KR20040091103A - 유기 일렉트로루미네선스 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기 일렉트로루미네선스 표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20040091103A
KR20040091103A KR10-2004-7013875A KR20047013875A KR20040091103A KR 20040091103 A KR20040091103 A KR 20040091103A KR 20047013875 A KR20047013875 A KR 20047013875A KR 20040091103 A KR20040091103 A KR 20040091103A
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산요덴키가부시키가이샤
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Abstract

각 발광층의 경계 영역을 제2 절연층(18) 상의 표면에서 유리기판과 평행하게 되어 있는 영역에 형성한다. 또한 각 발광층의 위에는 전자 수송층(28)을 각각 독립적으로 형성한다. 각 전자 수송층(28)의 위에는 공통으로 불화리튬층(30) 및 전자 주입 전극(32)을 순차적으로 형성한다. 따라서, 전자 수송층(28)들의 경계는, 발광층들의 경계의 위에 일치하여 위치한다.

Description

유기 일렉트로루미네선스 표시장치 및 이의 제조방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY AND ITS MANUFACTURING METHOD}
유기 일렉트로루미네선스 표시장치(이하, 간단히 「유기 EL 표시장치」라고도 한다)는, 현재 널리 보급되어 있는 액정표시장치를 대신할 표시장치로서 기대되고 있으며, 실용화 개발이 진행되고 있다. 특히 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor :TFT)를 스위칭 소자로서 구비하는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시장치는 차세대 평면표시장치의 주역으로 생각되고 있다.
유기 EL 표시장치가 구비하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자(이하, 간단히 「유기 EL 소자」라고도 한다)는, 전자 주입 전극 및 홀 주입 전극으로부터 각각 전자와 홀을 발광층에 주입하고, 이들이 발광층과 홀 수송층과의 계면이나, 계면 부근의 발광층 내부에서 재결합하여, 유기분자를 여기상태로 하고, 이 유기분자가 여기상태로부터 기저상태로 되돌아갈 때 형광을 발광한다.
일반적으로, 유기 EL 소자의 형성에는 진공증착법이 이용되는 경우가 많다. 유기 EL 표시장치에서는, 액정표시장치와 달리, 유기 EL 소자 자체가 적색이나, 녹색, 청색 등 특정한 색의 광을 발한다. 따라서, 원하는 색을 발광하는 유기 EL 소자가 기판 상의 원하는 영역에 형성되도록 패터닝이 이루어질 필요가 있다. 일반적인 방법은, 기판 상에 개구부를 설치한 금속판 등으로 이루어지는 마스크를 설치하고, 증착원으로부터 증발한 재료를, 개구부를 통해서 선택적으로 증착시킨다.
그런데, 원하는 색을 발광하는 유기 EL 소자를 원하는 영역에 형성하기 위해서, 마스크를 기판에 설치하지만, 그 때 마스크의 위치 맞춤 어긋남이 발생하는 경우가 있다. 이 마스크의 어긋남에 의해, 예컨대 발광층 등이 어긋나서 형성되어 버려, 그 결과, 발광영역이 좁아지고 화소의 개구도가 저하하여, 제품의 양품률의 저하를 초래하는 경우가 있다. 또한, 유기 EL 소자의 위치 어긋남이 단선이나 단락의 원인이 되는 경우도 있다.
본 발명은, 다수의 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
상술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 적절한 실시형태, 및 그에 부수하는 이하의 도면에 의해서 더욱 분명해진다.
도 1은 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시장치의 평면도이고, 특히 적색, 녹색 및 청색의 3화소의 영역을 도시한 도면이다.
도 2는 실시형태에 관한, 적색, 녹색, 청색을 발광하는 3종류의 유기 EL 소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 유기 EL 소자의 단면구조를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 4는 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 3종류의 유기 EL 소자의 휘도의 경시변화를 도시한 도면이다.
도 5는 실시형태에 관한, 적색, 녹색, 청색을 발광하는 3종류의 유기 EL 소자의 변형예의 구조를 도시한 단면도이고, 전자 수송층이 3종류의 발광층 공통으로 형성되어 있는 도면이다.
따라서, 본 발명의 목적은, 유기 EL 표시장치를 제조할 때의, 유기 EL 소자가 형성되는 위치의 어긋남에 의한 표시에 대한 악영향을 배제하여, 제품의 양품률을 향상시키는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 어느 형태는, 유기 EL 표시장치에 관한 것이다. 이 유기 EL 표시장치는, 인접하여 형성되는 다수의 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 표시장치에서, 유기 EL 소자가 구비하는 발광층의 경계를, 유기 EL 소자가 포함되는 화소를 분리하는 영역에 구성된 소정의 구조와 겹치도록 설치한다. 여기서, 「화소를 분리하는 소정의 구조」로는, 유기 EL 표시장치가 구비하는 주사선이나 전력공급선, TFT 등을 예시할 수 있다.
본 발명의 다른 형태도, 유기 EL 표시장치에 관한 것이다. 이 유기 EL 표시장치는, 인접하여 형성되는 다수의 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 표시장치에서, 기판 상에 형성된 유기 EL 소자를 구동하는 능동소자와, 기판과 능동소자를 덮도록 형성된 제1 절연층과, 제1 절연층의 소정의 영역에 형성된 양극과, 능동소자의 위쪽의 영역으로서, 제1 절연층 및 양극 상의 소정의 영역에 형성된 제2 절연층과, 제1 절연층, 양극, 및 제2 절연층 상에 이들을 덮도록 형성된 홀 수송층과, 홀 수송층 상의 소정의 영역에, 인접하여 형성된 발광층이 이 순서대로 적층되어, 인접하는 발광층 사이에 발생하는 제1 경계가 제2 절연층 상에 형성된다.
여기서, 기판의 재질로서 투명하고 또한 절연성을 나타내는 유리나 아크릴수지를 예시할 수 있다. 또한, 능동소자로는 MIM (Metal Insulator Metal)구조의 소자나 TFT를 예시할 수 있다.
또한, 발광층의 상부에는, 인접하는 유기 EL 소자의 전자 수송층들의 경계인 제2 경계가 제1 경계와 겹치도록 전자 수송층이 적층되어도 된다. 또한, 능동소자는 TFT이더라도 된다.
일반적으로 유리로 이루어지는 기판 상에 TFT 및 배선이 형성된 후, 이들의 위에는 투명하고 또한 절연성인 아크릴수지 등으로 제1 절연층이 전면에 형성되고, 양극인 홀 주입 전극이 소정의 영역에 형성된다. 양극은, 제1 절연층에 형성된 콘택트 홀을 통하여, 제1 절연층 중에 존재하는 배선에 접속한다.
또한, TFT가 형성된 영역의 위쪽에 있고 제1 절연층 및 양극의 위에 제2 절연층이 국소적으로 형성되어, 유기 EL 소자가 형성되어야 하는 TFT 기판의 제작이완료된다. 유기 EL 소자의 형성에서, 우선 TFT 기판 전면에 홀 수송층이, 이어서 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 발광층이 각각 소정의 영역에 형성된다. 예컨대 발광층의 형성이 진공증착법에 의해 이루어지는 경우, 메탈 마스크 등을 사용하여, 소정의 영역에 발광층을 순차 선택적으로 형성한다. 이 때, 각 발광층의 경계가, 제2 절연층의 상부이고 또한 유리기판과 평행한 영역에 위치하도록 마스크의 위치를 조정하여, 발광층을 형성한다.
발광층에서 발생한 광은, 유리기판을 지나 외부에 투입된다. 제2 절연층과 유리기판의 사이에는 TFT가 존재하고, 이 영역은 광을 통과시키지 않는다. 즉, 화소의 발광영역은, 제2 절연층이 형성되지 않은 영역이 된다. 따라서, 이 영역에 발광층의 경계를 형성함으로써, 그 경계가 어긋났을 때의 발광에의 영향이 저감된다. 예컨대, 가령, 제2 절연층의 경계영역에 발광층들의 경계를 형성하면, 그 경계가 어긋난 경우, 표시영역이 좁아지고 개구도가 저하하거나, 색이 혼합되어 표시되는 것과 같은 영향이 발생하여 제품으로서 소정의 품질에 이르지 못하여, 즉 제품의 양품률이 저하할 가능성이 있다. 또한, 전자 수송층들의 경계인 제2 경계를, 발광층들의 경계인 제1 발광층들과 겹치도록 함으로써, 발광층과 전자 수송층을 연속하여 형성할 수 있다는 제조 프로세스 상의 효과가 얻어진다.
본 발명의 다른 형태는, 유기 EL 표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 이 제조방법은, 다수의 유기 EL 소자가 인접 배치되는 유기 EL 표시장치의 제조방법으로서, 기판 상의 소정의 영역에, 유기 EL 소자를 구동하는 능동소자를 형성하는 공정과, 기판 및 능동소자를 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과, 제1 절연층의 소정의 영역에 양극을 형성하는 공정과, 능동소자의 위쪽으로서, 제1 절연층과 양극 상의 소정 영역에 제2 절연층을 형성하는 공정과, 제1 절연층, 제2 절연층, 및 양극 상에 이들을 덮도록 홀 수송층을 형성하는 공정과, 홀 수송층 위의 소정 영역에 인접하여 형성되는 발광층과의 제1 경계가 제2 절연층 위가 되도록 해당 유기 EL 소자의 발광층을 형성하는 공정을 포함한다.
또한, 다수의 발광층 상에 공통으로 전자 수송층을 형성하여도 된다. 또한, 발광층의 상부에, 인접하여 형성되는 전자 수송층과의 제2 경계가 제1 경계의 상부에 겹치도록, 해당 유기 EL 소자의 전자 수송층을 형성하여도 된다. 또한, 발광층을 형성하는 공정과, 전자 수송층을 형성하는 공정은, 동일 색을 발광하는 화소마다 연속하여도 된다. 또한, 능동소자가 TFT이더라도 된다.
상술한 바와 같이, 진공증착법을 이용하여 유기 EL 소자 장치를 제조하는 경우, 발광층을 형성할 때, 적색, 녹색, 청색의 발광층을 마스크를 이용하여 기판 상의 소정 영역에 순차 선택적으로 형성한다. 그 후, 재차 마스크를 이용하여 각 발광층의 위에 전자 수송층을 형성한다. 이 방법으로는, 발광층들의 제1 경계와, 전자 수송층들의 제2 경계가 어긋나는 경우가 있다. 본 발명에서는, 이 어긋남을 회피하기 위해서, 예컨대 적색의 발광층을 형성한 뒤, 마스크를 그대로 하여 연속하여 전자 수송층을 형성한다. 녹색과 청색의 발광층, 및 이들의 전자 수송층도 동일하게 형성한다.
또, 광의 출사방향이 유리기판 측이 아니라, 본 도면에서 위쪽이 되는, 소위 톱 에미션 방식이라고 불리는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치가 있다. 이 방식의 유기 일렉트로루미네선스 표시장치에서는, 능동소자의 위의 적층구조는, 상술한 구조와는 반대로 되는 경우가 있다. 즉, 능동소자 측으로부터 차례로, 전자 주입 전극인 음극, 전자 수송층, 발광층, 홀 수송층, 양극이 적층되는 구조가 된다. 따라서, 그 경우, 제2 절연층은 양극이 아니라 음극을 덮는다.
본 발명의 다른 형태는, 유기 일렉트로루미네선스 표시장치에 관한 것이다. 이 유기 일렉트로루미네선스 표시장치는, 인접하여 형성되는 다수의 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구비하고, 기판 상에 형성된 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구동하는 능동소자와, 기판과 능동소자를 덮도록 형성된 제1 절연층과, 제1 절연층의 소정 영역에 능동소자와 콘택트부를 갖도록 형성된 전극과, 능동소자의 위쪽의 영역으로서, 제1 절연층 및 전극의 주변부 및 콘택트부를 덮도록 형성된 제2 절연층이 적층된다.
본 실시형태에서는, 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시장치의 인접하는 화소의 유기 EL 소자들의 경계를 적절하게 설정한다. 여기서는 특히, 그 경계를 화소의 표시에 영향이 없는 영역에 형성한다.
도 1은 일 화소가 각각 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 표시장치의, 상기 3색의 화소영역의 평면도의 개략을 도시하고 있다. 왼쪽으로부터 순서대로, 적색의 발광층을 구비하는 적색화소(Rpix), 녹색의 발광층을 구비하는 녹색화소(Gpix), 및 청색의 발광층을 구비하는 청색화소(Bpix)가 형성되어 있다.
각 화소의 구성은 평면도에서는 동일하다. 일 화소는 게이트 신호선(51)과 드레인 신호선(52)으로 둘러싸인 영역에 형성된다. 양 신호선의 좌측 위의 교점 부근에는 스위칭 소자인 제1 TFT(130)가, 또한 중앙 부근에는 유기 EL 소자를 구동하는 제2 TFT(140)가 형성된다. 또한, 인듐산화주석(Indium Tin Oxide: ITO)으로 이루어지는 홀 주입 전극(12)이 형성되는 영역에 유기 EL 소자가 섬형상(島狀)으로 형성된다.
도 2는 본 실시형태에 관한 적색, 녹색 및 청색의 화소를 구비하는 유기 EL표시장치의 단면구조를 도시하고 있고, 특히 도 1에 도시한 A-A 단면에서의 단면구조를 도시하고 있다.
유리기판(10)상에 능동층(11)이 형성되고, 그 능동층(11)의 일부가 유기 EL 소자를 구동하는 데에 필요한 제2 TFT(140)로서 형성된다. 그 위에, 절연막(13), 제1 절연층(15)이 형성된다. 그 위에 투명한 홀 주입 전극(12) 및 절연성인 제2 절연층(18)이 형성된다.
홀 주입 전극(12)의 재료로서, ITO 외에 산화주석(SnO2)이나 산화인듐(In2O3)을 예시할 수 있다. 또한, 제1 절연층(15)의 재료로서, 아크릴수지를 예시할 수 있다.
또한, 제2 TFT(140)는 제2 절연층(18)의 아래에 형성되어 있다. 여기서, 제2 절연층(18)은 홀 주입 전극(12)의 전면에 형성되는 것이 아니라, 제2 TFT(140)가 형성되는 영역에 그것을 덮도록, 또한 제2 절연층(18)의 형상으로 홀 주입 전극(12)이나 후술하는 각 막 층이 단선하지 않도록 국소적으로 형성된다. 또한, 홀 주입 전극(12)의 주변부분, 특히 에지가 노출하고 있는 부분에서 전계집중이 발생하여, 단락의 원인이 되는 경우가 있다. 그래서, 제2 절연층(18)은, 홀 주입 전극(12)의 주변부분과, 본 도면에서 V자 형상을 나타내는 홀 주입 전극(12)의 콘택트부를 덮도록 형성된다.
다음으로, 홀 주입 전극(12) 및 제2 절연층(18)을 덮도록 홀 수송층(16)이 형성된다. 그 위에는 다시, 적색발광층(22), 녹색발광층(24) 및 청색발광층(26)이 소정의 영역에 형성된다.
여기서, 홀 수송층(16)의 재료로서, N,N’-디(나프탈렌-1-일)-N,N’-디페닐-벤지딘(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine)이나 4,4’,4”-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine : MTDATA)나, N,N’-디페닐-N,N’-디(3-메틸페닐)-1,1’-비페닐-4,4’-디아민(N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-1-1’-biphenyl-4,4’-diamine) 등을 예시할 수 있다.
(화학식 1)
(화학식 2)
또한, 적색발광층(22), 및 녹색발광층(24)의 호스트 재료로서, 예컨대 알루미퀴놀린착체(Alq3)나 비스(벤조퀴놀리노라트)베릴륨착체(BeBq2) 등의 하나의 금속이온에 다수의 배위자(配位子)가 배위된 킬레이트 금속착체가 널리 이용되고 있다.
(화학식 3)
(화학식 4)
일반적으로, 킬레이트 금속착체를 발광층의 재료로 하여 형성되는 유기 EL 소자는, 짧은 파장의 색, 즉 청색의 발광에 과제가 있고, 그 때문에 청색의 발광층에는, 일본국 특개 2002-25770호 공보에 개시되어 있는 하기 식으로 도시하는 tert-부틸 치환 디나프틸안트라센 등
(화학식 5)
과 같은 아세톤 및 그 유도체, 또한 디스틸벤젠 및 그 유도체 등이 호스트로서 이용되는 경우가 있다.
또한, 각 발광층은, 상술한 킬레이트 금속착체나 축합다환방향족(縮合多環芳香族)을 호스트로 하여, 루브렌(Rubrene) 등의 도펀트(dopant)를 도핑시킴으로써 원하는 발광특성이 얻어진다.
(화학식 6)
각 발광층간에 생기는 경계영역은 제2 절연층(18) 상의 표면에서 유리기판과 평행하게 되어 있는 영역에 형성된다. 또한, 각 발광층의 위에는 전자 수송층(28)이 각각 독립적으로 형성된다. 전자 수송층(28)의 재료로서, ALq3나 BeBq2 등의 킬레이트 금속착체를 예시할 수 있다. 또한 각 전자 수송층(28)의 위에는 공통으로 불화리튬층(30) 및 전자 주입 전극(32)이 순차적으로 형성된다. 따라서, 전자 수송층(28)간에 생기는 경계는, 발광층간에 생긴 경계의 위에 겹쳐져 형성된다. 여기서, 전자주입전극(32)의 재료로서, 알루미늄이나 리튬을 미량으로 포함하는 알루미늄합금, 마그네슘인듐합금, 마그네슘은합금 등을 예시할 수 있다. 또한 전자주입전극(32)으로서 전자 수송층(28)에 접하는 측에 불화리튬의 층과 그 위에 알루미늄에 의한 층이 형성되는 2층 구조의 전극도 예시할 수 있다.
도 3에, 본 발명의 특징적인 구조를 가지는 유기 EL 소자의 단면구조와, 종래의 구조를 갖는 유기 EL 소자의 단면구조를 모식적으로 도시한다. 여기서는, 대표예로서 적색발광층(22)을 구비하는 유기 EL 소자에 관해서 서술하고 있으며, 설명을 간편하게 하기 위해서 도 2에 도시한 구조의 일부를 생략하고 있다. 도 3(a)는 본 발명에 특징적인 적색발광층(22)의 경계가 제2 절연층(18) 상에 형성된 구조이고, 실제의 발광영역보다 광범위하게 적색발광층(22)이나 전자 수송층(28)이 형성되어 있기 때문에, 이들 각 층의 위치가 다소 어긋나더라도 실제의 발광영역을 좁게 하는 일은 없다.
도 3(b)는 적색발광층(22)이 발광영역 상의 거의 동일한 영역에 형성된 종래의 구조이다. 또한 도 3(c)는 종래의 구조에서 유기 EL 소자를 형성할 때에, 마스크의 위치 어긋남에 의해 적색발광층(22)의 형성 위치가 어긋난 예를 도시하고 있다. 이와 같이, 종래의 구조에서는, 적색발광층(22)이 형성되는 위치가 조금 어긋난 것만으로도 발광영역이 좁아진다. 이 어긋남은, 마스크의 위치 어긋남에 기인하고 있기 때문에, 표시장치 전체에 걸쳐 적색의 휘도가 작아져, 표시 장치의 화이트 밸런스가 무너지게 된다. 따라서 이 표시장치는 제품으로서 불량이 되어, 제품의 양품률이 저하한다.
여기서, 표시장치의 화이트 밸런스에 관해서 착안한다. 표시장치에서는, 백색의 재현성이 중요하다. 컬러 텔레비전의 방송방식인 NTSC (National Television System Committee)규격의 기준백색의 색 온도는, CIE 표준광원인 C광원의 6740K 이다. 컴퓨터용의 표시장치의 경우, 색 온도는 더욱 높고, 일반적으로는 6000K 에서 10000K의 색 온도가 요구되고 있다. 이, 백색의 색 온도는, 적색, 녹색 및 청색의 합성에 의해 표현된다. 예컨대, 유기 EL 발광의 색도 좌표 (X, Y)가, 적(0.65, 0.34), 녹(0.30, 0.63), 청(0.17, 0.17)인 경우, NTSC의 백색 6740K (0.31, 0.32)를 실현하기 위해서는, 휘도 비율은, 적 : 녹 : 청=0.25 : 0.46 : 0.29가 된다.
표시장치에서, 백색의 재현성을 높이기 위해서는, 이 휘도 비율을 유지할 필요가 있다. 따라서, 계속하여 표시장치를 사용한 경우라도 이 휘도 비율의 변화가 최소가 되는 것과 같은 재료 및 소자구조를 이용할 필요가 있다. 종래의 유기 EL 소자의 경우, 발광하는 색에 의해서 유기 EL 소자의 수명에 차가 있어, 표시장치의 제조 초기 단계에서는 화이트 밸런스가 조정되어 있어도, 경시적으로 적색으로 착색한다는 과제가 있었다.
도 4는, 적색발광층(22), 녹색발광층(24) 및 청색발광층(26)이 하기의 재료로 이루어지는 3색의 유기 EL 소자의 휘도의 경시 변화를 도시하고 있다. 적색발광층(22)은, Alq3을 호스트로 하여, 2%의 하기 (화학식 7)에서 특정되는 화학물질과 10%의 루브렌이 도핑되어 있다. 또한, 녹색발광층(24)은, Alq3을 호스트로 하여, 1%의 퀴나크리돈(Quinacridone) 유도체와, 10%의 tert-부틸치환디나프틸안트라센이 도핑되어 있다. 또한, 청색발광층(26)은, tert-부틸치환디나프틸안트라센을 호스트로 하여 2%의 tert-부틸치환페릴렌(TBP)이 도핑되어 있다. 또한, 적색발광층(22), 녹색발광층(24), 및 청색발광층(26)의 막 두께는 37.5㎚이고, 각 발광층의 위에는 다시 전자 수송층(28)이 막 두께 37.5㎚로 형성되어 있다.
(화학식 7)
(화학식 8)
여기서, 초기단계의 휘도를 100%로 하여, 100시간 및 500시간 경과한 시점의 각 유기 EL 소자의 휘도의 변화를 도시하고 있다. 예컨대, 500시간 경과한 시점, 적색, 녹색 및 청색의 각 유기 EL 소자의 휘도는 각각 89, 91, 및 90%의 휘도로 되어 있고, 화이트 밸런스가 거의 유지되고 있음을 확인할 수 있다. 이와 같이, 상술한 것과 같은 재료를 이용한 적색, 녹색 및 청색의 발광층을 조합함으로써, 표시장치가 경시적으로 착색한다는 과제를 극복할 수 있다.
또한, 상술한 제2 절연층(18) 상에 각 발광층의 경계를 형성하는 적층 구조의 유기 EL 소자를 실현하기 위해서, 멀티챔버형 유기 EL 제조장치에서 각 발광층과 그에 대응하는 전자 수송층(28)이 한 조로서, 각각 상이한 형성실에서 형성된다. 즉, 예컨대 어떤 형성실에서 적색발광층(22)과 전자 수송층(28)이 연속하여형성되고, 이어서 다른 형성실에 이동하여 녹색발광층(24)과 전자 수송층이 연속하여 형성된다. 마찬가지로, 형성실을 이동하여, 청색발광층(26) 및 전자 수송층(28)이 연속하여 형성된다. 이에 의해, 종래의 3종류의 발광층을 동일 형성실에서 형성한 경우에 나타난, 도펀트의 크로스 컨테미네이션이 회피된다.
또한, 도 2에 도시한 유기 EL 표시장치의 단면구조에서는, 전자 수송층(28)은, 3종류의 발광층의 상부에 각각 독립하여 형성되었으나 이에 한정되는 취지가 아니다. 예컨대, 도 5에 도시하는 것과 같이, 전자 수송층(28)은, 3종류의 발광층의 상부에 공통으로 형성되어도 된다.
이상, 본 실시형태에 의하면, 각 발광층의 경계를 제2 절연층(18) 상에 형성함으로써, 발광층이 형성되는 위치가 어긋난 경우의 표시에서의 영향이 흡수된다. 여기서는, 제2 절연층(18)의 아래에는 제2 TFT(140)가 형성되어 있다. 통상적으로, 홀 주입 전극(12)이 설치되어 있지 않은 제2 절연층(18) 상에 형성된 영역에서는, 유기 EL 소자는 대부분 발광하지 않는다. 그 때문에 제2 절연층(18) 상에서 발광층의 형성이 어긋나더라도, 외부에 투광되지 않으므로 제품으로서의 영향은 없다. 따라서, 발광층의 어긋남이 원인으로 제품이 불량이 되는 것이 저하하여, 제품의 양품률이 향상한다.
또한, 각 색의 발광층과 이들의 위에 형성되는 전자 수송층이 연속하여 형성됨으로써, 종래 발생하고 있던 발광층으로의 재료의 크로스 컨테미네이션을 억제할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은, 유기 일렉트로루미네선스 표시장치 및 그 제조방법에 이용 가능하다.

Claims (11)

  1. 인접하여 형성되는 다수의 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치에 있어서, 상기 유기 일렉트로루미네선스 소자가 구비하는 발광층의 경계를, 상기 유기 일렉트로루미네선스 소자가 포함되는 화소를 분리하는 영역에 구성된 구조와 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치.
  2. 인접하여 형성되는 다수의 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치에 있어서, 기판 상에 형성된 상기 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구동하는 능동소자와, 상기 기판과 상기 능동소자를 덮도록 형성된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층의 소정의 영역에 형성된 양극과, 상기 능동소자의 위쪽의 영역으로서, 상기 제1 절연층 및 상기 양극 상의 소정의 영역에 형성된 제2 절연층과, 상기 제1 절연층, 상기 양극, 및 상기 제2 절연층 상에 이들을 덮도록 형성된 홀 수송층과, 상기 홀 수송층 상의 소정의 영역에, 인접하여 형성된 발광층이 이 순서로 적층되고, 인접하는 상기 발광층 간에 생기는 제1 경계가 상기 제2 절연층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다수의 발광층 상에 공통으로 전자 수송층이 적층되는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광층 상에 전자 수송층이 적층되고, 인접하는 전자 수송층 간에 생기는 제2 경계가 상기 제1 경계의 상부에 겹치도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 능동소자는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치.
  6. 인접하여 형성되는 다수의 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치의 제조방법으로서, 기판 상의 소정의 영역에, 상기 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구동하는 능동소자를 형성하는 공정과, 상기 기판 및 상기 능동소자를 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제1 절연층의 소정의 영역에 양극을 형성하는 공정과, 상기 능동소자의 위쪽으로서, 상기 제1 절연층과 상기 양극상의 소정의 영역에 제2 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 양극 상에 이들을 덮도록 홀 수송층을 형성하는 공정과, 상기 홀 수송층의 위의 소정 영역에 발광층을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 발광층을 형성하는 공정은, 인접하는 상기 발광층 간에 생기는 제1 경계를 상기 제2 절연층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 다수의 상기 발광층 상에 공통으로 전자 수송층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치의 제조방법
  8. 제7항에 있어서, 상기 발광층의 상부에, 전자 수송층을 형성하는 공정을 더 포함하고, 인접하는 전자 수송층 간에 생기는 제2 경계를, 상기 제1 경계 상에 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치의 제조방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 공정과, 상기 전자 수송층을 형성하는 공정은, 동일 색을 발광하는 화소마다 연속하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치의 제조방법.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 능동소자가 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치의 제조방법
  11. 인접하여 형성되는 다수의 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치에 있어서, 기판 상에 형성된 상기 유기 일렉트로루미네선스 소자를 구동하는 능동소자와, 상기 기판과 상기 능동소자를 덮도록 형성된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층의 소정의 영역에 상기 능동소자와 콘택트부를 갖도록 형성된 전극과, 상기 능동소자의 위쪽의 영역으로서, 상기 제1 절연층 및 상기 전극의 주변부 및 상기 콘택트부를 덮도록 형성된 제2 절연층이 적층된 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 표시장치.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100669757B1 (ko) * 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4703363B2 (ja) * 2005-10-24 2011-06-15 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2007188653A (ja) 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
US8768629B2 (en) 2009-02-11 2014-07-01 Caris Mpi, Inc. Molecular profiling of tumors
US20100113299A1 (en) * 2008-10-14 2010-05-06 Von Hoff Daniel D Gene and gene expressed protein targets depicting biomarker patterns and signature sets by tumor type
MX2008014608A (es) 2006-05-18 2009-03-31 Molecular Profiling Inst Inc Sistema y metodo para determinar la intervencion medica individualizada para un estado de enfermedad.
JP4438782B2 (ja) * 2006-08-23 2010-03-24 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
JP2008152156A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
KR100858824B1 (ko) * 2007-05-31 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7977872B2 (en) * 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
CN107254538A (zh) 2008-11-12 2017-10-17 卡里斯生命科学瑞士控股有限责任公司 使用外来体来确定表现型的方法和系统
AU2011223789A1 (en) 2010-03-01 2012-09-20 Caris Life Sciences Switzerland Holdings Gmbh Biomarkers for theranostics
CA2795776A1 (en) 2010-04-06 2011-10-13 Caris Life Sciences Luxembourg Holdings, S.A.R.L. Circulating biomarkers for disease
JP2012114073A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR101454752B1 (ko) * 2011-12-09 2014-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치 및 그 제조 방법
JP7352722B2 (ja) 2020-03-11 2023-09-28 シャープ株式会社 表示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2734464B2 (ja) * 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP3496537B2 (ja) * 1997-10-17 2004-02-16 東レ株式会社 有機電界発光装置
JP3206646B2 (ja) 1998-01-22 2001-09-10 日本電気株式会社 多色発光有機ｅｌパネルおよびその製造方法
US6541918B1 (en) 1998-03-12 2003-04-01 Seiko Epson Corporation Active-matrix emitting apparatus and fabrication method therefor
JPH11307268A (ja) 1998-04-24 1999-11-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子およびその製造方法
JP2000228284A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP3691313B2 (ja) * 1998-12-01 2005-09-07 三洋電機株式会社 表示装置
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
JP2001256687A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Tosoh Corp 光記録媒体
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
JP2002015866A (ja) 2000-06-30 2002-01-18 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示体の製造方法
JP2002151269A (ja) * 2000-08-28 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP4101503B2 (ja) 2000-12-12 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2002216955A (ja) 2001-01-16 2002-08-02 Sony Corp 有機電界発光表示装置およびその製造方法
JP4593019B2 (ja) * 2001-06-25 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003017255A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP3819789B2 (ja) * 2002-03-05 2006-09-13 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
TW595254B (en) * 2002-03-29 2004-06-21 Sanyo Electric Co Electroluminescense display device

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Publication number Publication date
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