08-30 Hitachi, Ltd Optoelectronics device
US5089861A (en) * 1990-05-09 1992-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device with mounting block
US5252856A (en) * 1990-09-26 1993-10-12 Nec Corporation Optical semiconductor device
CN1108812A (zh) * 1993-11-23 1995-09-20 摩托罗拉公司 与半导体芯片配合的封装及其制造方法
US5519720A (en) * 1993-03-04 1996-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
JPH1154806A (ja) * 1997-08-04 1999-02-26 Hitachi Ltd ペルチエクーラ及び光素子モジュール
CN1265529A (zh) * 1999-03-02 2000-09-06 罗姆股份有限公司 半导体激光器
CN2406391Y (zh) * 1999-12-01 2000-11-15 镭鐽兴业有限公司 激光二极管装置
CN1313661A (zh) * 2000-03-14 2001-09-19 夏普公司 半导体激光器以及引线接合方法
US6301278B2 (en) * 1997-09-25 2001-10-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser devices
EP1246326A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-02 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Electronic packages
JP2002368323A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04133480A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Corp 光半導体装置用ステム
US5974066A (en) * 1997-05-09 1999-10-26 Motorola, Inc. Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit
JPH11231173A (ja) 1998-02-12 1999-08-27 Fujitsu Ltd 高速動作可能な光デバイス
JP2002289961A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 光リンクモジュール
US6795461B1 (en) * 2001-04-23 2004-09-21 Thomas H. Blair Optoelectric module
JP2003037329A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Hitachi Cable Ltd 光送信器
JP4262937B2 (ja) 2001-07-26 2009-05-13 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JP3853279B2 (ja) * 2002-02-01 2006-12-06 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ
USD505664S1 (en) * 2002-07-10 2005-05-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical package

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4768070A (en) * 1986-03-20 1988-08-30 Hitachi, Ltd Optoelectronics device
US5089861A (en) * 1990-05-09 1992-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device with mounting block
US5252856A (en) * 1990-09-26 1993-10-12 Nec Corporation Optical semiconductor device
US5519720A (en) * 1993-03-04 1996-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
CN1108812A (zh) * 1993-11-23 1995-09-20 摩托罗拉公司 与半导体芯片配合的封装及其制造方法
JPH1154806A (ja) * 1997-08-04 1999-02-26 Hitachi Ltd ペルチエクーラ及び光素子モジュール
US6301278B2 (en) * 1997-09-25 2001-10-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser devices
CN1265529A (zh) * 1999-03-02 2000-09-06 罗姆股份有限公司 半导体激光器
CN2406391Y (zh) * 1999-12-01 2000-11-15 镭鐽兴业有限公司 激光二极管装置
CN1313661A (zh) * 2000-03-14 2001-09-19 夏普公司 半导体激光器以及引线接合方法
EP1246326A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-02 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Electronic packages
JP2002368323A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040105271A (ko) 2004-12-16
US20040247004A1 (en) 2004-12-09
JP2004363550A (ja) 2004-12-24
CN1573387A (zh) 2005-02-02
US7158550B2 (en) 2007-01-02
KR100526504B1 (ko) 2005-11-08
JP3978188B2 (ja) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100391065C (zh) 光学元件模块封装及其制造方法
KR100575969B1 (ko) 티오-캔 구조의 광 모듈
JP3998526B2 (ja) 光半導体用パッケージ
CN102422193B (zh) 具有陶瓷封装的光学装置的光学组件
US6074102A (en) Optical device capable of operating at high speeds
US6778567B2 (en) Optical transmitter
CN101521194A (zh) 高速光电组件及其芯片倒装结构
JP2005236298A (ja) 光送信アセンブリ
US20030156608A1 (en) Laser-diode module, optical transceiver and fiber transmission system
JP4198410B2 (ja) 光半導体集積装置
US6364541B1 (en) Method and apparatus for optical reception
JP2001257412A (ja) 光送信モジュール
CN100382466C (zh) 具有顶开容器结构的光接收器模块
JP6228561B2 (ja) 高周波伝送線路および光回路
US6632029B1 (en) Method &amp; apparatus for packaging high frequency components
CN106125213A (zh) 一种光模块
CN106802455B (zh) 一种光模块
US20080285978A1 (en) Optical hybrid module
CN107315229A (zh) 集成封装结构及用于制作集成封装结构的工艺
JP3583709B2 (ja) 半導体レーザモジュール
CN107332624A (zh) 一种可完成线性调制方式的dml器件
CN100435438C (zh) 具有集成的冷却装置的头装置
CN112740051B (zh) 一种光电子组件及其制造方法
US6555903B2 (en) Package structure of hybrid device in optical signal transmitter
Kuchta et al. 120 Gb/s VCSEL-based parallel optical link and custom 120 Gb/s testing station

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080528

Termination date: 20091211