KR20040048837A - 정전 흡착 방법, 정전 흡착 장치 및 접합 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 유전체로 이루어지는 테이블에 설치된 전극에 직류 전압을 인가하여, 상기 직류 전압 인가에 의하여 발생하는 정전기력으로 상기 테이블의 지지면에 기판을 흡착 지지하는 정전 흡착 방법에 있어서,상기 전극에 소정 극성의 전압을 인가하여 상기 지지면에 상기 전극에 인가된 극성과 다른 극성의 전하를 대전시키는 제1 공정,상기 지지면에 상기 기판을 지지하는 제2 공정, 및상기 지지면에 상기 기판을 지지한 상태에서 상기 전극에 상기 제1 공정에서 인가한 극성과 다른 극성의 전압을 인가하여 상기 테이블의 상기 지지면에 상기 제1 공정에서 상기 지지면에 대전시킨 전하와 동일 극성의 전하를 발생시키고, 상기 전하와 상기 제1 공정에서 상기 지지면에 대전시킨 전하로 상기 기판을 흡착 지지하는 제3 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 공정은 압력 분위기 하에서 행해지고, 상기 압력 분위기에는 하전 입자가 존재하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 방법.
- 제2항에 있어서,상기 압력 분위기에는 수증기와 산소 중 적어도 한 쪽이 존재하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제3 공정은 80kPa 이하의 압력 분위기에서 행하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제3 공정에서 상기 전극에 전압을 인가하기 전에, 상기 전극을 접지(earth)하여 전극에 축적된 전하를 방전시키는 접지 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 방법.
- 기판을 흡착 지지하는 정전 흡착 장치에 있어서,유전체에 의해서 형성되어 상기 기판을 정전기력에 의해서 지지하는 지지면을 가지는 테이블,상기 테이블에 설치된 전극,상기 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원, 및상기 직류 전원에 의해서 상기 전극에 인가되는 직류 전압의 극성을 절환하는 절환 수단을 구비하고,상기 전극에 소정 극성의 직류 전압을 인가한 후 상기 지지면에 상기 기판을 지지한 후, 상기 절환 수단을 조작하여 상기 전극에 다른 극성의 직류 전압을 인가하는것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치.
- 제6항에 있어서,상기 테이블은 챔버 내에 설치되고, 상기 챔버의 내부 공간은 감압 수단에 의해서 감압될 수 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치.
- 제6항에 있어서,상기 챔버에는 상기 내부공간에 하전 입자를 공급하는 하전 입자 공급수단이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치.
- 2매의 기판 사이에 유체를 개재시키고, 이들 기판을 밀봉제에 의해서 접합하는 접합 장치에 있어서,내부 공간이 감압될 수 있는 챔버,상기 챔버 내에 대향하여 설치되어 서로의 대향하는 면에 각각 기판을 지지하는 지지면을 가지는 동시에 적어도 한 쪽이 유전체에 의해서 형성된 한 쌍의 테이블,상기 유전체에 의해서 형성된 테이블에 설치된 전극,상기 전극에 직류 전압을 인가하여 상기 테이블의 지지면에 상기 기판을 지지하는 정전기력을 발생시키는 직류 전원,상기 직류 전원에 의해서 상기 전극에 인가되는 직류 전압의 극성을 변환하는 절환 수단, 및한 쌍의 테이블을 상대적으로 상하 방향 및 수평 방향으로 구동하여 상기 한 쌍의 테이블의 지지면에 각각 지지된 상기 기판의 수평 방향의 위치 맞춤을 한 후 이들 기판을 접합하는 구동 수단을 구비하고,상기 전극에 소정 극성의 직류 전압을 인가하고 상기 지지면에 상기 기판을 지지한 후, 상기 절환 장치를 조작하여 상기 전극에 다른 극성의 직류 전압을 인가하는것을 특징으로 하는 접합 장치.
- 제9항에 있어서,상기 전극에 다른 극성의 직류 전압을 인가하기 전에, 상기 전극에 축적된 전하를 방전시키는 접지 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
- 제9항에 있어서,상기 지지면에는 가스 도입원에 연통된 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
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Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI350394B (en) * | 2004-04-16 | 2011-10-11 | Chimei Innolux Corp | Apparatus and method for connecting two substrates |
JP4498895B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-07-07 | 筑波精工株式会社 | 静電吸着システム及びそれを用いたアライメント方法 |
JP4583905B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2010-11-17 | 筑波精工株式会社 | アライメント装置及びそれを用いたアライメント方法 |
JP5236448B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-07-17 | アドヴァンスド・ディスプレイ・プロセス・エンジニアリング・コーポレーション・リミテッド | 静電チャック及びそれを備えた基板合着装置 |
KR101868130B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2018-06-18 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 열 어레이 시스템 |
JP6649689B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2020-02-19 | 株式会社ディスコ | 減圧処理装置及びウエーハの保持方法 |
JP6765761B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2020-10-07 | 株式会社ディスコ | 静電チャック装置及び静電吸着方法 |
US10714372B2 (en) * | 2017-09-20 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to portions of a substrate |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
CN113169026B (zh) | 2019-01-22 | 2024-04-26 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US20220399185A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2535663B2 (ja) * | 1990-10-02 | 1996-09-18 | 株式会社アビサレ | 掲示装置 |
US5557215A (en) * | 1993-05-12 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus |
JP3257180B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2002-02-18 | ソニー株式会社 | 成膜方法 |
US6141203A (en) * | 1994-03-03 | 2000-10-31 | Sherman; Arthur | Electrostatic chuck |
TW334609B (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
US5986874A (en) * | 1997-06-03 | 1999-11-16 | Watkins-Johnson Company | Electrostatic support assembly having an integral ion focus ring |
DE19853092B4 (de) * | 1998-11-18 | 2004-10-21 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Übernahme- und Haltesystem für ein Substrat |
US6430022B2 (en) * | 1999-04-19 | 2002-08-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling chucking force in an electrostatic |
JP3953767B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2007-08-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法及び製造装置 |
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2003
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101413233B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2014-06-30 | 삼성전자 주식회사 | 나노 임프린트 리소그래피 공정 |
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