TWI644332B - Near field noise suppression film - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種近場用雜訊抑制片，即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化。本發明的近場用雜訊抑制片的特徵在於，包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的軟磁性合金粉末，其中所述軟磁性合金粉末，平均粒徑為12μm以下，並且縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下。
Description
本發明涉及為了抑制電子設備或通信設備的多餘的放射電磁波(雜訊)或者線路或電子部件間的磁耦合而使用的近場用雜訊抑制片。
近年來，伴隨著電子設備或通信設備的小型化、輕量化，裝配於電子電路的電子部件的安裝密度也升高。因此，以從電子部件放射的電磁波雜訊或者線路或電子部件間的磁耦合為起因，在電子部件間或電子電路間產生電磁波干涉而引起的電子設備或通信設備的誤動作成為問題。
為了防止該問題，在設備等上安裝將多餘的放射電磁波(雜訊)轉換成熱量的近場用雜訊抑制片。該雜訊抑制片的厚度為0.1mm~2mm，因此可以通過直接黏貼於作為雜訊產生源的電子部件或電子電路、或者黏貼於電子部件或電子電路的附近來使用，加工容易且形狀自由度也高。因此，雜訊抑制片能夠適應於電子設備或通信設備的小型化、輕量化，廣泛地使用作為電子設備或通信設備的雜訊應對部件。
作為雜訊抑制片的具體的使用方法，可舉出以下3種。即，對於平行地並列的線路或電子部件的空間性的耦合，可列舉(i)將雜訊抑制片相對於線路或電子部件進行平行裝配的情況、(ii)將雜訊抑制片裝配於線路或電子部件的間隙的情況、(iii)以覆蓋線路的方式裝配雜訊抑制片的情況這三種。在上述(i)的情況下，雜訊抑制片的內部去耦合性變得重要，在上述(ii)的情況下，雜訊抑制片的相互去耦合性變得重要，在上述(iii)的情況下，雜訊抑制片的傳送去耦合性變得重要。即，作為雜訊抑制片的內部去耦合性、相互去耦合性或傳送去耦合性的指標的內部去耦合率、相互去耦合率或傳送去耦合率成為0dB的頻率根據上述(i)~(iii)的使用方法與要吸收的電磁波雜訊的頻帶相比為高頻的情況至關重要。
在此，典型性的雜訊抑制片由加工成扁平狀的軟磁性合金粉末和有機結合劑構成，通過由軟磁性合金粉末的磁共振引起的磁損失將雜訊轉換成熱量。由此，雜訊抑制片的雜訊抑制性能依賴於雜訊抑制片所包含的軟磁性合金粉末的磁導率。通常，磁導率使用實部磁導率μ’和虛部磁導率μ”而由複數磁導率μ=μ’-j･μ”表示，但是在雜訊抑制片那樣利用磁損失的情況下，虛部磁導率μ”變得重要。而且，使用加工成扁平狀的軟磁性合金粉末的理由是因為，通過進行扁平加工能夠提高相對於雜訊抑制片的面內方向的軟磁性合金粉末的磁各向異性，因此通過利用該磁各向異性，能夠根據要吸收的電磁波雜訊的頻率來控制虛部磁導率μ”的分佈。
專利文獻1記載了以具備扁平狀的磁性粉末和有機結合劑為特徵的雜訊抑制片。而且，專利文獻2記載了主要含有由鐵系非晶質合金構成的扁平狀的軟磁性粒子和有機結合劑的電磁波干涉抑制體。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-172010號公報 [專利文獻2]日本特開2015-46538號公報
[發明所欲解決的課題] 近年來，電子設備或通信設備的高性能化急速發展，使用的頻率處於日益升高的傾向。例如，在個人電腦中要求進一步的高速化，CPU的驅動頻率要達到GHz帶。而且，在無線LAN等通信設備中處理的數位內容的容量增大，通信頻率也是GHz帶逐漸成為主導。此外，數位TV廣播或道路交通信息系統等衛星通信也急速擴大，泛在網絡時代正在逐步實現。這樣的信息通信設備的多功能化、融合不斷推進，另一方面，從電子設備或通信設備放射的多餘的電磁波雜訊的頻率也升高，該電磁波雜訊引起的功能干涉或誤動作也比以往增加而令人擔心。因此，希望有效地吸收GHz帶域的電磁波雜訊。
另外，典型性的雜訊抑制片具有扁平狀的軟磁性合金粉末沿著雜訊抑制片的面內方向水平地排列的構造，因此雜訊抑制片的面內方向的虛部磁導率μ”大，但是雜訊抑制片的厚度方向的虛部磁導率μ”小。因此，如上述(i)或(iii)那樣在與雜訊源相同的面內方向使用這樣的雜訊抑制片的情況下，以面內方向的虛部磁導率μ”大的情況為起因，能夠得到優異的內部去耦合性和傳送減衰性。然而，如上述(ii)那樣在與雜訊源相對的方向上使用雜訊抑制片的情況下，以雜訊抑制片的厚度方向的虛部磁導率μ”小的情況為起因，雜訊抑制片的相互去耦合性差。在專利文獻1及專利文獻2中，都使用實施了扁平加工的扁平狀的合金粉末。因此，專利文獻1及專利文獻2記載的技術是關於雜訊抑制片或電磁波干涉抑制體的面內方向的虛部磁導率μ”的技術，關於雜訊抑制片或電磁波干涉抑制體的厚度方向的虛部磁導率μ”未作考慮，因此雖然能夠應付內部去耦合性及傳送減衰性的高頻化，但是無法應付相互去耦合性的高頻化。
另外，即便是由加工成扁平狀的軟磁性合金粉末構成的雜訊抑制片，通過向雜訊抑制片插入金屬箔等導體片，也能夠利用導體片的渦流損失得到優異的相互去耦合性。然而，伴隨著電子設備等的小型化、輕量化，在向線路或電子部件密集的電子電路插入導體片的情況下，插入的導體片反而有時會成為雜訊源。因此，開發出在具有扁平狀的軟磁性合金粉末沿著片的面內方向整齊排列的構造的2個層之間插入了導體層的多層雜訊抑制片。然而，在多層雜訊抑制片中，構造上片的厚度變厚，因此無法應付近年來的電子設備等的薄壁化。此外，多層雜訊抑制片的構造與不具有導體層的雜訊抑制片相比複雜，製造成本也升高。
因此，本發明鑒於上述課題，目的在於提供一種即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化的近場用雜訊抑制片。
[解決課題之手段] 為了實現上述目的，本發明人進行仔細研討並得到了以下的見解。為了得到即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化的雜訊抑制片，優選以使扁平狀的軟磁性合金粉末的長徑方向與雜訊抑制片的厚度方向平行的方式將扁平狀的軟磁性合金粉末整齊排列。然而，將扁平狀的軟磁性合金粉末像這樣整齊排列的情況在現實上困難。因此，本發明人進行了仔細研討後，發現了通過使軟磁性合金粉末的形狀成為接近於球形的形狀並減小軟磁性合金粉末的平均粒徑，而能夠得到即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化的雜訊抑制片。
本發明基於上述見解而完成，其主旨結構如以下所述。 (1)一種近場用雜訊抑制片，其特徵在於， 所述近場用雜訊抑制片包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的軟磁性合金粉末，其中 所述軟磁性合金粉末，平均粒徑為12μm以下，並且縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下。
(2)根據上述(1)記載的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末的平均粒徑為5μm以下。
(3)根據上述(1)或(2)記載的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末由從僅由非晶相構成的合金粉末及具有非晶相和結晶相的合金粉末中選擇的一種以上的合金粉末構成。
(4)根據上述(3)記載的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末包括從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的一種以上的合金粉末。
(5)根據上述(4)記載的近場用雜訊抑制片，其中從所述Fe基合金粉末及所述Co基合金粉末中選擇的一種以上的合金粉末的Fe及Co的合計濃度為83質量%以上。
(6)根據上述(1)或(2)記載的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末由僅由結晶相構成的合金粉末構成。
(7)根據上述(1)~(6)中任一項記載的近場用雜訊抑制片，其中表面電阻為10
8Ω/□以上。
(8)根據上述(1)~(7)中任一項記載的近場用雜訊抑制片，其中厚度為0.5mm以下。
[發明的效果] 根據本發明，能夠提供一種即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化的近場用雜訊抑制片。
以下，說明本發明的近場用雜訊抑制片的實施方式。
本發明的一實施方式的近場用雜訊抑制片(以下，簡稱為“雜訊抑制片”)的特徵在於，包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的軟磁性合金粉末，其中軟磁性合金粉末的平均粒徑為12μm以下，並且縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下。這樣，通過使軟磁性合金粉末的平均粒徑為12μm以下，並使縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下，而能夠得到即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化的雜訊抑制片。而且，與具有導體層的多層雜訊抑制片相比，本發明的雜訊抑制片的構造簡單，因此能夠抑制製造成本。需要說明的是，電磁波向磁性體的侵入深度存在頻率越高則越淺的性質，因此從使相互去耦合性進一步高頻化的觀點出發而優選進一步減小軟磁性合金粉末的平均粒徑，使軟磁性合金粉末的平均粒徑為5μm以下，並使縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下。
作為本發明使用的軟磁性合金粉末，雖然可以使用任意的軟磁性合金粉末，但是電磁波向磁性體的侵入深度存在磁性體的電阻越高則越深的性質。因此，考慮到非晶相中的電阻比結晶相中的電阻高的情況，也可以從軟磁性合金粉末之中選擇含有具有非晶相這樣的特定的組成的軟磁性合金粉末。因此，從通過提高磁性體的電阻而使相互去耦合性進一步高頻化的觀點出發，優選使用包含具有比僅由結晶相構成的合金粉末高的電阻的、從僅由非晶相構成的合金粉末及具有非晶相和結晶相的合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末的軟磁性合金粉末。而且，從通過得到更高的電阻而使相互去耦合性進一步高頻化的觀點出發，更優選使用從僅由非晶相構成的合金粉末及具有非晶相和結晶相的合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末構成的軟磁性合金粉末。
使用包含從僅由非晶相構成的合金粉末及具有非晶相和結晶相的合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末的軟磁性合金粉末的情況下，從實用性的觀點出發，優選使用包含從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末的軟磁性合金粉末。而且，更優選使用由從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末構成的軟磁性合金粉末。此外，從實用性的觀點出發，更優選使從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末中的Fe及Co的合計濃度為83質量%以上。在此，作為僅由非晶質構成的合金粉末，可列舉FeCo系、FeSiB系、FePC系、FeCoSiB系等Fe基合金粉末、或CoFe系、CoSiB系、CoFeSiB系等Co基合金粉末。需要說明的是，關於具有非晶相和結晶相的合金粉末，可列舉通過對於上述的僅由非晶相構成的合金粉末實施後述的處理而使α-Fe微結晶析出的合金粉末。
另外，作為本發明使用的軟磁性合金粉末，也可以使用包含僅由結晶相構成的合金粉末的軟磁性合金粉末。這種情況下，從實用性的觀點出發，優選使用包含從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末的軟磁性合金粉末。此外，從實用性的觀點出發，更優選使用由從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的1種以上的合金粉末構成的軟磁性合金粉末。在此，作為僅由結晶相構成的合金粉末，可列舉FeSi系、FeMn系、FeNi系、FeSiAl系、FeSiCr系等Fe基合金粉末、或者CoNi、CoMn系等Co基合金粉末。
另外，本發明使用的軟磁性合金粉末可以設為將從僅由結晶相構成的合金粉末、僅由非晶相構成的合金粉末、具有非晶相和結晶相的合金粉末中選擇的2種以上的合金粉末混合而成的混合粉末。這種情況下的粉末的比率沒有特別限定，但是優選僅由非晶相構成的合金粉末及具有非晶相和結晶相的合金粉末的合計為50質量%以上。此外，也可以對於本發明使用的軟磁性合金粉末添加Fe粉末而成為混合粉末。這種情況下的粉末的比率沒有特別限定，但是優選混合粉末中的軟磁性合金粉末的合計為50質量%以上。
雜訊抑制片的表面電阻優選為10
8Ω/□以上。這是因為，如果雜訊抑制片的表面電阻為10
8Ω/□以上，則即使在電子電路上直接黏貼雜訊抑制片而使用的情況下，也不會擾亂電子電路的阻抗。
雜訊抑制片的厚度優選為0.5mm以下。這是因為，如果雜訊抑制片的厚度為0.5mm以下，則能夠適用於輕薄短小化、高頻化的近年來的電子設備或通信設備。需要說明的是，更優選雜訊抑制片的厚度為0.2mm以下。
以下，示出本實施方式的雜訊抑制片的製造方法的一例。
在本實施方式的雜訊抑制片的製造方法中，首先，將軟磁性合金粉末、有機物、有機溶劑混合來製作漿料。
在本發明中，特徵在於減小軟磁性合金粉末的形狀的各向異性，並成為接近於球形的形狀。因此，本發明的軟磁性合金粉末的縱橫比(=長徑/厚度)的平均值為1.00以上且1.30以下的情況至關重要。從這樣的觀點出發，本發明的軟磁性合金粉末優選設為未實施扁平加工的霧化粉末。在此，設為霧化粉末是因為通過霧化法而容易製作接近於球形的形狀的緣故。需要說明的是，霧化粉末通過作為一般性的粉末合成方法的氣體霧化法或水霧化法能夠得到，但是從得到如本發明那樣平均粒徑小的粉末的觀點出發，特別優選使用水霧化法。需要說明的是，本發明的軟磁性合金粉末並未局限於通過霧化法得到的結構，也可以使用由軟磁性合金的塊體或帶材進行粉碎加工而得到的粉末。通過上述的方法，將軟磁性合金粉末的平均粒徑調整成為12μm以下，更優選成為5μm以下。
需要說明的是，在本說明書中，“平均粒徑”是利用掃描型電子顯微鏡(SEM)以倍率5000倍觀察雜訊抑制片的厚度方向的剖面的研磨面時的、關於視野中的全部的粉末對軟磁性合金粉末的長徑的值進行了平均後的值。而且，“縱橫比的平均值”同樣是利用SEM以倍率5000倍觀察雜訊抑制片的厚度方向的剖面的研磨面時的、關於視野中的全部的粉末對軟磁性合金粉末的長徑/厚度的值進行了平均後的值。
另外，如上所述，作為本發明的軟磁性合金粉末，可以使用具有非晶相和結晶相的合金粉末。在使用具有非晶相和結晶相的合金粉末的情況下，在製作了僅由非晶相構成的合金粉末之後，在氮或氬等不活潑氣氛中進行熱處理，使例如由α-Fe構成的微結晶析出。通過使強磁性的α-Fe微結晶析出而軟磁特性提高。即，磁通密度增加，頑磁力及磁致伸縮減少。這樣，能夠得到具有非晶相和結晶相的合金粉末。熱處理條件可以設為例如300~600℃的溫度、0.1~2小時。
作為構成基材的有機物，可列舉環氧樹脂、酚醛樹脂、纖維素樹脂、聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚縮醛樹脂、聚乙烯醇樹脂、氯化聚乙烯樹脂等任意的樹脂系材料、矽橡膠、丙烯酸橡膠、丁腈橡膠、丁基橡膠等任意的橡膠系材料、不織布、聚酯纖維、丙烯酸纖維等任意的纖維系材料，關於有機物的選定，只要根據目的適當選定即可。上述的有機物具有結合性、可塑性的賦予及合金粉末彼此的絕緣剝離這樣的功能。而且，為了提高雜訊抑制片的柔軟性，根據需要也可以添加鄰苯二甲酸二辛酯等的塑化劑。而且，為了提高軟磁性合金粉末與有機物的相容性，可以添加矽烷偶合劑等表面改性劑。此外，為了得到阻燃性，根據需要也可以添加氫氧化鋁、氫氧化鎂、紅磷等阻燃劑。
軟磁性合金粉末與有機物的配合比優選以使最終得到的雜訊抑制片中的軟磁性合金粉末所占的比例以體積率計成為70%以上且90%以下的方式進行調整。通過使軟磁性合金粉末的比例為70%以上，能夠得到為了作為雜訊抑制片發揮功能所需的磁導率。而且，通過使軟磁性合金粉末的比例為90%以下，能夠得到具有柔軟性的雜訊抑制片。需要說明的是，在以往那樣雜訊抑制片使用扁平狀的軟磁性合金粉末的情況下，為了確保10
8Ω/□以上的表面電阻和雜訊抑制片的柔軟性，必須使扁平狀的軟磁性合金粉末所占的體積率小於60%，相對於此，在本發明中，能夠將軟磁性合金粉末的體積率提高至70%以上且90%以下。這樣，能確保10
8Ω/□以上的表面電阻和雜訊抑制片的柔軟性，並且通過提高軟磁性合金粉末的體積率也能夠得到較高的雜訊抑制效果。
作為有機溶劑沒有特別限定，可以使用甲苯、醋酸丁酯、醋酸乙酯等。有機溶劑在後續的步驟中蒸發，因此不包含在雜訊抑制片中。
作為雜訊抑制片的成型方法，可列舉壓延輥法或刮板法等公知或任意的方法。例如，在使用刮板法的情況下，將由軟磁性合金粉末、有機物、有機溶劑構成的漿料成型、乾燥為片狀，製作成型體。該成型體具有接近於球狀的形狀的軟磁性合金粉末擔載於由有機物構成的基材的構造。但是，在本發明中，並沒有特別局限於上述的成型方法，只要能夠製作厚度0.5mm以下的雜訊抑制片即可，可以使用任意或公知的成型方法。 [實施例]
(實施例1、2及比較例1、2) 在實施例1、2及比較例1中，通過水霧化法，製作了僅由以質量%表述為Fe
85Si
9.5Al
5.5的結晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末。而且，在比較例2中，對於通過水霧化法製作的僅由以質量%表述為Fe
85Si
9.5Al
5.5的結晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末，通過磨碎機實施扁平加工，而且為了去除與扁平加工相伴的加工應力，在氬氣氛下，通過實施650℃、5小時的退火處理而製作了僅由結晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末。需要說明的是，比較例2使用的實施扁平加工之前的霧化合金粉末與實施例2使用的霧化合金粉末相同。
接下來，分別關於實施例1、2及比較例1的未實施各扁平加工的霧化合金粉末、比較例2的扁平狀的霧化合金粉末，以使各合金粉末的體積率成為各漿料整體的70%以上且80%以下的方式，將各合金粉末、丙烯酸橡膠、甲苯混合而製作了漿料。接下來，通過刮板法，在聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜上，將各漿料加工成片狀的成型體。然後，對於各片狀的成型體，在10MPa的壓力下實施100℃、1分鐘的加熱衝壓，由此製作了厚度0.15mm的雜訊抑制片。需要說明的是，關於各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值，利用SEM觀察各雜訊抑制片的厚度方向的剖面的離子磨削研磨面，根據其攝影像，利用已述的方法進行了測量。各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值如表1所示。
(實施例3、4及比較例3、4) 在實施例3、4及比較例3中，通過水霧化法，製作了僅由以質量%表述為Fe
94Si
6的結晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末。而且，在比較例4中，對於通過水霧化法製作的僅由以質量%表述為Fe
94Si
6的結晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末，通過實施與比較例2同樣的處理而製作了僅由結晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末。需要說明的是，比較例4使用的實施扁平加工之前的霧化合金粉末與實施例4使用的霧化合金粉末相同。
接下來，分別對於實施例3、4及比較例3的未實施各扁平加工的霧化合金粉末、比較例4的扁平狀的霧化合金粉末，以使各合金粉末的體積率成為各漿料整體的70%以上且80%以下的方式，通過與實施例1同樣的方法製作了厚度0.15mm的雜訊抑制片。需要說明的是，關於各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值，利用與實施例1同樣的方法進行了測量。各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值如表1所示。
(實施例5、6及比較例5、6) 在實施例5、6及比較例5中，通過水霧化法，製作了僅由以質量%表述為Fe
50Ni
50的結晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末。而且，在比較例6中，對於通過水霧化法製作的僅由以質量%表述為Fe
50Ni
50的結晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末，通過實施與比較例2同樣的處理而製作了僅由結晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末。需要說明的是，比較例6使用的實施扁平加工之前的霧化合金粉末與實施例6使用的霧化合金粉末相同。
接下來，分別關於實施例5、6及比較例5的未實施各扁平加工的霧化合金粉末、比較例6的扁平狀的霧化合金粉末，以使各合金粉末的體積率成為各漿料整體的70%以上且80%以下的方式通過與實施例1同樣的方法製作了厚度0.15mm的雜訊抑制片。需要說明的是，關於各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值，利用與實施例1同樣的方法進行了測量。各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值如表1所示。
(實施例7、8及比較例7、8) 在實施例7、8及比較例7中，通過水霧化法，製作了僅由以質量%表述為Fe
90.1Si
6.1B
3.8的非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末。而且，在比較例8中，對於通過水霧化法製作的僅由以質量%表述為Fe
90.1Si
6.1B
3.8的非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末，通過磨碎機實施扁平加工，而且為了去除與扁平加工相伴的加工應力，在氬氣氛下，實施430℃、1小時的退火處理，由此製作了僅由非晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末。需要說明的是，比較例8使用的實施扁平加工之前的霧化合金粉末與實施例8使用的霧化合金粉末相同。
接下來，分別關於實施例7、8及比較例7的未實施各扁平加工的霧化合金粉末、比較例8的扁平狀的霧化合金粉末，以使各合金粉末的體積率成為各漿料整體的70%以上且80%以下的方式，通過與實施例1同樣的方法製作了厚度0.15mm的雜訊抑制片。需要說明的是，關於各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值，利用與實施例1同樣的方法進行了測量。各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值如表1所示。
(實施例9、10及比較例9、10) 在實施例9、10及比較例9中，通過水霧化法，製作了僅由以質量%表述為Co
81.8Fe
5.1Si
10.1B
3.0的非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末。而且，在比較例10中，對於通過水霧化法製作的僅由以質量%表述為Co
81.8Fe
5.1Si
10.1B
3.0的非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末，通過磨碎機實施扁平加工，而且為了去除與扁平加工相伴的加工應力，在氬氣氛下，實施500℃、1小時的退火處理，由此製作了僅由非晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末。需要說明的是，比較例10使用的實施扁平加工之前的霧化合金粉末與實施例10使用的霧化合金粉末相同。
接下來，分別關於實施例9、10及比較例9的未實施各扁平加工的霧化合金粉末、比較例10的扁平狀的霧化合金粉末，以使各合金粉末的體積率成為各漿料整體的70%以上且80%以下的方式，通過與實施例1同樣的方法製作了厚度0.15mm的雜訊抑制片。需要說明的是，關於各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值，利用與實施例1同樣的方法進行了測量。各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值如表1所示。
(實施例11、12及比較例11、12) 在實施例11、12及比較例11中，通過水霧化法，製作了僅由以質量%表述為Fe
83.3Si
7.7B
2.0Nb
5.7Cu
1.3的非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末之後，在氬氣氛下，進行540℃、1小時的熱處理，由此在僅由非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末中使由α-Fe構成的微結晶析出，製作了具有非晶相和結晶相的未實施扁平加工的霧化合金粉末。而且，在比較例12中，對於通過水霧化法製作的僅由以質量%表述為Fe
83.3Si
7.7B
2.0Nb
5.7Cu
1.3的非晶相構成的未實施扁平加工的霧化合金粉末，通過磨碎機實施扁平加工而製作了僅由非晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末。然後，在氬氣氛下，進行540℃、1小時的熱處理，由此在僅由非晶相構成的扁平狀的霧化合金粉末中使由α-Fe構成的微結晶析出，製作了具有非晶相和結晶相的扁平狀的霧化合金粉末。需要說明的是，比較例12使用的實施扁平加工之前的霧化合金粉末與實施例12使用的霧化合金粉末相同。
接下來，分別關於實施例11、12及比較例11的未實施各扁平加工的霧化合金粉末、比較例12的扁平狀的霧化合金粉末，以使各合金粉末的體積率成為各漿料整體的70%以上且80%以下的方式，通過與實施例1同樣的方法製作了厚度0.15mm的雜訊抑制片。需要說明的是，關於各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值，利用與實施例1同樣的方法進行了測量。各合金粉末的平均粒徑及縱橫比的平均值如表1所示。
(評價方法) 關於在各實施例･比較例中製作的各雜訊抑制片，使用三菱化學製Hiresta‐UP測定了表面電阻。測定結果如表1所示。而且，按照IEC標準(IEC62333-2)，測定了各雜訊抑制片的相互去耦合率。測定結果如圖1~圖6所示。
[表1]
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> No. </td><td> 對應圖 </td><td> 粉末組成 (質量%) </td><td> 相構造 </td><td> 有無扁平加工 </td><td> 平均粒徑 (μm) </td><td> 縱橫比 的平均值 </td><td> 表面電阻 (Ω/□) </td><td> 區分 </td><td></td></tr><tr><td></td></tr><tr><td></td></tr><tr><td> 1-1 </td><td> 圖1 </td><td> Fe<sub>85</sub>Si<sub>9.5</sub>Al<sub>5.5</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 4.7 </td><td> 1.05 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 實施例1 </td><td></td></tr><tr><td> 1-2 </td><td> Fe<sub>85</sub>Si<sub>9.5</sub>Al<sub>5.5</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 11.5 </td><td> 1.25 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 實施例2 </td><td></td></tr><tr><td> 1-3 </td><td> Fe<sub>85</sub>Si<sub>9.5</sub>Al<sub>5.5</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 13.7 </td><td> 1.11 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 比較例1 </td><td></td></tr><tr><td> 1-4 </td><td> Fe<sub>85</sub>Si<sub>9.5</sub>Al<sub>5.5</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 有 </td><td> - </td><td> 28 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 比較例2 </td><td></td></tr><tr><td> 2-1 </td><td> 圖2 </td><td> Fe<sub>94</sub>Si<sub>6</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 4.3 </td><td> 1.17 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 實施例3 </td><td></td></tr><tr><td> 2-2 </td><td> Fe<sub>94</sub>Si<sub>6</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 10.5 </td><td> 1.02 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 實施例4 </td><td></td></tr><tr><td> 2-3 </td><td> Fe<sub>94</sub>Si<sub>6</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 13.5 </td><td> 1.08 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 比較例3 </td><td></td></tr><tr><td> 2-4 </td><td> Fe<sub>94</sub>Si<sub>6</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 有 </td><td> - </td><td> 31 </td><td> 1.0×10<sup>8</sup></td><td> 比較例4 </td><td></td></tr><tr><td> 3-1 </td><td> 圖3 </td><td> Fe<sub>50</sub>Ni<sub>50</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 3.8 </td><td> 1.26 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 實施例5 </td><td></td></tr><tr><td> 3-2 </td><td> Fe<sub>50</sub>Ni<sub>50</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 11.7 </td><td> 1.09 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 實施例6 </td><td></td></tr><tr><td> 3-3 </td><td> Fe<sub>50</sub>Ni<sub>50</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 無 </td><td> 14.2 </td><td> 1.03 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 比較例5 </td><td></td></tr><tr><td> 3-4 </td><td> Fe<sub>50</sub>Ni<sub>50</sub></td><td> 結晶相 </td><td> 有 </td><td> - </td><td> 27 </td><td> 1.0×10<sup>8</sup></td><td> 比較例6 </td><td></td></tr><tr><td> 4-1 </td><td> 圖4 </td><td> Fe<sub>90.1</sub>Si<sub>6.1</sub>B<sub>3.8</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 無 </td><td> 4.6 </td><td> 1.04 </td><td> 1.0×10<sup>11</sup></td><td> 實施例7 </td><td></td></tr><tr><td> 4-2 </td><td> Fe<sub>90.1</sub>Si<sub>6.1</sub>B<sub>3.8</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 無 </td><td> 10.7 </td><td> 1.14 </td><td> 1.0×10<sup>11</sup></td><td> 實施例8 </td><td></td></tr><tr><td> 4-3 </td><td> Fe<sub>90.1</sub>Si<sub>6.1</sub>B<sub>3.8</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 無 </td><td> 12.8 </td><td> 1.02 </td><td> 1.0×10<sup>11</sup></td><td> 比較例7 </td><td></td></tr><tr><td> 4-4 </td><td> Fe<sub>90.1</sub>Si<sub>6.1</sub>B<sub>3.8</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 有 </td><td> - </td><td> 25 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 比較例8 </td><td></td></tr><tr><td> 5-1 </td><td> 圖5 </td><td> Co<sub>81.8</sub>Fe<sub>5.1</sub>Si<sub>10.1</sub>B<sub>3.0</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 無 </td><td> 3.3 </td><td> 1.21 </td><td> 1.0×10<sup>11</sup></td><td> 實施例9 </td><td></td></tr><tr><td> 5-2 </td><td> Co<sub>81.8</sub>Fe<sub>5.1</sub>Si<sub>10.1</sub>B<sub>3.0</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 無 </td><td> 10.3 </td><td> 1.10 </td><td> 1.0×10<sup>11</sup></td><td> 實施例10 </td><td></td></tr><tr><td> 5-3 </td><td> Co<sub>81.8</sub>Fe<sub>5.1</sub>Si<sub>10.1</sub>B<sub>3.0</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 無 </td><td> 12.9 </td><td> 1.03 </td><td> 1.0×10<sup>11</sup></td><td> 比較例9 </td><td></td></tr><tr><td> 5-4 </td><td> Co<sub>81.8</sub>Fe<sub>5.1</sub>Si<sub>10.1</sub>B<sub>3.0</sub></td><td> 非晶相 </td><td> 有 </td><td> - </td><td> 21 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 比較例10 </td><td></td></tr><tr><td> 6-1 </td><td> 圖6 </td><td> Fe<sub>83.3</sub>Si<sub>7.7</sub>B<sub>2.0</sub>Nb<sub>5.7</sub>Cu<sub>1.3</sub></td><td> 非晶相+結晶相 </td><td> 無 </td><td> 3.9 </td><td> 1.06 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 實施例11 </td><td></td></tr><tr><td> 6-2 </td><td> Fe<sub>83.3</sub>Si<sub>7.7</sub>B<sub>2.0</sub>Nb<sub>5.7</sub>Cu<sub>1.3</sub></td><td> 非晶相+結晶相 </td><td> 無 </td><td> 11.1 </td><td> 1.23 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 實施例12 </td><td></td></tr><tr><td> 6-3 </td><td> Fe<sub>83.3</sub>Si<sub>7.7</sub>B<sub>2.0</sub>Nb<sub>5.7</sub>Cu<sub>1.3</sub></td><td> 非晶相+結晶相 </td><td> 無 </td><td> 13.2 </td><td> 1.06 </td><td> 1.0×10<sup>10</sup></td><td> 比較例11 </td><td></td></tr><tr><td> 6-4 </td><td> Fe<sub>83.3</sub>Si<sub>7.7</sub>B<sub>2.0</sub>Nb<sub>5.7</sub>Cu<sub>1.3</sub></td><td> 非晶相+結晶相 </td><td> 有 </td><td> - </td><td> 22 </td><td> 1.0×10<sup>9</sup></td><td> 比較例12 </td><td></td></tr></TBODY></TABLE>
(評價結果的說明) 使用未實施扁平加工的霧化合金粉末時的縱橫比的平均值都為1.00以上且1.30以下的範圍內。即，可知未實施扁平加工的霧化合金粉末的形狀比扁平狀的霧化合金粉末的形狀更接近於球形。而且，任意的雜訊抑制片都表現出比10
8Ω/□高的表面電阻值，滿足作為雜訊抑制片的表面電阻特性。
接下來，無論軟磁性合金粉末的組成如何，在使用了扁平狀的霧化合金粉末的比較例2、4、6、8、10、12中，相互去耦合率成為0dB的頻率都為1.0~1.5GHz的範圍。相對於此，在使用了平均粒徑為12μm以下並且縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下的未實施扁平加工的合金粉末的實施例1~12中，無論軟磁性合金粉末的組成如何，相互去耦合率成為0dB的頻率都比1.5GHz高，能夠使相互去耦合性高頻化。
接下來，在使用了平均粒徑比12μm大的未實施扁平加工的合金粉末的比較例1、3、5、7、9、11中，儘管軟磁性合金粉末的縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下的範圍內，無論軟磁性合金粉末的組成如何，相互去耦合率成為0dB的頻率與實施例1~12相比都位於低頻側。需要說明的是，在使用了平均粒徑為5μm以下、並且縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下的未實施扁平加工的合金粉末的實施例1、3、5、7、9、11中，無論軟磁性合金粉末的組成如何，相互去耦合率成為0dB的頻率與實施例2、4、6、8、10、12相比都更加高頻化。
接下來，在使用了僅由非晶相構成的未實施扁平加工的合金粉末的實施例7~10、及使用了具有非晶相和結晶相的未實施扁平加工的合金粉末的實施例11、12中，無論軟磁性合金粉末的組成如何，相互去耦合率成為0dB的頻率都超過2GHz，與使用了僅由結晶相構成的合金粉末的實施例1~6相比更加高頻化。 [產業上的可利用性]
根據本發明，能夠提供一種即使雜訊抑制片的厚度變薄也能夠應付相互去耦合性的高頻化的近場用雜訊抑制片。
無
圖1是表示實施例1、2及比較例1、2的相互去耦合率的頻率依賴性的圖式。 圖2是表示實施例3、4及比較例3、4的相互去耦合率的頻率依賴性的圖式。 圖3是表示實施例5、6及比較例5、6的相互去耦合率的頻率依賴性的圖式。 圖4是表示實施例7、8及比較例7、8的相互去耦合率的頻率依賴性的圖式。 圖5是表示實施例9、10及比較例9、10的相互去耦合率的頻率依賴性的圖式。 圖6是表示實施例11、12及比較例11、12的相互去耦合率的頻率依賴性的圖式。
Claims (7)
- 一種近場用雜訊抑制片，其特徵在於，所述近場用雜訊抑制片包括由有機物構成的基材和擔載於所述基材中的軟磁性合金粉末，其中所述軟磁性合金粉末，平均粒徑為12μm以下，並且縱橫比的平均值為1.00以上且1.30以下，所述近場用雜訊抑制片的厚度為0.5mm以下，所述軟磁性合金粉末的體積率為70%以上且90%以下，按照IEC標準(IEC62333-2)所測定的相互去耦合率成為0dB的頻率比1.5GHz高。
- 如申請專利範圍第1項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末由從僅由非晶相構成的合金粉末及具有非晶相和結晶相的合金粉末中選擇的一種以上的合金粉末構成。
- 如申請專利範圍第2項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末包括從Fe基合金粉末及Co基合金粉末中選擇的一種以上的合金粉末。
- 如申請專利範圍第3項所述的近場用雜訊抑制片，其中從所述Fe基合金粉末及所述Co基合金粉末中選擇的一種以上的合金粉末中的Fe及Co的合計濃度為83質量%以上。
- 如申請專利範圍第1項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末由僅由結晶相構成的合金粉末構成。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的近場用雜訊抑制片，其中所述軟磁性合金粉末的平均粒徑為5μm以下。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的近場用雜訊抑制片，其中表面電阻為108Ω/□以上。
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