KR20040066021A - 검출 조립체 및 이러한 검출 조립체가 제공된 리소그래피투영장치 - Google Patents

검출 조립체 및 이러한 검출 조립체가 제공된 리소그래피투영장치 Download PDF

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 발명은, 지지 구조체(23)의 근처에 배치된 하나 이상의 전극(25), 및 상기 하나 이상의 전극(25)에 접속되고 DC 소스(31) 및 제1 AC 소스(33)에 직렬 연결로 접속되는 제1컨덕터(28)와 제2컨덕터(26)를 가지는 하나 이상의 케이블(29), 및
- 상기 대상물(21)상에 클램핑력을 제공하기 위해, 상기 DC 소스(31)를 제어하여 상기 하나 이상의 전극(25)에 미리 결정된 DC 전압을 제공하고,
- 상기 대상물(21)을 용량적으로 검출하기 위해, 상기 AC 소스(33)를 제어하여 상기 제1컨덕터(28)를 통해 상기 하나 이상의 전극(25)에 제1진폭 및 제1위상을 가지는 미리 결정된 제1 AC 전압을 제공하도록 배치된 제어장치(37)를 포함하여 이루어지는 상기 지지 구조체(23)상의 상기 대상물(21)을 용량적으로 검출하기 위한 조립체(20)를 포함한다. 본 발명에 대한 새로운 것은, 상기 조립체(20)가 상기 제2컨덕터(26)에 접속된 제2 AC 소스(35)를 포함하고, 상기 제어장치(37)는 미리 결정된 제2 AC 전압을 상기 제2컨덕터(26)로 제공하기 위해 상기 제2 AC 소스(35)를 제어하도록 배치되며, 상기 제2 AC 전압은 제1진폭 및 제1위상과 각각 실질적으로 동일한 제2진폭 및 제2위상을 가진다.

Description

검출 조립체 및 이러한 검출 조립체가 제공된 리소그래피 투영장치{DETECTION ASSEMBLY AND LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS PROVIDED WITH SUCH A DETECTION ASSEMBLY}
본 발명은, 지지 구조체의 근처에 배치된 하나 이상의 전극, 및 제1단부는 상기 하나 이상의 전극에 접속되고 제2단부는 제1 AC 소스에 접속되는 제1컨덕터와 제2컨덕터를 가지는 하나 이상의 케이블, 및 대상물을 용량적으로 검출하려는 목적으로 상기 제1컨덕터를 통해 제1진폭 및 제1위상을 가지는 미리 결정된 제1 AC 전압을 상기 하나 이상의 전극에 제공하기 위해 상기 제1 AC 소스를 제어하도록 배치된 제어장치를 포함하여 이루어지는 상기 지지 구조체상의 상기 대상물을 용량적으로 검출하기 위한 검출 조립체에 관한 것이다.
특히, 이러한 조립체는 리소그래피 투영장치에 유리하게 제공될 수 있다. 따라서, 본 발명은 이러한 리소그래피 장치에 의해 단지 예시의 방법으로서 설명될것이다. 리소그래피 투영장치에서, 지지 구조체상의 대상물의 존재는 적어도 상기 지지 구조체에 접속된 케이블들 및 상기 지지 구조체 그 자체를 포함하는 조립체의 캐패시턴스를 측정함으로써 일반적으로 검출된다. 단지 지지 구조체의 캐패시턴스를 측정하는 것은 불가능한데, 그 이유는 지지 구조체의 캐패시턴스의 측정이 케이블들을 통해 수행되어, 케이블들에 의해 또한 아마도 지지 구조체와 전기적으로 접촉하고 있는 여타의 구성요소들의 존재에 의해 영향을 받기 때문이다. 특히, 케이블들은 이 측정에 비교적 높은 부가적인 캐패시턴스를 도입한다. 그러나, 케이블들은 대상물상에 요구되는 정전 클램핑력을 가하는데 사용되는 전극들에 전압을 주기 위해 필요하다. 또한, 부가적인 캐패시턴스의 존재는 대상물의 위치에 따라 더욱더 변화하는 지지 구조체의 비교적 작은 캐패시턴스를 정확하게 설정하는 것을 어렵게 한다. 특히, 다음의 이유로 지지 구조체의 캐패시턴스를 정확하게 측정할 수 있도록 하는 것은 중요하다. 이 캐패시턴스는:
1) 대상물이 지지 구조체상에 정확하게 배치되었는지 및/또는 클램핑되었는지를 나타낸다.
2) 아래의 식을 통한 계산 후에, 대상물이 지지 구조체로부터 분리되지 않도록 대상물상에 가해질 수 있는 최대힘을 준다.
3) 추가적인 캘리브레이션의 필요없이, 높은 신뢰도로 지지 구조체상의 대상물의 존재여부를 확인가능하게 한다.
명백히, 현재 리소그래피 투영장치에서 지지 구조체의 비교적 작은 가변 캐패시턴스를 정확히 측정하는 것은 불가능하다.
따라서, 본 발명의 목적은 지지 구조체의 캐패시턴스를 보다 정확하게 측정하는 것이다.
도 1은 일반적인 리소그래피 투영장치의 개략적인 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시예의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
따라서, 제1실시예에서, 본 발명은, 상기 조립체가 상기 제2컨덕터에 접속된 제2 AC 소스를 포함하고, 상기 제어장치는 미리 결정된 제2 AC 전압을 상기 제2컨덕터로 제공하기 위해 상기 제2 AC 소스를 제어하도록 배치되며, 상기 제2 AC 전압은 제1진폭 및 제1위상과 각각 실질적으로 동일한 제2진폭 및 제2위상을 가지는 것을 특징으로 한다.
이는 상기 지지 구조체의 캐패시턴스가 정확하게 측정되도록 하고, 또한 상기 지지 구조체의 캐패시턴스의 변화를 고도로 정밀하게 판정할 수 있도록 하는데, 그 이유는 측정시에 케이블들 및 상기 지지 구조체를 포함하지 않는 기타 구성요소들의 캐패시턴스가 측정되지 않기 때문이다.
또다른 실시예에서, 본 발명은, 상기 대상물상에 클램핑력을 제공하기 위해 상기 제1컨덕터에서 상기 하나 이상의 전극에 미리 결정된 DC 전압을 제공하는 DC 소스가 상기 제1 AC 소스와 직렬로 포함되는 것을 특징으로 한다. 상기 클램핑력은 상기 지지 구조체와 상기 대상물 사이의 적절한 결합을 확보한다.
또다른 실시예에서, 본 발명은, 상기 케이블의 상기 제1컨덕터가 상기 케이블의 상기 제2컨덕터에 의해 적어도 부분적으로 엔클로저되는 것을 특징으로 한다. 동축 케이블은 어떤 직경도 가질 수 있다. 그것은 또한 브레이드(braid)(외측 컨덕터)가 내측 컨덕터를 차폐하는 동안 상이한 기하학적 형상을 가질 수 있다. 상기 컨덕터의 직경은 케이블의 강성(stiffness)을 최소화하도록 가능한한 작게 선택되는 것이 유리하다.
또다른 실시예에서, 본 발명은, 상기 제2컨덕터가 접지된 제3컨덕터에 의해 적어도 부분적으로 엔클로저되는 것을 특징으로 한다. 이는 케이블로부터의 및 케이블로의 전자기 방사선을 감소시킨다.
또다른 실시예에서, 본 발명은, 상기 제2 AC 전압이 1의 증폭도를 가지는 증폭기 회로를 사용하여 제1 AC 전압으로부터 얻어지는 것을 특징으로 한다. 이는, 비록 제2 AC 전압이 제1 AC 전압과 실질적으로 동일한 진폭 및 위상을 가짐에도 불구하고, 제2 AC 전압이 상기 제1 AC 전압으로부터 커플링되지 않게 될 것이다.
본 발명은 또한 상기 상술된 바와 같은 검출 조립체를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 본 발명의 또다른 실시예에서, 상기 리소그래피 투영장치는 상기 지지 구조체를 이동시키는 액추에이터를 더 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 제어장치에 연결되며, 상기 제어장치는 클램핑력이 미리 결정된 값을 넘는 것을 확인한 후에 상기 지지 구조체를 이동시키기 위해 상기 액추에이터를 제어하도록 배치된다. 이는, 상기 액추에이터/이송장치(예를 들어, 로봇)가 대상물상에 소정의 최소 클램핑력이 존재하는 경우에만 이동을 수행할 것임을 의미한다. 테이블을 구비한 제어장치에 각각의 이동에 대한 통상적인 이동 및 요구되는 클램핑력에 대한 정보를 제공하는 것이 유리할 수 있다.
또다른 실시예에서, 본 발명은, 상기 리소그래피 투영장치가 상기 지지 구조체를 이동시키는 액추에이터를 더 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 제어장치에 연결되며, 상기 제어장치는 상기 대상물상의 클램핑력을 판정하여 그에 따라 상기 액추에이터에 상기 대상물상의 가속도에 대한 최대값을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 한다. 이러한 방식으로, 대상물상의 지나치게 높은 가속도로 인해 대상물이 지지 구조체에서 이탈되는 것이 방지된다. 역시, 테이블을 구비한 제어장치에 통상적인 이송 이동에 대한 통상적인 클램핑력 및 각각의 허용가능한 가속도에 대한 정보를 제공하는 것이 유리할 수 있다.
상기 실시예들 둘 모두와 함께 상술된 바와 같이, 본 발명은 또한 웨이퍼 테이블상에 놓인 휘어진(warped) 웨이퍼에 대한 또는 웨이퍼 테이블상에 놓인 약간 기울어진 웨이퍼에 대한 가속도의 최대값을 결정하는데 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은, 리소그래피 투영장치에서, 지지 구조체의 근처에 배치된 하나 이상의 전극, 및 상기 하나 이상의 전극에 접속되고 DC 소스와 제1 AC 소스에 직렬 연결로 접속되는 제1컨덕터와 제2컨덕터를 가지는 하나 이상의 케이블을 포함하여 이루어지는 상기 지지 구조체상의 상기 대상물을 용량적으로 검출하기 위한 방법에 있어서,
- 상기 대상물상에 클램핑력을 제공하기 위해, 상기 DC 소스를 제어하여 상기 하나 이상의 전극에 미리 결정된 DC 전압을 제공하는 단계, 및
- 상기 대상물을 용량적으로 검출하기 위해, 상기 AC 소스를 제어하여 상기 제1컨덕터를 통해 상기 하나 이상의 전극에 제1진폭 및 제1위상을 가지는 미리 결정된 제1 AC 전압을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고,
상기 조립체는 상기 제2컨덕터에 접속된 제2 AC 소스를 포함하며, 상기 방법은 상기 제2 AC 소스를 제어하여 상기 제2 컨덕터에 미리 결정된 제2 AC 전압을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제2 AC 전압은 제1진폭 및 제1위상과 각각 실질적으로 동일한 제2진폭 및 제2위상을 가지는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 상술된 바와 같은 검출 조립체 또는 상술된 바와 같은 리소그래피 투영장치를 캘리브레이션하는데 사용되는 방법에 있어서,
- 상기 지지 구조체상에 상기 대상물이 존재하는 상태에서의 상기 지지 구조체의 제1캐패시턴스 및 상기 지지 구조체상에 상기 대상물이 존재하지 않는 상태에서의 상기 지지 구조체의 제2캐패시턴스 중 하나 이상을 판정하는 단계, 및
- 상기 판정된 제1캐패시턴스 및 상기 판정된 제2캐패시턴스 중 하나 이상을 메모리에 저장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 상기 지지 구조체와 상기 대상물이 함께 이동될 수 있는지를 확인하는데 사용되는 상술된 바와 같은 방법에 있어서,
- 상기 지지 구조체상에 상기 대상물이 존재하는 상태의 상기 지지 구조체와 상기 지지 구조체상에 상기 대상물이 존재하지 않는 상태의 상기 지지 구조체 사이의 캐패시턴스의 차이를 판정함으로써 상기 대상물에 대한 상기 지지 구조체의 클램핑력을 판정하는 단계,
- 이동시에 상기 지지 구조체상에 상기 대상물을 유지하기 위해 요구되는 미리 결정된 최소 클램핑력과 상기 클램핑력을 비교하는 단계, 및
- 상기 판정된 클램핑력이 상기 최소 클램핑력 이상일 경우에는 상기 이동을하게 하거나 또는 상기 판정된 클램핑력이 상기 최소 클램핑력 미만일 경우에는 상기 이동을 억제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 이동시에 미리 결정된 값 아래로 상기 지지 구조체 및 상기 대상물의 가속도를 유지하는데 사용되는 상술된 바와 같은 방법에 있어서,
- 상기 지지 구조체상에 상기 대상물이 존재하는 상태의 상기 지지 구조체와 상기 지지 구조체상에 상기 대상물이 존재하지 않는 상태의 상기 지지 구조체 사이의 캐패시턴스의 차이를 판정함으로써 상기 대상물에 대한 상기 지지 구조체의 클램핑력을 판정하는 단계, 및
- 상기 최대 가속도 미만인 가속도로 상기 이동을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 조립체가 상술된 바와 같은 방법들 중 어느 하나를 실행할 수 있도록 하는 명령어들 및 데이터를 포함하는 컴퓨터 프로그램물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 상술된 바와 같은 컴퓨터 프로그램물을 포함하는 데이터 캐리어에 관한 것이다.
"패터닝 수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성될 패턴에 대응하는, 패터닝된 단면을 입사하는 방사선 빔에 부여하는데 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성되는 디바이스 내의 특정기능층에 대응할 것이다(이하 참조). 이러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있고, 그것은 바이너리형(binary), 교번 위상-시프트형(alternating phase-shift) 및 감쇠 위상-시프트형(attenuated phase-shift)과 같은 마스크 형태뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 형태를 포함한다. 방사선 빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 상기 마스크의 패턴에 따라 상기 마스크에 부딪치는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 지지 구조체는 일반적으로 마스크 테이블일 것이고, 상기 마스크 테이블은 입사하는 방사선 빔내의 소정 위치에 마스크가 유지될 수 있고, 필요한 경우에는 상기 마스크가 상기 빔에 대해 이동될 수 있도록 한다.
- 프로그램가능한 미러 어레이. 이러한 디바이스의 일례로, 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 반사된 빔으로부터 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 미러 어레이의 대안적인 실시예는 작은 미러의 매트릭스 배치를 사용하는 것인데, 상기 각각의 작은 미러는 적당하게 국부화된 전기장을 가하거나, 또는 압전 작동 수단(piezoelectric actuation means)을 사용함으로써 축에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 미러는 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레스된미러는 입사하는 방사선 빔을 어드레스되지 않은 미러에 대해 상이한 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 미러의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자적 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에서, 패터닝 수단은 하나 이상의 프로그램가능한 미러 어레이로 이루어질 수 있다. 이러한 미러 어레이에 관한 보다 상세한 정보는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택된 미국특허 US 제5,296,891호 및 US 제5,523,193호, 그리고 PCT 특허출원 WO 제98/38597호 및 WO 제98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그램가능한 미러 어레이의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정될 수 있거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그램가능한 LCD 어레이. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 채택된 미국특허 US 제5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지 구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정될 수 있거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 특히 그 자체가 마스크 및 마스크 테이블을 포함하는 예시로 지칭될 수 있다. 그러나, 이러한 예시에 논의된 일반적인 원리는 상술된 바와 같이 패터닝 수단의 보다 광범위한 개념으로 이해되어야 한다.
리소그래피 투영장치는 예를 들어, 집적회로(ICs)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 패터닝 수단은 IC의 개별층에 대응하는 회로패턴을 생성할 수 있고,이 패턴은 방사선감응재(레지스트)층으로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들어, 하나 이상의 다이로 구성)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 투영시스템에 의해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접한 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함할 것이다. 마스크 테이블 상의 마스크에 의해 패터닝되는 현행 장치는, 두가지 상이한 형태의 장치로 구분될 수 있다. 일 형태의 리소그래피 투영장치에서, 타겟부상에 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper) 또는 스텝-앤드-리피트 장치(step-and-repeat apparatus)라 칭한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라 불리는 대안적인 장치에서, 투영빔하에서 주어진 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하면서, 상기 방향과 평행하게 또는 반평행하게 기판 테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는데, 일반적으로 투영시스템이 배율인자(Ｍ)(일반적으로<1)를 가지므로, 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(Ｖ)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 인자(Ｍ)배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 장치에 관련된 추가 정보는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택된 US 제6,046,792호로부터 얻을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 적어도 부분적으로 방사선감응재(레지스트)층으로 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅, 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거칠 수 있다. 노광 후에, 기판은 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와같은 다른 절차를 거칠 수 있다. 이러한 일련의 절차는, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음, 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은 개별층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그 변형 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼)상에 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스가 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 분리된 후에, 각각의 디바이스는 캐리어에 탑재되고, 핀에 접속될 수 있다. 이러한 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택된 "Microchip Fabrication : A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill 출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위해, 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 하지만, 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 하기 위한 설계유형 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이들 구성요소에 대하여도 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 두개 이상의 기판 테이블 (및/또는 두개 이상의 마스크 테이블)을 구비하는 형태가 될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가적인 테이블들이 병행하여 사용될 수 있거나, 하나 이상의 다른 테이블들이 노광을 위하여 사용되고 있는 동안에 하나 이상의 테이블에서 준비단계가 수행될 수 있다. 듀얼 스테이지 리소그래피 장치는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택된 US 제5,969,441호 및 WO 제98/40791호에 개시되어 있다.
비록 본 명세서에서는 본 발명에 따른 장치를 사용함에 있어 IC의 제조에 대해서만 특정하여 언급하였으나, 이러한 장치가 여러 다른 응용례를 가지고 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 사용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체되어 있음을 이해할 것이다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어 365, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외선(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 ~ 20nm 범위의 파장을 갖는) 극자외선(EUV) 방사선뿐만 아니라 이온빔 또는 전자빔 등의 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄하는 것으로 사용된다.
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치(1)를 개략적으로 도시한다.
상기 장치는,
- 11 내지 14㎚의 파장을 가지는 방사선(예를 들어, EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하기 위한 방사선시스템(Ex, IL) (이러한 특정한 경우, 상기 방사선시스템은 또한 방사원(LA)을 포함함);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 유지하는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치결정수단(PM)에 접속된 제1대물테이블(마스크 테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치결정수단(PW)에 접속된 제2대물테이블(기판 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이로 구성)상에 마스크(MA)의 조사부를 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 반사형이다(즉, 반사형 마스크를 구비한다). 하지만, 일반적으로, 그것은 예를 들어 (투과형 마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상술된 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 미러 어레이와 같은 패터닝 수단의 또다른 종류를 사용할 수 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 레이저-생성 플라즈마 또는 방전 플라즈마 EUV 방사원)은 방사선 빔을 생성한다. 이 빔은 곧바로 또는 예를 들어 빔 익스팬더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 가로지른 후 조명시스템(일루미네이터)(IL)으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외측 및/또는 내측 반경 크기(통상, 각각 외측-σ 및 내측-σ라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함할 수 있다. 또한, 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 기타 구성요소를 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)상에 부딪치는 상기 빔(PB)은 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
(예를 들어, 간혹 방사원(LA)이 수은램프인 경우처럼) 상기 방사원(LA)이 리소그래피 투영장치의 하우징내에 놓일 수 있지만, 도 1과 관련하여 상기 방사원이 리소그래피 투영장치와 멀리 떨어져서 그것이 생성한 방사선 빔이 (예를 들어, 적절한 지향 미러에 의해) 상기 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이러한 시나리오 모두를 포함한다.
이어서, 상기 빔(PB)은 마스크 테이블(MT)상에 유지되는 마스크(MA)를 거친다. 상기 마스크(MA)를 가로지른 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔(PB)을 포커싱한다. 제2위치결정수단(PW)(및 간섭계측정수단(IF))에 의해, 기판 테이블(WT)은 예를 들어, 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)가 위치되도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치결정수단(PM)은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후 또는 스캐닝하는 동안 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데에 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 장행정 모듈(long-stroke module)(대략 위치결정) 및 단행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치결정)에 의해 행해질 것이다. 그러나, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로) 웨이퍼 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단행정 액추에이터에만 접속될 수 있거나, 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되고, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)상으로 투영된다. 이후, 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어, 상이한 타겟부(C)가 빔(PB)에 의해 조사될 수 있다; 그리고,
2. 스캔 모드에서, 주어진 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는, 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 대신에, 마스크 테이블(MT)이 ν의 속도로 주어진 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동될 수 있어, 투영빔(PB)이 마스크 이미지 전체를 스캐닝하게 되고, 이와 함께 기판 테이블(WT)은 V=Mv의 속도로 동일한 방향 또는 반대 방향으로 동시에 이동되며, 여기서 M은 렌즈(PL)의 배율(통상, M=1/4 또는 M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2에는, 본 발명의 일 실시예가 도시되어 있다. 검출 조립체(20)는, 대상물(21)(예를 들어, 웨이퍼)이 장착되거나 "클램핑"되는 지지 구조체(23)(예를 들어, 웨이퍼 테이블)를 포함한다. 상기 지지 구조체(23)는 제1전극(25)을 포함한다. 상기 전극(25)은 다수의 섹션으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 동일한 회로를 가지는 시스템이 되는 두개의 반원 형상의 "D"는 각각 그것들의 각 전극 부품에 접속되어 있다. 제2의(반대의) 전극(27)은 상기 대상물(21)과 전기적으로 접촉하고 있다. 상기 제1전극(25)은 컨덕터(28)에 접속되고, 상기 제2전극은 컨덕터(22)에 접속된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 컨덕터(28)는 동축 케이블(29)의 내측 컨덕터일 수 있다. 상기 동축 케이블(29)의 외측 브레이드는 컨덕터(26)로 형성된다. 상기 내측 컨덕터(28)가 전기적으로 그것의 주위환경과 차단되어야 하는 것은 중요하다. 상기 케이블(29)은 DC 전압소스(31)에 접속된다. 상기 DC 전압소스(31)와 직렬로, AC 전압소스(33)가 접속된다. 상기 DC 전압소스(31)와 병렬로, 또다른 AC 전압소스(35)가 상기 외측 컨덕터(26)에 접속된다. 상기 컨덕터(26)에 의해 실행되는 차폐 및 부가적인 AC 소스(35)는 요구되는 결과를 야기시킨다. 상기 DC 전압소스(31), 상기 AC 전압소스(33) 및 상기 AC 전압소스(35)는 각각 제어유닛(37)에 접속된다.
컨덕터(28)내에 흐르는 전류를 측정하기 위해, 예를 들어 컨덕터(28)내에 (전류) 측정유닛(39)이 제공된다. 상기 전류 측정유닛(39)은 상기 제어유닛(37)에 접속된다. 상기 유닛(39)은 상기 AC 전압소스(33)와 상기 케이블(29) 중간에 또는 상기 케이블(29)과 상기 웨이퍼 테이블(23) 중간에 접속될 수 있다. 또한, 공진회로 솔루션이 선택되는 경우, 상기 측정유닛(39)에 의해 주파수 변화가 측정될 수 있다. 요구되는 바와 같이 또한 제어유닛(37)에 의해 제어되는 바와 같이 상기 지지 구조체를 이동시키기 위해 엑추에이터(41)가 제공된다.
상기 조립체(20)는 다음의 방식으로 동작한다. 상기 DC 전압소스는 전극들(25, 27)에 DC 전압을 제공한다. 상기 DC 전압은 전극들(25, 27) 중간에 전기장을 생성한다. 상기 전기장은 대상물(21)에 대해 끌어당기는 클램핑력을 지지 구조체(23)로 제공한다. 상기 조립체(20)의 캐패시턴스를 측정하기 위해, AC 전압소스(33)가 사용된다. 그런 다음, 당업자에게 공지된 바와 같이, AC 소스(33)의 AC값 및 전류 측정유닛(39)에 의해 제공된 전류값을 사용하여, 제어유닛(37)에 의해 캐패시턴스 값이 계산된다. 측정된 캐패시턴스 값은, 대상물이 존재하지 않을 때보다 대상물(예를 들어, 웨이퍼)이 존재할 때 더 크다. 따라서, 캐패시턴스 측정값은 대상물의 존재여부에 대한 정보를 제공한다.
그러나, 케이블(29)의 캐패시턴스가 대상물(21)의 존재여부에 의한 캐패시턴스의 차이보다 매우 크기 때문에, 상기 캐패시턴스 측정값은 케이블(29)의 캐패시턴스에 의해 크게 영향을 받는다. 따라서, 도 2의 구성은, 측정시에 상기 케이블(29)의 캐패시턴스를 무시하도록 배치된다.
이 측정에서 케이블(29)의 캐패시턴스를 제거하기 위해, AC 전압소스(35)는 AC 전압소스(33)에 의해 내측 컨덕터(28)로 제공된 AC 전압과 동일한 위상 및 동일한 진폭을 가지는 외측 컨덕터(26)로 AC 전압을 제공한다. 따라서, 두개의 컨덕터(26, 28)에 걸친 전압의 차이는 제로일 것이어서, 케이블(29)이 조립체(20)의 캐패시턴스를 증가시키지 않을 것이다.
도 2의 조립체는 대상물(21)로 인한 캐패시턴스의 기여분의 보다 정확한 측정을 제공한다. 예를 들어, 이상적이고 요구되는 캐패시턴스 값으로부터의 편차가 보다 쉽게 측정될 수 있음이 고려된다. 이러한 편차는 예를 들어, 클램핑된 웨이퍼의 요구되는 평탄성 편차에 의해 유발될 수 있다.
또한, 캐패시턴스 측정값의 절대값들은 대상물(21)의 존재여부를 정확하고 신뢰성있게 표시한다. 따라서, 도 1의 리소그래피 시스템에 도 2의 구성이 사용될 때, 시스템이 스위칭온되는 경우의 캐패시턴스의 측정은 웨이퍼의 존재여부를 직접적으로 또한 분명하게 표시할 수 있다. 이는 복잡한 캘리브레이션 측정의 필요를 피한다.
또다른 실시예에서, 대상물을 클램핑시키기 위해, 전극(25)에 의해 대상물(21)로 가해지는 정전기 클램핑 압력을 계산하는데 도 2의 구성이 사용된다. 이러한 목적으로, 캐패시턴스가 두번, 즉 한번은 대상물(21)이 존재하는 경우에, 한번은 대상물이 존재하지 않는 경우에 측정된다. 이들 두개의 측정값들 사이의 캐패시턴스 값의 차이가 △C로 정의되는 경우, 정전기 클램핑 압력(P)은 단일 전극 구성에 대해서는 다음과 같으며, 여기서 캐패시티는 다음의 식으로부터 전극(25)과 웨이퍼(21) 사이에서 측정된다.
여기서, A는 대상물(21)의 표면적이고, V는 DC 소스(31)의 전압이며, εO는 진공의 유전률이다.
중간에 전기적으로 플로팅하는 웨이퍼를 구비하고, 두개의 전극들 사이의 캐패시티가 측정되는 양극성(바이폴라) 구성에 대해서, 상기 식은 다음으로 변경된다.
여기서, 상술된 바와 같은 동일한 부호들이 사용된다.
대상물(21)이 존재하지 않는 경우에 캐패시턴스를 측정하는 대신에, 대안적으로는 완벽하게 평탄한 표면이 존재하는 경우에 캐패시턴스가 측정될 수 있다. 또한, 대상물(21)이 존재하지 않는 경우의 측정값과 조합된 이러한 제2의 기준 측정값은 시스템에 대해 종래의 오프셋 및 이득을 가지는 (선형의) 캘리브레이션 그래프를 얻도록 할 수 있다.
이러한 정전기 클램핑 압력(P)을 파악하는 것이 중요할 수 있는데, 그 이유는 그것이 클램핑되는 상태의 대상물(21)의 최대 허용 가속도에 대한 표시로서 사용될 수 있기 때문이다. 대상물이 웨이퍼(21)일 때, 클램핑되는 웨이퍼(21)를 구비한 지지 구조체(23)의 최대 허용가능한 가속도는 정전기 클램핑 압력(P)에 상기 지지 구조체(23)상의 웨이퍼(21)의 마찰계수를 곱한 결과가 된다. 제어유닛(37)에 의해 계산된 이 결과값은 액추에이터(41)가 지지 구조체(23)로 상기 최대 가속도 미만의 가속도를 제공하도록 상기 제어유닛(37)에 의해 상기 액추에이터(41)를 제어하는데 사용될 수 있다.
한편, 제어유닛(37)이 지지 구조체상에 가해지는 최대 가속도를 아는 경우, 제어유닛(37)이 실질적인 클램핑력이 필요한 클램핑력을 초과한다고 판정하면 상기 제어유닛은 클램핑 전압을 감소시키도록 DC 소스(31)를 제어할 수 있다. 이는 예를 들어, 오염을 감소시키는데 도움이 되기 때문에 유리하다.
상술된 바와 같이, 본 발명은 리소그래피 장치에 의해 설명되었으나, 상기 설명은 단지 예시로서 주어지고 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 결코 아니라는 것이 어떠한 방식으로라도 강조된다. 비록 AC 소스(33, 35), DC 소스(31) 및 제어유닛(37)이 개별적인 유닛으로 도시되어 있지만, 예를 들어 동일한 기능성을 제공하지만 컨덕터(28, 29)에 접속되는 하나의 단일 유닛으로서, 그들은 어떤 기타의 기술적으로 등가인 방법으로 구현될 수 있다. 따라서, 도 2는 기본적인 기능 유닛을 도시하고 있지만, 반드시 구현의 유일한 방식은 아니다. 제어유닛(37)은 적절한 소프트웨어에 의해 구동되는 컴퓨터일 수 있다. 그러나, 필요에 따라, 아날로그 및/또는 디지털 회로들도 사용될 수 있다. AC 소스(35)는, 그것이 정확히 동일한 AC 전압 출력을 얻기 위해 AC 소스(35) 출력 AC 전압에 1을 곱하도록 AC 소스(33)에 의해 제어될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따라 지지 구조체의 캐패시턴스를 보다 정확하게 측정할 수 있다.

Claims (15)

  1. 지지 구조체(23)의 근처에 배치된 하나 이상의 전극(25), 및 제1단부는 상기 하나 이상의 전극(25)에 접속되고 제2단부는 제1 AC 소스(33)에 접속되는 제1컨덕터(28)와 제2컨덕터(26)를 가지는 하나 이상의 케이블(29), 및 대상물(21)을 용량적으로 검출하려는 목적으로 상기 제1컨덕터(28)를 통해 제1진폭 및 제1위상을 가지는 미리 결정된 제1 AC 전압을 상기 하나 이상의 전극(25)에 제공하기 위해 상기 제1 AC 소스(33)를 제어하도록 배치된 제어장치(37)를 포함하여 이루어지는 상기 지지 구조체(23)상의 상기 대상물(21)을 용량적으로 검출하기 위한 검출 조립체(20)에 있어서,
    상기 조립체(20)는 상기 제2컨덕터(26)에 접속된 제2 AC 소스(35)를 포함하고, 상기 제어장치(37)는 미리 결정된 제2 AC 전압을 상기 제2컨덕터(26)로 제공하기 위해 상기 제2 AC 소스(35)를 제어하도록 배치되며, 상기 제2 AC 전압은 제1진폭 및 제1위상과 각각 실질적으로 동일한 제2진폭 및 제2위상을 가지는 것을 특징으로 하는 검출 조립체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대상물(21)상에 클램핑력을 제공하기 위해, 상기 제1컨덕터(28)에서 상기 하나 이상의 전극(25)에 미리 결정된 DC 전압을 제공하는 DC 소스(31)가 상기 제1 AC 소스(33)와 직렬로 포함되는 것을 특징으로 하는 검출 조립체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 대상물(21)은 웨이퍼 및 레티클 중 하나인 것을 특징으로 하는 검출 조립체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케이블(29)의 상기 제1컨덕터(28)는 상기 케이블(29)의 상기 제2컨덕터(26)에 의해 적어도 부분적으로 엔클로저되는 것을 특징으로 하는 검출 조립체.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2컨덕터(26)는 접지된 제3컨덕터에 의해 적어도 부분적으로 엔클로저되는 것을 특징으로 하는 검출 조립체.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 AC 전압은 1의 증폭도를 가지는 증폭기 회로를 사용하여 제1 AC 전압으로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 검출 조립체.
  7. 리소그래피 장치(1)에 있어서,
    제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따르는 검출 조립체(20)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 리소그래피 투영장치(1)는 상기 지지 구조체(23)를 이동시키는 액추에이터(41)를 더 포함하고, 상기 액추에이터(41)는 상기 제어장치(37)에 연결되며, 상기 제어장치(37)는 클램핑력이 미리 결정된 값을 넘는 것을 확인한 후에 상기 지지 구조체(23)를 이동시키기 위해 상기 액추에이터(41)를 제어하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 리소그래피 투영장치(1)는 상기 지지 구조체(23)를 이동시키는 액추에이터(41)를 더 포함하고, 상기 액추에이터(41)는 상기 제어장치(37)에 연결되며, 상기 제어장치(37)는 상기 대상물(21)상의 클램핑력을 판정하여 그에 따라 상기 액추에이터(41)에 상기 대상물(21)상의 가속도에 대한 최대값을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 지지 구조체(23)의 근처에 배치된 하나 이상의 전극(25), 및 상기 하나 이상의 전극(25)에 접속되고 DC 소스(31)와 제1 AC 소스(33)에 직렬 연결로 접속되는 제1컨덕터(28)와 제2컨덕터(26)를 가지는 하나 이상의 케이블(29)을 포함하여 이루어지는 상기 지지 구조체(23)상의 상기 대상물을 용량적으로 검출하기 위한 방법에있어서,
    - 상기 대상물(21)상에 클램핑력을 제공하기 위해, 상기 DC 소스(31)를 제어하여 상기 하나 이상의 전극(25)에 미리 결정된 DC 전압을 제공하는 단계, 및
    - 상기 대상물(21)을 용량적으로 검출하기 위해, 상기 AC 소스(33)를 제어하여 상기 제1컨덕터(28)를 통해 상기 하나 이상의 전극(25)에 제1진폭 및 제1위상을 가지는 미리 결정된 제1 AC 전압을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 조립체는 상기 제2컨덕터(26)에 접속된 제2 AC 소스(35)를 포함하며, 상기 방법은 상기 제2 AC 소스(35)를 제어하여 상기 제2 컨덕터(26)에 미리 결정된 제2 AC 전압을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제2 AC 전압은 제1진폭 및 제1위상과 각각 실질적으로 동일한 제2진폭 및 제2위상을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 방법은 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 검출 조립체(20) 또는 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 리소그래피 투영장치(1)를 캘리브레이션하는데 사용되고,
    - 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)이 존재하는 상태에서의 상기 지지 구조체(23)의 제1캐패시턴스 및 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)이 존재하지 않는 상태에서의 상기 지지 구조체(23)의 제2캐패시턴스 중 하나 이상을 판정하는 단계, 및
    - 상기 판정된 제1캐패시턴스 및 상기 판정된 제2캐패시턴스 중 하나 이상을 메모리에 저장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 방법은 상기 지지 구조체(23)와 상기 대상물(21)이 함께 이동될 수 있는지를 확인하는데 사용되고,
    - 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)이 존재하는 상태의 상기 지지 구조체(23)와 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)이 존재하지 않는 상태의 상기 지지 구조체(23) 사이의 캐패시턴스의 차이를 판정함으로써 상기 대상물(21)에 대한 상기 지지 구조체(23)의 클램핑력을 판정하는 단계,
    - 이동시에 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)을 유지하기 위해 요구되는 미리 결정된 최소 클램핑력과 상기 클램핑력을 비교하는 단계, 및
    - 상기 판정된 클램핑력이 상기 최소 클램핑력 이상일 경우에는 상기 이동을 하게 하거나 또는 상기 판정된 클램핑력이 상기 최소 클램핑력 미만일 경우에는 상기 이동을 억제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 이동시에 미리 결정된 값 아래로 상기 지지 구조체(23) 및 상기 대상물(21)의 가속도를 유지하는데 사용되고,
    - 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)이 존재하는 상태의 상기 지지구조체(23)와 상기 지지 구조체(23)상에 상기 대상물(21)이 존재하지 않는 상태의 상기 지지 구조체(23) 사이의 캐패시턴스의 차이를 판정함으로써 상기 대상물(21)에 대한 상기 지지 구조체(23)의 클램핑력을 판정하는 단계,
    - 상기 클램핑력으로부터 상기 대상물(21)에 대한 상기 지지 구조체(23)의 이동을 유발시키는 최대 가속도를 도출하는 단계, 및
    - 상기 최대 가속도 미만인 가속도로 상기 이동을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 검출 조립체(20)가 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실행할 수 있도록 하는 명령어들 및 데이터를 포함하는 컴퓨터 프로그램물.
  15. 제14항에 따른 컴퓨터 프로그램물을 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 캐리어.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7041989B1 (en) 2004-10-22 2006-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101875415B1 (ko) 2011-06-30 2018-07-06 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 용량성 측정 시스템을 위한 능동 실드
CN111771110B (zh) * 2018-03-30 2022-06-24 松下知识产权经营株式会社 静电电容检测装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4654581A (en) * 1983-10-12 1987-03-31 Hewlett-Packard Company Capacitive mask aligner
US4766368A (en) * 1986-09-30 1988-08-23 Cox Harold A Capacitive sensor
JP2678381B2 (ja) * 1987-05-06 1997-11-17 ユニサーチ・リミテッド 交流電界励振を利用した静電チャック
JPS6414918A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nikon Corp Stepper
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (de) * 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5489888A (en) * 1990-11-07 1996-02-06 Precitec Gmbh Sensor system for contactless distance measuring
JPH04216650A (ja) 1990-12-17 1992-08-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体製造装置
US5321363A (en) * 1991-09-26 1994-06-14 Hewlett-Packard Company Two-terminal circuit element measuring apparatus for performing contact checks
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5315259A (en) * 1992-05-26 1994-05-24 Universities Research Association, Inc. Omnidirectional capacitive probe for gauge of having a sensing tip formed as a substantially complete sphere
US5444597A (en) * 1993-01-15 1995-08-22 Blake; Julian G. Wafer release method and apparatus
US5557215A (en) * 1993-05-12 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus
US5670066A (en) * 1995-03-17 1997-09-23 Lam Research Corporation Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated
WO1997033205A1 (en) * 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JPH09280806A (ja) 1996-04-09 1997-10-31 Nissan Motor Co Ltd 静電容量式変位計
EP0890136B9 (en) * 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
EP0900412B1 (en) 1997-03-10 2005-04-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders
US6075375A (en) * 1997-06-11 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer detection
JP4365908B2 (ja) 1998-09-04 2009-11-18 キヤノン株式会社 面位置検出装置、露光装置およびデバイス製造方法
US6430022B2 (en) * 1999-04-19 2002-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling chucking force in an electrostatic
JP2001358055A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2002289514A (ja) 2000-12-22 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2003110012A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Nissin Electric Co Ltd 基板保持方法およびその装置

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