KR20130005853A

KR20130005853A - 유기발광소자

Info

Publication number: KR20130005853A
Application number: KR1020110067498A
Authority: KR
Inventors: 허정행; 이희동; 이세희; 송대권; 임동혁; 김동헌; 김태식
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2011-07-07
Filing date: 2011-07-07
Publication date: 2013-01-16
Also published as: KR101744874B1

Abstract

본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로, 특히 유기발광층의 정공수송막의 면적에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 유기발광층의 정공수송막의 면적을 전자수송막에 비해 작게 형성하는 것이다.
이를 통해, 제 2전극과 정공수송막이 서로 접촉하게 되는 문제점을 방지할 수 있어, 유기전계 발광다이오드의 발광효율이 저하되거나, 휘점과 같은 시안 현상이 발생되어 소비전력이 증가되는 문제점 그리고 또한, 암점발생 및 유기전계발광 다이오드의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

Description

유기발광소자{Organic light emitting diodes}

본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로, 특히 유기발광층의 정공수송막의 면적에 관한 것이다.

최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.

위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.

그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.

특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.

이러한 OLED는 유기전계발광 다이오드를 통해 발광하는 자발광소자로서, 유기전계발광 다이오드는 유기발광현상을 통해 발광하게 된다.

도 1은 일반적인 유기발광현상에 의한 발광원리를 갖는 유기전계발광 다이오드의 밴드다이어그램이며, 도 2는 시안 현상이 발생된 시뮬레이션 사진이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 유기전계발광 다이오드(10)는 애노드 및 캐소드전극(21, 25)과 이들 사이에 위치하는 정공수송막(hole transport layer : HTL)(33)과 전자수송막(electron transport layer : ETL)(35) 그리고 정공수송막(33)과 전자수송막(35) 사이로 개재된 발광막(emission material layer : EML)(40)으로 이루어진다.

그리고, 발광 효율을 향상시키기 위하여 애노드전극(21)과 정공수송막(33) 사이로 정공주입막(hole injection layer : HIL)(37)이 개재되며, 캐소드전극(25)과 전자수송막(35) 사이로 전자주입막(electron injection layer : EIL)(39)이 개재된다.

이러한 유기전계발광 다이오드(10)는 애노드전극(21)과 캐소드전극(25)에 각각 양(+)과 음(-)의 전압이 인가되면 애노드전극(21)의 정공과 캐소드전극(25)의 전자가 발광막(40)으로 수송되어 엑시톤을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이될 때 빛이 발생되어 발광막(40)에 의해 가시광선의 형태로 방출된다.

한편, 전술한 바와 같은 구조를 갖는 유기전계발광 다이오드(10)를 포함하는 OLED는, 유기전계발광 다이오드(10)의 정공수송막(33)이 캐소드전극(25)과 접촉하게 됨으로써, 발광막(40)의 발광효율이 저하됨에 따라, 도 2에 도시한 바와 같이 녹색화소 및 청색화소에 비해 적색화소의 휘도 특성이 낮아 휘점과 같은 시안(cyan) 현상이 나타나게 된다.

이에 따라, 동일한 휘도를 구현하기 위해서는 적색화소에 더 많은 전류를 인가시켜야 하거나, 이는 유기전계발광 다이오드(10)의 소비전력을 증가시키는 문제점을 야기하게 된다.

그리고, 시안 현상은 시간이 경과하게 되면, 발광막(40)의 열화를 가속시켜 급기야는 화소를 암점으로 변하게 하는 문제점을 야기하게 되며, 이러한 화질 불균일뿐 아니라, 발광막(40)의 열화로 인해 유기전계발광 다이오드(10)의 수명을 단축시키는 문제점을 야기하게 된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, OLED의 시안(cyan) 현상 및 암점 현상 그리고 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지하고자 하는 것을 제1 목적으로 한다.

그리고, OLED의 소비전력이 향상되는 것을 방지하고자 하는 것을 제 2 목적으로 하며, 이를 통해, OLED의 표시품질 및 신뢰성을 향상시키고자 하는 것을 제 3 목적으로 한다.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 구동 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과, 상기 제1 전극과 대향하는 제 2 전극과; 상기 제 1 전극 상에 위치하며, 제 1 면적을 갖는 정공수송막과; 상기 정공수송막 상에 위치하는 발광막과; 상기 발광막과 상기 제 2 전극 사이에 개재되며, 상기 제 1 면적에 비해 큰 제 2 면적을 갖는 전자수송막을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.

이때, 상기 제 1 면적의 일 가장자리와 상기 제 1 면적의 일 가장자리와 대응되는 상기 제 2 면적의 일 가장자리의 사이의 간격은 50 ~ 60㎛이며, 상기 전자수송막이 상기 정공수송막을 완전히 덮어 감싼다.

그리고, 상기 제 1 전극과 상기 정공수송막 사이에 정공주입막이 개재되며, 상기 제 2 전극과 상기 전자수송막 사이에 전자주입막이 개재되며, 상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층과, 게이트전극, 소스 및 드레인전극을 포함한다.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 유기발광층의 정공수송막의 면적을 전자수송막의 면적에 비해 작은 면적을 갖도록 형성함으로써, 제 2전극과 정공수송막이 서로 접촉하게 되는 문제점을 방지할 수 있어, 유기전계발광 다이오드의 발광효율이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

이를 통해, 휘점과 같은 시안 현상의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있으며, 시안 현상의 발생을 방지하기 위하여 소비전력을 증가시켜야 하는 문제점을 방지할 수 있는 효과가 있다.

또한, 암점 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 유기전계발광 다이오드의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 일반적인 유기발광현상에 의한 발광원리를 갖는 유기전계발광 다이오드의 밴드다이어그램.
도 2는 시안 현상이 발생된 시뮬레이션 사진.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 도 3의 OLED의 유기전계발광 다이오드를 확대 도시한 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 정공수송막 형성용 쉐도우마스크의 개구부와 정공수송막의 면적을 비교하기 위한 평면도.
도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 정공수송막의 면적과 전자수송막의 면적을 비교하기 위한 평면도.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4는 도 3의 OLED의 유기전계발광 다이오드를 확대 도시한 단면도이다.

설명에 앞서, OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 하부 발광방식은 안정성 및 공정이 자유도가 높아, 하부 발광방식에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이하 본 발명의 OLED(100)는 하부 발광방식이다.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 OLED(100)의 화소영역(P)에는 다수의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된다.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, OLED(100)의 화소영역(P)의 기판(101) 상에는 반도체층(103)이 형성되는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103b) 그리고 액티브영역(103b) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103a, 103c)으로 구성된다.

이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있으며, 게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103b)에 대응하여 게이트전극(107)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다.

그리고, 게이트전극(107)과 게이트배선(미도시)의 상부 전면에 제 1 층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103b) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103a, 103c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 구비한다.

다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103a, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(113, 115)이 형성되어 있다.

그리고, 소스 및 드레인전극(113, 115)과 두 전극(113, 115) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(109a) 상부로 드레인전극(115)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는 제 2 층간절연막(109b)이 형성되어 있다.

이때, 소스 및 드레인 전극(113, 115)과 이들 전극(113, 115)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(103a, 103c)을 포함하는 반도체층(103)과 반도체층(103) 상부에 형성된 게이트절연막(105) 및 게이트전극(107)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다.

그리고, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 도면에서는 반도체층(103)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로서 보이고 있으며, 이의 변형예로서 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다.

또한, 제 2 층간절연막(109b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(211)과 유기발광층(213) 그리고 제 2 전극(215)이 순차적으로 형성되어 있다.

제 1 전극(211)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(115)과 연결되며, 제 1 전극(211)은 각 화소영역(P)별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(211) 사이의 비화소영역에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다.

즉, 뱅크(119)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(119)를 각 화소영역(P) 별 경계부로 하여 제 1 전극(211)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다.

이와 같은 경우에, 제 1 전극(211)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하는 것이 바람직하다.

그리고, 제 2 전극(215)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 제 1 전극(211)에 비해 일함수 값이 낮은 도전성 물질로 이루어지며, 제 2 전극(215)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착하여 사용한다.

여기서, 제 2 전극(215)은 일함수 값이 제 1 전극(211)에 비해 비교적 낮은 금속물질인 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄 마그네슘 합금(AlMg) 중에서 선택된 하나의 물질을 포함한다.

유기발광층(213)은 정공주입막(hole injection layer : 227), 정공수송막(hole transporting layer : 223), 발광막(emitting material layer : 230), 전자수송막(electron transporting layer : 225) 및 전자주입막(electron injection layer : 229)으로 이루어진다.

이에, OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(211)과 제 2 전극(215)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(211)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(215)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(213)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태의 백색광이 방출된다.

이렇게 유기발광층(213)에서 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(211)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.

한편, 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광층(213)에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 유기전계발광 다이오드(E)는 애노드전극인 제 1 전극(211)과 유기발광층(213) 그리고 캐소드전극인 제 2 전극(215)으로 이루어지며, 이때 유기발광층(213)은 정공수송막(223), 발광막(230), 전자수송막(225)으로 이루어진다.

여기서, 전자와 정공을 발광막(230)으로 보다 효과적으로 전달되도록 함으로써 발광효율을 높이기 위해 제 1 전극(211)과 정공수송막(223) 사이로 정공주입막(227)을 더욱 형성하며, 제 2 전극(215)과 전자수송막(225) 사이로 전자주입막(229)을 더욱 형성하는 것이 바람직하다.

이렇게, 정공수송막(223)과 제 1 전극(211) 사이에 정공주입막(227)을 더욱 형성하며, 제 2 전극(215)과 전자수송막(225) 사이에 전자주입막(229)을 더욱 형성하게 되면, 정공주입막(227)과 전자주입막(229)이 정공 주입에너지 및 전자 주입에너지의 장벽을 낮추는 역할을 하여, 발광효율을 증가시키고 구동 전압을 낮추게 된다.

따라서, 유기전계발광 다이오드(E)는 제 1 전극(211)과 제 2 전극(215)에 각각 양(+)과 음(-)의 전압이 인가되면 제 1 전극(211)의 정공과 제 2 전극(215)의 전자가 발광막(230)으로 수송되어 엑시톤을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이될 때 빛이 발생되어 발광막(230)에 의해 가시광선의 형태로 방출하게 된다.

특히, 본 발명의 유기발광층(213)은 정공수송막(223)의 면적이 전자수송막(225)의 면적(B)에 비해 작은 면적(A)을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 전자수송막(225)은 정공수송막(223)을 완전히 덮어 감싸도록 형성되어, 이를 통해 제 2전극(215)과 정공수송막(223)이 서로 접촉하게 되는 문제점을 방지할 수 있다.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 정공수송막(223)은 정공수송막(223) 상부에 형성되는 발광막(230), 전자수송막(225) 및 전자주입막(229)에 비해 약 2배 이상으로 두껍게 형성됨에 따라, 증착시간이 다른 박막 증착시간에 비해 길어지게 되고, 이를 통해 정공수송막(223)을 증착하는 과정에서 초기 설계과정에서 설계되어 있는 면적에 비해 더욱 넓은 면적을 갖도록 형성된다.

따라서, 정공수송막(223)의 면적이 발광막(230), 전자수송막(225) 및 전자주입막(229)에 비해 넓은 면적으로 형성되게 됨으로써, 전자주입막(229) 상부에 형성되는 제 2 전극(215)과 정공수송막(223)이 서로 접촉하게 되는 것이다.

정공수송막(223)과 제 2 전극(215)이 접촉하게 될 경우, 낮은 구동전압에서는 큰 영향이 없으나, 구동전압이 커질 경우 제 2 전극(215)으로부터 전달된 전자가 전자주입막(229) 및 전자수송막(225)을 거쳐 발광막(230)으로 전달되지 않고 정공수송막(223)으로 바로 전달되어 버리는 문제점이 발생하게 되는 것이다.

따라서, 발광막(230)에서 전자와 정공이 수송되어 엑시톤을 이루는 양이 적어지게 되고, 이를 통해 유기전계발광 다이오드(E)의 발광효율이 저하되는 문제점을 야기하게 된다.

이를 통해, 휘점과 같은 시안 현상이 발생하게 되며, 시안 현상의 발생을 방지하기 위하여 소비전력을 증가시켜야 하는 문제점을 야기하게 된다.

또한, 시안 현상은 발광막(230)의 열화를 가속시키게 됨으로써 화소를 암점으로 변하게 하거나, 발광막(230)의 열화로 인해 유기전계발광 다이오드(E)의 수명을 단축시키게 되는 문제점을 야기하게 된다.

따라서, 본 발명의 OLED(100)는 유기전계발광 다이오드(E)의 정공수송막(223)의 면적(A)을 전자수송막(225)의 면적(B)에 비해 작게 형성함으로써, 정공수송막(223)과 제 2 전극(215)이 서로 접촉하게 되는 것을 방지함으로써, 위와 같은 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다.

여기서, 정공수송막(223)의 면적(A)을 전자수송막(225)의 면적(B)에 비해 작은 면적을 갖도록 형성하기 위해서는 초기 설계과정에서부터 정공수송막(223)의 면적(A)을 작게 설계하는 것이 바람직한데, 이에 대해 도 5a ~ 5b를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.

도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 정공수송막 형성용 쉐도우마스크의 개구부와 정공수송막의 면적을 비교하기 위한 평면도이며, 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 정공수송막의 면적과 전자수송막의 면적을 비교하기 위한 평면도이다.

설명에 앞서, 유기전계발광 다이오드(도 4의 E)의 구성요소인 정공주입막(도 4의 227), 정공수송막(도 4의 223), 발광막(도 4의 230), 전자수송막(도 4의 225) 및 전자주입막(도 4의 229) 등과 같은 유기박막은 통상 진공열증착방법을 통해 형성하는데, 진공열증착방법은 진공챔버(미도시) 내부에서 유기물(미도시)이 분말상태로 담겨져 있는 도가니(미도시)에 열을 가해, 유기물(미도시)을 가열 승화시켜 증착하게 된다.

여기서, 진공열증착방법은 다수의 개구부(200)를 갖는 쉐도우마스크(미도시)를 유기박막을 증착시키기 위한 기판(도 4의101)과 근접하여 위치시킨 후, 분말상태의 유기물(미도시)이 담긴 도가니(미도시)와, 도가니(미도시)에 설치되어 유기물을 가열 승화시키기 위한 히터(heater)를 포함하는 진공증착장비에 의해 진행된다.

이때, 쉐도우마스크(미도시)의 개구부(200)의 측면 프로파일이 오목하게 형성된 구조를 갖도록 형성되기 때문에, 쉐도우마스크(미도시)에 설계된 개구부(200)의 면적에 비해 형성되는 유기발광패턴의 면적이 작게 형성된다.

즉, 도 5a에 도시한 바와 같이 정공수송막용 쉐도우마스크(미도시)의 개구부(200)는 제 1 면적을 갖도록 설계되어 있으나, 이러한 정공수송막용 쉐도우마스크(미도시)를 통해 기판(도 4의 101) 상에 증착되는 정공수송막(223)은 제 1 면적에 비해 작은 제 2 면적을 갖도록 형성되는 것이다.

이때, 개구부(200)의 제 1 면적의 일 가장자리와, 기판(도 4의 101) 상에 형성된 정공수송막(223)의 일 가장자리의 사이 간격(d1)은 80 ~ 100㎛를 갖도록 형성된다.

이러한 정공수송막(223)의 제 2 면적은 도 5b에 도시한 바와 같이 전자수송막(225)의 면적인 제 3 면적에 비해 작게 형성된다.

이때, 제 2 면적의 일 가장자리와 제 3 면적의 일 가장자리의 사이 간격(d2)은 50 ~ 60㎛를 갖도록 하는 것이 바람직하다.

이를 통해, 제 2전극(도 4의 215)과 정공수송막(223)이 서로 접촉하게 되는 문제점을 방지할 수 있어, 유기전계발광 다이오드(도 4의 E)의 발광효율이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

따라서, 휘점과 같은 시안 현상의 발생을 방지할 수 있으며, 시안 현상의 발생을 방지하기 위하여 소비전력을 증가시켜야 하는 문제점을 방지할 수 있다. 그리고, 암점 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 유기전계발광 다이오드(도 4의 E)의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 OLED(도 3의 100)는 유기발광층(도 4의 213)의 정공수송막(223)의 면적(도 4의 A)을 전자수송막(225)에 비해 작게 형성함으로써, 제 2전극(도 4의 215)과 정공수송막(223)이 서로 접촉하게 되는 문제점을 방지할 수 있다.

이를 통해, 유기전계발광 다이오드(도 4의 E)의 발광효율이 저하되거나, 휘점과 같은 시안 현상이 발생되어 소비전력이 증가되는 문제점 그리고 또한, 암점발생 및 유기전계발광 다이오드(도 4의 E)의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

119 : 뱅크, 211 : 제 1 전극, 213 : 유기발광층, 215 : 제 2 전극
223 : 정공수송막, 225 : 전자수송막, 227 : 정공주입막, 229 : 전자주입막
230 : 발광막
E : 유기전계발광 다이오드

Claims

구동 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과, 상기 제1 전극과 대향하는 제 2 전극과;
상기 제 1 전극 상에 위치하며, 제 1 면적을 갖는 정공수송막과;
상기 정공수송막 상에 위치하는 발광막과;
상기 발광막과 상기 제 2 전극 사이에 개재되며, 상기 제 1 면적에 비해 큰 제 2 면적을 갖는 전자수송막
을 포함하는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 면적의 일 가장자리와 상기 제 1 면적의 일 가장자리와 대응되는 상기 제 2 면적의 일 가장자리의 사이의 간격은 50 ~ 60㎛인 유기발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 전자수송막이 상기 정공수송막을 완전히 덮어 감싸는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 정공수송막 사이에 정공주입막이 개재되며, 상기 제 2 전극과 상기 전자수송막 사이에 전자주입막이 개재되는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서,
상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층과, 게이트전극, 소스 및 드레인전극을 포함하는 유기발광소자.