KR20040020036A - 자기 손실 재료 및 그 제조 방법 - Google Patents

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신수케 앤도
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Abstract

자기 손실 재료는 소프트 자기 분말 및 접합제를 포함한다. 자기 손실 재료에서, 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일은 비교적 높은 고주파 측에서의 제 1 분산 부분(D1) 및 비교적 낮은 주파수 측에서의 제 2 분산 부분(D2)를 포함하는 적어도 두개의 다른 분산 부분을 가진다. 허수 부분 자기 투자율은 각각 제 1 및 제 2 분산 부분의 최대 부분으로서 제 1 및 제 2 최대 값(μ"최대(D1) 및 μ"최대(D2))를 가진다. 제 2 최대 값은 제 1 최대 값과 같거나 크다. 제 2 분산 부분은 자기 공진으로 인한 분산일수있다. 제 1 분산 부분은 와전류로 인한 분산일수있다.

Description

자기 손실 재료 및 그 제조 방법 {MAGNETIC LOSS MATERIAL AND METHOD OF PRODUCING THE SAME}
본 출원은 여기에 참조로써 통합된 종래 일본 특허 출원 JP 2002-232351을 우선권 주장한다.
본 발명은 고주파수에서 자기 손실 특성이 우수한 자기 손실 재료, 특히 자기 손실 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근에, 고속으로 동작되는 고집적 반도체 소자의 전파는 놀랄만하다. 그것의 예로서, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 마이크로프로세서 유니트(MPU), 중앙 처리 유니트(CPU), 및 이미지 처리 산술 논리 유니트(IPALU) 같은 논리 회로 엘리먼트 또는 액티브 엘리먼트가 있다. 이 경우, 전자 회로에서 진행하는 전기 신호는 전압 및 전류에서 큰 변동을 유발하므로, 유도성 고주파 방사 노이즈가 원하지 않는 방사로서 발생하기 쉽다.
다른 한편, 전자 컴포넌트 및 디바이스의 무게, 두께 및 크기의 감소는 빠르게 발전되어왔다. 그에 따라, 프린팅 와이어링 보드상에 반도체 디바이스의 집적도 및 전자 컴포넌트의 장착 밀도는 최대로 향상되었다. 그러므로, 과도하게 집적되거나 장착된 전자 엘리먼트 또는 신호 라인은 서로에 대해 매우 밀접하게 배치된다. 신호 처리 속도의 상기된 증가와 함께, 고주파 방사 노이즈는 보다 많이 유도된다.
최근 대책은 상기 전자 집적 엘리먼트 또는 와이어링 보드에서, 전송 라인에서 예를들어 디커플링 캐패시터 같은 다수의 컨스턴트 컴포넌트를 삽입하는 것이다. 그러나, 고속 전자 집적 엘리먼트 또는 와이어링 보드에서, 생성된 노이즈는 고조파 성분을 포함하여 신호 경로는 분산된 컨스턴트 회로로서 작용하기 쉽다. 결과적으로, 다수의 컨스턴트 회로에 대한 통상적인 노이즈 대안은 효과적으로 작동하지 않는다.
최근에, 발명자는 고주파수 영역에서 큰 자기 손실을 나타내는 자기 손실 재료를 사용하였다. 원하지 않는 방사선 소스 부근에 자기 손실 재료를 배치함으로써, 노이즈 소스 및 방사선 소스 사이의 노이즈를 억제하는 것을 통해 상기 반도체 디바이스, 전자 회로 등으로부터 발생된 원하지 않는 방사선을 효과적으로 억제하는 것이 가능해졌다. 상기 자기 손실을 사용하는 원하지 않는 방사선 감쇠의 메카니즘에 관련하여, 최근 연구는 등가 저항 성분이 원하지 않는 방사선 소스 같은 전자 회로에 제공되었다는 것이 도시된다. 여기서, 등가 저항 성분의 크기는 가상 부분 자기 투자율(μ") 크기에 따르고 노이즈 억제 효과가 발생하는 주파수 영역은 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산에 따른다. 그러므로, 원하지 않는 방사선을 보다 크게 감쇠시키기 위하여, 큰 값의 허수 부분 자기 투자율(μ") 및 원하지 않는 방사선의 주파수 분배와 매칭하는 μ"의 주파수 분배가 요구된다.
그러나, 대부분의 경우, 다양한 전자 회로에서 실제로 발생된 원하지 않는 방사선의 주파수 분배는 넓은 범위에 걸쳐 퍼지므로, 통상적인 자기 재료에서 관찰된 자기 공진으로 인한 μ"의 가파른 주파수 분배에 의해 커버되기에 충분하지 않다. 게다가, 와전류 손실로 인한 완만한 자기 투자율 분배는 충분한 크기의 μ"를 제공할수 없으므로, 큰 노이즈 억제 효과가 기대될수없다.
그러므로, 본 발명의 목적은 고속에서 동작되는 액티브 엘리먼트, 전자 회로 등으로부터의 원하지 않는 방사선에 대해 효과적인 자기 손실 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 넓은 주파수 대역에 걸쳐 퍼지는 원하지 않는 방사선을 쉽고 효과적으로 억제할수있는 자기 손실 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 신호 성분에 영향을 미치지 않고 노이즈 성분을 효과적으로 억제할수있는 자기 손실 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기된 자기 손실 재료를 생성하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 원하지 않는 고주파 전류가 흐르는 전송 라인에 밀접하게 배치된 자기 손실 재료를 가진 실시예를 도시하는 다이어그램.
도 2A 및 2B는 자기 손실 재료가 배치되기전 및 배치된후 각각 분배된 컨스턴트(constant) 라인의 등가 회로를 도시하는 다이어그램.
도 3A는 노이즈 분리 동안 필요한 동일한 저항 성분(R)의 이상적인 주파수 특성을 도시하는 다이어그램.
도 3B는 자기 손실 재료의 허수 부분 자기 투자율(μ")의 이상적인 주파수 특성 프로파일을 도시하는 다이어그램.
도 4는 분말 샘플의 스캐닝 전자 현미경 사진.
도 5는 분말 샘플의 두께 분배 및 스킨(skin) 깊이()를 도시하는 다이어그램.
도 6은 전도된 노이즈 억제 효과를 검사하기 위한 평가 시스템을 도시하는 다이어그램.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 11은 본 발명의 제 5 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 12는 본 발명의 제 6 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 13은 본 발명의 제 7 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 14는 비교적인 제 1 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 15는 비교적인 제 2 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 16은 비교적인 제 3 실시예 샘플의 μ-f 특성 다이어그램.
도 17은 제 1 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 18은 제 2 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 19는 제 3 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 20은 제 4 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 21은 제 5 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 22는 제 6 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 23은 제 7 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 24는 비교적인 제 1 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 25는 비교적인 제 2 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
도 26은 비교적인 제 3 실시예 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시하는 다이어그램.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
20 : 전송 라인 21 : 자기 손실 재료
본 발명자는 자기 손실을 가진 자기 재료가 전송 라인에 밀접하게 배치될때 저항 성분이 전송 라인에 부가되는 현상을 분석하기 위한 광범위하고 효율적인 연구를 하였다. 결과적으로, 전도된 노이즈에 대한 억제 효과의 크기는 실질적으로 허수 부분 자기 투자율(μ") 및 자기 깊이(δ), 및 주파수(f)의 적인 허수 부분 퍼미넌스(permeance)((μ",)에 비례한다는 것이 발견되었다. 따라서, 본 발명자는 만약 자기 재료가 가파르게 상승하고 그 다음 점차적으로 감소하거나 가파르게 상승하고 넓은 주파수 대역상에서 큰 분산을 나타내는 μ"의 주파수 분산 프로파일을 가지면, 특정 컷오프 주파수에서 등가 저항의 가파른 변화를 유발하는 손실된 로우 패스 필터 특성 및 대역 제거 특성을 실현하는 것이 가능하다는 것을 생각했다. 따라서, 본 발명은 이루어졌다.
전도된 노이즈 억제 효과를 평가하기 위하여, 이후에 상세히 기술될 바와같이 손실 특성(Ploss)을 고려하는 것이 도움이 될것이다. 주파수가 높아질수록, 손실 특성은 허수 부분 자기 투자율(μ")의 감소에 응답하여 천천히 감소한다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산은 가파르게 상승하여야 한다. 만약 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산이 가파른 상승후 완만하게 감소하면, 손실은 상기된 손실 특성으로 인해 높은 레벨에서 유지될수있으므로, 우수한 로우 패스 필터가 구성될수있다. 게다가, 가파르게 상승후 빠르게 감소하는 프로파일의 경우, 우수한 로우 패스 필터 및 우수한 대역 제거 필터는 넓은 주파수 대역상에서 큰 분산을 나타내는 프로파일을 설계함으로써 얻어질수있다.
허수 부분 자기 투자율(μ")의 분산이 가파르게 상승하고 완만하게 감소하는 프로파일을 달성하기 위하여, 분산 퍼짐은 불균형해야 한다. 특히, 분산은 저주파수에서 좁고 고주파수 측에서 넓어야 한다. 그러나, 투자율 완화 신호 메카니즘에 의해 상기 불균형 분산을 실현하는 것은 매우 어렵다. 주파수 축상에서 분산 불균형의 실시예로서, 자기 박막의 단일 시트가 고려될것이다. 이 경우, 와전류 회로로 인한 완만한 분산은 우선(즉, 저주파수측에서) 나타나고 자기 공진으로 인한 가파른 분산이 그후(즉, 고주파수측에서) 나타난다. 결과적으로, μ"가 완만하게 상승하고 가파르게 감소하는 프로파일은 얻어진다.
따라서, 통상적으로 관찰된 프로파일은 와전류 및 자기 공진 모두에 관련되고 저주파수측에서 와전류로 인한 분산 및 고주파수측에서 자기 공진으로 인한 분산을 포함한다. 상기 통상적인 프로파일은 본 발명의 목표, 즉 가파르게 상승하고 그 후 완만하게 감소하는 프로파일과는 요구된 성능에서 다르다. 그러므로, 통상적인 프로파일은 신호 성분 및 노이즈 성분이 서로 밀접한 경우 신호 성분에 영향을 미치지 않고 노이즈 성분을 효과적으로 억제하는 노이즈 보호에 바람직하지 않다.
다음 측면에서, 본 발명에 따라, 자기 손실 재료는 자기 손실 재료는 가파르게 상승하고 그후 완만하게 감소하거나 가파르게 상승하고 넓은 주파수 대역상에 큰 분산을 나타내는 허상 부분 자기 투자율(μ")의 분산 프로파일을 나타내도록 다른 주파수 영역에서 나타나는 두개의 자기 손실을 제공한다.
본 발명의 일측면에 따라, 소프트 자기 분말 및 분말 입자를 서로 접합하는 접합제를 포함하는 자기 손실 재료가 제공되고, 상기 자기 손실 재료는 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일을 가지며, 여기서 주파수 분산 프로파일은 비교적 고주파수 측에서 제 1 분산 부분(D1) 및 비교적 저주파수에서 제 2 분산 부분(D2)을 포함하고, 상기 허상 부분 자기 투자율(μ")은 제 1 분산 부분(D1)에서 최대인 제 1 최대 값(μ"최대(D1)) 및 제 2 분산 부분(D2)내에서 최대인 제 2 최대값(μ"최대(D2))를 가지며, 상기 제 2 최대 값(μ"최대(D2))는 제 1 최대값(μ"최대(D1))과 같거나 크다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일이 서로 다른 분산 주파수 영역을 가진 제 1 및 제 2 분산 부분(D1 및 D2)를 가지는 자기 손실 재료를 제조하는 방법이 제공하고, 저주파수측에서 제 2 분산 부분(D2)은 자기 공진으로 인한 분산이고, 상기 방법은 스킨 깊이보다 큰 두께 및 직경을 가진 불명확한 모양의 소프트 자기 분말을 제공하는 단계; 상기 소프트 자기분말을 갈아서 불규칙한 모양 또는 편평한 모양의 분말 입자를 각각 포함하는 제 1 입자 그룹 및 제 2 입자 그룹을 포함하는 하이브리드 소프트 자기 분말을 얻는 단계를 포함하는데, 상기 제 1 입자 그룹의 분말 입자는 스킨 깊이보다 큰 두께 또는 직경을 가지며, 제 2 입자 그룹의 분말 입자는 스킨 깊이보다 작은 두께 또는 직경을 가지며; 높은 분자 화합물을 포함하는 접합제를 하이브리드 소프트 자기 분말에 혼합하여 그 혼합물을 얻는 단계; 및 상기 혼합물을 몰딩하는 단계를 포함한다.
도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 자기 손실 재료에 대한 설명 및 상기 자기 손실 재료의 제조 방법이 제공될 것이다.
도 1을 참조하여, 테스트 시트로서 자기 손실 재료(21)는 전자기 노이즈가 전도하는, 즉 원하지 않는 고주파수 전류가 흐르는 전송 라인(20)에 밀접하게 배치된다. 이 경우, 전송 라인(20) 및 자기 손실 재료(21)는 유도 결합된다. 결과적으로, 도 2에 도시된 전송 라인의 등가 회로가 도 2B에 도시된 것으로 변경되도록 전송 라인(20)에는 주파수 선택성을 가진 등가 저항이 제공된다. 여기서, 자기 손실 재료(21)에 의해 전송 라인(20)에 제공된 등가 저항의 크기는 자기 손실 재료(21)의 허수 부분 자기 투자율(μ") 및 주파수(f)의 적(=μ"·f)에 따른다.
도 3A에 도시된 바와같이, 전송 라인에 제공되는 저항(R)이 신호 주파수 영역(신호)에서 거의 영과 같아지는 반면 전송 라인에 제공되는 저항(R)이 노이즈 주파수 영역(노이즈)에서 큰 것이 바람직하다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 허수 부분 자기 투자율(μ")상 주파수분산은 가파르게 상승하여야 한다. 주파수가 높아질수록, 손실 특성(Ploss)은 허수 부분 자기 투자율(μ")의 감소에 응답하여 서서히 감소하기 때문에, 만약 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산이 가파른 상승후 완만하게 감소하면, 그 손실은 높은 레벨에서 유지될수있어서, 우수한 로우 패스 필터가 구성될수있다. 게다가, 가파르게 상승후 빠르게 감소하는 프로파일의 경우, 우수한 로우 패스 필터 및 우수한 대역 제거 필터는 넓은 주파수 대역상에서 큰 분산을 나타내는 프로파일을 설계함으로써 얻어질수있다.
도 3B에 도시된 바와같이, 허수 부분 자기 투자율(μ")의 이상적인 분산 프로파일은 주파수 상승에 응답하여 가파르게 상승하고 그후 완만하게 감소한다. 게다가, 비록 도면에 도시되지는 않았지만, 넓은 주파수 대역상에서 큰 분산은 가파르게 상승한후 빠르게 감소하는 프로파일의 경우 우수한 특성을 제공한다.
상기의 경우에서, 자기 손실 재료의 주파수 특성은 두개의 다른 분산 부분으로 제공된다. 즉, 제 1 및 제 2 분산 부분(D1 및 D2)는 서로 다른 주파수 영역을 가져서 가파르게 상승후 완만하게 감소하는 허수 부분 자기 투자율의 분산 프로파일을 달성한다.
자기 손실 재료의 허수 부분 자기 투자율의 주파수 특성에서 두개의 분산 부분을 얻기 위하여, 몇몇 방법은 이후에 기술된 바와같이 이용 가능하다. 상기 방법의 원리는 예를들어 JP-A-H09-35927 및 JP-A-2001-21520에 개시된다.
한가지 방법으로서, 주파수 분산 영역에서 다른 두개의 자기 분말 그룹은 혼합된다. 다른 방법으로서, 서로 주파수 분산 영역에서 다른 두개의 자기 분말 그룹은 기계적 처리 등에 의해 하나의 시작 재료로부터 제공된다. 다른 방법으로서, 두개의 주파수 분산 부분은 한종류의 분말에 의해 달성된다.
상기된 방법으로부터 개발되고 허수 부분 자기 투자율의 주파수 특성에서 두개의 분산 부분을 가진 이상적인 분산 프로파일을 실현하기 위하여 의도된 제 1 방법에 대해 설명이 이루어질것이다. 자기 재료가 자기 손실을 나타내도록 하는 메카니즘은 와전류 순환을 바탕으로 하는 메카니즘 및 자기 공진(소위 자기 공진 또는 자연 공진)을 바탕으로 다른 메카니즘을 포함한다. 자기 재료에서 생성된 와전류는 두께, 전기 저항, 자기 투자율 및 주파수에 따른다. 다른 한편, 자기 공진은 자기 재료의 이방성 자기장(Hk)에 크게 의존한다. 일반적으로, 자기 공진으로 인한 허수 부분 자기 투자율의 분산은 와전류로 인한 분산과 비교하여 허수 부분 자기 투자율에서 가파른 변화를 제공한다.
그러므로, 주파수 증가에 응답하여 가파르게 상승한후 완만하게 감소하는 허수 부분 자기 투자율의 분산은 만약 비교적 낮은 주파수에서 자기 공진을 나타내는 자기 재료(자기 분말) 및 비교적 높은 주파수에서 와전류로 인한 투자율 완화를 유발하는 다른 자기 재료(자기 분말)가 적당한 비율로 함께 혼합되면 실현될수있다.
게다가, 가파르게 상승하고 넓은 주파수 대역상에서 큰 분산을 나타내는 허수 부분 자기 투자율의 분산 프로파일을 얻기 위하여, 자기 공진으로 인한 분산이 목표된 주파수 대역폭에 의해 서로 분리되는 자기 재료(자기 분말)는 적당한 비율로 함께 혼합된다.
지금, 제 2 방법이 기술될 것이다. 상기된 자기 공진을 유발하기 위하여, 자기 공진이 나타나는 주파수보다 작은 범위의 주파수 범위에서 실질적인 와전류가 흐르지 않는 것이 가정된다. 하나의 공통 혼합물 및 넓은 입자 크기 분배를 가진 분말이 고려될것이다. 만약 자기 공진이 기대되는 주파수보다 낮은 주파수 영역의 입자 크기 분배의 범위내에 와전류 순환 방향을 제공하는 스킨 깊이()가 속하면, 입자 크기가 스킨 깊이보다 큰 분말 그룹은 자기 공진이 유발되는 주파수보다 낮은 주파수에서 와전류로 인해 투자율 완화를 나타낸다.
자기 분말 크기 및 스킨 깊이 사이의 상기된 관계를 이용함으로써, 가파르게 상승하고 완만하게 감소하는 허수 부분 자기 투자율의 분산이 단일 공통 혼합물을 가진 분말의 사용에 의해 얻어질수있다. 특히, 시작 재료 분말이 비교적 부서지기 쉬운 자기 금속 분말이고 분말이 볼 밀 같은 교반된 미디어 밀에 공급될때, 비교적 큰 분말은 미세한 분말로 되도록 부분적으로 부숴진다. 미세 분말은 미디어의 전달 스트레스하에서 납작해진다. 결과적으로, 분말은 두께면에서 추가로 감소된다. 따라서, 분말의 두께 분배는 넓어지고 두개의 두께 그룹으로 분리될수있다.
분말내부에서 순환하는 와전류의 생성이 넓고 이중 분배 분말 두께내에서 관찰되는 경우, 큰 분말은 와전류로 인해 완만한 자기 투자율 분산에 기여하고 얇고 편평한 분말은 자기 공진으로 인해 가파른 자기 투자율 분산에 기여한다. 그러므로, 단일 공통 혼합물을 가진 한종류의 시작 재료 분말은 와전류로 인해 고주파수측에서 제 1 분산 부분(D1) 및 자기 공진으로 인해 저주파수측에서 제 2 분산 부분(D2)를 포함하는 분산 프로파일을 가진 허수 부분 자기 투자율을 제공한다.
지금, 제 3 방법이 기술될 것이다. 비록 분말이 실질적으로 균일한 혼합물이고 같은 입자 크기 분배를 가지더라도, 두개의 자기 공진은 발생할 수 있다. 아마도, 이 현상은 분말의 표면 영역이 어떤 범위에 도달할때 영이 아닌 자기 일그러짐 상수를 가진 자기 분말은 Fe3O4(자철광)이거나 볼 밀에 의한 전단 스트레스 하에서 혼합물에서 변경된 미세 편평한 금속 분말이고, 따라서 영이 아닌 자기 일그러짐 상수가 제공된다. 상기 현상은 S. Yoshida 등에 의한 아티클 J. 4DNJF, Phys. 85, 8. 4636(1999) 및 JP-A-2001-210510에서 본 발명자에 의해 상세히 기술된다.
아마도 표면 자기 이방성에 의해 유발된 두개의 자기 공진의 발생과 관련하여, 분말 단위 웨이트당 표면 영역은 주요 팩터이다. 그러나, 두개의 공진을 유발하는 표면 영역은 표면 자기 이방성, 예를들어 자기 탄성 효과 크기, 즉 자기 일그러짐 상수 크기 및 분말의 잔류 스트레스 크기를 유발하는 다른 팩터에 의존하고, 질문시 표면 영역 값을 지정하기 어렵다.
두개의 공진이 0.3m2/g 또는 그 이상의 특정 표면 영역을 가진 소프트 자기 분말에서 발생되는 경향이 있다. 그러나, 상기된 분말은 저주파수측에서 완만한 분산 및 고주파수 측에서 가파른 분산을 도시하는 분산 프로파일을 제공할뿐이다. 그러나, 최근 연구에 의해 저주파수측에서 가파르게 상승하는 분산 프로파일이 매우 좁은 범위의 특정 표면 영역 및 분말의 열처리에 의해 얻어진다는 것이 발견되었다. 본 발명의 목적은 이것에 의해 달성될수있다.
상기에서, 설명은 허수 부분 자기 투자율이 주파수 증가와 함께 가파르게 상승하고 그후 완만하게 감소하는 분산 프로파일 또는 허수 부분 자기 투자율이 가파르게 상승하고 넓은 주파수 대역상에서 큰 분산을 나타내는 분산 프로파일을 얻기 위한 3가지 방법에 대해 제공되었다. 원재료로서 사용될 자기 분말의 물리적 특성 및 허수 부분 자기 투자율의 목표된 분산 주파수 영역에 의존하여, 최적의 방법이 선택될수있다.
제 1 내지 제 3 방법의 각각에서, 허수 부분 자기 투자율(μ")이 제 1 분산 부분(D1)에서 최대인 제 1 최대 값(μ"최대(D1)) 및 제 2 분산 부분(D2)내에서 최대인 제 2 최대값(μ"최대(D2))를 가지며 제 2 최대 값(μ"최대(D2))가 제 1 최대값(μ"최대(D1))과 같거나 큰 것이 필요하다. 바람직하게, Δfr"≤D150또는 Δfr"≤D250중 어느 하나의 관계는 설정되고, 여기서 Δfr"은 주파수 fr"최대(D1) 및 fr"최대(D2) 사이의 차를 나타내고, fr"최대(D1)는 허수 부분 자기 투자율(μ")이 제 1 최대 값(μ"최대(D1))을 가진 주파수를 나타내고 fr"최대(D2)는 허수 부분 자기 투자율(μ")이 제 2 최대 값(μ"최대(D2))을 가진 주파수를 나타내고, D150은 제 1 분산 부분(D1)의 전체 폭중 1/2 최대값을 나타내고, D250은 제 2 분산 부분(D2)의 전체 폭중 1/2 최대값을 나타낸다.
지금, 본 발명의 몇몇 실시예와 관련하여 상세하게 설명이 이루어질것이다. 각각의 실시예에서, 제 1 내지 (n+1)째 분말을 포함하는 소프트 자기 분말이 이용되고, 여기서 n은 1보다 작지 않은 정수이다. 제 1 및 (n+1)번째 분말은 혼합물,입자 크기, 또는 입자 모양중 임의의 하나가 서로 다르고, 소프트 자기 분말로 함께 혼합된다.
첫째, 제 1 방법은 n=1인 경우와 관련하여 설명될 것이다. 특히, 두종류의 소프트 자기 분말이 사용된다. 비록 n=1의 실시예가 여기에 기술되었지만, n의 값은 2(3종류의 소프트 자기 분말을 사용하는 실시예), 3(4종류의 소프트 자기 분말을 사용하는 실시예)일 수 있고 목표된 특성 및 목표된 프로파일은 얻어질수있다.
(실시예 1)
첫째, 다음 소프트 자기 분말(a 및 b)은 제공된다.
a: 종축에서 평균 입자 크기 45㎛를 가진 편평한 철 알루미늄 실리콘 합금 분말은 물 원자화 방법에 의해 생성되고 눈물 모양을 가지며 원재료로서 50㎛의 평균 입자 크기를 가지며 습식 마멸에 의해 처리된 철-알루미늄-실리콘(10wt% Si-6wt%Al-밸런스 Fe)을 사용했다;
b: 종축에서 12㎛의 평균 입자 크기를 가진 편평한 철 알루미늄 실리콘 합금 분말은 물 원자화 방법에 의해 생성되고 눈물 모양을 가지며 원재로서 20㎛의 평균 입자 크기를 가지며 습식 마멸에 의해 처리된 철-알루미늄-실리콘(10wt% Si-6wt%Al-밸런스 Fe)을 사용했다.
650℃ 온도에서 3시간 동안 Ar 가스 분위기에서 이들 두개의 분말을 어닐링한후, 소프트 자기 페이스트는 테이블 1에 도시된 혼합물로 제공되고 닥터 블레이드(doctor blade) 방법에 의해 하나의 필름으로 형성된다. 상기 필름은 핫 프레스된후 24 시간 동안 85℃에서 경화된다. 따라서, 자기 손실 재료는 실시예 1의 샘플로서 얻어진다.
테이블 1
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 a 60wt.parts
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 b 40wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
160wt.parts
이때, 분말 a로부터 발생하는 분산은 D2이다. fr"최대(D2)의 값은 26MHz이고 전체 폭 1/2 최대값 D250은 35MHz이다. 다른 한편, 분말 b로부터 발생하는 분산은 D1이다. fr"최대(D1)의 값은 161MHz이고 전체 폭 1/2 최대값 D150은 320MHz이다. 이들 두개의 분말은 도 7에 도시된 바와같이 fr"최대(D1)>fr"최대(D2)에 의해 제공된 관계 및 μ"최대1<μ"최대2에 의해 제공된 관계를 만족시킨다. 게다가, Δfr" = fr"최대(D1) - fr"최대(D2)는 135MHz이기 때문에, Δfr"≤D150관계가 만족된다는 것이 이해될 것이다. 이 실시예에서, 관계는 Δfr"≤D250를 도시한다. 가정하면 상기 관계 Δfr"≤D150는 만족되지 않고, 상기 관계는 Δfr">D150및 Δfr">D250를 도시한다는 것이 논의된다. 이 경우, μ-f 특성은 D1 및 D2 사이의 밸리(valley)를 가지며 Ploss특성은 노이즈가 통과된다는 것을 가리킨다. 이 실시예에서, 상기된 관계는 상기 밸리가 생성되지 않도록 만족된다. 그러므로, 목표된 감쇠 특성은 달성된다.
(실시예 2)
소프트 자기 분말(c 및 d)가 제공된다.
c: 물 원자화 방법에 의해 생성되고 눈물 모양을 가지며 20㎛의 평균 입자 크기를 가진 니켈-철(84wt% Ni-166wt% Fe);
d: 시재료로서, 20㎛의 평균 입자 크기를 가진 물 원자화된 철-알루미늄-실리콘(10wt% Si-6wt%Al-밸런스 Fe) 합금 분말을 제공하고, 애토리토(attoritor)의 사용에 의해 합금 분말을 습식 그라인딩함으로써 얻어진 편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말. 상기 분말 d는 3시간 동안 650℃에서 Ar 가스 분위기에서 어닐링되었다.
이들 두개의 분말은 닥터 블레이드 방법에 의해 필름에 형성된 페이스트를 제공하기 위하여 혼합되었다. 상기 필름은 핫 프레싱후 85℃ 온도에서 24시간 동안 경화된다. 따라서, 자기 손실 재료는 실시예 2의 샘플로서 얻어진다.
테이블 2
성분 혼합 비율
눈물모양 니켈-철 합금 분말 c 20wt.parts
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 d 80wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
160wt.parts
제 2 방법은 기술될 것이다.
(실시예 3)
철-알루미늄-실리콘 합금 잉곳(10wt%Si-6wt%Al-밸런스 Fe)은 시재료 분말로서 제공된후 스탬프 밀 그라인딩되어 평균 입자 크기 40㎛크기를 가진 불규칙한 모양의 거친 분말을 얻는다. 불규칙한 모양을 가진 철-알루미늄-실리콘 거친 분말은n 헥산과 함께 샌드 그라인딩 밀에 제공된다. 거친 분말은 분말 샘플 e를 얻기 위하여 15 시간 동안 그라운드된다. 분말 샘플 e의 스캐닝 전자 현미경 사진은 도 4에 도시된다. 분말 e와 도 3에 도시된 비율의 사용에 의해, 자기 손실 재료는 제 3 실시예의 샘플로서 얻어진다.
테이블 3
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 d 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
160wt.parts
도 5는 15 시간 동안 그라인딩 후 상기된 분말의 두께 및 스킨 깊이()의 분배를 도시한다. 상기 두께에 대해, 분말은 랜덤 샘플링에 의해 샘플되고 그 두께는 상기 분배를 시험하기 위하여 몇몇 포인트에서 전자 현미경 사진에 의해 측정된다. 스킨 깊이()는 다음 식에 의해 얻어진다.
[㎛]
·= 4π×10-7×1/2
여기서,
는 전기 저항(Ωm)이고, f는 주파수(Hz)이고,는 자기 투자율이다. 주파수 f = 100MHz에서, 분말 e는 자기 투자율= 17이고 전기 저항= 9.0×10-7Ωm이다. 이때,= 8.2 ㎛이다.
도 4 및 5로부터, 분말 e가 시재료 거친 분말의 모양과 유사한 분말 그룹 및 편평한 분말 입자의 분말 그룹을 포함하는 두개의 그룹을 포함하는 분말 두께 분배를 가지며 스킨 깊이()는 분말 두께 분배 범위내에 존재한다는 것이 이해된다.
제 3 방법은 설명될 것이다.
(실시예 4)
샌더스트 혼합물(9.6wt% Si - 5.4wt% Al - 밸런스 Fe)와 비교하여 더 큰 철의 비율을 포함하며 양의 자기 일그러짐 상수를 가진 철-알루미늄-실리콘 합금 잉곳(9.4wt% Si-5.3wt% Al-밸런스 Fe)은 시재료 분말로서 제공된다. 시재 분말은 스탬프 밀 그라인딩되어 40㎛의 평균 입자 크기를 가진 불규칙한 모양의 거친 분말을 얻는다. 불규칙한 모양의 결과적인 철 알루미늄 실리콘 합금 거친 분말은 n 헥산과 함께 샌드 그라인딩 밀에 놓인다. 거친 분말은 40 시간 동안 그라운드되어 8.6m2/g의 B.E.T. 특정 표면 영역을 가진 편평한 분말 f를 얻는다.
Ar 가스 분위기에서 3 시간 동안 650℃에서 분말 f를 어닐링한 후에, 소프트 자기 페이스트는 테이블 4에 도시된 혼합물로 제공되고 닥터 블레이드 방법에 의해 하나의 필름으로 형성된다. 그 다음 필름은 핫 프레싱되고 85℃에서 24 시간 동안 경화된다. 따라서, 자기 손실 재료는 실시예 4의 샘플로서 얻어진다.
테이블 4
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 f 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
총 160wt.parts
(실시예 5)
유사한 시재료가 n 헥산과 함께 샌드 그라인딩 밀에 놓여지고 60 시간 동안 그라운드되어 1.53m2/g의 B.E.T. 특정 표면 영역을 가진 미세한 편평한 분말 g를 얻는다.
Ar 가스 분위기에서 3 시간 동안 650℃에서 분말 g를 어닐링한 후에, 소프트 자기 페이스트는 테이블 5에 도시된 혼합물로 제공되고 닥터 블레이드 방법에 의해 하나의 필름으로 형성된다. 그 다음 필름은 핫 프레싱되고 85℃에서 24 시간 동안 경화된다. 따라서, 자기 손실 재료는 실시예 5의 샘플로서 얻어진다.
테이블 5
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 g 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
총 160wt.parts
(실시예 6)
퍼멀로이 혼합물(80wt% Ni - 20wt% Fe) 보다 더 큰 철의 비율을 포함하며 양의 자기 일그러짐 상수를 가진 니켈-철 합금 잉곳(77wt% Ni-23wt% Fe)은 시재료 분말로서 제공되고 25㎛의 평균 입자 크기를 가진 불규칙한 모양의 거친 분말을 얻기 위해 스탬프 밀 그라인딩 된다. 불규칙한 모양의 결과적인 니켈 철 합금 거친 분말은 n 헥산과 함께 샌드 그라인딩 밀에 놓이고 8 시간 동안 그라운드되어 0.39m2/g의 B.E.T. 특정 표면 영역을 가진 편평한 분말 h를 얻는다.
분말 h의 사용에 의해, 소프트 자기 페이스트는 테이블 6에 도시된 혼합물로제공되고 닥터 블레이드 방법에 의해 하나의 필름으로 형성된다. 그 다음 필름은 핫 프레싱되고 85℃에서 24 시간 동안 경화된다. 따라서, 자기 손실 재료는 실시예 6의 샘플로서 얻어진다.
테이블 6
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 h 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
총 160wt.parts
(실시예 7)
1.97m2/g의 B.E.T. 특정 표면 영역을 가진 Fe3O4(자철광) 분말 i를 사용함으로써, 소프트 자기 페이스트는 테이블 7에 도시된 혼합물로 제공되고 닥터 블레이드 방법에 의해 하나의 필름으로 형성된다. 그 다음 필름은 핫 프레싱된다. 따라서, 자기 손실 재료는 실시예 7의 샘플로서 얻어진다.
테이블 7
성분 혼합 비율
자철광 분말 i 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
총 160wt.parts
이후, 3개의 비교 실시예가 기술될 것이다.
(비교 실시예 1)
샌더스트 혼합물(9.6wt% Si - 5.4 wt% Al - 밸런스 Fe)을 가지며 비교적 큰 0.17m2/g의 B.E.T. 특정 표면 영역을 가진 편평한 철-실리콘-알루미늄 합금 분말 j를 사용하여, 소프트 자기 페이스트는 테이블 8에 도시된 혼합물로 제공된다. 실시예 1의 샘플과 유사한 방식으로, 자기 손실 재료는 비교 실시예 1의 샘플로서 얻어진다.
테이블 8
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 j 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
총 160wt.parts
(비교 실시예 2)
실시예 2의 샘플에 사용된 두개의 소프트 자기 분말중 하나만을 사용하여, 즉 눈물모양 분말의 사용에 의해, 소프트 자기 페이스트는 테이블 9에 도시된 혼합물로 제공된다. 실시예 1의 샘플과 유사한 방식으로, 자기 손실 재료는 비교 실시예 2의 샘플로서 얻어진다.
테이블 9
성분 혼합 비율
눈물 모양 니켈 철 합금 분말 c 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(시클로헥사논 및 톨루엔의 혼합물) 50wt.parts
총 160wt.parts
(비교 실시예 3)
샌더스트 혼합물(9.6wt% Si - 5.4 wt% Al - 밸런스 Fe) 및 0.8m2/g의 B.E.T. 특정 표면 영역을 가진 편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 k가 얻어진다. 분말 k는 어닐링되지 않는다. 분말 k를 사용하여, 소프트 자기 페이스트는 테이블 10에 도시된 혼합물로 제공된다. 실시예 1의 샘플과 유사한 방식으로, 자기 손실 재료는 비교 실시예 1의 샘플로서 얻어진다.
테이블 10
성분 혼합 비율
편평한 철-알루미늄-실리콘 합금 분말 k 100wt.parts
염소화된 폴리에틸렌 수지 10wt.parts
솔벤트(톨루엔) 50wt.parts
총 160wt.parts
실시예 4와 비교 실시예 3 사이의 비교 결과로서, 이들 샘플은 서로에 대해 특정 표면 영역에서 유사하고 분산 프로파일이 서로 다르다는 것이 관찰되었다. 즉, 어닐링된 샘플의 분산 프로파일은 어닐링없는(도 10 및 16 참조) 분산 프로파일과 다르다. 아마도, 이것은 만약 철 실리콘 알루미늄 합금이 500℃ 이상의 온도에서 어닐링되면, DO3구조의 결정 성장이 관찰되기 때문일 것이다. DO3구조를 충분히 성장시키기 위하여, 어닐링이 약 2 시간 동안 650℃에서 수행되는 것이 바람직하다. 그러나, 고온 열 처리는 과도한 산화 또는 연소 문제를 수반하기 때문에, 어닐링은 바람직하게 불활성 가스 분위기에서 수행된다.
상기 실시예의 샘플에 대해 자기 손실 재료로서 성능을 평가하기 위하여, 자기 투자율(μ-f 특성)의 주파수 의존 특성 및 전도된 노이즈 억제 효과가 검사된다. μ-f 특성의 측정 동안, 자기 손실 재료의 토로이덜(toroidal) 모양 샘플은 사용된다. 각각의 샘플을 하나의 턴 코일을 형성하는 테스트 고정물에 삽입하여 임피던스를 측정함으로써, 허수 부분 자기 투자율(μ")은 1MHz 내지 10GHz의 주파수 범위상에서 얻어진다.
다른 한편, 전도된 노이즈 억제 효과의 평가는 도 6에 도시된 바와같이 마이크로스트립 라인(22) 및 네트워크 분석기(23)를 포함하는 평가 시스템을 사용하여수행된다. 도면에서, 참조 번호(24)는 동축 케이블을 가리킨다. 2mm의 두께 및 20mm×20mm의 크기를 가진 자기 손실 재료(25)는 테스트 시트로서 사용되고 마이크로스트립 라인(22)의 중심에 밀접하게 배치된다. 상기된 조건에서 전송 특성(S11및 S21)으로부터, 손실 특성(Ploss)은 다음 방정식을 사용하여 얻어진다.
P= 1-[(Γ)2+ (T)2]
여기서, S1= 20log｜Γ｜ 이고 S21= 20log｜T｜이다. Γ및 T는 전압 반사 계수 및 전압 전송 계수를 각각 나타낸다.
첫째, 실시예 1 내지 7의 샘플의 μ"-f 특성은 도 7 내지 도 13에 도시된다. 비교 실시예 1 내지 3의 샘플의 μ"-f 특성은 도 14 내지 도 16에 도시된다. 상기 실시예 샘플의 μ"-f 특성에서, 각각의 샘플은 서로 다른 주파수 영역에서 두개의 허수 부분 자기 투자율 분산의 현상으로 인해 가파르게 상승한후 완만하게 감소하는 허수 부분 자기 투자율의 분산 프로파일 또는 넓은 주파수 대역상에서 허수 부분 투자율(μ")의 큰 값을 가파르게 상승시키고 유지하는 허수 부분 자기 투자율의 주파수 분산 프로파일을 나타낸다.
다른 한편, 비교 실시예의 3개의 샘플에 대하여 고려될 것이다. 비교 실시예 1의 샘플에서, 가파른 상승은 자기 공진으로 인해 이루어지지만 허수 부분 자기 투자율은 최대값에 도달한후 빠르게 감소한다. 비교 실시예 2의 샘플에서, 완화된 분산은 입자내의 와전류 순환으로 인해 관찰된다 생각된다. 허수 부분 자기 투자율의 상승이 완만하기 때문에, 이 샘플은 주파수 영역의 분리를 사용하는 전자기 노이즈의 억제를 위해 적당하지 않다. 비교 실시예 3의 샘플에서, 두개의 분산 부분은 관찰된다. 그러나, 상승은 와전류 순환으로 인해 아마도 완만하다. 그러므로, 이 샘플은 주파수 영역의 분리를 위해 적당하지 않다.
상기된 허수 부분 자기 투자율 분산을 가진 실시예 및 비교 실시예의 샘플을 사용하여, 전도된 노이즈 억제 효과(Ploss)의 주파수 의존 특성(1MHz 내지 10 GHz)는 실제로 검사된다. 도 17 내지 23은 실시예 1 내지 7 샘플의 Ploss주파수 의존 특성을 도시하고, 도 24 내지 26은 비교 실시예 1 내지 3 샘플의 Ploss의 주파수 의존 특성을 도시한다.
이들 도면으로부터, 본 발명의 효과는 명확하게 도시될 것이다. 특히, 실시예 각각의 샘플은 Ploss가 큰 값을 가지는 경우 주파수 영역이 샘플과 다를지라도, 전도된 노이즈 억제 정도를 나타내는 Ploss가 가파르게 상승하고 보다 적게 감쇠되는 주파수 특성을 나타낸다.
다른 한편, 비교 실시예 1의 샘플에서, Ploss는 가파르게 상승하지만 최대값에 도달한후 완만하게 감소한다. 비교 실시예 2의 샘플에서, Ploss의 변화는 완만하다. 그러므로, 이 샘플은 주파수 영역에 의한 신호 및 노이즈를 분리하는데 적당하지 않다. 비교 실시예 3의 샘플에서, Ploss는 가파르게 상승하고, 약 300MHz보다 큰 임의의 주파수 영역에서, 유사한 B.E.T. 특정 표면 영역을 가졌고 열처리된 실시예 4의 샘플과 비교하여 완만한 곡선을 나타낸다. 따라서, 실시예 4는 우수하다.
통상적으로, 소프트 자기 분말을 형성하는데 사용될수있는 자기 재료는 실리콘 스틸, 철 알루미늄 실리콘 합금(샌더스트), 철 니켈 합금(퍼몰로이), 또는 비정질 합금 같은 큰 값의 고주파 투자율을 가진 소프트 자기 금속 재료일수있다. 소프트 자기 분말은 상기된 소프트 자기 재료를 그라인딩, 드로잉(drawing), 티어링(tearing), 원자화 그래듈레이션(granulation) 등 함으로써 얻어진다. 목표된 바와같이, 얻어진 분말은 볼 밀 같은 교반된 미디어의 사용에 의해 편평한 모양으로 추가로 처리될수있다. 게다가, 얻어진 분말 및 편평해진 분말은 어닐링될수있다.
다양한 다른 소프트 자기 재료는 또한 이용 가능하다. 예를들어, 첨정석 페라이트, 플레이너 페라이트, 적철광, 자철광 또는 메그헤메타이트(maghematite) 같은 산화물 소프트 자기 재료의 사용에 의해 목표된 자기 손실 재료를 얻는 것이 가능하다.
자기 손실 재료를 얻기 위한 제 2 재료로서 사용될 접합제로서, 전자 회로에 이웃하여 사용하는 것을 고려하여 우수한 가요성 및 열 저항성을 달성할수있는 염소화된 폴리에틸렌을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 여기에 제한되지 않고, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리비닐 콜라이드 수지, 폴리비닐 부티롤 수지, 폴리우레탄 수지, 셀루로우스 수지, ABS 수지, 니트라일 부타디엔 고무, 스티렌 부타디엔 고무 또는 실리콘 고무, 그것의 공중합체 같은 열가소성 수지, 및에폭시 수지, 페놀 수지, 아미드 수지, 또는 이미드 수지 같은 열경화성 수지인 다양한 유기 접합제를 사용하는 것이 가능하다.
특정 제한은 자기 손실 재료를 얻기 위한 자기 분말 및 접합제를 혼합 및 분산 방법에 부과되지 않는다. 사용될 접합제의 물리적 특성 및 처리 용이성을 고려하여, 적당한 방법은 선택될수있다.
상기 자기 손실 재료는 가파르게 상승한후 완만하게 ㅏㅁ소하는 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일 또는 넓은 주파수 대역상에서 큰 허수 부분 자기 투자율(μ")을 가파르게 상승시키고 유지하는 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일을 가진다. 그러므로, 전도된 노이즈 억제 효과의 인덱스로서 Ploss는 가파르게 상승하고 그후 보다 적게 감쇠되는 주파수 특성을 가진다. 따라서, 상기된 자기 손실 재료의 사용에 의해, 신호 성분에 악영향을 미치지 않고 노이즈 성분을 효과적으로 감쇠시키는 것이 가능하다. 그러므로, 상기된 자기 손실 재료는 원하지 않는 전자기파의 방사선을 억제하는데 효과가 우수하고 특히 전자기 구성요소, 특히 고속 액티브 엘리먼트, 고밀도 프린팅 와이어링 보드 등에서 노이즈를 게허하는 매우 효과적이다.

Claims (16)

  1. 소프트 자기 분말 및 분말 입자를 서로 접합하는 접합제를 포함하고, 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일을 가진 자기 손실 재료로서,
    상기 주파수 분산 프로파일은 비교적 고주파수측에서의 제 1 분산 부분(D1) 및 비교적 저주파수측에서의 제 2 분산 부분(D2)을 포함하는 적어도 두개의 다른 분산 부분을 포함하고, 상기 허수 부분 자기 투자율(μ")은 제 1 분산 부분내에서 최대인 제 1 최대 값(μ"최대(D1)) 및 제 2 분산 부분(D2)내에서 최대인 제 2 최대값(μ"최대(D2))를 가지며, 상기 제 2 최대 값(μ"최대(D2))는 제 1 최대값(μ"최대(D1))과 같거나 큰 자기 손실 재료.
  2. 제 1 항에 있어서, 허수 부분 자기 투자율(μ")의 상기 주파수 분산 프로파일은 서로 다른 분산 주파수 영역을 가진 제 1 및 제 2 분산 부분(D1 및 D2)를 가지며, 상기 저주파수측에서의 제 2 분산 부분(D2)은 자기 공진으로 인한 분산인 자기 손실 재료.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 고주파수측에서의 제 1 분산 부분(D1)은 와전류로 인한 분산인 자기 손실 재료.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 고주파수측에서의 제 1 분산 부분은 자기 공진으로 인한 분산인 자기 손실 재료.
  5. 제 1 항에 있어서, Δfr"≤D150또는 Δfr"≤D250중 어느 하나는 형성되고, 여기서 Δfr"는 제 1 분산 부분(D1) 및 제 2 분산 부분(D2)의 최대 주파수(fr"최대(D1) 및 fr"최대(D2)) 사이의 차를 나타내고, D150은 제 1 분산 부분(D1)의 전체 폭 1/2 최대값을 나타내고, D250은 제 2 분산 부분(D2)의 전체 폭 1/2 최대값을 나타내는 자기 손실 재료.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 소프트 자기 분말은 혼합물, 입자 크기 및 입자 모양중 임의의 하나가 서로 다르고 서로 혼합되는 제 1 내지 (n+1)번째 분말을 포함하고, 상기 제 1 분말의 허수 부분 자기 투자율(μ")은 제 1 주파수(fr1)에서 최대값(μ"최대1)을 가지며, (n+1)번째 주파수(fr(n+1))에서 최대값(μ"최대(n+1))을 가지며, fr1>fr(n+1)의 관계는 설정되고, μ"최대1> μ"최대(n+1)의 관계는 설정되고, 여기서 n은 1보다 작지 않은 정수인 자기 손실 재료.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 소프트 자기 분말은 단일 종류의 혼합물 및 단일의 입자 크기 분배를 가지며, 상호 다른 크기를 가진 두개의 이방성 자기장을 가지는자기 손실 재료.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 소프트 자기 분말은 편평한 모양의 철 알루미늄 실리콘 합금 분말이고, 0.5m2/g 및 2.0m2/g 사이의 특정 표면 영역을 가지며, 500℃ 이상의 온도에서 열처리되는 자기 손실 재료.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 소프트 자기 분말은 편평한 모양의 철 니켈 시스템 합금 분말이고 0.3m2/g 및 0.4m2/g 사이의 특정 표면 영역을 가진 자기 손실 재료.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 소프트 자기 분말은 불명확한 모양의 금속 산화물 분말이고 1.5m2/g 이상의 특정 표면 영역을 가지는 자기 손실 재료.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 소프트 자기 분말은 각각 분말 입자를 포함하는 제 1 입자 그룹 및 제 2 입자 그룹을 포함하고, 상기 1 입자 그룹에서의 분말 입자는 상기 소프트 자기 분말의 스킨 깊이보다 큰 제 1 크기를 가지며, 상기 제 2 입자 그룹의 분말 입자는 상기 스킨 깊이보다 작은 제 2 크기를 가지는 자기 손실 재료.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 분말 입자중 하나는 불명확한 모양이고, 각각의 상기 제 1 및 제 2 크기는 각각 상기 입자의 직경인 자기 손실 재료.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 분말 입자중 하나는 편평한 모양이고, 각각의 상기 제 1 및 제 2 크기는 각각의 상기 입자의 두께인 자기 손실 재료.
  14. 제 11 항에 있어서, 각각의 상기 제 1 및 제 2 입자 그룹 각각은 스킨 깊이보다 큰 두께 및 직경을 가진 불규칙한 모양의 시재료 분말을 그라인딩함으로써 얻어지는 자기 손실 재료.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 입자 그룹으로 인한 허수 부분 자기 투자율(μ")은 제 1 주파수(fr1)에서 최대 값을 가지며, 제 2 입자 그룹으로 인한 허수 부분 자기 투자율(μ")은 제 1 주파수(fr1)보다 낮은 제 2 주파수(fr2)에서 최대 값을 가지는 자기 손실 재료.
  16. 허수 부분 자기 투자율(μ")의 주파수 분산 프로파일은 서로 다른 분산 주파수 영역을 가진 제 1 및 제 2 분산 부분(D1 및 D2)를 가지며, 저주파수측에서 제 2 분산 부분(D2)은 자기 공진으로 인한 분산인 자기 손실 재료를 제조하는 방법으로서,
    스킨 깊이보다 큰 두께 및 직경을 가진 불규칙한 모양의 소프트 자기 분말을 제공하는 단계;
    불규칙한 모양 또는 편평한 모양의 분말 입자를 각각 포함하는 제 1 입자 그룹 및 제 2 입자 그룹을 포함하는 자기 하이브리드 소프트 자기 분말을 얻기 위하여 상기 소프트 자기 분말을 그라인딩하는 단계를 포함하는데, 상기 제 1 입자 그룹의 분말 입자는 하나의 두께 및 하나의 직경을 가지며, 상기 두께 및 직경중 하나는 상기 스킨 깊이보다 크고, 제 2 입자 그룹에서 분말 입자는 하나의 두께 및 하나의 직경을 가지며 상기 두께 및 직경중 하나는 상기 스킨 깊이보다 작고;
    상기 하이브리드 소프트 자기 분말에 고분자 화합물을 포함하는 접합제를 혼합하여 혼합물을 얻는 단계; 및
    상기 혼합물을 몰딩하는 단계를 포함하는 자기 손실 재료 제조 방법.
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