KR20000001469U - 액정표시장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 스토리지 전극과 데이터 버스 라인간의 쇼트 발생시 용이하게 리페어 할 수 있는 액정 표시 장치를 개시한다.

개시된 본 고안은 기판상에 교차 배열되어 단위화소 공간을 한정하는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인, 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 부근에 발생되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 콘택되면서, 단위 화소 공간에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극과 오버랩되며, 게이트 버스 라인과 평행하게 배열되는 제 1 전극부와, 상기 제 1 전극부로부터 데이터 버스 라인과 평행하는 방향으로 배치되되, 단위 화소를 구성하는 데이터 버스 라인들과 인접하면서 단위 화소의 가장자리에 배치되는 한 쌍의 제 2 전극부 및 상기 제 2 전극부와 인접하는 다른 단위 화소의 제 2 전극부간을 연결하는 제 3 전극부를 구비하는 스토리지 전극을 포함하며, 상기 스토리지 전극의 제 1 전극부와 제 3 전극부는 데이터 버스 라인과 교차된다.

Description

액정 표시 장치

본 고안은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 스토리지 전극과 데이터 버스 라인간의 쇼트 발생시 용이하게 리페어 할 수 있는 액정 표시 장치의 스토리지 전극 구조에 관한 것이다.

일반적으로 스토리지 전극은 게이트 버스 라인의 비선택 기간시, 일정 기간(1 프레임)동안 액정 분자들이 전계의 영향을 받도록 한다. 더불어, 게이트 버스 라인이 선택에서 비선택되었을때, 즉, 전압 강하의 순간에도, 셀에 직접적으로 영향을 미치지 않도록 하는 완충 역할을 한다.

그러나, 이러한 스토리지 전극은 게이트 버스 라인과 동시에 불투명한 물질로 형성된다. 이에따라, 스토리지 전극은 액정 표시 장치의 개구율을 감소시키는 원인중 하나가 되었다.

따라서, 종래에는 액정 표시 장치의 보조 용량을 확보하면서, 개구율을 감소를 방지하기 위하여, 스토리지 전극이 단위 셀의 테두리에 "π" 자형태로 형성되는 구조가 제안되었다.

도 1을 참조하여, 하부 기판(1) 상에 게이트 버스 라인(3)과 데이터 버스 라인(5)은 교차 배열되어, 사각의 단위 화소 공간을 한정한다. 게이트 버스 라인(3)과 데이터 버스 라인(5)의 교차점 부근에는 박막 트랜지스터(TFT1)가 배치되고, 이 박막 트랜지스터(TFT1)와 콘택되면서, 각각의 단위 화소 공간에는 화소 전극(7)이 배치된다.

또한, 화소 전극(7)과 오버랩되도록, 스토리지 전극(9)이 형성된다. 이 스토리지 전극(9)은 게이트 버스 라인(3)과 평행하는 제 1 전극부(9a)와 제 1 전극부(9a)로부터 데이터 버스 라인과 평행하는 방향으로 연장되는 단위 화소당 한 쌍의 제 2 전극부(9b)를 포함한다. 이때, 제 1 전극부(9a)는 게이트 버스 라인(3) 사이의 공간에 각각 배치되되, 바람직하게는 해당 단위 화소를 선택하는 게이트 버스 라인의 전단과 인접하도록 배치되면서, 제 2 전극부(9b)는 단위 화소를 구성하는 데이터 버스 라인(5)의 내측에 존재하도록 배치된다. 즉, 스토리지 전극(9)이 화소 전극(7)의 가장자리를 둘러싸게 된다.

이와같이, 스토리지 전극(9)이 형성되면, 화소 전극(7)과 충분하게 오버랩되므로, 충분한 캐패시턴스를 확보할 수 있으며, 스토리지 전극(9)이 형성되는 부분이 상부 기판에서 블랙 매트릭스(도시되지 않음)가 형성되는 부분이므로, 개구율이 감소되지 않는다.

그러나, 상기와 같은 종래의 액정 표시 장치의 스토리지 전극은 하나의 로우(row)당 단일선으로 형성됨에 따라, 다음과 같은 문제점이 발생된다.

즉, 도 1에서와 같이, 스토리지 전극(9)과 데이터 버스 라인(5)이 교차되는 부분(x로 표시됨)에는 공정중 잔재로 인하여, 쇼트가 발생되기 쉽다.

이와같이, 교차 부분(x)에 쇼트가 발생되면, 신호 왜곡이 발생되므로, 스토리지 전극(9)의 A 부분을 커팅시켜줘야 한다.

그러나, 단일선으로 된 스토리지 전극(9)을 커팅시키게 되면, 커팅된 부분 이후의 부분에는 공통 신호가 인가되지 않아, 스토리지 캐패시턴스가 형성되지 않으므로, 리페어가 불가능하게 된다.

따라서, 본 고안의 목적은, 스토리지 전극과 데이터 버스 라인에 쇼트가 발생되더러라도 용이하게 리페어 할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.

도 1은 종래의 액정 표시 장치의 하부 기판의 레이아웃을 보여주는 도면.

도 2는 본 고안에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판의 레이아웃을 보여주는 도면.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

11 : 기판 13 : 게이트 버스 라인

15 : 데이터 버스 라인 17 : 화소 전극

19 : 스토리지 전극 19a : 제 1 전극부

19b : 제 2 전극부 19c : 제 3 전극부

상기한 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 기판상에 교차 배열되어 단위화소 공간을 한정하는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인, 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 부근에 발생되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 콘택되면서, 단위 화소 공간에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극과 오버랩되며, 게이트 버스 라인과 평행하게 배열되는 제 1 전극부와, 상기 제 1 전극부로부터 데이터 버스 라인과 평행하는 방향으로 배치되되, 단위 화소를 구성하는 데이터 버스 라인들과 인접하면서 단위 화소의 가장자리에 배치되는 한 쌍의 제 2 전극부 및 상기 제 2 전극부와 인접하는 다른 단위 화소의 제 2 전극부간을 연결하는 제 3 전극부를 구비하는 스토리지 전극을 포함하며, 상기 스토리지 전극의 제 1 전극부와 제 3 전극부는 데이터 버스 라인과 교차된다.

본 고안에 의하면, 스토리지 전극을 전체적으로는 단일선으로 형성하되, 데이터 버스 라인과 교차되는 부분에서는 이중으로 형성한다.

이에따라, 데이터 버스 라인과 스토리지 전극의 교차 부분 중 어느 한 부분에 쇼트가 발생되면 쇼트가 발생된 부분을 커팅하고, 나머지 부분을 통하여 공통 신호가 전달되도록 한다.

이하 첨부한 도면에 의거하여 본 고안의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.

첨부한 도면 도 2는 본 고안에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판 평면도이다.

도 2를 참조하여, 하부 기판(11) 상에 수개의 게이트 버스 라인(13)과 데이터 버스 라인(15)이 교차 배열되어, 사각의 단위 화소 공간을 한정한다. 이때, 게이트 버스 라인(13)과 데이터 버스 라인(15)은 사이에 게이트 절연막이 개재되어, 서로를 절연시킨다.

게이트 버스 라인(13)과 데이터 버스 라인(15)의 교차점 부근에는 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT2)가 배치된다.

각각의 단위 화소 공간에는 박막 트랜지스터(TFT2)와 콘택되도록, 화소 전극(17)이 배치된다. 이때, 화소 전극은 단위 화소를 구성하는 게이트 버스 라인(13) 및 데이터 버스 라인(15)과 소정 거리만큼 이격되어 있다.

화소 전극(17)과 오버랩되도록 하부 기판(11)상에 스토리지 전극(19)이 형성된다. 이때, 스토리지 전극(19)은 게이트 버스 라인(13)과 평행하는 제 1 전극부(19a)와 제 1 전극부(19a)로부터 데이터 버스 라인(15)과 평행하는 방향으로 배치되되, 단위 화소를 구성하는 데이터 버스 라인(15)들과 인접하면서 단위 화소의 가장자리에 배치되는 한 쌍의 제 2 전극부(19b) 및 상기 제 2 전극부(19b)와 인접하는 단위 화소의 제 2 전극부(19b)를 연결하는 제 3 전극부(19c)를 포함한다. 상기 스토리지 전극은 기판(11) 표면에 배치된다.

이때, 제 1 전극부(19a)는 게이트 버스 라인(13) 사이의 공간에 각각 배치되면서, 바람직하게는 해당 단위 화소를 선택하는 게이트 버스 라인(13)의 전단과 인접하도록 배치된다. 제 2 전극부(19b)는 단위 화소를 구성하는 데이터 버스 라인(15)의 측면에 존재하도록 연장된다. 이에따라, 제 1 전극부(19a)와 제 2 전극부(19b)에 의하여 화소 전극(7)의 가장자리 일부가 둘러싸여 진다. 제 3 전극부(19b)는 데이터 버스 라인(15)을 사이에 두고 인접하는 다른 단위 화소에 배치되는 제 2 전극부(19b)간을 연결한다. 바람직하게는 제 3 전극부(19b)는 게이트 버스 라인(13)과 평행하다. 따라서, 데이터 버스 라인(19)은 스토리지 전극(19)의 제 1 전극부(19a) 및 제 3 전극부(19c)와 교차되는 것이다.

이와같은 구조를 갖는 스토리지 전극(19)은 스토리지 전극(19)의 제 1 전극부(19a)와 데이터 버스 라인(15)이 교차되는 부분(y로 표시됨)에 쇼트가 발생되면 쇼트가 발생된 부분(y) 주변의 제 1 전극부(19a)를 레이져로 커팅한다. 도면에서 B로 표시된 부분은 데이터 버스 라인(15)과 스토리지 전극(19)의 교차 부분에 쇼트가 발생되었을 때 커팅되는 부분을 나타낸다.

이와같이, 쇼트되는 부분이 커팅되더라도, 스토리지 전극(19)에 전달되는 공통 신호는 제 2 전극부(19b) 및 제 3 전극부(19c)를 통하여, 인접하는 다음의 단위화소의 스토리지 전극(19)에 전달된다.

이때, 스토리지 전극(19)은 종래와 마찬가지로 상부 기판에서 블랙 매트릭스(도시되지 않음)가 형성되는 부분에 배치되므로, 개구율이 감소되지 않는다.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 고안에 의하면, 스토리지 전극을 전체적으로는 단일선으로 형성하되, 데이터 버스 라인과 교차되는 부분에서는 이중으로 형성한다.

이에따라, 데이터 버스 라인과 스토리지 전극의 교차 부분 중 어느 한 부분에 쇼트가 발생되면 쇼트가 발생된 부분을 커팅하고, 나머지 부분을 통하여 공통 신호가 전달되도록 한다.

따라서, 스토리지 전극과 데이터 버스 라인간의 쇼트시 용이하게 리페어 할수 있다.

또한, 스토리지 전극이 화소 전극 외곽의 소정 부분을 둘러싸도록 배치되므로 개구율의 감소를 방지한다.

기타, 본 고안은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (1)

1. 기판상에 교차 배열되어 단위화소 공간을 한정하는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인;

   상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 부근에 발생되는 박막 트랜지스터;

   상기 박막 트랜지스터와 콘택되면서, 단위 화소 공간에 배치되는 화소 전극;

   상기 화소 전극과 오버랩되며, 게이트 버스 라인과 평행하게 배열되는 제 1 전극부와, 상기 제 1 전극부로부터 데이터 버스 라인과 평행하는 방향으로 배치되되, 단위 화소를 구성하는 데이터 버스 라인들과 인접하면서 단위 화소의 가장자리에 배치되는 한 쌍의 제 2 전극부 및 상기 제 2 전극부와 인접하는 다른 단위 화소의 제 2 전극부간을 연결하는 제 3 전극부를 구비하는 스토리지 전극을 포함하며,

   상기 스토리지 전극의 제 1 전극부와 제 3 전극부는 데이터 버스 라인과 교차되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.