KR20040099150A - 발광 디바이스 및 전자 디바이스 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양면들에 디스플레이할 수 있는 발광 디바이스에서, 앞뒷면들 모두에 독립적으로 이미지들을 디스플레이할 수 있는 발광 디바이스를 제공하며, 또한 앞뒤 디스플레이들의 모두 또는 하나의 개구비가 증가한 발광 디바이스를 제공한다. 발광 디바이스는 서로 근접하여 존재하는 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스로 배열되고; 상기 제 1 발광 소자는 기판의 제 1 면으로 광을 방출할 수 있고 상기 제 2 발광 소자는 상기 기판의 제 1 면에 반대인 제 2 면으로 광을 방출할 수 있는 구조를 갖는다. 제 2 면으로의 제 1 발광 소자의 광 방출은 차폐되고, 제 1 면으로의 제 2 발광 소자의 광 방출이 차폐된다. 각각의 발광 소자에서, 발광면의 반대면이 광 차폐 효과를 갖는 막을 가지므로, 광방출이 각 면에 대하여 개별적으로 수행될 수 있다.
Description
1. 발명의 분야
본 발명은 픽셀부가 전장발광(발광) 재료가 전극들의 쌍 사이에 형성되는 발광층을 포함하는 발광소자로 구성되는 발광 디바이스에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 디스플레이가 앞뒷면들에서 수행될 수 있는 발광 디바이스에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 또한 그의 앞뒷면들이 디스플레이 스크린들을 갖는 전자 디바이스에 관한 것이다.
2. 관련 분야의 설명
최근, 자기 발광형 발광 소자로서 발광 소자를 포함하는 발광 디바이스가 활발히 연구개발되고 있다. 발광 디바이스는 유기 EL 디스플레이 또는 유기 발광 다이오드로도 불린다. 이러한 발광 디바이스들은 동영상 디스플레이에 대해 높은 응답 속도, 낮은 전압, 낮은 전기 파워 소모 구동의 특성들을 가지며, 따라서 이동 전화 또는 개인 디지털 보조장치(PDA)의 새로운 세대와 같은 새로운 세대 디스플레이로서 매력을 갖는다.
발광층으로 유기 화합물 층을 갖는 발광 소자는 다중층막이 기판 상에 적층되는 구조를 갖는다. 다중막층은 발광 재료를 포함하는 적어도 하나의 층이 그중 하나가 투명한 전극들의 쌍, 즉 아노드와 캐소드 사이에 형성되는 구조를 갖는다. 전장 발광은 전기장을 아노드 및 캐소드로 인가하는 것에 의해 발광 물질 함유층으로부터 방출된다. 또한, 이러한 구조에서, 캐소드 및 아노드 사이에 제공된 모든 층들은 일반적인 용어로 발광 물질 함유층이라 불린다.
많은 경우들에서, 발광 물질 함유층은 "정공 운송층, 발광층 및 전자 운송층"으로 전형된 적층 구조를 갖는다. 발광 물질 함유층을 형성하는 재료들은 저분자량(모노머) 재료 및 고분자량(폴리머) 재료로 광범위하게 분류된다.
전형적인 발광 소자는 기판 상에 스퍼터링에 의해 형성된 광투명 도전막이 아노드로 사용되고, 발광 물질 함유층 및 알루미늄과 같은 금속으로 형성된 캐소드가 그 위에 적층되는 적층 구조를 갖는다(이하로, 바닥 방출형 소자). 이러한 구조를 갖는 발광 소자에서, 광은 기판 상에 형성된 아노드로부터 전송된다. 픽셀로서 이러한 구조를 갖는 발광 소자를 갖는 디스플레이가 이미지를 디스플레이하기 위한 활성 매트릭스 구동에서 구동될 때, 기판 상의 구동 소자, 예를 들면 아노드를 통한 통과로부터 TFT가 광을 보호하므로 발광의 효율이 극히 감소된다.
광투명이 아닌 금속 전극이 아노드로서 기판 상에 형성되고, 발광 물질 함유층 및 광투명 전도 물질이 캐소드로서 그 위에 적층되는 구조를 갖는 발광 소자가 있다(이하로 상부 방출형 소자). 이러한 구조를 갖는 발광 소자에서, 광은 기판 상에 형성된 캐소드로부터 방출된다. 그러므로, 디스플레이가 활성 매트릭스 구동에서 수행될 때라도 광은 기판 상의 구동 소자에 의해 꺼지지 않는다.
또한, 광이 캐소드 및 아노드의 양면들로부터 방출되는 발광 소자, 다시 말해 상부 방출 및 바닥 방출을 위해 하나의 소자가 하나의 픽셀로 제공되는 구조(이하로, 이중 방출형 소자)가 참조 1에 또한 제안된다.
참조 1:일본 특허 공개 공보 2001-332392
참조 1에 기술된 이중 방출형 소자를 갖는 발광 디바이스가 픽셀부에 있으나 디스플레이를 위해 구동될 때, 이미지가 그의 한 면 및 거울 이미지에서 디스플레이되고 다른 면에서 디스플레이된다. 따라서, 캐릭터 이미지가 하나의 면에서 역전되는 문제가 있다.
이중 방출형 소자는 각각이 광투명한 캐소드 및 아노드를 갖는다. 따라서, 아노드 면의 배경 뷰는 캐소드 면에서 보이고, 캐소드 면의 배경 뷰는 아노드 면에서 보인다. 따라서, 디스플레이된 이미지를 정확히 알리기 위한 목적을 위해 보여야 할 디스플레이의 전체 뒷면을 위해 광 차폐 효과를 갖는 재료가 적절히 제공되어야 할 필요가 있다. 이러한 경우에, 디스플레이된 이미지는 동시에 양면들에서 보여질 수 없다.
활성 매트릭스 구동의 이중 방출형 소자에서, 바닥 방출형 소자의 구동 소자가 디스플레이부의 부분에 제공되고, 따라서 바닥 바울형 소자 영역이 감소되는 문제가 있다.
본 발명은 위에서 설명된 문제들의 관점에서 형성되었다. 본 발명의 목적은 앞뒤 디스플레이들의 모두에서 이미지들을 디스플레이할 수 있는 발광 디바이스에서, 앞 디스플레이 및 뒷 디스플레이의 이미지들을 독립적으로 디스플레이할 수 있도록 가능하게 하는 것이다. 또한, 본 발명은 앞뒤 디스플레이들의 모두 또는 하나의 개구비가 증가하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 서로 인접한 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열된 구조를 가지며, 제 1 발광 소자는 기판의 제 1 면의 방향으로 광을 방출하고 제 2 발광 소자가 기판의 제 1 면에 반대인 제 2 면의 방향으로 광을 방출하는 구조를 갖는다. 제 2 면의 방향으로 제 1 발광 소자의 광방출이 차폐되고 제 1 면의 방향으로 제 2 발광 소자의 광방출이 차폐된다. 두개의 발광 소자들에서, 광 차폐 효과를 갖는 막이 발광면에 반대하는 면 상에 형성되고, 따라서 각 발광면이 개별적으로 광을 방출할 수 있다.
위에서 설명된 구조에 부가하여, 발광 디바이스는 본 발명에 따라 제 1 발광 소자(광을 반대 기판면으로 방출하는 소자)가 각 발광 소자의 구동을 위해 반도체 소자 위에 형성되는 구조를 갖는다. 이러한 구조에 의해, 제 2 발광 소자(광을 기판면으로 방출하는 소자)에서, 앞뒤 디스플레이들 모두의 개구비는 광이 발광 소자를 구동하기 위한 반도체 소자에 의해 차폐되는 영역이 감소하기 때문에 증가한다.
위에서 설명된 구조에 부가하여, 발광 디바이스는 본 발명에 따라 각 발광 소자로 비디오 신호들의 입력 유닛들을 갖는다. 예시적인 예로서, 소스 신호 라인 및 구동 소자가 각 발광 소자에 대해 제공된다. 각 발광 소자의 광방출 및 비광방출이 각 소스 신호 라인으로부터 입력된 신호에 의해 제어될 수 있다.
두개의 발광 소자들에 공통인 배타적으로 기능하는 소스 신호 라인 및 스위치가 각 발광 소자로 비디오 신호의 입력 유닛으로서 형성된다. 하나의 소스 ㅅ니호 라인으로 입력된 신호가 배타적인 스위치 기능에 의해 각 발광 소자로 입력되고, 따라서 각 발광 소자에서 광방출과 비광방출을 제어한다. 또한, 독립적으로 제어하는 제어 신호가 배타적으로 스위치 기능 대신 사용될 수 있다.
위에서 설명된 구조에 부가하여, 각 디스플레이가 스스로 독립적으로 각 발광 소자에서 수행될 수 있으며, 임의의 이미지가 각 면에서, 각 디스플레이 스크린에서 광이 방출될 수 있는 발광 소자에서 디스플레이될 수 있다.
본 명세서에서 발광 소자가 발광 디바이스 또는 발광 소자를 사용하는 이미지 디스플레이 디바이스를 포함한다는 것이 주의되어야 한다. 부가적으로, 다음이 발광 디바이스에 포함된다:커넥터, 예를 들면 유연 인쇄 회로(FPC), 테이프 자동 접합(TAB) 테이프, 또는 테이프 캐리어 패키지(TCP)가 발광 소자에 셋업되는 모듈; 인쇄 배선 기판이 TAB 테이프 또는 TCP의 팁으로 설정되는 모듈; 및 집적 회로들(IC) 또는 CPU가 직접 칩 온 글래스(COG) 방법으로 발광 소자 상에 얹어지는 모듈.
본 발명의 범위에 기초하는 본 발명의 발광 디바이스는 이하로 설명되는 구조들을 포함한다.
본 발명에 따라 발광 디바이스는 기판의 제 1 표면의 제 1 디스플레이 스크린과, 기판의 제 1 표면에 반대인 제 2 표면의 제 2 디스플레이 스크린을 포함하고, 제 1 디스플레이 스크린의 이미지는 제 1 발광 소자에 의해 디스플레이되며, 제 2 디스플레이 스크린의 이미지는 제 2 발광 소자에 의해 디스플레이되며, 제 2 디스플레이 스크린의 이미지와 제 2 디스플레이 스크린의 이미지가 독립적으로 제어된다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 서로 인접하는 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 픽셀부를 포함하며, 제 1 발광 소자는 기판의 제 1 면의 방향으로 광을 방출할 수 있고 제 2 발광 소자는 기판의 제 1 면에 반대인 제 2 면의 방향으로 광을 방출할 수 있고, 제 2 면의 방향의 제 1 발광 소자의 광방출은 차폐되며, 제 1 면의 방향의 제 2 발광 소자의 광 방출이 차폐된다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자를 구동하기 위해 반도체 소자가 제공되는 기판 상에 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 제 1 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 2 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고; 제 2 발광 소자는 제 3 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 2 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 제 1 광 차폐막과 반도체 소자 상에 형성되고; 제 2 발광 소자는 제 2 광 차폐막으로 덮여진다. 또한, 제 1 광투명 전극 및 제 3 광투명 전극은 동일한 재료를 포함할 수 있다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자를 구동하기 위해 반도체 소자가 제공되는 기판 상에 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고; 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 반도체 소자 상에 형성되고; 제 2 발광 소자는 제2 광 차폐막으로 덮여진다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자를 구동하기 위해 반도체 소자가 제공되는 기판 상에 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 제 1 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 2 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고; 제 2 발광 소자는 제 3 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 제 1 광 차폐막과 반도체 소자 상에 형성된다. 또한, 제 1 광투명 전극 및 제 3 광투명 전극은 동일한 재료를 포함할 수 있다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자를 구동하기 위해 반도체 소자가 제공되는 기판 상에 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고; 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 2 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며 ; 제 1 발광 소자는 반도체 소자 상에 형성된다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자를 구동하기 위해 반도체 소자가 제공되는 기판 상에 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 제 1 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고; 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 제 2 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 2 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 반도체 소자와 제 2 발광 소자 상에 형성된다.
본 발명에 따라, 발광 디바이스는 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자를 구동하기 위해 반도체 소자가 제공되는 기판 상에 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 매트릭스에 배열되는 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 제 1 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고; 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 제 2 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 2 전극이 기판면으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며; 제 1 발광 소자는 반도체 소자들 상에 형성된다. 또한, 제 1 발광 소자의 제 1 광투명 전극 및 제 2 발광 소자의 제 2 광투명 전극은 동일한 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 이러한 및 다른 목적들, 특성들 및 장점들이 첨부한 도면들을 따른 다음의 보다 상세한 설명의 판독에서 보다 명확해질 것이다.
도 1a 내지 1f는 본 발명에 따른 발광 디바이스들의 단면도들.
도 2는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 발광 디바이스의 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 평면도.
도 5a 및 5b는 본 발명에 따른 발광 소자들을 도시하는 도면.
도 6은 본 발명에 따른 구조를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명에 따른 구조를 도시하는 도면.
도 8은 본 발명에 따른 구조를 도시하는 도면.
도 9a 내지 9d는 본 발명에 따른 전자 디바이스의 예를 도시하는 도면.
도 10a 내지 10c는 본 발명에 따른 전자 디바이스의 예를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명에 따른 전자 디바이스의 예를 도시하는 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
2003 : 발광 물질 함유층 2004 : 제 2 전극
2005 : 제 1 광 차폐막 2010 : 제 1 절연층
2001 : 반도체 소자 2303 : 발광 물질 함유층
본 발명의 실시예 모드들이 도면들을 참조로 이하에서 상세히 설명된다. 여기서, 활성 매트릭스 방법의 구동 소자가 설명되지만, 구동 방법은 간단한 매트릭스 방법일 것이다. 스위칭 소자와 구동 소자에 따라, 박막 트랜지스터(TFT)가 설명되나, 특별한 제한은 없다. 예를 들어, MOS 트랜지스터, 유기 트랜지스터와 같은반도체 소자, 또는 분자 트랜지스터가 또한 사용될 수 있다. 또한, 본 실시예 모드에서 하나의 발광 소자에 대응하는 발광 영역이 픽셀이다.
실시예 모드 1
본 실시예 모드에서, 본 발명의 발광 디바이스의 구조가 도들 1a 내지 1f를 참조로 설명된다. 도들 1a 내지 1f는 서로 근접한 두개의 발광 소자들이 형성되는 영역의 발광 디바이스들의 단면도들이다. 본 실시예 모드의 발광 소자들에서, 기판면에 형성되는 전극은 제 1 전극으로 불리고 반대 기판면에 형성되는 전극은 제 2 전극으로 불린다.
층들(이하로, 반도체 소자를 갖는 층)(2001, 2101, 2201, 2301, 2401 및 2501)은 기판들(2007, 2107, 2207, 2307, 2407 및 2507) 상에 형성된다. 층들에서, 상부 방출형 발광 소자와 바닥 방출형 발광 소자에 대하여 스위칭 소자, 구동 소자 등이 형성된다.
반도체 소자(2001, 2101, 2201, 2301, 2401 및 2501)를 갖는 층들 위에서 윗방향으로 광을 방출하는 소자가 상부 방출형 발광 소자이며, 광을 아랫방향으로 방출하는 발광 소자가 바닥 방출형 발광 소자이다. 다시 말해, 기판면의 방향으로 광을 방출하는 소자가 바닥 방출형 발광 소자이다. 또한 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역들은 참조 번호들(2021, 2121, 2221, 2321, 2421 및 2521)에 의해 정의되며, 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역들은 참조 번호들(2022, 2122, 2222, 2322, 2422 및 2522)에 의해 정의된다. 반대 기판들(2008, 2108, 2208, 2308, 2408 및 2508)이 두개의 발광 소자들 위로, 즉 기판의 반대면에 형성된다.
각각의 발광 소자들은 제 1 전극, 제 2 전극 및 그들 사이에 형성된 층을 포함하는 발광 기판을 포함한다. 각각의 발광 소자들의 발광 및 비발광은 스위칭 소자, 구동 소자 등에 의해 제어된다.
상부 방출형 발광 소자의 보다 낮은 부분, 즉 기판면에 광 차폐막이 형성된다. 다른 광 차폐막이 바닥 방출형 발광 소자의 보다 높은 부분, 즉 반대 기판면에 형성된다. 이러한 구조에 의해, 각 발광 소자에 생성되는 광이 단지 한 방향으로 방출되고, 따라서 광 방출의 한 방향이 각 발광 소자에서 수행될 수 있다. 결과적으로, 상이한 이미지들이 양 방향들에서 디스플레이될 수 있다.
각 구조가 이하로 더욱 상세하게 설명된다.
도 1a는 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극 및 제 2 전극과, 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극 및 제 2 전극이 광투명 도전막들로부터 각각 형성되고, 광 차폐막들이 각 발광 소자들에 개별적으로 제공되는 구조를 도시한다.
제 1 광 차폐막(2005)이 상부 방출형 발광 소자의 기판(2007) 상에 형성되며, 제 1 절연층(2010)이 바닥 방출형 발광 소자의 기판(2007) 상에 형성된다. 반도체 소자(2001)를 갖는 층이 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역의 제 1 광 차폐막(2005) 상에 형성된다. 또한, 제 1 광 차폐막(2005)은 기판과 반도체 소자를 갖는 층 및 반도체 소자를 갖는 층 사이에서 형성될 수 있으며, 원하는 모양으로 에칭될 수 있다. 또한, 제 1 광 차폐막은 잉크젯 등에 의해 원하는 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 필터와 같은 막이 기판의 표면으로 제공될 수 있다. 제 1 광 차폐막이 도전성인 경우에 절연층이 반도체 소자를 갖는 층과 제 1 광 차폐막 사이에바람직하게 형성된다는 것이 인지되어야 한다.
두개의 발광 소자들의 제 1 전극들(2002a 및 2002b)이 반도체 소자(2001)와 제 1 절연막(2010)을 갖는 층 위에 형성된다. 발광 물질 함유층(2003)이 그 위에 형성되고, 제 2 전극(2004)이 그 위에 형성된다. 제 1 전극들(2002a 및 2002b)과 제 2 전극(2004)이 광투과 도전막들로부터 형성된다.
바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(2022)에서, 제 2 광 차폐막(2006)이 제 2 전극(2004) 위에 형성된다. 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2021)에서, 제 2 절연층(2011)이 형성된다. 반대 기판(2008)이 제 2 광 차폐막(2006)과 제 2 절연층(2011) 위에 형성된다. 광 차폐 효과를 갖는 막이 제 2 광 차폐막(2006)으로서 형성되며, 원하는 모양으로 에칭된다. 또한, 제 2 광 차폐막(2006)이 잉크젯 등에 의해 원하는 모양으로 형성될 수 있다. 또한, 필터와 같은 막이 반대 기판(2008)의 표면으로 제공될 수 있다. 제 2 광 차폐막이 도전성인 경우에 절연층이 제 2 전극(2004)과 제 2 광 차폐막(2006) 사이에 바람직하게 형성된다는 것이 인지되어야 한다.
도 1b에 도시된 구조가 설명된다. 도 1b에서, 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극이 광 차폐 효과를 갖는 도전성 막으로부터 형성되고, 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극, 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극 및 제 2 전극이 광투명 도전막들로부터 형성된다. 또한 광 차폐막이 바닥 방출형 발광 소자의 반대 기판면 상에 개별적으로 형성된 구조가 도시된다.
반도체 소자(2101)를 갖는 층이 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2121)에형성되고, 제 1 절연층(2110)이 기판(2107) 상의 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(2122)에 형성된다.
두개의 발광 소자들의 제 1 전극들(2102a 및 2102b)이 반도체 소자(2101)와 제 1 절연층(2110)을 갖는 층 위에 형성된다. 발광 물질 함유층(2103)이 그 위에 형성되고, 제 2 전극(2104)이 그 위에 형성된다. 상부 발출형 발광 소자의 제 1 전극(2102a)이 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 전형적으로, 제 1 전극이 구동 TFT 또는 그로 연결되는 도전막의 드레인 전극으로부터 형성될 수 있다. 또한, 광투명 도전막이 광 차폐 효과를 갖는 도전막 위로 형성될 수 있다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2102b)이 광투명 도전막으로부터 형성된다. 두개의 발광 소자들의 제 2 전극(2104)이 광투명 도전막으로부터 형성된다. 또한, 광투명막이 반도체 소자(2101)와 제 1 절연층(2110)을 갖는 층 위로 형성될 수 있고, 각 전극의 모양으로 형성되며, 따라서 불순물들이 가시 영역의 광을 흡수하기 위하여 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극 영역으로 부가될 수 있다.
바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(2122)에서, 광 차폐막(2106)이 제 2 전극(2104) 위에 형성된다. 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2121)에서, 제 2 절연층(2112)이 형성된다. 반대 기판(2108)이 광 차폐막(2106)과 제 2 절연층(2112) 상에 형성된다. 형성 방법 및 광 차폐막(2106)의 위치는 도 1a의 제 2 광 차폐막(2006)의 것과 동일하다.
도 1c에 도시된 구조가 설명된다. 도 1c에서, 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극 및 제 2 전극과 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극이 광투명 도전막들로부터형성되고, 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극이 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 광 차폐막이 상부 발광형 발광 소자의 기판면 상에 개별적으로 형성되는 구조가 도시된다.
광 차폐막(2205)이 상부 방출형 발광 소자의 기판(2207) 상에 형성되고, 제 1 절연층(2210)이 바닥 방출형 발광 소자의 기판(2207) 상에 형성된다. 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2221)에서, 광 차폐막(2205)과 반도체 소자(2201)를 갖는 층이 형성된다.
두개의 발광 소자들의 제 1 전극들(2202a 및 2202b)이 반도체 소자(2201)와 제 1 절연층(2210)을 갖는 층 위에 형성된다. 발광 물질 함유층(2003)이 그 위에 형성된다. 제 2 전극(2204a)이 상부 방출형 발광 소자 위에 형성되고, 제 2 전극(2204b)이 바닥 방출형 발광 소자 위에 형성된다. 두개의 발광 소자들의 제 1 전극들(2202a 및 2202b)이 광투명 도전막으로부터 형성된다. 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2204a)이 광투명 도전막으로부터 형성되고, 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2204b)이 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 반대 기판(2208)이 제 2 절연층들(2204a 및 2204b) 상에 형성된다. 형성 방법 및 광 차폐막(2105)의 위치는 도 1a의 제 1 광 차폐막(2005)의 것과 동일하다.
도 1d에 도시된 구조가 설명된다. 도 1d에서, 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극은 광 차폐 효과를 갖는 도전막을 포함하고, 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극은 광투명 도전막을 포함한다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극은 광투명 도전막으로부터 형성되고, 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극은 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 이러한 구조에서, 광 차폐막은 개별적으로 제공될 필요가 없다.
반도체 소자(2301)를 갖는 층이 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2321)에 형성되고, 제 1 절연층(2301)이 기판(2307) 상의 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(2322)에 형성된다.
두개의 발광 소자들의 제 1 전극들(2302a 및 2302b)이 반도체 소자(2301)와 제 1 절연층(2310)을 갖는 층 위에 형성된다. 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2302a)은 광 차폐 효과를 갖는 도전막, 대표적으로 구동 TFT의 드레인 전극 또는 그에 연결된 도전막으로부터 형성된다. 또한 광투명 도전막은 광 차폐 효과를 갖는 도전막 위에 형성된다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2302b)은 광투명 도전막을 포함한다. 또한, 광투명막은 반도체 소자(2301)와 제 1 절연층(2301)을 갖는 층 위에 형성될 수 있고, 각 전극의 모양으로 형성되며, 따라서 불순물들이 가시 영역의 광을 흡수하기 위하여 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극 영역(2302a)으로 부가될 수 있다.
발광 물질 함유층(2303)이 그 위에 형성된다. 제 2 전극들(2304a 및 2304b)이 발광 물질 함유층(2303) 위에 형성된다. 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2304a)는 광투명 도전막을 포함한다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2304b)가 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 반대 기판(2308)이 제 2 전극들(2304a 및 2304b) 위에 형성된다.
도 1e에 도시된 구조가 설명된다. 도 1e는 다음에서 도 1a 내지 도 1d와 다르다:두개의 발광 물질 함유층들이 형성되고, 상부 방출형 발광 소자의 발광 물질 함유층(2403a)은 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역을 덮는다. 또한, 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2405a)은 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성되고, 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2404)은 광투명 도전막으로부터 형성된다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2402b)은 광투명 도전막으로부터 형성되고, 제 2 전극(2405b)은 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 이러한 구조에서, 광 차폐막이 개별적으로 제공되어야 할 필요가 없다. 부가적으로, 이러한 구조에서 상부 방출형 발광 소자는 바닥 방출형 발광 소자를 덮는다. 따라서, 바닥 방출형 발광 소자 위의 상부 방출형 발광 소자의 영역은 또한 광을 방출할 수 있고, 따라서 앞뒤 디스플레이들의 모두의 개구비(aperture ratio)가 증가한다.
반도체 소자(2401)를 갖는 층이 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2421)으로 형성되고, 제 1 절연층(2401)이 기판(2407) 위의 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(2422)에서 형성된다.
바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2402b)이 제 1 절연층(2401) 상에 형성된다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2402b)이 광투명 도전막으로부터 형성된다. 발광 물질 함유층(2403b)이 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2402b) 위에 형성된다. 제 2 전극(2405b)이 발광 물질 함유층(2403b) 위에 형성되며, 제 2 절연층(2412)이 그 위에 형성된다. 다른 한편으로, 제 3 절연층(2411)이 반도체 소자(2401)를 갖는 층 위에 형성되고, 제 1 전극(2405a), 제 2 발광 물질 함유층(2403a) 및 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2404)이 제 2 절연층 및 제3 절연층 위에 형성된다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2405b) 및 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2405a)이 광 차폐 효과를 갖는 도전막들을 포함하며, 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2404)은 광투명 도전막을 포함한다. 또한, 상부 방출형 발광 소자는 바닥 방출형 발광 소자와의 오버래핑 없이 형성될 수 있다. 이러한 경우에, 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2405a)과 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2405b)는 동일한 재료로부터 형성될 수 있다.
반대 기판(2408)이 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2404) 상에 형성된다.
도 1f에 도시된 구조가 설명된다. 도 1f에서, 두개의 상이한 발광 물질 함유층들이 도 1e와 같이 형성된다. 또한, 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극이 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성되고, 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극은 광투명 도전막으로부터 형성된다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극은 광투명 도전막으로부터 형성되고, 그의 제 2 전극은 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 이러한 구조에서, 광 차폐막은 개별적으로 제공될 필요가 없다.
기판(2507) 상의 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(2521)에서, 반도체 소자(2501)를 갖는 층이 형성되며, 그 위에 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2502)이 형성되며, 제 1 발광 물질 함유층(2503)이 그 위에 형성되고, 제 2 전극(2505a)이 그 위에 형성된다. 또한, 제 1 절연층(2511)이 제 2 전극 위에 형성된다.
바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(2522)에서, 제 2 절연층(2510)이기판(2507) 상에 형성된다. 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2505b)은 제 2 절연층(2510) 위에 형성되며, 제 2 발광 물질 함유층(2503b)이 그 위에 형성되고, 제 2 전극(2504b)이 그 위에 형성된다.
상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극과 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극이 광 차폐 효과를 갖는 도전막으로부터 형성된다. 또한, 상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극과 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극이 광투명 도전막으로부터 형성된다.
상부 방출형 발광 소자의 제 2 전극(2505a)와 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극(2505b)은 광투명 도전막을 포함하고, 따라서 동일한 재료로부터 형성될 수 있다.
반대 기판(2508)이 상부 방출형 발광 소자에 형성된 제 1 절연층(2511)과 바닥 방출형 발광 소자에 형성된 제 2 전극(2504b) 상에 제공된다.
실시예 모드 2
앞뒤의 디스플레이들에 광을 방출할 수 있는 발광 디바이스의 예가 본 발명에 따른 도 2 및 도 4를 참조하여 설명된다. 본 실시예 모드는 실시예 모드 1에서 설명되었던 도 1b에 도시된 구조에 대응한다는 것을 인지한다.
도 2는 픽셀부의 부분의 단면도이다. 도 2에서, 참조 번호(101)는 기판을 나타내고, 참조 번호들(102, 109 및 111)은 절연층들을 나타내며, 참조 번호들(107a 및 107b)은 TFT들을 나타내고, 참조 번호들(110a 및 110b)는 제 1 전극들을 나타내며(110a 및 110b는 각각 광 차폐 도전층 및 투명 도전층이다), 참조 번호(112)는 발광 물질 함유층을 나타내고, 참조 번호(113)는 제 2 전극을 나타내며, 참조번호(114)는 광 차폐층을 나타내고, 참조 번호(115)는 투명 방지층을 나타내며, 참조 번호(116)는 실링 에이전트를 나타내고, 참조 번호(117)는 반대 기판을 나타내며, 참조 번호(141)는 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역을 나타내고, 참조 번호(142)는 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역을 나타낸다. 이후로 발광 소자의 구조가 더욱 상세히 설명된다.
이러한 실시예 모드에서, 상부 방출형 발광 소자는 제 1 전극(110a), 발광 물질 함유층(112), 및 제 2 전극(113)을 포함하고, 바닥 방출형 발광 소자는 제 1 전극(110b), 발광 물질 함유층(112), 및 제 2 전극(113)을 포함한다.
TFT들(107a 및 107b)(p-채널 TFT들)은 기판(101) 상에 형성되는 절연층(102) 위에 형성된다. TFT들의 각각은 채널 형성 영역들(103a 및 103b), 저농도의 불순물 영역들(104a 및 104b), 및 고농도의 불순물 영역들(105a 및 105b)(소스 영역 또는 드레인 영역)을 갖는 반도체 영역을 포함하고, 게이트 절연막(도시되지 않음)이 반도체 영역과 게이트 전극, 게이트 전극들(106a 및 106b), 드레인 전극들(또는 소스 전극들)(108a 및 108b) 사이에 제공된다.
도시되지 않았으나, 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)과 같은 배선들과 소스 배선이 드레인 전극들(108a 및 108b)과 동일한 단계로 동시에 형성된다. 제 1 전극 및 드레인 전극을 형성하는 예가 개별적으로 도시되었으나, 두가지 모두 동일한 막으로부터 형성될 수 있다. 이러한 경우에 드레인 전극은 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역에 형성된다. 이러한 경우에 드레인 전극은 티타늄막, 티타늄 질화물 막, 알루미늄을 주로 포함하는 막에 적층될 수 있으며, 그 후에 티타늄 질화물이 적층될 수 있다.
유기 재료 또는 무기 재료를 포함하는 절연층(109)은 반도체 영역과 드레인 영역들(또는 소스 전극들)(108a 및 108b) 사이에 형성된다. 부가적으로, 여기에 도시되지는 않았으나 하나 또는 복수의 TFT들(n-채널 TFT들 또는 p-채널 TFT들)이 하나의 픽셀에 대해 제공된다. 여기서, 하나의 채널 형성 영역(103a 및 103b)을 갖는 TFT가 도시되지만, 채널들의 수에는 제한이 없으며 TFT는 복수의 채널들을 가질 수 있다. 또한, 저농도 불순물 영역들(104a 및 104b)을 갖는 TFT가 여기서 도시되었으나, TFT는 그에 제한되지 않으며 채널 형성 영역들(103a 및 103b)과 고농도 불순물 영역들(105a 및 105b)(소스 영역 및 드레인 영역)을 가질 수 있다.
반도체 영역은 비정질 반도체 영역 또는 결정 반도체 영역을 사용하는 것에 의해 형성될 수 있다. 또한, 반도체 영역의 재료로서, 반도체 소자들의 요소 또는 합금(실리콘 또는 게르마늄과 같은), 유기 반도체 재료 등이 사용될 수 있다. 유기 반도체 재료는 약 10-2Ωcm 내지 1016Ωcm의 특정 저항의 반도체 전기 특성들을 보이는 유기 화합물이며, 구조는 바람직하게 골격이 결합된 이중 접합으로 만들어지는 π(파이) 전자 접합 시스템의 높은 분자량이다. 구체적으로, 폴리티오펜, 폴리(3-알킬티오펜) 또는 폴리티오펜의 파생물과 같은 용해성의 높은 분자량 재료가 바람직하다.
기판(101)과 반대 기판(117)을 위해, 알루미노 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리, 알루미노규산염 유리와 같은 비알칼리 유리 기판, 또는 PET(polyethyleneterephthalate), PEN(polyethylenenaphthalate), PES(a polyeter sulfide), 폴리프로필렌, 폴리프로필렌 황화물, 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리페닐렌 황화물, 폴리페닐렌 산화물, 폴리 술폰 또는 폴리프탈레인과 같은 플라스틱 기판이 사용될 수 있다.
부가적으로, 발광 소자의 제 1 전극들(110a 및 110b)는 아노드들(또는 캐소드들)이고, 제 1 전극(110a)은 광 차폐 효과를 갖는 도전막을 포함하고, 제 1 전극(110b)이 광투명 도전막으로부터 형성된다. 이러한 실시예 모드에서, 광 차폐 효과를 갖는 도전막을 포함하는 제 1 전극(110a)은 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(141)을 덮고, 광투명 도전막을 포함하는 제 1 전극(110b)은 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(142)을 덮는다. 다시 말해, 광 차폐 효과를 갖는 도전막을 포함하는 제 1 전극(110a)은 상부 방출형 발광 소자의 TFT(107a)를 덮고, 부분은 바닥 방출형 발광 소자의 TFT(107b)의 드레인 전극(108b)의 부분을 제외한다. 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(142)의 지역은 이러한 구조에 의해 증가될 수 있다. 또한, 광 차폐 효과를 갖는 도전막을 포함하는 제 1 전극(110a)은 광투명 도전막 또는 그의 적층 구조를 갖는 두개의 층 구조를 가질 수 있다.
광 차폐 효과를 갖는 도전막의 재료의 상세한 부분들이 실시예 모드 4에서 설명된다.
제 1 전극들(110a 및 110b)이 절연층(109)을 덮는 절연층(111) 상에 형성된다. 제 1 전극들(110a 및 110b)가 절연층(111)을 통해 TFT들(107a 및 107b)에 연결된다. 절연층(111)으로 무기 재료(실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 질산화물과 같은), 감광성 또는 비감광성 유기 재료(폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 저항 또는 벤조사이클로부탄) 또는 그의 적층물이 사용될 수 있다.
발광 물질 함유층(112)이 증착법 또는 스핀 코팅이나 잉크젯과 같은 어플리케이션법에 의해 형성된다. 발광 재료가 낮은 분자량 재료일 때, 증착법이 주로 사용된다. 발광 재료가 중간 분자라야 재료 또는 높은 분자량 재료일 때, 어플리케이션법이 주로 사용된다. 여기서, 발광 물질 함유층(112)은 일정한 막 두께를 얻기 위해 증착 시스템에서 형성된다. 신뢰도를 강화시키기 위한 목적으로 발광 물질 함유층(112)을 형성하기 바로 직전에 진공 가열(100℃ 내지 250℃)이 바람직하게 수행된다.
제 1 전극(113)이 도전막으로부터 형성되며 이는 발광 소자의 캐소드(또는 아노드)이다. 발광 소자의 캐소드(또는 아노드)의 재료의 상세한 설명들이 실시예 모드 4에서 설명된다. 여기서, 광이 제 2 전극을 통해 통과하고 방출되는 두개의 표면 방출형이 사용되기 때문에 1nm 내지 10nm 두께의 Ag 막 또는 MgAg 합금막이 사용된다. 또한, CaF2, MgF2, 또는 BaF2를 포함하는 광투명층(1nm 내지 5nm 두께)이 1nm 내지 10nm 두께의 Ag 막을 형성하기 전에 캐소드의 버퍼층으로서 형성될 수 있다.
광투명 도전막(ITO, 인듐 산화물-주석 산화물 합금), 인듐 산화물-아연 산화물 합금(In2O3-ZnO), 아연 산화물(ZnO) 등이 1nm 내지 10nm 두께의 금속 박막 위에50nm 내지 200nm의 두께로 형성될 수 있으며 캐소드가 보다 낮은 저항을 가질 수 있다. 또한, 캐소드는 증착 마스크를 사용하여 증착법(저항 가열)에 의해 선택적으로 형성될 수 있다.
광 차폐막(114)이 제공되어 바닥 방출형 발광 소자로부터 방출된 광이 위로 누출되지 않는다. 광 차폐막은 Al, Ti Mo 또는 다른 금속들, 또는 광투명이 아니고 색소를 포함하는 수지 재료로부터 형성될 수 있다. 광 차폐막으로 도전막을 사용하는 것에 의해, 광 차폐막은 또한 보조 전극으로 동작하고 따라서 캐소드의 저항을 감소시킨다.
투명 방지층(115)은 서퍼링 또는 증착법에 의해 형성되며, 금속 박막들을 각각 포함하는 제 2 전극(113)과 광 차페층(114)을 보호할 뿐만 아니라 습기의 침투도 방지하기 위한 실링(sealing)막으로 작용한다. 실리콘 질화물막, 실리콘 산화물막, 실리콘 질산화물막(SiNO막(구성비 N＞O) 또는 SiON막(구성비 N＜O)), 또는 스퍼터링법이나 CVD에 의해 얻어진 탄소를 주로 포함하는 박막(예를 들면, DLC막, CN막)이 투명 방지층(115)을 위해 사용될 수 있다.
다음으로 얻어진 투명 방지층(115)은 발광 물질 함유층으로 유기 화합물 함유층을 사용하는 발광 소자의 실링막으로 적당하다.
기판(101)은 실링 에이전트(116)에 의해 반대 기판(117)으로 접합된다. 실링 에이전트는 기판들 사이의 공간을 보장하기 위한 갭 재료를 포함하며, 픽셀부 주위로 배열된다.
다음, 본 실시예 모드에 도시된 두개의 인접 픽셀들(상부 방출형 발광 소자및 바닥 방출형 발광 소자)의 평면도가 도 4에 도시된다. 도 4는 도 2의 제 1 전극들(110a 및 110b)가 형성된 후의 상태(다시 말하면, 발광 물질 함유층(112)이 형성되기 전의 상태)의 평면도이다. 도 2의 것으로서 도 4의 동일한 소자들이 동일한 참조 번호들을 사용하여 도시되며 그의 설명은 생략된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시에 모드의 두개의 인접 픽셀들 은 제 1 소스 신호 라인(121), 제 2 소스 신호 라인(122), 파워 서플라이 라인(123)(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선), 및 게이트 신호 라인(124)을 갖는다. 제 1 소스 신호 라인(121)은 상부 방출형 발광 소자(151)의 소스 신호 라인이며, 제 2 소스 신호 라인(122)은 바닥 방출형 발광 소자(152)의 소스 신호 라인이다. 또한, 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(123) 및 게이트 신호 라인(124)은 공통적으로 각각의 발광 소자들에 대해 제공되고, 모든 발광 소자에 제공될 수 있다.
스위칭 TFT와 구동 TFT가 상부 방출형 발광 소자로 제공되고, 반도체 영역들(125 및 135)이 두개의 TFT들에서 각각 형성된다. 또한, 스위칭 TFT와 구동 TFT가 바닥 방출형 발광 소자에 제공되며, 반도체 영역들(126 및 136)이 두개의 TFT들 모두에 각각 형성된다. 스위칭 TFT들의 소스 영역들에서, 각각의 소스 신호 라인들(121 및 122)이 전기적으로 연결된다. 또한, 게이트 신호 라인(124)은 반도체 영역들(125 및 126)의 채널 형성 영역들을 덮는다. 게다가, 스위칭 TFT들의 드레인 영역들에서 드레인 전극들(129 및 130)이 그로 연결되고 구동 TFT들의 게이트 배선들(127 및 128)로 각각 연결된다. 게이트 배선들(127 및 128)은 구동 TFT들의반도체 영역들(135 및 136)의 채널 형성 영역들을 각각 덮는다. 파워 서플라이 배선(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선들)(123)은 구동 TFT들의 소스 영역들의 각각으로 연결되고, 드레인 영역들은 드레인 전극들(108a 및 108b)을 통해 제 1 전극들(110a 및 110b)로 연결된다.
반도체 영역들(131 및 132)은 커패시터 소자를 형성하고 파워 서플라이 라인(123)으로 전기적으로 연결된다. 제 1 커패시터 소자는 제 1 반도체 영역(131), 제 1 절연층, 제 1 게이트 배선(127), 제 2 절연층, 및 파워 서플라이 라인(123)을 포함한다. 또한, 제 2 커패시터 소자는 제 2 반도체 영역(132), 제 1 절연층, 제 2 게이트 배선(128), 제 2 절연층, 및 파워 서플라이 라인(123)을 포함한다. 커패시터 소자들이 구동 TFT들의 게이트 배선들과 소스 영역들 사이에서 각각 형성된다는 것이 인지된다.
이후 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 물질 함유층(112) 및 제 2 전극(113)이 제 1 전극들(110a 및 110b) 위에 형성되며 광 차폐막(114)이 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(113) 상에 형성되며, 따라서 이미지는 앞면 및 뒷면(다시 말해, 상부 표면 및 바닥 표면) 모두 위에서 디스플레이될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상부 방출형 발광 소자(151)의 제 1 전극(110a)은 상부 방출형 발광 소자(151)의 발광 영역을 덮는다. 이러한 영역에서, 바닥 방출형 발광 소자(152)의 스위칭 TFT와 구동 TFT가 형성되며, 바닥 방출형 발광 소자(152)의 제 1 전극의 연결부(133)를 제외한 영역이 제 1 전극(110a)에 의해 덮여지고, 따라서 바닥 방출형 발광 소자(152)의 개구비가 개선된다. 또한, 소스 신호라인들(121 및 122)이 두개의 발광 소자들에 제공되고, 상이한 이미지들이 발광 소자들의 각각에 디스플레이될 수 있다.
실시예 모드 3
본 실시예 모드에서, 실시예 모드 2에서의 것과 다른 구조를 갖는 앞뒤 디스플레이들 모두에 이미지를 디스플레이할 수 있는 디스플레이 디바이스가 도 3을 참조로 설명된다. 본 실시예 모드는 실시예 모드 1에 설명된 도 1e의 구조와 동일하다는 것이 인지된다. 도 2의 것과 동일한 소자들에 대하여 동일 참조 번호들이 사용되었으므로 상세한 설명은 생략된다는 것이 인지된다.
본 실시예 모드에서, 상부 방출형 발광 소자는 제 1 전극(214), 제 2 발광 물질 함유층(215) 및 제 2 전극(216)을 포함하고, 바닥 방출형 발광 소자는 제 1 전극(211), 제 1 발광 물질 함유층(212) 및 제 2 전극(213)을 포함한다.
TFT(107a 및 107b)가 실시예 모드 2에서와 같이 기판(101)위에 형성되고, 바닥 방출형 발광 소자의 제 1 전극, 즉 아노드(211)(또는 캐소드)는 제 2 절연층(109) 및 드레인 전극들(또는 소스 전극들)(108a 및 108b) 상에 형성된다. 제 1 전극(211)이 실시예 모드 2의 제 1 전극(110b)와 같은 광투명 도전막으로부터 형성된다.
제 1 전극(211), 제 2 절연층(109) 및 드레인 전극들(또는 소스 전극들)(108a 및 108b)의 에지부 상에 제 3 절연체(209)(뱅크, 파티션, 배리어, 마운드 등으로 불리는)가 그를 덮기 위해 형성된다.
절연층(209)에 대하여, 무기 재료(실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 질산화물과 같은), 감광성 또는 비감광성 유기 재료(폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 저항 또는 벤조사이클로부탄) 또는 그의 적층물이 생성될 수 있다. 또한, 절연층(209)의 상부 에지부가 유기 수지 재료로서 포지티브형 감광성 아크릴을 사용하여 곡률 반경을 갖는 휘어진 표면을 가질 수 있다. 또한, 광에 의해 동판에서 용해될 수 없는 네가티브형 수지와 광에 의해 동판에서 용해될 수 있는 포지티브형 수지가 제 3 절연층(209)으로서 사용될 수 있다.
제 1 발광 물질 함유층(212)이 증착법 또는 스핀 코팅이나 잉크젯과 같은 어플리케이션법에 의해 바닥 방출형 발광 소자의 발광 영역(242)에 형성된다. 다음으로, 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(213)이 형성된다.
다음, 제 3 절연층(209)과 제 2 전극(213)을 덮는 제 4 절연층(210)이 형성된다. 이후에, 접촉 정공들이 제 3 절연층(209)과 제 4 절연층(210)에 형성되며, TFT(107a)의 드레인 전극(108a)로 연결되는 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(214)이 형성된다. 이후에, 제 2 발광 물질 함유층(215)이 상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(214) 위에 형성되며, 제 2 전극(216)이 제 4 절연층(210) 및 제 2 발광 물질 함유층(215) 위에 형성된다. 제 2 전극(216)이 실시예 모드 2의 제 2 전극(113)과 동일한 재료로부터 형성된다. 제 1 전극(214), 제 2 발광 물질 함유층(215)과 제 2 전극(216)이 오버랩되는 영역이 상부 방출형 발광 소자의 발광 영역(241)에 대응한다.
이후로, 투명 방지층(115)이 실시예 모드 2에서와 같이 제 4 절연층(210)과 제 2 전극(216) 위에 형성된다. 이후로, 기판(101)이 실링 에이전트(116)를 갖는반대 기판(117)으로 접합된다.
본 실시예 모드에서, 제 2 전극들(213 및 216)이 서로 분리되어 있으나 발광 영역 외부에서 서로 연결될 수 있다는 것이 인지된다.
위에서 언급된 발광 소자를 갖는 발광 디바이스는 동시에 앞뒤 디스플레이들 모두 위에 동일한 또는 상이한 이미지들을 디스플레이할 수 있다. 또한, 바닥 방출형 발광 소자의 TFT와 바닥 방출형 발광 소자가 상부 방출형 발광 소자(광 차폐 효과를 갖는 전극) 밑에 있기 때문에, 바닥 방출형 발광 소자의 개구비가 현저하게 개선된다.
상부 방출형 발광 소자의 제 1 전극(214)은 바닥 방출형 발광 소자의 제 2 전극(213)의 형성과 동시에 형성될 수 있다. 이러한 경우에, 상부 방출형 발광 소자는 바닥 방출형 발광 소자를 덮지 않지만, 두 종류들의 전극들이 다른 단계를 수행하지 않고도 형성될 수 있고 많은 종류들의 재료들이 요구되지 않아 비용이 감소될 수 있다.
도 1a 내지 1f에 도시된 다른 발광 디바이스들이 또한 실시예 모드 2 또는 실시예 모드 3에서와 같이 형성될 수 있다는 것이 인지된다.
실시예 모드 4
본 실시예 모드에서, 실시예 모드들 1 내지 3으로 적용될 수 있는 발광 소자의 구조가 도 5a 및 도 5b를 참조로 설명된다.
발광 소자는 한 쌍의 아노드 및 캐소드와, 아노드 및 캐소드로 샌드위치된 발광 물질 함유층을 포함한다. 이후로, 기판면에 형성된 전극은 제 1 전극으로 불리고, 기판의 반대면에 형성된 전극은 제 2 전극으로 불린다.
발광 물질 함유층은 적어도 발광층을 포함하고, 캐리어들을 위해 상이한 기능들을 갖는 정공 주입층, 정공 운송층, 차폐층, 전자 운송층 및 전자 주입층의 임의의 하나로부터, 또는 이들 복수 층들의 조합과 이들의 적층에 의해 형성된다.
도들 5a 및 5b는 각각 발광 소자의 단면 구조의 예를 도시한다.
도 5a에서, 정공 주입층(1304), 정공 운송층(1305), 발광층(1306), 전자 운송층(1307) 및 전자 주입층(1308)이 발광 물질 함유층(1303)의 제 1 전극(아노드)(1301) 위로 적층되고, 제 2 전극(캐소드)(1302)이 전자 주입층(1308)과 접촉하도록 제공된다. 여기서, 이러한 구조는 연속 적층형 소자로 불린다.
또한, 도 5에서, 전자 주입층(1318), 전자 운송층(1317), 발광층(1316), 정공 운송층(1315), 정공 주입층(1314)이 발광 물질 함유층(1313)의 제 1 전극(캐소드)(1311) 위로 적층되고, 제 2 전극(캐소드)(1312)이 정공 주입층(1314)과 접촉하도록 제공된다. 여기서, 이러한 구조는 역 적층형 소자로 불린다.
이러한 실시예 모드에서, 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자는 도 5a 또는 도 5b의 모드를 사용할 수 있다. 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자가 연속 적층형 소자 또는 역 적층형 소자를 사용할 수 있으며, 하나의 발광 소자가 연속 적층형 소자일 수 있고 다른 발광 소자가 역 적층형 소자일 수 있다. 앞의 층 구조가 도 2에 도시된 발광 소자의 경우에 적합하며, 뒤의 층 구조가 도 3에 도시된 발광 소자의 경우에 적합하다.
이러한 실시예 모드는 이에 제한되지 않는다는 것이 인지된다. 다양한 종류들의 발광 소자 구조, 예를 들면, 아노드/ 정공 주입층/ 발광층/ 전자 운송층/ 캐소드, 아노드/ 정공 주입층/ 정공 운송층/발광층/ 전자 운송층/ 전자 주입층/ 캐소드, 아노드/ 정공 주입층/ 정공 운송층/ 발광층/ 정공 차폐층/ 전자 운송층/ 캐소드, 아노드/ 정공 주입층/ 정공 운송층/ 발광층/ 정공 차폐층/ 전자 운송층/ 전자 주입층/ 캐소드 등이 사용될 수 있다. 또한, 줄무늬 배열, 델타 배열, 모자이크 배열등이 픽셀 전극의 배열로도 불리는 발광 영역의 배열로 사용될 수 있다.
앞뒷면들, 즉 기판면 및 반대 기판면 모두에서 광을 방출하는 발광 디바이스의 재료가 이하로 설명된다.
큰 동작 함수를 갖는 도전성 재료는 아노드의 재료를 위해 바람직하게 사용된다. 광이 아노드 면을 통과하는 경우에, 아노드는 인듐 산화물-주석 산화물 합금(ITO) 또는 인듐 산화물-아연 산화물 합금(IZO)과 같은 투명 도전 재료로부터 형성될 수 있다. 또한, 아노드 면이 광 차폐 효과를 가질 때, 아노드는 TiN, ZrN, Ti, W, Ni, Pt, Cr, Al 등으로 형성된 막의 단일층 뿐만 아니라 티타늄 질화물막 및 알루미늄을 주로 포함하는 막과 티타늄 질화물막의 3층 구조, 알루미늄을 주로 포함하는 막 및 티타늄 질화물막의 적층으로부터 형성될 수 있다. 대안적으로, 아노드는 광 차폐 효과를 갖는 위에서 설명된 막 위의 위에서 언급된 투명 도전 재료의 적층 방법으로 형성될 수 있다.
작은 동작 함수를 갖는 도전성 재료는 캐소드의 재료를 위해 바람직하게 사용된다. 특히, 캐소드는 Li 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, Mg, Ca 또는 Sr과 같은 알칼리-토류 금속, 및 이들(Mg: Ag, Al:Li 등)을 포함하는 합금 뿐만 아니라 Yb 또는 Er과 같은 희토류 금속을 사용하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 또한, LiF, CsF, CaF2, Li2O 등으로 만들어진 정공 주입층이 사용될 때, 알루미늄과 같은 종래의 도전박막이 사용될 수 있다. 광이 아노드 면을 통과하는 경우에, Li 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, Mg, Ca 또는 Sr과 같은 알칼리-토류 금속을 포함하는 초박막 및 투명 도전막(ITO, IZO 또는 ZnO)을 갖는 적층 구조가 캐소드를 위해 사용될 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리-토류 금속과 전자 이송 재료, 및 투명 도전막(ITO, IZO 또는 ZnO)의 공동 증발에 의해 형성되는 전자 주입층이 그 위체 적층될 수 있다.
올리고머 또는 덴드리머에 의해 특정된 알려진 유기 화합물의 저분자량, 고분자량 또는 중분자량이 발광 물질 함유층들(1303 및 1313)을 형성하기 위한 재료로서 사용될 수 있다. 대안적으로, 싱글렛 여기에 의해 광(형광)을 방출하는 발광 재료(형광 재료, 싱글렛 화합물) 또는 트리플렛 여기에 의해 광(인광)을 방출하는 발광 재료(인광 재료, 트리플렛 화합물)가 사용될 수 있다.
발광 물질 함유층들(1303 및 1313)을 형성하기 위한 재료의 구체적인 예들이 이하로 도시된다.
포르피린 시스템 화합물이 정공 주입층들(1304 및 1314)을 형성하기 위한 정공 주입 재료로 효율적이며, 예를 들면 유기 화합물의 경우에 프탈로시아민(이하로 H2-Pc로 불림), 구리 프탈로시아민(이후로 Cu-Pc로 불림) 등이 사용될 수 있다. 화학적 도핑이 도전성 고분자량 화합물 상에서 수행되는 재료가 또한 사용될 수 있으며, 폴리스티렌 술폰(이하로 PSS로 불림)으로 도핑된 폴리에틸렌 디옥시티오펜(이하로 PEDOT로 불림), 폴리아닐린, 폴리비닐 카바졸(이후로 PVK로 불림) 등이 예들로 주어질 수 있다. 또한, 바나듐 펜톡사이드와 같은 무기 반도체 박막, 알루미늄 산화물과 같은 무기 절연체의 초박막이 또한 효율적이다.
정공 운송층들(1305 및 1315)를 형성하는데 사용된 정공 운송 재료로서, 방향 아민기(즉, 벤젠 링-질소 접합) 화합물이 바람직하다. 폭넓게 사용되는 재료로서, 예를 들어, N, N'-비(3-메틸페닐)-N, N'-디페닐-1, 1'-바이페닐-4, 4'-다이아민(TPD); 4, 4'-비[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]-바이페닐(α-NPD)과 같은 그의 파생물 등이 사용된다. 또한, 4, 4', 4"-트리(N,N-다이페닐-아미노)-트리페닐아민 (TDATA) 및 4, 4', 4"-트리[N-(3-메틸페닐)-N-페닐-아미노]-트리페닐아민(MTDATA)과 같은 스타 버스트 방향 아민 화합물들이 사용될 수 있다.
발광층들(1306 및 1316)을 형성하기 위해 사용된 발광 재료의 특정 예들은 트리(8-키노리노레이토) 알루미늄(이하로 Alq3으로 불림), 트리(4-메틸-8-키노리노레이토) 알루미늄(이하로 Almq3으로 불림), 비(10-하이드로옥시벤조[H]-키노리노레이토) 베리륨(이하로 BeBq2로 불림), 및 비(2-메틸-8-키노리노레이토)-(4-하이드로옥시-바이페닐릴)-알루미늄(이하로 BAlq로 불림), 비[2-(2-하이드로옥시페닐)-벤조옥사졸레이트] 아연(이하로, Zn(BOX)2로 불림) 및 비[2-(2-하이드로옥시페닐)-벤조옥사졸레이트] 아연(이하로, Zn(BTZ)2로 불림)과 같은 금속 혼합물들을 포함한다.또한, 다양한 형광 다이들이 발광층들의 재료를 위해 효율적이다. 트리플렛 발광 재료들이 또한 사용될 수 있으며, 그의 주 예들이 중심 금속으로 백금 또는 이리듐을 갖는 혼합물들을 포함한다. 알려진 트리플렛 발광 재료들은 트리(2-페닐피리딘) 이리듐(이하로 Ir(ppy)3으로 불림), 2, 3, 7, 8, 12, 13, 17, 18-옥테틸-21H, 23H-포피린-백금(PtOEP) 등을 포함한다.
금속 혼합물들이 전자 운송층들(1307 및 1317)을 형성하는 전자 운송 재료로서 자주 사용된다. 금속 혼합물의 바람직한 예들이 트리(8-키노리노레이토) 알루미늄(Alq3), 트리(4-메틸-8-키노리노레이토) 알루미늄(Almp3), 및 비(10-하이드로옥시벤조[h]-키노리노레이토)베릴륨(BeBq2), 비(2-메틸-8-키노리노레이토)-(4-하이드로옥시-바이페닐린)-알루미늄(BAlq), 비[2-(2-하이드로옥시페닐)-키노리노레이토]아연(Zn(BOX)2) 및 비[2-(2-하이드로옥시페닐)-키노리노레이토]아연(Zn(BTZ)2)을 포함한다. 금속 혼합물들에 부가하여 전자들을 운송할 수 있는 다른 재료들이 2-(4-바이페닐린)-5-(4-테르-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸(PBD), 및 1, 3-비[5-(p-테르-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸-2-일] 벤젠(OXD-7)과 같은 옥사디아졸 파생물들, 3-(4-테르-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-바이페닐릴)-1, 2, 4-트리아졸(TAZ) 및 3-(4-테르-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1, 2, 4-트리아졸(p-EtTAZ)과 같은 트리아졸 파생물들, 2, 2', 2"-(1,3,5-벤젠에트릴)트리[1-페닐-1H- 벤즈이미다졸(TPBI)]와 같은 이미다졸 파생물들 및 바토페난트롤린(BPhen) 및 바토쿠프로인(BCP)과 같은 페난트롤린 파생물들이다.
전자 주입층들(1308 및 1318)을 형성하기 위해 사용되는 전자 주입 재료로서, 위에서 설명된 전자 운송 재료들이 사용될 수 있다. 또한, 절연체의 초박막, 예를 들면 LiF 또는 CsF와 같은 알칼리 금속 할로겐화된 화합물; CaF2와 같은 알칼리 토류 할로겐화된 화합물, 또는 Li2O와 같은 알칼리 금속 산화물이 종종 사용된다. 또한, 리튬 아세틸라세토네이트(Li(acac)), 8-키노리노레이토-리튬(Liq)과 같은 알칼리 금속 혼합물이 효율적으로 또한 사용될 수 있다.
실시예 모드들 1 내지 3에 도시된 발광 소자가 위에서 설명된 구조 및 재료를 적절하게 선택하는 것에 의해 수행될 수 있다.
본 실시예 모드의 발광 디바이스는 모든 컬러 디스플레이이고, 각각 적색, 녹색, 및 청색 컬러들을 나타내는 재료층들이 증착 마스크를 이용하여 각각 발광 물질 함유층들(1303 및 1313) 위에 침착될 수 있다. 이러한 방법 외에 스핀 코팅 또는 잉크젯 방법이 선택적으로 막 형성을 위해 적절하게 사용될 수 있다.
또한, 발광 물질 함유층은 백색 발광층이고, 전체 컬러가 컬러 필터를 개별적으로 제공하는 것에 의해 디스플레이될 수 있다. 대안적으로, 발광 물질 함유층이 청색 발광층일 수 있고, 전체 컬러가 컬러 전환층들을 개별적으로 제공하는 것에 의해 디스플레이될 수 있다.
실시예 모드 5
다음으로 실시예 모드들 1 내지 4에서 도시된 본 발명의 발광 디바이스의 구동 방법이 이하로 설명된다.
이러한 실시예 모드에서, 구조 또는 동작 조건에 따라 TFT의 소스 영역과 드레인 영역 사이를 구별하는 것이 어렵기 때문에, 하나의 전극이 제 1 전극으로 불리고, 다른 하나는 제 2 전극으로 불린다. 또한, 제 1 발광 소자는 상부 방출형 발광 소자이고, 제 2 발광 소자는 바닥 방출형 발광 소자이다.
이러한 실시예 모드의 예가 도 6에 도시된다. 이러한 실시예 모드는 제 1 발광 소자(3007)와 제 2 발광 소자(3008)의 광방출 또는 비 광방출이 제 1 및 제 2 구동 TFT들(3005a 및 3005b)에 의해 제어되는 예를 도시한다.
점선 프레임(3000)에 의해 둘러싸인 영역이 발광 디바이스의 반복 유닛이며, 여기에는 제 1 소스 신호 라인(3001a), 제 2 소스 신호 라인(3001b), 게이트 신호 라인(3002), 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(3003), 제 1 스위칭 TFT(3004a), 제 2 스위칭 TFT(3004b), 제 1 구동 TFT(3005a), 제 2 구동 TFT(3005b), 제 1 발광 소자(3007), 제 2 발광 소자(3008)가 포함된다. 이러한 픽셀에서, 제 1 발광 소자(3007)의 방출된 광이 얻어질 수 있는 영역이 제 1 영역이고, 제 2 발광 소자(3008)의 방출된 광이 얻어질 수 있는 영역이 제 2 영역이다. 또한, 영역들은 차례로 각각 반복 유닛에 포함된다. 또한, 제 1 영역은 상부 방출형이고 제 2 영역은 바닥 방출형이다.
제 1 스위칭 TFT(3004a)의 게이트 전극이 게이트 신호 라인(3002)에 전기적으로 연결되고, 제 1 스위칭 TFT(3004a)의 제 1 전극이 제 1 소스 신호 라인(3001a)로 전기적으로 연결되며, 제 1 스위칭 TFT(3004a)의 제 2 전극이 제 1 구동 TFT(3005a)의 게이트 전극으로 전기적으로 연결된다. 제 1 구동 TFT(3005a)의제 1 전극이 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(3003)으로 전기적으로 연결되고 제 1 구동 TFT(3005a)의 제 2 전극이 제 1 발광 소자(3007)의 제 1 전극으로 전기적으로 연결된다. 제 2 스위칭 TFT(3004b)의 게이트 전극이 게이트 신호 라인(3002)으로 전기적으로 연결되고, 제 2 스위칭 TFT(3004b)의 제 1 전극이 제 2 소스 신호 라인(3001b)으로 전기적으로 연결되며, 제 2 스위칭 TFT(3004b)의 제 2 전극이 제 2 구동 TFT(3005b)의 게이트 전극으로 전기적으로 연결된다. 제 2 구동 TFT(3005b)의 제 1 전극이 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(3003)으로 전기적으로 연결되며 제 2 구동 TFT(3005b)의 제 2 전극이 제 2 발광 소자(3008)의 제 1 전극으로 전기적으로 연결된다. 제 1 발광 소자(3007) 및 제 2 발광 소자(3008)의 제 2 전극들이 각각 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)으로부터 전위차를 갖는 반대 전극들(3009 및 3010)으로 전기적으로 연결된다. 반대 전극들(3009 및 3010)은 공통 전극들일 수 있음이 인지된다.
제 1 스위칭 TFT(3004a)가 ON으로 바뀌면 그 때 제 1 소스 신호 라인(3001a)로 출력되는 비디오 신호가 제 1 구동 TFT(3005a)의 게이트 전극으로 입력되고, 전류는 비디오 신호에 따라 광을 방출하기 위해 제 1 및 제 2 발광 소자들(3007 및 3008)로 공급된다. 유사하게, 제 2 스위칭 TFT(3004b)가 ON으로 바뀌면 그 때 제 2 소스 신호 라인(3001b)로 출력되는 비디오 신호가 제 2 구동 TFT(3005b)의 게이트 전극으로 입력되고, 전류는 비디오 신호에 따라 광을 방출하기 위해 제 1 및 제 2 발광 소자들(3007 및 3008)로 공급된다. 위에서 설명된 바와 같이, 제 1 영역 및제 2 영역은 기판의 앞뒷면들 모두로부터 광이 방출되는 것을 허용할 수 있다.
도 6에서, 각 발광 소자(300 및 3008)은 게이트 신호 라인(3002)과 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)을 공유하나, 이러한 구조로 제한되지는 않고 발광 소자들이 각각 게이트 신호 라인과 파워 서플라이 라인을 가질 수 있다. 또한, 각각의 발광 소자의 광방출 및 비 광방출을 제어하기 위한 구동 TFT들이 픽셀에 제공되는 예가 도시되나, 이러한 구조로 제한되지는 않고 구동 TFT들은 픽셀의 외부(보조부)에 제공될 수 있다. 또한, 외부 IC 칩 등이 사용될 수 있다.
도 6에 도시된 것과 상이한 구조가 도 7을 참조로 도시된다. 도 7은 각각의 발광 소자들을 배타적으로 ON 또는 OFF로 만들기 위한 스위치가 제공되는 구조를 도시한다. 도 7에서, 점선 프레임(4000)에 의해 둘러싸인 영역은 발광 디바이스의 반복 유닛이며, 여기에는 소스 신호 라인(4001), 게이트 신호 라인(4002), 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(4003), 스위칭 TFT(4004), 제 1 구동 TFT(4005), 제 2 구동 TFT(4006), 제 1 발광 소자(4007), 제 2 발광 소자(4008)가 포함된다. 이러한 픽셀에서, 제 1 발광 소자(4007)의 방출된 광이 얻어질 수 있는 영역이 제 1 영역이고, 제 2 발광 소자(4008)의 방출된 광이 얻어질 수 있는 영역이 제 2 영역이다. 영역들은 차례로 각각 반복 유닛에 포함된다.
스위칭 TFT(4004)의 게이트 전극이 게이트 신호 라인(4002)에 전기적으로 연결되고, 스위칭 TFT(4004)의 제 1 전극이 소스 신호 라인(4001)로 전기적으로 연결되며, 스위칭 TFT(4004)의 제 2 전극이 제 1 및 제 2 구동 TFT들(4005 및 4006)의 게이트 전극들로 전기적으로 연결된다. 제 1 구동 TFT(4005)의 제 1 전극이 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(4003)으로 전기적으로 연결되고 제 1 구동 TFT(4005)의 제 2 전극이 제 1 발광 소자(4007)의 제 1 전극으로 전기적으로 연결된다. 제 2 구동 TFT(4006)의 제 1 전극이 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(4003)으로 전기적으로 연결되며 제 2 구동 TFT(4006)의 제 2 전극이 제 2 발광 소자(4008)의 제 1 전극으로 전기적으로 연결된다. 제 1 발광 소자(4007) 및 제 2 발광 소자(4008)의 제 2 전극들이 각각 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(4003)으로부터 전위차를 갖는 반대 전극들(4009 및 4010)으로 전기적으로 연결된다.
각각 배타적으로 동작하는 아날로그 스위치들(4011 및 4012)이 파워 서플라이 라인(일정한 전압 또는 일정한 전류를 공급하기 위한 배선)(4003)와 제 1 및 제 2 구동 TFT들(4005)의 제 1 전극들 사이에 제공되며, 디스플레이 스크린 제어 신호로 ON 및 OFF를 제어하는 것에 의해 아날로그 스위치(4011)가 어떠한 주기로 ON으로 바뀌고, 전류가 제 1 발광 소자(4007)로 공급될 때 방출된 광이 제 1 영역에서 얻어질 수 있다. 다시 말해, 아날로그 스위치(4011)로부터 배타적으로 동작하는 아날로그 스위치(4012)는 이때 OFF이며, 따라서 제 2 발광 소자(4008)로의 전류 공급 경로가 닫힌다. 따라서, 제 2 영역은 광을 방출하지 않는다. 반대로, 아날로그 스위치(4012)가 ON이 되는 주기에서, 전류는 제 2 발광 소자(4008)로 공급되고, 이미지는 제 2 영역에서 디스플레이되며, 아날로그 스위치(4011)가 OFF이고 제 1 발광 소자(4007)로의 전류 공급 경로가 닫힌다. 따라서, 제 1 영역은 광을 방출하지 않는다. 따라서, 제 1 및 제 2 영역은 광을 교번적으로 방출하고, 각각의 영역에서 디스플레이될 비디오 신호가 소스 신호 라인(4001)으로 교번적으로 입력될 때, 상이한 광이 각각의 영역에서 방출될 수 있다. 결과적으로, 상이한 이미지들이 앞뒷면들에서 디스플레이될 수 있다.
여기서, 아날로그 스위치는 배타적으로 각 발광 소자 ON 또는 OFF를 생성하기 위한 스위치로 사용되지만, 이에 제한되지는 않고 TFT, 메카니컬 스위치 등이 사용될 수 있다. 또한, 배타적으로 각 발광 소자 ON 또는 OFF를 생성하기 위한 스위치가 픽셀에 제공되는 예가 도시되지만, 이러한 구조에 제한되지 않고 구동 TFT들이 픽셀의 외부(보조부)로 제공될 수 있다. 또한, 외부 IC 칩 등이 사용될 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이 배타적으로 아날로그 스위치들(4011 및 4012)을 동작하는 대신, 제 1 인버터(5013), 제 2 인버터(5014), 제 1 아날로그 스위치(4011), 제 2 아날로그 스위치(4012), 디스플레이 스크린 제어 신호 1, 및 디스플레이 스크린 제어 신호 2를 사용하여 독립적인 제어가 수행될 수 있다.
제 1 영역 및 제 2 영역이 이러한 구조에 따라 선택적으로 디스플레이와 비디스플레이를 변화시킬 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 구조들을 사용하는 것에 의해, 제 1 및 제 2 영역들에서 각각 상이한 이미지들을 디스플레이하기 위한 방법으로 예를 들면 제 1 영역의 디스플레이가 하나의 프레임 주기에서 홀수 번호의 프레임에서 수행되고 제 2 영역의 디스플레이가 짝수 번호의 프레임에서 수행되는 방법이 있다. 이때, 디스플레이 스크린 제어 신호가 한 프레임 주기마다 역전되며, ON/OFF가 도 7의 아날로그 스위치들(4011 및 4012)및 도 8의 아날로그 스위치들(4011 및 4012)에 의해 한 프레임마다 변화될 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 구조에서 디스플레이 스크린 제어 신호가 사용자 동작에 의해 출력되며, 디스플레이 스크린의 스위칭이 수행될 수 있고, 스위칭 동작은 사용 상태에 따라 자동적으로 수행될 수 있다(예를 들면 단말이 접혔는지 또는 열렸는지의 상태).
위에서 언급된 구동 방법들에 의해, 상이한 이미지들이 제 1 영역 및 제 2 영역, 다시 말해 발광 디바이스의 앞뒷면들에서 동시에 디스플레이될 수 있다. 디스플레이 디바이스가 양면들에서 보일 때, 동일한 이미지가 다른 면으로부터의 한 면에서의 거울 이미지를 보는 것 없이 동시에 보여질 수 있다. 또한, 완전히 상이한 이미지들이 양면들에서 보여질 수 있다.
실시예들
본 실시예에서, 실시예 모드들 1 내지 5에서 형성된 발광 디바이스를 갖는 전자 디바이스가 설명된다. 본 발명은 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치(이동 컴퓨터, 휴대 전화, 휴대 게임머신 또는 전자책)와 같은 전자 디바이스들로 적용될 수 있으며, 기록 매체를 갖는 이미지 재생 디바이스(특히, 디지털 다용도 디스크와 같은 기록 매체를 재생할 수 있는 디스플레이를 갖는 및 이미지를 디스플레이할 수 있는 디바이스), TV 이미지 수신기, 전자 간판, 전자책 등에 사용된다. 이후로 그의 전형적인 예들이 도시된다.
실시예 1
본 발명의 발광 디바이스를 개인 디지털 보조장치의 대표적인 휴대 전화에 적용하는 예가 본 실시예에 도시된다.
도 9a 내지 9d는 본 발명의 휴대 전화의 도면들이다. 도 9a는 휴대 전화가 열려있는 상태를 도시하는 투시도이다. 도 9b는 휴대 전화가 닫혀있는 상태의 투시도이며, 투시도는 제 2 디스플레이 스크린이 제공되는 제 1 케이스 면으로부터 보여진다.
휴대 전화에서, 두개의 케이스들(제 1 케이스(8000a)와 제 2 케이스(8000b))이 경첩(8101)에 의해 서로 연결되며 경첩(8101)을 중심으로 회전될 수 있다.
제 1 디스플레이 스크린(8001a), 제 2 디스플레이 스크린(8001b), 동작 버튼들(8002b), 스피커들(8003a 및 8003b), 안테나(8004), 카메라 렌즈(8005) 등이 제 1 케이스(8000a)에 제공된다.
다른 한편으로, 제 2 케이스(800b)는 동작 버튼들(8002a), 마이크로폰(8102) 등을 갖는다.
휴대 전화가 열릴 때, 제 1 디스플레이 스크린(8001a)이 주 디스플레이 스크린으로 사용된다. 스크린 동작은 동작 버튼들(8002a)을 사용하는 것에 의해 수행된다. 휴대 전화가 닫히면, 제 2 스크린(8001b)이 주 디스플레이 스크린으로 사용된다. 이러한 경우에, 디스플레이 정보의 동작은 제 1 케이스에 형성되는 동작 버튼들(8002b)에 의해 수행된다.
도 9c는 도 9a의 휴대 전화가 옆에서 보여지는 단면도이다. 디스플레이부에 연결된 디스플레이 제어기(8008)가 제 1 케이스(8000a) 내부에 제공되고, 디스플레이 콘텐트가 제어된다. 제 2 케이스(8000b)에서, 배터리(8010) 및 주 몸체 구동 모듈(8009)이 형성되고, 디스플레이부, 디스플레이 제어기(8008), 주 몸체 구동 모듈(8009) 등이 배터리(8010)에서 생성된 전기 파워를 사용하는 것에 의해 구동된다.
도 9d는 도 9c의 영역 A가 확대된 도면이다. 제 1 스크린(8001a) 및 제 2 스크린(8001b) 각각이 디스플레이부(8013)로부터 방출된 광에 의해 이미지를 디스플레이한다(기판(8011)과 반대 기판(8012) 사이에 형성된 발광 소자를 포함한다).
실시예 모드들 1 내지 5에 도시된 발광 디바이스가 본 실시예에서 디스플레이부(8013)로 적용될 수 있다.
이미지가 제 1 스크린(8001a)과 제 2 스크린(8001b)에서 동시에 디스플레이될 때, 모니터 이미지가 촬영자면(8006)과 촬영되는 사람면(8007) 모두에서 보여질 수 있으며, 촬영되는 사람에게 각도와 같은 촬영 의사가 만족되는지를 확실히 한 후에 촬영자가 셔터 버튼을 누를 수 있도록 한다. 촬영자와 촬영되는 사람의 통신이 이러한 촬영에서 부드러워지며, 따라서 촬영의 실패를 방지한다.
또한, 넓은 디스플레이 영역을 갖는 제 2 디스플레이 스크린(8001b)에서 모니터링하는 동안 렌즈(8005)가 촬영될 사람으로 향하는 상태에서의 촬영이 가능하다.
또한, 종래에는 두개의 디스플레이 디바이스들이 제 1 스크린 및 제 스크린에서 디스플레이를 수행하기 위해 요구되었다. 그러나, 본 실시예에서는 하나의 디스플레이 디바이스의 상이한 디스플레이 스크린들에서 디스플레이하는 것이 가능하기 때문에, 휴대 전화의 크기가 감소될 수 있으며 디바이스들의 소형화가 가능하다.
공간의 관계에서, 제 2 디스플레이 스크린을 갖는 디스플레이부는 종래의 작은 디스플레이 영역을 사용하는 디스플레이 스크린만을 포함하였다. 그러나, 본 발명에 따라, 제 1 디스플레이 스크린(8001a)과 동일한 크기의 디스플레이를 갖는 제 2 디스플레이 스크린(8001b)이 제공될 수 있으며, 메일, 웹페이지 등이 휴대 전화를 열지 않고도 보여질 수 있다. 따라서, 동작의 번거로움이 감소될 수 있다.
본 발명의 발광 디바이스는 디지털 카메라 또는 디지털 비디오 카메라에 적용될 수 있으며, 휴대 전화에 적용하는 경우에 동일한 효과를 가질 수 있다.
실시예 2
본 발명의 발광 디바이스를 랩탑 개인 컴퓨터에 적용하는 예가 도들 10a 내지 10c에 도시된다.
도들 10a 내지 10c는 각각 본 발명의 랩탑 개인 컴퓨터의 도면들이다. 도 10a는 랩탑 개인 컴퓨터가 열려있는 상태의 측면도이다. 도 10b는 사용자면(9005)(강의자)으로부터 보여지는 투시도, 다시 말해 두개의 케이스들이 닫혀있을 때 키보드를 면하는 제 1 디스플레이 스크린의 면으로부터 보여지는 투시도이다. 도 10c는 청중면(9006)으로부터 보여지는 투시도, 즉, 제 1 디스플레이 스크린에 반대인 디스플레이 스크린면(제 2 디스플레이 스크린면)(9002b)으로부터 보여지는 투시도이다.
랩탑 개인 컴퓨터에서, 두개의 케이스들(제 1 케이스(9000a) 및 제 2 케이스(9000b))이 경첩(9001)에 의해 연결되고, 경첩(9001)을 중심으로 회전될 수 있다.
디스플레이 패널, 동작 버튼들, 스피커, 디스플레이부 구동 모듈(도시되지 않음) 등이 제 2 케이스(9000a)에 제공되며, 디스플레이 패널은 제 1 디스플레이 스크린(9002a)과 제 2 디스플레이 스크린(9002b)에 제공된다.
반대로, 제 2 케이스(9000b)는 키보드(9003), 열고 닫기 위한 버튼(9004), 주 몸체를 구동하기 위한 모듈(도시되지 않음) 등을 포함한다.
두개의 디스플레이 스크린들이 본 발명의 발광 디바이스를 갖는 랩탑 개인 컴퓨터의 하나의 디스플레이 디바이스에 제공될 수 있고, 따라서 디스플레이부의 두께가 억제될 수 있으며, 디스플레이 스크린의 무게가 감소되고 디스플레이가 얇아질 수 있다. 다시 말해, 랩탑 개인 컴퓨터의 경량화 및 소형화가 얻어질 수 있다. 또한, 청중(9006)이 반대면의 랩탑 개인 컴퓨터(강의자)(9005)의 동작자와 동일한 이미지를 볼 수 있기 때문에, 면대면(face-to-face) 강의가 주어질 때 양면이 모두 번거로움 없이 이미지를 볼 수 있다.
본 발명의 발광 디바이스는 TV 이미지 수신기, 디스플레이 스크린을 갖는 DVD 플레이어 등에 적용될 수 있으며, 이를 랩탑 개인 컴퓨터로 적용하는 경우와 동일한 효과를 가질 수 있다. 완전하게 다른 이미지들이 제 1 디스플레이 스크린과제 2 디스플레이 스크린에 디스플레이될 수 있으며, 따라서 복수의 이미지들이 하나의 TV 이미지 수신기, 디스플레이 스크린을 갖는 하나의 DVD 플레이어 등에서 보여질 수 있다.
실시예 3
본 발명의 디스플레이 디바이스를 전기 간판으로 적용하는 예가 도 11에 도시된다.
도 11은 기차들의 시간표를 디스플레이하기 위한 전기 간판이다. 전기 간판은 케이스(7001), 디스플레이부(7002), 및 디스플레이부를 구동하기 위한 구동 디바이스(도시되지 않음)를 포함한다. 전기 간판은 지지 부재(7003)를 갖는 천장, 벽, 기둥 등에 고정된다.
본 발명의 발광 디바이스는 디스플레이부로 적용될 수 있으며, 따라서 기차의 종류, 출발 시간, 목적지들, 차량들의 수와 같은 기차 정보가 앞뒷면들에 디스플레이될 수 있으며, 따라서 전기 간판의 무게가 감소된다. 또한, 상이한 정보가 각 면에 디스플레이될 수 있으므로, 전기 간판들의 수와 비용이 감소될 수 있다.
본 발명은 전기 간판 뿐만 아니라 전기 안내판으로도 적용될 수 있다. 이러한 경우에, 전기 간판으로 이를 적용하는 경우와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명에 따라, 양면들 모두에서 디스플레이할 수 있는 발광 디바이스에서 앞뒷면들 모두의 이미지를 독립적으로 디스플레이할 수 있다. 또한, 본 발명은 앞뒤 디스플레이들 모두 또는 그 중 하나의 개구비가 증가하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 발광 디바이스를 사용하는 전자 디바이스가 앞뒷면들에서 이미지들 독립적으로 디스플레이할 수 있기 때문에, 동일한 이미지가 곤란하지 않게 동시에 양 디스플레이 스크린들에서 보여질 수 있다. 또한, 양면들에서 상이한 이미지들을 볼 수 있는 것이 또한 가능하기 때문에, 복수의 사람들이 보다 작은 공간과 감소된 비용으로 동시에 보다 많은 정보의 조각들을 수집할 수 있다. 전자 디바이스들의 경량 및 박화(thinning)가 얻어질 수 있으며, 동작 특성이 개선되고 또한 높은 부가가치가 실현된다.
본 출원은 그 내용들이 본 문서에 참조로 포함되는, 2003년 5월 16일 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 일련 번호 2003-139610에 기초한다.
본 발명이 첨부한 도면들을 참조로 실시예 모드들 및 실시예들의 방법으로 완전하게 설명되었지만, 다양한 변화들 및 변경들이 당업자에게 명백할 것임이 이해된다. 이러한 변화들 및 변경들은 첨부된 청구항들의 범위에 포함되는 것으로 인식되어야 한다.
양면들 모두에서 디스플레이할 수 있는 발광 디바이스에서 앞뒷면들 모두의 이미지를 독립적으로 디스플레이할 수 있다. 또한, 앞뒤 디스플레이들 모두 또는 그 중 하나의 개구비가 증가하는 발광 디바이스를 제공한다.
Claims (24)
- 발광 디바이스에 있어서:서로 인접한 제 1 발광 소자와 제 2 발광 소자가 기판 상에 형성되는 픽셀부와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 상기 기판의 제 1 면의 방향으로 광을 방출하고 상기 제 2 발광 소자는 상기 기판의 상기 제 1 면에 반대인 제 2 면의 방향으로 광을 방출하고,상기 제 2 면 방향으로의 상기 제 1 발광 소자의 광방출이 차폐되고 상기 제 1 면 방향으로의 상기 제 2 발광 소자의 광방출이 차폐되며,상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 제 1 발광 소자와 상기 제 2 발광 소자 중 하나로 덮여지는, 발광 디바이스.
- 제 1 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 2 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 휴대 게임 머신,전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 장치, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서:기판 상에 형성된 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 제 1 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 2 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고,상기 제 2 발광 소자는 제 3 광투명 전극, 상기 발광 물질 함유층, 및 상기 제 2 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며,상기 제 1 발광 소자는 제 1 광 차폐막과 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들 상에 형성되고,상기 제 2 발광 소자는 제 2 광 차폐막으로 덮여지는, 발광 디바이스.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 광투명 전극 및 제 3 광투명 전극은 동일한 재료를 포함하는, 발광 디바이스.
- 제 4 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 6 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 이동 게임 머신, 전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 디바이스, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서:기판 상에 형성된 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고,상기 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 상기 발광 물질 함유층, 및 상기 제 1 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며,상기 제 1 발광 소자는 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들 상에 형성되고,상기 제 2 발광 소자는 제 2 광 차폐막으로 덮여지는, 발광 디바이스.
- 제 8 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 9 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 이동 게임 머신, 전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 디바이스, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서:기판 상에 형성된 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 제 1 광투명 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 2 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고,상기 제 2 발광 소자는 제 3 광투명 전극, 상기 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며,상기 제 1 발광 소자는 제 1 광 차폐막과 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들 상에 형성되는, 발광 디바이스.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 광투명 전극 및 제 3 광투명 전극은 동일한 재료를 포함하는, 발광 디바이스.
- 제 11 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 13 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 이동 게임 머신, 전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 디바이스, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서:기판 상에 형성된 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고,상기 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 상기 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 2 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며,상기 제 1 발광 소자는 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들 상에 형성되는, 발광 디바이스.
- 제 15 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 16 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 이동 게임 머신, 전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 디바이스, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서:기판 상에 형성된 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 제 1 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고,상기 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 제 2 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 2 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며,상기 제 1 발광 소자는 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들과 상기 제 2 발광소자 상에 형성되는, 발광 디바이스.
- 제 18 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 19 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 이동 게임 머신, 전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 디바이스, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서:기판 상에 형성된 서로 인접한 제 1 발광 소자 및 제 2 발광 소자와;상기 제 1 발광 소자에 연결된 제 1 반도체 소자와 상기 제 2 발광 소자에 연결된 제 2 반도체 소자로서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들은 상기 기판 상에 형성된, 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들을 포함하고,상기 제 1 발광 소자는 광 차폐 효과를 갖는 제 1 전극, 제 1 발광 물질 함유층, 및 제 1 광투명 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 갖고,상기 제 2 발광 소자는 제 2 광투명 전극, 제 2 발광 물질 함유층, 및 광 차폐 효과를 갖는 제 2 전극이 상기 기판으로부터 연속적으로 형성되는 적층 구조를 가지며,상기 제 1 발광 소자는 상기 제 1 및 제 2 반도체 소자들 상에 형성되는, 발광 디바이스.
- 제 21 항에 있어서, 상기 제 1 발광 소자의 상기 제 1 광투명 전극 및 상기 제 2 발광 소자의 상기 제 2 광투명 전극은 동일한 재료를 포함하는, 발광 디바이스.
- 제 21 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전기 디바이스.
- 제 23 항에 있어서, 상기 전기 디바이스는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 랩탑 개인 컴퓨터, 개인 디지털 보조장치, 이동 컴퓨터, 휴대 전화, 이동 게임 머신, 전자책, 기록 장치를 갖는 이미지 재생 디바이스, TV 이미지 수신기, 및 전기 간판으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 전기 디바이스.
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