CN100504603C - 检测组件、光刻投影装置及检测、校准、确定和保持方法 - Google Patents

Abstract

本发明包括一种用于电容性地检测支撑结构上的物体21的检测组件20，包括至少一个设置在支撑结构23附近的电极25和至少一个连接到至少一个电极25的电缆29，所述至少一个电缆29具有第一导线28和第二导线26，所述第一导线28连接到串联连接的DC电源和第一AC电源33，以及控制装置37，控制装置37设置成：控制所述DC电源31，将预定的DC电压提供给所述至少一个电极25，以提供所述物体21上的夹持力，和控制所述第一AC电源33，通过所述第一导线28将具有第一振幅和第一相位的预定第一AC电压提供给所述至少一个电极25，用于电容性地检测所述物体21。本发明的新意在于所述组件20包括连接到所述第二导线26的第二AC电源35，所述控制装置37设置成控制所述第二AC电源35将预定的第二AC电压提供给所述第二导线26，所述第二AC电压具有分别与第一振幅和第一相位基本上相等的第二振幅和第二相位。

Description

检测组件、光刻投影装置及检测、校准、确定和保持方法

技术领域

本发明涉及用于电容性地检测支撑结构上的物体的检测组件，包括至少一个设置在支撑结构附近的电极和至少一个电缆，所述至少一个电缆具有第一导线和第二导线，所述第一导线的第一端连接到所述至少一个电极并且第二端连接到第一AC电源，以及一个控制装置，该装置设置用于为电容性地检测所述物体而控制所述第一AC电源，使其通过所述第一导线为肺蛭少一个电极提供具有第一振幅和第一相位的预定的第一AC电压。

背景技术

在光刻投影装置中提供这样的组件特别有益。因此，下文仅以实例的方式通过这样的一种光刻装置来说明本发明。在光刻投影装置中，通常通过测量包括至少连接到支撑结构的电缆和支撑结构本身的组件的电容来检测支撑结构上的物体的存在。不可能仅测量支撑结构的电容，因为支撑机构的电容的测量是通过电缆进行的，并且因而受电缆以及可能受与支撑结构电接触的其它部件的影响。特别是，电缆将相当高的附加电容引入该测量中。可是，需要该电缆给用于在物体上施加所需静电夹持力的电极通电。附加电容的存在使精确地形成支撑结构的相对较小的电容变得困难，并且该电容还依照物体的位置变化。其中，因为下述原因，能够精确地测量支撑结构的电容非常重要。该电容：

1)指示物体是否已经正确地放置和/或夹持在支撑结构上，

2)在通过下面的公式计算之后，给出可以施加在物体上而不使物体开始从支撑结构分离的最大力，和

3)无需附加校准，即可以高可靠程度确定支撑结构上物体的存在或不存在。

显然，现在不可能精确地测量光刻投影装置中文撑结构相对较小的可变电容。

发明内容

因此，本发明的目的是更精确地测量支撑结构的电容。

本发明第一实施方案的特征在于，所述组件包括一个连接到所述第二导线的AC电源，并且所述控制装置设置成控制所述第二AC电源以将预定的第二AC电压提供给所述第二导线，所述第二AC电压具有分别与第一振幅和第一相位基本上相等的第二振幅和第二相位。

这样允许精确地测量支撑结构的电容，并且可以高度精确地确定支撑结构的电容变化，因为在测量中，没有测量电缆和不包括支撑结构的其它组件的电容。

本发明的另一个实施方案的特征在于，在所述第一导线中包括与第一AC电源串联的DC电源，用于将预定的DC电压提供给所述至少一个电极，使其在所述物体上提供夹持力。该夹持力确保支撑结构与物体之间适当的接合。

本发明的另一个实施方案的特征在于，电缆的第一导线至少部分地被电缆的第二导线封闭。同轴电缆可以具有任何直径。只要编织层(外部导线)屏蔽内部导线，同轴电缆还可以具有不同的几何形状。有利地，选择导线的直径，使其尽可能小以使电缆的硬度最小。

本发明的另一个实施方案的特征在于，第二导线至少部分地被第三接地导线封闭。这导致来自电缆和到达电缆的电磁辐射减少。

本发明的又一个实施方案的特征在于，用具有单一放大率的放大电路从第一AC电压获得第二AC电压。这将导致第二AC电压从第一AC电压分离，但第二AC电压具有与第一AC电压基本上相同的振幅和相位。

本发明还涉及一种包括上面描述的检测组件的光刻装置。在本发明的另一个实施方案中，光刻投影装置还包括用于移动支撑结构的致动器，所述致动器连接到控制装置，所述控制装置设置成控制致动器以使其在确定夹持力超过预定值之后移动支撑结构。这意味着致动器/传输装置(例如机器人)将仅利用物体上存在的某种最小夹持力进行移动。给控制装置提供具有关于典型移动和各个移动所需夹持力的信息的表是有益的。

本发明的又一个实施方案的特征在于，光刻投影装置还包括用于移动支撑结构的致动器，该致动器连接到控制装置，该控制装置设置成确定在所述物体上的夹持力，并且从而给致动器提供所述物体加速的最大值。这样，防止由于物体加速度太高，物体自己从支撑结构分离。此外，给控制装置提供具有关于典型夹持力和对于典型传输移动各自允许的加速度的信息的表是有益的。

如联系上面的两个实施方案所描述的，本发明还可以用于确定放置在晶片台上的弯曲晶片或者放置在晶片台上轻微倾斜的晶片的加速度的最大值。

本发明还涉及用于电容性地检测在光刻投影装置中支撑结构上的物体的方法，该支撑结构包括至少一个设置在支撑结构附近的电极，和至少一个连接到至少一个电极的电缆，所述至少一个电缆具有第一导线和第二导线，所述第一导线连接到串联连接的DC电源和第一AC电源，所述方法包括：

控制所述DC电源，以将预定的DC电压提供给所述至少一个电极，以提供所述物体上的夹持力，和

控制所述AC电源，以通过所述第一导线将具有第一振幅和第一相位的预定第一AC电压提供给所述至少一个电极，用于电容性地检测所述物体，

其特征在于：

所述组件包括连接到所述第二导线的第二AC电源，并且所述方法包括控制所述第二AC电源以将预定第二AC电压提供给所述第二导线的步骤，所述第二AC电压具有分别与第一振幅和第一相位基本上相等的第二振幅和第二相位。

本发明还涉及一种用于校准上述检测组件或者上述光刻投影装置的方法，其特征在于，该方法包括：

确定物体存在于支撑结构上时支撑结构的第一电容和物体不存在于支撑结构上时支撑结构的第二电容中的至少一个，和

将所确定的第一电容和所确定的第二电容中的至少一个存储在存储器中。

本发明还涉及上述确定支撑结构和物体是否一起移动的方法，其特征在于，该方法包括：

通过确定物体存在于支撑结构上时支撑结构的电容和物体不存在于支撑结构上时支撑结构的电容之间的差异，确定支撑结构对物体的夹持力，

将该夹持力与在移动过程中将物体保持在支撑结构上所需的预定最小夹持力进行比较；和

当确定的夹持力大于最小夹持力时使之移动，或者当确定的夹持力小于最小夹持力时避免使之移动。

本发明还涉及上述用于在移动过程中保持支撑结构和物体的加速度低于预定值的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

通过确定物体存在于支撑结构上时支撑结构的电容和物体不存在于支撑结构上时支撑结构的电容之间的差异，确定支撑结构对物体的夹持力，和

以小于最大加速度的加速度进行移动。

本发明还涉及一种计算机程序产品，它包括指令和数据，以允许组件执行上述的任一种方法。

本发明还涉及一种包括上述计算机程序产品的数据载体。

这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图部件的示例包括：

■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的所需位置，并且如果需要该台会相对光束移动。

■可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施方案利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。有关反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。

■可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。

为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。

光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置中，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或者步进-重复装置。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常<1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。

在采用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微 芯片制造：半导线加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。

为了简单起见，投影系统在下文称为“镜片”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计工作的部件，该部件用于引导、成形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜片”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。

在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。

在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365,248,193,157或者126nm的波长)和EUV(极远紫外辐射，例如具有5—20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。

附图说明

现在参照附图描述本发明，这些附图仅用来显示实施方案而不是限制其范围：

图1为一种光刻投影装置的总体示意图；

图2示出本发明一个实施例的示意性配置。

具体实施方式

图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的光刻投影装置1。

该装置包括：

辐射系统Ex，IL，用于提供波长为11～14nm的辐射投射光束PB(例如EUV辐射)，在这种具体例子中，该辐射系统还包括一辐射源LA；

第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；

第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；

投射系统(“镜片”)PL，用于将掩模MA的受辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯(die))上。如这里指出的，该装置属于反射型(即具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图部件，如上述涉及的可编程反射镜阵列型。

辐射源LA(例如产生激光等离子体或放电等离子体EUV辐射源)产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex等调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ—外和σ—内)。另外，它一般包括各种其它组件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀度和强度分布。

应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。

光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过镜片PL，该镜片将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。可以用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA和基底W。

所示的装置可以按照二种不同模式使用：

1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射。

2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜片PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。

在图2中示出本发明的一个实施方案。检测组件20包括支撑结构23(例如晶片台)，物体21(例如晶片)安装或“夹持”在其上。支撑结构23包括第一电极25。电极25可以由多部分构成。例如两个半个圆形“D’s”，这会导致在一个系统中具有两个同样的电路，每个连接到它们各自的电极部分。第二(反向)电极27与物体21电连接。第一电极25连接到导线28，并且第二电极连接到导线22。如图2中所示，导线28可以是同轴电缆29的内部导线。同轴电缆29的外部编织层由导线26形成。这很重要，内部导线28应当与其环境电学隔离。电缆29连接到DC电源31。AC电源33与DC电源串联连接。另一个AC电源35连接到外部导线26，与DC电源31并联。由导线26实现的屏蔽和附加AC电源35产生所需结果。DC电源31、AC电源33和AC电源35各自连接到控制单元37。

例如在导线28中设置(电流)测量单元39，以测量导线28中的电流。电流测量单元39连接到控制单元37。单元39可以在AC电源33与电缆29之间(如图2所示)或者电缆29与晶片台23之间连接。同样，当选择谐振电路方案时，可以通过测量单元39测量频率的变化。提供致动器41以按照需要并且由控制单元37控制来移动支撑结构。

组件20以下面的方式运行：DC电源给电极25和27提供DC电压。DC电压在电极25和27之间产生电场。电场给支撑结构23提供对物体21的吸引夹持力。为了测量组件20的电容，使用AC电源33。然后，由控制单元37利用AC电源33的AC值和电流测量单元39提供的电流值计算电容值，如本领域普通技术人员所公知的。当物体存在时测量的电容值比当物体不存在时测量的电容值更大。因此，电容测量提供物体是否存在的信息。

但是，电容测量受电缆29的电容的强烈影响，因为后者的电容比由于物体是否存在而导致的电容差异大很多。因此，设置图2的配置以在测量中消除电缆29的电容。

为了从测量中消除电缆29的电容，AC电源35将AC电压提供给外部导线26，该AC电压与由AC电源33提供给内部导线28的AC电压具有相同的相位和相同的振幅。因此，横跨两导线26、28的电压差为零，并且电缆29不增加组件20的电容。

图2的组件提供了由物体21引起的电容影响的更精确测量。例如，预计可以更容易地测量与理想的期望电容值之间的偏离。这样的偏离可以例如由所夹持的晶片与期望平面度的偏离所导致。

此外，现在电容绝对值的测量提供物体是否存在的精确和可靠的指示。因此，当图2的装置用于图1的光刻系统中，在系统接通时测量电容，可以直接并且明确地提供晶片是否存在的指示。这就避免了对复杂的校准测量的需求。

在另一个实施方案中，图2的装置用于计算由电极25施加于物体21以夹持物体的静电夹持压力。为此，测量两次电容，即一次物体21存在，一次物体21不存在。当这两次测量的电容值的差异定义为ΔC，静电夹持压力P对于在电极25与晶片21之间测量电容的单个电极设置遵循下式：

$P=\frac{1}{2{\mathrm{\&epsiv;}}_0{A}^2}\&CenterDot;V^2\&CenterDot;{\mathrm{\&Delta;C}}^2---\left[\mathrm{Pa}\right]$

其中：

A＝物体21的表面积

V＝DC电源31的电压

ε₀＝真空介电常数

对于测量两电极之间的电容的双极设置，晶片电学浮动在其间，上述公式变成：

$P=\frac{8}{{\mathrm{\&epsiv;}}_0{A}^2}\&CenterDot;V^2\&CenterDot;{\mathrm{\&Delta;C}}^2---\left[\mathrm{Pa}\right]$

其中符号与上面的公式相同。

代替物体21不存在时电容的测量，还可以在具有非常平坦的表面时测量电容。第二参考测量与物体21不存在时的测量相结合还可以获得系统具有已知偏移和增益的(线性)校准图表。

获知该静电夹持压力P很重要，因为它可以用作夹持时物体21最大允许加速度的指示。当物体21是晶片时，带有夹持晶片的支撑结构23的最大允许加速度遵从静电夹持压力P与在支撑结构23上的晶片21的摩擦系数的乘积。该结果由控制单元37计算，控制单元37可以利用该结果来控制致动器41，使得致动器41给支撑结构23提供低于所述最大加速度的加速度。

另一方面，当控制单元37获知施加于支撑结构上的最大加速度时，如果控制单元37确定实际夹持力超过所必需的夹持力，它可以控制DC电源31以减小夹持电压。这是有利的，因为它可以例如有助于减少污染。

如上所述，本发明已经通过光刻装置的方式进行了描述，仍然需要强调的是，上面的描述仅通过实例的方式给出，并且无意限制本发明的范围。尽管所示AC电源33、35、DC电源37和控制单元37为分离的单元，但是，它们可以以任何其它技术上等效的方式实施，例如，作为单个单元连接到导线28、29，但是提供同样的功能。因此，图2示出基本功能单元，而不是必需的仅有的实施方式。控制单元37可以是由适当软件驱动的计算机。但是，也可以依照需要使用模拟和/或数字电路。AC电源35可以由AC电源33控制，使其统一乘上AC电源35输出的AC电压以获得精确相等的AC电压输出。

Claims (14)

1.一种用于电容性地检测支撑结构(23)上的物体(21)的检测组件(20)，包括至少一个设置在支撑结构(23)附近的电极(25)和至少一个电缆(29)，所述至少一个电缆(29)具有第一导线(28)和第二导线(26)，所述第一导线(28)的第一端连接到该至少一个电极(25)并且第二端连接到第一AC电源(33)，还包括一个控制装置(37)，该装置设置用于为电容性地检测所述物体(21)而控制所述第一AC电源(33)，以通过所述第一导线(28)为所述至少一个电极(25)提供具有第一振幅和第一相位的预定的第一AC电压，

所述组件(20)包括连接到所述第二导线(26)的第二AC电源(35)，所述控制装置(37)设置成控制所述第二AC电源(35)以向所述第二导线(26)提供预定的第二AC电压，所述第二AC电压具有分别与第一振幅和第一相位基本相等的第二振幅和第二相位，

在所述第一导线(28)中包括与所述第一AC电源(33)串联的DC电源(31)，用于将预定的DC电压提供给所述至少一个电极(25)以在所述物体(21)上提供夹持力。

2.根据权利要求1的检测组件(20)，其特征在于，物体(21)是晶片和分划板中的一个。

3.根据权利要求1所述的检测组件(20)，其特征在于，电缆(29)的第一导线(28)至少部分地被电缆(29)的第二导线(26)封闭。

4.根据权利要求2所述的检测组件(20)，其特征在于，电缆(29)的第一导线(28)至少部分地被电缆(29)的第二导线(26)封闭。

5.根据权利要求3的检测组件(20)，其特征在于，第二导线(26)至少部分地被第三接地导线封闭。

6.根据权利要求4的检测组件(20)，其特征在于，第二导线(26)至少部分地被第三接地导线封闭。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的检测组件(20)，其特征在于，用具有单一放大率的放大电路从第一AC电压获得第二AC电压。

8.一种包括前面任何一项权利要求所述检测组件(20)的光刻投影装置(1)。

9.根据权利要求8所述的光刻投影装置(1)，其特征在于，该光刻投影装置(1)还包括用于移动支撑结构(23)的致动器(41)，所述致动器(41)连接到控制装置(37)，所述控制装置(37)设置成控制致动器(41)，使其在确定夹持力在预定值之上以后移动支撑结构(23)。

10.根据权利要求8或9所述的光刻投影装置(1)，其特征在于，该光刻投影装置(1)还包括用于移动支撑结构(23)的致动器(41)，所述致动器(41)连接到控制装置(37)，所述控制装置(37)设置成确定物体(21)上的夹持力，并且从而给致动器(41)提供所述物体(21)的加速度的最大值。

11.用于电容性地检测支撑结构(23)上的物体的方法，包括至少一个电极(25)设置在支撑结构(23)附近和至少一个电缆(29)连接到该至少一个电极(25)，所述至少一个电缆(29)具有第一导线(28)和第二导线(26)，所述第一导线(28)连接到串联连接的DC电源(31)和第一AC电源(33)，所述方法包括：

控制所述DC电源(31)，将预定的DC电压提供给所述至少一个电极(25)，以提供所述物体(21)上的夹持力，和

控制所述AC电源(33)，以通过所述第一导线(28)将具有第一振幅和第一相位的预定第一AC电压提供给所述至少一个电极(25)，用于电容性地检测所述物体(21)，

其特征在于：

还包括连接到所述第二导线(26)的第二AC电源(35)，并且所述方法包括控制所述第二AC电源(35)以将预定第二AC电压提供给所述第二导线(26)的步骤，所述第二AC电压具有分别与第一振幅和第一相位基本上相等的第二振幅和第二相位。

12.根据权利要求11的方法，其特征在于，该方法包括：

确定物体(21)存在于支撑结构(23)上时支撑结构(23)的第一电容和物体(21)不存在于支撑结构(23)上时支撑结构(23)的第二电容中的至少一个，和

将所确定的第一电容和所确定的第二电容中的至少一个存储在存储器中。

13.根据权利要求11的方法，其特征在于，该方法包括：

通过确定物体(21)存在于支撑结构(23)上时支撑结构(23)的电容和物体(21)不存在于支撑结构(23)上时支撑结构(23)电容之间的差异，确定支撑结构(23)对物体(21)的夹持力，

将该夹持力与在移动过程中将物体(21)保持在支撑结构(23)上所需的预定最小夹持力进行比较；和

当所确定的夹持力大于或等于最小夹持力时进行移动，或者当确定的夹持力小于最小夹持力时避免进行移动。

14.根据权利要求11的方法，其特征在于，该方法包括：

通过确定物体(21)存在于支撑结构(23)上时和物体(21)不存在于支撑结构(23)上时支撑结构(23)的电容之间的差异，确定支撑结构(23)对物体(21)的夹持力，

从夹持力获得导致支撑结构(23)相对于物体(21)移动的最大加速度，和

以小于最大加速度的加速度进行移动。

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