TWI304158B - Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly - Google Patents

Description

1304158 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於電容式偵測一支撐結構上之偵測組 件，該彳貞測組件包括安排在該支撐結構附近之至少一電 極，以及至少一電纔，該至少一電纜具有一第一導體與一 第二導體，該第一導體之第一端連接至該至少一電極，其 苐一 ％連接至一第一父流電源；以及一控制元件，該控制 元件設置成為了電容式偵測該物體而經由該第一導體向該 至少一電極提供一具有一第一振幅與一第一相位之預定第 一交流電壓。 【先前技術】 此組件尤其有利於裝備在一微影投影裝置中。因此在下 文中僅用實例方式藉由此微影裝置來解釋本發明。在一微 影投影裝置中，目前藉由測量組件之一電容來偵測支撐結 構上物體之存在，該組件包括與該支撐結構相連之至少多 條電鏡與該支撐結構本身。不可能僅測量該支撐結構之電 容，因爲透過此等電纜執行該支撐結構電容之測量，從而 受到該等電纜影響，而且可能受到與該支撐結構有電接觸 之其它元件影響。在此測量中該等電纜尤其會引入較高之 附加電容。然而，需要該等電纜給電極供電，該等電極用 於在物體上施加一須要之靜電夾持力。附加電容之存在使 得難以精確確定該支撐結構之相對較小電容，此外其隨該 物體之位置而變化。基於以下及其他原因，能精確測量該 支撐結構之電容很重要。此電容：

O:\89\89995-940404.DOC 1304158 1) 指示該物體是否正確放置而且/或者被夾持在該 士 構上， 2) 在用下面公式計算後’給出最大力，其可被施加於物體 上使該物體不脫離該支撐結構，以及 3) 能高度可靠地確定該支撐結構上_物體之存在或者不存 在，而不需要附加校準。 無疑目刖不能在一微影投影裝置中精確測量該支撐結構 之相對較小的可變電容。 因此本發明之-目的係、更精確測量該支撐結構之電容。 【發明内容】 因此，在第-實施例中’本發明之特徵係該組件包括一 -連至該第二導體之第二交流電源，並安排該控制元件控制 該第二交流電源以便給該第二導體提供一預定第二交流電 壓，該第二交流電壓分別具有一第二振幅與一第二相：， 其實質上分別專於弟一振幅與第一相位。 在此考慮到精確測量該支撐結構之電容，並且亦有可能 高度精確測定該支撐結構之電容變化，因而，在該测量中， 沒有測量電、變與不包括在該支揮結構中之其它元件之電 容。 在另一實施例中，本發明之特徵係該在第一導體中包括 一直流電源，其與該第一交流電源串聯以給該至少一電極 提供一預定直流電壓，以便在該物體上提供一夾持力。該 夾持力在確保該支撐結構與該物體之間之適當連結。^ 在另一實施例中，本發明之特徵係該電纜之第二導體至 O:\89\89995-940404.DOC -7- 1304158 二p刀圍繞该電規之第—導體。該同軸電繞可有任何直 < -亦可有不同幾何形狀，只要該織網（外冑導錢）能 内部導體就行。有利地，為全旦 负π地局通里減小電纜之硬度而盡可台t 選擇小導體直徑。 T^b 在另一實施例中，本發明之特徵係一第三地線至少部分 圍繞5亥第二導體。其將減少來自與到達該電繞之電磁輻射。 在另一實施例中，本發明之特徵係使用一帶有一單一放 大倍率之放大器電路從該第一交流電壓中得到該第二交流 電壓，儘管實質上與該第—交流電壓具有相同振幅與相同 相位，其將引起第二交流電壓脫離該第一交流電壓。 本發明亦關於包括一如上所述之偵測組件之微影裝置。 在本發明另一實施例中，該微影投影裝置進一步包括一用 於移動該支撐結構之致動器，該致動器連接至該控制元 件，在測定該夾持力大於一預定值之後安排該控制元件控 制5亥致動器來移動該支撐結構。這意味該致動器/傳輸元件 (例如一自動機械）僅在該物體上施加某一最小夾持力時執 行一移動動作。這有利於給控制元件提供一關於典型移動 以及各移動所需要夾持力之資訊表。 在另一貫施例中，本發明之特徵係該微影投影裝置進一 步包括一移動該支撐結構之致動器，該致動器連接至該控 制元件，配置該控制元件以測定該物體上之夾持力，並因 此向該致動器提供一用於加速該物體之最大值。按此種方 式能防止由於對物體過高加速而使其從該支撐結構中分 離。同樣，向控制元件提供一關於典型夾持力與典型傳輸

O:\89\89995-940404.DOC 1304158 移動各自允許之加速度之資訊表。 結合以上兩實施例所敘述之本發明亦可用來確定放置在 晶圓台之翹曲晶圓或者稍微傾斜放置於晶圓臺上之晶圓之 加速度最大值。 本發明亦關於在微影投影裝置中電容式偵測一支撐結構 上之一物體之方法，其包括在該支撐結構附近安排至少一 電極，至少一電纜連接至該至少一電極，該至少一電纜具 有一第一導體與一第二導體，該第一導體連接至一直流電 源與一交流電源之串聯組合，該方法包括以下步驟： -控制該直流電源以向該至少一電極提供一預定直流電 疋’以便在该物體上提供一夾持力，以及 該至少一電極提供 父流電壓，俾電容 -控制該交流電源以透過該第一導體向 一具有第一振幅與第一相位之預定第一 式偵測該物體， 其特徵在於 該組件包括一連接至該第二導體之第二交流電源，並且該 方法包括步驟：控制該第二交流電源向該第二導體提供— 預定第二父流電壓，該第二交流電壓分別具有一第二振怦 與一第二相位，其實質上分別等於該第一振幅與第一相位。 本方法亦關於如上所述之用於校準該偵測組件之方法或 者如上所述之該微影投影裝置，其特徵在於該方法包括：5 -測定該支撐結構上帶有物體時該支撐結構之一第一電容 與該支撐結構上不帶有物體時該支撐結構之一第二電容2 至少其中之一，及 O:\89\89995-940404.DOC -9- 1304158 _將該被測定之第一電容與該被測定之第二電容之至少其 中之一儲存在記憶體中。 本發明亦關⑨-種如上所述測定—支揮結構與一物體是 否：起移動之方法’其特徵在於該方法包括以下步驟： -藉由測定在肖支撲結構丨帶有物體時該支撑、结構與在該 支撐結構上不帶有物體時該支撐結構之間之電容差異，來 測定該支撐結構施加於該物體之夾持力， -將該夾持力與-在移動期間在該支樓結構上夾持該物體 須要之預定最小夾持力比較；及 _當該測定夾持力大於該最小夾持力時使其移動，或者當 該測定夾持力小於該最小夾持力時不使其移動。 本發明亦關於一種如上所述在移動期間保持該支撐結構 與物體之加速度小於一預定值之方法，其特徵在於該方法 包括以下步驟： _藉由測定在該支撐結構上帶有物體時該支撐結構與在該 支撐結構上不帶有物體時該支撐結構之間之電容差異，來 測定該支撐結構施加於該物體之夾持力，及 -以一小於該最大加速度之加速度執行移動操作。 本發明亦關於一電腦程式產品，其包括允許一組件執行 前述之任一方法之指令與資料。 本發明亦關於包括如上所述電腦程式產品之資料載體。 術語’’圖樣化構件”應廣義解釋為能使一入射輻射束具有 一圖樣化橫截面之構件，該圖樣相應於一在基板之目標部 分中待產生之圖樣；術語”光閥”亦能用於此處上下文中。 O:\89\89995-940404.DOC -10- 1304158 通常，該圖樣將相應於一在該目標部分中產生之元件之特 定功能層，例如一積體電路或者其它元件（見下文）。此圖樣 化構件之實例包括：

• 一遮罩。遮罩之概念在微影領域係已為吾人所熟知， 其包括衆多遮罩類㉟’如二元遮罩，交替相移遮罩，減弱 相移遮罩及多種混合遮罩類型。按照該遮罩上之圖樣，在 輻射束下放置此一遮罩可引起有選擇地透過（當採用一透 ，遮罩時)或者反射(當採用一反射遮罩時)照射到該遮罩之 “射。在係-遮罩情況了，該切結構通常係—遮罩台， 其可保證在人射輻射束中保持該遮罩停在須要之位置，並 且若須要時亦能相對該射束移動該遮罩； 可程式化斜列。此元件之—實例係-兼具-㈣ 性控制層與-反射面之矩陣可定址面。此裝置後面之基4 原理（例如）係反射面之可^址區域將人射光反射爲繞寿 先’而不可；t址區域將人射光反射爲非繞射光。使用一讀

當過遽器’可輯反射光束中濾除非繞射光而僅在其後餐 ,凡射光’如此’光束可按照該矩陣可定址面之定址圖稽 心成圖樣。-可程式化鏡陣列之—可替代實施例係利用樹 J鏡子組成之-矩陣機構，藉由利用—合適之局部化電塌 或者利用壓電致動構件可使每-鏡子分別相對於-軸傾 斜。再者，此等鏡子传可$ & 一 ，、了疋址矩陣，於是已定址鏡子從不 同方向將一入射輻射来秦只鱼 平田对尤束反射到不可定址鏡子；如此，按 =矩陣可定址鏡子之定址圖樣圖樣化該反射光束。使用恰 *電子構件可執行須要之矩陣定址。在上述兩情況下，該

O:\89\89995-940404.DOC -11 - 1304158 圖樣化構件能包括一或多個可程式化鏡陣列。例如，此處 提到之鏡陣列之更多資訊可從美國專利Us 5,296,891、US 5,523，193與？0：丁專利申請冒〇 98/38597、買〇 98/33〇96中得 到，其以引用方式併入本文。例如，在可程式化鏡陣列情 況下，該支撐結構可具體化為一框或一支撐台，其可視而 要而被固定或者移動；及 -一可程式化LCD陣列。在美國專利us 5,229,872中揭露 此結構之一實例，其以引用方式併入本文。如上，在此情 況下該支撐結構例如可具體化為一框或一支撐台，其可視 需要而被固定或者移動。 為簡化之目的，本文之其餘部分在某些位置著重於詳細 說明包括一遮罩與一遮罩台之實例。然而，可在如上敘述 之圖樣化構件之較廣義上下文中理解在此等實例中討論過 之一般原理。 例如，在積體電路（ICs)之製造過程中可以使用微影投影裝 置。在此情況下，s亥圖案化構件可相應IC之單獨每一層產 生一電路圖樣，可將此圖樣影像傳輸至用一層輻射感應材 料（抗蝕劑）覆蓋之基板（矽晶圓）之一目標部分（例如，包括 -或多個晶粒)。通常，單一晶圓包括由相鄰目標部分組成 之整個網路，透過該投影系統連續輻射該目標部分，每次 輻射一目標部分。在當前裝置中，藉由遮罩台之遮罩進行 圖樣化，在兩種不同類型機器之間可產生差別。在一類微 影投影裝置中’藉由每次在目標部分暴露整個遮罩圖樣來 輕射每一目標部分；通常此裝置係指一晶圓步進器或者步 O:\89\89995-940404.DOC -12* 1304158 進重複衣置（stepper or step-and-repeat apparatus)。在可替 代放置中一—通常指一步進掃描裝置--藉由以一既定參 考方向（该"掃描"方向）在該投影射束下連續掃描該遮罩圖 樣，同時以平行或反平行方向同步掃描該基板台，來輻照 母一目標部分；通常，由於該投影系統具有一放大因數Μ(通 苇Μ< 1)，掃描基板台之速度ν係一掃描遮罩台之速度之μ 倍之因數。例如，可從US 6,046,792中得到此處所述投影裝 置之更多資訊，其以引用方式併入本文。 在使用一微影投影裝置之製程中，將一圖樣（例如在一遮 罩上）像傳輸至一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料（抗钱 劑）之基板上。在此影像傳輸步驟之前，可以用多個程序處 理基板，如塗底料，覆蓋抗蝕劑與軟烘烤。在暴露之後， 可對該基板實施其它程序，如後暴露烘烤（pEB)，顯影，硬 供烤與測量增測影像特徵。此多個工序之序列剌於圖樣 化一元件之每一單層之基礎，該元件可例如為一ic>然後， 可用多個製程處理此一圖樣層，例如蝕刻 '離子植入(摻 雜）、金屬化、氧化、化學—機械抛光等等，所有工序都為 完成處理每-單個層。若須要處理多I，不得不在每一新 的層上重復執行該整個工序或與其不同之工序。最後，在 基板(晶圓)上將呈現多個元件之陣列。此等元件可透過切片 或鑛切技術來相互分離，藉此，可將單獨每—元件安農在 -載體上’連接至插腳上等等。例如，可從純《微晶片 製造：半導體製程實務指導》（,，Mi⑽响咖灿时.A —咖““㈤⑽心⑽―"，第三版作

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者 Peter van Zant，McGraw Hill出版公司出版，1997，ISBN 0-07-067250-4)中得到關於此等製程之更多資訊，其以引用 方式併入本文。 為簡化之目的，下文中可將投影系統稱作，，透鏡”；然而， 此術語應廣義解釋為包括各種投影系統，例如，包括折射 光學系統、反射光學系統、兼有反射與折射之光學系統。 該輻射系統亦可包括按照用於導引，成型，或者控制輻射 之投影光束之任一此等設計類型操作之單元，並且此等單 元可共同或單個被看作”透鏡”。另外，該微影裝置可為具 有二或多個基板台（並且/或者二或多個遮罩台）之一類型。 在此等”多級，，元件中可平行使用多個附加台，或者為暴露 而使用一或多個其它台之同時在一或多個臺上執行預備步 驟。例如，在1^ 5,969,441與買〇 98/40791中描述了雙平台 微影裝置，兩者皆以引用方式併入本文參考。 儘管在此文中對按照本發明在ICs製造中之該裝置之靡 用給出具體參考，應清楚地理解此裝置可有許多其它可能 之應用。例如，其可用於製造積體光學系統、磁領域記憶 體之導引與偵測圖樣、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習 此項技術者可以理解，在此可替代應用之上下文中，應認 爲本文中之術語”標線片”、”晶圓”、”晶粒"之任一使用可各 自用更通用術語’’遮罩”、”基板”與”目標部分"來代替。 本文中，術語”輻射，，與”束”可兩包括所有類型之電磁輻 射，包括紫外（UV)線輻射（例如波長365, 248, 193, 157或126 奈米）與遠紫外（EUV)線輻射（例如波長範圍為5_2〇奈米），以 O:\89\89995-940404.DOC -14- 1304158 及微粒束，如離子束或者電子束。 【實施方式】 圖1示意性描述一根據本發明之一特定實施例之微影投 影裝置1。 '又 該裝置包括： -一輪射系統EX，IL，用於提供一波長為J i _丨4奈米之_射 (例如，EUV輻射）之投影束PB。在此特定情況下，該^射 系統亦包括一輻射源L A ; -一第一物體台（遮罩台）MT，其由一容納一遮罩Ma(例如 標線片）之遮罩固定器來提供，並連接於第一定位構件pM 以相對於元件PL精確定位該遮罩； -一第二物體台（基板台）WT，其由一固定一基板w(例如一 塗佈有抗蝕劑之矽晶圓）之基板固定器來提供，並連接於第 二定位構件PW以相對於元件PL精確定位該基板；及 -一投影系統（”透鏡"）PL，用於在基板W之目標部分c(例 如，包括一或多個晶粒）上影像傳輸該遮罩Μα之一輻射過 邛为。如此處所述，該裝置係一反射類型（即有一反射遮 罩）。然而，例如，通常其亦係一透光類型（帶有一透光遮 罩）。另一方式為，該裝置可利用其它類圖樣化構件，如上 面所述一類型，一可程式化鏡陣列。 遠源LA(例如一雷射產生電漿或者放電電漿euv輻射源） 產生一輻射束。或者立即或者在越過限制構件（例如一束擴 展器EX)之後，將此束送入一照明系統（照明器）几。該照明 器IL可包括用於設置該束之強度分佈之外部與内部輻射程

O:\89\89995-940404.DOC -15- 1304158 度（通常各自指σ -外部與σ -内部）之調整構件aM。另外， 其通常包括多個其它構件’如積分器IN與電容5|c〇。如 此’照射到遮罩Μ A之束在其橫截面有一如所需之一致性與 強度分佈。 關於圖1應注意到源LA可位於該微影投影裝置之殼體中 (例如，當源LA係水銀燈時經常如此），然而它亦可遠離該 微影投影裝置。可將其産生之輻射束引入該裝置（例如，借 助於適當導向鏡），當源LA係一受激準分子雷射器時通常係 後種情況。本發明與申睛專利範包括此兩種情況。 束PB隨後與遮罩MA相交，該遮罩固定在遮罩sMT上。 穿過遮罩MA後，束PB穿過透鏡pL，其在基板冒之目標部分 C聚焦束PB。借助於第二定位構件pw(與干涉測量構件 IF) ’基板台WT能精確移動，例如，以便在束pB之路徑定 位不同目標部分C。類似地，例如在從一遮罩庫中機械恢復 遮罩MA之後，或者在一掃描期間，可用第一定位構件pM 將遮罩ΜΑ相對於束PB之路徑來精確定位。通常，借助於一 長衝程模組（粗定位）與一短衝程模組（精定位），實現目標台 ΜΤ、WT之移動，其在圖丨中沒有明確描述。然而，在一晶 圓分節器（相對於一分步掃描裝置）情況下，該遮罩台ΜΤ可 連接於一短衝程致動器，或者也可固定。可用遮罩排列記 號1VH、M2與基板排列記號P1、”來排列遮罩]^八與基板w。 已描述之裝置可用於兩不同模式： 1 ·分步杈式，遮罩台MT基本保持靜止，並且在目標部分c 上一次（即單個"閃光”）投影整個遮罩影像。然後在χ並且

O:\89\89995-940404.DOC -16 - I3 0^0^00436 號專利申請案「逐：—；：'"：：—；：Γ. ， 中文說明書替換頁(95年6月） L|^一 < : q /或者γ方向轉移基板輻射一不同目 標部分C ;並且 2·柃描模式，除了給定目標部分C不是暴露在單次”間光，， 以外，基本係同樣情形之應用。替換地，遮罩台MT在給 疋方向（叫做掃描方向”，例如y方向）以速度v移動，以至 於引起投影束PB在遮罩影像上掃描；同時，基板台|丁 以速度V=Mv在相同或相反方向同時地移動，其中μ係透 鏡PL之放大倍數（典型地，Μ=ι/4或者1/5)。如此，能暴 路相對大之目標部分C，而不會影響解析度。 在圖中.、、、員示本發明之一實施例。一偵測組件包括一支 撐、口構23(例如’晶圓台),在其上安裝或"夾持，，一物體。工(例 如，晶圓）。該支禮結構23包括一第一電極25。該電極25可 由許多部分組成。例如，兩半圓形”DV，，其形成具有每一 電路連接至各自電極部分之兩相同電路之系統。一第二（相 對)電極27與物體21電接觸。第-電極25連接-導體28,並 且該第二電極連接一導體22。如在圖2中所示，導體28可係 、同軸電^ 29之-内導線。_導體％形成同軸電镜之外 哉罔重要之處係内部導體28必須與其環境電絕緣。電規 29連接至—直流電源31。_交流電源”串聯至直流電源 31平灯於直流電源31，另一交流電源抑接至外部導體 26°被導體26影響之屏蔽與附加交流電源35取得須要之結 果:直流電源3卜交流電源33與交流電源35都連接至一控 制早7〇 3 7。 例如，在導體财提供_(當前）測量單元39來測量導體28

O:\89\89995-950623.DOC -17- 1304^絲00436號專利申請案 > 中文說明書替換頁(95年6月） 长〇 1 之當前電流。當前測量單元39連接至控制單元37。單元刊 亦可連接至交流電源33與電纜29之間部分（如圖2所示）或者 電規29與晶圓台23之間部分。另外，當選擇-共振電路解決 方案時，測量單元39能測量頻率變化。如須要與須由控制單 元37控制時提供一致動器41來移動該支撐結構。 組件20按下述方式操作：該直流電源向電極25與27提供 一直流電壓。該直流電壓在電極25與27之間產生一電場。 該電場提供物體21對支撐結構23之吸引夾持力。爲測量組 件20之電容，使用交流電源33。然後，正如熟習此項技術 者斤决那樣使用父流電源3 3之交流值與由電流測量單元 39提供之電流值，由控制單元37計算該電容值。當該物體 (例如，晶圓）存在時測量之電容值大於該物體不存在時之電 谷值因此測里電容提供該物體存在或者不存在之資訊。 然而，電纜29之電容強烈影響著該電容測量，這係因爲 後者之電容遠遠大於由於物體21存在或者不存在而産生之 '因此女排圖2之裝置以致於能消除測量中電繞 29之電容。 爲從此測里中消除電纜29之電容，交流電源35給外部導體 提供父〃,L電壓，其與交流電源3 3提供給内部導線2 8之交 :電^具有相^相位與相同振幅。因此，導體26，28兩端之 電[差爲0，並且電纜29不增加組件2〇之電容。 圖之、、且件提供一更精確測量藉由物體21貢獻之電容之 力例如’正視從理想狀態之偏差，現在能更容易測量 、J之電谷值。例如，此等偏差可由一被夾持晶圓之預期

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平面度之偏差而引起。

此外’目則該測量電容之絕對值提供精確與可靠之指 示，該指示表示物體21存在或者不存在。因此，當在圖丨之 微影系統中使用圖2之安排時，當該系統接通時測量電容， 可立即且清楚提供一 複雜之校準測量。 晶圓是否存在之指示。如此就不需要 在另一實施例中，使用圖2之安排來計算由電極25施加到 。爲此目的，測量兩次 物體21以夾持後者之靜電夾持壓力 電容，即，物體21存在時測量一次，與物體21不存在時測 罝一次。當定義兩次測量之電容差爲時，單一電極裝置 之靜電夾持壓力P可從下式得出，此處測量電極25與晶圓21 間之電容： 其中： A=物體21之表面積 V=直流電源3 1之電壓 ε0=真空介電常數 對於一雙極裝置，此處測量兩電極之間之電容，該晶圓電 性地浮動於兩電極之間，上述公式變換爲：

其中使用之符號同上。 替換測量沒有物體21存在之電容，作爲另一種替代方 式’可利用存在一相當平之平面來測量電容。此結合不帶

O:\89\89995-950623.DOC -19- I T m \ /m Ί …______ ¥祕。。436號專利申請案丨: 中文說明書替換頁(95年6月）\^： n ：J , ί - ， ^ ; ·〜f -+τ 一· .-碡·.·.·—〜· 一 物體2 1之測里之第二參考測量亦能使得到帶有系統之已知 偏移與增盈之（線性）校準曲線成爲可能。 由於可用其指示物體21被夾持時之最大允許加速度，因 此可知曉此靜電夾持壓力p的重要。當該物體係晶圓2ι時， k靜電爽持壓力p乘以支撐結構23上之晶圓2 i之摩擦係數 得到帶有被夾持晶圓21之支樓結構23之最大允許加速度。 控制單元37所汁算’控制器37此後可將此結果用於控制

致動器4i俾使致動器41給支撐結構^提供一小於該最大加 速度之加速度。 - 方面^控制單元3 7知道待施加於該支撐結構: 一最大加速度時，如果控制單元37已經確定該實際夾持 超過了須要之夾持力，其可控制直流電源3 i減小該夾持· 壓此車又爲有利，因為這例如有助於減少污染。

如上所述，按一微影裝£之方式描述了本發日月，而應: 旧僅透過不例方式給出上述描述，決不意味著限制本發^ 之範圍。儘管以分離單元顯示2流電源33、35,直流電 3」與控制|元37 ’然而其可以按照其他相當之技術方式j 貝見例ά如連接至導體28、29而提供相同功能之單_ 單兀。因此’圖2不出基本之功能單元而非唯一之實現; 式。控制單元也可由合適軟體驅動之電腦。然而，若須要 亦可使用類比以及/或者數位電路。交流電源Μ可控制^ 流電源35以致較—致地放大交流電源35之輸出交流電壓; 以便得到精確相等之交流電壓輸出。 【圖式簡單說明】

O:\89\89995-950623.DOC -20- 13044綠。。436號專利帽案/

中文說明書替換頁(95年6月）ύ I 以上結合所附圖式說明本發明，其意圖僅係示例性而非 限制其保護範圍，其中： 圖1係一微影投影裝置之一整體示意圖； 圖2示出本發明之一實施例之示意裝置； 【圖式代表符號說明】 1 微影投影裝置 20 债測組件 21 物體 22 導體 23 支撐結構 25 電極 26 第二導體 27 第二（相對）電極 28 第一導體 29 電纜 31 直流電源 33 第一交流電源 35 第二交流電源 37 控制元件 39 電流測量單元 41 致動器

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Claims (1)

1. 13 044 5€ι〇〇436號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(97年9月） 拾、申請專利範圍： 之 物 -種偵測組件’用於電容式偵測一支撐結構上 體，該組件包括： 至少一安排在該支撐結構附近之電極； 至少-電繞’該至少-電繞具有一第—導體與一 導體，該第一導體具有一第一端連接至該至少〜。弟二 一第一交流電源，連接至該第一導酽一—電極， ^ 弟二端· 一控制器，其配置成可控制該第一交流電源，’、 該第一導體提供一具有一第一振幅與一第一相伋逯過 一交流電壓給該至少一電極，以電容式偵測兮。第 上之該物體； 、…^乏撐結構 一第二交流電源，其連接至該第二導體，苴 一 t该控制 器配置成可以控制該第二交流電源，以提供一 ’、 禾一交流 電壓給該第二導體，該第二交流電壓具有一第二振幅與 一第二相位，其實質上分別等於該第一振幅與第—相 位；及 一直流電源，其中該直流電源與該第一交流電源串聯 以提供一直流電壓給該至少一電極，以於該物體上提供 一夾持力。 2.根據申請專利範圍第丨項之偵測組件，其中該物體係一曰 曰曰 圓與一標線片之一。 3 ·根據申請專利範圍第1項之偵測組件，其中該第一導體至少 部分地被該第二導體所圍繞。 89995-970926.doc 1304158 4.根據申請專利範圍第丨項之偵測組件，其中該第二交流電 壓源係被該第一交流電壓源所控制且使用，使得該第一 交流電壓源以單一倍率乘上該第二交流電塵。 5 · —種微影裝置，其包括： 一照明系統，其提供一輻射束； 一债測組件’用於電容式偵測-支撐結構上之一物 體，該組件包括： 至少一安排在該支撐結構附近之電極· 連接至該至少一電 至少-電、纜，該至少-電鐵具有_第—導體與—第 二導體，該第一導體具有一第一 極； 一第一交流電源，連接至該第一導體之一第二端； 、-控制ϋ ’其配置成可控制該第一交流電源，俾透 過5亥第一導體提供一具有一第_振幅與一第一相位之 -第-交流電壓給該至少一電極，以電容删該支 樓結構上之該物體； 一第二交流電源’其連接至該第二導體，其中該控 制器配置成可以控制該第二交流電源，以提供一第二 又机電壓給該第二導體’該第二交流電壓具有一第二 ㈣與一第二相位，其實質上分別等於該第-振幅與 第一相位；及 一致動器、，用以移動該支撐結構，該致動器連接到 。亥抆制為，该控制器用以決定施加該物體上之一夾持 力且根據經决定之夹持力將該物體之一加速度的最 89995-970926.doc 1304158 大值提供給該致動器。 6· 根據中請專㈣圍第5項之微影裝置 制該致動H ’以當—夹持力大於一 撐結構。 ’其中該控制器可控 特定值時，移動該支

   根據申請專利範圍第5頊之外旦 罘項之彳政影裝置，其中該第一導體係 ^至一直流電源，該直流電源與該第一交流電源串 乂提ί、直流電壓給至少一電極，俾於該物體上提 供一夾持力。 8. 9· 根據申請專利範圍第5項之微影裝置，其中該第一導體至 少部分地被該第二導體所圍繞。 一種電容式偵測一支撐έ士播 又命〜構上之一物體之方法，該方法 包括： I制-直流電源’以提供一直流電壓給至少一電極， 以便在一物體上提供一夾持力； 控制一父流電源，以透過一第一導體提供具有一第一 振幅與-第-相位之_第_交流電壓給該至少一電極， 俾電容式彳貞測該物體； 控制一第二交流電源，以提供一第二交流電壓給一第 一導體’言玄第二交流電壓具有一第二振幅與一第二相 位，其貫質上分別等於該第一振幅與該第一相位； 基由該支撐結構上存在該物體時與該支撐結構上不存 在該物體時，該支撐結構之電容差異，來決定該支撐結 構施加至該物體之該失持力； 從該夾持力得到在移動時引起該支撐結構相對該物體 89995-970926.doc 1304158 移動之一& L丄 取大加速度，以及 移動該支撐結構與該物體，其中該支稱結構與該物體 1之加速度小於該最大加速度。 0·根據申請專利範圍第9項之方法，另包含： /則疋该支撐結構上帶有該物體時該支撐結構之一第一 “、或17亥支揮結構上不帶有該物體時該支撐結構之一第 一電备’或者測定該第一電容與該第二電容兩者；及

   將測疋之該第一電容及/或該第二電容儲存在一記憶體 中。 根據申請專利範圍第9項之方法，其另包含： ^ 、〗疋在D亥支撐結構上帶有該物體時與在該支樓矣 構上不帶有該物體時，該支樓結構之電容差異來測定言 支撐結構施加於該物體之該夹持力； :/夾持力與一在該支撐結構移動期間適合在該支# I上失持該物體所須要之最小夾持力作比較；以及 除非測定之該夾持力小

   +壮丄 Jδ亥取小夾持力，當測定之1 夾持力大於或者等於該最小 1? ^ ^ Α符力時移動該支撐結構。 12. 一種電腦可讀取記錄媒體，且 ^ S >ίϊίΙ 4b /V /、上儲存一程式，该程式ί s夕個指令以執行一方 ^ ^ 成方法包含： 拴制一直流電源，以提 Ρt —直流電壓給至少一電極 以便在一物體上提供一失持力· 控制一交流電源，以透—— 振幅與-第-相位之一第――弟—導體提供具有一第 俾電容式债測該物體；&流電壓給該至少一電極 89995-970926.doc -4. 抆制一第二交流電源，以提供一第二交流電壓給一第 二導體，該第二交流電壓具有一第二振幅與一第二相 位，其分別等於該第一振幅與該第一相位。 3·根據申請專利範圍第12項之電腦可讀取記錄媒體，其中 該方法另包含： /則又忒支撐結構上帶有該物體時該支撐結構之一第一 電今或遠支撐結構上不帶有該物體時該支撐結構之一 第一電奋，或者測定該第一電容與該第二電容兩者；及 將测定之该第一電容及/或該第二電容儲存在一記憶體 中。 14·根據申請專利範圍第12項之電腦可讀取記錄媒體，其中 該方法另包含： 藉由測定在該支撐結構上帶有該物體時與在該支撐結 U不帶有忒物體時，該支撐結構之電容差異來測定該 支撐結構施加於該物體之該夾持力， 將該夾持力與一在該支撐結構移動期間適合在該支撐 結構上夾持該物體所須要之最小夹持力作比較；以及 ,除非敎之該夾持力小於該最小夾持力，當測定之該 夹持力大於或者等於該最小夾持力時，指示移動該支撐 結構。 ▲康申，月專利I巳圍第12項之電腦可讀取記錄媒體，其中 σ玄方法另包含： 基由4支擇結構上存在該物體時與該支撲結構上不存 在邊物體時，該支樓結構之電容差異，來決㈣支撐結 89995-970926.doc 1304158 構施加至該物體之該夾持力； 從該夾持力得到在移動時引起該支撐結構相對該物體 移動之最大加速度，以及 指示移動該支撐結構與該物體，其中該支撐結構與該 物體之加速度小於該最大加速度。 16. 一種電容式偵測一支撐結構上之一物體的方法，其包含： 提供一直流電壓給至少一電極，以便對一物體提供一 夾持力； 逯過一第一導體提供具有 -第-交_給該至少一電極，以電容制該物體； 提供:第二交流電壓給該第二導體，該第二交流電麼 二:：二振幅與一第二相位’其實質上分別等於該第 一振幅與該第一相位； 基於在該支撐結構上帶有哕你 ^ ^勿體日守與在該支撐結構上 不…物體時，該支樓結構之 撐結構施加於該物體之該夾持力，〃丨決疋錢 將該夾持力與-在該支撐結構 結構上夾持該物體所須要』間適合在該支撐 除非經決定之該夾持力小於持力作比較， ·以及 該夹持力大於或者等於該最小持力’當測定之 構及該物體。 、力時，移動該支撐結 89995-970926.doc

   1304158 第093100436號專利申請案 中文說明書替換頁(95年6月） 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（2 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 20 偵測組件 21 物體 22 導體 23 支撐結構 25 電極 26 第二導體 27 第二(相對)電極 28 第一導體 29 電纜 31 直流電源 33 第一交流電源 35 第二父流電源 37 控制元件 39 電流測量單元 41 致動器

   捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） O:\89\89995-950623.DOC