KR20040089737A - 단결정 ｉｉ-ｖｉ및 ｉｉｉ-ｖ족 화합물들을 성장시키기위한 장치 - Google Patents
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Abstract
감소된 결정결함밀도, 개선된 결정성장수율 및 개선된 덩어리(bulk)재료특성들을 가지는 대직경 단결정 III-V, II-VI족 화합물들 생산하기 위한 장치이다. 이장치는 도가니 또는 보트, 도가니 또는 보트를 담고 있는 앰플, 앰플 둘레에 배치된 가열부, 및 가열부와 앰플 사이에 놓인 라이너를 포함한다. 라이너는 바람직하게는 석영재료로 구성된다. 라이너와 앰플이 석영과 같은 동일 재료로 만들어진 경우, 라이너와 앰플의 열팽창계수들은 동일하고, 이는 라이너의 수명 및 단결정수율을 현저히 증대시킨다.
Description
전자 및 광전자기기의 제조자들은 일상적으로는 상업적으로 성장된 대형이고 균일한 단일 반도체결정들을 요구한다. 이러한 결정들은 마이크로전자기기의 제조를 위한 기판들을 제공하기 위해 얇게 절단되고 연마된다. 이 기술분야에서 잘 알려진 광대한 범위의 증착 및 리소그라피기법들이 단결정기판들 위에 박막층들 및 마이크로회로들을 만들어 집적회로들, 발광다이오드들, 반도체레이저들, 센서들, 및 다른 마이크로전자기기들을 생산하기 위해 채용된다. 고주파(radio-frequency)집적회로 및 광전자집적회로 응용들에서, 결정질의 균일도와 결함밀도는 디바이스의 생산수율, 수명, 및 성능에 영향을 주는 기판들의 중요한 특징들이다. 결과적으로, 결정성장기술에서의 개량들이 학리적 및 산업적 연구들에서 계속 추구되고 있다.
화합물반도체결정들은 전형적으로는 다음의 4가지 기법들, 즉 액상봉지즈크랄스키(Liguid Encapsulated Czochralski; LEC), 수평브리지맨(HB), 수평경사동결(Horizontal Gradient Freeze; HGF) 및 수직경사동결(VGF) 중의 하나에 의해 성장된다. LEC는 GaAs와 같은 반절연성 반도체결정들을 생산하기 위해 통상 사용되는 기법이다. LEC공정에서는, 휘발성 As의 손실을 방지하고 화학양론을 유지하기 위해 붕소산화물(B2O3)의 층에 의해 덮어지는 GaAs용융물 속으로 단결정씨앗이 내려가게 한다. 용융물의 온도는 씨앗 상에서 결정화가 개시할 때까지 감소된다. 그 후 씨앗은 균일한 속도로 상승되고 결정이 용융물로부터 뽑아진다. 이 씨앗과 용융물은 고온의 강철챔버 속에 담겨 있어 휘발성인 V 및 VI족 원소들의 다결정 화합물이 용융물에 남겨지는 것을 방지한다.
LEC공정에서는, 냉각 및 결정화가 가열된 용융물 위쪽에서 일어나기 때문에, 성장시스템에서 용융물의 불안정한 대류와 불활성기체 분위기의 난류(turbulence)는 피할 수 없다. 그에 더하여, LEC는 성공을 위해 현저한 열경사를 요구하는데 이것은 응고중인 결정을 급속히 냉각시켜 휘발성 비소의 탈출을 방지하기 위해서이다. 이런 높은 경사도의 결과로, LEC기법에 의해 성장된 결정들은 높은 고유응력을 가지는 경향이 있고, 열응력 하에서 성장된 결정들은 비교적 높은 결함밀도를 나타내는 것으로 알려져 있다. 이 단점의 영향은 대직경의 결정들의 성장에서는 점점 더 명확해진다. 여기서 사용된 "대직경(large diameter)"은 수 인치 이상의 직경을 가지는 결정들을 부르기 위해 사용된다. 예외적인 기판특성들 및 균일도를 가지는 대직경의 결정들은 전자공학산업에서는 이러한 결정들이 디바이스생산수율을 상당히 향상시키고 단가를 낮추기 때문에 바람직하다.
수평브리지맨 및 수평경사동결을 포함한 수평결정성장기법들은 수평로(horizontal furnace)를 사용함으로써 LEC에 관련된 난류를 많이 감소시킨다. 이 수평성장기법들에서, 결정들은 수평보트들에서 성장된다. 원료들을 담고있는 보트는 앰플(ampoule)에 의해 밀봉된다. 가열소자들이 온도프로파일을 생성하기 위해 사용된다. 다결정화합물이 용융된 후, 온도경사, 앰플, 또는 가열장치 중의 하나는 고체-액체계면이 보트의 길이를 따라 이동하도록 천천히 움직인다. 단결정성장은 충전물(charge)이 응고되고 냉각된 결과이다.
전형적으로 이 수평기법에서, 성장은 일반적으로 <111>방향으로 존재하도록 선택된다. 완성된 결정은 보트의 형상에 부합하는 단면형상, 가장 빈번하게는 "D"형상을 가진다. 결정이 그것의 성장축 <111>에 소직하게 톱으로 절단된다면, 결과적인 웨이퍼들은 <111>재료이다. 그러나, 통상 (100)웨이퍼들이 소망된다. 이 때문에, HB결정들은 통상 잉곳(ingot)축에 대해 약 55°의 각도에서 톱으로 절단된다. 이 각도의 톱절단(sawing)으로, 결정의 축을 따르는 조성변동이 개별 웨이퍼들을 가로지르는 변동으로 전이된다.
HB기법은 이 기법이 비원통형 결정들을 생산할 때 대직경들에 대해서는 적당한 규모(scale)는 아니다. 수평성장결정들로부터 얇게 절단된 웨이퍼들은 디바이스제조를 위해 원형으로 연삭(grind)되어야 한다. 실리콘오염물이 수평성장기법에서는 피하기 어렵기 때문에, HB결정들은 LED제조자들에게는 적당하지만 전자공학 및 고성능광 전자디바이스 제조자들에게는 흥미가 덜하다.
화합물반도체들의 단결정성장을 위한 VGF기법은 결정이 장치의 도가니에서높은 수직대칭정도로 성장된다는 점에서 LEC기법과 비슷하다. VGF 및 LEC 둘 다는 원통형 결정들을 생산한다. LEC와 VGF 간에는 온도경사의 크기, 씨앗결정의 위치, 및 결정고체화의 방향에서 기본적인 차이들이 있다. VGF결정성장시스템은, 온도경사가 전형적으로 센티미터 당 50~100℃인 LEC시스템과 비교하여, 센티미터 당 10℃이하 정도인 더 작은 온도경사를 채용한다. VGF시스템의 상대적으로 저온경사에서 성장된 결정들은 더 적은 열응력을 포함하고, 결과적으로, LCE시스템들로 성장된 것들보다는 더 낮은 결함밀도를 나타낸다고 알려져 있다.
VGF시스템에서 씨앗결정은 도가니의 바닥에 놓이고 이 결정은 상향식(bottom up)으로 냉각 및 응고된다. LEC와 대조하여, 충전물의 용융 및 냉각을 제어하는 VGF 온도경사는 더 뜨거운 용용물 아래에 위치된 더 차가운 결정으로 반대가 된다. 따라서, LEC공정의 고체-액체계면에서, 난류는 이롭지 못한 인자가 될 수 있다. 결정을 용융물 아래쪽에 가지는 VGF는 이 문제를 가지지 않는다.
VGF는 대직경 단결정들의 제조에 대해 규모가 매우 적당하다는 것이 증명되어 있다. 이 때문에 그리고 증명된 고결정품질 때문에, VGF는 화합물반도체기판들, 고성능 마이크로전자공학 및 광전자공학의 소비자시장들에 적합한 결정들을 생산하는 매력적인 기술이다.
VGF기술의 생산성 및 결정품질은 장치의 석영앰플 및 가열코일들 사이에 세라믹 또는 내화확산기를 포함시킴으로써 개선된다. 물라이트(mullite) 또는 실리콘탄화물의 확산기는 종종 핫스폿들 및 난류들을 줄이기 위해 VGF성장장치에 삽입되거나 설치된다. 이 확산기는 더 균일한 가열 및 더 나은 온도경사제어를 제공한다.그 결과, 물라이트 또는 실리콘탄화물로 만들어진 확산기를 가진 장치에서 성장된 결정들은 감소된 고유응력으로 성장될 수 있다.
불행히도, 석영앰플들이 사용될 때는 결정성장장치에서의 물라이트 또는 실리콘탄화물의 확산기들의 사용에 관련한 단점들이 있다. 이 확산기들은 가열 및 냉각의 반복된 사이클 후에 부서지기 쉽게 된다. 또, 이 확산기들은 종종 제한된 사용횟수 후에 부서진다. 확산기 및 앰플의 열팽창계수들 사이의 불일치가 추가로 우려된다. 결정성장장치는 종종 1,200℃를 초과하는 온도들까지 가열된다. 이러한 온도들에서, 밀봉된 석영앰플은 앰플 안팎의 기체압력들이 균형을 이루지 못하기 때문에 팽창한다. 냉각 중에, 석영이 매우 낮은 열팽창계수를 가지기 때문에 이 앰플은 노(furnace)라이너와는 다른 속도로 수축하는 경향이 있다. 반면, 냉각상태의 확산기들은 그것들의 원래 치수들로 신속히 수축하는 경향이 있다. 물라이트 또는 실리콘탄화물로 만들어진 확산기들은 확장된 앰플을 압축하고, 종종 확산기, 앰플 또는 이것들 둘 다가 부서지게 한다. 앰플의 부서짐은 통상 충전물을 파괴시키고 따라서 결정생산수율을 심하게 떨어뜨린다.
실용에서, 실리콘탄화물 확산기는 3 내지 5의 결정성장사이클들 동안에만 사용될 수 있어 그것의 이점이 비용적인 측면에서 실용적이지 못하다. 물라이트가 덜 비싸지만 물라이트는 실리콘탄화물에 비해 상대적으로 열악한 열전도도 및 고품질의 대직경 물라이트 실린더들을 얻기 어렵다는 점 때문에 확산기로서는 덜 유용하다. 따라서 물라이트는 온도경사의 균일성을 개선하는데는 이점에 제약이 있다.
본 발명은 반도체결정들의 성장에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 II-VI 및 III-V족 단결정 화합물들을 성장시키기 위한 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따라 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치를 보여주고,
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따라 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치를 보여준다.
본 발명의 양태들은 단결정 III-V 및 II-VI족 화합물들을 생산하는 장치에 관한 것이다. 이 장치는 도가니 또는 보트, 도가니 또는 보트를 담고 있는 앰플, 및 앰플에 대해 배치된 가열부를 포함한다. 라이너가 가열부 및 앰플 사이에 위치된다. 라이너는 바람직하게는 석영재료로 구성된다. 라이너와 앰플이 석영과 같은 동일 재료로 만들어진 경우, 라이너 및 앰플의 열전도도들은 실질적으로 동일하고, 라이너와 앰플의 열팽창계수들도 그렇다.
여기서 사용된 용어들인 "석영", "용융석영(fused quartz)", 및 "용융실리카(fused silica)"는 상호 교환적으로 사용되고, 이것들 모두는 실리카(SiO2)의 용융에 의해 만들어진 재료들의 군 전부를 말하는 것이다. 전형적으로 대략 10-3Ωcm 내지 109Ωcm 의 범위 내에 있는 저항률들을 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들은 "반도체들"(SC)이라고 한다. 약 1×107Ωcm보다 큰 저항률을 가지는 II-VI 및 III-V족 단결정 화합물들은 "반절연"(SI)반도체들이라고 한다. II-VI 및 III-V족 화합물들에서의 도핑수준에 의존하여, 단결정 형상은 그것의 "비도핑(undoped)" 또는 진성상태의 "반절연" 또는 그것의 "도핑된(doped)"상태에서의 반절연이 될 수 있다. 도핑된 상태들에서의 화합물들의 예들은 도펀트로서 크롬 또는 탄소를 가지는 GaAs, 및 도펀트로서 철(Fe)을 가지는 InP를 포함한다. "도가니(crucible)" 및 "보트(boat)"라는 용어들은 상호 교환적으로 사용되며, 이것들 둘 다는 단결정 화합물 또는 결정이 성장될 수 있는 용기를 말한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따라 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치를 보여준다. 이 장치(100)는 대체로 원통형상인 도가니(130)를 구비한다. 도가니(130)는 열분해 질화붕소(PBN)로 만들어진다. 도가니(130)는 도 1에 보인 것처럼 고체씨앗결정재료(108)를 담고 있는 중심영역(106)을 가진 원뿔바닥(104)을 가진다. 씨앗결정(108)은 씨앗우물(106)의 꼭대기(110)쪽으로 위쪽으로 연장하여 씨앗결정표면(112)을 드러낸다. 이 표면(112)은 도가니 속에서의 단결정화합물(114)의 성장을 위한 결정형태(crystalline format)를 제공한다. 본 발명에 따라 성장된 단결정화합물(114)은 바람직하게는 III-V족, II-VI족 또는 GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, GaAlAs, CdS, CdSe, CdTe, PbSe, PbTe, PbSnTe, ZnO, ZnS, ZnSe 또는 ZnTe와 같은 관련된 화합물이다.
다결정화합물의 큰 고체덩어리들은 초기에 도가니(130) 속에 적재된다. B2O3와 같은 붕소산화물의 고체조각들이 도가니(130) 속에 다결정화합물의 큰 고체덩어리들과 함께 적재된다. 그 후 탄소와 같은 적당한 도펀트재료들이 이 기술분야의숙련자에게 친숙한 기법들에 따라 도핑된 단결정화합물들(114)을 생산하기 위해 밀봉된 앰플(120)의 도가니(130) 또는 다른 부분들 속에 직접 도입되어도 좋다.
도 1에서, 적재된 도가니(130)는 바람직하게는 석영으로 만들어진 앰플(120) 속에 놓인다. 앰플(120)은 바람직하게는 도가니(130)가 앰플(120) 속에 놓인 후에 석영뚜껑으로 밀봉된다. 도가니(130)를 담고 있는 밀봉된 앰플(120)은 그 후 가열소자들(124)을 가지는 가열부(123)의 라이너(122) 속에 삽입된다. 이 라이너(122)는 바람직하게는 양 끝들이 개방된 원통형 튜브의 형상이다. 이 라이너(122)는 충전물(108) 및 도가니(130)를 봉지하고 있는 앰플(120)을 둘러싼다. 라이너(122)와 앰플(120) 사이의 대응하는 간격은 바람직하게는 0.1㎜이상이다. 라이너(122) 및 앰플(120) 둘 다의 벽두께는 1㎜보다 크고 바람직하게는 2~8㎜의 범위에 있다. 도가니(130), 앰플(120), 및 라이너(122)는 VGF 또는 LEC시스템에 익숙한 거의 수직으로 향하는 길이방향축들을 가진다.
조립 후, 장치(100)는 원료들의 고체덩어리들이 용융되도록 가열소자들(124)에 의해 가열된다. 가변전력을 가열소자들(124)에 인가함으로써 온도경사 및 고체-액체계면(102)이 형성된다. 초기에는, 모든 원료들이 용융되고 씨앗결정(108)만이 고체이다. 고체-액체계면은 초기에는 씨앗결정(108)의 꼭대기면(112)에 있다. 단결정(114)이 씨앗결정(108)으로부터 성장하도록 온도경사는 용융물을 통해 서서히 상승한다. 용융물(116)의 점점 응고함에 따라 고체-액체계면(102)은 점차 올라가고 단결정이 성장한다.
도 1에서, 라이너(122)는 바람직하게는 석영으로 만들어진다. 석영은 아래의표 1에 보인 것처럼 비교적 낮은 열전도도를 가진다. 따라서, 석영재료된 된 라이너(122)를 형성함으로써, 라이너(122)는 원료들의 용융, 단결정화합물 또는 결정(114)의 형성, 및 결정(114)의 냉각 동안에 충전물에 우수한 온도균일성을 제공한다. 그 결과, 석영라이너(122)는 결정성장을 최소의 열응력으로 가능하게 하는 제어되며 완만하고 균일한 온도경사를 발생시킨다. 라이너(122)가 있기 때문에, 장치(100)를 사용하여 성장된 결정들(114)은 감소된 고유응력과 더 적은 결정학적(crystallographic) 결함들을 가진다. 결정성장수율은 현저히 개선되고 이러한 결정들(114)로부터 만들어진 마이크로전자기기들의 향상된 수율 및 성능도 나타날 수 있게 된다.
라이너(122) 및 앰플(120) 둘 다를 석영과 같은 동일 재료로 형성함으로써, 라이너(122) 및 앰플(120)은 실질적으로 동일한 열전도도를 가질 수 있다. 라이너(122)와 앰플(120)은 또한 실질적으로 동일한 열팽창계수들을 가진다. 따라서, 라이너(122) 및 앰플(120) 사이의 물리적인 스트레스는 방지된다. 앰플(120)이 깨지기 쉬운 성향은 결정성장 동안 감소되고 더 적은 수의 결정들이 손실된다. 결정생산수율은 개선되고 라이너(122)는 다른 재료들로 만들어진 확산기들보다 더 많은 성장사이클들에서 사용될 수 있다.
표 1은 재료들인 석영, 실리콘탄화물, 및 물라이트에 대해 열팽창계수들 및 열전도도들 사이의 비교를 제공한다.
| 재 료 | 열팽창계수㎝/㎝℃ | 열전도도gcal/(sec)(㎝-2)(℃/㎝) |
| 석 영 | 5.5×10-7 | .0033 |
| 실리콘탄화물 | 3.8 ~ 4.8×10-6 | 1.19 ~ 3.26 |
| 물라이트 | 2.3 ~ 5.0×10-6 | .09 ~ .143 |
표 1에서, 비교는 열팽창계수들 및 열전도도들 사이의 비교이다.
다른 성향들은 결정성장장치(100)의 라이너(122)에 대해 석영이 적당한 재료가 되게 한다. 석영은 대부분의 산성들, 금속들, 염화물, 및 브롬화물과는 상온에서 반응하지 않는다. 석영은 양호한 기계적 및 전기적 특성들을 가지고 탄력성이 있다. 이런 이유들 때문에, 석영라이너(122)는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치(100)에 상당히 적합하다. 이 라이너는 서로 다른 결정성장공정들에서 재사용될 수 있다.
도 1에서, 가열부(123)는 앰플(120) 둘레에 배치된다. 라이너(122)는 앰플(120) 및 가열부(123) 사이에 배치된다. 가열부(123)는 라이너(122), 앰플(120) 및 도가니(130)를 제어식으로 가열하기 위해 예를 들면 가열코일들 또는 다른 적당한 가열소자들(124)을 구비한다. 가열부(123)는 온도를 감시하기 위한 수단을 더 구비한다.
도 1에서, 결정성장장치(100)는 이 기술분야에서 잘 알려진 제어절차들의 순서로 작동한다. 앰플(120) 내부의 도가니(130)는 제어되는 조건들 하에서 가열되며, 용융되고 냉각된다. 도가니(130)와 앰플(120)이 실온으로 냉각된 후, 앰플(120)은 라이너(122)로부터 제거될 수 있고 단결정잉곳을 드러내도록 개방된다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따라 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치를 보여준다. 이 장치(200)는 원료들(203)이 배치되는 보트(202)를 구비한다. 보트(202)는 앰플(204) 속에 들어 있다. 앰플(204)은 바람직하게는 석영으로 만들어진다. 석영재료로 만들어진 라이너(206)가 장치(200)에 제공된다. 라이너(206)는 도 1을 참조하여 위에서 설명된 라이너(122)와 동일한 튜브형상 및 특성들을 가진다.
도 2에서, 라이너(206)는 앰플(204)과 앰플(204)을 둘러싸는 가열부(208) 사이에 위치된다. 라이너(206)는 앰플(204)을 둘러싸고 봉지한다. 보트(202), 앰플(204) 및 라이너(206)는 HB 또는 HGF시스템에 익숙한 실질적으로 수평으로 향하는 길이방향축들을 가진다.
도 2에서, 장치(200)는 고정된 온도경사를 이루고 있고 가로방향으로 향하고 이동가능데크를 봉하고 있다. 보트(202)는 제어된 조건들 하에서 데크 상에서 경사를 통해 움직이고, 따라서 보트(202) 내의 원료들(203)은 용융되어 단결정화합물로 바뀐다. 라이너(206)는 도 1을 참조하여 설명된 제1실시예의 라이너(122)와 실질적으로 동일한 효과를 가진다. 즉, 이 라이너(206)는 균일한 냉각 및 가열을 가능하게 하고, 주의 깊게 제어될 수 있고 핫스폿들이 없는 균일한 온도경사를 제공한다.
본 발명의 전술한 실시예들은 본 발명의 원리들의 명확한 이해를 위해 기재된 구현물들의 단지 가능한 예들일 뿐임을 강조한다. 개조 및 변형들이 본 발명의 정신 및 원리로부터 벗어남 없이 발명의 전술한 실시예들에 대해 만들어질 수 있다. 모든 그러한 변형들 및 개조들은 본 발명의 범위 내에 있도록 그리고 다음의 청구범위에 의해 보호되도록 의도되었다.
Claims (17)
- 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치에 있어서,도가니;도가니를 담고 있고, 하나의 열팽창계수를 가지는 앰플;앰플 둘레에 배치된 가열부; 및앰플과 앰플을 둘러싸는 가열부 사이에 배치된 라이너로서, 앰플의 열팽창계수와 실질적으로 동일한 열팽창계수를 가지는 재료로 구성된 라이너를 포함하는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 라이너를 구성하는 재료는 앰플의 열전도도와 일치하는 열전도도를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 라이너를 구성하는 재료는 석영인 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 앰플은 석영으로 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 라이너는 약 1밀리미터보다 큰 벽두께를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 라이너는 약 2밀리미터 내지 약 8밀리미터 사이의 벽두께를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치에 있어서,실질적으로 수평으로 향하는 길이방향축을 가지는 보트;보트를 담고 있고, 실질적으로 수평으로 향하는 길이방향축을 가지며, 하나의 열팽창계수를 가지는 앰플;앰플 둘레에 배치된 가열부; 및앰플과 가열부 사이에 배치되고 앰플을 둘러싸는 라이너로서, 실질적으로 수평으로 향하는 길이방향축을 가지고, 앰플의 열팽창계수와 실질적으로 동일한 열팽창계수를 가지는 재료로 구성된 라이너를 포함하는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제7항에 있어서, 라이너를 구성하는 재료는 앰플의 열전도도와 실질적으로 동일한 열전도도를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제7항에 있어서, 라이너를 구성하는 재료는 석영인 단결정 II-VI 및 III-V족화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제7항에 있어서, 앰플은 석영으로 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제7항에 있어서, 라이너는 약 1밀리미터보다 큰 벽두께를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제7항에 있어서, 라이너는 약 2밀리미터 내지 약 8밀리미터 사이의 벽두께를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치에 있어서,실질적으로 수직으로 향하는 길이방향축을 가지는 도가니;도가니를 담고 있고, 실질적으로 수직으로 향하는 길이방향축을 가지는 앰플;앰플 둘레에 배치된 가열부; 및앰플과 가열부 사이에 배치되고 앰플을 둘러싸며, 실질적으로 수직으로 향하는 길이방향축을 가지고, 석영으로 구성된 라이너를 포함하는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제13항에 있어서, 앰플은 석영으로 구성된 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제13항에 있어서, 라이너는 약 1밀리미터보다 큰 벽두께를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 제13항에 있어서, 라이너는 약 2밀리미터 내지 약 8밀리미터 사이의 벽두께를 가지는 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치.
- 단결정 II-VI 및 III-V족 화합물들을 성장시키기 위한 장치로서 도가니, 도가니를 담고 있는 앰플, 및 앰플 둘레에 배치된 가열부를 구비한 장치에 사용하기 위한 라이너에 있어서, 앰플과 가열부 사이에 배치되고 석영으로 구성된 라이너.
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