KR20040101487A - 처리 장치, 처리 방법 및 탑재 부재 - Google Patents

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KR20040101487A
KR20040101487A KR10-2004-7016441A KR20047016441A KR20040101487A KR 20040101487 A KR20040101487 A KR 20040101487A KR 20047016441 A KR20047016441 A KR 20047016441A KR 20040101487 A KR20040101487 A KR 20040101487A
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Abstract

챔버(12) 내의 탑재 부재(21) 상에는 피처리체(W)가 탑재된다. 탑재 부재(21)는 저저항층(25)을 구비하고 있다. 전원(28)은 챔버(12)의 외부에 설치된 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써, 유도 코일(27)의 주위에 자계를 형성한다. 저저항층(25)은 형성된 자계에 의해 생기는 유도 가열에 의해 가열되고, 탑재 부재(21) 상에 탑재된 피처리체(W)를 가열한다.

Description

처리 장치, 처리 방법 및 탑재 부재{PROCESSING SYSTEM, PROCESSING METHOD AND MOUNTING MEMBER}
반도체 장치 및 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 소정 종류의 막을 형성하는 처리가 행해진다. 기판 상에 형성되는 회로의 집적도가 높게 될수록, 또한, 기판 상에 형성되는 회로가 미세하게 될수록, 또한, 기판 상에 형성되는 막이 얇아질수록, 형성되는 막질의 향상이 큰 과제로 된다.
양질의 막을 형성하는 방법으로서, ALD(Atomic Layer Deposition)법이 개발되어 있다.
소정 종류의 막을 형성할 때, 막이 형성되는 형성면 상에 원료 가스가 공급된다. 원료 가스의 분자는 형성면 상에 다층으로 부착된다. ALD법은 형성면에 대한, 제 1 층 째의 분자층이 갖는 흡착 에너지와, 제 2 층 째 이후의 분자층이 갖는 흡착 에너지의 차를 이용한다. 이 흡착 에너지의 차에 의해, 분자 레벨(또는 원자레벨)로 막의 형성이 제어된다.
구체적으로는, 성막 시의 온도나 압력을 제어함으로써, 즉, 온도 및 압력의 상승 및 하강을 반복하는 것에 의해, 2층 째 이후의 여분인 분자층(원료 가스)이 제거된다. 이에 따라, 소망하는 막을 구성하는 복수의 분자층이 형성면 상에 1층씩 퇴적된다.
이하, ALD법에 대해 설명한다. 또, 이하에서는, 원료 가스로서 사염화티탄(TiCl4) 및 암모니아(NH3)를 이용하여 질화티탄(TiN)막을 형성하는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 12는 상기 ALD법을 실행하는 처리 장치의 구성예를 나타내고 있다.
처리 장치(101)는, 예컨대, 대략 원통형의 알루미늄제의 챔버(102)를 갖는다. 챔버(102)의 하부 직경은 상부 직경보다도 작게 형성되어 있고, 챔버(102)의 측벽에는 노즐(103)이 마련되어 있다. 막을 형성하기 위한 처리 가스는 노즐(103)을 거쳐, 챔버(102) 내에 공급된다.
또한, 챔버(102)의 하방의 측벽에는, 배기관(104)을 거쳐, 배기 장치(105)가 접속되어 있다. 배기 장치(105)는 챔버(102) 내의 가스를 배기한다.
챔버(102)의 바닥부에는, 일본 특허 공개 평성 제7-78766호 공보 및 일본 특허 공개 평성 제7-153706호 공보에 개시되어 있는 것과 같은, 원통형의 중공의 샤프트(106)가 기립하여 마련되어 있다. 샤프트(106)는 챔버(102)의 바닥부를 관통하고 있다. 챔버(102)와 샤프트(106)의 접합부는 챔버(102) 내의 기밀성을 유지하기 위해, O링 등의 밀봉 부재(107)에 의해 밀봉되어 있다.
샤프트(106)의 상단부에는, 웨이퍼를 탑재하기 위한 원판 형상의 탑재대(108)가 고정되어 있다. 탑재대(108)는 소정 패턴을 갖는, 텅스텐 등의 금속 저항체로 이루어지는 히터(109)를 내재하고 있다. 샤프트(106)는 탑재대(108)와 같은 재료, 예컨대, 질화알루미늄으로 구성되고, 고상(固相) 접합(110)에 의해 탑재대(108)에 접합되어 있다. 이에 따라, 샤프트(106)의 내부 공간은 챔버(102)의 내부 공간과는 다른 분위기로 유지할 수 있다. 샤프트(106)의 내부 공간은 대기 분위기로 유지된다.
히터(109)는 샤프트(106) 내를 지나는 급전선(113)에 접속되고, 급전선(113)을 거쳐 전력을 공급한다. 상술한 바와 같이, 샤프트(106)의 내부는 대기 분위기로 되어 있다. 이에 따라, 급전선(113)의 방열이 충분히 행해지고, 급전선(113)의 소손이 방지된다. 또한, 챔버(102) 내에 공급되는 처리 가스에 의한 급전선(113)의 부식 등도 방지된다.
또한, 샤프트(106)는 히터(109)에 의해 가열된 탑재대(108)의 열을 배출하는 기능을 갖는다. 즉, 탑재대(108)의 열은 샤프트(106)를 통해, 챔버(102)의 바닥부로 배출된다. 챔버(102)의 바닥부에는, 일본 특허 공개 평성 제6-244143호 공보에 개시되어 있는 바와 같은, 냉각수가 흐르는 냉각 자켓(112)이 마련되어 있다. 샤프트(106)의 열은 냉각 자켓(112)을 흐르는 냉각수에 의해 흡수된다.
다음에, 상기 처리 장치(101)를 이용하여 ALD법에 의해 TiN막을 형성하는 공정에 대해 설명한다.
우선, 탑재대(108)가 TiCl4의 부착에 적합한 온도, 예컨대, 450℃로 가열된다. 그리고, TiCl4가스가, 단시간, 예컨대, 수초간 챔버(102) 내에 도입된다. 이에 따라, 웨이퍼의 표면에 TiCl4분자층이 다층으로 부착된다.
다음에, TiCl4가스를 퍼지하기 위해, 챔버(102) 내에 불활성 가스, 예컨대, 아르곤 가스가 공급되고, 또한 챔버(102) 내가, 예컨대, 1.33×10-3Pa(10-5Torr) 정도의 높은 진공으로 설정된다. 이 때, 탑재대(108)의 온도는 NH3의 부착에 적합한 온도, 예컨대, 300℃로 설정된다. 이에 따라, 웨이퍼의 표면에 부착되어 있던 다층의 TiCl4분자층은 상기한 흡착 에너지의 차로부터, 1층 째의 분자층을 남기고 비산된다. 이에 따라, 웨이퍼의 표면에 1층의 TiCl4분자층이 부착된 상태를 얻을 수 있다.
다음에, NH3가스가 단시간, 예컨대, 수초간 챔버(102) 내에 도입된다. 가스의 도입에 의해, 챔버(102) 내의 압력은 133Pa(1Torr) 정도까지 되돌아간다. 이에 따라, 웨이퍼 표면의 TiCl4분자와, NH3가스가 반응하여 1층의 TiN 분자층이 형성된다. 또한, 형성된 TiN 분자층 상에는 NH3분자층이 다층으로 부착된다.
다음에, NH3가스를 퍼지하기 위해, 다시 챔버(102) 내에 아르곤 가스가 공급되고, 챔버(102) 내의 압력이 1.33×1O-3Pa 정도로 설정된다. 이 때, 탑재대(108)는, 예컨대, 450℃로 설정된다. 이에 따라, TiN 분자층에 부착되어 있는 1층 째의 NH3분자층을 제외하고, 2층 째 이후의 NH3분자층은 비산된다.
다음에, 챔버(102) 내에 수초간 TiCl4가스가 도입된다. 이 때, TiN 분자층상의 NH3분자는 TiCl4가스와 반응하여, 1층의 TiN 분자층을 형성한다. 따라서, 이 시점에 있어서, 웨이퍼 표면에는, 2층의 TiN 분자층이 형성되어 있다. 또한, 형성된 2층 째의 TiN 분자층 상에는, TiCl4분자층이 다층으로 부착되어 있다.
이것 이후는 상기와 마찬가지의 조작, 즉, 각 원료 가스의 공급과 불활성 가스에 의한 퍼지가 소정 회수 반복된다. 이에 따라, TiN 분자층이 1층씩 퇴적되고, 소망 두께의 TiN막을 얻을 수 있다. 상기 조작은, 예컨대, 100∼수100회 정도 반복된다.
상기한 바와 같이, ALD법에 따르면, 막을 구성하는 복수의 분자층을 1층씩 형성할 수 있으므로, 막 두께를 고밀도로 제어할 수 있다. 또한, 양질의 막을 얻을 수 있다. 또한, 각 분자층의 막질을 조금씩 변화시킴으로써, 막 전체의 특성에 구배를 갖게 하는 것도 가능해진다.
그러나, 상기 처리 장치(101)에는, 이하와 같은 문제가 있다.
우선, 히터(109)를 내포하는 탑재대(108)는 금속 저항체를 내포한 질화알루미늄 등의 세라믹을 소결시킴으로써 제조된다. 그러나, 이 제조 방법에 의한 제품 비율은 낮기 때문에, 탑재대(108)가 고가이다.
또한, 히터(109)에 접속된 급전선(113)을 챔버(102) 외부에 레이아웃하기 위해, 챔버(102)에 관통 구멍을 형성하여 샤프트(106)를 설치해야 한다. 이 때문에, 처리 장치(101)의 구조는 복잡하다.
또한, 챔버(102)와 샤프트(106)의 접속부를 밀봉하는 밀봉 부재(107)는 통상, 수지 재료로 구성된다. 이 경우, 열에 의한 밀봉 부재(107)의 손상을 피하기 위해, 방열 부재로서 기능하는 샤프트(106)의 길이 L1을 길게 해야 한다. 즉, 밀봉 부재(107)와 접촉하는 부분에 있어서의 샤프트(106)의 온도가 밀봉 부재(107)에 이용되는 수지 재료의 내열 온도 이하로 되도록, 샤프트(106)의 길이 L1은 설정된다.
샤프트(106)의 길이 L1이 길면, 챔버(102)의 용적도 커진다. 이 때문에, 챔버(102) 내의 배기 효율은 낮고, 챔버(102) 내의 분위기를 전환하기 위해 장시간이 필요하다. 즉, 분위기의 전환을 빈번히 실행하는 ALD법에서는 높은 스루풋을 얻을 수 없다. 또한, 처리 가스의 소비량이 많으므로, 반도체 장치 및 액정 표시 장치 등의 제조 비용이 높다.
이상과 같이, 종래의 처리 장치(101)에는, 탑재대(108)의 제조 양품률이 낮고, 처리 장치(101)의 구조가 복잡하다는 문제가 있었다. 또한, 종래의 처리 장치(101)를 구성하는 챔버(102)의 용적은 크고, 이 때문에, 제조 비용의 삭감 및 스루풋의 향상을 충분히 도모할 수 없다는 문제가 있었다.
상기 사정을 감안해서, 본 발명은 구성이 간단한 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 높은 양품률을 실현할 수 있는 탑재 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 낮은 제조 비용을 실현할 수 있는 처리 장치 및처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 높은 스루풋을 실현할 수 있는 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 소정 온도로 가열하여 처리하기 위한 처리 장치, 처리 방법 및 탑재 부재에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 2는 처리 장치의 동작 타이밍을 나타내는 차트,
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 8(a)∼8(c)는 처리 장치 내에 배치되는 반사막의 형성 위치를 나타내는 도면,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 11은 처리 장치를 구성하는 배기관의 설치예를 나타내는 도면,
도 12는 종래의 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에 따른 처리 장치는
내부에서 피처리체(W)에 소정 처리가 실시되는 챔버(12)와,
상기 챔버(12) 내에 배치되고, 상기 피처리체(W)가 탑재되는 탑재 부재(21)와,
상기 챔버(12)의 외부에 설치되는 유도 코일(27)과,
상기 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써, 해당 유도 코일(27)의 주위에 자계를 형성하는 전원(28)으로 구성되고,
상기 탑재 부재(21)는 상기 유도 코일(27)의 주위에 형성된 자계에 의해 발생하는 유도 가열에 의해 가열되고, 해당 탑재 부재(21) 상에 탑재되는 상기 피처리체(W)를 가열하는 저항체층(25)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버(12)의 내면 상에 마련되고, 상기 저항체층(25)으로부터의 복사열을 반사하는 반사막(31)을 더 구비하여도 좋다.
상기 탑재 부재(21)는 상기 저항체층(25) 상에 적층되고, 상기 저항체층(25)이 발생하는 열의 방산을 막는 단열층(26)을 더 구비하여도 좋다.
상기 탑재 부재(21)는 상기 저항체층(25) 상에 마련되고, 상기 저항체층(25)으로부터의 복사열을 반사하는 반사막(31)을 더 구비하여도 좋다.
상기 반사막(31)은 상기 저항체층(25)과 상기 단열층(26) 사이에 마련되어도 좋다.
상기 반사막(31)은 상기 저항체층(25)의 측면 상에 마련되어도 좋다.
상기 유도 코일(27)과, 상기 탑재 부재(21) 사이에 마련되고, 상기 탑재 부재(21)로부터의 열을 흡수하는 냉매가 흐르는 유로(20)를 더 구비하여도 좋다.
상기 탑재 부재(21)는 상기 저항체층(25) 상에 적층되고, 상기 피처리체(W)의 탑재면을 구성하는 절연체층(24)을 더 구비하여도 좋다.
상기 탑재 부재(21)를 상기 챔버(12) 내에 고정하는 고정 부재(22)를 더 구비하여도 좋다.
상기 챔버(12) 내에 복수 종류의 가스를 소정 순서로 공급하는 가스 공급 장치(29)를 더 구비하여도 좋다.
상기 챔버(12)에 접속된 반송용 챔버(17)를 더 구비하고, 상기 반송용 챔버(17)는 상기 피처리체(W)가 탑재된 상기 탑재 부재(21)를 상기 챔버(12) 내로 반송하는 반송 기구(18)를 구비하여도 좋다.
상기 피처리체(W)가 탑재된 상기 탑재 부재(21)를 상기 챔버(12)의 내면으로부터 이간한 상태로 지지하는 지지 부재(30)를 더 구비하여도 좋다.
본 발명의 제 2 관점에 따른 처리 장치는
내부에서 피처리체(W)에 소정 처리가 실시되는 챔버(12)와,
상기 챔버(12) 내에 설치되고, 상기 피처리체(W)가 탑재된 복수의 탑재 부재(21)를 유지하는 유지 부재(32)와,
상기 피처리체(W)가 탑재된 상기 복수의 탑재 부재(21)를 반송하고, 상기 유지 부재(32)에 세팅하는 반송 기구(18)와,
상기 챔버(12)의 외부에 마련된 유도 코일(27)과,
상기 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써, 해당 유도 코일(27)의 주위에 자계를 형성하는 전원(28)으로 구성되고,
상기 복수의 탑재 부재(21)의 각각은 상기 유도 코일(27)의 주위에 형성되는 자계에 의해 발생하는 유도 가열에 의해 가열되고, 해당 탑재 부재(21) 상에 탑재되는 상기 피처리체(W)를 가열하는 저항체층(25)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 관점에 따른 탑재 부재는
가열 대상으로 되는 대상물(W)이 탑재되는 절연체층(24)과,
상기 절연체층(24) 상에 적층되고, 유도 가열에 의해 가열되어, 상기 절연체층(24) 상에 탑재되는 상기 대상물(W)을 가열하는 저항체층(25)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 저항체층(25)은 도전성 재료를 상기 절연체층(24) 상에 용사(溶射)함으로써 형성되어 있어도 좋다.
상기 저항체층(25)의 상기 절연체층(24)에 접하는 면과는 반대측의 면상에 적층되고, 상기 저항체층(25)이 발생하는 열의 방산을 막는 단열층(26)을 더 구비하여도 좋다.
상기 저항체층(25) 상에 마련되고, 해당 저항체층(25)으로부터의 복사열을 반사하는 반사막(31)을 더 구비하여도 좋다.
본 발명의 제 4 관점에 따른 처리 방법은
챔버(12) 내에 배치되는 피처리체(W)에 소정 처리를 실시하는 처리 방법으로서,
상기 챔버(12) 내에 배치되고, 일면에 저항체층(25)이 적층된 절연체층(24)의 다른 면상에 상기 피처리체(W)를 탑재하는 공정과,
상기 챔버(12)의 외부에 설치되는 유도 코일(27)로 전류를 흘림으로써 발생하는 유도 가열에 의해 해당 챔버(12) 내의 상기 저항체층(25)을 가열하고, 이에 따라, 상기 절연체층(24) 상에 탑재된 상기 피처리체(W)를 가열하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버(12) 내에 복수 종류의 가스를 교대로 공급하는 공정을 더 구비하여도 좋다.
상기 유도 코일(27)에 흐르는 전류의 크기를 변화시킴으로써, 상기 피처리체(W)의 온도를 변화시키는 공정을 더 구비하여도 좋다.
(실시예 1)
이하, 본 발명의 실시예 1에 따른 처리 장치에 대해, 이하 도면을 참조하여 설명한다.
실시예 1에서는, ALD(Atomic Layer Deposition)법에 의해 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼 W) 상에 TiN막을 형성하는 처리 장치에, 본 발명을 적용한 예에 대해 설명한다.
도 1은 실시예 1에 따른 처리 장치(11)의 구성을 나타내고 있다.
처리 장치(11)는 대략 원통형 챔버(12)를 구비한다. 챔버(12)는 자성을 갖지 않는 재료, 예컨대, 세라믹 등의 무기질 재료, 알루미늄 또는 스테인리스강 등의 비자성 금속, 또는, 섬유 강화 플라스틱 등의 수지 재료 등으로 구성되어 있다.
챔버(12)의 바닥부의 대략 중앙은 돌기하고, 상면이 거의 평탄한, 대략 원통형의 스테이지 부분(12a)을 형성하고 있다. 이에 따라, 도 1에 나타내는 바와 같이, 챔버(12) 내의 아래쪽에는, 돌기한 스테이지 부분(12a)을 둘러싸는, 환상(環狀)의 홈이 형성되어 있다. 또한, 챔버(12)의 외측으로부터 보면, 챔버(12) 바닥의 대략 중앙에 홈이 형성되어 있다.
또한, 챔버(12) 하방의 측벽에는, 배기관(13)을 거쳐 배기 장치(14)가 접속되어 있다. 배기 장치(14)는 터보 분자 펌프, 드라이 펌프 등으로 구성되어, 챔버(12) 내의 가스를 배기한다.
한편, 챔버(12) 위쪽의 측벽에는, 게이트(15)가 마련되어 있다. 게이트(15)는 게이트 밸브(16)를 거쳐, 챔버(12)에 인접하는 반송 챔버(17)에 접속되어 있다. 챔버(12) 내의 밀폐는 게이트 밸브(16)를 닫는 것에 따라 유지된다.
반송 챔버(17)는 챔버(12)에 웨이퍼 W를 반입출하기 위한 포트로서 마련되어 있다. 반송 챔버(17)의 내부에는, 반송 암 등으로 구성되는 반송 기구(18)가 설치되어 있다. 반송 기구(18)는 챔버(12)에 웨이퍼 W를 반입하고, 또한, 챔버(12)로부터 웨이퍼 W를 반출한다.
또한, 챔버(12)의 위쪽의 측벽에는, 석영 등으로 이루어지는 노즐(19)을 거쳐 처리 가스 공급 장치(29)가 접속되어 있다. 처리 가스 공급 장치(29)는 후술하는 성막 처리에 이용되는 처리 가스를 챔버(12) 내로 공급한다. 처리 가스는, 후술하는 바와 같이, 사염화티탄(TiCl4), 암모니아(NH3) 및 아르곤(Ar)이다. 또, 노즐(19) 대신 샤워 헤드가 이용되어도 좋고, 또한, 노즐(19)은 가스의 종류마다 복수 마련되어도 좋다.
챔버(12)의 스테이지 부분(12a)의 내부에는, 냉각 자켓(20)이 마련되어 있다. 냉각 자켓(20)은 냉각수 등의 냉매가 흐르는 유로로 구성되어 있다. 냉각 자켓(20)에는, 소정 온도로 조절된 냉매가 흐른다.
챔버(12)의 스테이지 부분(12a) 상에는, 대략 원판 형상으로 형성된 서셉터(21)가 설치되어 있다. 서셉터(21)는 피처리체인 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 부재이며, 탑재된 웨이퍼 W를 가열하는 기능을 갖는다. 서셉터(21)는 그 가장자리부에 있어, 스테이지 부분(12a)에 나사 등으로 고정된 클램프 부재(22)에 의해, 스테이지 부분(12a)에 고정되어 있다.
또한, 챔버(12)의 스테이지 부분(12a)과, 서셉터(21)를 관통하여, 리프트 핀 구멍(23)이 복수, 예컨대, 세 개 형성되어 있다. 리프트 핀 구멍(23) 내에는 도시하지 않은 리프트 핀이 삽입되고, 리프트 핀 구멍(23)의 내부에는, 리프트 핀이 승강하도록 구성되어 있다.
반송 기구(18)에 의해 웨이퍼 W가 챔버(12)에 반입되는 경우 및 챔버(12)로부터 반출되는 경우, 리프트 핀은 상승한다. 또한, 반입된 웨이퍼 W는 리프트 핀이 하강함으로써, 서셉터(21) 상에 탑재된다.
서셉터(21)는 절연체층(24)과, 저항체층(25)과, 단열체층(26)으로 구성되어 있다.
절연체층(24)은, 예컨대, 질화 알루미늄, 질화 실리콘, 또는, 탄화 실리콘등의 세라믹 재료를 소결시킴으로써 형성된다. 절연체층(24)의 한쪽 면은 평탄하며, 서셉터(21)의 표면(웨이퍼 W의 탑재면)을 구성한다.
저항체층(25)은 절연체층(24)의 다른쪽 면상에 적층되어 있다. 저항체층(25)은 비교적 저항이 높은 도전성 재료, 예컨대, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈, 탄탈 또는 백금 등의 순금속, 니켈/크롬 합금 또는 철/크롬 합금 등의 합금, 탄화 규소, 탄화 질소 또는 붕화 질소 등의 세라믹, 또는 흑연 등의 카본으로 구성되어 있다. 또, 염소, 불소 등의 할로겐계 가스를 이용하는 드라이 클리닝이 챔버(12) 내에서 행해지는 경우에는, 할로겐 래디컬 등에 내성이 있는 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
저항체층(25)은, 예컨대, 상기한 도전성 재료를 절연체층(24) 상에 용사함으로써 형성된다. 저항체층(25)은, 후술하는 바와 같이, 전자 유도에 의해 발열하고, 절연체층(24) 상에 탑재된 웨이퍼 W를 가열한다.
단열체층(26)은 저항체층(25) 상에 적층되어 있다. 단열체층(26)은 발포 석영 또는 다공질 알루미나 등의 열전도성이 낮은 재료로 구성되어 있다. 단열체층(26)은, 예컨대, 이들 재료를 저항체층(25) 상에 용사함으로써 형성된다. 단열체층(26)은 서셉터(21)의 이면을 구성한다. 서셉터(21)는 단열체층(26)이 챔버(12)의 스테이지 부분(12a)에 접하도록 배치된다. 단열체층(26)은 서셉터(21)로부터 챔버(12)로의 열전도를 억제한다.
챔버(12)의 외측에는, 스테이지 부분(12a)에 인접하여, 나선형으로 형성된 유도 코일(27)이 설치되어 있다. 유도 코일(27)은, 예컨대, 저항체층(25)과 대략평행이 되도록 평탄하게 배치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 유도 코일(27)이 발생시키는 자계에 의해 저항체층(25)은 발열하고, 그 결과, 서셉터(21) 상의 웨이퍼 W가 가열된다.
유도 코일(27)은 교류 전원(28)에 접속되어 있다. 유도 코일(27)에 전류가 흐르면, 유도 코일(27)의 주위에 자계가 형성된다. 형성된 자계에 의해, 저항체층(25)이 가열된다. 구체적으로는, 형성된 자계에 의해, 저항체층(25) 중에 와(渦) 전류가 발생한다. 저항체층(25) 중을 전류가 흐르면, 저항체층(25)이 갖는 전기 저항에 근거해서, 저항체층(25)이 발열된다. 이에 따라, 서셉터(21) 전체가 가열되어, 서셉터(21) 상의 웨이퍼 W가 가열된다.
교류 전원(28)은 유도 코일(27)에, 예컨대, 주파수 수십Hz∼400Hz, 파워 500W∼1500W의 고주파 전력을 인가한다. 저항체층(25)의 온도는 인가하는 전력의 주파수 및/또는 파워를 변화시킴으로써, 즉, 유도 코일(27)에 흐르는 전류의 크기를 변화시킴으로써 조정된다.
여기서, 냉각 자켓(20)은 서셉터(21)로부터 챔버(12)로 전해지는 열을 흡수하여, 챔버(12)의 온도를 거의 일정하게 유지한다.
또한, 처리 장치(11)는 마이크로 컴퓨터로 구성되는 제어 장치(40)를 구비하고 있다. 제어 장치(40)는 웨이퍼 W 상에 TiN막을 형성하기 위한 프로그램 및 데이터를 기억하고 있다. 제어 장치(40)는 기억하고 있는 프로그램에 따라, 처리 장치(11) 전체의 동작을 제어하고, 웨이퍼 W 상에 TiN막을 형성한다. 구체적으로는, 제어 장치(40)는 배기 장치(14), 반송 기구(18), 교류 전원(28) 및 처리 가스 공급장치(29) 등을 제어하여, 웨이퍼 W의 반송, 챔버(12) 내의 압력 제어, 웨이퍼 W의 가열 및 처리 가스의 공급 등을 행한다.
이상과 같이, 유도 가열에 의해 저항체층(25)을 가열함으로써, 저항체층(25)에 전류를 흘리기 위한 배선을 챔버(12) 내에 레이아웃할 필요가 없다. 환언하면, 배선을 레이아웃하기 위한 중공의 샤프트, 및 이것에 부수해서 필요해지는 밀봉 부재를 마련할 필요가 없다. 이에 따라, 밀봉 부재의 내열 온도 등을 고려할 필요가 없고, 서셉터(21)를 챔버(12)에 근접하여 배치할 수 있다. 그 결과, 소용적의 챔버(12)를 실현할 수 있다.
또한, 챔버(12)의 용적이 작으므로 처리 가스의 소비량이 적다. 이에 따라, 낮은 제조 비용을 실현할 수 있다.
또한, 샤프트 등이 없는 만큼, 서셉터(21)를 포함하는 전체의 열용량이 작으므로, 가열 및 냉각에 요하는 시간이 짧다. 즉, 온도 변화의 응답성이 양호하다. 따라서, 웨이퍼 W의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있어, 스루풋이 높고 또한 신뢰성이 높은 처리를 행할 수 있다.
또한, 서셉터(21)는 세라믹 등으로 이루어지는 절연체층(24) 상에 저항체층(25) 및 단열체층(26)을 적층함으로써 형성된다. 이에 따라, 서셉터(21)는 저항체를 내포하는 절연체를 소결시키는 경우보다도, 훨씬 용이하게, 높은 양품률로 제조 가능하다. 그 결과, 저렴한 서셉터(21)를 실현할 수 있다.
또한, 유도 가열은 저항체에 배선을 접속하여 전류를 흘리는 경우보다도, 전력의 열 변환 효율이 높다. 즉, 유도 가열을 이용하는 것에 의해, 낮은 제조 비용및 운전 자금을 실현할 수 있다.
다음에, 상기 구성을 갖는 처리 장치(11)의 동작에 대해 설명한다.
도 2는 처리 장치(11)가 행하는 동작의 타이밍차트를 나타내고 있다. 또, 이하에 나타내는 동작은 제어 장치(40)의 제어 하에 행해진다. 또한, 이하에 나타내는 동작은 일례이며, 동일한 결과를 얻을 수 있는 것이면, 어떠한 것이라도 좋다.
우선, 반송 기구(18)는 처리 대상의 웨이퍼 W를 챔버(12) 내에 반입하고, 도시하지 않은 리프트 핀 상에 탑재한다. 반입된 웨이퍼 W는 리프트 핀이 하강함으로써, 서셉터(21) 상에 탑재된다.
서셉터(21) 상에 웨이퍼 W가 탑재되면, 교류 전원(28)은 유도 코일(27)에 소정 주파수 및 소정 파워의 고주파 전력을 인가한다. 이에 따라, 유도 코일(27)에 전류가 흐르고, 유도 코일(27) 주위에 자계가 형성된다. 서셉터(21)의 저항체층(25)은 형성된 자계에 의해 가열되고, 서셉터(21) 상에 탑재된 웨이퍼 W를, TiCl4의 부착에 적합한 온도, 예컨대, 450℃로 가열한다(시간 T0).
계속해서, 처리 가스 공급 장치(29)는 TiCl4가스를, 단시간, 예컨대, 수초동안, 구체적으로는 5∼10초 동안, 노즐(19)을 거쳐 챔버(12) 내로 도입한다. 여기서, 필요하면, TiCl4가스는 캐리어 가스와 함께 도입되어도 좋다. 이에 따라, 웨이퍼 W의 표면에 TiCl4분자층이 다층으로 부착된다(시간 T1-T2).
다음에, TiCl4가스를 퍼지하기 위해, 처리 가스 공급 장치(29)는 챔버(12) 내에 Ar 가스를 공급한다. 그리고, 배기 장치(14)는 챔버(12) 내의 가스를 배기하고, 챔버(12) 내의 압력을, 예컨대, 1.33×10-3Pa(10-6Torr) 정도까지 저하시킨다. 또한, 교류 전원(28)은 유도 코일(27)에 인가하는 전력의 주파수 및 파워를 변화시킴으로써, 서셉터(21)의 온도를 NH3의 부착에 적합한 온도, 예컨대, 300℃로 설정한다(시간 T2-T3).
이에 따라, 웨이퍼 W의 표면에 부착되어 있던 다층의 TiCl4분자층은 1층 째의 분자층이 갖는 흡착 에너지와, 2층 째 이후의 분자층이 갖는 흡착 에너지의 차로부터, 1층 째의 분자층을 남겨 비산한다. 그 결과, 웨이퍼 W의 표면에 1층의 TiCl4분자층이 부착된 상태를 얻을 수 있다.
이어서, 처리 가스 공급 장치(29)는 NH3가스를 단시간, 예컨대, 수초 동안, 구체적으로는 5∼10초 동안, 챔버(12) 내에 도입한다. 배기 장치(14)는 챔버(12) 내의 가스를 배기하고, 챔버(12) 내의 압력을 133Pa(1Torr) 정도로 설정한다. 여기서, 필요하면, NH3가스는 캐리어 가스와 동시에 도입되어도 좋다. 이에 따라, 웨이퍼 W 표면의 TiCl4분자와, NH3가스가 반응하여 1층의 TiN 분자층이 형성된다. 이 때, 형성된 TiN 분자층 상에는 다층의 NH3분자층이 부착된다(시간 T 3-T4).
다음에, NH3가스를 퍼지하기 위해, 처리 가스 공급 장치(29)는 챔버(12) 내에 Ar 가스를 공급한다. 그리고, 배기 장치(14)는 챔버(12) 내의 가스를 배기하고, 챔버(12) 내의 압력을 1.33×10-3Pa 정도까지 저하시킨다. 또한, 교류 전원(28)은 유도 코일(27)에 인가하는 전력의 주파수 및 파워를 변화시킴으로써, 서셉터(21)를, 예컨대, 450℃까지 승온한다. 이에 따라, TiN 분자층에 부착하고 있는 1층 째의 NH3분자층을 제외하고, 2층 째 이상의 NH3분자층은 제거된다(시간 T4-T5).
퍼지 후, 처리 가스 공급 장치(29)는 챔버(12) 내에 수초 동안(예컨대, 5∼10초 동안), TiCl4가스를 도입한다. 이에 따라, TiN 분자층 상에 남은 NH3분자는 TiCl4가스와 반응하고, 1층의 TiN 분자층이 형성된다. 이 때, 형성된 TiN 분자층상에는, 다층의 TiCl4분자층이 부착된다. 이 시점에서, 웨이퍼 W의 표면에는, 2층의 TiN 분자층이 형성되어 있다(시간 T5-T6).
그 이후, 처리 장치(11)는 상기와 마찬가지의 동작, 즉, 각 가스의 공급과 퍼지를 소정 회수 반복한다. 이에 따라, TiN 분자층이 1층씩 퇴적되어, 소망 두께의 TiN막을 얻을 수 있다. 처리 장치(11)는 상기 동작을, 예컨대, 100∼수100회 정도 반복한다.
성막 처리 후, 반송 기구(18)는 웨이퍼 W를 챔버(12)로부터 반송 챔버(17)로 반출한다. 이상으로, 처리는 종료한다.
상기한 ALD법에서는, 챔버(12) 내의 분위기의 전환이 다수 회 행해진다. 이때문에, 챔버(12)의 배기 효율이 스루풋에 크게 영향을 미친다. 그러나, 상기한 처리 장치(11)는 유도 가열에 의해 저항체층(25)을 가열하므로, 배선을 위한 구멍을 챔버(12)에 마련할 필요가 없다. 따라서, 구멍의 밀봉에 필요한 밀봉 부재를 사용할 필요는 없다. 이 때문에, 챔버(12) 내에 방열을 위한 공간을 마련할 필요가 없고, 또한, 고온의 서셉터(21)를 챔버(12)의 벽면에 근접시켜 설치할 수 있다. 이에 따라, 소용적의 챔버(12)를 실현할 수 있다. 그 결과, 높은 배기 효율과 높은 스루풋을 실현할 수 있다.
또한, 상기한 ALD법에서는, 웨이퍼 W의 승온 및 강온이 빈번하게 반복된다. 유도 가열을 이용하는 경우, 배선을 레이아웃하기 위한 중공의 샤프트 등이 없기 때문에, 서셉터(21)를 포함하는 전체의 열용량이 작다. 이 때문에, 서셉터(21) 및 웨이퍼 W의 온도 변화는 양호한 응답성을 나타낸다. 이에 따라, 성막 반응을 보다 고밀도로 제어할 수 있어, 고정밀도의 성막이 가능해진다. 또한, 높은 스루풋을 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 유도 가열에 의해 저항체층(25)이 가열되는 경우, 구조가 단순하고, 용적이 작은 챔버(12)를 실현할 수 있다. 그 결과, 높은 배기 효율을 얻을 수 있고, 특히 분위기의 전환을 다수 회 실행하는 ALD법에 있어서, 높은 스루풋을 얻을 수 있다.
또한, 배선을 레이아웃하기 위한 중공의 샤프트 등을 이용하지 않기 때문에, 전체의 열용량이 작고, 웨이퍼 W의 가열/냉각을 정확하게 실행할 수 있다. 또한, 적층 구조를 갖는 서셉터(21)는 비교적 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 유도 가열은 전열 변환 효율이 높고, 저비용에서의 처리가 가능해진다.
여기서, 저항체층(25)의 내열 시험 결과를 나타낸다. 내열 시험은 두께 1㎜∼5㎜의 질화알루미늄판의 일면에, 텅스텐 등의 저항체층(25)을 형성하고, 450℃로 가열함으로써 행해졌다. 그 결과, 저항체층(25)의 최대 휨량은 10micron 이하였다. 이 결과로부터, 절연체(세라믹)의 일면에 저항체층(25)이 적층된 구조는 높은 내열성을 갖는 것을 알 수 있다.
또, 상기 실시예 1의 처리 장치(11)에 있어서, 챔버(12)와 서셉터(21)간의 단열성을 높이기 위해, 챔버(12)와 서셉터(21) 사이에 간격이 형성되어도 좋다. 또한, 이 간격에 불활성 가스를 흘리기 위한 가스 유로가 형성되어도 좋다.
또한, 웨이퍼 W와 서셉터(21)간의 열전도성을 높이기 위해, 이들 사이에 불활성 가스로 이루어지는 열전도 가스를 흘리도록 하여도 좋다.
(실시예 2)
이하, 본 발명의 실시예 2에 따른 처리 장치(11)에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 실시예 2에 따른 처리 장치(11)의 구성을 나타내고 있다. 또, 이해를 용이하게 하기 위해, 도 3 중 도 1과 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하여, 설명을 생략한다.
실시예 2에서는, 실시예 1과 마찬가지의 서셉터(21)가 반송 가능해지고 있다. 즉, 웨이퍼 W는, 예컨대, 반송 챔버(17) 내에서 서셉터(21) 상에 탑재되고,서셉터(21)와 동시에 챔버(12) 내로 반입된다.
여기서, 웨이퍼 W는, 예컨대, 비접촉 상태로 물체를 반송할 수 있는 베르누이(Bernoulli) 척을 구비한 반송 기구(18)에 의해, 서셉터(21) 상에 탑재되거나, 또는, 서셉터(21) 상으로부터 들어 올려진다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 챔버(12)의 스테이지 부분(12a)에는, 소정 길이를 갖는 막대 형상의 지지 부재(30)가 마련되어 있다. 지지 부재(30)는 복수, 예컨대, 세 개 배치되어 있고, 웨이퍼 W가 탑재된 서셉터(21)를 지지하도록 배치되어 있다. 반송 기구(18)는 지지 부재(30)에 의해 형성되는, 서셉터(21)와 챔버(12) 사이의 공간에 삽입되고, 서셉터(21)를 지지 부재(30) 상에 탑재되거나, 또는, 지지 부재(30)로부터 들어 올린다.
챔버(12)의 외측에는, 실시예 1과 마찬가지로, 유도 코일(27)이 스테이지 부분(12a)에 인접해서 배치되어 있다. 유도 코일(27)에 전류가 흐르면, 유도 코일(27)의 주위에 자계가 형성된다. 서셉터(21)가 챔버(12)에 고정되지 않아도, 서셉터(21)의 저항체층(25)은, 형성된 자계에 의해, 실시예 1과 마찬가지로 가열된다. 환언하면, 서셉터(21)가 챔버(12) 내에 고정되지 않아도, 서셉터(21)의 저항체층(25)은 유도 가열에 의해 가열된다.
또한, 서셉터(21)를 반송 가능하게 함으로써, 챔버(12)에 리프트 핀 등의 탑재 이송 기구를 마련할 필요가 없어진다. 따라서, 챔버(12)에 리프트 핀 구멍(23)을 마련하지 않기 때문에, 챔버(12)의 구조가 보다 단순하게 된다.
또, 상기 실시예 1 및 2에서는, 낱장 처리 장치(11)를 예로서 나타내었다.그러나, 본 발명은 복수의 웨이퍼 W를 동시에 처리하는 일괄 처리 장치에도 적용 가능하다.
이 경우, 실시예 2와 마찬가지인 서셉터(21)가 복수 준비된다. 챔버(12) 내에는, 예컨대, 도 4에 나타내는 바와 같이, 통상의 일괄 처리 장치에 이용되는 것과 마찬가지의 웨이퍼 보트(32)가 마련되어 있다. 반송 기구(18)는 웨이퍼 W가 탑재된 복수의 서셉터(21)를 챔버(12) 내의 웨이퍼 보드(32)에 세팅한다. 상기 유도 코일(27)은 세팅된 복수의 웨이퍼 W 및 서셉터(21)를 포위하도록 배치된다. 이에 따라, 복수의 서셉터(21)는 유도 가열에 의해 가열되고, 복수의 웨이퍼 W를 용이하게 가열할 수 있다.
또한, 실시예 1 및 2에 나타내는 유도 코일(27)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 서셉터(21)의 위쪽과 아래쪽에 배치되어도 좋다. 또한, 도 6에 나타내는 바와 같이, 유도 코일(27)은 서셉터(21)를 수직으로 포위하도록 배치되어도 좋고, 또한, 도 7에 나타내는 바와 같이, 서셉터(21)를 수평으로 포위하도록 배치되어도 좋다.
또한, 상기 실시예 1 및 2에서는, 단열체층(26)은 저항체층(25) 상에 직접 형성되어 있다. 그러나, 저항체층(25)이, 예컨대, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 복사열을 반사하는 재료(예컨대, 알루미늄 또는 금 등)로 구성되는 반사막(31)으로 코팅되고, rm 단열체층(26)이 형성되어도 좋다. 이와 같이 하면, 저항체층(25)으로부터의 복사열이 반사막(31)에 의해 반사되므로, 서셉터(21)의 이면 측으로의 방열이 보다 억제된다. 이에 따라, 챔버(12)의 과열이 방지되어, 가열 효율을 높일 수 있다. 알루미늄은 처리 온도가 400℃ 이하이면 적합하게 이용할 수 있다.
또한, 상기 반사막(31)은 저항체층(25)과 챔버(12) 사이이면, 어디에 형성되어도 좋다. 예컨대, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 서셉터(21)가 설치되는 스테이지 부분(12a)의 표면에 형성되어도 좋다. 또한, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 반사막(31)은 서셉터(21)의 측부를 피복하도록 형성되어도 좋다.
또한, 서셉터(21)의 측부를 질화알루미늄 등의 절연 재료로 피복하도록 하여도 좋다.
또한, 실시예 1 및 2에 나타낸 챔버(12)의 바닥부는 유도 코일(27)을 설치 가능하면, 도 9에 나타내는 바와 같이, 평탄하여도 좋다. 이와 같이 하면, 챔버(12)의 용적을 보다 작게 할 수 있다.
또한, 실시예 1 및 2에 있어서, 예컨대, 도 10에 나타내는 바와 같이, 노즐(19) 대신 샤워 헤드(33)가 설치되고, 배기관(13)이 서셉터(21) 상에 탑재되는 웨이퍼 W와 동등한 높이로 설치되어도 좋다. 또, 서셉터(21) 상의 웨이퍼 W와 동등한 높이란, 예컨대, 배기관(13)의 하단이 웨이퍼 W의 표면과 같게 되는 높이와, 배기관(13)의 상단이 웨이퍼 W의 표면과 같게 되는 높이와의 사이에 있는 높이이다.
또한, 실시예 1 및 2에 있어서, 복수의 배기관(13)이, 예컨대, 도 11의 평면도에 나타내는 바와 같이 설치되어 있어도 좋다.
또한, 이상에 나타낸 처리 장치(11)의 구성은 조합해서 이용하여도 좋다. 예컨대, 도 10에 나타낸 배기관(13)이, 도 11에 나타내는 바와 같이, 복수 설치되어도 좋다.
또한, 이상에서는, TiCl4와 NH3을 이용한 ALD법에 의해, 웨이퍼 W 상에 TiN막을 형성하는 경우를 예로서 설명했다. 그러나, 이용하는 가스 종류 및 막 종류는 이들에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명은 피처리체를 소정 온도로 유지하여 처리를 행하는 처리 장치이면, 다른 성막 장치, 에칭 장치, 열 처리 장치 등, 어떠한 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 피처리체로는, 반도체 웨이퍼에 한하지 않고, 액정 표시 장치에 이용되는 기판 등이어도 좋다.
또, 본 발명은 2002년 4월 16일에 출원된 일본 특허 출원 제2002-113414호에 근거하고, 그 명세서, 특허 청구 범위, 도면 및 요약을 포함한다. 상기 출원에 있어서의 개시는 그 전체가 본 명세서 내에 참조로서 포함된다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 가열하는 처리 장치를 사용하는 산업 분야에 이용 가능하다.

Claims (20)

  1. 내부에서 피처리체(W)에 소정의 처리가 실시되는 챔버(12)와,
    상기 챔버(12) 내에 배치되고, 상기 피처리체(W)가 탑재되는 탑재 부재(21)와,
    상기 챔버(12)의 외부에 설치되는 유도 코일(27)과,
    상기 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써, 해당 유도 코일(27)의 주위에 자계를 형성하는 전원(28)
    으로 구성되며,
    상기 탑재 부재(21)는 상기 유도 코일(27)의 주위에 형성된 자계에 의해 발생하는 유도 가열에 의해 가열되어, 해당 탑재 부재(21) 상에 탑재되는 상기 피처리체(W)를 가열하는 저항체층(25)을 구비하는 것
    을 특징으로 하는 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버(12)의 내면 상에 마련되고, 상기 저항체층(25)으로부터의 복사열을 반사하는 반사막(31)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 탑재 부재(21)는 상기 저항체층(25) 상에 적층되고, 상기 저항체층(25)이 발생하는 열의 방산(放散)을 막는 단열층(26)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 탑재 부재(21)는 상기 저항체층(25) 상에 마련되고, 상기 저항체층(25)으로부터의 복사열을 반사하는 반사막(31)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반사막(31)은 상기 저항체층(25)과 상기 단열층(26) 사이에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 반사막(31)은 상기 저항체층(25)의 측면 상에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 유도 코일(27)과, 상기 탑재 부재(21) 사이에 마련되고, 상기 탑재 부재(21)로부터의 열을 흡수하는 냉매가 흐르는 유로(20)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 탑재 부재(21)는 상기 저항체층(25) 상에 적층되고, 상기 피처리체(W)의 탑재면을 구성하는 절연체층(24)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 탑재 부재(21)를 상기 챔버(12) 내에 고정하는 고정 부재(22)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 챔버(12) 내에 복수 종류의 가스를 소정 순서로 공급하는 가스 공급 장치(29)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버(12)에 접속된 반송용 챔버(17)를 더 구비하고,
    상기 반송용 챔버(17)는 상기 피처리체(W)가 탑재된 상기 탑재 부재(21)를 상기 챔버(12) 내로 반송하는 반송 기구(18)를 구비하는 것
    을 특징으로 하는 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 피처리체(W)가 탑재된 상기 탑재 부재(21)를, 상기 챔버(12)의 내면으로부터 이간한 상태로 지지하는 지지 부재(30)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  13. 내부에서 피처리체(W)에 소정 처리가 실시되는 챔버(12)와,
    상기 챔버(12) 내에 설치되고, 상기 피처리체(W)가 탑재된 복수의 탑재 부재(21)를 유지하는 유지 부재(32)와,
    상기 피처리체(W)가 탑재된 상기 복수의 탑재 부재(21)를 반송하여, 상기 유지 부재(32)에 세팅하는 반송 기구(18)와,
    상기 챔버(12)의 외부에 마련된 유도 코일(27)과,
    상기 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써, 해당 유도 코일(27) 주위에 자계를 형성하는 전원(28)
    으로 구성되며,
    상기 복수의 탑재 부재(21)의 각각은 상기 유도 코일(27)의 주위에 형성되는 자계에 의해 발생하는 유도 가열에 의해 가열되어, 해당 탑재 부재(21) 상에 탑재되는 상기 피처리체(W)를 가열하는 저항체층(25)을 구비하는 것
    을 특징으로 하는 처리 장치.
  14. 가열 대상으로 되는 대상물(W)이 탑재되는 절연체층(24)과,
    상기 절연체층(24) 상에 적층되고, 유도 가열에 의해 가열되어, 상기 절연체(24) 상에 탑재되는 상기 대상물(W)을 가열하는 저항체층(25)으로 구성되는 것
    을 특징으로 하는 탑재 부재.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 저항체층(25)은 도전성 재료를 상기 절연체층(24) 상에 용사(溶射)함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탑재 부재.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 저항체층(25)의 상기 절연체층(24)에 접하는 면과는 반대측의 면상에 적층되고, 상기 저항체층(25)이 발생하는 열의 방산을 막는 단열층(26)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 탑재 부재.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 저항체층(25) 상에 마련되고, 해당 저항체층(25)으로부터의 복사열을 반사하는 반사막(31)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 탑재 부재.
  18. 챔버(12) 내에 배치되는 피처리체(W)에 소정 처리를 실시하는 처리 방법으로서,
    상기 챔버(12) 내에 배치되고, 일면에 저항체층(25)이 적층된 절연체층(24)의 다른 면상에 상기 피처리체(W)를 탑재하는 공정과,
    상기 챔버(12)의 외부에 설치되는 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써 발생하는 유도 가열에 의해 해당 챔버(12) 내의 상기 저항체층(25)을 가열하고, 이것에의해, 상기 절연체층(24) 상에 탑재된 상기 피처리체(W)를 가열하는 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  19. 제 19 항에 있어서,
    상기 챔버(12) 내에 복수 종류의 가스를 교대로 공급하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 유도 코일(27)에 흘리는 전류의 크기를 변화시킴으로써, 상기 피처리체(W)의 온도를 변화시키는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
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