KR20030071005A - 박막 트랜지스터 어레이 기판 - Google Patents

박막 트랜지스터 어레이 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20030071005A
KR20030071005A KR1020020010501A KR20020010501A KR20030071005A KR 20030071005 A KR20030071005 A KR 20030071005A KR 1020020010501 A KR1020020010501 A KR 1020020010501A KR 20020010501 A KR20020010501 A KR 20020010501A KR 20030071005 A KR20030071005 A KR 20030071005A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
thin film
signal
film transistor
signal line
Prior art date
Application number
KR1020020010501A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100859509B1 (ko
Inventor
송유리
전상익
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020010501A priority Critical patent/KR100859509B1/ko
Publication of KR20030071005A publication Critical patent/KR20030071005A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100859509B1 publication Critical patent/KR100859509B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

절연 기판 위에 게이트선이 가로 방향으로 형성되어 있고, 유지 용량선과 유지 전극이 형성되어 있으며, 게이트선 및 유지 용량선과 절연되어 교차하는 데이터선이 세로 방향으로 형성되어 있다. 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 박막 트랜지스터에는 화소 전극이 연결되어 있다. 화소 전극과 동일한 층에 게이트선 양쪽에 위치하는 유지 용량선과 유지 전극을 연결하는 다리가 형성되어 있다. 이 때, 유지 용량선을 포함하는 유지 용량 배선은 가장 가장자리에 열 방향 또는 행 방향의 화소에는 다른 화소와 동일한 배선 구조로 형성되어 있는 더미 배선을 가진다. 이렇게, 다른 화소와 동일하게 가장 가장자리에 위치하는 화소에 주사 신호 또는 영상 신호를 전달하는 게이트선이나 데이터선에 인접하게 더미 배선을 추가하여 가장자리 화소와 다른 화소의 구동 조건을 동일하게 형성함으로써 표시 장치의 표시 특성을 균일하게 확보할 수 있다.

Description

박막 트랜지스터 어레이 기판{a thin film transistor array panel}
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판 사이에 액정을 주입하고, 전극에 가하는 전압의 세기를 조절하여 광 투과량을 조절하는 구조로 되어 있다.
이러한 액정 표시 장치는 매트릭스 배열의 화소를 가지며, 각각의 화소에는 매트릭스 형태로 배열되어 있으며, 각각의 화소에는 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터를 통하여 신호선과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극에 형성되어 있다. 각각의 화소는 일단은 화소 전극이며 타단은 액정층을 매개로 화소 전극과 마주하는 공통 전극을 포함하는 액정 축전기와 일단은 화소 전극이며 타단은 절연층을 매개로 화소 전극과 마주하는 유지 전극을 포함하는 유지 축전기를 가진다.
여기서에서, 박막 트랜지스터 기판은 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로서 사용되며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 주사 신호를 전달하는 주사 신호선 또는 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하며 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터선이 형성되어 있고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성되어 있다. 박막 트랜지스터는 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극과 채널을 형성하는 반도체층, 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극과 드레인 전극 및 게이트 절연막 등을 포함하며, 게이트선을 통하여 전달되는 주사 신호에 따라 데이터선을 통하여 전달되는 화상 신호를 화소 전극에 전달 또는 차단하는 스위칭 소자이다.
이러한 액정 표시 장치에서 각각의 화소는 데이터선을 통하여 화소 전극에 전달되는 화상 신호를 박막 트랜지스터를 통하여 제어함으로써 구동하여 화상을 표시한다.
이때, 실질적으로 각각의 화소에는 액정 축전기 및 유지 축전기뿐아니라 서로 인접한 배선 또는 전극들은 절연막을 매개로 하여 기생 축전기가 만들어지며, 구동시에는 커플링 용량을 만들어지며, 이들은 액정 분자를 미치는 전계에 영향을 미친다.
하지만, 화상이 표시되는 표시 영역의 가장자리에 배치되어 있는 화소의 배선 구조는 다른 화소의 배선 구조와 달라 가장자리 화소의 구동 조건은 다른 화소의 구동 조건과 다른 특성을 가진다. 이로 인하여 전체적인 표시 패널에 불균일을 가져올 수 있으며 이는 제품의 불량을 야기한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 균일한 표시 특성을 확보할 수 있는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 배치도이고,
도 2는 도 1의 II 영역을 확대한 도면이고,
도 3은 도 2의 III-III'선에 대한 단면도이고,
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 배치도이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 가장 가장자리의 화소에도 다른 화소와 동일하게 배선 구조를 가지도록 게이트선 및 데이터선에 인접하게 더미 배선을 형성한다.
구체적으로 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판에는 투명한 절연 기판 위에는 서로 절연되어 교차하는 제1 신호선과 제2 신호선이 형성되어 있으며, 제2 신호선과 절연되어 교차하는 본선과 본선에 연결되어 있는 다수의 가지선을 가지는 신호 배선이 형성되어 있다. 가장 가장자리에 위치하는 화소에 신호를 전달하는 제1 또는 제2 신호선에 나란하게는 신호 배선과 동일한 구조를 가지는 더미 배선이 형성되어 있으며, 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극이 투명한 절연 기판의 상부에 형성되어 있다.
이때, 제1 신호선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이고, 제2 신호선은 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 박막 트랜지스터의 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 박막 트랜지스터의 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선인 것이 바람직하다.
또한, 신호 배선은 게이트선과 나란한 유지 용량선과 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선이며, 더미 배선은 게이트선과 나란하며 유지 용지 용량선과 동일하게 형성될 수 있거나 데이터선과 나란하며 유지 전극과 동일하게 형성될 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에서는 화상이 표시되는 표시 영역의 가장 가장자리에 위치한 화소도 다른 화소와 동일하게 배선 구조를 가지도록 게이트선 및 데이터선에 인접하게 더미 배선을 가지며, 도면에는 가장자리에 위치하는 화소의 배선 구조를 도시하였다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 배선 구조를 도시한 배치도이고, 도 2는 도 1에서 II 영역을 확대한 도면이고, 도 3은 도 2의 III-III선에 대한 단면도이다.
도 1 내지 도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판에는, 유리등의 투명한 절연 기판(10) 위에 게이트 배선(20, 21)과 유지 용량 배선(30, 31, 32, 33, 34, 35, 36)이 형성되어 있다.
게이트 배선(20, 21)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(20)을 포함하며 게이트선(20)의 일부는 상하로 돌출하여 게이트 전극(21)을 이룬다.
유지 용량 배선(30, 31, 31', 32, 33, 34, 35, 36)은 게이트선(20)과 나란한 유지 용량선(30)과 그 가지인 제1 내지 제5 유지 전극(31, 32, 33, 34, 35)을 포함한다. 화소 영역 가장 자리에 위치한 제1 유지 전극(31)은 일단이 유지 용량선(30)에 직접 연결되어 세로 방향으로 뻗어 있고, 제2 유지 전극(32)은 제1 유지 전극(31)의 다른 일단에 돌기의 형태로 연결되어 있다. 제3 유지 전극(33)은 화소 영역에 대하여 제1 유지 전극(31)의 반대쪽 가장자리에 위치하며 세로 방향으로 뻗어 있고, 유지 전극 연결부(36)를 통하여 이웃 화소 영역의 제1 유지 전극(31)과도 연결되어 있다. 제4 유지 전극(34)과 제5 유지 전극(35)은 각각 제1 유지 전극(31)과 제3 유지 전극(33)을 사선 방향으로 연결하고 있는데, 제4 유지 전극(34)은 화소 영역의 왼쪽 아래에서 왼쪽 중앙으로, 제5 유지 전극(35)은 오른쪽 위에서 왼쪽 중앙으로 뻗어 왼쪽 중앙에 두 유지 전극(34, 35)이 수렴하는 형태가 된다. 이들(34, 35)은 제1 유지 전극(31)에 대하여 사선 방향으로 형성되어 있으며, 제4 유지 전극(34)과 제5 유지 전극(35)의 연장선은 약 90°의 각을 이루고 있다. 또한, 유지 용량 배선은 표시 영역의 가장 가장자리에 위치하는 열 방향의화소(Pm)에 영상 신호를 전달하는 데이터선(70)에 인접하게 형성되어 있으며, 제1 유지 전극(31)과 유사한 모양으로 일단이 유지 용량선(30)에 직접 연결되어 세로 방향으로 뻗어 있는 더미 배선(31')을 포함한다. 본 발명에서와 같이 표시 영역의 마지막 열 방향의 화소(Pm)에도 다른 화소와 동일하게 유지 용량선(30)에 연결되어 유지 용량용 전압이 전달되는 더미 배선(31')이 데이터선(70)에 인접하게 형성되어 있어, 마지막 열 방향의 화소(Pm)의 구동 조건 또한 표시 영역의 다른 화소의 구동 조건과 동일하여 표시 장치의 표시 특성을 균일하게 확보할 수 있어 제품의 불량을 최소화할 수 있다. 또한, 이러한 더미 배선(31')은 마지막 열 방향의 화소(Pm)에 영상 신호를 전달하는 데이터선(70)이 단선되는 경우에 수리선으로 사용할 수 있다. 즉, 마지막 열 방향의 화소(Pm)의 데이터선(70)이 단선되었을 때 단선된 부분의 상부 및 하부에서 서로 중첩하는 데이터선(70)과 유지 용량선(30)을 단락시켜 데이터선(70)을 통하여 전달되는 영상 신호를 더미 배선(31')으로 우회시키고, 더미 배선(31')을 포함하며 신호의 간섭을 방지하기 위해 수리선으로 사용되는 부분을 유지 용량 배선(30, 31, 31', 32, 33, 34, 35, 36)으로부터 분리한다.
게이트 배선(20, 21)과 유지 용량 배선(30, 31, 31', 32, 33, 34, 35, 36)은 게이트 절연막(40)으로 덮여 있고, 게이트 절연막(40) 위에는 비정질 규소로 이루어진 반도체층(50, 51)이 형성되어 있다. 반도체층(50, 51)은 세로 방향으로 길게 뻗으며 유지 전극 연결부(36)를 지나가는 세로부(50)와 게이트 전극(21) 부근에서세로 방향으로 확장되어 게이트 전극(21)과 중첩하는 채널부(51)를 포함한다. 반도체층(50, 51)의 위에는 인등의 N형 불순물로 고농도로 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항성 접촉층(60, 61, 62)이 형성되어 있다.
접촉층(60, 61, 62) 및 게이트 절연막(40) 위에는 데이터 배선(70, 71, 72, 74)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 반도체층의 세로부(50)를 따라 뻗은 데이터선(70)과 이에 연결된 소스 전극(71) 및 이들과 분리된 드레인 전극(72)을 포함한다. 소스 전극(71)은 게이트 전극(21) 부근에서 데이터선(70)으로부터 U자형으로 돌출해 있으며, 드레인 전극(72)의 한 끝은 소스 전극(71)의 U자형 부분 중앙으로 뻗어 있으며 다른 쪽 끝은 화소 영역 안쪽으로 뻗어 있다. 또 데이터 배선은 제2 유지 전극(32)과 인접한 지점의 게이트선(20) 위에 위치하고 있는 데이터 금속편(74)을 포함한다. 여기에서, 저항성 접촉층(60, 61, 62)은 반도체층(50, 51)과 데이터 배선(70, 71, 72, 74)이 중첩되는 부분에만 형성되어 있다.
데이터 배선(70, 71, 72, 74)의 위에는 보호막(80)이 형성되어 있다. 이 때, 보호막(80)은 드레인 전극(72)의 한쪽 끝을 노출하는 제1 접촉구(81), 데이터 금속편(74)을 노출하는 제2 접촉구(82)를 가지고 있으며, 제2 접촉구(82)의 상하에 각각 위치하는 제2 유지 전극(32)과 유지 용량선(30)의 일부를 노출하는 제3 및 제4 접촉구(83, 84)를 게이트 절연막(40)과 함께 가지고 있다.
보호막(80)의 위에는 제1 접촉구(81)를 통하여 드레인 전극(72)과 연결되어 있는 화소 전극(90), 그리고 제2 접촉구(82)를 통하여 데이터 금속편(74)과 연결되어 있고 제3 및 제4 접촉구(83, 84)를 통하여 제2 유지 전극(32) 및 유지 배선(84)과 연결되어 있는 다리(91)가 형성되어 있다. 화소 전극(90)과 다리(91)는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어진다. 화소 전극(90)은 제1 내지 제3 개구부(92, 93, 94)를 가진다. 제1 및 제2 개구부(92, 93)는 각각 제4 및 제5 유지 전극(34, 35)과 중첩되어 있다. 제3 개구부(94)는 제1 개구부(92)와 제2 개구부(93)의 사이에 형성되어 있고, 화소 전극(90)의 오른쪽 변에서 왼쪽 변을 향하여 뻗어 있으며, 그 입구가 모따기 되어 있다. 한편, 유지 용량 배선(30, 31, 31', 32, 33, 34, 35, 36)에는 화소 전극(90)과 대향하는 공통 전극의 전위가 인가되는 것이 보통이다.
한편, 제1 유지 전극(31)과 유지 용량선(30)에는 각각 돌기의 형태로 표지가 형성되어 있다. 이러한 표지는 배선 불량을 수리할 때 레이저를 조사할 위치를 표시하는 것이다. 표지가 형성되어 있는 부분은 주위에 화소 전극(90)이나 다리(91)가 인접해 있어서 레이저 조사 위치가 약간만 벗어나면 화소 전극(90)이나 다리(91)에 손상을 주거나 화소 전극(90)이나 다리(91)를 다른 배선에 단락시킬 우려가 있는 부분이다. 또, 주변의 다른 불투명 패턴과 교차한다거나 모양이 특이하여 주변의 다른 부분으로부터 구분될 수 있는 특징이 없는 부분에 표지를 형성한다. 본 실시예에서는 표지가 있는 부분은 배선을 수리할 때, 레이저를 조사하여 절단할 부분이다. 표지의 크기는 조사될 레이저빔의 단면적의 넓이(3㎛ ×3㎛)와 층간 중첩 마진(margin), 즉 각 층 형성시의 광마스크의 정렬 오차로 인하여 변동될 수 있는 각 층 패턴의 중첩 폭(2.5~3㎛) 등을 고려하여 길이(유지 용량성 또는 제1 유지 전극의 길이 방향)가 4㎛ 내지 5㎛이고, 폭(유지 용량성 또는 제1 유지전극의 폭 방향)이 0.5㎛ 내지 1.5㎛인 것이 바람직하고, 본 발명의 제1 실시예에서는 길이 4.5㎛, 폭 1㎛ 정도로 형성하였다.
본 발명의 제1 실시예에서는 더미 배선을 데이터선과 나란하게만 형성하였지만, 더미 배선은 게이트선과 나란하게 형성될 수도 있으며, 이에 대하여 도면을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 배치도이다.
제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판은 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판과 대부분 동일한 배선 구조를 가진다.
단, 유지 용량 배선은 표시 영역의 가장 가장자리에 위치하는 행 방향의 화소(Pn)에 주사 신호를 전달하는 게이트선(20)에 인접하게 형성되어 있으며, 유지 용량선(30)과 유사한 모양으로 게이트선(20)에 나란하게 가로 방향으로 뻗어 있는 더미 배선(30')을 포함한다. 물론, 더미 배선(30')은 유지 용량선(30)과 전기적으로 연결되어 유지 전압이 전달된다. 본 발명에서와 같이 표시 영역의 가장 가장자리에 위치하는 행 방향의 화소(Pn)에도 다른 화소와 동일하게 유지 용량선(30)에 연결되어 유지 용량용 전압이 전달되는 더미 배선(30')이 게이트선(20)에 인접하게 형성되어 있어, 마지막 행 방향의 화소(Pn)의 구동 조건 또한 표시 영역의 다른 화소의 구동 조건과 동일하여 표시 장치의 표시 특성을 균일하게 확보할 수 있어 제품의 불량을 최소화할 수 있다. 여기서도, 더미 배선(30')은 마지막 행 방향의화소(Pn)에 주사 신호를 전달하는 게이트선(20)이 단선되는 경우에 수리선으로 사용할 수 있다. 즉, 마지막 행 방향의 화소(Pn)의 게이트선(20)이 단선되었을 때 단선된 부분의 좌측 및 우측에서 서로 중첩하는 게이트선(20)과 다리(91)를 단락시켜 게이트선(20)을 통하여 전달되는 주사 신호를 더미 배선(30')으로 우회시키고, 신호의 간섭을 방지하기 위해 수리선으로 사용되는 부분을 유지 용량 배선(30, 31, 31', 32, 33, 34, 35, 36)으로부터 분리한다.
비록, 이 발명을 가장 실제적이며 바람직한 실시예를 중심으로 하여 설명하였지만, 이 발명은 앞서 설명한 실시예에 한정되지 않으며, 후술하는 특허 청구 범위 내에 속하는 다양한 변형 및 등가물들도 포함한다
이상과 같이, 본 발명에 따르면 가장 가장자리에 위치하는 화소의 배선 구조를 다른 화소의 배선 구조와 동일하게 형성해 둠으로써 가장 가장자리에 위치하는 화소의 구동 조건과 다른 화소의 구동 조건을 동일하게 하여 표시 장치의 표시 특성을 균일하게 확보할 수 있어 제품의 불량을 최소화할 수 있다.

Claims (9)

  1. 투명한 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하고 있는 제2 신호선,
    상기 제2 신호선과 절연되어 교차하는 본선과 상기 본선에 연결되어 있는 다수의 가지선을 가지는 신호 배선,
    가장 가장자리에 위치하는 화소에 신호를 전달하는 상기 제1 또는 제2 신호선에 나란히 형성되어 있으며, 상기 신호 배선과 동일하게 구조를 가지는 더미 배선
    상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 신호선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선인 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  3. 제2항에서,
    상기 제2 신호선은 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 상기 박막 트랜지스터의 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 상기 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 상기 박막 트랜지스터의 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선인 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  4. 제3항에서,
    상기 신호 배선은 상기 게이트선과 나란한 유지 용량선과 상기 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선인 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  5. 제4항에서,
    상기 더미 배선은 상기 게이트선과 나란하며 상기 유지 용지 용량선과 동일하게 형성되어 있는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  6. 제4항에서,
    상기 더미 배선은 상기 데이터선과 나란하며 상기 유지 전극과 동일하게 형성되어 있는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  7. 제4항에서,
    상기 더미 배선은 상기 유지 용량 배선과 전기적으로 연결되어 있는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 신호선의 양쪽에 위치하는 상기 신호 배선을 연결하고 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 있는 다리를 더 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
  9. 제1항에서,
    상기 신호 배선은 제1 신호선 또는 제2 신호선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 지점을 표시하는 표지를 가지는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
KR1020020010501A 2002-02-27 2002-02-27 박막 트랜지스터 어레이 기판 KR100859509B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020010501A KR100859509B1 (ko) 2002-02-27 2002-02-27 박막 트랜지스터 어레이 기판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020010501A KR100859509B1 (ko) 2002-02-27 2002-02-27 박막 트랜지스터 어레이 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030071005A true KR20030071005A (ko) 2003-09-03
KR100859509B1 KR100859509B1 (ko) 2008-09-22

Family

ID=32222802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020010501A KR100859509B1 (ko) 2002-02-27 2002-02-27 박막 트랜지스터 어레이 기판

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100859509B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101502836B1 (ko) * 2008-03-21 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3367808B2 (ja) * 1995-06-19 2003-01-20 シャープ株式会社 表示パネルの駆動方法および装置
JP3256730B2 (ja) * 1996-04-22 2002-02-12 シャープ株式会社 液晶表示装置、およびその駆動方法
KR100228282B1 (ko) * 1996-09-17 1999-11-01 윤종용 액정 표시 장치
JP3680527B2 (ja) * 1997-01-31 2005-08-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法
JP3376379B2 (ja) * 1997-02-20 2003-02-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法
KR19990026583A (ko) * 1997-09-25 1999-04-15 윤종용 액정 표시 장치 및 데이터선 수리 방법
KR20000001469U (ko) * 1998-06-25 2000-01-25 김영환 액정표시장치
JP4519251B2 (ja) * 1999-10-13 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその制御方法
JP2002040481A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 表示装置、その製造方法、及び配線基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101502836B1 (ko) * 2008-03-21 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널

Also Published As

Publication number Publication date
KR100859509B1 (ko) 2008-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100796749B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
CN101110443B (zh) 显示基板、其制造方法和具有显示基板的显示设备
US7839460B2 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100740938B1 (ko) 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판
KR20100048002A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101938716B1 (ko) 액정 표시 장치
KR100686270B1 (ko) 액정 표시 장치
KR102078807B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20030094452A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
CN102043273A (zh) 常黑模式液晶显示器装置
KR20060084147A (ko) 박막트랜지스터 기판
KR100686235B1 (ko) 액정 표시 장치용 기판
JP5221408B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR100859509B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100675315B1 (ko) 액정표시장치
KR100759968B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR100720084B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100656902B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100631369B1 (ko) 액정표시장치용 어레이패널 및 그의 제조방법
KR100709712B1 (ko) 액정 표시 장치의 패드 구조
KR100623978B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100543033B1 (ko) 액정표시장치의제조방법
KR100670057B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100333982B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR101232145B1 (ko) 액정표시장치의 검사용 기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120914

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130830

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160831

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180829

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190822

Year of fee payment: 12