TWI678144B

TWI678144B - 近場用雜訊抑制片

Info

Publication number: TWI678144B
Application number: TW106124722A
Authority: TW
Inventors: 蔵前雅規; Masaki Kuramae
Original assignee: 理研股份有限公司; Kabushiki Kaisha Riken
Priority date: 2017-07-24
Filing date: 2017-07-24
Publication date: 2019-11-21
Also published as: TW201909721A

Abstract

本發明提供一種近場用雜訊抑制片，其虛部磁導率μ”的分佈從GHz帶域上升，且即使雜訊抑制片的厚度較薄也具有對於抑制GHz帶域下的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值。本發明的近場用雜訊抑制片的特徵在於，包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的扁平狀的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的濃度為2質量%以上且20質量%以下。

Description

近場用雜訊抑制片

本發明有關於為了抑制電子設備或通信設備的多餘的放射電磁波(雜訊)而使用的近場用雜訊抑制片。

近年來，伴隨著電子設備或通信設備的小型化、輕量化，裝配於電子電路的部件的安裝密度也升高。因此，起因於從電子部件放射的電磁波雜訊，由於在電子部件彼此間或電子電路彼此間產生電磁波干涉而引起的電子設備或通信設備的誤動作，而成為問題。

為了防止該問題，在設備等上安裝將多餘的放射電磁波(雜訊)轉換成熱量的近場用雜訊抑制片。該雜訊抑制片的厚度為0.1mm~2mm，因此能夠插入於電子部件或電子電路附近，加工容易且形狀自由度也高。因此，雜訊抑制片能夠適應於電子設備或通信設備的小型化、輕量化，廣泛地使用作為電子設備或通信設備的雜訊應對部件。

典型性的雜訊抑制片由加工成扁平狀的軟磁性合金粉末和有機結合劑構成，通過由軟磁性合金粉末的磁共振引起的磁損失將雜訊轉換成熱量。由此，雜訊抑制片的雜訊抑制性能依賴於雜訊抑制片中所包含的軟磁性合金粉末的磁導率。通常，磁導率使用實部磁導率μ’和虛部磁導率μ”而由複數磁導率μ=μ’-j．μ”表示，但是在雜訊抑制片那樣利用磁損失的情況下，虛部磁導率μ”變得重要。即，在要吸收的電磁波雜訊的頻帶的範圍內都分佈有虛部磁導率μ”是重要的。以下，在本說明書中，將虛部磁導率μ”相對於頻率的分佈稱為“μ”分散”。

專利文獻1記載了在包含扁平狀的軟磁性金屬粉末和樹脂的近場用電磁波吸收片中，使用FeCo合金粉末、FeNi合金粉末或FeCoNi合金粉末作為軟磁性金屬粉末的情況。而且，記載了也可以使用將這3種合金粉末和Fe單體的粉末的總計4種粉末中的至少2種以上混合而成的混合粉末作為軟磁性金屬粉末的情況。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第5700869號

近年來，電子設備或通信設備的高性能化急速發展，使用的頻率處於日益升高的傾向。例如，在個人電腦中要求進一步的高速化，CPU的驅動頻率要達到GHz帶。而且，在無線LAN等通信設備中處理的數位內容的容量增大，通信頻率也是GHz帶逐漸成為主導。此外，數位TV廣播或道路交通信息系統等衛星通信也急速擴大，泛在網路時代正在逐步實現。這樣的信息通信設備的多功能化、融合不斷推進，另一方面，從電子設備或通信設備放射的多餘的電磁波雜訊的頻率也升高，該電磁波雜訊引起的功能干涉或誤動作也比以往增加而令人擔心。因此，為了能夠有效地吸收GHz帶域的電磁波雜訊，需要使雜訊抑制片的μ”分散從GHz帶域上升。

另外，雜訊抑制效果依賴於雜訊抑制片的厚度，雜訊抑制片的厚度越厚，則雜訊抑制效果越高。另一方面，近年來的電子設備或通信設備的輕薄短小化加速，關於手機或平板終端等的雜訊應對所使用的雜訊抑制片也要求薄壁化。因此，為了即使雜訊抑制片的厚度較薄而在GHz帶域也能夠發揮優異的雜訊抑制效果，需要盡可能地增大雜訊抑制片的GHz帶域的磁導率，尤其是GHz帶域的虛部磁導率μ”的值(以下，稱為“μ”值”。)。

在此，為了使雜訊抑制片的μ”分散從GHz帶域上升，需要通過使用扁平狀的軟磁性合金粉末來提高雜訊抑制片的磁各向異性。然而，通常處於磁各向異性越高則μ”值越小的傾向，因此現狀是無法得到虛部磁導率μ”的分佈從GHz帶域上升、且即使雜訊抑制片的厚度較薄也具有對於抑制GHz帶域的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值的雜訊抑制片。在專利文獻1記載的技術中，雖然μ”分散也從GHz帶域上升，但是為了即使雜訊抑制片的厚度較薄也能發揮優異的雜訊抑制效果，而要求GHz帶域的μ”值的進一步提高。

因此，本發明鑒於上述課題，目的在於提供一種虛部磁導率μ”的分佈從GHz帶域上升，且即使雜訊抑制片的厚度較薄也具有對於抑制GHz帶域的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值的近場用雜訊抑制片。

本發明人為了解決上述課題而進行了仔細研討後，認識到如果使用Mn的濃度為2質量%以上且20質量%以下的FeMn合金粉末作為近場用雜訊抑制片使用的軟磁性合金粉末，則能夠使μ”分散從GHz帶域上升，且即使雜訊抑制片的厚度較薄也能得到對於抑制GHz帶域的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值，從而完成了本發明。

本發明基於上述見解而完成，其主旨結構如以下所述。

(1)一種近場用雜訊抑制片，其特徵在於，所述近場用雜訊抑制片包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的扁平狀的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的濃度為2質量%以上且20質量%以下。

(2)根據上述(1)記載的近場用雜訊抑制片，其中，在所述FeMn合金粉末中，利用20質量%以下的從Co及Ni中選擇的一種以上的元素置換所述Fe。

(3)根據上述(1)或(2)記載的近場用雜訊抑制片，其中，在所述FeMn合金粉末中，利用10質量%以下的從Si及Al 中選擇的一種以上的元素置換所述Fe。

(4)根據上述(1)~(3)中任一記載的近場用雜訊抑制片，其中，所述FeMn合金粉末的厚度的平均值為0.1μm以上且1.5μm以下。

(5)根據上述(1)~(4)中任一記載的近場用雜訊抑制片，其中，所述FeMn合金粉末的縱橫比的平均值為10以上且100以下。

根據本發明，能夠提供一種虛部磁導率μ”的分佈從GHz帶域上升，且即使雜訊抑制片的厚度較薄也具有對於抑制GHz帶域下的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值的近場用雜訊抑制片。

以下，說明本發明的近場用雜訊抑制片的實施方式。

本發明的一實施方式的近場用雜訊抑制片(以下，簡稱為“雜訊抑制片”)的特徵在於，包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的扁平狀的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的濃度(x)為2質量%以上且20質量%以下，Fe的濃度為(100-x) 質量%。這樣，將Fe的一部分由Mn置換，而且使Mn的質量%為2質量%以上且20質量%以下，由此，虛部磁導率μ”的分佈從GHz帶域上升，且即使在雜訊抑制片的厚度為例如0.1mm以下那樣比以往的雜訊抑制片薄的情況下，也能夠得到對於抑制GHz帶域的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值。而且，Mn比Co或Ni廉價，因此能夠抑制雜訊抑制片的製造成本。需要說明的是，從進一步提高高頻下的雜訊抑制效果的觀點出發，優選使Mn的質量%為5質量%以上且15質量%以下。

另外，在上述的FeMn合金粉末中，也可以利用合計20質量%以下的從Co及Ni中選擇的1種以上的元素對所述Fe進行置換。以下，將這樣的合金粉末稱為Fe(Co、Ni)Mn合金粉末。在此，若從Co及Ni中選擇的1種以上的元素的添加量合計超過20質量%，則由於Fe(Co、Ni)Mn合金粉末的飽和磁化強度下降而雜訊抑制片的磁導率下降，因此將上限值合計設為20質量%。

另外，在上述的FeMn合金粉末或Fe(Co、Ni)Mn合金粉末中，也可以利用合計10質量%以下的從Si及Al中選擇的1種以上的元素對所述Fe進行置換。以下，將這樣的合金粉末分別稱為Fe(Si、Al)Mn合金粉末、Fe(Co、Ni、Si、Al)Mn合金粉末。在此，若從Si及Al中選擇的1種以上的元素的添加量合計超過10質量%，則Fe(Si、Al)Mn合金粉末或Fe(Co、Ni、Si、Al)Mn合金粉末的飽和磁化強度下降，由此雜訊抑制片的磁導率下降，因此上限值合計設為10質量%。需要說明的是，通過添加Si或Al，能夠促進例如後述的絕緣處理中的氧化絕緣膜的形成。由此，合金粉末的電阻增大，因此在構成電子設備等的電路與雜訊抑制片之間難以產生短路。

此外，作為扁平狀的合金粉末，也可以使用將上述的FeMn合金粉末、Fe(Co、Ni)Mn合金粉末、Fe(Si、Al)Mn合金粉末、Fe(Co、Ni、Si、Al)Mn合金粉末及扁平狀的Fe粉末中的至少2種以上混合而成的混合粉末。設為混合粉末時的5種粉末的比率沒有特別限定，但是為了使虛部磁導率μ”的分佈從GHz帶域上升，且即使雜訊抑制片的厚度較薄也得到對於抑制GHz帶域的雜訊而言充分的大小的虛部磁導率μ”值，而優選4種合金粉末的合計設為50質量%以上。

以下，示出本實施方式的雜訊抑制片的製造方法的一例。

在本實施方式的雜訊抑制片的製造方法中，首先，將扁平狀的合金粉末、有機物、有機溶劑混合來製作漿料。

原料粉末優選為球形，可以通過作為一般性的粉末合成方法的氣體霧化或水霧化來得到。原料粉末的平均粒徑優選設為10~70μm。這是因為，在原料粉末的平均粒徑小於10μm的情況下，難以得到後述的縱橫比(=直徑/厚度)大的扁平狀的合金粉末，而且，在原料粉末的平均粒徑超過70μm的情況下，後述的扁平加工需要長時間，因此效率不高。

扁平狀的合金粉末可以通過對接近於上述的球形的原料粉末進行機械加工來製作。在此，從得到為了顯現GHz帶域下的磁共振所需的表皮深度的觀點出發，優選以使扁平狀的合金粉末的厚度的平均值成為0.1μm以上且1.5μm以下的方式進行扁平加工。而且，優選以使扁平狀的合金粉末的縱橫比的平均值成為10以上且100以下的方式進行扁平加工。通過使縱橫比的平均值為10以上，能夠忽視扁平狀的合金粉末面內的反磁場的影響。而且，通過使縱橫比的平均值為100以下，能夠得到在成膜時扁平狀的合金粉末的水平配向性變得良好，並具有平坦的表面的雜訊抑制片。關於扁平加工，可以利用球磨機、磨碎機、搗碎機等公知或任意的機械加工進行。需要說明的是，因扁平加工而在合金粉末產生殘餘應力。為了防止以該殘餘應力為起因的磁導率的下降，在扁平加工後，優選對於合金粉末在氮或氬等不活潑氣氛中實施退火處理。退火條件可以設為例如200~500℃的溫度且0.5~5小時。

在本說明書中，“平均粒徑”是指通過雷射繞射．散射法而求出的粒度分佈中的累計值50%處的粒徑(50%累計粒徑：D50)。而且，“厚度的平均值”是指將利用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察時的扁平狀的合金粉末的厚度的值對於視野中的10個粉末進行了平均後的值，“縱橫比的平均值”是指將利用SEM觀察時的扁平狀的合金粉末的長度/厚度的值對於視野中的10個粉末進行了平均後的值。

另外，以實施絕緣處理的情況為目的，優選在扁平加工後的合金粉末的表面形成自氧化覆膜或外部處理覆膜。只要能夠保持絕緣性，覆膜形成的手段或材質就不受限制。需要說明的是，氧化覆膜為20~100nm的厚度比較適當，在因自氧化而將氧化覆膜形成為必要以上的情況下，成為基材的磁性相的體積減少，因此無法得到充分的大小的μ”值。作為基於自氧化的覆膜形成方法，大氣中的加熱處理或烴系有機溶劑中的加熱處理是代表性的方法。而且，作為基於外部處理的覆膜形成方法，可列舉浸塗法或CVD等氣相法。需要說明的是，上述絕緣處理和上述退火處理的順序沒有特別限制。

作為構成基材的有機物，可列舉環氧樹脂、酚醛樹脂、纖維素樹脂、聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚縮醛樹脂等任意的樹脂系材料、矽橡膠、丙烯酸橡膠、丁腈橡膠、丁基橡膠、聚乙烯醇樹脂、氯化聚乙烯樹脂等任意的橡膠系材料、不織布、聚酯纖維、丙烯酸纖維等任意的纖維系材料，關於有機物的選定，只要根據目的適當選定即可。上述的有機物具有結合性、可塑性的賦予及合金粉末彼此的絕緣隔離這樣的功能。而且，為了提高雜訊抑制片的柔軟性，根據需要也可以添加鄰苯二甲酸二辛酯等的塑化劑。而且，為了提高軟磁性合金粉末與有機物的相容性，可以添加矽烷偶合劑等表面改性劑。此外，為了得到阻燃性，根據需要也可以添加氫氧化鋁、氫氧化鎂、紅磷等阻燃劑。

關於扁平狀的合金粉末與有機物的調配比，在設扁平狀的合金粉末為100質量份的情況下，優選有機物為8~30質量份。如果有機物為8質量份以上，則不會失去雜訊抑制片的可塑性。而且，如果有機物為30質量份以下，則在片成型時，扁平狀的合金粉末容易水平地配向，因此能夠得到充分大小的μ”值。

有機溶劑沒有特別限定，可以使用甲苯、醋酸丁酯、醋酸乙酯等。有機溶劑在後續的步驟中蒸發，因此不包含於雜訊抑制片。

接下來，將由扁平狀的合金粉末、有機物、有機溶劑構成的漿料利用刮板法成型、乾燥為片狀，製作成型體。該成型體具有將扁平狀的合金粉末擔載於由有機物構成的基材中的構造，而且，通過上述成型時的剪應力而扁平狀的合金粉末相互沿水平方向配向。在此，作為雜訊抑制片的成型方法，除了刮板法之外，也可以使用壓光輥法等公知或任意的方法，但是為了製作厚度0.1mm以下的雜訊抑制片而優選使用刮板法等塗佈規程。

關於片狀的成型體，為了提高扁平狀的合金粉末的配向性，優選以加熱成有機物的軟化點以上(例如60~150℃左右)的狀態實施衝壓。得到的雜訊抑制片的厚度可以為0.05mm~0.1mm左右。

[實施例]

(實驗例1)

通過氣體霧化，得到了表1所示的組成的FeMn合金粉末。平均粒徑為40~50μm。接下來，利用磨碎機對各種合金粉末進行扁平加工，得到了扁平狀的合金粉末。扁平狀的合金粉末的厚度及縱橫比的平均值如表1所示。需要說明的是，關於合金粉末的厚度及縱橫比的平均值，利用SEM觀察通過後述的方法製作的各雜訊抑制片的厚度方向的截面的離子磨削研磨面，根據其攝影像利用已述的方法進行了測量。接下來，為了在上述合金粉末的表面形成自氧化覆膜，在大氣中進行了80℃、1小時的氧化處理之後，進行了300℃、1小時的退火處理。

接下來，將100質量份的加工成扁平狀的各合金粉末、20質量份的聚縮醛樹脂(軟化點：約70℃)、及50質量份的醋酸丁酯混合而製作了漿料。接下來，通過刮板法，在聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜上，將該漿料加工成片狀的成型體。然後，在10MPa的壓力下實施了100℃、1分鐘的加熱衝壓，由此製作了厚度0.05mm的雜訊抑制片。

關於通過各實施例．比較例製作的雜訊抑制片，通過使用了網路分析儀的S參數法測定了磁導率特性。虛部磁導率μ”開始上升的頻率及5GHz下的虛部磁導率μ”值的大小如表1所示。

從表1可知，在比較例1、2中，5GHz下的μ”值小於 5.0，相對於此，在實施例1~4中，5GHz下的μ”值超過了5.0。如上述的實施例所示，如果5GHz下的μ”值為5.0以上，則能夠有效地抑制在輕薄短小化、高頻化的近年來的電子設備等中產生的雜訊。

(實驗例2)

通過氣體霧化，得到了表2所示的組成的Fe(Co、Ni)Mn合金粉末。平均粒徑為40~50μm。接下來，利用磨碎機對各種合金粉末進行扁平加工，得到了扁平狀的合金粉末。扁平狀的合金粉末的厚度及縱橫比的平均值如表2所示。需要說明的是，關於合金粉末的厚度及縱橫比的平均值，通過與實驗例1同樣的方法進行了測量。接下來，為了在上述合金粉末的表面形成自氧化覆膜，在大氣中進行了80℃、1小時的氧化處理之後，進行了300℃、1小時的退火處理。

接下來，將100質量份的加工成扁平狀的各合金粉末、20質量份的丙烯酸橡膠(軟化點：約70℃)、及50質量份的甲基乙基甲酮混合而製作了漿料。接下來，通過刮板法，在聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜上，將該漿料加工成片狀的成型體。然後，在10MPa的壓力下實施100℃、1分鐘的加熱衝壓，由此製作了厚度0.1mm的雜訊抑制片。通過與實驗例1同樣的方法測定時的虛部磁導率μ”開始上升的頻率及5GHz下的虛部磁導率μ”值的大小如表2所示。

從表2可知，在比較例3~8中，5GHz下的μ”值小於5.0，相對於此，在實施例5~16中，5GHz下的μ”值超過了5.0。此外，如實施例8、12、16所示，即使利用15質量%以上的Co、Ni置換了Fe的情況下，Mn只要為2質量%以上且20質量%以內，5GHz下的μ”值就超過5.0。如上述的實施例所示，如果5GHz下的μ”值為5.0以上，則能夠有效地抑制在輕薄短小化、高頻化的近年來的電子設備等中產生的雜訊。

(實驗例3)

通過氣體霧化，得到了表3所示的組成的Fe(Si、Al)Mn合金粉末。平均粒徑為40~50μm。接下來，利用磨碎機對各種合金粉末進行扁平加工，得到了扁平狀的合金粉末。扁平狀的合金粉末的厚度及縱橫比的平均值如表3所示。需要說明的是，關於合金粉末的厚度及縱橫比的平均值，通過與實驗例1同樣的方法進行了測量。接下來，為了在上述合金粉末的表面形成自氧化覆膜，在大氣中進行了80℃、1小時的氧化處理之後，進行了300℃、1小時的退火處理。

接下來，將100質量份的加工成扁平狀的各合金粉末、20質量份的聚縮醛樹脂(軟化點：約70℃)及50質量份的醋酸丁酯混合而製作了漿料。接下來，通過刮板法，在聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜上，將該漿料加工成片狀的成型體。然後，在10MPa的壓力下實施100℃、1分鐘的加熱衝壓，由此製作了厚度0.1mm的雜訊抑制片。通過與實驗例1同樣的方法測定時的虛部磁導率μ”開始上升的頻率及5GHz下的虛部磁導率μ”值的大小如表3所示。

從表3可知，在比較例9~12中，5GHz下的μ”值小於5.0，相對於此，在實施例17~27中，5GHz下的μ”值超過5.0。此外，如實施例20、24所示，即使在利用5質量%以上的Si、Al置換了Fe的情況下，只要Mn為2質量%以上且20質量%以內，5GHz下的μ”值就超過5.0。如上述的實施例所示，如果5GHz下的μ”值為5.0以上，則能夠有效地抑制在輕薄短小化、高頻化的近年來的電子設備等中產生的雜訊。

(實驗例4)

通過氣體霧化，得到了表4所示的組成的Fe(Co、Ni、Si、Al)Mn合金粉末。平均粒徑為40~50μm。接下來，利用磨碎機對各種合金粉末進行扁平加工，得到了扁平狀的合金粉末。扁平狀的合金粉末的厚度及縱橫比的平均值如表4所示。需要說明的是，關於合金粉末的厚度及縱橫比的平均值，利用與實驗例1同樣的方法進行了測量。接下來，為了在上述合金粉末的表面形成自氧化覆膜，在大氣中進行了80℃、1小時的氧化處理之後，進行了300℃、1小時的退火處理。

接下來，將100質量份的加工成扁平狀的各合金粉末、20質量份的丙烯酸橡膠(軟化點：約70℃)及50質量份的甲基乙基甲酮混合而製作了漿料。接下來，通過刮板法，在聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜上，將該漿料加工成片狀的成型體。然後，在10MPa的壓力下實施100℃、1分鐘的加熱衝壓，由此製作了厚度0.05mm的雜訊抑制片。通過與實驗例1同樣的方法測定時的虛部磁導率 μ”開始上升的頻率及5GHz下的虛部磁導率μ”值的大小如表4所示。

從表4可知，在比較例13~17中，5GHz下的μ”值小於5.0，相對於此，在實施例28~39中，5GHz下的μ”值超過5.0。此外，如實施例31、35、39所示，即使在利用15質量%以上的Co、Ni或5質量%以上的Si、Al置換了Fe的情況下，只要Mn為2質量%以上且20質量%以內，5GHz下的μ”值就超過5.0。如上述的實施例所示，如果5GHz下的μ”值為5.0以上，則能夠有效地抑制在輕薄短小化、高頻化的近年來的電子設備等中產生的雜訊。

[產業上的可利用性]

Claims

一種近場用雜訊抑制片，其特徵在於：所述近場用雜訊抑制片包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的扁平狀的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的濃度為2質量%以上且20質量%以下。
如申請專利範圍第1項所述的近場用雜訊抑制片，其中在所述FeMn合金粉末中，利用20質量%以下的從Co及Ni中選擇的一種以上的元素置換所述Fe。
如申請專利範圍第1項所述的近場用雜訊抑制片，其中在所述FeMn合金粉末中，利用10質量%以下的從Si及Al中選擇的一種以上的元素置換所述Fe。
如申請專利範圍第2項所述的近場用雜訊抑制片，其中在所述FeMn合金粉末中，利用10質量%以下的從Si及Al中選擇的一種以上的元素置換所述Fe。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述FeMn合金粉末的厚度的平均值為0.1μm以上且1.5μm以下。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述FeMn合金粉末的縱橫比的平均值為10以上且100以下。
如申請專利範圍第5項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述FeMn合金粉末的縱橫比的平均值為10以上且100以下。