KR20040001986A - 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 혼합 이온주입 방법을 이용한 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 자기정렬 소오스 식각을 수행하여 공통 소오스 라인에 형성된 트렌치형 소자분리막을 제거하고, 혼합 이온주입 방법을 이용하여 상기 공통 소오스 라인 영역에 제1차 및 제2차 이온주입을 수행하고, 소오스/드레인을 형성하기 위하여 제3차 이온주입을 수행하는 반도체 플래시 메모리 셀 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 도펀트들의 게더링 효과로 인한 결함이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 자기정렬 소오스 식각에서 발생하는 소오스 영역의 경사로 인한 저항을 낮출 수 있으며, 도펀트의 TED(Transient Enhanced Diffusion)를 효과적으로 억제할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법에 관한 것이다.
플래시 메모리 소자를 제조함에 있어서, 일반적으로 소자분리 공정으로 얕은 트렌치 소자분리(Shallow Trench Isolation; 이하 'STI'라 함) 공정을 이용하여 플래시 메모리 셀을 구현하고 있는데, 플로팅 게이트의 격리를 위한 마스크 패터닝이 고집적화되는 설계 특성상 0.15㎛ 이하의 작은 스페이스(space) 구현시에 마스크 작업 등의 문제가 더욱 어려워지고 있으므로 균일한 플로팅 게이트 구현이 중요한 요소로 작용하는 플래시 메모리 제조 공정의 난이도가 한층 높아지고 있다.
이러한 이유로 자기정렬 플로팅 게이트(Self Aligned Floating Gate; 이하 'SAFG'라 함)를 이용하여 플래시 메모리 소자를 구현하고 있으나, 이러한 SAFG를 이용한 셀의 형성에 있어서 SAFG의 특성상 셀 소오스 형성을 자기정렬 소오스(Self Aligned Source; 이하 'SAS'라 함)를 이용하여 형성하고 이렇게 형성된 SAS 영역에 셀 소오스를 형성하고 있다. 그러나, SAS 식각의 영향으로 소오스 영역에 경사(slope)가 발생하고 이렇게 형성된 경사(slope)에 의해서 셀 영역내 소오스 영역의 저항이 급격히 증가하는 원인이 되고 있다. 이렇게 형성된 저항을 감소시키기 위하여 일반적으로 고전류 이온 주입기(high current ion implanter)를 이용하여 과도한 접합을 형성 이온주입을 실시하고 있으나, 이것 역시 활성화되지 못하고 접합영역내에 잔류하는 도펀트(dopant)들의 게더링 효과(gathering effect)로 인하여 결함(defect) 형성의 원인으로 되어 누설 전류 특성을 취약하게 하고 있다.
또 다른 방법으로 기존 후속 열처리에 비해 과도한 열처리를 통하여 접합 영역내에 활성화되지 못한 도펀트의 활성화를 극대화하는 방법이 있으나, 이 방법 역시 문턱전압 조절 도펀트(threshold voltage adjust dopant)의 TED(Transient Enhanced Diffusion)를 제어할 수 없어 문턱전압이 낮아지는 현상(NMOS의 경우)을 피할 수 없다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 도펀트들의 게더링 효과로 인한 결함이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 자기정렬 소오스 식각에서 발생하는 소오스 영역의 경사로 인한 저항을 낮출 수 있으며, 도펀트의 TED를 효과적으로 억제할 수 있는 플래시 메모리 셀의 제조방법을 제공함에 있다.
도 1은 반도체 플래시 메모리 셀의 레이 아웃도이다.
도 2 내지 도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 부호의 설명>
102: 패드 산화막104: 패드 질화막
106: 트렌치108: 측벽 산화막
110: 라이너112: 트렌치 절연막
114: 터널 산화막116: 제1 폴리실리콘막
118: 유전체막120: 제2 폴리실리콘막
122: 실리사이드막124: 반사방지 코팅막
130: 소오스132: 공통 소오스 라인
134: 드레인
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, (a) 반도체 기판 상에 터널 산화막, 플로팅 게이트, 유전체막, 컨트롤 게이트 및 반사방지 코팅막을 형성하는 단계와, (b) 상기 반도체 기판에 공통 소오스 라인을 형성하기 위하여 자기정렬 소오스 식각 공정을 이용하여 상기 공통 소오스 라인이 형성될 영역에 있는 소자분리막을 식각하는 단계와, (c) 상기 공통 소오스 라인이 형성될 영역에 제1 불순물을 이온주입하는 단계와, (d) 상기 공통 소오스 라인이 형성될 영역에 상기 제1 불순물보다 질량이 작은 동일 타입의 제2 불순물을 이온주입하는 단계 및 (e) 소오스/드레인을 형성하기 위하여 소오스/드레인이 형성될 영역에 제3 불순물을 이온주입하는 단계를 포함하되, 상기 제1 불순물과 상기 제3 불순물은 동일한 종류의 불순물인 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법을 제공한다.
상기 (d) 단계의 이온주입은 상기 (c) 단계의 이온주입보다 투영범위가 작도록 실시하고, 상기 (e) 단계의 이온주입은 상기 (d) 단계의 이온주입보다 투영범위가 작도록 실시한다. 상기 제1 불순물은 비소(As)이고, 상기 제2 불순물은 인(P)일 수 있다.
상기 자기정렬 소오스 식각은 식각 가스로 CF4가스 및 Ar 가스를 사용하고, 압력은 200 내지 400mT로 하며, 고주파 파워는 1000 내지 1200W로 유지하여 30 내지 50초 동안 실시한다.
상기 (a) 단계는, (f) 반도체 기판의 소자분리영역에 상기 반도체 기판의 표면보다 높게 돌출된 돌출부를 구비하는 트렌치형 소자분리막을 형성하는 단계와, (g) 상기 반도체 기판 상에 터널 산화막을 형성하는 단계와, (h) 상기 터널 산화막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 상기 돌출부에 의해 격리되는 플로팅 게이트용 도전막을 형성하는 단계와, (i) 상기 플로팅 게이트용 도전막 사이에 형성된 상기 트렌치형 소자분리막의 돌출부를 식각하는 단계와, (j) 상기 반도체 기판 상에 유전체막, 컨트롤 게이트용 도전막 및 반사방지 코팅막을 증착하는 단계 및 (k) 상기 반사방지 코팅막, 상기 컨트롤 게이트용 도전막, 상기 유전체막 및 상기 플로팅 게이트용 도전막을 패터닝하는 단계를 포함한다.
상기 (f) 단계는, 상기 반도체 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 형성하는 단계와, 소자분리영역을 정의하는 마스크를 사용하여 상기 패드 질화막, 상기 패드 산화막 및 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 패터닝된 상기 패드 질화막의 상부 표면까지 상기 트렌치를 매립하는 트렌치형 소자분리막을 형성하는 단계와, 상기 트렌치 측벽을 산화막을 형성하는 단계와, 상기 패드 질화막을 제거하는 단계 및 상기 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 게재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 반도체 플래시 메모리 셀의 레이 아웃도이다. 도 2 내지 도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다. 도 2 내지 도 8은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도들이고, 도 9 내지 도 11은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도들이다. 도 1에서 참조부호 '140' 및 '150'은 '워드라인' 및 '비트라인'을 각각 나타내며, 도 1에서 점선으로 표시한 비트라인(150)은 단지 설명의 편의를 위하여 도시하였다.
도 2를 참조하면, 반도체 기판(100) 상에 반도체 기판(100) 상부 표면의 결정 결함 억제 또는 표면처리를 위하여 패드 산화막(102)을 형성한다. 패드 산화막(102)은 건식 또는 습식 산화 방식으로 형성하며, 750℃∼900℃의 온도범위에서 70Å∼100Å 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
패드 산화막(102) 상에 패드 질화막(104)을 증착한다. 패드 질화막(104)은 LP-CVD(Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 방법으로 형성하며, 후속 공정에 의해 형성되는 트렌치 절연막(112)의 돌출부가 충분히 높이 돌출될 수 있는 정도의 두께, 예컨대 2500Å∼3500Å 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 소자분리막 형성을 위한 패터닝을 통해 반도체 기판(100) 내에 트렌치(106)를 형성하여 소자분리 영역과 액티브 영역을 정의한다. 즉, 소자분리영역을 정의하는 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 패드 질화막(104), 패드 산화막(102) 및 반도체 기판(100)을 식각하여 트렌치(106)를 형성한다. 이때, 반도체 기판(100) 내에 형성된 트렌치(106)는 소정 각도 범위의 기울기(slope)(θ)를 갖도록 형성한다. 예컨대, 75°∼85°범위의 각도로 경사지게 형성한다.
트렌치(106) 측벽 및 바닥의 식각 손상을 보상하고, 트렌치(106) 상부 및 바닥 코너를 라운딩(rounding) 처리하고, 액티브 영역의 임계 치수(Critical Dimension; CD)를 줄이기 위하여 트렌치(106) 내벽에 희생 산화막(미도시)을 형성한다. 상기 희생 산화막은 건식 산화 방식으로 형성하며, 1000℃∼1150℃ 정도의 온도 범위에서 150Å∼250Å 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 상기 희생 산화막을 식각액을 사용하여 제거한 후, 측벽 산화를 진행하여 트렌치(106) 내에 상기 희생 산화막보다 더 두껍게 측벽 산화막(108)을 형성한다. 상기 희생 산화막은 DHF 용액(Diluted HF; 예를 들면, 물과 HF가 50:1 정도의 비율로 희석된 HF 용액) 또는 BOE 용액(Buffer Oxide Etchant; 예를 들면, HF와 NH4F가 100:1 또는 300:1 정도로 혼합된 용액)을 사용하여 제거할 수 있다. 측벽 산화막(108) 형성 공정은 트렌치(106) 측벽을 항아리형으로 변형시키면서 트렌치(106) 상부 코너가 라운딩되도록 하며, 패드 산화막(102) 두께를 증가시킨다. 측벽 산화막(108)은 습식 산화 방식을 이용하여 750℃∼850℃ 정도의 온도 범위에서 300Å∼450Å 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
전체 구조 상부에 라이너(110)를 형성한다. 라이너(110)는 후속 공정에서 형성되는 트렌치 절연막(112)과의 접착을 강화하고, 후속 식각 공정에 의해 트렌치 절연막(112)과 반도체 기판(100) 사이가 움푹 파여서 형성되는 모트(moat) 또는 덴트(dent) 현상을 방지하는 역할을 한다. 라이너(110)는 고온 산화막(High Temperature Oxide; HTO)으로 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대 SiH2Cl2(dichlorosilane; DCS)와 산소를 반응시켜 고온(예컨대, 1000℃∼1100℃ 정도의 온도)에서 증착하여 형성한다. 라이너(110)는 100Å∼120Å 정도의 두께로 형성한다.
도 4를 참조하면, 트렌치 절연막(112)을 증착하여 상기 트렌치(106)내를 매립한다. 이때, 트렌치 절연막(112)은 트렌치(106)내를 충분히 매립하면서 패드 질화막(104)의 상부 표면 위까지 충분히 증착되는 정도의 두께, 예컨대 5000Å∼10000Å 정도의 두께로 증착한다. 트렌치 절연막(112)은 HDP(High Density Plasma) 산화막으로 형성하는 것이 바람직하며, 트렌치(106) 내에 보이드(void) 등이 형성되지 않도록 매립한다.
이어서, 트렌치 절연막(112) 및 라이너(110)를 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)하여 평탄화한다. 상기 화학기계적 연마 공정은 패드 질화막(104)이 노출될 때까지 진행하는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 패드 질화막(104)을 제거한다. 패드 질화막(104)은 스트립(strip) 공정을 이용하여 제거할 수 있다. 예컨대, 인산(H3PO4) 용액을 사용하여 제거할 수 있다.
웰 정션(well junction) 형성과 문턱전압 조절을 위하여 이온주입을 실시한다. 웰 정션, 즉 PMOS와 NMOS로 사용할 영역 형성을 위한 이온주입은 고에너지를 사용하여 실시하고, 문턱전압 조절을 위한 이온주입은 웰 형성을 위한 이온주입보다는 낮은 정도의 에너지를 사용하여 이온주입을 실시한다.
도 6을 참조하면, 패드 산화막(102)을 제거한다. 패드 산화막(102)을 제거할 때, 라이너(110) 및 트렌치 절연막(112)도 어느 정도 리세스(recess)되어 상부가 돌출된 구조를 갖는 트렌치 절연막(112)이 형성되게 된다.
도 7을 참조하면, 터널 산화막(114)을 형성한다. 터널 산화막(114)은 습식 산화 방식을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 750℃∼800℃ 정도의 온도에서 습식 산화를 진행하고 900℃∼910℃ 정도의 온도에서 질소(N2) 분위기에서 20∼30분간 어닐링을 진행하여 형성한다.
이어서, 플로팅 게이트로 사용될 제1 폴리실리콘막(116)을 증착한다. 제1 폴리실리콘막(116)은 SiH4또는 Si2H6와 PH3가스를 이용하여 LP-CVD(Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 방법으로 형성한다. 이때, 제1 폴리실리콘막(116)의 그레인 크기(grain size)가 최소화되도록 증착하는 것이 바람직하다. 제1 폴리실리콘막(116)은 580 내지 620℃ 정도의 온도와 0.1 내지 3Torr 정도의 낮은 압력 조건에서 형성한다.
다음에, 제1 폴리실리콘막(116)을 트렌치 절연막(112)의 돌출부가 노출될 때 까지 화학기계적 연마하여 제1 폴리실리콘막(116)이 트렌치 절연막(112)에 의해 완전히 고립될 수 있도록 한다. 상기 제1 폴리실리콘막(116)의 화학기계적 연마에 의하여 제1 폴리실리콘막(116)은 1000Å∼1400Å 정도의 균일한 두께를 갖는다.
도 8을 참조하면, 제1 폴리실리콘막(116) 사이에 돌출된 트렌치 절연막(112)을 원하는 타겟(target)만큼 식각한다. 이로써, 트렌치 절연막(112)의 돌출부와 접하던 제1 폴리실리콘막(116)의 측벽이 노출되면서 제1 폴리실리콘막(116)의 노출 면적이 증가하여 커플링 비를 높일 수 있다.
이어서, 플로팅 게이트(116) 및 트렌치 절연막(112) 상부에 유전체막(118)을 형성한다. 유전체막(118)은 산화막/질화막/산화막/질화막 형태의 구조, 즉 ONON(SiO2/Si3N4/SiO2/Si3N4) 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 유전체막(118)의 산화막은 우수한 내압과 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) 특성이 우수한 SiH2Cl2(dichlorosilane; DCS)와 H2O 가스를 소스 가스로 이용하여 고온산화막(High Temperature Oxide; HTO)으로 형성한다. 유전체막(118)의 질화막은 반응가스로서NH3와 SiH2Cl2(dichlorosilane; DCS) 가스를 이용하고, 0.1 내지 3Torr 정도의 낮은 압력과 650 내지 800℃ 정도의 온도범위에서 LP-CVD 방식으로 형성한다.
다음에, 유전체막(118) 상부에 컨트롤 게이트로 사용될 제2 폴리실리콘막(120) 및 실리사이드막(122)을 증착한다. 실리사이드막(122)은 텅스텐실리콘(WSi)막으로 형성하는 것이 바람직하다. 제2 폴리실리콘막(120)은 510℃∼550℃ 정도의 온도에서 0.1∼3 torr 이하의 낮은 압력 조건으로 증착된 비정질 실리콘 박막을 사용하는 것이 바람직하다. 실리사이드막(122)인 텅스텐실리콘(WSi)막은 낮은 플루오린(F) 함유와 어닐링 후의 낮은 스트레스, 좋은 접착 강도를 갖는 SiH4(momosilane; MS) 또는 SiH2Cl2(dichlorosilane; DCS)와 WF6의 반응을 이용하여 300℃∼500℃ 사이의 온도에서 형성한다. 텅스텐실리콘(WSi)막은 화학양론적 비를 2.0∼2.8 정도로 하여 성장시켜 적절한 스텝 커버리지(step coverage)를 구현하며 면저항(Rs)을 최소화시키는 것이 바람직하다. 다음에, 실리사이드막(122) 상에 반사방지 코팅막(Anti-Reflective Coating; 124)을 형성한다. 반사방지 코팅막(124)으로는 SiOxNy또는 Si3N4막 등이 사용될 수 있다.
도 9를 참조하면, 게이트 패터닝 공정을 수행한다. 즉, 콘트롤 게이트 형성용 마스크를 이용하여 반사방지 코팅막(124), 실리사이드막(122), 제2 폴리실리콘막(120) 및 유전체막(118)을 패터닝하고, 패터닝된 반사방지 코팅막(124)을 이용한 자기정렬 식각 공정으로 제1 폴리실리콘막(116)을 패터닝한다.
도 10을 참조하면, 공통 소오스 라인이 형성될 영역을 개방하는 포토레지스트 패턴(126)을 형성하고, 자기정렬 소오스(Self Aligned Source; SAS) 식각을 수행한다. 상기 자기정렬 소오스 식각에 의하여 소오스 영역(도 1의 '130' 참조) 사이에 형성된 트렌치형 소자분리막(도 8의 '113' 참조)이 제거되게 된다. 상기 자기정렬 소오스 식각은 건식 식각 방식으로 30 내지 50초 동안 실시하되, 식각 가스는 CF4가스 및 Ar 가스로 하고, 압력은 200 내지 400mT로 하며, 고주파 파워(RF power)는 1000 내지 1200W로 유지하여 실시한다. 이때, CF4가스의 유량은 10 내지 20sccm으로 하고, Ar 가스의 유량은 200 내지 300sccm으로 한다.
이렇게 공통 소오스 라인(132)이 형성될 영역에 자기정렬 소오스 식각을 수행할 경우, 소오스(130) 영역에 경사(slope)가 형성되고 이는 셀 소오스 저항의 증가 원인이 된다. 이러한 저항을 감소시키기 위하여 소오스(130) 영역에 고에너지 이온 주입을 실시하기도 하나, 과도한 이온 주입시 접합 형성 영역 내에 이온주입된 도펀트에 의한 결함 증가의 원인이 된다. 또한, 이러한 도펀트에 의한 결함을 억제하고 도펀트의 활성화를 극대화를 위해 후속 공정에서 고온의 열처리를 과도하게 진행할 경우, 셀 누설의 원인이 되기도 한다. 상술할 문제들을 해결하기 위하여 본 발명은 후술하는 혼합 이온주입(mixed implantation) 방법을 이용한다.
소오스 영역의 콘택 형성으로 소오스 면저항(sheet resistance)이 감소하는 것을 방지하기 위하여 공통 소오스 라인이 형성될 영역(소오스(130) 영역 및 소오스 영역 사이에 트렌치형 소자분리막이 제거된 영역(도 1의 '128' 참조))만의 혼합 이온주입을 실시한다. 즉, 공통 소오스 라인(132)이 형성될 영역에 비소(As)를 도펀트로 이용하여 이온주입을 실시하고 동일한 영역에 인(P) 이온을 이용하여 이온주입한다. 비소(As)의 이온주입은 40∼60KeV 정도의 에너지에서 5E14∼5E15 atoms/㎠ 정도의 도우즈(dose)로 충분한 접합 깊이(junction depth)를 확보하기 위하여 0°틸트(tilt)에서 이온주입을 실시한다. 인(P)의 이온주입은 5∼30KeV의 에너지에서 5E14∼5E15 atoms/㎠ 정도의 도우즈로 충분한 접합 깊이를 확보하기 위하여 0°틸트(tilt)에서 이온주입을 실시한다. 이때, 인(P)의 투영 범위(projected range)가 비소(As)의 투영 범위보다 깊게 이온주입되지 않도록 진행한다. 또한, 비소(As)의 도우즈 량은 접합형성영역의 결정질 실리콘이 비정질화가 발생하는 범위까지만 이온주입을 실시한다. 상술한 혼합 이온주입을 수행한 후, 포토레지스트 패턴(126)을 제거한다.
도 11을 참조하면, 셀 영역의 소오스(130)/드레인(134) 접합을 형성하기 위하여 마스크 작업(주변회로영역을 차폐)을 실시한 후, 비소(As) 도펀트를 이용하여 이온주입을 실시한다. 비소(As)의 이온주입은 10∼30KeV 에너지에서 5E14∼5E15 atoms/㎠의 도우즈로 충분한 접합 깊이를 확보하기 위하여 0°틸트(tilt)에서 이온주입을 실시한다. 이때, 이온주입되는 비소(As)의 경우 공통 소오스 라인(132) 영역에 이온주입된 비소(As)와 인(P)의 투영 범위를 넘지않도록 실시한다. 즉, 소오스(130)/드레인(134) 형성을 위한 이온주입의 투영 범위는 적어도 공통 소오스 라인(132) 영역에 이온주입된 인(P)의 투영 범위보다는 낮게 실시한다. 이렇게 하여 소오스 접합의 깊이 방향 도펀트층(dopant layer)은 비소(As)/인(P)/비소(As)로 이루어진 층이 형성된다. 또한, 이에 의해 결함이 없는 소오스 영역(130)을 형성할수 있다.
이 후 진행되는 공정은 통상적인 플래시 메모리 소자의 공정과 동일하게 실시한다.
본 발명에 의한 플래시 메모리 셀의 제조방법에 의하면, SAFG(Self Aligned Floating Gate)에서 발생하는 셀 소오스 영역의 경사(slope)로 인한 소오스 영역의 면저항 증가를 조절할 수 있어 셀 사이즈(cell size) 대비 넓은 채널 길이 유지가 가능하고, STI(Shallow Trench Isolation) 부분에서 형성된 공통 소오스 라인 영역에서는 안정된 전류 조절(current control)을 가능케 한다.
또한, 종래에는 채널 내로 TED(Transient Enhanced Diffusion)됨으로 인해 인(P)을 소오스 영역에 사용할 수 없었으나, 본 발명은 혼합 이온주입 방법을 사용함으로써 소오스 영역에 질량이 작은 인(P)을 사용하면서도 TED를 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 질량(mass)이 큰 비소(As)에 의해 접합 영역내에 발생하던 이온주입 손상(implantation defect)을 질량이 작은 인(P)을 이용함으로써 결함을 감소시킬 수 있으며, 이로 인하여 전류누설에 의한 손실을 억제할 수 있다.
또한, 과도한 이온주입으로 형성되던 접합을 혼합 이온주입(mixed implantation)을 이용함으로써, 후속 열처리 공정을 통하여 활성화를 시킴으로도 활성화되지 못하고 접합영역내에 잔류하던 도펀트를 감소시킬 수 있고, 비교적 낮은 온도에서 활성화가 가능한 인(P)을 이용함으로써 이온주입 대비 도펀트의 사용을 극대화할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
Claims (12)
- (a) 반도체 기판 상에 터널 산화막, 플로팅 게이트, 유전체막, 컨트롤 게이트 및 반사방지 코팅막을 형성하는 단계;(b) 상기 반도체 기판에 공통 소오스 라인을 형성하기 위하여 자기정렬 소오스 식각 공정을 이용하여 상기 공통 소오스 라인이 형성될 영역에 있는 소자분리막을 식각하는 단계;(c) 상기 공통 소오스 라인이 형성될 영역에 제1 불순물을 이온주입하는 단계;(d) 상기 공통 소오스 라인이 형성될 영역에 상기 제1 불순물보다 질량이 작은 동일 타입의 제2 불순물을 이온주입하는 단계; 및(e) 소오스/드레인을 형성하기 위하여 소오스/드레인이 형성될 영역에 제3 불순물을 이온주입하는 단계를 포함하되, 상기 제1 불순물과 상기 제3 불순물은 동일한 불순물인 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계의 이온주입은 상기 (c) 단계의 이온주입보다 투영범위가 작도록 실시하고, 상기 (e) 단계의 이온주입은 상기 (d) 단계의 이온주입보다 투영범위가 작도록 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 불순물 및 상기 제3 불순물은 비소(As)이고, 상기 제2 불순물은 인(P)인 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 제1 불순물의 이온주입은 40 내지 60KeV의 에너지로 5E14 내지 5E15 atom/㎠의 도우즈로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 제1 불순물의 이온주입은 충분한 접합 깊이를 확보하기 위하여 0°틸트에서 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계의 제2 불순물의 이온주입은 5 내지 30KeV의 에너지로 5E14 내지 5E15 atom/㎠의 도우즈로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계의 제2 불순물의 이온주입은 충분한 접합 깊이를 확보하기 위하여 0°틸트에서 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (e) 단계의 제3 불순물의 이온주입은 10 내지 30KeV의에너지로 5E14 내지 5E15 atoms/㎠의 도우즈로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (e) 단계의 제3 불순물의 이온주입은 충분한 접합 깊이를 확보하기 위하여 0°틸트에서 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자기정렬 소오스 식각은 식각 가스로 CF4가스 및 Ar 가스를 사용하고, 압력은 200 내지 400mT로 하며, 고주파 파워는 1000 내지 1200W로 유지하여 30 내지 50초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는,(f) 반도체 기판의 소자분리영역에 상기 반도체 기판의 표면보다 높게 돌출된 돌출부를 구비하는 트렌치형 소자분리막을 형성하는 단계;(g) 상기 반도체 기판 상에 터널 산화막을 형성하는 단계;(h) 상기 터널 산화막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 상기 돌출부에 의해 격리되는 플로팅 게이트용 도전막을 형성하는 단계;(i) 상기 플로팅 게이트용 도전막 사이에 형성된 상기 트렌치형 소자분리막의 돌출부를 식각하는 단계;(j) 상기 반도체 기판 상에 유전체막, 컨트롤 게이트용 도전막 및 반사방지 코팅막을 증착하는 단계; 및(k) 상기 반사방지 코팅막, 상기 컨트롤 게이트용 도전막, 상기 유전체막 및 상기 플로팅 게이트용 도전막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 (f) 단계는,상기 반도체 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 형성하는 단계;소자분리영역을 정의하는 마스크를 이용하여 상기 패드 질화막, 상기 패드 산화막 및 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 측벽을 따라 산화막을 형성하는 단계;패터닝된 상기 패드 질화막의 상부 표면까지 상기 트렌치를 매립하는 트렌치형 소자분리막을 형성하는 단계;상기 패드 질화막을 제거하는 단계; 및상기 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 플래시 메모리 셀의 제조방법.
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