KR20040030532A - 내식막 박리용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의해, 니트로기 함유 유기 화합물(A) 및 내식막 박리제(B)를 함유하는 내식막 박리용 조성물이 제공된다. 이러한 조성물을 사용하면 반도체 또는 액정용 전자 회로 등의 제조 공정에서 배선 형성시에 생성되는 내식막 잔사를 고효율로 제거할 수 있으며, 또한 실리콘 기판의 부식을 억제하거나, 또는 박막 트랜지스터 구성물을 구성하는 금속인 a-Si 및 p-Si의 부식을 효율적으로 방지할 수 있다.

Description

내식막 박리용 조성물{Resist releasing composition}
반도체 집적회로, 액정 패널의 반도체 소자 회로 등의 제조에 사용되는 감광성 내식막을 기판 위에서 박리할 때에 박리용 조성물이 사용된다. 예를 들면, 반도체 소자 회로 또는 부수되는 전극부는 아래와 같이 제조된다. 우선, 실리콘, 유리 등의 기판 위에 CVD나 스퍼터링에 의해 형성된 금속막이나 SiO2막 등의 절연막 위에 감광성 내식막을 균일하게 도포하고, 이것을 노광, 현상 처리하여 내식막 패턴을 형성한다. 패턴 형성된 감광성 내식막을 마스크로서 사용하여 금속막이나 절연막을 에칭한다. 다음에, 불필요해진 감광성 내식막을 박리용 조성물을 사용하여 박리·제거한다. 이러한 조작을 반복함으로써 상기한 회로 또는 전극부가 형성된다. 여기서, 금속막으로는, 예를 들면 알루미늄(Al); 알루미늄-실리콘-구리(Al-Si-Cu) 등의 알루미늄 합금; 티탄(Ti); 질화티탄(TiN) 등의 티탄 합금; 또는 a-Si, p-Si 등의 실리콘이 사용된다. 이러한 금속막 또는 절연막은 단층 또는 다층으로 기판 위에 형성된다.
종래부터, 감광성 내식막의 박리에는 유기 알칼리, 무기 알칼리, 유기산, 무기산 등의 화합물을 단독으로 또는 2종 이상을 배합하여 유기 용매 또는 물에 용해하고, 필요에 따라, 첨가물을 배합한 박리용 조성물이 사용되고 있다.
예를 들면, 반도체 소자 회로 등의 제조 공정에서, 배선 형성시 생성되는 내식막 잔사를 제거하기 위해, 알킬아민 및 알킬암모늄 수산화물 중의 1종 이상과 유기 용매 또는 물을 주성분으로 하는 내식막 박리용 조성물이 익히 공지되어 있다.
이들 중에서, 현재 일반적으로 사용되고 있는 모노에탄올아민(MEA)과 유기 용매의 혼합액으로 이루어진 비수계 박리액에서는 a-Si 및 p-Si가 부식되지 않는다. 그러나, 이러한 비수계 박리액은 내식막의 박리 및 제거가 함수계 박리액보다 열등하다. 또한, 변질된 내식막(열, 산 등의 화학 시료액에 의한 처리 또는 플라스마 상태에서 노출됨으로써 변질된 내식막)의 박리 및 제거가 함수계 박리액보다 열등하다. 또한, 비수계 박리액은 함수계 박리액과 비교하여 보다 높은 온도 조건하에서 사용되지 않으면 안된다. 한편, 모노에탄올아민과 물의 혼합액으로 이루어진 함수계 박리액은 a-Si 및 p-Si[이들은 액정 디스플레이(liquid crystaldisplay, LCD)의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 소자를 구성하는 금속이다]를 부식시키기 때문에, 바람직하지 않다. 또한, 이러한 박리액은 실리콘 기판을 부식시키므로, 반도체 집적회로의 제조에서 기판 위의 분진 또는 입자 생성의 원인이 되며, 수율을 저하시킬 가능성이 있어, 바람직하지 않다.
일본 공개특허공보 제(평)5-259066호에는 방향족 페놀 화합물 및 방향족 카복실산 화합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 화합물과 유기 아민을 함유하는 수용액으로 이루어진 감광성 내식막 박리액이 기재되어 있다. 그러나, 이러한 박리액도 실리콘 기판, a-Si 및 p-Si의 부식을 억제할 수는 없다.
또한, 일본 공개특허공보 제(평)8-202051호에는 알칸올아민류, 알콕시아민류, 알콕시알칸올아민류 또는 산아미드를 포함하는 감광성 내식막 박리용 조성물에서, 금속 부식 방지제로서 당류 또는 당알콜을 사용하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이러한 박리액도 동일하게 실리콘 기판, a-Si 및 p-Si의 부식을 억제할 수 없다.
상기한 이유로부터 내식막 잔사를 효과적으로 제거하며, 실리콘 기판, a-Si 및 p-Si의 부식 방지 기능을 갖는 박리용 조성물이 요망되고 있다.
발명의 개시
본 발명은 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 이의 목적은 반도체 집적회로의 제조에 사용되는 실리콘 기판의 부식 및 박막 트랜지스터 소자의 구성 금속인 a-Si 및 p-Si의 용해를 억제하거나 방지할 수 있는 내식막 박리용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 각종 실험을 거듭한 결과, 내식막 박리용 조성물에 추가로 니트로기 함유 유기 화합물을 함유시킴으로써 내식막 잔사를 효과적으로 제거하며, 또한 실리콘 기판의 부식 및 a-Si 및 p-Si의 용해를 양호하게 억제할 수 있다는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 내식막 박리용 조성물은 니트로기 함유 유기 화합물(A) 및 내식막 박리제(B)를 함유한다.
적절한 실시 양태에서, 니트로기 함유 유기 화합물은 방향족 니트로 화합물 및 헤테로사이클릭 니트로 화합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물이다.
적절한 실시 양태에서, 내식막 박리제(B)는 알킬아민, 알칸올아민 및 4급 암모늄 화합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 아민류 및 물을 함유한다.
적절한 실시 양태에서, 상기 조성물은 추가로 수용성 유기 용매(C)를 함유한다.
적절한 실시 양태에서, 니트로기 함유 유기 화합물(A)의 함량은 0.01 내지 10중량%이고, 아민류의 함량은 1 내지 94중량%이고, 물의 함량은 5 내지 85중량%이고, 나머지는 수용성 유기 용매(C)이다.
적절한 실시 양태에서, 상기 조성물은 알루미늄 또는 구리에 대한 부식 방지제를 추가로 함유한다.
본 발명은 반도체 집적회로, 액정 패널의 반도체 소자 회로 등의 제조에 사용되는 감광성 내식막 박리용 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 감광성 내식막을 기판으로부터 효과적으로 박리하고, 또한 실리콘 기판의 부식을 억제하거나 박막 트랜지스터의 구성 금속인 무정형 실리콘(이하, a-Si라고 기재한다) 및 폴리실리콘(이하, p-Si라고 기재한다)의 용해를 억제하는 감광성 내식막 박리용 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 조성물에는 상기한 바와 같이 니트로기 함유 유기 화합물(A)(이하, 화합물 A라고 하는 경우가 있다)가 포함된다.
니트로기 함유 유기 화합물(A)로서는 다음 화합물이 사용될 수 있다: 니트로에탄, 2-니트로에탄올, 2-(하이드록시메틸)-2-니트로-1,3-프로판디올 등의 지방족 니트로 화합물; o-니트로아닐린, m-니트로아닐린, p-니트로아닐린, o-니트로페놀, m-니트로페놀, p-니트로페놀, o-니트로벤조산, m-니트로벤조산, p-니트로벤조산, 2-니트로아니솔, 3-니트로아니솔, 4-니트로아니솔, o-니트로벤젠설폰산, m-니트로벤젠설폰산, p-니트로벤젠설폰산, 2-메톡시-4-니트로아닐린, 2-아미노-5-니트로티아졸, 2,3-디메틸니트로벤젠, 3,4-디메틸니트로벤젠, 4-니트로벤젠신남산, 4-하이드록시메틸니트로벤젠, 4-하이드록시에틸니트로벤젠, 4-니트로페닐아세트산, 4-메틸-2-니트로아닐린, 4-메틸-3-니트로벤조산, 2,6-디브로모-4-니트로아닐린, 4-에틸니트로벤젠, 4'-니트로아세토페논, 4'-니트로아세트아닐라이드, 4-니트로벤즈아미드, 3-니트로프탈산, 4-니트로프탈산, 4-니트로벤조니트릴, 3-니트로벤조트리플루오라이드, 4-니트로벤질클로라이드, 6-니트로-m-크레졸, 5-니트로구아이아콜, 2-니트로-1,2-페닐렌디아민, 4-니트로-1,2-페닐렌디아민, 4-니트로-1,3-페닐렌디아민, 1,3-디아미노-2,4,6-트리니트로벤젠 등의 방향족 니트로 화합물; 5-니트로인다졸, 2-메틸-5-니트로이미다졸-1-에탄올, 5-니트로벤즈이미다졸, 2-아미노-5-니트로피리딘, 4-니트로이미다졸, 1-(4-니트로페닐)-3-메틸-5-피라졸론 등의 헤테로사이클릭니트로 화합물 등. 이들 중에서, 방향족 니트로 화합물 및 헤테로사이클릭 니트로 화합물이 적절하게 사용된다.
내식막 박리용 조성물 중의 화합물(A)의 함량은 0.01 내지 10중량%인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5중량%이다. 화합물(A)의 함량이 0.01중량% 미만일 경우에는 실리콘 기판, a-Si 및 p-Si에 대한 부식 방지 효과가 수득되지 않는 경향이 있다. 한편, 10중량%를 초과하는 경우에는 알루미늄에 대한 부식이 심해지는 경향이 있다.
본 발명에 함유되어 있는 내식막 박리제(B)로서는 내식막 박리제 분야에서 통상적으로 사용되는 화합물, 예를 들면, 산, 염기 등의 화합물 또는 이들의 혼합물 등의 용액이 물과 함께 사용된다. 바람직하게는, 염기로서 알킬아민, 알칸올아민 및 4급 암모늄 화합물 중의 하나 이상인 아민류 및 물을 함유하는 내식막 박리제가 사용된다. 상기 아민류로서는 다음 화합물을 들 수 있다: 트리에틸렌테트라민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민 등의 알킬아민; 모노에탄올아민(MEA), 디글리콜아민(DGA) 등의 1급 알칸올아민; N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N,N-디에탄올아민 등의 2급 알칸올아민; N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N-메틸-N,N-디에탄올아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)사이클로헥실아민 등의 3급 알칸올아민; 테트라메틸암모늄 수산화물, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄 수산화물 등의 4급 암모늄 화합물 등.
이들 중에서, 모노에탄올아민 및 디글리콜아민 등의 1급 알칸올아민이 적절하게 사용된다.
이러한 내식막 박리제(B)에 함유되는 아민류는 조성물 중에 1 내지 94중량% 함유되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 5 내지 80중량%이다. 내식막 박리제 중의 아민류의 함량이 1중량% 미만일 경우에는 내식막 잔사가 충분하게 제거되기 어려운 경향이 있다. 한편, 94중량%를 초과하는 경우에는 다른 성분의 함량이 감소되므로 내식막 잔사가 제거되지 않는 경향이 있다. 물은 조성물 중에서 5 내지 85중량%의 비율로 함유되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5 내지 60중량%이며, 더욱 바람직하게는 5 내지 40중량%이다. 물의 함량이 5중량% 미만일 경우에는 내식막 잔사가 제거되기 어려운 경향이 있다. 한편, 85중량%를 초과하는 경우에는 다른 성분의 함량이 감소되므로 내식막 잔사의 충분한 제거효과와 실리콘 기판, a-Si 및 p-Si에 대한 부식 방지 효과가 수득되기 어려운 경향이 있다.
본 발명의 조성물에 함유될 수 있는 수용성 유기 용매(C)로서는 다음 화합물이 사용될 수 있다: 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(BDG), N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 디메틸설폭사이드(DMSO), 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등.
본 발명의 조성물에 함유될 수 있는 알루미늄, 구리 등의 금속에 대한 부식 방지제로서는 다음 화합물이 사용될 수 있다: 카테콜, 4-3급 부틸카테콜, 1,2,3-벤조트리아졸, 2-머캅토벤조이미다졸, 2,3-디하이드록시나프탈렌, D-소르비톨, 벤조산 등.
수용성 유기 용매(C)의 함량은 특별히 한정되지 않는다. 화합물(A), 내식막박리제(B) 및, 필요에 따라, 함유되는 부식 방지제 등의 화합물의 나머지가 수용성 유기 용매(C)일 수 있다.
화합물(A), 내식막 박리제(B) 및 수용성 유기 용매(C)는 각각 하나 이상의 화합물이 사용될 수 있다.
화합물(A), 내식막 박리제(B) 및 필요에 따라 수용성 유기 용매(C)를 함유하는 본 발명의 내식막 박리용 조성물은 기판 위에서 내식막을 박리하는 데 사용된다.
다음에, 반도체 기판 또는 액정용 유리 기판을 사용하여 반도체 소자를 제조하는 경우를 예로 들어 본 발명의 조성물의 사용 방법을 설명한다. 예를 들면, 기재 위에 CVD, 스퍼터링 등에 의해 a-Si, p-Si 등의 금속막이나 SiO2등의 절연막을 형성한다. 이어서, 그 위에 감광성 내식막을 막 형성하고, 광마스크를 적재하여 노광시키고, 현상 등의 처리를 실시하여 패턴을 형성한다. 패턴이 형성된 감광성 내식막을 에칭 마스크로서 사용하여 금속 박막을 에칭한다. 다음에, 애슁(ashing)에 의해 내식막을 재로 한다. 애슁할 때에 잔류되는 내식막 잔사를 본 발명의 조성물을 사용하여 박리·제거한다. 구체적으로는, 애슁한 후의 기판을 본 발명의 조성물에 침지시킴으로써 감광성 내식막 잔사가 용해 또는 박리되어 제거된다. 침지 온도는 통상적으로 24 내지 75℃이고, 침지 시간은 30초 내지 30분이다. 이와 같이 하여 표면에 배선 등이 형성된 반도체 소자가 제조된다.
본 발명의 조성물을 사용하면 감광성 내식막 잔사는 용이하게 기판 표면에서박리되며, 또한 실리콘 기판 자체가 부식되거나 형성된 a-Si, p-Si 등의 금속막이 박리되는 경우가 없다. 이러한 조성물을 사용하면 정밀도가 높은 패턴화 기판이 형성된다.
실시예
하기에, 실시예 및 비교예를 기재하며, 본 발명의 특징을 보다 한층 명확하게 설명한다. 본 발명이 이러한 실시예에 의해 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다.
(실시예 1)
실리콘 기판을 0.5% HF 수용액(24℃) 중에 5분 동안 침지시키고, 실리콘 기판 표면 위의 자연 산화막을 제거하여, 기판을 전처리한다. 이어서, 이렇게 전처리된 실리콘 기판을 표 1에 기재된 화합물(A), 내식막 박리제 조성물(B) 및 수용성 유기 용매(C)를 포함하는 조성의 박리용 조성물 중에서 70℃로 1시간 동안 침지시킨다. 이것을 순수로 세정하여 N2가스로 자연 건조시킨다. 주사현미경(SEM)에 의해 Si 표면상태를 관찰하여 실리콘 부식 방지성을 비교하여, 하기 기준으로 평가한다.
○: 부식 없음.
△: 전체면에 구멍난 부식을 볼 수 있다.
×: 전체면에 균일한 부식을 볼 수 있다.
이 결과를 표 1에 기재한다.
보다 상세하게, 실리콘에 대한 부식 방지 효과를 확인하기 위해 상기 조작을 실시할 때에 실리콘 기판의 중량 변화를 측정한다. 실리콘 기판의 중량 변화량을 실리콘의 비중과 기판 면적으로 나눔으로써, 막 두께 변화를 구한다. 또한, 이러한 막 두께 변화량과 침지 시간으로부터 시간당의 막 두께 변화량, 요컨대 실리콘의 시간당 에칭량(에칭율; 단위: Å/분)을 구한다.
이와는 별도로, Cr 기판 위에 1㎛의 막 두께로 막을 붙인 내식막을 100℃에서 2분 동안 베이킹하여 노광한 다음, 2.38중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액으로 현상한다. 또한, 140℃에서 2분 동안 베이킹한 다음, 질산제2세륨암모늄계의 Cr 에칭액에 실온에서 1분 동안 침지시킨다. 이어서, 표 1에 기재된 조성을 갖는 박리용 조성물 중에 50℃에서 1분 동안 침지시킨다. 이것을 순수로 세정하고, 에어 건으로 순수를 발포시키고 자연 건조시킨다. 광학식 현미경으로 내식막 제거 정도를 관찰하여, 하기 기준으로 평가한다.
○: 잔사 없음
△: 잔사가 약간 남는다
×: 거의 잔사가 남아 있다
이 결과를 표 1에 내식막 박리성으로서 기재한다.
(실시예 2 내지 9)
화합물(A), 내식막 박리제(B) 및 수용성 유기 용매(C)를 표 1에 기재된 화합물 및 양으로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수행한다.
(비교예 1 내지 18)
화합물(A), 내식막 박리제(B) 및 수용성 유기 용매(C)를 표 1에 기재된 화합물 및 양으로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수행한다.
실시예 1 내지 9는 니트로기 함유 유기 화합물(A), 내식막 박리제(B)로서 알칸올아민 및 물 및, 필요에 따라, 수용성 유기 용매(C)를 함유하는 조성물이다.표 1로부터 명백한 바와 같이, 이러한 성분을 갖는 조성물은 내식막을 제거하는 성능이 높으며, 또한 높은 실리콘 부식 방지성을 갖는 것을 알 수 있다.
실시예 1 내지 4는 비교예 1 또는 비교예 2의 조성물 중에 방향족 니트로 화합물을 첨가한 조성이다(단, 용매량을 조정; 이하 동일). 비교예 1의 조성물을 사용하는 경우의 실리콘 에칭율이 281Å/분인 데 반해, 실시예 1 및 2에서는 실리콘 에칭율은 거의 제로이다. 동일하게, 비교예 2의 조성물을 사용하는 경우에 실리콘 에칭율이 419Å/분인 데 반해, 실시예 3 및 4에서는 실리콘 에칭율은 거의 제로이다. 이러한 점으로부터, 방향족 니트로 화합물이 실리콘의 에칭을 양호하게 방지한다는 것을 알 수 있다. 동일하게, 비교예 4의 조성물에 방향족 니트로 화합물을 첨가한 실시예 5 및 6의 조성물; 비교예 5의 조성물에 방향족 니트로 화합물을 첨가한 실시예 7의 조성물; 비교예 6의 조성물의 아민류의 일부를 방향족 니트로 화합물로 치환한 실시예 8의 조성물; 및 비교예 7의 조성물의 아민류의 일부를 헤테로사이클릭 니트로 화합물로 치환한 실시예 9의 조성물을 사용하는 경우에도 모두 실리콘 에칭율은 거의 제로이다.
비교예 1 및 2는 실시예 1 내지 4에 기재된 조성으로부터 니트로기 함유 유기 화합물(A)을 제외한 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 내식막은 충분하게 제거되지만 실리콘이 심하게 부식되는 결과를 초래한다.
비교예 3은 모노에탄올아민 만으로 이루어진 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 실리콘의 부식은 나타나지 않지만 내식막 잔사의 제거가 불충분해진다.
비교예 4 내지 6은 모노에탄올아민에 물을 가한 조성물이다. 이들 조성물을 사용하는 경우에는 내식막은 충분하게 제거되지만 실리콘이 심하게 부식된다.
비교예 7은 아민류로서 알킬아민을 사용하여 여기에 물을 가한 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 내식막은 충분하게 제거되지만 실리콘이 심하게 부식된다.
비교예 8은 수용성 유기 용매만의 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 실리콘은 부식되지 않지만 내식막 잔사가 거의 제거되지 않는다.
비교예 9는 수용성 유기 용매에 물을 가한 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 실리콘은 부식되지 않지만 내식막은 제거되지 않는다.
비교예 10은 모노에탄올아민과 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 혼합물로 이루어진 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 실리콘은 부식되지 않지만 내식막 잔사가 충분하게 제거되지 않는 결과를 초래한다.
비교예 11 내지 18은 일반적으로 공지되어 있는 금속 부식 방지제를 내식막 박리제(B)에 첨가한 조성물이다. 이러한 조성물을 사용하는 경우에는 내식막 잔사는 충분히 제거되지만 실리콘 부식을 억제할 수 없다.
(실시예 10 내지 13)
실리콘 질화막을 갖는 기판의 당해 실리콘 질화막 위에 스퍼터에 의해 Al 및 Ti의 순으로 막 부착한 다음, 이 표면에 감광성 내식막을 1㎛의 두께로 막 부착한다. 이것을 100℃에서 2분 동안 베이킹하고, 광마스크를 적재하여 노광한 다음,2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액을 사용하여 현상한다. 다시, 140℃에서 2분 동안 베이킹한 다음, Cl2및 BCl3가스에 의해 Al/Ti막을 건식 에칭하여 소정 패턴의 Al막을 포함하는 기판을 수득한다. 계속해서 산소를 사용하여 감광성 내식막을 가볍게 애슁한다.
이러한 기판을 표 2에 기재된 조성을 갖는 박리용 조성물(박리액) 중에서 40℃에서 10분 동안 침지시킨 다음, 순수로 세정하고, N2가스를 사용하여 에어 건으로 발포시키고 자연 건조시킨다. 이어서, 주사 전자현미경(SEM)으로 감광성 내식막 제거 정도와 A1 부식 방지성을 관찰한다. 이들을 하기의 기준에 따라 평가한다.
내식막 박리성
○: 잔사 없음
△: 잔사가 약간 남는다
×: 거의 잔사가 남아 있다
Al 부식 방지성
◎: Al 부식 없음
○: 근소하게 Al 부식이 관찰되지만 Al 선폭의 감소는 없음
×: Al 선폭의 감소가 확인된다
(비교예 19)
박리액의 조성을 표 2에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 10과 동일하게 수행한다.
이 결과를 표 2에 기재한다.
(제조예)
실시예 1의 내식막 박리용 조성물을 사용하여 다음과 같이 반도체 소자를 제조한다. 우선, 반도체 기판 위에 a-Si의 금속막을 스퍼터링에 의해 형성하고, 어닐링에 의해 p-Si화한다. 이러한 p-Si막 위에 감광성 내식막을 막 형성하고, 마스크를 적재하여 노광시킨다. 이것을 현상하여 패턴을 형성한다. 패턴 형성된 감광성 내식막을 에칭 마스크로 하여 금속 박막을 에칭한다. 다음에, 산소 플라스마 애슁을 실시하여 내식막을 재로 한다. 이러한 기판을 실시예 1의 내식막 박리용 조성물에서 70℃로 20분 동안 침지시킨다. 이로 인해, 잔류하는 내식막 잔사가 제거된다. 이와 같이 표면에 목적하는 패턴이 형성된 반도체 소자가 수득된다.
본 발명에 따르면, 상기한 바와 같이 니트로기 함유 유기 화합물(A), 내식막 박리제(B) 및, 필요에 따라, 수용성 유기 용매(C)를 함유하는 내식막 박리용 조성물이 제공된다.
본 발명의 내식막 박리용 조성물을 반도체 또는 액정용 소자 회로 등의 제조 공정에서 배선 형성시에 생성되는 내식막 잔사를 제거하는데 사용함으로써 내식막 잔사가 효율적으로 제거된다. 또한, 반도체 집적회로의 제조에 사용되는 실리콘 기판 또는 박막 트랜지스터의 구성 금속인 a-Si 및 p-Si의 부식을 방지하거나 대폭 억제할 수 있다.
본 발명의 내식막 박리용 조성물은 반도체 또는 액정용 전자 회로 등의 제조공정 등에 적절하게 사용된다.

Claims (6)

  1. 니트로기 함유 유기 화합물(A) 및 내식막 박리제(B)를 함유하는 내식막 박리용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 니트로기 함유 유기 화합물(A)이 방향족 니트로 화합물 및 헤테로사이클릭 니트로 화합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 화합물인 내식막 박리용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 내식막 박리제(B)가 알킬아민, 알칸올아민 및 4급 암모늄 화합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 아민류 및 물을 함유하는 내식막 박리용 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 수용성 유기 용매(C)를 추가로 함유하는 내식막 박리용 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 니트로기 함유 유기 화합물(A)의 함량이 0.01 내지 10중량%이고, 아민류의 함량이 1 내지 94중량%이고, 물의 함량이 5 내지 85중량%이고, 나머지가 수용성 유기 용매(C)인 내식막 박리용 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 알루미늄 또는 구리용 부식 방지제를 추가로 함유하는 내식막 박리용 조성물.
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