KR20030091656A - 불량해석방법 - Google Patents

Abstract

불량모드를 고정밀도로 분류할 수 있는 불량해석방법을 얻는다. LSI 테스터(2)를 사용하여 행해진 소정 검사결과에 근거하여, 오리지널의 FBM(27a)이 작성된다. 다음에, FBM(27a)을 8×8비트로 축퇴함으로써, FBM(27b)이 작성된다. 다음에, FBM(27b)에 근거하여, FBM(57a) 내에서 불량비트가 존재하고 있는 영역이 특정된다. 다음에, 상기 영역에 대응하는 부분의 FBM(27a)을 2×2비트로 축퇴함으로써, FBM(27c, 27d)이 작성된다. 다음에, FBM(27c, 27d)에 근거하여, 불량비트가 특정된다.

Description

불량해석방법{FAILURE ANALYSIS METHOD}

본 발명은, 불량해석방법에 관한 것으로, 특히, 메모리 LSI를 대상으로 한 불량해석방법에 관한 것이다.

일반적으로, 메모리 LSI는, 복수의 메모리셀이 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 메모리셀을 구비하고 있다. 이러한 메모리 LSI를 대상으로 한 불량해석방법의 하나로서, LSI 테스터를 사용하는 방법이, 종래로부터 알려지고 있다.

이하, 종래의 불량해석방법의 개략에 대하여 설명한다. 우선, LSI 테스터를 사용하여, 모든 메모리셀에 대하여 전기적 특성에 관한 검사를 행한다. 다음에, 그 검사결과에 근거하여, 제1 FBM(Fail Bit Map)을 작성한다. 제1 FBM은, 행방향 및열방향이 각각 X방향 및 Y방향으로서 규정된 X-Y 좌표공간 내에서, 메모리셀 어레이의 패턴에 대응하여 복수의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 가지고 있다.

다음에, 제1 FBM을 일정한 축퇴율로 축퇴함으로써, 제2 FBM을 작성한다. 제1 FBM이 예를 들면 8×8비트로 축퇴되는 경우는, 제1 FBM의 64비트(X방향 8비트×Y방향 8비트)가 제2 FBM의 1픽셀에 대응한다. 그리고, 그 64비트 내에 하나라도 불량비트가 존재하면, 그 64비트에 대응하는 픽셀은 불량픽셀로서 설정되고, 한편, 그 64비트 내에 불량비트가 하나도 존재하지 않으면, 그 64비트에 대응하는 픽셀은 패스픽셀로서 설정된다.

다음에, 제2 FBM의 불량픽셀의 패턴에 근거하여, 불량한 종류를 인식하는 처리를 행한다. 이것에 의해, 불량이, 블록불량, 라인불량, 비트불량 등의 불량모드로 분류된다. 다음에, 분류된 각 불량모드에 관해서, 제1 FBM에 근거하여, 제1 비트레벨의 인식처리를 행함으로써, 불량한 상세정보(어드레스나 사이즈 등)가 취득된다.

그렇지만, 종래의 불량해석방법에 의하면, 제1 FBM을 축퇴하여 제2 FBM을 얻을 때의 축퇴율이 고정값이고, 더욱이, 처리해야 할 데이터 양을 삭감해야 할, 축퇴율은 어느정도 높게(8×8비트정도) 설정되어 있다. 따라서, 불량비트의 분포의 상황 다음에는, 불량모드를 정확히 분류할 수 없는 경우가 있다는 문제가 있다.

본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이고, 불량모드를 고정밀도로 분류할 수 있는 불량해석방법을 얻는 것을 목적으로 하는 것이다.

도 1은 본 발명에 관한 불량해석장치의 구성을 나타내는 블록도이다.

도 2는 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 3은 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 4는 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 5는 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 6은 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 7은 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 8은 본 발명의 실시예 2에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 9는 본 발명의 실시예 2에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 10은 본 발명의 실시예 2에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 11은 본 발명의 실시예 2에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 12는 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 13은 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 14는 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 15는 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 16은 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 17은 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 18은 본 발명의 실시예 4에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 19는 본 발명의 실시예 4에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 20은 본 발명의 실시예 4에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 21은 본 발명의 실시예 4에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 22는 본 발명의 실시예 5에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 23은 본 발명의 실시예 5에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 24는 본 발명의 실시예 6에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 25는 본 발명의 실시예 6에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 26은 본 발명의 실시예 6에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 27은 본 발명의 실시예 6에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.

도 28은 본 발명의 실시예 7에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 29는 본 발명의 실시예 7에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 30은 본 발명의 실시예 8에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 31은 본 발명의 실시예 8에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 32는 본 발명의 실시예 9에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 33은 본 발명의 실시예 10에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 34는 본 발명의 실시예 10에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 35는 본 발명의 실시예 11에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 36은 본 발명의 실시예 12에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 37은 본 발명의 실시예 12에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 31은 본 발명의 실시예 13에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

도 39는 본 발명의 실시예 14에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다.

도 40은 본 발명의 실시예 14에 관한 불량해석방법에 관한 FBM을 나타내는 도면이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : EWS2 : LSI테스터

4 : 데이터 베이스

27a∼27h, 42a∼42c, 47a∼47c, 53a, 53b, 56a, 56b, 57a∼57c : FBM

본 발명중 제1 국면에 기재의 불량해석방법은, (a) 검사대상에 대하여 행해진 소정의 검사결과에 근거하여, 복수의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 제1 FBM(Fail Bit Map)을 작성하는 공정과, (b) 제1 축퇴율로 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제2 FBM을 작성하는 공정과, (c) 상기 제2 FBM에 근거하여, 상기 제1 FBM 내에서 불량비트가 존재하고 있는 영역을 특정하는 공정과, (d) 상기 제1 축퇴율보다도 낮은 제2 축퇴율로, 상기 영역에 대응하는 부분의 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제3 FBM을 작성하는 공정과, (e) 상기 제3 FBM에 근거하여, 상기 불량비트를 특정하는 공정을 구비하는 것이다.

또한, 본 발명중 제2 국면에 기재의 불량해석방법은, (a) 검사대상에 대하여 행해진 소정의 검사결과에 근거하여, 복수의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 제1 FBM(Fail Bit Map)을 작성하는 공정과, (b) 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제1 패턴을 갖는 제2 FBM을 작성하는 공정과, (c) 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 상기 제1 패턴과는 다른 제2 패턴을 갖는 제3 FBM을 작성하는 공정과, (d) 상기 제2 FBM에 근거하여, 제1 불량을 특정하는 공정과, (e) 상기 제3 FBM에 근거하여, 제2 불량을 특정하는 공정을 구비하는 것이다.

또한, 본 발명중 제3 국면에 기재의 불량해석방법은, (a) 검사대상에 대하여 행해진 소정의 검사결과에 근거하여, 복수의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 제1 FBM(Fail Bit Map)을 작성하는 공정과, (b) 제1 축퇴율로 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제2 FBM을 작성하는 공정과, (c) 상기 제2 FBM에 근거하여, 상기 제1 FBM 내에서 불량비트가 존재하고 있는 영역을 특정하는 공정과, (d) 상기 영역에 대응하는 부분의 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제1 패턴을 갖는 제3 FBM을 작성하는 공정과, (e) 상기 영역에 대응하는 부분의 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 상기 제1 패턴과는 다른 제2 패턴을 갖는 제4 FBM을 작성하는 공정과, (f) 상기 제3 FBM에 근거하여, 제1 불량을 특정하는 공정과, (g) 상기 제4 FBM에 근거하여, 제2 불량을 특정하는 공정을 구비하는 것이다.

또한, 본 발명중 제4 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, (f) 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 상기 불량비트의 총수를 구하는 공정을 더 구비하고, 상기 공정 (e)는, (e-1) 상기 제3 FBM 내의 복수의 픽셀을 주사함으로써, 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 상기 불량비트를 순서대로 특정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (e-1)에서 순서대로 특정된 상기 불량비트의 누계개수가, 상기 공정 (f)에서 구해진 상기 총수에 도달한 시점에서, 상기 공정 (e-1)에서의 주사가 종료되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제5 국면에 기재의 불량해석방법은, 제2 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, (f) 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수를 구하는 공정을 더 구비하고, 상기 공정 (d)는, (d-1) 상기 제2 FBM 내의 복수의 픽셀을 주사함으로써, 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 상기 제1 불량을 순서대로 특정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (e)는, (e-1) 상기 제3 FBM 내의 복수의 픽셀을주사함으로써, 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 상기 제2 불량을 순서대로 특정하는 공정을 가지고, 상기 공정 (d-1)에서 순서대로 특정된 상기 제1 불량을 구성하는 불량비트의 개수와, 상기 공정 (e-1)에서 순서대로 특정된 상기 제2 불량을 구성하는 불량비트의 개수와의 합계의 누계개수가, 상기 공정 (f)에서 구해진 상기 총수에 도달한 시점에서, 상기 공정 (d-1) 및 상기 공정 (e-1)에서의 주사가 종료되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제6 국면에 기재의 불량해석방법은, 제3 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, (h) 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수를 구하는 공정을 더 구비하고, 상기 공정 (f)는, (f-1) 상기 제3 FBM 내의 복수의 픽셀을 주사함으로써, 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 상기 제1 불량을 순서대로 특정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (g)는, (g-1) 상기 제4 FBM 내의 복수의 픽셀을 주사함으로써, 상기 제1 FBM 내에 존재하고 있는 상기 제2 불량을 순서대로 특정하는 상정을 가지고, 상기 공정 (f-1)에서 순서대로 특정된 상기 제1 불량을 구성하는 불량비트의 개수와, 상기 공정 (g-1)에서 순서대로 특정된 상기 제2 불량을 구성하는 불량비트의 개수와의 합계의 누계개수가, 상기 공정 (h)에서 구해진 상기 총수에 도달한 시점에서, 상기 공정 (f-1) 및 상기 공정 (g-1)에서의 주사가 종료되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제7 국면에 기재의 불량해석방법은, 제2 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (b)는, (b-1) 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제4 FBM을 작성하는 공정과, (b-2) 상기 제4 FBM을 축퇴함으로써, 상기 제2 FBM을 작성하는 공정을 가지며, 상기 제1 FBM의 동일행에 속하여 연속하는 복수의 비트로 이루어지는 비트군이, 상기 제4 FBM의 하나의 픽셀에 대응하고, 상기 제4 FBM의 동일행에 속하여 연속하는 복수의 픽셀로 이루어지는 픽셀군이, 상기 제2 FBM의 하나의 픽셀에 대응하며, 상기 제4 FBM에서는, 상기 비트군중에 불량비트가 소정개수 이상 포함되는 픽셀이 불량픽셀로서 설정되고, 상기 제2 FBM에서는, 상기 픽셀군중에 상기 불량픽셀이 소정개수 이상 포함되는 픽셀이 불량픽셀로서 설정되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제8 국면에 기재의 불량해석방법은, 제3 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (d)는, (d-1) 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제5 FBM을 작성하는 공정과, (d-2) 상기 제5 FBM을 축퇴함으로써, 상기 제3 FBM을 작성하는 공정을 가지며, 상기 제1 FBM의 동일행에 속하여 연속하는 복수의 비트로 이루어지는 비트군이, 상기 제5 FBM의 하나의 픽셀에 대응하고, 상기 제5 FBM의 동일행에 속하여 연속하는 복수의 픽셀로 이루어지는 픽셀군이, 상기 제3 FBM의 하나의 픽셀에 대응하며, 상기 제5 FBM에서는, 상기 비트군중에 불량비트가 소정개수 이상 포함되는 픽셀이 불량비트셀로서 설정되고, 상기 제3 FBM에서는, 상기 픽셀군중에 상기 불량픽셀이 소정개수 이상 포함되는 픽셀이 불량픽셀로서 설정되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제9 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면 또는 제3 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (c)에서는, 복수의 픽셀을 하나의 주사단위로서 상기 제2 FBM 내를 주사함으로써, 상기 영역이 특정되고, 상기 하나의 주사단위 내에 포함되는 픽셀수는, 상기 공정 (c)에서의 주사스텝마다 가변인 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제10 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면 또는 3에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (b)에서, 상기 제1 축퇴율은, 상기 제1 FBM 내의 위치마다 가변인 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제11 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면 또는 제3 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (c)는, (c-1) 상기 제2 FBM 내에 존재하는 불량픽셀이, 어떤 특정한 불량모드에서의 불량에 해당하는지 아닌지를 판정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (c-1)에서는, 상기 불량픽셀이, 제1 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제1 인접조건과, 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제2 인접조건을 만족하고 있는지 아닌지가 판정되고, 상기 제1 인접조건과 상기 제2 인접조건과는 개별로 설정가능한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제12 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면 또는 제2 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (e)는, (e-1) 상기 제3 FBM 내에 존재하는 불량픽셀이, 어떤 특정한 불량모드에서의 불량에 해당하는지 아닌지를 판정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (e-1)에서는, 상기 불량픽셀이, 제1 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제1 인접조건과, 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제2 인접조건을 만족하고 있는지 아닌지가 판정되고, 상기 제1 인접조건과 상기제2 인접조건과는 개별로 설정가능한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제13 국면에 기재의 불량해석방법은, 제2 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (d)는, (d-1) 상기 제2 FBM 내에 존재하는 불량픽셀이, 어떤 특정한 불량모드에서의 불량에 해당하는지 아닌지를 판정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (d-1)에서는, 상기 불량픽셀이, 제1 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제1 인접조건과, 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제2 인접조건을 만족하고 있는지 아닌지가 판정되고, 상기 제1 인접조건과 상기 제2 인접조건과는 개별로 설정가능한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제14 국면에 기재의 불량해석방법은, 제3 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (f)는, (f-1) 상기 제3 FBM 내에 존재하는 불량픽셀이, 어떤 특정한 불량모드에서의 불량에 해당하는지 아닌지를 판정하는 공정을 가지며, 상기 공정 (f-1)에서는, 상기 불량픽셀이, 제1 방향으로 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제1 인접조건과, 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제2 인접조건을 만족하고 있는지 아닌지가 판정되고, 상기 제1 인접조건과 상기 제2 인접조건과는 개별로 설정가능한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제15 국면에 기재의 불량해석방법은, 제3 국면에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (g)는, (g-1) 상기 제4 FBM 내에 존재하는 불량픽셀이, 어떤 특정한 불량모드에서의 불량에 해당하는지 아닌지를 판정하는 공정을가지며, 상기 공정(g-1)에서는, 상기 불량픽셀이, 제1 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제1 인접조건과, 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향에서 상기 불량픽셀에 인접하는 픽셀의 패스/불량상태에 관한 제2 인접조건을 만족하고 있는지 아닌지가 판정되고, 상기 제1 인접조건과 상기 제2 인접조건과는 개별로 설정가능한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제16 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면 내지 제3 국면 중 어느 하나에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (a)는, (a-1) 상기 검사대상에 대하여 상기 소정의 검사를 행함으로써, 오리지널의 FBM을 작성하는 공정과, (a-2) 상기 오리지널의 FBM을 부분적으로 인출함으로써, 상기 오리지널의 FBM과는 다른 새로운 FBM으로서, 상기 제1 FBM을 작성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명중 제17 국면에 기재의 불량해석방법은, 제1 국면 내지 제3 국면 중 어느 하나에 기재의 불량해석방법에 있어서, 상기 공정 (a)는, (a-1) 상기 검사대상에 대하여 상기 소정의 검사를 행함으로써, 오리지널의 FBM을 작성하는 공정을 가지며, 상기 제1 FBM은, 상기 오리지널의 FBM의 일부인 것을 특징으로 하는 것이다.

(발명의 실시예)

이하, 검사대상이 메모리 LSI인 경우를 예로 들어, 본 발명에 관한 불량해석장치 및 불량해석방법에 대하여 설명한다.

도 1은, 본 발명에 관한 불량해석장치의 구성을 나타내는 블록도면이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 관한 불량해석장치는, 메모리 LSI의 모든 메모리셀에 대하여 전기적 특성에 관한 검사를 행하는 LSI 테스터(2)와, LSI 테스터(2)의 동작을 제어함과 동시에, LSI 테스터(2)에 의한 검사결과를 취득하는 EWS(Engineering Work Station)(3)와, 네트워크 등 및 EWS(3)를 통해 LSI 테스터(2)에 접속되고, LSI 테스터(2)에 의한 검사결과에 근거하여 본 발명에 관한 불량해석방법을 실행하는 기능을 갖는 EWS(1)와, EWS(1)에 의해 참조되는 데이터 베이스(4)를 구비하고 있다.

이하, 도 1에 나타낸 불량해석장치를 사용한, 본 발명에 관한 불량해석방법의 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.

(실시예 1)

도 2∼도 5는, 본 발명의 실시예 1에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이고, 도 6은, 본 실시예 1에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이며, 도 7(도 7a∼도 7d)은, 본 실시예 1에 관한 불량해석방법에 관한 FBM(27a∼27d)을 나타내는 도면이다. 인식룰은, 품종마다 작성되어, 데이터 베이스(4)에 미리 등록되어 있다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 본 실시예 1에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰에는, FBM을 축퇴할 때의 축퇴율에 관한 항목 18, 18a와, 분류의 대상이 되는 불량모드의 이름에 관한 항목 19, 19a, 19b와, 인식해야 할 불량모드의 우선순위(스캔넘버)에 관한 항목 20, 20a, 20b와, 각 불량모드에 대응하는 불량사이즈(X×Y 픽셀)에 관한 항목 21, 21a, 21b와, 후술하는 인접조건에 관한 항목 22, 22a, 22b와, 불량률에 관한 항목 23, 23a, 23b와, 각 불량모드에 대응하는 스캔사이즈(X×Y 픽셀)에 관한 항목 26이 설치되어 있다.

상기한 인접조건에 관해서, 항목 22, 22a, 22b가「None」으로 설정되어 있는 경우는, 어떤 특정한 불량픽셀이 있는 특정한 불량모드에서의 불량에 해당하는지 아닌지를 판정하는데 있어서, 그 특정한 불량픽셀의 주위에 다른 불량픽셀이 존재하면, 그 특정한 불량픽셀은 그 특정한 불량모드에서의 불량으로서는 인식되지 않는다. 또한, 항목 22, 22a, 22b가「OK」로 설정되어 있는 경우는, 그 특정한 불량픽셀의 주위에 다른 불량픽셀이 존재하고 있어도, 그 특정한 불량픽셀은 그 특정한 불량모드에서의 불량으로서 인식된다. 단, 도 6에 나타낸 인식룰에서는, 항목 22, 22a, 22b는 모두 「None」으로 설정되어 있다.

이하, 도 1∼ 도 7을 참조하여, 본 실시예 1에 관한 불량해석방법에 대하여 설명한다. 또한, LSI 테스터(2)를 사용한 메모리 LSI의 검사는 이미 종료되어 있고, 그 검사결과는, 데이터 베이스(4)에 등록되어 있다. 또한, EWS(1)는, 데이터 베이스(4)로부터 판독한 그 검사결과에 근거하여, 도 7a에 나타낸 오리지널의 FBM(27a)을 미리 작성하고, 그 FBM(27a)은 데이터 베이스(4)에 등록되어 있다. 도 7a를 참조하여, FBM(27a)은, 행방향 및 열방향이 각각 X방향 및 Y방향으로서 규정되고, 좌측 위 가장자리에 원점 0(X 좌표 및 Y 좌표가 모두 0)이 규정된 X-Y 좌표공간 내에서, 메모리셀 어레이의 패턴에 대응하여, 1024(32×32)개의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 가지고 있다. 또한, FBM(27a) 내에는, 2개의 라인불량(28a)과 4개의 비트불량(29a)이 존재하고 있다.

우선, 스텝 SP101에서 불량의 인식이 시작되면, 스텝 SP102에서, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰을 데이터 베이스(4)로부터 판독한다.

다음에, 스텝 SP103에서, EWS(1)는, 이미 작성되어 있는 오리지널의 FBM(27a)을, 도 6에 나타낸 인식룰의 내용에 근거하여 축퇴한다. 구체적으로, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 항목 18의 내용에 근거하여, 오리지널의 FBM(27a)을 8×8비트로 축퇴함으로써, 도 7b에 나타낸 FBM(27b)을 작성한다. FBM(27b)은, X방향픽셀×Y방향픽셀의 합계 16개의 픽셀을 가지고 있고, FBM(27b)의 1픽셀은, FBM(27a)의 64비트(X방향 8비트×Y방향 8비트)에 대응하고 있다. 그리고, FBM(27a)의 64비트 내에 하나라도 불량비트가 존재하면, 그 64비트에 대응하는 FBM(27b)의 픽셀은 불량픽셀로서 설정(흑색표시)되고, 한편, 그 64비트 내에 불량비트가 하나도 존재하지 않으면, 그 64비트에 대응하는 픽셀은 패스픽셀로서 설정(백색표시)된다. FBM(27b)에서는, 합계 16개의 픽셀 내에, 불량픽셀(28b, 29b)이 4개씩 설정되어 있다.

다음에, 스텝 SP104에서, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 내용에 근거하여, 제1번째의 불량모드를 설정한다. 이 예에서는, 항목 20으로 스캔넘버가「1」로 설정되어 있는, 항목 19의「A-line-Fail」이, 제1번째의 불량모드로서 설정된다.

다음에, 스텝 SP105에서, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 내용에 근거하여, 제1번째의 스캔영역을 설정한다. 구체적으로, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 항목 21로 설정되어 있는 사이즈의 영역을, 원점 0에 가까운 측으로부터, FBM(27b) 내에 설정한다. 이 예에서는, 4×1 픽셀의 스캔영역 S1이, 제1번째의 스캔영역으로서 설정된다.

다음에, 스텝 SP106에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 관해서 불량률을 계산한다. 이 예에서는, 스캔영역 S1내에 포함되어 있는 4개의 픽셀의 모두가 불량픽셀(28b)이므로, 불량률은 100%로 계산된다.

다음에, 스텝 SP107에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 관해서, 소정의 판정조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 구체적으로, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 항목 22, 23의 내용에 근거하여, 스캔영역 S1에 관해서 인접조건과 불량률의 조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 SP106에서 계산된 불량률은 100%이므로, 항목 23의 불량률의 조건은 만족되어 있다. 또한, Y방향에 관해서 스캔영역 S1에 인접하는 불량픽셀은 FBM(27b) 내에는 존재하지 않기 때문에, 항목 22의 인접조건도 만족되어 있는, 따라서, 스텝 SP107에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP108에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰이 설정되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 도 6에 나타낸 인식룰의 항목 25가「ON」으로 설정되어 있으므로, 다단계 인식룰이 설정되어 있다고 판정된다. 즉, 스텝 SP108에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP109에서, 다단계 인식이 행해진다. 스텝 SP109에서의 다단계 인식의 처리플로우는, 도 4, 도 5에 구체적으로 나타나 있다. 스텝 SP109a에서 다단계 인식의 처리가 시작되면, 스텝 SP109b에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 대응하는 부분의 오리지널의 FBM(27a)을, 다단계 인식룰(26)의 항목 18a의 내용에 근거하여 2×2비트로 축퇴함으로써, 도 7c에 나타낸 FBM(27c)을 작성한다. FBM(27c)의 1픽셀은, FBM(27a)의 4비트(X방향 2비트×Y방향 2비트)에 대응하고 있다. FBM(27c) 내에는, FBM(27a)의 라인불량(28a) 대응하여, 합계 16개의 불량픽셀(28c)이 설정되어 있다.

다음에, 스텝 SP109c에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰(26)의 내용에 근거하여, 다단계 인식에서의 제1번째의 불량모드를 설정한다. 이 예에서는, 항목 20a에서 스캔넘버가「1」로 설정되어 있는, 항목 19a의 「A-line-Fail」이, 다단계 인식에서의 제1번째의 불량모드로서 설정된다.

다음에, 스텝 SP109d에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰(26)의 내용에 근거하여, 다단계 인식에서의 제1번째의 스캔영역을 설정한다. 구체적으로, EWS(1)는, 다단계 인식룰(26)의 항목 21a에서 설정되어 있는 사이즈의 영역을, 원점 0에 가까운 측으로부터, FBM(27c) 내에 설정한다. 이 예에서는, 16×1 픽셀의 스캔영역 T1이, 다단계 인식에서의 제1번째의 스캔영역으로서 설정된다.

다음에, 스텝 SP109e에서, EWS(1)는, 스캔영역 T1에 관해서 불량행을 계산한다. 이 예에서는, 스캔영역 T1내에 포함되어 있는 16개의 픽셀의 모두가 패스픽셀이므로, 불량률은 0%로 계산된다.

다음에, 스텝 SP109f에서, EWS(1)는, 스캔영역 T1에 관해서, 소정의 판정조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 구체적으로, EWS(1)는, 다단계인식룰(26)의 항목 22a, 23a의 내용에 근거하여, 스캔영역 T1에 관해서 인접조건과 불량률의 조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 SP109e에서 계산된 불량률은 0%이고, 항목 23a의 불량률의 조건이 만족되어 있지 않기 때문에, 스텝 SP109f에서의 판정의 결과는「No」가 된다.

다음에, 스텝 SP109g에서, EWS(1)는, FBM(27c) 내에 다른 스캔영역이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스캔영역 T2∼T4가 남아 있으므로, 스텝 SP109g에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP109h에서, EWS(1)는, 스캔영역을 갱신한다. 구체적으로, EWS(1)는, 다단계 인식룰(26)의 항목 24a의 내용에 따라, 스캔영역 T1의 다음 스캔영역 T2를, FBM(27c) 내에 설정한다.

다음에, 스캔영역 T2에 관해서, 스텝 SP109e에서의 계산 및 스텝 SP109f에서의 판정이 순서대로 행해지는 것이지만, 이 예에서는 스캔영역 T2에 관해서도 불량률은 0%이므로, 스텝 SP109f에서의 판정의 결과는「No」가 된다. 따라서, 스텝 SP109g에서의 판정한 후, 스텝 SP109h에서, 다음 스캔영역 T3이 설정된다. 또한, 이 예에서는 스캔영역 T3에 관해서도 불량률은 0%가 되므로, 마찬가지로, 스텝 SP103h에서 다음 스캔 T4가 설정된다.

다음에, 스캔영역 T4에 관해서, 스텝 SP109e에서의 계산 및 스텝 SP109f에서의 판정이 행해진다. 이 예의 경우, 스캔영역 T4에 관해서는, 스텝 109e에서 계산된 불량률은 100%이므로, 항목 23a의 불량률의 조건은 만족되어 있다. 또한, Y방향에 관해서 스캔영역 T4에 인접하는 불량픽셀은 FBM(27c) 내에 존재하지 않기 때문에, 항목 22a의 인접조건도 만족되어 있다. 따라서, 스캔영역 T4에 관해서는, 스텝 SP109f에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP109i에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰이 설정되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 다단계 인식룰(26)의 항목 25a가「OFF」로 설정되어 있으므로, 다단계 인식룰은 설정되어 있지 않다 판정되고, 스텝 SP109i에서의 판정의 결과는「No」가 된다.

다음에, 스텝 109j에서, EWS(1)는, 스캔영역 T4에 대응하는 부분의 FBM(27a)에 관해서 1비트 레벨의 인식처리를 행함으로써, 불량의 상세정보(어드레스나 사이즈 등)를 취득하고, 불량모드 「A-line-Fail」로서 분류하여 불량의 데이터를 기록한다.

다음에, 스텝 SP109k에서, EWS(1)는, 스캔영역 T4내에서 불량모드「A-line-Fail」로서 인식된 불량픽셀(28c)을, FBM(27c)으로부터 소거한다.

다음에, 스텝 109g에서, EWS(1)는, FBM(27c) 내에 다른 스캔영역이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 다른 스캔영역은 남아 있지 않기 때문에, 스텝 SP109g에서의 판정결과는「No」가 된다.

다음에, 스텝 SP109l에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰(26)내에 다른 불량모드가 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 항목 19b에서 설정된 「Bit-Fail」이 남아 있으므로, 스텝 SP191에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP109m에서, EWS(1)는, 불량모드를 갱신한다. 이 예에서는, 항목 20b에서 스캔넘버가「2」로 설정되어 있는, 항목 19b의 「Bit-Fail」이, 다단계인식에서의 제2번째의 불량모드로서 설정된다. 그 후, 도 4, 5에 나타낸 플로우 차트에 따라서, FBM(27c)에 관해서 불량모드 「Bit-Fail」에서의 인식이 행해진다. 그렇지만, 이 예의 경우는, 스텝 SP109k에서의 불량소거의 결과, 이 시점에서 FBM(27c) 내에는 불량비트가 하나도 남아 있지 않기 때문에, FBM(27c) 내에서 비트불량은 검출되지 않는다. FBM(27c)에 관한 불량모드 「Bit-Fail」에서의 인식이 종료한 후, 스텝 SP109l에서의 판정이 다시 행해진다. 이 경우, 다단계 인식룰(26) 내에 다른 불량모드는 남아 있지 않기 때문에, 스텝 SP109l에서의 판정의 결과는「No」가 되며, 스텝 SP109n으로 진행하여, 스캔영역 S1에 관한 다단계 인식이 종료한다. 또한, 스텝 SP109i에서의 판정의 결과가「Yes」인 경우는, 스텝 SP109o에서, 다시 다단계 인식이 행해진다.

도 3을 참조하여, 스캔영역 S1에 관한 다단계 인식이 종료한 후, 다음에, 스텝 110에서, EWS(1)는, FBM(27b) 내에 다른 스캔영역이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스캔영역 S2∼S4가 남아 있으므로, 스텝 SP110에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP111에서, EWS(1)는, 스캔영역을 갱신한다. 구체적으로, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 항목 24의 내용에 근거하여, 스캔영역 S1의 다음 스캔영역 S2를, FBM(27b) 내에 설정한다.

다음에, 스캔영역 S2에 관해서, 스텝 SP106에서의 계산 및 스텝 SP107에서의 판정이 행해지는 것이지만, 이 예에서는 스캔영역 S2에 고나해서는 불량률이 0%이므로, 스텝 SP107에서의 판정의 결과는「No」가 된다. 따라서, 스텝 SP110에서의판정 후, 스텝 SP111로, 다음 스캔영역 S3이 설정된다.

다음에, 스캔영역 S3에 관해서, 스텝 SP106에서의 계산 및 스텝 SP107에서의 판정이 행해진다. 이 예의 경우, 스캔영역 S3에 관해서는, 스텝 SP106에서 계산된 불량률은 100%이므로, 항목 23의 불량률의 조건은 만족되어 있다. 또한, Y방향에 관해서 스캔영역 S3에 인접하는 불량픽셀은 FBM(27b) 내에 존재하지 않기 때문에, 항목 22의 인접조건도 만족되어 있다. 따라서, 스캔영역 S3에 관해서는, 스텝 SP107에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP108에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰이 설정되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우는 스텝 SP108에서의 판정의 결과는 「Yes」가 되므로, 상기와 같이, 스텝 SP109에서, 도 4, 도 5에 나타낸 다단계 인식이 행해진다. 스캔영역 S3에 관해서는, 다단계 인식에서의 제1번째의 불량모드「A-line-Fail」에서 라인불량이 인식되지 않고, 스텝 SP109l까지 처리가 진행한다. 그리고, 스텝 SP109m에서, 항목 19b의 「Bit-Fail」이, 다단계 인식에서의 제2번째의 불량모드로서 설정된다.

다음에, 스텝 SP109d에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰(26)의 항목 21b의 내용에 근거하여, 도 7d에 나타낸 FBM(27d) 내에서, 다단계인식의 불량모드 「Bit-Fail」에서의 제1번째의 스캔영역 U1을 설정한다.

다음에, 스텝 SP109e에서, EWS(1)는, 스캔영역 U1에 관해서 불량률을 계산한다. 이 예에서는, 스캔영역 U1의 불량률은 0%로 계산된다. 따라서, 스텝 SP109f, SP109g를 경유한 후, 스텝 SP109h에서 다음 스캔영역 U2가 설정된다. 마찬가지로,스캔영역 U8까지 스캔영역의 갱신이 반복된 후, 다음에, 스캔영역 U9가 설정된다. 이 예의 경우, 스캔영역 U9에 관해서는, 스텝 SP109e에서 계산된 불량률은 100%이므로, 항목 23b의 불량률의 조건은 만족되어 있다. 또한, 스캔영역 U9의 주위에 불량픽셀은 존재하지 않기 때문에, 항목 22b의 인접조건도 만족되어 있다. 따라서, 스캔영역 U9에 관해서는, 스텝 SP109f에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP109i에서「No」의 판정결과를 얻은 후, 스텝 SP109j에서, EWS(1)는, 스캔영역 U9에 대응하는 부분의 FBM(27a)에 관해서 1비트 레벨의 인식처리를 행함으로써, 불량의 상세정보(어드레스나 사이즈 등)를 취득하여, 불량모드 「Bit-Fail」로서 분류하여 불량의 데이터를 기록한다.

다음에, 스텝 SP109k에서, EWS(1)는, 스캔영역 U9내에서 불량모드 「Bit-Fail」로서 인식된 불량픽셀(29c)을, FBM(27d)에서 소거한다.

그 후, 상기와 동일하게 하여, 스캔영역 U64까지 스캔영역의 갱신이 반복되고, 스캔영역 S3에 관한 다단계 인식이 종료한다. 그 때, 스캔영역 U19, U23, U46에 관해서는, 불량한 상세정보가 취득되어, 불량모드 「Bit-Fail」로서 분류하여 불량의 데이터가 기록된다.

도 3을 참조하여, 스캔영역 S3에 관한 다단계 인식이 종료한 후, 다음에, 스텝 SP110에서, EWS(1)는, FBM(27b) 내에 다른 스캔영역이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스캔영역 S4가 남아 있으므로, 스텝 SP110에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP111에서, EWS(1)는, 스캔영역을 갱신한다. 구체적으로,EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰의 항목 24의 내용에 근거하여, 스캔영역 S3의 다음 스캔영역 S4를, FBM(27b) 내에 설정한다.

다음에, 스캔영역 S4에 관해서, 스텝 SP106에서의 계산 및 스텝 SP107에서의 판정이 행해지는 것이지만, 스캔영역 S4에 관해서는 불량률이 0%이므로, 스텝 SP107에서의 판정의 결과는 「No」가 된다.

다음에, 스텝 SP110에서, EWS(1)는, FBM(27b) 내에 다른 스캔영역이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 다른 스캔영역은 남아있지 않기 때문에, 스텝 SP110에서의 판정의 결과는 「No」가 된다.

다음에, 스텝 SP112에서, EWS(1)는, 도 6에 나타낸 인식룰 내에 다른 불량모드가 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 「B-line-Fail」이 남아있으므로 스텝 SP112에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 113에서, EWS(1)는, 불량모드를 갱신하여, 스캔넘버가「2」로 설정되어 있는 「B-line-Fail」을, 제2번째의 불량모드로서 설정한다. 이후, 설명은 생략하지만, 불량모드 「B-line-Fail」에서의 인식이 실행된다. 그리고, 인식룰 내에 설정되어 있는 모든 불량모드에서의 인식이 종료하면, 즉, 스텝 SP112에서 「No」의 판정결과가 얻어지면, 스텝 SP114로 진행하여 불량의 인식이 종료한다. 또한, 스텝 108에서의 판정의 결과가 「No」인 경우는, 스텝 SP115에서 불량한 상세정보가 취득 및 기록된 후, 스텝 SP116에서 FBM으로부터 불량픽셀이 소거된다.

이와 같이 본 실시예 1에 관한 불량해석방법에 의하면, 오리지널의 FBM(27a)을 제1 축퇴율(8×8비트)로 축퇴함으로써 FBM(27b)이 작성되고, FBM(27b)에 근거하여, FBM(27a) 내에서 불량비트가 존재하고 있는 영역(이하「불량발생영역」이라 칭함)이 특정된다. 그리고, 제1 축퇴율보다도 낮은 제2 축퇴율(2×2비트)로, 그 불량발생영역에 대응하는 부분의 FBM(27a)을 축퇴함으로써 FBM(27c, 27d)이 작성되며, FBM(27c, 27d)에 근거하여, 각 불량모드로 분류되면서 불량비트의 상세정보가 취득 및 기록된다. 따라서, 불량모드의 분류는, 미완성의 FBM(27b)에 근거하여 행해지지 않고, FBM(27b)보다도 정밀한 FBM(27c, 27d)에 근거하여 행해지므로, 불량모드를 고정밀도로 분류하는 것이 가능하게 된다.

더욱이, FBM(27a)을 축퇴하여 FBM(27b)을 얻을 때의 축퇴율을 간단히 낮추지 않고, 불량발생영역에 대응하는 부분에 관해서만, FBM(27a)을 낮은 축퇴율로 축퇴하여 FBM(27c, 27d)이 작성된다. 따라서, 처리해야 할 데이터 양의 증대를 최소한으로 억제할 수 있으므로, 인식의 소요시간이 대폭 연장되는 것을 회피할 수 있다.

(실시예 2)

도 8, 도 9는, 본 발명의 실시예 2에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이고, 도 10은, 본 실시예 2에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이며, 도 11(도 11a∼도 11c)은, 본 실시예 2에 관한 불량해석방법에 관한 FBM(27a, 27e, 27f)을 나타내는 도면이다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 본 실시예 2에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰에는, 제1번째의 병렬인식룰(33)과, 제2번째의 병렬인식룰(34)이 설치되어 있다. 병렬인식룰(33, 34)에는, FBM을 축퇴할 때의 축퇴의 임계치에 관한 항목 32a, 32b가 각각 설치되어 있다.

이하, 도 1, 도 8∼ 도 11을 참조하여, 상기 실시예 1에 관한 불량해석법과의 상위점을 중심으로, 본 실시예 2에 관한 불량해석방법에 대하여 설명한다.

우선, 스텝 SP201에서 불량의 인식이 시작되면, 스텝 SP202에서, EWS(1)는, 제1번째의 병렬인식룰(33)을 데이터 베이스(4)로부터 판독한다.

다음에, 스텝 SP203에서, EWS(1)는, 오리지널의 FBM(27a)을, 병렬인식룰(33)의 내용에 근거하여 축퇴한다. 구체적으로, EWS(1)는, 병렬인식룰(33)의 항목 18의 내용에 근거하여, FBM(27a)을 32×1비트로 축퇴함으로써, 도 11b에 나타낸 FBM(27e)을 작성한다. FBM(27e)은, X방향 1픽셀×Y방향 32픽셀의 합계 32개의 픽셀을 가지고 있고, FBM(27e)의 1픽셀은, FBM(27a)의 32비트(X방향 32비트×Y방향 1비트)에 대응하고 있다. EWS(1)는, 병렬인식룰(33)의 항목 32a의 내용을 참조하고, FBM(27a)의 1행(32비트)중에 불량비트가 16비트 이상 존재하면, 그 행에 대응하는 FBM(27e)의 픽셀을 불량픽셀로서 설정한다. 한편, 1행중의 불량비트의 개수가 16비트 미만이면, 그 행에 대응하는 픽셀을 패스픽셀로서 설정한다. FBM(27e)에서는, 합계 32개의 픽셀내에, 2개의 불량픽셀(28e)이 설정되어 있다. 또한, 항목 32a에서 축퇴의 임계치가 16비트로 설정되고 있으므로, 비트불량(29a)이 존재하고 있는 FBM(27a)의 행에 대응하는 FBM(27e)의 픽셀은, 불량픽셀로서는 설정되지 않는다.

다음에, 스텝 SP204에서, EWS(1)는, 병렬인식룰(33)의 항목 19, 20의 내용에 따라서, 제1번째의 불량모드「A-line-Fail」을 설정한다. 다음에, 스텝 SP205에 있어서, EWS(1)는, 병렬인식룰(33)의 항목 21의 내용에 근거하여, 제1번째의 스캔영역 S1을 설정한다.

다음에, 스텝 SP206에 있어서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 관해서 불량률을 계산한다. 이 예에서는, 스캔영역 S1의 불량률은 0%로 계산된다. 다음에, 스텝 SP207에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 관해서, 소정의 판정조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 SP207에서의 판정의 결과는 「No」가 된다. 다음에, 스텝 SP208에서, EWS(1)는, FBM(27e) 내에 다른 스캔영역이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 208에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP209에서, EWS(1)는, 스캔영역을 갱신하고, 스캔영역 S1의 다음 스캔영역 S2를, FBM(27e) 내에 설정한다. 다음에, 스캔영역 S2에 관해서, 스텝 SP206에서의 계산 및 스텝 SP207에서의 판정이 순서대로 행해지는 것이지만, 이 예에서는, 스캔영역 S2에 관해서도 스텝 SP207에서의 판정의 결과는 「No」가 된다. 따라서, 스텝 SP208에서의 판정 후, 스텝 S209에서, 다음 스캔영역 S3이 설정된다. 또한, 이 예에서는 스캔영역 S3에 관해서도 스텝 SP207에서의 판정의 결과는「No」가 되므로, 마찬가지로, 스텝 SP209에서 다음 스캔영역 S4가 설정된다.

다음에, 스텝 SP206에서, EWS(1)는, 스캔영역 S4에 관해서 불량률을, 계산한다. 이 예에서는, 스캔영역 S4내에 포함되고 있는 2개의 픽셀이 어느 것이나 불량픽셀(28e)이므로, 불량률은 100%로 계산된다. 다음에, 스텝 207에 있어서, EWS(1)는, 스캔영역 S4에 관해서, 소정의 판정조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 SP207에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다. 다음에, 스텝 SP210에서, EWS(1)는, 스캔영역 S4에 대응하는 부분의 FBM27a에 관해서 불량한 상세정보(어드레스나 사이즈 등)를 취득하고, 불량모드「A-line-Fail」로서 분류하여 불량의 데이터를 기록한다. 다음에, 스텝 SP211에서, EWS(1)는, 불량모드 「A-line-Fail」로서 인식된 불량픽셀(28e)을, FBM(27e)로부터 소거한다. 또한, EWS(1)는, 불량모드「A-line-Fail」로서 인식된 라인불량(28a)을, FBM(27a)으로부터 소거한다.

그 후, 스캔영역 S5∼S16에 관해서도 마찬가지로, 불량모드 「A-line-rail」에서의 인식이 실행된다. 다음에, 스텝 SP213에서 불량모드가 갱신된 후, 스캔영역 T1∼T32에 관해서, 불량모드 「B-line-Fail」에서의 인식이 실행된다.

다음에, 스텝 SP214에서, EWS(1)는, 도 10에 나타낸 인식룰 내에 다른 병렬인식룰이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 병렬인식룰(34)이 남아 있으므로, 스텝 SP214에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다. 다음에, 스텝 SP215에서, EWS(1)는, 병렬인식룰을 갱신하여, 제2번째의 병렬인식룰(34)을 설정한다.

다음에, 스텝 SP203에서, EWS(1)는, FBM(27a)을, 병렬인식룰(34)의 내용에 근거하여 축퇴한다. 구체적으로, EWS(1)는, FBM(27a)을 2×2비트로 축퇴함으로써, 도 11c에 나타낸 FBM(27f)을 작성한다. FBM(27f)은, X방향 16픽셀 ×Y방향 16픽셀의 합계 256개의 픽셀을 가지고 있고, FBM(27f)의 1픽셀은, FBM(27a)의 4비트(X방향 2비트 ×Y방향 2비트)에 대응하고 있다. EWS(1)는, 병렬인식룰(34)의 항목 32b의 내용을 참조하고, FBM(27a) 내에 있는 4비트 중에 불량비트가 1비트 이상 존재하면, 그 4비트에 대응하는 FBM(27f)의 픽셀을 불량픽셀로서 설정한다. 한편, 어떤 4비트 중에 불량비트가 1비트도 존재하지 않으면, 그 4비트에 대응하는 픽셀을 패스픽셀로서 설정한다. FBM(27f)에서는, 합계 256개의 픽셀내에, 4개의 불량픽셀(29f)이 설정되어 있다.

그 후, 도 8, 도 9의 플로우 차트에 따라서, 스캔영역 U1로부터 스캔영역 U256까지 스캔영역의 갱신이 반복되고, 불량모드 「Bit-Fail」에서의 인식이 행해진다. 그 때, 스캔영역 U137, U147, U151, U190에 관해서는, 불량의 상세정보가 취득되며, 불량모드 「Bit-Fail」로서 분류하여 불량한 데이터가 기록된다.

그리고, 인식룰 내에 설정되어 있는 모든 불량모드에 관한 인식이 종료하면, 즉, 스텝 SP214에서 「No」의 판정결과가 얻어지면, 스텝 SP216으로 진행하여 불량의 인식이 종료한다.

이와 같이 본 실시예 2에 관한 불량해석방법에 의하면, FBM(27a)을 축퇴함으로써, 띠 형상의 복수의 픽셀이 나열된 패턴을 갖는 FBM(27e)이 작성되고, 이 FBM(27e)에 근거하여 라인불량이 특정된다. 또한, FBM(27a)을 축퇴함으로써, 복수의 픽셀이 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 FBM(27f)이 작성되며, 이 FBM(27f)에 근거하여 비트불량이 특정된다. 이와 같이, 서로 다른 패턴을 갖는 FBM(27e, 27f)을 사용하는 것에 의해, 불량모드마다 개별로 불량을 인식하는 것이 가능하게 된다.

(실시예 3)

도 12∼도 15는, 본 발명의 실시예 3에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이고, 도 16은, 본 실시예 3에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이며, 도 17(도 17a∼도 17d)은, 본 실시예 3에 관한 불량해석방법에관한 FBM(27a, 27b, 27g, 27h)을 나타내는 도면이다.

이하, 도 1, 도 12∼ 도 17을 참조하여, 상기 실시예 1, 2에 관한 불량해석방법과의 상위점을 중심으로, 본 실시예 3에 관한 불량해석방법에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 다단계 인식으로 이행하기보다도 이전 단계에서의 인식을「통상 인식」이라 칭한다.

우선, 스텝 SP301에서 불량의 인식이 시작되면, 스텝 SP302에서, EWS(1)는, 통상 인식에서의 제1번째의 병렬인식룰을, 데이터 베이스(4)로부터 판독한다.

다음에, 스텝 303에서, EWS(1)는, 통상 인식에서의 제1번째의 병렬인식룰의 내용에 근거하여, 오리지널의 FBM(27a)을 8×8비트로 축퇴함으로써, 도 17b에 나타낸 FBM(27b)을 작성한다. 다음에, 스텝 SP304에서, EWS(1)는, 통상 인식에서의 제1번째의 불량모드 「A-line-Fail」을 설정한다. 다음에, 스텝 SP305에서, EWS(1)는, 제1번째의 스캔영역 S1을 설정한다. 다음에, 스텝 SP306에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 관해서 불량률을 계산한다. 이 예에서는, 스캔영역 S1의 불량률은 100%라 계산된다. 다음에, 스텝 SP307에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 관해서, 소정의 판정조건이 만족되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 SP307에서의 판정의 결과는「Yes」가 된다. 다음에, 스텝 SP308에서, EWS(1)는, 다단계 인식룰이 설정되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 스텝 SP308에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다.

다음에, 스텝 SP309에서, 다단계 인식이 행해진다. 스텝 SP309에서의 다단계 인식의 처리플로우는, 도 14, 도 15에 구체적으로 나타나 있다. 스텝 SP309a에서다단계 인식의 처리가 시작되면, 스텝 SP309b에서, EWS(1)는, 다단계 인식에서의 제1번째의 병렬인식룰(35)을 판독한다. 다음에, 스텝 SP309c에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 대응하는 부분의 FBM(27a)을 32×1비트로 축퇴함으로써, 도 17c에 나타낸 FBM(27g)을 작성한다.

다음에, 스텝 SP309d에서, EWS(1)는, 불량모드 「A-line-Fail」을 설정한다. 그리고, 상기 실시예 2와 마찬가지로, 스캔영역 S1∼S4에 관해서, 불량모드 「A-line-Fail」에서의 인식이 실행된다. 스텝 SP309m에서「No」의 판정결과가 얻어지면, 다음에, 스텝 SP309o에서, EWS(1)는, 다른 병렬인식룰이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 병렬인식룰(36)이 남아 있으므로, 스텝 309o에서의 판정결과는 「Yes」가 된다. 다음에 스텝 SP309p에서, EWS(1)는, 병렬인식룰을 갱신하여, 다단계 인식에서의 제2번째의 병렬인식룰(36)을 설정한다. 그 후, 상기 실시예 2와 같이, 스캔영역 S1에 관해서, 병렬인식룰(36)에 근거하는 인식이 실행된다. 스텝 SP309o에서 「No」의 판정결과가 얻어지면, 스텝 SP309q로 진행하여 다단계 인식의 처리가 종료한다.

도 13을 참조하여, 스텝 SP310에서의 판정 후, 스텝 SP311에서, EWS(1)는, 스캔영역을 갱신하여, 스캔영역 S1의 다음 스캔영역 S2를 설정한다. 스캔영역 S2에 관해서는 스텝 SP307에서의 판정의 결과는「No」가 되므로, 스텝 SP310에서의 판정 후, 스텝 SP311에 있어서 다음 스캔영역 S3이 설정된다. 스캔영역 S3에 관해서는 스텝 SP307에서의·판정의 결과는 「Yes」가 되므로, 스텝 SP308에서의 판정 후, 스텝 SP309에서의 다단계 인식으로 이행한다.

도 14, 15를 참조하여, 그 후, 상기와 마찬가지로, 다단계 인식에서의 제1번째의 병렬인식룰(35)에 근거하는 인식이 실행된다. 그 후, EWS(1)는, 스텝 SP309p에서 병렬인식룰을 갱신하여, 다단계 인식에서의 제2번째의 병렬인식룰(36)을 설정한다. 다음에, 스텝 SP309c에서, EWS(1)는, 스캔영역 S3에 대응하는 부분의 FBM(27a)을 2×2비트로 축퇴함으로써, 도 17d에 나타낸 FBM(27h)을 작성한다. 다음에, 스텝 SP309d에서, EWS(1)는, 불량모드 「B1t-Fail」을 설정한다. 그리고, 상기 실시예 2와 마찬가지로, 스캔영역 T1∼T64에 관해서, 불량모드 「Bit-Fail」에서의 인식이 실행된다. 그 후, 스텝 SP309o에서 「No」의 판정결과가 얻어지면, 스텝 SP309q로 진행하여 다단계 인식의 처리가 종료한다.

도 13을 참조하여, 스텝 P310에서의 판정 후, 스텝 SP311에서, EWS(1)는, 스캔영역을 갱신하여, 스캔영역 S3의 다음 스캔영역 S4를 설정한다. 스캔영역 S4에 관해서는 스텝 SP307에서의 판정의 결과는「No」가 되므로, 스텝 SP310에서의 판정 후, 스텝 SP312에서 다른 불량모드가 남아 있는지 아닌지가 판정된다. 다음에, 스텝 SP313에서, EWS(1)는, 통상 인식에서의 제2번째의 불량모드 「B-line-Fail」을 설정한다. 그 후, 설명은 생략하지만, 불량모드 「B-line-Fail」에서의 인식이 실행된다.

스텝 SP312에서「No」의 판정결과가 얻어지면, 다음에, 스텝 314에서, EWS(1)는, 다른 병렬인식룰이 남아 있는지 아닌지를 판정한다. 다른 병렬인식룰이 남아 있는 경우는, 스텝 SP315에서, 통상 인식에서의 제2번째의 병렬인식룰이 설정되고, 이 병렬인식룰에 근거하는 인식이 실행된다. 다른 병렬인식룰이 남아 있지않은 경우는, 스텝 SP316으로 진행하여 불량의 인식이 종료한다.

이와 같이 본 실시예 3에 관한 불량해석방법에 의하면, 상기 실시예 2에 관한 불량해석방법과 마찬가지로, 불량모드마다 개별로 불량을 인식하는 것이 가능하게 된다. 더욱이, FBM(27b)에 근거하여 불량발생영역을 특정한 후, 불량발생영역에 대응하는 부분에 관해서만 FBM(27g, 27h)이 작성된다. 따라서, 처리해야 할 데이터 양의 증대를 최소한으로 억제할 수 있다.

(실시예 4)

도 18∼도 21은, 본 발명의 실시예 4에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다. 이하, 도 17, 도 18∼ 도 21을 참조하여, 상기 실시예 1에 관한 불량해석방법과의 상위점을 중심으로, 본 실시예 4에 관한 불량해석방법에 관해서 설명한다.

우선, 상기 실시예 1과 마찬가지로, EWS(1)는, 스텝 SP101로부터 스텝 SP103까지의 처리를 실행한다. 다음에, 스텝 SP401에서, EWS(1)는, FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수(FBC)를 카운트한다. 이 예에서는, FBC=68이다. 또한, FBC의 카운트는, FBM(27a)의 작성과 동시에 실행해도 된다. 그 후, 상기 실시예 1과 마찬가지로, EWS(1)는, 스텝 SP104로부터 스텝 SP108까지의 처리를 실행한다.

다음에, 스텝 SP109에서, 스캔영역 S1에 관한 다단계 인식이 실행된다. 도 20, 21을 참조하여, 우선, 상기 실시예 1과 마찬가지로, EWS(1)는, 스텝 SP109a, SP109b의 처리를 행함으로써, FBM(27c)을 작성한다. 다음에, 스텝 SP402에서,EWS(1)는, 스캔영역 S1에 대응하는 부분의 FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수(FBCn)를 카운트한다. 여기서, 「n」은 자연수이며, 다단계 인식의 회수에 해당한다. 예를 들면, 1단번째의 다단계 인식에서는 n=1이며, 2단번째의 다단계 인식에서는 n=2이다. 이 예에서는, FBCn=FBC1=64이다. 그 후, 상기 실시예 1과 동일하게, EWS(1)는, 스텝 SP109c로부터 스텝 SP109j까지의 처리를 실행한다.

다음에, 스텝 SP403에서, EWS(1)는, 불량픽셀(28c)을 FBM(27c)로부터 소거함 과 동시에, 소거한 불량픽셀(28c)에 대응하는 불량비트(28a)의 총수를, FBC 및 FBCn로부터 각각 감산한다. 이 예의 경우, 스텝 SP403에서의 감산 후는, FBC=4, FBC=0이 된다.

다음에, 스텝 SP404에서, EWS(1)는, FBCn=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBCn=0이므로, 스텝 SP404에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다. 따라서, 스텝 SP109n으로 진행하여, 스캔영역 S1에 관한 다단계 인식의 처리가 종료한다.

도 19를 참조하여, 다음에, 스텝 SP405에서, EWS(1)는, FBC=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBC=4이므로, 스텝 SP405에서의 판정의 결과는「No」가 된다. 그 후, 상기 실시예 1과 마찬가지로, 스캔영역 S2가 설정된 후, 스캔영역 S3이 설정된다. 그리고, 스캔영역 S3에 관해서, 스텝 SP109에서의 다단계 인식이 실행된다. 스텝 SP402에서, EWS(1)는, 스캔영역 S3에 대응하는 부분의 FBM(27a)에 관해서 FBCn을 카운트한다. 이 예에서는, FBCn=4이다. 그 후, 상기 실시예 1과 마찬가지로, EWS(1)는, 다단계 인식에서의 제1번째의 불량모드 「A-line-Fail」에서의 인식을 행한 후, FBM(27d)을 작성하여, 제2번째의 불량모드 「Bit-Fail」에서의 인식을 시작한다.

스캔영역 U1로부터 스타트하여, 스캔영역을 갱신하면서 불량모드 「Bit-Fail」에서의 인식이 행해지는 것이지만, 스텝 SP109j에서 불량한 상세정보가 취득될 때마다, 스텝 SP403에서, FBM(27d)으로부터의 불량픽셀(29c)의 소거 및 FBC, FBCn의 감산이 행해진다. 이 예의 경우, 스캔영역 U46에 대응하는 불량픽셀(29c)이 소거된 시점에서, FBCn=0이 된다. 그 결과, 스텝 SP404에서「Yes」의 판정결과가 얻어지므로, 스텝 SP109n으로 진행하여, 스캔영역 S3에 관한 다단계 인식이 종료한다.

도 19를 참조하여, 다음에, 스텝 SP405에서, EWS(1)는, FBC=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBC=0이므로, 스텝 405에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다. 따라서, 스텝 SP114로 진행하여, 불량의 인식이 종료한다.

이와 같이 본 실시예 4에 관한 불량해석방법에 의하면, FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수를 미리 구하고 놓고, FBM(27c, 27d)을 주사하면서 불량의 인식을 진행시켜 가는 과정에서, 순서대로 특정된 불량비트의 누계개수가, 미리 구해져 있던 상기 총수에 도달한 시점에서, 불량의 인식이 종료된다. 따라서, 모든 불량비트가 특정된 후에 불필요한 주사가 행해지는 것을 회피할 수 있으므로, 상기 실시예 1에 관한 불량해석방법과 비교하면, 인식의 소요시간을 단축할 수 있다.

(실시예 5)

도 22, 도 23은, 본 발명의 실시예 5에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한플로우 차트이다. 이하, 도 1, 10, 11, 22, 23을 참조하여, 상기 실시예 2에 관한 불량해석방법과의 상위점을 중심으로, 본 실시예 5에 관한 불량해석방법에 관해서 설명한다.

우선, 스텝 SP201에서 불량의 인식이 시작되면, 스텝 SP501에서, EWS(1)는, FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수(FBC)를 카운트한다. 이 예에서는, FBC=68이다. 그 후, 상기 실시예 2와 마찬가지로, EWS(1)는, FBM(27e)을 작성하고, 제1번째의 병렬인식룰(33)에 근거하여, 스텝 SP202로부터 스텝 SP210까지의 처리를 실행한다.

다음에, 스텝 502에서, EWS(1)는, 불량픽셀(28e)을 FBM(27e)으로부터 소거함 과 동시에, 소거한 불량픽셀(28e)에 대응하는 불량비트(28a)의 총수를, FBC로부터 감산한다. 이 예의 경우, 스텝 SP502에서의 감산 후는, FBC=4가 된다.

다음에, 스텝 503에서, EWS(1)는, FBC=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBC=4이므로, 스텝 SP503에서의 판정의 결과는「No」가 된다. 그 후, 상기 실시예 2와 마찬가지로, FBM(27f)을 작성하여, 제2번째의 병렬인식룰(34)에 근거하는 불량의 인식이 실행된다.

스캔영역 U1로부터 스타트하여, 스캔영역을 갱신하면서 병렬인식룰(34)에 근거하는 인식이 행해지는 것이지만, 스텝 SP210에서 불량한 상세정보가 취득될 때마다, 스텝 SP502에서, FBM(27f)으로부터의 불량픽셀(29f)의 소거 및 FBC의 감산이 행해진다. 이 예의 경우, 스캔영역 U190에 대응하는 불량픽셀(29f)이 소거된 시점에서, FBC=0이 된다. 그 결과, 스텝 SP503에서의 판정의 결과가 「Yes」가 되므로,스텝 SP216으로 진행하여, 불량의 인식이 종료한다.

이와 같이 본 실시예 5에 관한 불량해석방법에 의하면, FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수를 미리 구해 놓고, FBM(27e, 27f)을 주사하면서 불량의 인식을 진행시켜 가는 과정에서, 순서대로 특정된 불량비트의 누계개수가, 미리 구해져 있던 상기 총수에 도달한 시점에서, 불량의 인식이 종료된다. 따라서, 모든 불량비트가 특정된 후에 불필요한 주사가 행해지는 것을 회피할 수 있으므로, 상기 실시예 2에 관한 불량해석방법과 비교하면, 인식의 소요시간을 단축할 수 있다.

(실시예 6)

도 24∼도 27은, 본 발명의 실시예 6에 관한 불량해석방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다. 이하, 도 1, 16, 17, 24∼27을 참조하여, 상기 실시예 3에 관한 불량해석방법과의 상위점을 중심으로, 본 실시예 6에 관한 불량해석방법에 관해서 설명한다.

우선, 스텝 P301에서 불량의 인식이 시작되면, 스텝 SP601에서, EWS(1)는, FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수(FBC)를 카운트한다. 이 예에서는, FBC=68이다. 그 후, 상기 실시예 3과 마찬가지로, EWS(1)는, 스텝 SP302로부터 스텝 SP308까지의 처리를 실행한다.

다음에, 스텝 SP309에서, 스캔영역 S1에 관한 다단계 인식이 실행된다. 도 26, 27을 참조하여, 우선, 상기 실시예 3과 마찬가지로, EWS(1)는, 스텝 SP309a로부터 스텝 SP309c까지의 처리를 행함으로써, FBM(27g)을 작성한다.

다음에, 스텝 SP602에서, EWS(1)는, 스캔영역 S1에 대응하는 부분의 FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수(FBCn)를 카운트한다. 이 예에서는, FBCn=64이다. 그 후, 상기 실시예 3과 마찬가지로, EWS(1)는, 스텝 SP309d으로부터 스텝 SP309k까지의 처리를 실행한다.

다음에, 스텝 SP603에서, EWS(1)는, 불량픽셀(28g)을 FBM(27g)로부터 소거함 과 동시에, 소거한 불량픽셀(28g)에 대응하는 불량비트(28a)의 총수를, FBC 및 FBCn으로부터 각각 감산한다. 이 예의 경우, 스텝 SP603에서의 감산 후는, FBC=4, FBCn=0이 된다.

다음에, 스텝 SP604에서, EWS(1)는, FBCn=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBCn=0이므로, 스텝 SP604에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다. 따라서, 스텝 SP309q로 진행하여, 스캔영역 S1에 관한 다단계 인식의 처리가 종료한다.

도 25를 참조하여, 다음에, 스텝 SP605에서, EWS(1)는, FBC=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBC=4이므로, 스텝 605에서의 판정의 결과는「No」가 된다. 그 후 상기 실시예 3과 마찬가지로, 스캔영역 S2가 설정된 후, 스캔영역 S3이 설정된다. 그리고, 스캔영역 S3에 관해서, 스텝 SP309에서의 다단계 인식이 실행된다. 스텝 SP602에서, EWS(1)는, 스캔영역 S3에 대응하고 있는 부분의 FBM(27a)에 관해서 FBCn을 카운트한다. 이 예에서는, FBCn=4이다. 그 후, 상기 실시예 3과 마찬가지로, EWS(1)는, 제1번째의 병렬인식룰(35)에 근거하는 인식을 행한 후, FBM(27h)을 작성하여, 제2번째의 병렬인식룰(36)에 근거하는 인식을 시작한다.

스캔영역 T1로부터 스타트하여, 스캔영역을 갱신하면서 병렬인식룰(36)에 근거하는 인식이 행해지는 것이지만, 스텝 SP309k에서 불량한 상세정보가 취득될 때마다, 스텝 SP603에서, FBM(27h)로부터의 불량픽셀(29h)의 소거 및 FBC, FBCn의 감산이 행해진다. 이 예의 경우, 스캔영역 T62에 대응하는 불량픽셀(29h)이 소거된 시점에서, FBCn=0이 된다. 그 결과, 스텝 SP604에서「Yes」의 판정결과가 얻어지므로, 스텝 SP309q로 진행하여, 스캔영역 S3에 관한 다단계 인식이 종료한다.

도 25를 참조하여, 다음에, 스텝 SP605에서, EWS(1)는, FBC=0인지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, FBC=0이므로, 스텝 605에서의 판정의 결과는 「Yes」가 된다. 따라서, 스텝 SP316으로 진행하여, 불량의 인식이 종료한다.

이와 같이 본 실시예 6에 관한 불량해석방법에 의하면, FBM(27a) 내에 존재하고 있는 불량비트의 총수를 미리 구해 놓고, FBM(27g, 27h)을 주사하면서 불량의 인식을 진행시켜 가는 과정에서, 순서대로 특정된 불량비트의 누계개수가, 미리 구해져 있던 상기 총수에 도달한 시점에서, 불량의 인식이 종료된다. 따라서, 모든 불량비트가 특정된 후에 불필요한 주사가 행해지는 것을 회피할 수 있으므로, 상기 실시예 3에 관한 불량해석방법과 비교하면, 인식의 소요시간을 단축할 수 있다.

(실시예 7)

도 28은, 본 발명의 실시예 7에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이고, 도 29(도 29a∼도 29c)는, 본 실시예 7에 관한 불량해석방법에 관한 FBM(42a∼42c)을 나타내는 도면이다.

본 실시예 7에 관한 불량해석방법은, 상기 실시예 2에서 FBM(27a)을 축퇴하여 FBM(27e)을 작성하는 공정 및 상기 실시예 3에서 FBM(27a)을 축퇴하여 FBM(27g)을 작성하는 공정의 각각의 개량에 관한 것이다.

도 29a를 참조하여, 오리지널의 FBM(42a) 내에는, 8개의 불량비트(43a)와, 10개의 불량비트(44a)가 존재하고 있다. 불량비트 43a는, 4비트마다 불량이 발생하는 특징을 갖는 라인불량을 구성하고 있다. 불량비트 44a는, 직선형으로 나열된 비트불량이다.

본 실시예 7에 관한 불량해석방법에서는, EWS(1)은, 우선, 도 28에 나타낸 인식룰의 항목 18의 내용에 근거하여, 32×32비트의 FBM(42a)을 4×1비트로 축퇴함으로써, 도 29b에 나타낸 FBM(42b)을 작성한다. FBM(42b)의 1픽셀은, FBM(42a)의 4비트(4×1비트)에 대응하고 있다. 또한, FBM(42b)의 1행 내에는 8개의 픽셀이 존재하고 있다. EWS(1)는, 도 28에 나타낸 인식룰의 항목 32의 내용을 참조하는 것에 의해, FBM(42a)이 있는 4비트중에 불량비트가 1비트라도 존재하면, 그 4비트에 대응하는 FBM(42b)의 픽셀을 불량픽셀로서 설정한다. 한편, 어떤 4비트중에 불량비트가 1비트도 존재하지 않으면, 그 4비트에 대응하는 픽셀을 패스픽셀로서 설정한다. FBM(42b) 내에는, 불량비트(43a)에 대응하는 8개의 불량픽셀(43b)과, 불량비트(44a)에 대응하는 3개의 불량픽셀(44b)이 존재하고 있다.

EWS(1)는, 다음에, 도 28에 나타낸 인식룰의 항목 40의 내용에 근거하여, FBM(42b)를 8×1픽셀로 축퇴함으로써, 도 29c에 나타낸 FBM(42c)을 작성한다. FBM(42c)의 1픽셀은, FBM(42b)의 1행(8픽셀)에 대응하고 있다. EWS(1)는, 도 28에 나타낸 인식룰의 항목 41의 내용을 참조하는 것에 의해, FBM(42b)이 있는 행중에불량픽셀이 4픽셀 이상 존재하면, 그 행에 대응하는 FBM(42c)의 픽셀을 불량픽셀로서 설정한다. 한편, 어떤 행중에 존재하는 불량픽셀의 개수가 4픽셀 미만이면, 그 행에 대응하는 픽셀을 패스픽셀로서 설정한다. FBM(42c) 내에는, 불량픽셀(43b)에 대응하는 불량픽셀(43c)이 존재하고 있다. 한편, 불량픽셀(44b)은 FBM(42b) 내에 3개밖에 존재하지 않고 있지 않기 때문에, 불량픽셀(44b)에 대응하는 불량픽셀(44c)은, FBM(42c) 내에는 존재하고 있지 않다.

이와 같이 본 실시예 7에 관한 불량해석방법에 의하면, FBM 42a를 2단계로 축퇴하여 FBM 42c를 작성하므로, 이격적으로 연속하여 라인불량을 구성하는 불량비트(43a)가 FBM 42a내에 존재하고 있는 경우이어도, FBM 42c내에서, 불량비트(48a)에 대응하는 불량픽셀(43c)을 고정밀도로 설정할 수 있다.

또, 도 10에 나타낸 인식룰의 항목 32a에서는 축퇴한 임계치가 16비트로 설정되고 있지만, 이것을 8비트로 낮추는 것에 의해서도, 불량비트(43a)에 대응하여 FBM(42c) 내에 불량픽셀(43c)을 설정하는 것은 가능하다. 그렇지만, 이 경우는, 불량비트(44a)에 대응하여, 불량픽셀(44c)이 잘못하여 FBM(42c) 내에 설정되어 버리게 된다. 한편, 본 실시예 7에 관한 불량해석방법에 의하면, 상기한 대로, 불량비트(44a)에 대응하여 불량픽셀(44c)이 설정되지는 않는다.

(실시예 8)

도 30은, 본 발명의 실시예 8에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이고, 도 31(도 31a, 도 31b)은, 본 실시예 8에 관한 불량해석방법에 관한FBM(47a, 47b)을 나타내는 도면이다.

본 실시예 8에 관한 불량해석방법은, 예를 들면, 상기 실시예 1, 3에서 FBM(27a)을 축퇴하여 FBM(27b)을 작성하는 공정의 변형에 관한 것이다.

본 실시예 8에서 검사대상이 되는 메모리 LSI의 메모리셀 어레이는, 블록 사이즈가 각각 20×32비트, 24×32비트 및 20×32비트의 3개의 블록에 분할되어 있다. 도 31a를 참조하고, 오리지널의 FBM(47a)은, 2048(64×32)개의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 가지고 있다. 또한, FBM(47a)은, 메모리셀 어레이의 패턴에 대응하여, 3개의 블록 BL1a∼BL3a에 분할되어 있다. 도 31a에서는, 서로 인접하는 블록 사이의 경계가 굵은 선으로 표시되어 있다. 블록 BL1a∼BL3a의 각 블록 사이즈는, 각각20×32비트, 24×32비트 및 20×32비트이다. 또한, FBM(47a) 내에는, 라인불량을 구성하는 48개의 불량비트(48a)가 존재하고 있다.

본 실시예 8에 관한 불량해석방법에서는, EWS(1)은, 우선, 도 30에 나타낸 인식룰의 항목 18의 내용에 근거하여, FBM(47a)을 4×4비트로 축퇴함으로써, 도 31b에 나타낸 FBM(47b)을 작성한다. FBM(47b)의 1픽셀은, FBM(47a)의 16비트(4×4비트)에 대응하고 있다. 또한, FBM 47a와 마찬가지로 FBM 47b도, 메모리셀의 패턴에 대응하여 3개의 블록 BL1b∼BL3b에 분할되어 있고, 도 31b에서는, 서로 인접하는 블록 사이의 경계가 굵은 선으로 표시되어 있다. 블록 BL1b, BL3b의 블록 사이즈는 5×8픽셀이며, 블록 BL2b의 블록 사이즈는 6×8픽셀이다. EWS(1)는, 도 30에 나타낸 인식룰의 항목 32의 내용, 을 참조하는 것에 의해, FBM(47b) 내에 불량픽셀 및 패스픽셀을 설정한다. FBM(47b) 내에는, 불량비트(48a)에 대응하는 6개의 불량픽셀(48b)이 존재하고 있다.

도 30을 참조하여, 불량사이즈에 관한 항목 45 및 스캔사이즈에 관한 항목 46에는, 각 블록 BL1b∼BL3b의 X방향에 관한 블록 사이즈가, 콤마로 구획하여 열거되어 있다. 스텝 SP105, SP305에서, EWS(1)는, 항목 45의 내용에 근거하여, 블록 BL1b의 제1행번째의 5×1픽셀을 제1번째의 스캔영역으로서 설정하고, 블록 BL2b의 제1행번째의 6×1픽셀을 제2번째의 스캔영역으로서 설정하며, 블록 BL3b의 제1행번째의 5×1픽셀을 제3번째의 스캔영역으로서 설정한다. 또한, 스텝 SP111, SP311에서, EWS(1)는, 항목 46의 내용에 근거하여, 블록 BL1b의 제2행번째의 5×1픽셀을 제4번째의 스캔영역으로서 설정하고, 블록 BL2b의 제2행번째의 6×1픽셀을 제5번째의 스캔영역으로서 설정하며, 블록 BL3b의 제2행번째의 5×1픽셀을 제6번째의 스캔영역으로서 설정한다. 이후, 같이 하여 스캔영역의 갱신이 행해진다.

이와 같이 본 실시예 8에 관한 불량해석방법에 의하면, 블록 사이즈가 서로 다른 복수의 블록으로 분할된 메모리셀 어레이를 구비하는 메모리 LSI가 검사대상인 경우이어도, FBM(47b)의 블록 BL1b∼BL3b의 X방향에 관한 블록 사이즈를 인식룰내에 열거해 두는 것에 의해, 각 블록 BL1b∼BL3b마다 적절히 불량해석을 행할 수 있다.

(실시예 9)

도 32는, 본 발명의 실시예 9에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다. 상기 실시예 8에서는, 도 30에 나타낸 바와 같이, X방향에 관한 블록BL1b∼BL3b의 블록 사이즈가, 인식룰의 하위의 항목 45, 46중에 각각 열거되어 있었다. 이것에 대하여 본 실시예 9에 관한 불량해석방법에서는, 도 32에 나타내는 바와 같이, 「X-Block」에 관한 항목 49가, 인식룰의 첫머리에 설치되어 있다. 항목 49에서는, X방향에 관한 블록 BL1a∼BL3a의 블록 사이즈가, 콤마로 구획하여 열거되어 있다. 또한, Y방향에 관한 블록 사이즈가 서로 다른 복수의 블록이 존재하는 경우는, 「Y-Block」으로서 정의된 항목을 설치하면 된다. 또한, 복수종류의 블록이 존재하는 경우는, 「X(orY)-Blockn」(I=1, 2, 3,)···」으로서 정의된 항목을 설치하면 된다.

EWS(1)는, 항목 49의 각 값 「20, 24, 20」을, X방향에 관한 축퇴율「4」로 나누기 하여, 그 나눗셈에 의해 얻어진 값 「5, 6, 5」를 사용하여 스캔영역을 설정 또는 갱신한다. 이것에 의해, 스캔영역의 설정 또는 갱신에 관해서, 상기 실시예 8과 동일한 동작이 실현된다.

이와 같이 본 실시예 9에 관한 불량해석방법에 의하면, 블록 BL1b∼BL3b의 블록 사이즈가 인식룰의 항목 45, 46중에 각각 열거되어 있는 것은 아니며, 블록 BL1a∼BL3a의 블록 사이즈가, 인식룰의 첫머리에 기술되어 있다. 따라서, 상기 실시예 8과 비교하면, 인식룰의 기술내용을 간략화할 수 있다.

(실시예 10)

도 33은, 본 발명의 실시예 10에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이고, 도 34(도 34a, 도 34b)는, 본 실시예 10에 관한 불량해석방법에 관한FBM(47a, 47c)를 나타내는 도면이다.

도 33을 참조하여, 항목 50에는, FBM(47a)을 축퇴할 때의 축퇴율이 기술되어 있고, X방향의 축퇴율에 관해서는, 콤마로 구획하여 복수의 값이 열거되어 있다. 이 복수의 값은, X방향에 관한 FBM(47a)의 비트수를, 축퇴시에 어떻게 구획하는지를 나타내는 것이며, 이 예의 경우, FBM(47a)의 1행(64비트)이, 10비트, 10비트, 12비트, 12비트, 10비트, 10,비트로 구획되는 것을 의미하고 있다.

스텝 SP103, SP303에서, EWS(1)는, 항목 50의 내용에 따라 FBM(47a)을 축퇴함으로써, 도 34b에 나타낸 FBM(47c)을 작성한다. 블록 BL1b∼BL3b의 블록 사이즈는, 어느것이나 2×8픽셀이다. 또한, 블록 BL1b, BL3b의 1픽셀은, FBM47a의 10×4비트에 대응하고 있고, 블록 BL2b의 1픽셀은, FBM(47a)의 10×4비트에 대응하고 있으며, 블록 BL2b의 1픽셀은, FBM(47a)의 12×4비트에 대응하고 있다.

이와 같이 본 실시예 10에 관한 불량해석방법에 의하면, 블록 사이즈가 서로 다른 복수의 블록으로 분할된 메모리셀 어레이를 구비하는 메모리 LSI가 검사대상인 경우이어도, 각 블록마다 축퇴율을 다르게 한 것에 의해, 적절히 불량해석을 행할 수 있다.

더욱이, 상기 실시예 8, 9에서는, FBM(47b)의 1픽셀의 사이즈를 각 블록 BL1b∼BL3b 사이에서 같게 하기 위해, X방향에 관한 축퇴율을, X방향에 관한 각 블록 BL1a∼BL3a의 비트수의 공약수로 설정할 필요가 있었다. 이것에 대해 본 실시예 10에 관한 불량해석방법에서는, 이와 같은 제한은 없고, X방향에 관한 축퇴율을 상기 실시예 8, 9보다도 큰 값으로 설정할 수 있으므로, 처리해야 할 데이터 양을 삭감할 수 있다.

(실시예 11)

도 35는, 본 발명의 실시예 11에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이다. 상기 실시예 10에서는, 도 33에 나타낸 바와 같이, FBM(47a)의 1행만큼의 비트수의 구획방법을 직접적으로 나타내는 복수의 값이, 인식룰의 항목 50중에 열거되어 있었다. 이것에 대하여 본 실시예 11에 관한 불량해석방법에서는, 상기 실시예 9와 마찬가지로, 「X-Block」에 관한 항목 49가 인식룰의 첫머리에 설치되어 있다.

EWS(1)는, 항목 49의 각 값「20, 24, 20」을, X방향에 관한 각 블록 BL1b∼BL3b의 픽셀수 「2」로 나누기하여, 그 나눗셈에 의해 얻어진 값「10, 12, 10」을, 항목 51에서, 각 블록 BL1a∼BL3a의 X방향에 관한 축퇴율로서 사용한다. 이것에 의해, FBM(47a)의 축퇴에 관하여, 상기 실시예 10과 동일한 동작이 실현된다.

이와 같이 본 실시예 11에 관한 불량해석방법에 의하면, FBM(47a)의 1행만큼의 비트수의 구획방법을 직접적으로 나타내는 복수의 값이 열거되어 있는 것은 아니며, 블록 BL1a∼BL3a의 블록 사이즈가, 인식룰의 첫머리에 기술되어 있다. 따라서, 상기 실시예 10과 비교하면, 인식룰의 기술내용을 간략화할 수 있다.

(실시예 12)

도 36은, 본 발명의 실시예 12에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이고, 도 37(도 37a∼도 37d)은, 본 실시예 12에 관한 불량해석방법에 관한 FBM(53a, 53b, 56a, 56b)을 나타내는 도면이다.

본 실시예 12에 관한 불량해석방법은, 상기 실시예 1∼3에 관한 불량해석방법에서의 통상 인식 및 다단계 인식으로 판정되는, 인접조건의 개량에 관한 것이다.

도 36을 참조하여, 본 실시예 12에 관한 인식룰에서는, 인접조건에 관한 항목 22가 「Special」 하게 설정되어 있다. 항목 52는, 항목 22가 「Special」하게 설정되어 있는 경우에 유효하게 되는 항목이다. 항목 52에서는, 「OK」, 「None」 및 「0-1」중 어느 하나의 상세인접조건을, 상하 좌우의 각 방향에 관해서 개별로 설정할 수 있다. 도 36에 나타낸 인식룰에서는, 불량모드 「A-line-Fail」에 관해서, 예를 들면 위쪽 방향에 대한 상세인접조건이 「0-1」로 설정되어 있다. 이 것은, 축퇴후의 FBM에 근거하여 불량을 인식할 때에, 어떤 특정한 불량픽셀에 대하여 위쪽 방향으로 인접하는 불량픽셀의 수가 0개에서 1개까지의 범위 내이면, 그 불량픽셀열을, 불량모드 「A-line-Fail」에서의 라인불량으로서 인식하고, 한편, 그 범위 외이면, 그 불량픽셀열은 불량모드 「A-line-Fail」에서의 라인불량으로서는 인식하지 않는다는 것을 의미한다.

도 37a를 참조하여, 오리지널의 FBM(53a) 내에는, X방향을 따라 연재하는 라인불량(54a)과, Y방향에 따라 연재하고, 라인불량(54a)에 교차하는 라인불량(55a)이 존재하고 있다. 도 36에 나타낸 인식룰의 항목 18, 32의 내용에 근거하여FBM(53a)을 축퇴하면, 도 37c에 나타낸 FBM(53b)이 얻어진다. FBM(53b) 내에는, 라인불량(54a)에 대응하는 불량픽셀열(54b)과, 라인불량(55a)에 대응하는 불량픽셀열(55b)이 존재하고 있다. 불량픽셀열(54b)과 불량픽셀열(55b)과는 서로 교차하고 있고, FBM(53b) 내의 제3행 제2열 중 하나의 픽셀을 공유하고 있다.

도 36에 나타낸 인식룰에 따라, EWS(1)는, 불량픽셀열(54b)이 불량모드 「A-line-Fail」에서의 라인불량에 해당하는지 아닌지를 판정한다. 이 예의 경우, 항목 52에서는, 위쪽방향 및 아래쪽방향에 관한 상세인접조건이 각각「0-1」로 설정되어 있다. 따라서, EWS(1)는, 불량픽셀열(54b)을, 불량모드 「A-line-Fail」에서의 라인불량으로서 인식한다.

한편, 도 37b에 나타낸 오리지널의 FBM(56a)을 축퇴하면, 도 37d에 나타낸 FBM(56b)가 얻어지지만, FBM(56b)에서는, 어느쪽의 행에 대해서도 위쪽방향 及 아래쪽방향에 관한 상세인접조건이 만족되어 있지 않기 때문에, 불량모드 「A-line-Fail」에서의 라인불량은 인식되지 않는다.

이와 같이 본 실시예 12에 관한 불량해석방법에 의하면, 상하 좌우의 각 방향에 관해서 상세인접조건을 개별로 설정함으로써, 불량의 인식정밀도를 향상할 수 있다. 예를 들면, FBM(53a) 내에서 서로 교차하고 있는 라인불량(54a, 55a)을, 정확히 인식하는 것이 가능하게 된다.

(실시예 13)

도 38(도 38a, 38b)은, 본 발명의 실시예 13에 관한 불량해석방법에 관한FBM(57a, 57b)을 나타내는 도면이다.

LSI 테스터(2)를 사용한 메모리 LSI의 검사결과에 근거하여, 도 38a에 나타낸 오리지널의 FBM(57a)이 작성된다. FBM(57a)은, 메모리셀 어레이의 패턴에 대응하여, 4096(64×64)개의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 가지고 있다. 또한, FBM(57a) 내에는 비트불량이 다수 발생하고 있다.

EWS(1)는, FBM(57a) 내의 일부의 영역을 인출함으로써 새로운 FBM을 작성하고, 그 FBM을 데이터 베이스(4)에 등록한다. 이 예의 경우, 원점 0을 포함하는 16×16비트의 영역(58)이 FBM(57a)으로부터 인출되어, 도 38b에 나타낸 FBM(57b)이 작성된다. EWS(1)는, FBM(57b)에 근거하여, 상기 실시예 1~12에 관한 불량해석방법을 실행한다.

이와 같이 본 실시예 13에 관한 불량해석방법에 의하면, 오리지널의 FBM(57a)을 작성한 후, FBM(57a) 내의 일부의 영역(58)을 인출함으로써, FBM(57a)과는 다른 새로운 FBM(57b)을 작성한다. 따라서, FBM(57a)의 사이즈가 과대하거나, FBM(57a) 내에 불량이 다수 발생하고 있는 등의 이유에 의해, EWS(1)가 처리해야 할 데이터 양이 방대하게 되는 경우이어도, 대표적으로 FBM 57b에만 관해서 불량해석을 행함으로써, 처리해야 할 데이터 양을 삭감할 수 있고, 불량해석의 효율화를 도모할 수 있다.

(실시예 14)

도 39는, 본 발명의 실시예 14에 관한 불량해석방법에 관한 인식룰을 나타내는 도면이고, 도 40(도 40a, 도 40b)은, 본 실시예 14에 관한 불량해석방법에 관한 FBM(57a, 57c)을 나타내는 도면이다. 상기 실시예 13과 마찬가지로, LSI 테스터(2)를 사용한 메모리 LSI의 검사결과에 근거하여, 도 40a에 나타낸 오리지널의 FBM(57a)이 작성된다. FBM(57a)은, 데이터 베이스(4)에 등록되어 있다.

EWS(1)는, 도 39에 나타낸 인식룰의 항목 59, 60의 내용에 근거하여, 인식처리를 행해야 할 FBM(57a) 내의 일부의 영역을 특정한다. 이 예의 경우, 원점 0을 포함하는 16×16비트의 영역(58)이 특정된다. 영역(58)의 사이즈는, 도 39에 나타낸 인식룰의 항목 59에 의해 임의로 설정 가능하고, 영역(58)의 위치는, 항목 60에 의해 임의로 설정 가능하다. EWS(1)는, 영역(58)에 관해서만, 상기 실시예 1∼12에 관한 불량해석방법을 실행한다. 예를 들면, 도 39에 나타낸 인식룰에 근거하여, FBM 57a를 2×2비트로 축퇴함으로써, 도 40b에 나타낸 FBM 57c가 작성된다. FBM 57c에서는, 전체에 관해서 축퇴처리가 행해지고 있는 것은 아니며, 영역 58에 대응하는 영역 58c에 관해서만 축퇴처리가 행해지고 있다.

이와 같이 본 실시예 14에 관한 불량해석방법에 의하면, 오리지널의 FBM(57a)을 작성한 후, FBM(57a) 내의 일부의 영역(58)에 관해서만 불량해석이 실행된다. 따라서, EWS(1)가 처리해야 할 데이터 양이 방대하게 되는 경우이어도, 대표적으로 일부의 영역(58)에만 관해서 불량해석을 행함으로써, 처리해야 할 데이터 양을 삭감할 수 있고, 불량해석의 효율화를 도모할 수 있다.

본 발명중 제1 국면에 관한 것에 의하면, 불량비트의 특정은, 미완성의 제2 FBM에 근거하여 행해지지 않고, 제2 FBM보다도 상세한 제3 FBM에 근거하여 행해진다. 그 때문에, 불량비트를 고정밀도로 특정하는 것이 가능하게 된다.

게다가, 간단히 제1 축퇴율을 낮추지 않고, 불량비트가 존재하고 있는 영역에 대응하는 부분에 관한, 제1 FBM을 제2 축퇴율로 축퇴하여 제3 FBM이 작성된다. 따라서, 처리해야 할 데이터 양의 증대를 최소한으로 억제할 수 있으므로, 인식의 소요시간이 대폭 연장되는 것을 회피할 수 있다.

또한, 본 발명중 제2 국면에 관한 것에 의하면, 제1 FBM을 축퇴하여, 서로 다른 패턴을 갖는 제2 및 제3 FBM을 작성함으로써, 제1 및 제2 불량을 개별로 특정할 수 있다. 예를 들면, 띠 형상의 복수의 픽셀이 나열된 제1 패턴을 갖는 제2 FBM에 근거하여, 라인불량(제1 불량)을 특정할 수 있고, 복수의 패턴이 행렬형으로 나열된 제2 패턴을 갖는 제3 FBM에 근거하여, 비트불량(제2 불량)을 특정할 수 있다.

또한, 본 발명중 제3 국면에 관한 것에 의하면, 제1 FBM을 축퇴하여, 서로 다른 패턴을 갖는 제3 및 제4 FBM을 작성함으로써, 제1 및 제2 불량을 개별로 특정할 수 있다. 예를 들면, 띠 형상의 복수의 픽셀이 나열된 제1 패턴을 갖는 제3 FBM에 근거하여, 라인불량(제1 불량)을 특정할 수 있고, 복수의 패턴이 행렬형으로 나열된 제2 패턴을 갖는 제4 FBM에 근거하여, 비트불량(제2 불량)을 특정 할 수 있다.

더욱이, 불량비트가 존재하고 있는 영역에 대응하는 부분에 관해서만 제3 및 제4 FBM이 작성되므로, 처리해야 할 데이터 양의 증대를 최소한으로 억제할 수 있다.

또한, 본 발명중 제4 국면에 관한 것에 의하면, 모든 불량비트가 특정된 후에 불필요한 주사가 행해지는 것을 회피할 수 있다.

또한, 본 발명중 제5 국면에 관한 것에 의하면, 모든 불량비트가 특정된 후에 불필요한 주사가 행해지는 것을 회피할 수 있다.

또한, 본 발명중 제6 국면에 관한 것에 의하면, 모든 불량비트가 특정된 후에 불필요한 주사가 행해지는 것을 회피할 수 있다.

또한, 본 발명중 제7 국면에 관한 것에 의하면, 이격적으로 연속하는 라인불량이 제1 FBM 내에 존재하고 있는 경우이어도, 제2 FBM에서, 불량픽셀을 고정밀도로 설정할 수 있다.

또한, 본 발명중 제8 국면에 관한 것에 의하면, 이격적으로 연속하는 라인불량이 제1 FBM 내에 존재하고 있는 경우이어도, 제3 FBM에서, 불량픽셀을 고정밀도로 설정할 수 있다.

또한, 본 발명중 제9 국면에 관한 것에 의하면, 블록 사이즈가 서로 다른 복수의 블록으로 분할된 메모리셀 어레이를 구비하는 메모리 LSI가 검사대상인 경우이어도, 적절히 불량해석을 행할 수 있다.

또한, 본 발명중 제10 국면에 관한 것에 의하면, 블록 사이즈가 서로 다른 복수의 블록으로 분할된 메모리셀 어레이를 구비하는 메모리 LSI가 검사대상인 경우이어도, 적절히 불량해석을 행할 수 있다.

또한, 본 발명중 제11 국면에 관한 것에 의하면, 인접조건을 상세히 설정할수 있으므로, 불량의 인식정밀도를 향상할 수 있다.

또한, 본 발명중 제12 국면에 관한 것에 의하면, 인접조건을 상세히 설정할 수 있으므로, 불량의 인식정밀도를 향상할 수 있다.

또한, 본 발명중 제13 국면에 관한 것에 의하면, 인접조건을 상세히 설정할 수 있으므로, 불량의 인식정밀도를 향상할 수 있다.

또한, 본 발명중 제14 국면에 관한 것에 의하면, 인접조건을 상세히 설정할 수 있으므로, 불량의 인식정밀도를 향상할 수 있다.

또한, 본 발명중 제15 국면에 관한 것에 의하면, 인접조건을 상세히 설정할 수 있으므로, 불량의 인식정밀도를 향상할 수 있다.

또한, 본 발명중 제16 국면에 관한 것에 의하면, 오리지널의 FBM의 데이터 양이 방대한 경우에, 오리지널의 FBM을 부분적으로 인출하여 제1 FBM을 작성함으로써, 처리해야 할 데이터 양을 삭감할 수 있다.

또한, 본 발명중 제17 국면에 관한 것에 의하면, 오리지널의 FBM의 데이터 양이 방대한 경우에, 오리지널의 FBM의 일부를 제1 FBM으로 함으로써, 처리해야 할 데이터 양을 삭감할 수 있다.

Claims (2)

1. (a) 검사대상에 대하여 행해진 소정의 검사결과에 근거하여, 복수의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 제1 FBM(Fail Bit Map)을 작성하는 공정과,

   (b) 제1 축퇴율로 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제2 FBM을 작성하는 공정과,

   (c) 상기 제2 FBM에 근거하여, 상기 제1 FBM 내에서 불량비트가 존재하고 있는 영역을 특정하는 공정과,

   (d) 상기 제1 축퇴율보다도 낮은 제2 축퇴율로, 상기 영역에 대응하는 부분의 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제3 FBM을 작성하는 공정과,

   (e) 상기 제3 FBM에 근거하여, 상기 불량비트를 특정하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 불량해석방법.
2. (a) 검사대상에 대하여 행해진 소정의 검사결과에 근거하여, 복수의 비트가 행렬형으로 나열된 패턴을 갖는 제1 FBM(Fail Bit Map)을 작성하는 공정과,

   (b) 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 제1 패턴을 갖는 제2 FBM을 작성하는 공정과,

   (c) 상기 제1 FBM을 축퇴함으로써, 상기 제1 패턴과는 다른 제2 패턴을 갖는 제3 FBM을 작성하는 공정과,

   (d) 상기 제2 FBM에 근거하여, 제1 불량을 특정하는 공정과,

   (e) 상기 제3 FBM에 근거하여, 제2 불량을 특정하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 불량해석방법.