KR20040091548A - 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기 광학장치 및 전자 기기 - Google Patents

패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기 광학장치 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 보관액을 사용한 보관 상태의 액적 토출 헤드를 재가동할 때, 액적 토출 동작에 영향을 끼치지 않고 액적 토출 헤드를 세정하여 패턴 형성할 수 있는 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 패턴의 형성 방법은 기능액의 액적(30)을 기판(P)상에 배치함으로써 막패턴(33)을 형성하는 방법으로서, 액적(30)을 배치 가능한 액적 토출 헤드(1) 및 그 액적 토출 헤드(1)에 기능액을 공급하는 관부(管部)(40)를 포함하는 유로(4)를 순수로 치환하는 제1 치환 공정(SA1)과, 순수와 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 용매로 치환하는 제2 치환 공정(SA2)과, 기능액에 함유되는 용매로 치환하는 제3 치환 공정(SA3)과, 기판(P)상에 막패턴에 따른 뱅크(B)를 형성하는 뱅크 형성 공정과, 뱅크(B, B)간의 홈부(34)에 액적(30)을 액적 토출 헤드(1)에 의해 배치하는 재료 배치 공정을 갖는다.

Description

패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기{METHOD OF FORMING PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING DEVICE, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT}
본 발명은 기능액의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 집적회로 등 미세한 배선 패턴(막패턴)을 갖는 디바이스의 제조 방법으로서, 포토리소그래피법이 많이 사용되고 있지만, 액적 토출법을 사용한 디바이스의 제조 방법이 주목되고 있다(특허 문헌 1, 2 참조). 이 액적 토출법은 기능액의 소비에 낭비가 적고, 기판상에 배치하는 기능액의 양이나 위치의 제어를 행하기 쉽다는 이점이 있다. 또한, 액적 토출법에서는 양호한 토출 상태를 얻기 위해서 액적 토출 헤드를 정기적으로 세정함이 바람직하므로, 종래부터 각종의 세정 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 3,4 참조).
특허 문헌 1
특개평 11-274671호 공보
특허 문헌 2
특개 2000-216330호 공보
특허 문헌 3
특개평 9-39260호 공보
특허 문헌 4
특개평 10-337882호 공보
그런데, 디바이스를 제조하기 위해서 사용된 액적 토출 장치를 소정 기간 보관할 때, 액적 토출 헤드에 수용성 보관액을 충전한 상태로 보관하는 경우가 많다.
수용성 보관액으로 하는 것은 증발하기 어려움을 고려하였기 때문이다. 또한, 보관액을 사용하지 않고 디바이스를 제조하기 위한 기능액(잉크)을 충전한 상태로 보관하는 것도 생각되지만, 이 기능액이 건조하기 쉬운 것이거나 냉장 보존(혹은 냉동 보존)이 필요한 것인 경우, 보관에 적당하지 않기 때문에, 전용의 보관액을 사용하여 보관한다. 또한, 보관한 액적 토출 헤드를 재사용(재가동)하는 경우, 수용성 보관액을 제거하고 기능액을 충전하게 되지만, 기능액과 보관액과의 상용성이 나쁘면, 고형분이 석출하여 액적 토출 헤드를 포함하는 기능액의 유로가 막히는 등 액적 토출 동작에 영향을 끼치거나, 혹은 기능액이 변질하는 등의 불편이 생길 가능성이 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 행하여진 것으로서, 보관액을 사용한 보관 상태의 액적 토출 헤드를 재가동할 때, 액적 토출 동작에 영향을 끼치지 않고 기능액을 변질시키지 않고, 유로를 원활히 기능액으로 치환하여 양호하게 패턴 형성할 수 있는 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은 소망의 기능을 갖는 기능액으로 양호한 액적 토출 동작하에서 형성된 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 일부를 구성하는 세정 공정의 일실시 형태를 나타내는 플로차트 도면.
도 2는 본 발명의 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 플로차트 도면.
도 3은 본 발명의 패턴 형성 장치의 일실시 형태를 나타내는 모식도.
도 4는 본 발명의 패턴 형성 장치에 의해 세정 동작이 행하여지고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 5는 본 발명의 패턴의 형성 방법의 다른 실시 형태를 나타내는 플로차트 도면.
도 6은 본 발명의 패턴의 형성 순서의 일례를 나타내는 모식도.
도 7은 본 발명의 패턴의 형성 순서의 일례를 나타내는 모식도.
도 8은 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 모식도.
도 9는 본 발명의 전기 광학 장치의 일례를 나타내는 도면으로 플라즈마형 표시 장치를 나타내는 모식도.
도 10은 본 발명의 전기 광학 장치의 일례를 나타내는 도면으로 액정 표시 장치를 나타내는 모식도.
도 11은 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 디바이스의 일례를 나타내는 도면으로 박막 트랜지스터를 나타내는 모식도.
도 12는 본 발명의 전자 기기의 구체예를 나타내는 도면.
부호의 설명
1 … 액적 토출 헤드(액적 토출 장치), 4 … 유로, 30 … 액적(기능액),
33 … 배선 패턴(막패턴), 34 … 홈부, 35 … 저부, 40 … 관부,
IJ … 액적 토출 장치(패턴 형성 장치), B … 뱅크, P … 기판
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 패턴의 형성 방법은 기능액의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서, 상기 액적을 배치 가능한 액적 토출 헤드 및 그 액적 토출 헤드에 기능액을 공급하는 관부를 포함하는 유로를 순수로 치환하는 제1 치환 공정과, 상기 순수와 상기 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 용매로 치환하는 제2 치환 공정과, 상기 기능액에 함유되는 용매로 치환하는 제3 치환 공정과, 상기 기판상에 상기 막패턴에 따른 뱅크를 형성하는 뱅크 형성 공정과, 상기 뱅크간의 홈부에 상기 액적을 상기 액적 토출 헤드에 의해 배치하는 재료 배치 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 경우에서, 상기 제3 치환 공정 후에, 상기 유로를 상기 기능액으로 치환하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 액적 토출 헤드를 포함하는 유로가 수용성 보관액으로 보관되어 있는 경우, 유로를 우선 순수로 치환하고, 그 다음에 순수와 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 소정의 용매로 치환하고, 그 다음에 기능액에 함유되는 용매로 치환하도록 하였으므로, 고형분의 석출이나 기능액의 변질이라는 불편의 발생을 방지하면서, 유로를 세정하여 기능액으로 원활히 치환할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법은 기능액의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서, 소정의 보관액이 충전된 상태의 액적 토출 헤드 및 그 액적 토출 헤드에 기능액을 공급하는 관부를 포함하는 유로를 상기 보관액을 용해하는 제1 용매로 치환하는 제1 치환 공정과, 상기 제1 용매와 상기 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 제2 용매로 치환하는 제2 치환 공정과, 상기 기능액에 함유되는 용매로 치환하는 제3 치환 공정과, 상기 기판상에 상기 막패턴에 따른 뱅크를 형성하는 뱅크 형성 공정과, 상기 뱅크간의 홈부에 상기 액적을 상기 액적 토출 헤드에 의해 배치하는 재료 배치 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 경우에서, 상기 제3 치환 공정 후에, 상기 유로를 상기 기능액으로 치환하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 액적 토출 헤드를 포함하는 유로가 수용성 보관액 이외의 소정의 보관액으로 보관되어 있는 경우라도, 유로를 우선 보관액을 용해하는 제1 용매로 치환하고, 그 다음에 제1 용매 및 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 제2 용매로 치환하고, 그 다음에 기능액에 함유되는 용매로 치환 하도록 하였으므로, 고형분의 석출이나 기능액의 변질이라는 불편의 발생을 방지하면서, 유로를 세정하여 기능액으로 원활히 치환할 수 있다.
본 발명의 패턴의 형성 방법에서, 상기 기능액은 열처리 또는 광처리에 의해 도전성을 발현하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 박막 패턴을 배선 패턴으로 할 수 있어, 각종 디바이스에 응용할 수 있다. 또한, 유기 은 화합물이나 도전성 미립자 외에 유기 EL 등의 발광 소자 형성 재료나 R·G·B의 잉크 재료를 사용함으로써, 유기 EL 장치나 컬러 필터를 갖는 액정 표시 장치 등의 제조에도 적용할 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법은 기판상에 막패턴을 형성하는 공정을 갖는 디바이스의 제조 방법에서, 상기 기재의 패턴의 형성 방법에 의해, 상기 기판상에 막패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 변질이 방지되어 소망의 기능을 갖는 기능액으로 양호한 액적 토출 동작하에서 소망의 패턴 형상으로 형성된 막패턴을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.
　본 발명의 전기 광학 장치는 상기 기재의 디바이스의 제조 방법을 사용하여 제조된 디바이스를 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 전자 기기는 상기 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 소망의 기능을 갖는 기능액으로 양호한 액적 토출 동작하에서 형성된 전기 전도에 유리한 막패턴을 구비하고 있으므로, 양호한 성능을 발휘하는 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공할 수 있다.
여기서, 전기 광학 장치의 예로는 플라즈마형 표시 장치, 액정 표시 장치, 및 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치 등을 들 수 있다.
상기 액적 토출 장치(잉크젯 장치)의 토출 방식으로는 대전 제어 방식, 가압 진동 방식, 전기 기계 변환식, 전기 열변환 방식, 정전 흡인 방식 등을 들 수 있다. 대전 제어 방식은 재료에 대전 전극으로 전하를 부여하고, 편향 전극으로 재료(기능액)의 비상 방향을 제어하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 가압 진동 방식은 재료에 30kg/cm2정도의 초고압을 인가하여 노즐 선단측으로 재료를 토출시키는 것으로, 제어 전압을 인가하지 않는 경우에는 재료가 직진하여 토출 노즐로부터 토출되고, 제어 전압을 인가하면 재료간에 정전적인 반발이 일어나서, 재료가 비산하여 토출 노즐로부터 토출되지 않는다. 또한, 전기 기계 변환 방식은 피에조 소자(압전 소자)가 펄스적인 전기 신호를 받아 변형하는 성질을 이용한 것으로서, 피에조 소자가 변형함으로써 재료를 저장한 공간에 가요 물질을 통하여 압력을 주어, 이 공간으로부터 재료를 압출하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 전기 열변환 방식은 재료를 저장한 공간내에 설치한 히터에 의해, 재료를 급격하게 기화시켜 버블(기포)을 발생시켜, 버블의 압력에 의해서 공간내의 재료를 토출시키는 것이다. 정전 흡인 방식은 재료를 저장한 공간내에 미소 압력을 가하여, 토출 노즐에 재료의 메니스커스를 형성하고, 이 상태에서 정전 인력을 가한 후에 재료를 인출하는 것이다. 또한, 이 외에, 전기장에 의한 유체의 점성 변화를 이용하는 방식이나, 방전 불꽃으로 날리는 방식 등의 기술도 적용 가능하다. 액적 토출법은 재료의 사용에 낭비가 적고, 또한 소망한 위치에 소망한 양의 재료를 정확하게 배치할 수 있는 이점을 갖는다. 또한, 액적 토출법에 의해 토출되는 기능액(액체 재료)의 한방울의 양은 예를 들어 1~300나노그램이다.
　기능액을 포함하는 액체 재료란, 액적 토출 헤드(잉크젯 헤드)의 토출 노즐로부터 토출 가능한 점도를 구비한 매체를 말한다. 수성이든 유성이든 묻지 않는다. 노즐 등으로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입되어 있어도 전체로서 유동체이면 좋다. 또한, 액체 재료에 포함되는 재료는, 용매중에 미립자로서 분산된 것 이외에, 융점 이상으로 가열되어 용해된 것이라도 좋고, 용매 외에 염료나 안료 기타의 기능성 재료를 첨가한 것이라도 좋다. 또한, 기판은 플랫 기판 외, 곡면상의 기판이라도 좋다. 또한 패턴 형성면의 경도가 딱딱할 필요는 없고, 유리나 플라스틱, 금속 이외에, 필름, 종이, 고무 등 가요성을 갖는 것의 표면이라도 좋다.
[발명의 실시 형태]
＜패턴의 형성 방법＞
이하, 본 발명의 패턴의 형성 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1 및 도 2는 본 발명의 패턴 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 플로차트 도면이다. 여기서, 본 실시 형태에서는 유리 기판상에 도전막 배선 패턴을 형성하는 경우를 예로 하여 설명한다. 도전막 배선 패턴을 형성하기 위한 기능액으로는 열처리 등에 의해 도전성을 발현하는 재료를 함유하는 기능액을 사용하고, 구체적으로는 분산매를 테트라데칸으로 하는 은미립자를 사용한다.
본 실시 형태에 의한 패턴의 형성 방법은 소정의 보관액을 사용하여 보관되어 있는 상태의 액적 토출 헤드 및 이 액적 토출 헤드에 기능액을 공급하는 관부를포함하는 유로를 세정하고, 기능액으로 치환하는 세정 공정과, 이 세정된 액적 토출 헤드를 사용하여 패턴 형성하는 패턴 형성 공정을 갖고 있다.
도 1에서, 본 실시 형태에 의한 패턴의 형성 방법의 일부를 구성하는 세정 공정은 수용성 보관액이 충전되어 있는 액적 토출 헤드 및 이 액적 토출 헤드에 기능액을 공급하는 관부를 포함하는 유로를 순수로 치환하는 제1 치환 공정(스텝(SA1))과, 순수와 디바이스 제조를 위한 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 용매로 치환하는 제2 치환 공정(스텝(SA2))과, 기능액에 함유되는 용매로 치환하는 제3 치환 공정(스텝(SA3))과, 기능액으로 치환하는 제4 치환 공정(스텝(SA4))을 갖고 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 패턴 형성 공정은 기능액의 액적이 배치되는 기판상에 배선 패턴에 따른 뱅크를 형성하는 뱅크 형성 공정(스텝(S1))과, 뱅크간의 홈부의 저부에 친액성을 부여하는 친액화 처리 공정(스텝(S2))과, 뱅크에 발액성을 부여하는 발액화 처리 공정(스텝(S3))과, 뱅크간의 홈부에 액적 토출법에 의거하여 기능액의 액적을 복수 배치하여 막패턴을 형성(묘화)하는 재료 배치 공정(스텝(S4))과, 기판상에 배치된 기능액의 액체 성분 중 적어도 일부를 제거하는 광·열처리를 포함하는 중간 건조 공정(스텝(S5))과, 소정의 막패턴이 형성된 기판을 소성하는 소성 공정(스텝(S7))을 갖고 있다. 또한, 중간 건조 공정 후, 소정의 패턴 묘화가 종료되었는지 여부를 판단하고(스텝(S6)), 패턴 묘화가 종료되었다면 소성 공정이 행하여지고, 패턴 묘화가 종료되지 않았다면 재료 배치 공정이 행하여진다.
도 3은 본 발명의 패턴의 형성 방법에 사용하는 패턴 형성 장치의 일부를 구성하는 액적 토출 장치의 개략 구성도이다.
도 3에서, 액적 토출 장치(IJ)는 기능액(잉크)의 액적을 토출하는 액적 토출 헤드(1)와, 토출 헤드(1)로부터 토출되는 잉크의 액적이 배치되는 기판(P)을 지지하는 스테이지(2)와, 잉크를 수용하는 수용부인 탱크(3)와, 탱크(3)와 토출 헤드(1)를 접속하여 잉크를 유통 가능한 유로(4)의 일부를 형성하는 관부(40)를 구비하고 있다. 잉크가 유통하는 유로(4)는 관부(40) 및 토출 헤드(1)를 포함하여 구성되어 있다. 토출 헤드(1)의 토출 동작을 포함하는 액적 토출 장치(IJ)의 동작은 제어 장치(CONT)에 의해 제어된다. 또한, 토출 헤드(1), 관부(40), 및 탱크(3)를 포함하는 액적 토출 장치(IJ) 전체는 챔버(C)의 내부에 수용되며, 챔버(C)의 내부는 온도 조정 장치(6)에 의해 온도 관리되어 있다. 또한, 챔버(C) 내부는 대기 분위기로 설정되어도 좋고 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 설정되어도 좋다. 또한, 챔버(C) 및 이 챔버(C)에 수용되어 있는 액적 토출 장치(IJ)는 클린룸 내에 설치되어 있어 파티클 및 케미칼적으로 클린도를 유지하고 있다.
여기서, 이하의 설명에서, 수평면내에서의 제1 방향을 X축 방향, 수평면내에서 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 Y축 방향, X축 방향 및 Y축 방향에 수직으로 교차하는 방향을 Z축 방향으로 한다. 또한, X축, Y축, 및 Z축의 각각의 축 둘레 방향을, θX, θY, 및 θZ방향으로 한다.
액적 토출 장치(IJ)는 기판(P)의 표면에 잉크의 액적을 배치함으로써 잉크 중에 함유되는 재료로 이루어지는 막을 성막한다. 여기서, 본 실시 형태에서의 잉크는 예를 들어 테트라데칸 등의 소정의 분산매에 분산된 은미립자를 함유하고 있고, 액적 토출 장치(IJ)는 이 잉크를 기판(P)상에 토출함으로써 디바이스인 배선 패턴(도전막 패턴)을 형성한다. 또한, 액적 토출 장치(IJ)는 액정 표시 장치용의 컬러 필터 형성용 재료를 함유하는 잉크를 토출하여 컬러 필터를 제조할 수 있고, 유기 EL 장치 등의 디바이스를 제조할 수도 있다.
토출 헤드(1)는 스테이지(2)에 지지되어 있는 기판(P)에 대해서 잉크의 액적을 정량적으로 토출(적하)하는 것으로, 토출 헤드(1)의 노즐 형성면(1P)에는 액적을 토출하는 복수의 노즐이 설치되어 있다. 또한, 토출 헤드(1)에는 이 토출 헤드(1)를 이동 가능하게 지지하는 헤드 이동 장치(1A)가 설치되어 있다. 헤드 이동 장치(1A)는 토출 헤드(1)를 X축, Y축, 및 Z축 방향으로 이동하는 동시에 θX, θY, 및 θZ방향으로 미동한다. 또한, 토출 헤드(1)로부터 토출되는 액적의 온도는 토출 헤드(1)에 설치된 도시하지 않은 온도 조정 장치에 의해 제어되며, 온도 조정 장치는 액적을 소망의 점도로 조정한다. 스테이지(2)는 기판(P)을 지지하는 것으로, 기판(P)을 진공 흡착하는 흡착 유지 장치(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 스테이지(2)에는 이 스테이지(2)를 이동 가능하게 지지하는 스테이지 이동 장치(2A)가 설치되어 있다. 스테이지 이동 장치(2A)는 스테이지(2)를 X축, Y축, 및 θZ방향으로 이동한다.
관부(40)는 예를 들어 합성 수지제의 튜브에 의해 구성되어 있어 가요성을 갖는다. 관부(40)에 의해 형성된 유로(4)는 일단부(4A)가 토출 헤드(1)에 접속되고, 타단부(4B)가 탱크(3)에 접속되어 있다. 또한, 관부(40)의 타단부(4B)에는 밸브(B)가 설치되어 있다. 밸브(B)의 개폐 동작은 제어 장치(CONT)로 제어되도록 되어 있고, 제어 장치(CONT)는 밸브(B)를 제어함으로써 유로(4)에서의 잉크의 유통 제어를 행한다. 즉, 제어 장치(CONT)는 밸브(B)를 제어함으로써 탱크(3)로부터 토출 헤드(1)에 대한 잉크의 공급 및 공급의 정지를 행한다. 또한, 관부(40)는 가요성 부재에 의해 구성되어 있기 때문에, 토출 헤드(1)의 헤드 이동 장치(1A)에 의한 이동은 방해되지 않는다.
탱크(3)는 잉크를 수용하는 것으로, 탱크(3)내의 잉크에는 미리 탈기 처리가 실시되어 있다. 탱크(3)는 관부(40)를 배치 가능한 구멍부(3H)를 갖고 있고, 이 구멍부(3H)에 관부(40)가 배치됨으로써 탱크(3)는 대략 밀폐된다. 또한, 탱크(3)에는 이 탱크(3)의 내부 공간의 압력을 조정하는 탱크 압력 조정 장치(8)가 설치되어 있다. 탱크 압력 조정 장치(8)의 동작은 제어 장치(CONT)로 제어되도록 되어 있고, 제어 장치(CONT)는 탱크 압력 조정 장치(8)를 통하여 탱크(3)의 내부의 압력을 조정한다. 또한, 탱크(3)의 압력이 조정됨으로써, 유로(4)의 타단부(4B)에서의 압력이 조정되게 된다. 또한, 탱크(3)에는 도시하지 않았지만, 탱크(3)에 부착되어 탱크내의 잉크의 온도를 조정하는 온도 조정 장치와, 탱크내의 잉크를 교반하는 교반 장치가 설치되어 있다. 탱크내의 잉크는 온도 조정 장치로 온도 조정됨으로써 소망의 점도로 조정된다.
스테이지(2)내 기판(P)이 놓여지는 이외의 위치에는 토출 헤드(1)의 잉크를 흡인 가능한 흡인 장치(9)가 설치되어 있다. 이 흡인 장치(9)는 토출 헤드(1)내 노즐이 형성되어 있는 노즐 형성면(1P)에 밀착하여, 노즐 형성면(1P)과의 사이에밀폐 공간을 형성하는 캡부(9A)와, 캡부(9A)를 승강 가능하게 지지하는 리프트부(9D)와, 상기 밀폐 공간의 가스를 흡인함으로써 토출 헤드(1)의 노즐의 잉크를 흡인하는 펌프(9B)와, 토출 헤드(1)로부터 흡인한 잉크를 수용하는 배액 수용부(9C)를 구비하고 있다. 노즐 형성면(1P)과 캡부(9A)와의 XY방향에서의 위치 맞춤은 헤드 이동 장치(1A) 및 스테이지 이동 장치(2A)에 의거하는 토출 헤드(1)와 스테이지(2)의 상대 이동에 의해 행하여진다. 또한, 토출 헤드(1)의 노즐 형성면(1P)과 흡인 장치(9)의 캡부(9A)는 캡부(9A)가 토출 헤드(1)에 대해서 상승함으로써 밀착된다. 흡인 장치(9)의 흡인 동작은 제어 장치(CONT)에 제어되며, 제어 장치는 흡인 장치(9)를 통하여 상기 밀폐 공간의 압력을 조정한다. 또한, 노즐 형성면(1P)과 캡부(9A)로 형성되는 밀폐 공간의 압력이 조정됨으로써, 유로(4)의 일단부(4A)에서의 압력이 조정되게 된다. 즉, 상기 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)에 의해 유로(4)의 압력을 조정하는 압력 조정 장치가 구성되어 있다.
다음에, 상술한 액적 토출 장치(IJ)에 의해 디바이스를 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는 액적을 배치 가능한 액적 토출 헤드(1) 및 이 액적 토출 헤드(1)에 잉크를 공급하는 관부(40)를 포함하는 유로(4)는 수용성 보관액인 폴리에틸렌글리콜 수용액이 충전된 상태로 보관되어 있어, 디바이스를 제조하기 위한 토출 동작에 앞서, 유로(4)의 세정 공정이 행하여진다.
세정 공정에서는, 우선, 관부(40)의 타단부(4B)에 순수(제1 용매)를 수용한 탱크(3A)가 접속된다. 여기서, 탱크(3A)는 잉크를 수용하는 탱크(3)와 동일한 구성이고, 탱크 압력 조정 장치(8) 등을 구비하고 있다. 또한 탱크(3A)내의 순수에는 미리 탈기 처리가 실시되어 있다. 이때, 제1 용매인 순수는 보관액인 폴리에틸렌글리콜 수용액을 용해 가능한 물질로서, 순수(제1 용매)와 보관액은 상용성을 갖는다. 순수를 수용한 탱크(3A)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정한다.
도 4는 압력 조정 장치(8 및 9)가 유로(4)의 일단부(4A) 및 타단부(4B)의 압력 조정을 행하고 있는 상태를 나타내는 모식도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 스테이지(2)가 이동하여, 토출 헤드(1)와 흡인 장치(9)의 캡부(9A)가 XY방향에서 위치 맞춤되고, 캡(9A)이 상승함으로써, 캡부(9A)와 토출 헤드(1)의 노즐 형성면(1P)이 밀착된다. 또한, 펌프(9B)가 구동함으로써, 토출 헤드(1)의 노즐 형성면(1P)과 캡부(9A)로 형성되는 밀폐 공간이 감압되어, 유로(4)의 일단부(4A)가 압력(p1)으로 설정된다. 한편, 탱크 압력 조정 장치(8)가 탱크(3)내를 가압함으로써, 유로(4)의 타단부(4B)가 압력(p2)으로 설정된다. 이렇게 해서, 제어 장치(CONT)는 탱크 압력 조정 장치(8)에 의해 탱크(3)내의 압력을 조정하면서 흡인 장치(9)(펌프(9B))에 의한 단위 시간당의 흡인양을 조정함으로써, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차(p2-p1)로 설정한다. 여기서, 제어 장치(CONT)는 이 세정 공정에서의 상기 압력차(p2-p1)를, 후 공정인 디바이스를 제조하기 위한 토출 동작시에서의 압력차보다 크게 설정한다. 이 상태에서 밸브(B)는 열려 있어, 흡인 장치(9)는 노즐로부터 유로(4)에 충전되어 있는 보관액을 흡인하고, 흡인한 보관액을 배액 수용부(9C)에 수용한다. 또한, 탱크(3A)의 가압 동작및 흡인 장치(9)에 의한 흡인 동작을 더 행함으로써, 탱크(3A)내의 순수가 유로(4)에 충전되어, 유로(4)가 순수로 치환된다. 흡인한 순수(세정액)는 배액 수용부(9C)에 수용된다. 또한, 이 흡인 동작을 소정 시간 행하여, 유로(4)를 순수로 충분히 치환하여 세정한다(스텝(SA1)).
이때, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)는 소정의 압력차로 설정되어 있으므로, 후 공정인 디바이스를 제조하기 위한 토출 동작시에 비해서, 세정액(순수)은 유로(4)를 고속으로 흐른다. 따라서, 세정 처리를 고속으로 또한 충분히 행할 수 있다.
유로(4)를 순수로 치환하면, 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)의 구동이 정지된 후, 관부(40)와 탱크(3A)의 접속이 해제되는 동시에, 관부(40)의 타단부(4B)에 대해서 이소프로필 알콜(제2 용매)을 수용한 탱크(3B)가 접속된다. 또한 탱크(3B)는 상술한 탱크(3) 및 탱크(3A)와 동일한 구성을 갖는다. 여기서, 제2 용매인 이소프로필 알콜은 제1 용매인 순수와, 잉크에 함유되는 분산매인 테트라데칸의 쌍방을 용해 가능한 용매이다. 환언하면, 제2 용매는 순수 및 잉크에 함유되는 용매의 각각 대해 상용성을 갖는다. 또한, 제2 용매로는 극성 용매인 이소프로필 알콜을 사용하여도 좋다. 또한, 탱크(3B)내의 이소프로필 알콜에는 미리 탈기 처리가 실시되어 있다. 이소프로필 알콜을 수용한 탱크(3B)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 도 4를 참조하여 설명한 순서와 동일하게, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 제2 용매인 이소프로필 알콜로 치환한다(스텝(SA2)).
유로(4)를 제2 용매로 치환하면, 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)의 구동이 정지된 후, 관부(40)와 탱크(3B)의 접속이 해제되는 동시에, 관부(40)의 타단부(4B)에 대해서 잉크에 함유되는 분산매인 테트라데칸을 수용한 탱크(3C)가 접속된다. 또한 탱크(3C)는 상술한 탱크(3, 3A, 3B)와 동일한 구성을 갖는다. 여기서, 테트라데칸은 제2 용매인 이소프로필 알콜을 용해하는 용매이고, 이 이소프로필 알콜에 대해서 상용성을 갖는다. 또한, 테트라데칸은 비극성 용매이다. 탱크(3C)내의 테트라데칸에는 미리 탈기 처리가 실시되어 있다. 테트라데칸을 수용한 탱크(3C)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 도 4를 참조하여 설명한 순서와 동일하게, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 잉크에 함유되는 분산매인 테트라데칸으로 치환한다 (스텝(SA3)).
　또한, 본 실시 형태에서의 잉크의 분산매는 테트라데칸이지만, 잉크가 복수 종류의 용매를 함유하고 있는 경우, 스텝(SA3)에서 치환하는 용매는 잉크에 함유되어 있는 복수 종류의 용매와 완전히 일치할 필요는 없고, 이들 복수 종류의 용매 중 임의 용매를 사용할 수 있다. 여기서, 사용하는 임의 용매는 복수 종류의 용매 중 가장 함유량이 많은 용매(주용매)를 사용하는 것이 바람직하다.
유로(4)를 테트라데칸으로 치환하면, 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)의 구동이 정지된 후, 관부(40)와 탱크(3C)의 접속이 해제되는 동시에, 관부(40)의 타단부(4B)에 대해서 잉크를 수용한 탱크(3)가 접속된다. 또한 탱크(3)의 잉크에는 미리 탈기 처리가 실시되어 있다. 잉크를 수용한 탱크(3)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 도 4를 참조하여 설명한 순서와 동일하게, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 잉크로 치환한다(스텝(SA4)).
이때, 챔버(C) 내부를 온도 조정하는 온도 조정 장치(6)나 유로(4)를 온도 조정하는 온도 조정 장치(도시하지 않음)를 사용하여 잉크의 온도를 조정하면서, 유로(4)를 잉크로 치환해도 좋다. 예를 들어 잉크를 가열하면 잉크의 점도가 저하하기 때문에, 치환 동작을 기포의 발생을 억제하면서 원활히 행할 수 있다. 또한, 관부(40)를 포함하는 유로(4)를 예를 들어 초음파 가진하면서 유로(4)를 잉크로 치환하여도 좋다. 이렇게 함으로써, 관부(40)의 내벽에 부착하고 있는 기포나 잉크 중의 기포 등 유로(4)에 존재하는 기포를 토출 헤드(1)측으로부터 외부로 배출할 수 있다.
세정 공정이 종료하면, 제어 장치(CONT)는 흡인 장치(9)에 의한 흡인 동작을 종료하는 동시에, 탱크 압력 조정 장치(8)에 의한 탱크(3)의 가압 동작을 종료한다.
또한, 스테이지(2)가 이동하여 기판(P)을 토출 헤드(1)의 밑에 배치하여, 디바이스를 제조하기 위한 토출 동작을 개시한다. 여기서, 제어 장치(CONT)는 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)와의 압력차를, 세정 공정에서 설정한 값보다낮은 값으로 한다.
또한, 온도 조정 장치(6)도, 챔버(C) 내부를 디바이스를 제조하기 위한 최적 온도로 조정한다. 또한, 디바이스를 제조하기 위한 액적 토출 동작이 실행된다.
또한 본 실시 형태에서는 보관액으로서 수용성인 폴리에틸렌글리콜이 사용되고 있기 때문에, 제1 치환 공정(SA1)에서는 순수에 의해 세정하는 구성이지만, 보관액이 수용성이 아닌 경우라도 본 발명에 의한 세정 공정을 사용할 수 있다. 그 경우, 제1 치환 공정에서 사용하는 제1 용매로서, 보관액을 용해하는 용매를 사용하면 좋다.
이상, 보관 상태로부터 잉크 액적 토출 가능 상태까지의 세정 공정에 대해서 설명했다. 다음에, 잉크 액적 토출 동작 종료후, 액적 토출 헤드(1) 및 관부(40)를 포함하는 유로(4)를 보관 상태로 할 때까지의 순서에 대해서 도 5를 참조하면서 설명한다.
디바이스 제조를 위한 액적 토출 동작이 종료하면, 보관 처리의 개시가 지령된다. 우선, 관부(40)와 잉크를 수용한 탱크(3)와의 접속이 해제되고, 관부(40)의 타단부(4B)에 잉크에 함유되는 분산매인 테트라데칸을 수용하는 탱크(3C)가 접속된다. 테트라데칸을 수용한 탱크(3C)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 테트라데칸으로 치환한다(스텝(SB1)).
유로(4)를 테트라데칸으로 치환하면, 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인장치(9)의 구동이 정지된 후, 관부(40)와 탱크(3C)의 접속이 해제되는 동시에, 관부(40)의 타단부(4B)에 대해서 이소프로필 알콜(제2 용매)을 수용한 탱크(3B)가 접속된다. 이소프로필 알콜을 수용한 탱크(3B)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 제2 용매인 이소프로필 알콜로 치환한다(스텝(SB2)).
유로(4)를 제2 용매로 치환하면, 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)의 구동이 정지된 후, 관부(40)와 탱크(3B)의 접속이 해제되는 동시에, 관부(40)의 타단부(4B)에 대해서 순수를 수용한 탱크(3A)가 접속된다. 순수를 수용한 탱크(3A)가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 순수로 치환한다(스텝(SB3)).
　유로(4)를 순수로 치환하면, 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)의 구동이 정지된 후, 관부(40)와 탱크(3A)의 접속이 해제되는 동시에, 관부(40)의 타단부(4B)에 대해서 수용성 보관액인 폴리에틸렌글리콜 수용액을 수용한 탱크가 접속된다. 보관액을 수용한 탱크가 관부(40)의 타단부(4B)에 접속되면, 제어 장치(CONT)는 압력 조정 장치로서의 탱크 압력 조정 장치(8) 및 흡인 장치(9)를 사용하여, 유로(4)의 일단부(4A)와 타단부(4B)를 소정의 압력차로 설정하여, 유로(4)를 보관액으로 치환한다(스텝(SB4)). 이것에 의해 유로(4)에 보관액이 충전되어, 보관 처리가 종료된다. 이상 설명한 바와 같이, 보관 처리에서는 세정 공정과 역의 순서로 세정액을 사용하면 좋다.
＜실시예 1＞
보관액인 폴리에틸렌글리콜 1％ 수용액에 의해 보관 상태의 유로(4)를 복수의 치환 공정의 각각에서 이하의 용매(세정액)를 사용하여 치환 및 세정했다.
제1 치환 공정: 순수
제2 치환 공정: 이소프로필 알콜
제3 치환 공정: 테트라데칸
그 후, 분산매를 테트라데칸으로 하는 은미립자를 함유하는 잉크(기능액)를 사용하여 패턴 형성 동작을 행했다. 유로(4)에는 고형분이 석출하지 않아, 액적 토출 동작을 양호하게 행할 수 있었다.
＜실시예 2＞
보관액으로서 폴리에틸렌글리콜 1％수용액에 의해 보관 상태의 유로(4)를 복수의 치환 공정의 각각에서 이하의 용매(세정액)를 사용하여 치환 및 세정했다.
제1 치환 공정: 순수
제2 치환 공정: 에틸알콜
제3 치환 공정: 에틸렌글리콜
그 후, 용매를 디에틸렌글리콜로 하는 유기 은 화합물을 함유하는 잉크(기능액)를 사용하여 패턴 형성 동작을 행했다. 유로(4)에는 고형분이 석출하지 않아, 액적 토출 동작을 양호하게 행할 수 있었다.
이하, 디바이스를 제조하기 위한 패턴 형성 공정에 대해서 설명한다.
＜뱅크 형성 공정＞
우선, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 표면 개질 처리로서 기판(P)에 대해서 HMDS 처리가 실시된다. HMDS 처리는 헥사메틸디실라산((CH3)3SiNHSi(CH3)3)을 증기상으로 하여 도포하는 방법이다. 이것에 의해, 뱅크와 기판(P)의 밀착성을 향상하는 밀착층으로서의 HMDS층(32)이 기판(P)상에 형성된다. 뱅크는 간막이 부재로서 기능하는 부재이며, 뱅크의 형성은 포토리소그래피법이나 인쇄법 등 임의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들어, 포토리소그래피법을 사용하는 경우는, 스핀 코트, 스프레이 코트, 롤 코트, 다이 코트, 딥 코트 등 소정 방법으로, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(P)의 HMDS층(32)상에 뱅크의 높이에 맞추어 뱅크 형성용 재료인 유기 재료(31)를 도포하고, 그 위에 레지스트층을 도포한다. 또한, 뱅크 형상(배선 패턴)에 맞추어 마스크를 실시하고 레지스트를 노광·현상함으로써 뱅크 형상에 맞춘 레지스트를 남긴다. 최후로 에칭하여 레지스트 이외의 부분의 유기 재료(31)를 제거한다. 또한, 하층이 무기물이고 상층이 유기물로 구성된 2층 이상으로 뱅크를 형성해도 좋다. 이것에 의해, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 배선 패턴 형성 예정 영역의 주변을 둘러싸도록 뱅크(B, B)가 돌설된다. 뱅크를 형성하는 유기 재료로는 기능액(액체 재료)에 대해서 발액성을 나타내는 재료라도 좋고, 후술하는 바와 같이 플라즈마 처리에 의한 발액화가 가능하고 하지 기판과의 밀착성이 좋고 포토리소그래피에 의한 패터닝이 용이한 절연 유기 재료라도 좋다. 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 올레핀 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지등의 고분자 재료를 사용할 수 있다.
기판(P)상에 뱅크(B, B)가 형성되면, 불산 처리가 실시된다. 불산 처리는, 예를 들어 2.5％ 불산 수용액으로 에칭을 실시함으로써 뱅크(B, B)간의 HMDS층(32)를 제거하는 처리이다. 불산 처리에서는 뱅크(B, B)가 마스크로서 기능하여, 뱅크(B, B)간에 형성된 홈부(34)의 저부(35)에 있는 유기물인 HMDS 층(32)이 제거된다. 이것에 의해, 도 6의 (d)에 나타내는 바와 같이, 잔사인 HMDS가 제거된다.
＜친액화 처리 공정＞
다음에, 홈부(34)의 저부(35)에 친액성을 부여하는 친액화 처리 공정이 행하여진다. 친액화 처리 공정으로는 자외선을 조사함으로써 친액성을 부여하는 자외선(UV) 조사 처리나 대기 분위기중에서 산소를 처리 가스로 하는 O2플라즈마 처리 등을 선택할 수 있다. 여기에서는 O2플라즈마 처리를 실시한다.
O2플라즈마 처리는 기판에 대해서 플라즈마 방전 전극으로부터 플라즈마 상태의 산소를 조사한다. O2플라즈마 처리의 조건의 일례로서, 예를 들어 플라즈마 파워가 50~1000W, 산소 가스 유량이 50~100mL/min, 플라즈마 방전 전극에 대한 기판의 상대 이동 속도가 0.5~10mm/sec, 기판 온도가 70~90℃ 이다. 또한, 기판이 유리 기판의 경우, 그 표면은 기능액에 대해서 친액성을 갖고 있지만, 본 실시 형태와 같이 O2플라즈마 처리나 자외선 조사 처리를 실시함으로써, 뱅크(B, B)간에 노출하는 기판(P) 표면(저부(35))의 친액성을 높일 수 있다. 여기서, 뱅크간의 저부(35)의 기능액에 대한 접촉각이 15도 이하가 되도록, O2플라즈마 처리나 자외선 조사 처리가 행하여지는 것이 바람직하다.
또한, O2플라즈마 처리나 자외선 조사 처리는 저부(35)에 존재하는 잔사의 일부를 구성하는 HMDS를 제거하는 기능을 갖는다. 그 때문에, 상술한 불산 처리에 의해 뱅크(B, B)간의 저부(35)의 유기물 잔사(HMDS)가 완전히 제거되지 않은 경우가 생겨도, O2플라즈마 처리 혹은 자외선 조사 처리를 행함으로써 이 잔사를 제거할 수 있다. 또한 여기에서는 잔사 처리의 일부로서 불산 처리를 행하지만, O2플라즈마 처리 혹은 자외선 조사 처리에 의해 뱅크간의 저부(35)의 잔사를 충분히 제거할 수 있기 때문에, 불산 처리는 행하지 않아도 좋다. 또 여기에서는, 잔사 처리로서 O2플라즈마 처리 또는 자외선 조사 처리의 어느 하나를 행하도록 설명했지만, 물론, O2플라즈마 처리와 자외선 조사 처리를 조합하여도 좋다.
＜발액화 처리 공정＞
계속해서, 뱅크(B)에 대해 발액화 처리를 행하여, 그 표면에 발액성을 부여한다. 발액화 처리로는 대기 분위기중에서 4불화탄소(테트라플루오로메탄)를 처리 가스로 하는 플라즈마 처리법(CF4플라즈마 처리법)을 채용할 수 있다. CF4플라즈마 처리의 조건은 예를 들어 플라즈마 파워가 100~800W, 4불화탄소 가스 유량이 50~100mL/min, 플라즈마 방전 전극에 대한 기판 반송 속도가 0.5~1020mm/sec, 기판 온도가 70~90℃로 한다. 또한, 처리 가스로는 4불화탄소에 한정되지 않고, 다른불화탄소계의 가스를 사용할 수도 있다. 이러한 발액화 처리를 행함으로써, 뱅크(B, B)에는 이것을 구성하는 수지중에 불소기가 도입되어, 높은 발액성이 부여된다. 또한, 상술한 친액화 처리로서의 O2플라즈마 처리는 뱅크(B)의 형성 전에 행하여도 좋지만, 아크릴 수지나 폴리이미드 수지 등은 O2플라즈마에 의한 전처리가 행하여진 것이 보다 발액화(불소화)되기 쉬운 성질이 있기 때문에, 뱅크(B)를 형성한 후에 O2플라즈마 처리하는 것이 바람직하다.
또한, 뱅크(B, B)에 대한 발액화 처리에 의해, 먼저 친액화 처리한 뱅크간의 기판(P) 노출부에 대해 다소는 영향이 있지만, 특히 기판(P)이 유리 등으로 이루어지는 경우에는, 발액화 처리에 의한 불소기의 도입이 일어나지 않기 때문에, 기판(P)의 친액성, 즉 젖음성이 실질상 손상되는 일은 없다. 또한, 뱅크(B, B)에 대해서는 발액성을 갖는 재료(예를 들어 불소기를 갖는 수지 재료)에 의해서 형성함으로써, 그 발액화 처리를 생략하여도 좋다.
＜재료 배치 공정＞
다음에, 본 실시 형태의 재료 배치 공정에 대해서 설명한다. 재료 배치 공정은 도 7의 (e), (f)에 나타내는 바와 같이, 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 기능액의 액적(30)을 액적 토출 장치의 액적 토출 헤드(1)로부터 토출하여 뱅크(B, B)간의 홈부(34)에 배치함으로써 기판(P)상에 선상의 막패턴(배선 패턴)을 형성하는 공정이다. 본 실시 형태에서, 기능액은 분산매를 테트라데칸으로 하는 유기 은 화합물을 함유하는 것이다.
재료 배치 공정에서는 액적 토출 헤드(10)로부터 토출되는 액적(30)은 뱅크(B, B)간의 홈부(34)에 배치된다. 이때, 액적이 토출되는 배선 패턴 형성 예정 영역(즉 홈부(34))은 뱅크(B, B)로 둘러싸여 있으므로, 액적이 소정 위치 이외로 퍼지는 것을 저지할 수 있다. 또한, 뱅크(B, B)에는 발액성이 부여되어 있기 때문에, 토출된 액적의 일부가 뱅크(B)상에 놓여도, 뱅크 표면이 발액성으로 되어 있으므로 뱅크(B)로부터 튀어, 뱅크간의 홈부(34)로 흘러 떨어지게 된다. 또한 기판(P)이 노출하고 있는 홈부(34)의 저부(35)는 친액성이 부여되어 있기 때문에, 토출된 액적이 저부(35)에서 보다 퍼지기 쉽게 되고, 이것에 의해 기능액은 소정 위치 내로 균일하게 배치된다.
또한, 액적 토출의 조건으로는, 예를 들어, 잉크 중량 4ng/dot, 잉크 속도(토출 속도) 5~7m/sec로 행할 수 있다. 또한, 액적을 토출하는 분위기는 온도 60℃ 이하, 습도 80％ 이하로 설정됨이 바람직하다. 이것에 의해, 액적 토출 헤드(10)의 토출 노즐이 막히지 않고 안정된 액적 토출을 행할 수 있다.
＜중간 건조 공정＞
기판(P)에 액적을 토출한 후, 분산매의 제거 및 막두께 확보를 위해, 필요에 따라서 건조 처리를한다. 건조 처리는 예를 들어 기판(P)을 가열하는 통상의 핫 플레이트, 전기로 등에 의한 처리 외에, 램프 어닐에 의해서 행할 수도 있다. 램프 어닐에 사용하는 광의 광원으로는 특별히 한정되지 않지만, 적외선 램프, 크세논램프, YAG 레이저, 아르곤 레이저, 탄산 가스 레이저, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl 등의 엑시머 레이저 등을 광원으로서 사용할 수 있다. 이들 광원은 일반적으로는 출력 10W이상 5000W이하의 범위의 것이 사용되지만, 본 실시 형태에서는 100W이상 1000W이하의 범위로 충분하다. 또한, 이 중간 건조 공정과 상기 재료 배치 공정을 반복하여 행함으로써, 도 7의 (g)에 나타내는 바와 같이, 기능액의 액적이 복수층 적층되어, 막두께가 두꺼운 배선 패턴(막패턴)(33A)이 형성된다.
＜소성공정＞
토출 공정 후의 도전성 재료는, 예를 들어 유기 은 화합물의 경우, 도전성을 얻기 위해서 열처리를 행하여, 유기 은 화합물의 유기분을 제거하여 은입자를 잔존시킬 필요가 있다.
그 때문에, 토출 공정 후의 기판에는 열처리 및/또는 광처리가 실시된다. 열처리 및/또는 광처리는 통상 대기중에서 행하여지지만, 필요에 따라서, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기 중에서 행할 수도 있다. 열처리 및/또는 광처리의 처리 온도는 분산매의 비점(증기압), 분위기 가스의 종류나 압력, 미립자의 분산성이나 유기 은 화합물, 산화성 등의 열적 거동, 코팅재의 유무나 양, 기재의 내열 온도 등을 고려하여 적당히 결정된다. 예를 들어, 유기 은 화합물의 유기물을 제거하기 위해서는 약 200℃에서 소성함이 필요하다. 또한, 플라스틱 등의 기판을 사용하는 경우에는 실온 이상 100℃ 이하에서 행하는 것이 바람직하다. 이상의 공정에 의해 토출 공정 후의 도전성 재료(유기 은 화합물)는 은입자의 잔류에 의해, 도 7(h)에 나타내는 바와 같이, 도전성막(배선 패턴)(33)으로 변환된다.
또한, 소성 공정 후, 기판(P)상에 존재하는 뱅크(B, B)를 애싱 박리 처리에 의해 제거할 수 있다. 애싱 처리로는 플라즈마 애싱이나 오존 애싱 등을 채용할수 있다. 플라즈마 애싱은 플라즈마화한 산소 가스 등의 가스와 뱅크를 반응시켜서, 뱅크를 기화시켜 박리·제거하는 것이다. 뱅크는 탄소, 산소, 수소로 구성되는 고체 물질이고, 이것이 산소 플라즈마와 화학 반응함으로써 CO2, H2O, O2로 되어, 모두 기체로서 박리할 수 있다. 한편, 오존 애싱의 기본 원리는 플라즈마 애싱과 같고, O3(오존)를 분해하여 반응성 가스의 O+(산소 래디칼)로 변환하고, 이 O+과 뱅크를 반응시킨다. O+과 반응한 뱅크는 CO2, H2O, O2로 되어, 모두 기체로서 박리된다. 기판(P)에 대해서 애싱 박리 처리를 실시함으로써, 기판(P)으로부터 뱅크가 제거된다.
또한, 상기 실시 형태에서, 도전막 배선용의 기판으로는 유리, 석영 유리, Si 웨이퍼, 플라스틱 필름, 금속판 등 각종의 것을 사용할 수 있다. 또한, 이들 각종의 소재 기판의 표면에 반도체막, 금속막, 유전체막, 유기막 등이 하지층으로서 형성된 것도 포함한다.
도전막 배선용의 기능액으로서, 상기 실시 형태에서는 유기 은 화합물을 함유하는 도전성 재료를 용매에 용해한 것이지만, 도전성 미립자를 분산매에 분산시킨 분산액을 사용할 수 있고, 이것은 수성이거나 유성이거나 묻지 않는다. 여기서 사용되는 도전성 미립자는 금, 은, 동, 팔라듐, 및 니켈 중의 어느 하나를 함유하는 금속 미립자 외에, 도전성 중합체나 초전도체의 미립자 등이 사용된다. 이들의 도전성 미립자는 분산성을 향상시키기 위해서 표면에 유기물 등을 코팅하여 사용할수도 있다.
도전성 미립자의 입경은 5nm이상 0.1㎛이하인 것이 바람직하다. 0.1㎛보다 크면, 상기 액적 토출 헤드의 노즐에 막힘이 생길 우려가 있다. 또한, 5nm보다 작으면, 도전성 미립자에 대한 코팅제의 체적비가 커져서, 얻어지는 막중의 유기물의 비율이 과다하게 된다.
도전성 미립자를 함유하는 액체의 분산매로는, 실온에서의 증기압이 0.001mmHg이상 200mmHg이하(약 0.133Pa이상 26600Pa이하)인 것이 바람직하다. 증기압이 200mmHg보다 높은 경우에는 토출 후에 분산매가 급격하게 증발하여, 양호한 막을 형성하기가 곤란해진다. 또한, 분산매의 증기압은 0.001mmHg이상 50mmHg이하(약 0.133Pa이상 6650Pa이하)인 것이 보다 바람직하다. 증기압이 50mmHg보다 높은 경우에는 잉크젯법으로 액적을 토출할 때에 건조에 의한 노즐 막힘이 일어나기 쉽다. 한편, 실온에서의 증기압이 0.001mmHg보다 낮은 분산매의 경우, 건조가 늦어 막중에 분산매가 잔류하기 쉬워져, 후속 공정의 열·광처리 후에 양질의 도전막이 얻어지기 어렵다.
상기 분산매로는 상기의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로 응집을 일으키지 않은 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태에서는 테트라데칸을 사용하고 있지만, 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알콜류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라하이드로나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌 카보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중, 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또 액적 토출법으로의 적용의 용이함의 관점에서, 물, 알콜류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로는 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다. 이들 분산매는 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상의 혼합물로서 사용하여도 좋다.
상기 도전성 미립자를 분산매에 분산하는 경우의 분산질 농도는 1질량％ 이상 80질량％ 이하이고, 소망한 도전막의 막두께에 따라 조정하면 좋다. 또한, 80질량％을 넘으면 응집을 일으키기 쉬워, 균일한 막을 얻기 어렵다.
상기 도전성 미립자의 분산액의 표면장력은 0.02N/m이상 0.07N/m이하의 범위내인 것이 바람직하다. 액적 토출법에서 액체 재료를 토출할 때, 표면장력이 0.02N/m 미만이면, 액체 재료의 노즐면에 대한 젖음성이 증대하기 때문에 비행 곡선이 생기기 쉬워지고, 0.07N/m를 넘으면 노즐 선단에서의 메니스커스의 형상이 안정되지 않기 때문에 토출양이나, 토출 타이밍의 제어가 곤란하게 된다.
표면장력을 조정하기 위해, 상기 분산액에는, 기판과의 접촉각을 크게 저하시키지 않는 범위로, 불소계, 실리콘계, 비이온계 등의 표면장력 조절제를 미량 첨가하면 좋다. 비이온계 표면장력 조절제는 액체의 기판으로의 젖음성을 향상시켜, 막의 레벨링성을 개량하여, 막의 미세한 요철의 발생 등의 방지에 역할을 하는 것이다. 상기 분산액은, 필요에 따라서, 알콜, 에테르, 에스테르, 케톤 등의 유기 화합물을 함유하여도 좋다.
상기 분산액의 점도는 1mPa·s이상 50mPa·s이하인 것이 바람직하다. 액적 토출법을 사용하여 액체 재료를 액적으로서 토출할 때, 점도가 1mPa·s보다 작은 경우에는 노즐 주변부가 액체 재료의 유출에 의해 오염되기 쉽고, 또 점도가 50mPa·s보다 큰 경우는 노즐구멍에서의 막힘 빈도가 높아져서 원활한 액적의 토출이 곤란해진다.
＜플라즈마 처리 장치＞
도 8은 상술한 친액화 처리(O2플라즈마 처리) 혹은 발액화 처리(CF4플라즈마 처리)할 때에 사용하는 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 도 8에 나타내는 플라즈마 처리 장치는 교류 전원(41)에 접속된 전극(42)과, 접지 전극인 시료 테이블(40)을 갖고 있다. 시료 테이블(40)은 시료인 기판(P)을 지지하면서 Y축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 전극(42)의 하면에는 이동 방향과 직교하는 X축 방향으로 뻗는 2개의 평행한 방전 발생부(44,44)가 돌설되어 있는 동시에, 방전 발생부(44)를 둘러싸도록 유전체 부재(45)가 설치되어 있다. 유전체 부재(45)는 방전 발생부(44)의 이상 방전을 방지하는 것이다. 또한, 유전체 부재(45)를 포함하는 전극(42)의 하면은 대략 평면상으로 되어 있고, 방전 발생부(44) 및 유전체 부재(45)와 기판(P) 사이에는 약간의 공간(방전 갭)이 형성되도록 되어 있다. 또한, 전극(42)의 중앙에는 X축 방향으로 가늘고 길게 형성된처리 가스 공급부의 일부를 구성하는 가스 분출구(46)가 설치되어 있다. 가스 분출구(46)는 전극 내부의 가스 통로(47) 및 중간 챔버(48)를 통하여 가스 도입구(49)에 접속되어 있다. 가스 통로(47)를 통하여 가스 분출구(46)로부터 분사된 처리 가스를 함유하는 소정 가스는 상기 공간의 가운데를 이동 방향(Y축 방향)의 전방 및 후방으로 나누어져 흘러, 유전체 부재(45)의 전단 및 후단에서 외부로 배기된다. 이것과 동시에, 전원(41)으로부터 전극(42)에 소정의 전압이 인가되어, 방전 발생부(44,44)와 시료 테이블(40) 사이에서 기체 방전이 발생한다. 또한, 이 기체 방전에 의해 생성되는 플라즈마로 상기 소정 가스의 여기 활성종이 생성되어, 방전 영역을 통과하는 기판(P)의 표면 전체가 연속적으로 처리된다. 본 실시 형태에서는, 상기 소정 가스는 처리 가스인 산소(O2) 혹은 4불화탄소(CF4)와, 대기압 근방의 압력하에서 방전을 용이하게 개시시키고 또한 안정하게 유지하기 위한 헬륨(He), 아르곤(Ar) 등의 희가스나 질소(N2) 등의 불활성 가스를 혼합한 것이다. 특히, 처리 가스로서 산소를 사용함으로써, 상술한 바와 같이, 친액화나 유기물 잔사의 제거가 행하여지고, 처리 가스로서 4불화탄소를 사용함으로써 발액화가 행하여진다. 또한, 이 O2플라즈마 처리를 예를 들어 유기 EL 장치에서의 전극에 대해서 행함으로써, 이 전극의 일함수를 조정할 수 있다.
＜전기 광학 장치＞
다음에 본 발명의 전기 광학 장치의 일례로서 플라즈마형 표시 장치에 대해서 설명한다. 도 9는 본 실시 형태의 플라즈마형 표시 장치(500)의 분해 사시도를나타내고 있다. 플라즈마형 표시 장치(500)는 서로 대향하여 배치된 기판(501, 502), 및 이들 사이에 형성되는 방전 표시부(510)를 포함하여 구성된다. 방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합된 것이다. 복수의 방전실(516)중, 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍으로 되어 1화소를 구성하도록 배치되어 있다.
기판(501)의 상면에는 소정의 간격으로 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(511)이 형성되며, 어드레스 전극(511)과 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되어 있다. 유전체층(519)상에는 어드레스 전극(511, 511)간에 위치하고 또한 각 어드레스 전극(511)을 따르도록 격벽(515)이 형성되어 있다. 격벽(515)은 어드레스 전극(511)의 폭방향 좌우 양측에 인접하는 격벽과, 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 뻗어 설치된 격벽을 포함한다. 또한, 격벽(515)에 의해서 나누어진 직사각형 형상의 영역에 대응하여 방전실(516)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에 의해서 구획되는 직사각형 형상의 영역의 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 형광을 발광하는 것으로, 적색 방전실(516(R))의 저부에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 저부에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 저부에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.
한편, 기판(502)에는 앞의 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 복수의 표시 전극(512)이 스트라이프 형상으로 소정의 간격으로 형성되어 있다. 또한 이들을 덮도록 유전체층(513), 및 MgO 등으로 이루어지는 보호막(514)이 형성되어 있다. 기판(501)과 기판(502)은 상기 어드레스 전극(511…)과 표시 전극(512…)을 서로 직교시키도록 대향시켜 서로 접합되어 있다. 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 도시 생략의 교류 전원에 접속되어 있다. 각 전극에 통전함으로써, 방전 표시부(510)에서 형광체(517)가 여기 발광하여, 컬러 표시가 가능해진다.
본 실시 형태에서는 상기 어드레스 전극(511), 및 표시 전극(512)이 각각 본 발명의 패턴의 형성 방법에 의하여 형성되어 있다. 또한 본 실시 형태에서는 뱅크(B)는 애싱 처리에 의해 제거되어 있다.
다음에, 본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예로서 액정 장치에 대해서 설명한다. 도 10은 본 실시 형태에 의한 액정 장치의 제1 기판상의 신호 전극 등의 평면 레이아웃을 나타내는 것이다. 본 실시 형태에 의한 액정 장치는 이 제1 기판과, 주사 전극 등이 설치된 제2 기판(도시하지 않음)과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 봉입된 액정(도시하지 않음)으로 개략 구성되어 있다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(300)상의 화소 영역(303)에는 복수의 신호 전극(310…)이 다중 매트릭스 형상으로 설치되어 있다. 특히 각 신호 전극(310…)은 각 화소에 대응하여 설치된 복수의 화소 전극 부분(310a…)과 이들을 다중 매트릭스 형상으로 접속하는 신호 배선 부분(310b…)으로 구성되어 있고, Y방향으로 뻗어 있다. 또한, 부호 350은 1칩 구조의 액정 구동 회로로서, 이 액정 구동 회로(350)와 신호 배선 부분(310b…)의 일단측(도면중 하측)이 제1 인회 배선(331…)을 통하여 접속되어 있다. 또한, 부호 340…은 상하 도통 단자로서, 이 상하 도통 단자(340…)와, 도시하지 않은 제2 기판상에 설치된 단자가 상하 도통재(341…)에 의해서 접속되어 있다. 또한, 상하 도통 단자(340…)와 액정 구동 회로(350)가 제2 인회 배선(332…)을 통하여 접속되어 있다.
본 실시 형태에서는 상기 제1 기판(300)상에 설치된 신호 배선 부분(310b…), 제1 인회 배선(331…), 및 제2 인회 배선(332…)은 각각, 본 발명의 패턴의 형성 방법에 의하여 형성되어 있다. 또한, 대형화한 액정용 기판의 제조에 적용한 경우에도, 배선용 재료를 효율적으로 사용할 수 있어, 저비용화가 도모된다. 또한, 본 발명을 적용할 수 있는 디바이스는 이들 전기 광학 장치에 한정되지 않고, 예를 들어 도전막 배선이 형성되는 회로 기판이나, 반도체의 실장 배선 등, 다른 디바이스 제조에도 적용이 가능하다.
도 11은 액정 표시 장치의 화소마다 설치되는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(400)를 나타내는 도면으로서, 기판(P)에는 상기 실시 형태의 패턴의 형성 방법에 의해 게이트 배선(61)이 기판(P)상의 뱅크(B, B)간에 형성되어 있다. 게이트 배선(61)상에는 SiNx로 이루어지는 게이트 절연막(62)을 통하여 아모퍼스 실리콘(a-Si)층으로 되는 반도체층(63)이 적층되어 있다. 이 게이트 배선 부분에 대향하는 반도체층(63)의 부분이 채널 영역으로 되어 있다. 반도체층(63)상에는 오믹 접합을 얻기 위한 예를 들어 n+형 a-Si층으로 이루어지는 접합층(64a 및 64b)이 적층되어 있고, 채널 영역의 중앙부에서의 반도체층(63)상에는 채널을 보호하기 위한 SiNx로 이루어지는 절연성의 에치 스톱막(65)이 형성되어 있다. 또한, 이들 게이트 절연막(62), 반도체층(63), 및 에치 스톱막(65)은 증착(CVD) 후에 레지스트 도포, 감광·현상, 포토 에칭을 실시함으로써, 도시하는 바와 같이 패터닝 된다. 또한 접합층(64a, 64b) 및 ITO로 이루어지는 화소 전극(19)도 마찬가지로 성막하는 동시에, 포토 에칭을 실시함으로써, 도시하는 바와 같이 패터닝된다. 또한, 화소 전극(19), 게이트 절연막(62) 및 에치 스톱막(65)상에 각각 뱅크(66…)를 돌설하고, 이들 뱅크(66…)간에 상술한 패턴 형성 장치(100)를 사용하여, 유기 은 화합물의 액적을 토출함으로써 소스선, 드레인선을 형성할 수 있다.
＜전자 기기＞
다음에, 본 발명의 전자 기기의 예에 대해서 설명한다. 도 12는 상술한 실시 형태에 의한 표시 장치를 구비한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터(정보 처리 장치)의 구성을 나타내는 사시도이다. 동일 도면에서, 퍼스널 컴퓨터(1100)는 키보드(1102)를 구비한 본체부(1104)와, 상술한 전기 광학 장치(1106)를 구비한 표시 장치 유닛으로 구성되어 있다. 이 때문에, 발광 효율이 높고 밝은 표시부를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다.
또한, 상술한 예에 더하여, 다른 예로서, 휴대 전화, 손목시계형 전자 기기, 액정 텔레비젼, 뷰 파인더형이나 모니터 직시형의 비디오테이프 레코더, 카내비게이션 장치, 페이져, 전자 수첩, 계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 전자 페이퍼, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 본 발명의 전기 광학 장치는 이러한 전자 기기의 표시부로서도 적용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 전자 기기는 액정 장치를 구비하는 것, 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치, 플라즈마형 표시 장치 등, 다른 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기로 할 수도있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 적합한 실시 형태예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않음은 말할 필요도 없다. 상술한 예에서 나타낸 각 구성부재의 제형상이나 조합 등은 일례이고, 본 발명의 주지로부터 일탈하지 않는 범위에서 설계 요구 등에 의하여 여러가지로 변경 가능하다.
본 발명에 의하면, 보관액을 사용한 보관 상태의 액적 토출 헤드를 재가동할 때, 액적 토출 동작에 영향을 끼치지 않고 기능액을 변질시키지 않고, 유로를 원활히 기능액으로 치환하여 양호하게 패턴 형성할 수 있는 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 소망의 기능을 갖는 기능액으로 양호한 액적 토출 동작하에서 형성된 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 기능액의 액적(液滴)을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서,
    상기 액적을 배치 가능한 액적 토출 헤드 및 그 액적 토출 헤드에 기능액을 공급하는 관부(管部)를 포함하는 유로를 순수(純水)로 치환하는 제1 치환 공정과,
    상기 순수와 상기 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 용매로 치환하는 제2 치환 공정과,
    상기 기능액에 함유되는 용매로 치환하는 제3 치환 공정과,
    상기 기판상에 상기 막패턴에 따른 뱅크를 형성하는 뱅크 형성 공정과,
    상기 뱅크간의 홈부에 상기 액적을 상기 액적 토출 헤드에 의해 배치하는 재료 배치 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  2. 기능액의 액적을 기판상에 배치함으로써 막패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법으로서,
    소정의 보관액이 충전된 상태의 액적 토출 헤드 및 그 액적 토출 헤드에 기능액을 공급하는 관부를 포함하는 유로를 상기 보관액을 용해하는 제1 용매로 치환하는 제1 치환 공정과,
    상기 제1 용매와 상기 기능액에 함유되는 용매의 쌍방을 용해하는 제2 용매로 치환하는 제2 치환 공정과,
    상기 기능액에 함유되는 용매로 치환하는 제3 치환 공정과,
    상기 기판상에 상기 막패턴에 따른 뱅크를 형성하는 뱅크 형성 공정과,
    상기 뱅크간의 홈부에 상기 액적을 상기 액적 토출 헤드에 의해 배치하는 재료 배치 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 치환 공정 후에, 상기 유로를 상기 기능액으로 치환하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기능액은 열처리 또는 광처리에 의해 도전성을 발현하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 형성 방법.
  5. 기판상에 막패턴을 형성하는 공정을 갖는 디바이스의 제조 방법에 있어서,
    제1항 또는 제2항 기재의 패턴의 형성 방법에 의해, 상기 기판상에 막패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  6. 제5항 기재의 디바이스의 제조 방법을 사용하여 제조된 디바이스를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제6항 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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