KR20030068175A - 나노 구조물의 브레이크다운을 전기적으로 유도하기 위한시스템 및 방법 - Google Patents

나노 구조물의 브레이크다운을 전기적으로 유도하기 위한시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030068175A
KR20030068175A KR10-2003-7007987A KR20037007987A KR20030068175A KR 20030068175 A KR20030068175 A KR 20030068175A KR 20037007987 A KR20037007987 A KR 20037007987A KR 20030068175 A KR20030068175 A KR 20030068175A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanotubes
semiconducting
metallic
nanotube
substrate
Prior art date
Application number
KR10-2003-7007987A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100621444B1 (ko
Inventor
하에든 아보우리스
필립 컬린스
리차드 마텔
Original Assignee
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Publication of KR20030068175A publication Critical patent/KR20030068175A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100621444B1 publication Critical patent/KR100621444B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/17—Memory cell being a nanowire transistor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/18—Memory cell being a nanowire having RADIAL composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/845—Purification or separation of fullerenes or nanotubes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/847—Surface modifications, e.g. functionalization, coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/888—Shaping or removal of materials, e.g. etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/936—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application in a transistor or 3-terminal device
    • Y10S977/938—Field effect transistors, FETS, with nanowire- or nanotube-channel region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

장치를 형성하기 위한 방법이 제공된다. 본 방법은 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 절연 기판을 구비한다. 본 방법은 기판과 접촉하는 금속성 및 반도체성 성분 나노튜브를 포함하는 탄소 나노튜브 다발을 구비한다. 본 방법은 게이트 전극에 전압을 가해 반도체성 성분 나노튜브로부터 캐리어를 공핍화하고, 나노튜브를 통해서 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전류를 가하고, 적어도 하나의 금속성 성분 나노튜브를 쪼개서 전계 효과 트랜지스터를 형성한다. 탄소 나노튜브 다발은 다중벽 나노튜브 또는 단일벽 나노튜브 로프일 수 있다.

Description

나노 구조물의 브레이크다운을 전기적으로 유도하기 위한 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR ELECTRICALLY INDUCED BREAKDOWN OF NANOSTRUCTURES}
분자 나노일레트로닉스(molecular nanoelectronics)의 분야에서, 나노튜브(nanotubes) 만큼 유망한 재료는 거의 없으며, 특히 지름이 옹스트롬 단위이고, 속이 빈 실린더 형태의 그래파이트(graphite)를 포함하는 탄소 나노튜브(carbon nanotubes)가 유망하다. 나노튜브는 전기적 특성에 따라, 다이오드 및 트랜지스터와 같은 작은 전자 장치로 만들어질 수 있다. 나노튜브는 고유의 크기, 모양 및 물리적 특성을 갖는다. 구조적으로 탄소 나노튜브는 실린더 형태로 둥글게 말린 탄소의 6각 격자와 유사하다.
탄소 나노튜브는 저온에서 흥미로운 양자 움직임을 보이는 것 이외에, 적어도 두 개의 중요한 특성을 나타낸다. 즉, 나노 튜브는 키랄성(chirality), 즉 배좌 형태(conformational geometry)에 따라 금속 또는 반도체의 성질을 가질 수 있다. 금속성 나노튜브(metallic nanotubes)는 일정한 저항률로 매우 큰 전류 밀도를 운반할 수 있다. 반도체성 나노튜브(semiconducting nanotubes)는 전계 효과트랜지스터(FET)와 같이 전기적으로 "온" 또는 "오프"될 수 있다. 두 가지 형태의 나노튜브는 (전자를 공유해서) 공유 결합될 수 있다. 이러한 특성은 나노튜브가 나노미터 크기의 반도체 회로를 만드는데 있어서 우수한 재료라는 점을 나타낸다.
나노튜브를 연구하는 현재의 방법은 금속성 및 반도체성 나노튜브의 램덤한 형성에 기초하고 있다. 특정 특성을 가진 나노튜브를 안정적으로 제공하기 위한 방법은 아직 알려지지 않고 있으며, 트랜지스터, 다이오드 등과 같은 접합 특성(junctional behavior)을 나타내는 나노튜브를 제공하기 위한 방법 역시 알려지지 않고 있다. 선택적인 합성 또는 후합성(post-synthesis)에 의해 나노튜브를 분리하는 방법으로서, 소정의 성공 확률을 갖는다고 증명된 방법 역시 알려져 있지 않다. 따라서, 지금까지 나노튜브는 금속성 또는 반도체성 나노튜브의 혼합물로부터 개별적으로 분리되거나 또는 고려 대상이 되는 전극 상에 랜덤하게 배치되어 왔다. 그러나, 그러한 방법에는 현저한 일관성은 없다.
함께 다발지으려는 나노튜브의 성향에 따른 제어성의 부족은 나노튜브 물리학의 연구를 방해하여 왔고, 나노튜브 기반 전자 공학 기술을 포함하는 나노튜브 기술의 발전을 저해하여 왔다. 그러므로, 소정의 특성을 갖는 나노튜브를 제공할 수 있는 시스템 및 방법이 필요하다.
본 발명은 나노 구조물(nanostructure)에 관한 것으로, 특히 나노구조의 브레이크다운을 전기적으로 유도 하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
도 1a, 1b 및 1c는 나노튜브와, 이를 구성하는 6각형 고리의 도면.
도 2a는 다중벽 나노튜브를 도시하는 도면.
도 2b는 단일벽 나노튜브 로프를 도시하는 도면.
도 3은 시간에 대해 일정한 전압에서 다중벽 나노튜브의 부분적 전기 브레이크다운의 그래프.
도 4a는 브레이크다운의 각 단계에서 다중벽 나노튜브의 최외곽 껍질의 하전 특성으로 인한 반도체성과 금속성 특성 사이의 낮은 바이어스 컨덕턴스 변화 정도를 도시하는 그래프.
도 4b는 마지막 금속성 껍질이 다중벽 나노튜브로부터 제거된 후에 남아있는 반도체성 껍질의 컨덕턴스를 도시하는 그래프.
도 4c는 껍질 수, 지름 및 상대적인 밴드 갭 에너지(relative band gap energy) 사이의 관계를 도시하는 표.
도 5는 다중벽 나노튜브의 각 껍질에 대한 전류(I) 대 전압(V)을 도시하는 그래프.
도 6a, 6b, 6c, 6d는 반도체성 전계 효과 트랜지스터로의 분자 도전체의 램덤 혼합물의 몇몇 변화를 도시하는 도면.
도 7a는 전극의 어레이를 도시하는 도면.
도 7b는 소스, 드레인 및 게이트를 포함하는 단일벽 나노튜브 로프 기반 전계 효과 트랜지스터.
따라서, 본 발명에 따른 장치 형성 방법은 기판을 구비하는 단계, 기판과 접촉하는 다수의 나노튜브를 구비하는 단계 및 전류를 이용해서 선택적으로 나노튜브를 쪼개는 단계를 포함한다. 바람직하게는 본 방법은 전류를 이용해서 반도체성나노튜브로부터 캐리어를 공핍화하는 단계를 더 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 반도체성 나노튜브로부터 다수의 캐리어를 공핍화하는 단계는 기판 상의 게이트 전극에 전압을 가하는 단계를 더 포함하는 것이 좋다. 바람직하게는 본 방법은 나노튜브를 통해서 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전류를 인가하는 단계를 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는, 다수의 나노튜브는 금속성 및 반도체성 나노튜브를 포함하는 다중벽 나노튜브(multi-walled nanotubes)인 것이 좋다. 바람직하게는 본 방법의 선택적으로 쪼개는 단계는 외부 금속성 나노튜브를 쪼개는 것을 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 다수의 나노튜브는 금속성 및 반도체성 나노튜브를 포함하는 단일벽 나노튜브 로프(single-walled nanotube ropes)이고, 쪼개는 단계는 적어도 하나의 금속성 나노튜브를 쪼개는 단계를 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 나노튜브는 단분자층(monolayer)과 1 퍼센트 덮임율(one percent coverage)의 약 1/10 사이의 밀도로 구비되는 것이 좋다.
바람직하게는 기판은 절연체이고 금속성 패드의 어레이를 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 기판은 실리카(silica) 기반이고 금속성 패드의 어레이를 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 각 패드는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극 중 하나를 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 기판을 구비하는 단계는 리소그래피를 이용해서 패드의 어레이를 형성하도록 행하여지고, 각 패드는 절연 기판 상의 대응 전극을 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 나노튜브는 탄소 나노튜브인 것이 좋다.
바람직하게는 본 방법은 다수의 스트레이 나노튜브(stray nanotubes)를 쪼개는 단계를 더 포함하는 것이 좋다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 나노튜브 혼합물을 구비하는 단계 및 혼합물에 전류를 가하여 나노튜브 혼합물의 선택적 브레이크다운을 유도하는 단계를 포함하는, 나노튜브의 적어도 하나의 특성을 변형하는 방법을 제공한다. 바람직하게는 본 방법은 반도체성 나노튜브로부터 캐리어를 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 전류는 금속성 나노튜브를 선택적으로 쪼개는 것이 좋다. 바람직하게는 혼합물에 가해지는 전력은 약 500μW인 것이 좋다.
바람직하게는 나노튜브는 다중벽 나노튜브 및 단일벽 나노튜브 로프 중의 하나인 것이 좋다.
바람직하게는 특성은 지름, 밀도 및 컨덕턴스 중의 하나인 것이 좋다.
바람직하게는 혼합물은 금속성 및 반도체성 나노튜브를 포함하는 것이 좋다.
바람직하게는 전류 밀도는 109A/㎠ 보다 큰 것이 좋다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 절연 기판을 구비하는 단계와, 기판과 접촉하는 금속성 및 반도체성 성분 나노튜브를 포함하는 탄소 나노튜브 다발을 구비하는 단계(여기서, 나노튜브는 약 1퍼센트 덮임율의 밀도로 구비됨)와, 게이트 전극에 전압을 가해 반도체성 성분 나노튜브로부터 캐리어를 공핍화하는 단계와, 나노튜브를 통해서 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전류를 가하는 단계와, 전계 효과 트랜지스터를 형성하기 위하여 적어도 하나의 금속성 성분 나노튜브를 쪼개는 단계를 포함하는 장치 형성 방법을 제공한다.
바람직하게는 탄소 나노튜브 다발(carbon nanotube bundle)은 다중벽 나노튜브 또는 단일벽 나노튜브 로프인 것이 좋다.
본 발명에 따르면 다중벽 나노튜브(multi-walled nanotube; MWNT) 또는 단일벽 나노튜브(single-walled nanotube; SWNT) 로프 또는 다발을 영구적으로 변형하는 방법이 제공된다. 나노튜브는 키랄성(즉, 배좌 형태)에 따라 금속성 또는 반도체성이 될 수 있다. 모든 나노튜브는 MWNT와 SWNT이다. 본 발명에 따른 방법은 전류 유도 전기 브레이크다운(current-induced electrical breakdown)을 이용해서 특정 특성을 갖는 개개의 나노튜브를 제거한다. 본 방법은 구성하고 있는 나노튜브의 비를 변화시킴으로써 합성 나노튜브(composite nanotube)의 특성을 용도에 맞게 만들 수 있다. 본 발명은 탄소 기반 나노튜브를 이용해서 설명하지만, 본 발명의 방법은 전류가 특정 표면 영역에 선택적으로 가해질 수 있는 임의의 분자 구조에 대하여도 적용 가능하다는 것을 유의해야 한다. 예를 들어, 본 발명은 붕소-질화물(Boron-Nitride; BN) 및 메탈 디칼코지니드(metal dichalcogenids; MX2) 기반의 나노구조에서 이용될 수 있다.
탄소 나노튜브는 부분적으로 탄소-탄소 결합력(예를 들어, 단일 C-C 결합에 대한 결합력은 약 347kJ/mol이다)으로 인해 109A/㎠를 넘는 전류 밀도를 견딜 수 있다. 그러나, 궁극적으로 충분히 높은 전류에서는 나노튜브가 파손될 것이다. 예를 들어, MWNT에 대하여, 특정 임계 전력, 예를 들어 약 500μW에서의 대기 중에서 파손이 일어나는데, 그 이상의 전력에서는 최외곽 탄소 껍질이 급속하게 산화하기 시작된다. 전력은 전류에 전위 차(즉, 전압)를 곱한 것과 같다. 열로 유도된 결함이 없는 그래파이트의 산화는 매우 높은 온도, 예를 들어, > 2000NC 이상에서만 진행되기 때문에, 본 발명에 따른 브레이크다운 개시의 주요 인자는 전류 유도 결함 형성(current-induced defect formation)이고, 자기 가열(self-heating)은 2차적인 효과가 된다.
도 1a를 참조하면, 나노튜브(102)는 탄소 또는 다른 분자의 6각형 격자를 포함한다. 탄소의 경우, 서로 공유 결합된 6개의 탄소를 포함하는 고리(104)가 형성될 수 있다. 도 1b는 개개의 탄소 고리를 도시하고 있는 데, 여기서 각각의 교점(106)은 개개의 탄소 원자를 나타내고, 이들 간의 결합은 도면 부호 "107"에 의해 표시되어 있다. 이와 다른 구조는 붕소-질화물 고리인데, 그 하나의 형태가 도 1c에 도시되어 있다. 붕소-질화물 고리는, 서로 교번하는 방식으로 3개의 질소 원자(예를 들어, 108)에 결합된 3개의 붕소 원자(예를 들어, 110)를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 전류 유도 결함 형성을 이용하여, 평행 나노튜브가 전류를 거의 또는 전혀 운반하지 않는 경우에 평행 나노튜브에 영향을 미치지 않고 전류 운반 나노튜브를 선택적으로 쪼갠다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같은 MWNT는 외부 전극(예를 들어, 소스 및 드레인)과 직접 접촉되어 있는 최외곽 껍질(102)을 선호한다. 이러한 분포는 전류를 거의 또는 전혀 운반하지 않는 최내곽 껍질을 남겨둘 수 있는데, 이는 전류 유도 산화 동안 최내곽 껍질을 보호한다. 도 2b에서 도시된 바와 같이, SWNT 로프에서, 개개의 나노튜브(예를 들어, 102)는 평행하게 배열된다. SWNT 로프를 통해 흐르는 전류의 분포는, SWNT 로프의 개개의 나노튜브가 동시에 외부 전극과 양호하게 접촉할 수 있기 때문에, MWNT를 통해 흐르는 전류 분포보다 더 균일하다.
일반적으로 전류가 SWNT를 더 선호할 이유는 없지만, 본 발명의 실시예에 따르면, 정전기적으로 결합된 게이트 전극은 이러한 전극을 구성하고 있는 반도체성 나노튜브로부터 캐리어를 선택적으로 제거할 수 있다. 환언하면, 소스 전극 및 드레인 전극에 걸치는 SWNT 또는 MWNT에 대하여, 대응 게이트 전극에 전압을 가함으로써, 전극을 구성하고 있는 반도체성 나노튜브로부터 캐리어를 제거할 수 있다. 캐리어가 제거되면, 반도체성 나노튜브는 손상으로부터 보호되고, 소스 전극에 의해 SWNT 또는 MWNT에 가해지는 높은 전류 밀도가 전극을 구성하고 있는 금속성 나노튜브의 산화를 개시시키기 위해 이용될 수 있다. 그러므로, 이 방법은 외곽 반도체성 MWNT 껍질 뿐만 아니라 SWNT 로프 내에서 반도체성 나노튜브를 보호할 수있다. 이와 같은 합성 전도체로부터 탄소 나노튜브를 제거한 것은 전기적으로 또는 현미경을 통해서 관측될 수 있다. 전기적으로, 단일 탄소 나노튜브의 브레이크다운은, 부분적인 컨덕턴스의 하강을 유발하며, 일반적으로 수 밀리초(millisecond)에서 끝난다. 충분히 높은 바이어스가 가해질 때, 탄소 껍질이 연달아 쪼개질 때 다수의 독립적인 하강이 일어날 수 있다. 브레이크다운에 이용되는 전자회로는 쪼개지는 나노튜브의 갯수를 제어할 수 있다. 전류 하강, 예를 들어, 약 19μA를 감지하면, 전자 회로는 브레이크다운 프로세스를 중지하여 표시 특성(exhibited characteristics)을 제어할 수 있다.
도 3을 참조하면, 일정한 전압 응력(stress)에서 MWNT의 부분적 전기 브레이크다운은 MWNT의 8개의 개개의 층의 손실에 대응하는 일련의 불연속 단계를 거친다. 이 결과는 약 450μW의 전력 및 약 2volts의 전위차에서 얻어졌다. 껍질 당 약 19μA의 전류에서의 일반적인 브레이크다운 역시 도 3에 도시되어 있다. 부분적으로 쪼개진 MWNT의 반지름은 껍질 간 간격(0.34㎚)에 완료된 브레이크다운 단계의 횟수를 곱한 값만큼 감소된다. 반도체성 SWNT는 남겨두면서 금속성 SWNT가 선택적으로 쪼개지는 SWNT 다발에 의해 유사한 시닝(thinning)이 행하여질 수 있다.
상대적으로 작은 전기장 및 전류는 개개의 분자에 영향을 미칠 수 있기 때문에, 브레이크다운은 외부 응력에 대한 나노튜브의 민감도에 의해 보조된다. 예를 들어, 지름이 1nm인 반도체성 나노튜브는 수백 나노미터 떨어진 게이트 전극에 의해 전기적 캐리어가 정전기적으로 제거될 수 있다. (나노튜브 브레이크다운에 영향을 미치기에 충분한) 전류 밀도는, 촉매제로서의 역할을 하며, 나노튜브와 주변가스 사이의 화학 반응을 개시시킨다. 예를 들어, 공기 중에서 탄소 나노튜브에 대한 반응식은 C(나노튜브) + O2(가스) ->CO2(가스)일 수 있다.
본 발명은 또한 비파괴적인 전류 보조 반응이 특정 나노튜브를 화학적으로 변형할 수 있는 다른 환경도 고려한다. 얻어지는 디바이스는 전기적 스위칭 및 화학적 민감도를 통합시킬 수 있다. 예를 들어, 다양한 가스에 대한 나노튜브의 민감도를 이용해서, 화학적 변형이 화학적 나노센서와 관련하여 이용될 수 있고, 여기서 나노센서(나노튜브) 신호의 도전율의 변화가 특정 가스의 존재를 나타낸다.
나노튜브의 파괴를 제어하여, SWNT의 혼합물(금속성 및 반도체성 SWNT를 포함함)로부터 반도체성 SWNT를 분리할 수 있고, 또한 나노튜브 기반 전계 효과 트랜지스터(FET)의 제공할 수 있게 된다. 여기서 개시한 방법은 나노튜브의 특성 및 기판의 설계에 따라, 트랜지스터(예를 들어, FET), 다이오드 및 저항기를 제공하기 위해 이용될 수 있다.
근본적으로, 그 프로세스는 복잡한 전자 구조 및 MWNT와 SWNT 로프의 전송 특성의 연구를 용이하게 할 수 있다. 개개의 컨덕턴스 단계의 발생에서 응력(전류)을 제거함으로써, 이 합성 나노와이어(nanowires)는 각 구성 전도체(나노튜브)의 손실 시 재특성화될 수 있다. 예를 들어, 특성화는 브레이크다운 프로세스 단계 별 MWNT 또는 SWNT 로프의 컨덕턴스 특성을 의미한다. 예를 들어, 다수의 보완적인 전송 측정에 의해 MWNT의 내부 껍질을 더 깊이 탐지할 수 있어서, 각 껍질을 통한 전송의 직접적인 비교뿐만 아니라, 특성화를 가능하게 한다.
MWNT의 다른 껍질은 금속성과 반도체성 사이에서 임의의 방식으로 변한다고 가정한다. 이것은 제어된 브레이크다운을 이용해서 직접적으로 시험되며, 그 후 MWNT의 최외곽 껍질을 탐지하는 낮은 바이어스 또는 낮은 온도 측정에 의해 시험된다. SWNT에 대한 이상의 측정을 따르면, 반도체성 및 금속성 껍질은 비교적 작은 10mV 소스-드레인 바이어스를 이용해서 게이트 전압 Vg의 함수로 컨덕턴스 G를 측정함으로써 구별될 수 있다. 금속성 껍질은 Vg에 독립적이거나 거의 그러한 G에 의해 특성화되고, 반면에 반도체성 껍질은 게이트에 의해 정전기적으로 캐리어가 제거될 수 있다.
도 4a를 참조하면, 각 브레이크다운 발생 시 응력을 멈춤으로써, MWNT는 각 구성 껍질의 손실 후에 특성화될 수 있다. 도 4a는 브레이크다운의 각 단계에서 최외곽 껍질의 변하는 성질로 인한 반도체성(예를 들어, 402 및 406)과 금속성(예를 들어, 404) 특성 사이에서 변하는 낮은 바이어스 컨덕턴스(G(Vg))를 나타낸다. 도 4b에서, 마지막 금속성 껍질(n-9)이 제거될 때, 나머지 반도체성 껍질은 완전히 공핍화되어 "0" 컨덕턴스 영역이 생길 수 있다. 전도대 및 가전자대 경계에 대응하도록 G(Vg)에서 표시된 최고치를 취하면, 다른 껍질의 밴드 갭은 일정하게 또는 비례하여 결정될 수 있다. 상대적 폭은 도 4c에서 도시된 바와 같이 예상 직경에 기초한 계산과 일치하고, 여기서 유일한 파라미터는 튜브의 초기 직경 및 인접 껍질 사이의 0.34nm 간격이다.
도 4a는 MWNT 내의 다양한 다른 층에 대한 실온에서의 G(Vg)를 도시한다. 초기에, MWNT는 9.5nm의 지름, n개의 껍질 및 금속성 G(Vg)를 가지고 있다. 도 4a는 세 개의 껍질을 제거한 후에 관측된 G(Vg)(402)에서의 심한 변화를 보여준다. 네 번째 층을 제거하면 금속성 G(Vg)(404)가 유발되고, 여섯 번째 껍질을 제거하면 또 다른 반도체성 G(Vg)가 유발된다(406). 이 변화는 제거되는 탄소 껍질의 변하는 특성의 지표로 해석된다.
특정 반도체성 껍질에 대해 G가 0으로 떨어지지 않는다는 사실은, 내부의 금속성 껍질이 계속해서 전도하기 때문이다. n-3 및 n-4 껍질은 이것을 증명한다: n-3 껍질에 대한 G(Vg) 곡선의 공핍 최소치는 하부의 n-4 껍질(408)의 컨덕턴스와 일치한다. 이 경우에 있어서, 외곽의, 반도체성 n-3 껍질은 게이트에 의해 완전히 공핍화될 수 있지만, 측정된 컨덕턴스는 하부의 금속성 껍집을 통한 누설을 포함한다. 추가적인 측정을 통해 이 누설이 낮은 온도에서 현격히 낮아지는 것을 알 수 있고, 낮은 바이어스 한계는 껍질 간 결합이 열적으로 활성화되는 것을 지시한다. MWNT 및 SWNT 로프를 점차적으로 얇게하는 것은, 예를 들어, 외견상의 직경에서의 변화 및 브레이크다운 단계의 수 사이의 선형 대응과 함께 원자력 및 스캐닝 전자 현미경을 이용해서 해결될 수 있다.
열 번째 탄소 껍질을 제거할 때, MWNT는 캐리어의 완전한 공핍으로 인해 심지어 실내 온도에서 "0" 컨덕턴스의 영역을 가진, 완전한, 진성 전계 효과 트랜지스터(FET)처럼 특성하기 시작한다(예를 들어, 도 4b 참조). 이용되는 SWNT가 강한 p-형이고 대칭 G(Vg) 특성을 가지지 않음에도 불구하고, 개개의 반도체성 SWNT에서 유사한 특성이 발견된다. MWNT의 완전한 공핍은 아무런 금속성 껍질이 남아있지 않다는 것을 나타내며, 이러한 공핍은 14번째 탄소 껍질이 제거될 때까지 계속되고, 그 때 MWNT 회로가 개방된다. 이 직경의 MWNT는 거의 0.34nm로 알려진 껍질 간 간격에 기초해서 껍질 하나씩 셀 때, 기껏해야 14개의 껍질을 가질 수 있다.
도 4b는 마지막 반도체성 껍질이 제거될 때 "0" 컨덕턴스 영역의 점차적인 증가를 보여준다. 이 영역의 폭은 각각 전자와 같은 그리고 홀과 같은 캐리어로 인한 갭 위 및 아래에서의 도전성을 가진, 반도체의 밴드 갭(결합을 깨기 위해 필요한 에너지)에 비례한다. 껍질을 깨기 위한 높은 전압 펄스의 이용으로 인해, 하부의 SiO2기판에서 포획된 전하의 약간의 재배열이 일어난다. 껍질 사이에서의 비교를 간단히 하기 위해, 도 4b에서 도시된 곡선은 Vg= 0 근처에 모여져 있다. 반도체성 탄소 나노튜브의 특성은, 밴드 갭 에너지가 직경에 반비례해서, 점차 작아지는 탄소 껍질은 더 큰 밴드 갭을 나타내고, 밴드 갭의 폭은 물질의 유형(도전체, 반도체, 절연체)을 결정한다는 것이다. 단지 초기의 MWNT 직경 및 껍질 간 간격을 이용해서, 최내곽 껍질의 밴드 갭 사이에서의 기대되는 비율이 계산될 수 있다. 도 4c에서 도시된 바와 같이, 이 비율은, 컨덕턴스 갭의 어느 한 쪽에서의 컨덕턴스 최고치에 의해 정의되고 도 4c에서 지시되는 바와 같이, 실험 비율과 일치한다.
도 5를 참조하면, 개개의 껍질의 손실 후에 MWNT를 재특성화함으로써, Ⅰ-V에 대한 각 껍질의 기여도가 결정될 수 있다. I-V의 연속적인 균일한 간격에 기초해서, 각 껍질은 동일한 전류에서 포화하고, 모든 껍질은 적당하고 높은 바이어스에서 전도에 기여한다. 점선은 취득되지 않는 I-V의 위치를 표시한다. 선택된 I-V의 반로그 플롯은 최내곽 껍질과 외부 전극 사이의 효과적인 장벽으로 인한 최내곽 껍질에 대한 지수적 I-V의 경향을 나타낸다. 유사한 장벽이 최외곽 껍질을 제외한 모든 껍질에서 비슷한 역할을 하는 것으로 보이며, 이것에 의해, 몇 몇 MWNT에서만 관측되는 비선형성이 유발된다.
도 5는, 단지 하나의 껍질이 남을 때까지, n, n-1, n-2 등 껍질을 효과적으로 재특성화하면서, 일련의 높은 바이어스 전류-전압(I-V) 특성을 도시한다. 높은 바이어스 I-V는 파괴적인 산화를 억제하기 위해, 고 진공, 예를 들어, 1 밀리바(millibar) 또는 불활성 환경에서 얻어야 한다. 각 곡선 사이에서, MWNT는 제어 가능하게 단일 탄소 껍질을 제거하기 위해 공기 중에 노출된다. 네 개 프로브 및 두 개 프로브 측정은 각 나노튜브에 대한 접촉 저항(Rc)를 측정하기 위해 주기적으로 비교되었다. 여기에서 도시된 데이터는 일련의 측정에 걸쳐 수 kOhms의 일정한 Rc를 나타내는 샘플에 대한 것이다. 여기에서 설명한 껍질 하나씩에 대한 메커니즘에 반대하여, 높은 Rc를 가진 샘플은 접촉시 파손되는 성향이 있다. 각 I-V는, 개개의 SWNT에서 관측되는 것과 유사하지만, 훨씬 더 높은 전류에서, 지속적으로 증가하는 바이어스에서 전류 포화를 나타낸다. 도 3에 따르면, MWNT로부터 각 껍질을 제거하면 대략 20㎂의 고정 양만큼 이러한 포화 수준을 감소시키는 것으로 나타난다. 이 단계별 감소는 높은 분명하게 바이어스를 나타내며, MWNT 껍질의모두는 균일하게 전송 및 포화하는 것에 기여한다.
전류 포화 값의 감소 이외에, 도 5에서의 일련의 I-V는 껍질이 제거될 때 비선형성이 증가하는 것도 나타내고 있다. 선택된 I-V의 반로그 플롯은 선형 I-V로부터 V0= 0.50V인 I = A exp(V/V0) 형태의 지수적 특성으로의 경향을 나타낸다. 터널링 장벽이 최내곽 껍질의 I-V를 제어하는 것이 명백한데, 이는 껍질들이 다수의 흑연 층으로 구성된 장벽을 통해서 외부 전극에 결합할 수 있기 때문일 것이다. 전극과 직접적으로 접촉하지 않는 중간 껍질에 대해, 측정된 I-V의 특이한 형태는 나노튜브의 고유의, 세로 I-V 특성과 관련된 깊이-의존적 장벽(depth-dependent barrier)에 기인한 것으로 정성적으로 이해될 수 있다. 이러한 일련의 장벽에 의해 도 5에서 도시된 전류 포화에 도달하기 위해 요구되는 바이어스의 점차적인 증가를 설명할 수 있다. 또한, 여기에서 관측된 선형으로부터 비선형 I-V로의 변화 및 문헌에서 보고되는 풍부한 유사한 비선형 I-V는 전송 실험 장치가 자주 MWNT의 전류 운반 탄소 껍질과 직접 접촉하지 않지만, 오히려 투과 전자 현미경(transmission electron microscopy)에 의해 일반적으로 관측되는 부분 불완전 껍질과 접촉한다는 것을 시사한다.
도 4a, 4b, 4c 및 5는 MWNT 껍질의 변하는 속성을 확실히 하고, 이 껍질 사이의 결합을 정성적으로 설명하며, 전체적인 컨덕턴스에 대한 단일 껍질의 기여를 차단하려고 한다. 지금까지, 이론과 실험은 이 쟁점에 대해 나뉘어져 왔었다. 한편으로는, MWNT가 너무 복잡해서 이론적으로 실제에 가깝게 모델링할 수 없고, 다른 한 편으로는 어떠한 실험 장치도 내부 탄소 껍질을 직접 탐지할 수 없었다. 여기에서 소개되는 제어되는 브레이크다운의 강력한 기술은 이 복잡한 전도체의 전송 특성에 대한 새로운 통찰을 제공하는 능력을 가지고 있다. 또한, MWNT는 다른 밴드 갭을 가진 금속과 반도체 사이에서 선택적으로 변환될 수 있다.
MWNT에 대해 설명한 방법은 SWNT 로프에 적용될 수 있다. MWNT 및 SWNT가 모두 합성 나노튜브임에도 불구하고, SWNT는 몇 가지 차이점을 보인다. 예를 들어, 로프 내의 다수의 SWNT는, 잠재적으로 산화하는 환경과 접촉할 수 있고, MWNT에서 관측되는 균일한 껍질 하나씩의 파손(도3 참조) 보다 다수의 탄소 껍질의 동시 파손을 가능하게 한다. 또한, 로프 내의 SWNT는 MWNT의 껍질 만큼 효과적으로 서로 정전기적으로 차폐하지 못한다. 그 결과, 로프에서의 브레이크다운은 캐리어의 반도체성 SWNT를 제거하는 것에 의해 단지 금속성 SWNT에서 조정될 수 있다(이 경우에 있어서, Vg는 캐리어의 우세하게 p-형인 SWNT를 공핍화하기 위해 응력을 가하는 동안 +10V로 유지된다). 탄소 기반 SWNT에서의 캐리어 밀도는 약 100 내지 약 1000 전자/:m 범위일 수 있다. 또 다른 차이는 작은 로프내의 각 SWNT는 외부 전극에 독립적으로 연결된다는 것이다. 그러므로, MWNT에 대해서보다 더 그러하게, 로프는 총 컨덕턴스 G(Vg) = Gm+ Gs(Vg)를 가진 독립적, 평형 전도체로 모델링될 수 있고, 여기서 Gm은 금속성 나노튜브의 기여 부분이고 Gs는 반도체성 나노튜브의 게이트-의존 컨덕턴스(gate-dependent conductance)이다.
도 6a 및 6b를 참조하면, 다발을 동시에 게이팅(gating)하면서 반도체성 및금속성 SWNT의 혼합을 포함하는 SWNT 로프에 응력을 가함으로써, 반도체는 금속성 SWNT의 선택적 브레이크다운에서 캐리어가 고갈된다. 초기 SWNT 다발(602 및 606)은 금속성 및 반도체성 SWNT 모두를 포함하지만, 얇게 된 SWNT 다발(thinned SWNT bundles)(604 및 608)은 반도체성 SWNT의 비율이 더 높다. 마찬가지로, MWNT의 반도체성 나노튜브 껍질은 SWNT에 대한 방법과 유사한 방법을 이용해서 껍질로부터 캐리어가 공핍화되면서 효과적으로 절연될 수 있다. 그러므로 MWNT의 브레이크다운은 소정의 특성(예를 들어, 금속성 또는 반도체성)을 나타내도록 제어될 수 있다. 합성 나노튜브의 선택적 브레이크다운은 게이트 전압에 대한 금속성 및 반도체성 나노튜브의 상대적 의존성으로 설명될 수 있다. 금속성 나노튜브의 컨덕턴스는 게이트 전압에 거의 의존하지 않음을 나타내지만, 반도체성 나노튜브의 컨덕턴스는 게이트 전압에 매우 의존함을 나타낸다.
그러므로, 도 6a 및 6b에서 도시된 바와 같이, 양의 게이트 전압에서, SWNT의 컨덕턴스는 0에 접근하는 반면에, 음의 게이트 전압에서, 컨덕턴스는 캐리어가 추가됨에 따라 증가한다. 도 6a 및 6b는 각각 제어된 브레이크다운 전후의 두 개의 작은 SWNT 로프에 대한 G(Vg)를 도시한다. 교란되지 않은 샘플은 MWNT에 대한 경우와 매우 유사하게, 게이트 전극에 의해 부분적으로 변화될 수 있는 컨덕턴스를 가진다. 로프에서의 금속성 SWNT가 파괴될 때, 하부의 컨덕턴스 Gm은 0으로 감소한다. 반면, Gs한도는 변하지 않는다. 브레이크다운 프로세스 동안 반도체성 SWNT로부터 캐리어를 고갈하는 것에 의해 손상으로부터 효과적으로 보호될 수 있다는것을 측정을 통해 알 수 있다. 이러한 결과는 로프 내에서의 다른 SWNT 사이에서 전자 상호 작용이 적다는 것을 암시한다. G(Vg)의 온도 의존성에서의 변화를 측정함으로써 상호 작용의 문제를 나타낼 수 있었고, 어떤 에너지 범위에서 그러한 상호 작용이 중요해지는지를 결정할 수 있었다.
영향을 받지 않는 반도체성 SWNT에 있어서, G(Vg) 곡선은 금속성 SWNT의 기여에 따라 아래 방향으로 완만하게 이동된다. 도 6c를 참조하면, 심지어 수백 개의 SWNT를 포함하는 매우 큰 로프에 대해서도, 이 샘플은 FET로 효과적으로 변환될 수 있다. 그러나, 이 경우에 있어서 Gm은 점진적으로 감소하여 0에 도달하기 전에 멈추고, 그것은 아마 로프의 중심에서의 금속성 SWNT가 반도체성 SWNT에 의해 둘러싸이기 때문이다. 이러한 약하게 결합된 금속성 SWNT이 궁극적으로 파괴되면 더 높은 전압이 요구되고 일부의 주변 반도체성 SWNT가 희생될 수 있다. 결과적으로, 다수의 반도체성 채널 및 큰, 초기 변화 Gs> 10㎲를 가진 로프는 단지 Gs∼ 1㎲를 가진 FET를 형성할 수 있다.
제어되는 브레이크다운 기술은, MWNT 및 SWNT 상호 작용의 연구에 유용한 것 이외에, 나노튜브-기반 전자 장치의 제조에 매우 가치있다. 지금까지, SWNT FET는 개별적으로 제조되어 왔다. 일반적으로, 표면 덮임율이 매우 낮음으로, 기껏해야 하나의 SWNT가 이 밀도에서 소스 및 드레인을 연결하고, 대부분 회로는 단선이 된 채 남아 있는 경우가 많지만, 일부는 반도체성 SWNT를 가지며 다른 일부는 금속성 SWNT를 갖는다.
이 기술이 SWNT 특성의 초기 특성화를 위해 가치있다고 증명되어 왔지만, 실제의 경우 다수의 장치를 병렬적으로 안정하게 생성할 필요가 있다. 조밀한 FET를 얻기 위해서는, 예를 들어, 모든 소망의 위치를 상호 연결하는 데 충분한 밀도의 순수한 반도체성 SWNT를 필요로 한다. 나노튜브는 화학 기상 증착에 의한 인-시투(in-situ) 성장이나 엑시-시투(ex-situ) 성장 및 증착 등의 기존의 기술에 의해 제공될 수 있다. 표면 밀도가 높아지면 다수의 SWNT 및 SWNT 로프는 SWNT 특성의 변화성으로 인해, 반도체성 채널로서 쓸모없는, 금속성 튜브가 우위를 점하게 된다. 현재, 순수한 반도체성 SWNT의 합성을 위한 방법이나, SWNT 혼합물로부터 반도체성 SWNT를 분리하기 위한 방법은 알려진 바 없다.
도 7a를 참조하면, 표준 리소그래피를 이용해서 제조된 독립적으로 어드레싱할 수 있는 SWNT FET의 작은 어레이가 도시되어 있다. 금속성 패드(예를 들어, 701)의 어레이가 제공되고, 각 패드는 소스(704), 드레인(706), 또는 게이트 전극(702)를 포함한다. 이 패드용 기판은 어떠한 절연 물질이어도 되며, 바람직하게는 실리카 기반인 것이 좋다. 기판 및 금속성 패드의 조합은 나노튜브용 기판이라고 한다. 각각의 FET는 소스, 드레인, 게이트 및 소스와 드레인을 연결하는 적어도 하나의 나노튜브를 포함한다. 나노튜브는 대응하는 드레인에 각 소스를 연결하기 위해 제공된다. 도 7b를 참조하면, 게이트 산화물(708)은 전극(704, 706)으로부터 게이트(702)를 분리한다. SWNT 밀도는 장치 사이의 원하지 않는 연결을 최소화하는 반면에 적어도 하나의 로프(예를 들어, 710)가 모든 전극 세트를 단선하는 것을 확실히 하도록 조절될 수 있다. 바람직하게는, 나노튜브, 예를 들어, 단분자층보다 작거나 100% 덮임율이므로 두께가 없다고 볼 수 있어 그 밀도는 거의 무시할 수 있다. 일부의 결과는 1 퍼센트 보다 작은 밀도가 각 소스-드레인 쌍이 적어도 하나의 나노튜브에 의해 연결된다는 것을 보증하기에 충분하다는 것을 보여주고 있다. 그러나, 기판의 1 퍼센트의 약 1/10 만큼 작은 밀도도 어레이에서의 각 소스-드레인 쌍에 대해 연결할 수도 있다. 소스 및 드레인 전극(예를 들어, 710) 사이의 로프는 금속성 나노튜브의 선택적인 브레이크다운에 의해 FET로 변환되고, 반면에 스트레이 나노튜브는 완전한 브레이크다운에 의해 완전히 제거되었다.
이들 로프는 금속성 성분 때문에 초기에는 스위칭 특성이 거의 없거나 전혀 없으나, 도 6d에 나타난 바와 같이, 우수한 FET 특성을 가진 최종 장치를 안정적으로 얻을 수 있다. 일부의 결과는 불규칙한 개시재(starting material)로부터 90% 이상의 확실성으로 SWNT FET를 생성할 수 있다는 것을 나타낸다. 도 6d는 하나 이상의 SWNT 로프를 포함하는 32개의 장치에 대한 결과를 요약한다. 변형(예를 들어, 610) 전에는, 개개의 로프의 컨덕턴스는 접촉 효과뿐만 아니라 로프 크기의 분포로 인해 광범하게 변하고, 매우 적은 장치가 게이트에 의해 실질적으로 공핍화될 수 있다.
금속성 SWNT를 쪼갤 때에, 각 로프의 컨덕턴스는 감소하지만 남아있는 채널은 오로지 반도체성이고 완전하게 공핍화될 수 있다. 결과로서 생기는 장치는 접촉 저항에 의해 주로 제한되는 적절한 FET 특성을 갖는데, 개별적으로 어드레싱하기는 어렵다. 다수의 작은 SWNT 다발은 화학 기상 성장에 의해 제조될 수 있고 큰 SWNT 다발에서의 문제점을 완화시킬 수 있으며, 뛰어난 도전성과 스위칭 비율을 갖는 FET를 형성할 수 있다.
본 출원은 탄소 나노튜브의 특정 시스템에 중점을 두었지만, 동일한 원리가 다양한 분자 전자 시스템에 넓게 적용될 수 있다. 일반적으로, 분자 장치의 어레이는 나노미터 크기에서의 실제 제어에 대한 필요 없이, 외부 전기적 수단을 이용한 설계로 생산될 수 있다. 임의의 변형에 의해 랜덤 혼합으로부터 유용한 전자 소자의 정의가 가능하게 된다. 이 해결책이 탄소 나노튜브 고유의 변화의 문제를 해결하기 위해 적용되었지만, 당업자는 본 명세서의 교시 내용에 의해 다른 분자의 혼합물을 사용해서도 유사한 결과를 이룰 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
전기 브레이크다운을 이용해서 탄소 나노튜브 및 나노튜브 회로를 처리하기 위한 시스템 및 방법의 실시례를 설명하였지만, 상기 교시 내용에 의해 당업자가 변형 및 수정을 행할 수 있다는 것을 주목해야 한다. 그러므로 개시된 본 발명의 특정 실시예에서 변경이 가해질 수 있으나, 이것은 첨부된 청구항에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 범위 및 정신 내에 있다는 것을 이해하여야 한다. 따라서, 상세한 설명에 의해 본 발명을 설명하였지만, 특허법에 의해 특히 요구되고 특허권에 의해 보호받기를 원하는 사항은 첨부한 청구항에 기재하고 있다.

Claims (12)

  1. 기판을 구비하는 단계;
    기판과 접촉하는 다수의 나노튜브를 구비하는 단계; 및
    전류를 이용해서 나노튜브를 선택적으로 쪼개는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 절연 기판인 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 반도체성 나노튜브로부터 다수의 캐리어를 공핍화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반도체성 나노튜브로부터 다수의 캐리어를 공핍화하는 단계는 상기 기판 상의 게이트 전극에 전압을 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 나노튜브를 통해서 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전류를 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 다수의 나노튜브는 금속성 및 반도체성 나노튜브를 포함하는 단일벽 나노튜브 로프 또는 다중벽 나노튜브인 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 나노튜브를 선택적으로 쪼개는 단계는 외곽 금속성 나노튜브를 쪼개는 것, 또는 적어도 하나의 금속성 나노튜브를 쪼개는 것 또는 다수의 스트레이 나노튜브(stray nanotube)를 쪼개는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 나노튜브는 탄소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
  9. 나노튜브의 혼합물을 구비하는 단계; 및
    상기 혼합물에 전류를 가해서 상기 나노튜브 혼합물의 선택적 브레이크다운을 유도하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 적어도 하나의 특성을 변형하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 반도체성 나노튜브로부터 다수의 캐리어를 공핍화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 적어도 하나의 특성을 변형하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전류가 금속성 나노튜브를 선택적으로 쪼개는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 적어도 하나의 특성을 변형하는 방법.
  12. 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 절연 기판을 구비하는 단계;
    상기 기판과 접촉하는 금속성 및 반도체성 성분 나노튜브를 포함하는 다수의 탄소 나노튜브 다발을 구비하는 단계 - 상기 나노튜브는 약 1 퍼센트 덮임율의 밀도로 구비됨 - ;
    상기 게이트 전극에 전압을 가해서 반도체성 성분 나노튜브로부터 다수의 캐리어를 공핍화하는 단계;
    상기 나노튜브를 통해서 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전류를 가하는 단계; 및
    전계 효과 트랜지스터를 형성하기 위하여 적어도 하나의 금속성 성분 나노튜브를 쪼개는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 형성 방법.
KR1020037007987A 2001-01-03 2001-12-21 나노 구조물의 브레이크다운을 전기적으로 유도하기 위한시스템 및 방법 KR100621444B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/753,845 US6423583B1 (en) 2001-01-03 2001-01-03 Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes
US09/753,845 2001-01-03
PCT/GB2001/005715 WO2002054505A2 (en) 2001-01-03 2001-12-21 System and method for electrically induced breakdown of nanostructures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030068175A true KR20030068175A (ko) 2003-08-19
KR100621444B1 KR100621444B1 (ko) 2006-09-08

Family

ID=25032396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037007987A KR100621444B1 (ko) 2001-01-03 2001-12-21 나노 구조물의 브레이크다운을 전기적으로 유도하기 위한시스템 및 방법

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6423583B1 (ko)
EP (1) EP1350277B1 (ko)
JP (1) JP4099063B2 (ko)
KR (1) KR100621444B1 (ko)
CN (1) CN100347874C (ko)
AT (1) ATE526690T1 (ko)
CA (1) CA2431064C (ko)
IL (2) IL156523A0 (ko)
MY (1) MY127407A (ko)
TW (1) TW523797B (ko)
WO (1) WO2002054505A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668355B1 (ko) * 2006-02-16 2007-01-12 삼성전자주식회사 캐리어 트래핑 물질을 구비한 유니폴라 탄소나노튜브 및유니폴라 전계효과 트랜지스터
KR100847467B1 (ko) * 2003-10-17 2008-07-21 인텔 코포레이션 탄소 나노튜브 선별 방법 및 소자 형성 방법

Families Citing this family (276)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6515339B2 (en) * 2000-07-18 2003-02-04 Lg Electronics Inc. Method of horizontally growing carbon nanotubes and field effect transistor using the carbon nanotubes grown by the method
GB2382718B (en) * 2000-07-18 2004-03-24 Lg Electronics Inc Field effect transistor using horizontally grown carbon nanotubes
CA2442985C (en) * 2001-03-30 2016-05-31 The Regents Of The University Of California Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
JP2002341060A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Seiko Instruments Inc 複合電気部品、地板構造体及びこれを用いた電子時計
JP2003017508A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Nec Corp 電界効果トランジスタ
US7259410B2 (en) * 2001-07-25 2007-08-21 Nantero, Inc. Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US7566478B2 (en) * 2001-07-25 2009-07-28 Nantero, Inc. Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US7563711B1 (en) * 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
US6919592B2 (en) * 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6574130B2 (en) * 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US7385262B2 (en) * 2001-11-27 2008-06-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Band-structure modulation of nano-structures in an electric field
US6784028B2 (en) 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
KR100837393B1 (ko) * 2002-01-22 2008-06-12 삼성에스디아이 주식회사 탄소와 친화도가 높은 금속을 전극으로 구비하는 전자소자
US20030186059A1 (en) * 2002-02-08 2003-10-02 Masukazu Hirata Structure matter of thin film particles having carbon skeleton, processes for the production of the structure matter and the thin-film particles and uses thereof
JP5165828B2 (ja) * 2002-02-09 2013-03-21 三星電子株式会社 炭素ナノチューブを用いるメモリ素子及びその製造方法
US6515325B1 (en) * 2002-03-06 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Nanotube semiconductor devices and methods for making the same
US7392230B2 (en) * 2002-03-12 2008-06-24 Knowmtech, Llc Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology
US6889216B2 (en) * 2002-03-12 2005-05-03 Knowm Tech, Llc Physical neural network design incorporating nanotechnology
US20040039717A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Alex Nugent High-density synapse chip using nanoparticles
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology
US7398259B2 (en) * 2002-03-12 2008-07-08 Knowmtech, Llc Training of a physical neural network
US7412428B2 (en) * 2002-03-12 2008-08-12 Knowmtech, Llc. Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks
US8156057B2 (en) * 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
US6891227B2 (en) * 2002-03-20 2005-05-10 International Business Machines Corporation Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
DE10217362B4 (de) * 2002-04-18 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Gezielte Abscheidung von Nanoröhren
JP4974263B2 (ja) * 2002-05-20 2012-07-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US7752151B2 (en) * 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
JP3933664B2 (ja) * 2002-08-01 2007-06-20 三洋電機株式会社 光センサ、光センサの製造方法および駆動方法、ならびに光強度検出方法
US7827131B2 (en) * 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
CN100411979C (zh) * 2002-09-16 2008-08-20 清华大学 一种碳纳米管绳及其制造方法
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
EP1547139A4 (en) 2002-09-30 2009-08-26 Nanosys Inc MACRO-ELECTRONIC SUBSTRATE WITH HIGH NANO-ACTIVATION SURFACE AREA AND USES THEREOF
US7051945B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7619562B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
CN102569349A (zh) * 2002-09-30 2012-07-11 纳米系统公司 使用纳米线晶体管的集成显示器
CA2499950A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
JP5025132B2 (ja) 2002-10-29 2012-09-12 プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ カーボンナノチューブ素子の製造
US7253434B2 (en) 2002-10-29 2007-08-07 President And Fellows Of Harvard College Suspended carbon nanotube field effect transistor
JP4251268B2 (ja) * 2002-11-20 2009-04-08 ソニー株式会社 電子素子及びその製造方法
JP4501339B2 (ja) * 2002-11-29 2010-07-14 ソニー株式会社 ｐｎ接合素子の製造方法
US6933222B2 (en) * 2003-01-02 2005-08-23 Intel Corporation Microcircuit fabrication and interconnection
KR100881201B1 (ko) * 2003-01-09 2009-02-05 삼성전자주식회사 사이드 게이트를 구비하는 소노스 메모리 소자 및 그제조방법
US8937575B2 (en) 2009-07-31 2015-01-20 Nantero Inc. Microstrip antenna elements and arrays comprising a shaped nanotube fabric layer and integrated two terminal nanotube select devices
US9574290B2 (en) 2003-01-13 2017-02-21 Nantero Inc. Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films
US7858185B2 (en) * 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
AU2003205098A1 (en) * 2003-01-13 2004-08-13 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6762073B1 (en) 2003-02-24 2004-07-13 Donald P. Cullen Method of fabricating electronic interconnect devices using direct imaging of dielectric composite material
GB0304623D0 (en) * 2003-02-28 2003-04-02 Univ Surrey Methods for the fabrication of nanoscale structures and semiconductor devices
US7641863B2 (en) * 2003-03-06 2010-01-05 Ut-Battelle Llc Nanoengineered membranes for controlled transport
US7335344B2 (en) * 2003-03-14 2008-02-26 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for synthesizing filamentary structures
US7294877B2 (en) 2003-03-28 2007-11-13 Nantero, Inc. Nanotube-on-gate FET structures and applications
WO2004088719A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Nantero, Inc. Nanotube-on-gate fet structures and applications
CA2525810A1 (en) * 2003-05-14 2005-03-03 Nantero, Inc. Sensor platform using a horizontally oriented nanotube element
US7274064B2 (en) * 2003-06-09 2007-09-25 Nanatero, Inc. Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
TW200518337A (en) * 2003-06-09 2005-06-01 Nantero Inc Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
US7750285B2 (en) 2003-07-18 2010-07-06 Japan Science And Technology Agency Optical sensor including photoconductive material and carbon nanotube
US7426501B2 (en) * 2003-07-18 2008-09-16 Knowntech, Llc Nanotechnology neural network methods and systems
WO2005012172A2 (en) * 2003-07-29 2005-02-10 William Marsh Rice University Selective functionalization of carbon nanotubes
US7115960B2 (en) * 2003-08-13 2006-10-03 Nantero, Inc. Nanotube-based switching elements
JP2007502545A (ja) * 2003-08-13 2007-02-08 ナンテロ，インク． 複数の制御装置を有するナノチューブを基礎とする交換エレメントと上記エレメントから製造される回路
US7583526B2 (en) 2003-08-13 2009-09-01 Nantero, Inc. Random access memory including nanotube switching elements
US7289357B2 (en) 2003-08-13 2007-10-30 Nantero, Inc. Isolation structure for deflectable nanotube elements
US7416993B2 (en) * 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7375369B2 (en) 2003-09-08 2008-05-20 Nantero, Inc. Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films
US7242041B2 (en) * 2003-09-22 2007-07-10 Lucent Technologies Inc. Field-effect transistors with weakly coupled layered inorganic semiconductors
US7347981B2 (en) * 2003-09-25 2008-03-25 The Penn State Research Foundation Directed flow method and system for bulk separation of single-walled tubular fullerenes based on helicity
US7378715B2 (en) 2003-10-10 2008-05-27 General Electric Company Free-standing electrostatically-doped carbon nanotube device
US6890780B2 (en) * 2003-10-10 2005-05-10 General Electric Company Method for forming an electrostatically-doped carbon nanotube device
GB0324189D0 (en) * 2003-10-16 2003-11-19 Univ Cambridge Tech Short-channel transistors
JP3944155B2 (ja) * 2003-12-01 2007-07-11 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
WO2005057665A1 (ja) * 2003-12-08 2005-06-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電界効果トランジスタ及び電気素子アレイ、並びにそれらの製造方法
US7374793B2 (en) * 2003-12-11 2008-05-20 International Business Machines Corporation Methods and structures for promoting stable synthesis of carbon nanotubes
US7038299B2 (en) * 2003-12-11 2006-05-02 International Business Machines Corporation Selective synthesis of semiconducting carbon nanotubes
US20050167655A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 International Business Machines Corporation Vertical nanotube semiconductor device structures and methods of forming the same
US7211844B2 (en) * 2004-01-29 2007-05-01 International Business Machines Corporation Vertical field effect transistors incorporating semiconducting nanotubes grown in a spacer-defined passage
US7528437B2 (en) * 2004-02-11 2009-05-05 Nantero, Inc. EEPROMS using carbon nanotubes for cell storage
US7829883B2 (en) * 2004-02-12 2010-11-09 International Business Machines Corporation Vertical carbon nanotube field effect transistors and arrays
US7253431B2 (en) 2004-03-02 2007-08-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for solution processed doping of carbon nanotube
JP2008505044A (ja) * 2004-03-26 2008-02-21 フォスター−ミラー，インコーポレーテッド 電解析出によって製造されたカーボンナノチューブに基づく電子デバイス及びその応用
US7508039B2 (en) * 2004-05-04 2009-03-24 State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University Carbon nanotube (CNT) multiplexers, circuits, and actuators
WO2005124888A1 (en) * 2004-06-08 2005-12-29 President And Fellows Of Harvard College Suspended carbon nanotube field effect transistor
US7709880B2 (en) * 2004-06-09 2010-05-04 Nantero, Inc. Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element
US7164744B2 (en) 2004-06-18 2007-01-16 Nantero, Inc. Nanotube-based logic driver circuits
US7167026B2 (en) * 2004-06-18 2007-01-23 Nantero, Inc. Tri-state circuit using nanotube switching elements
US7288970B2 (en) * 2004-06-18 2007-10-30 Nantero, Inc. Integrated nanotube and field effect switching device
US7329931B2 (en) * 2004-06-18 2008-02-12 Nantero, Inc. Receiver circuit using nanotube-based switches and transistors
US7161403B2 (en) 2004-06-18 2007-01-09 Nantero, Inc. Storage elements using nanotube switching elements
US7652342B2 (en) 2004-06-18 2010-01-26 Nantero, Inc. Nanotube-based transfer devices and related circuits
US7330709B2 (en) * 2004-06-18 2008-02-12 Nantero, Inc. Receiver circuit using nanotube-based switches and logic
US7109546B2 (en) * 2004-06-29 2006-09-19 International Business Machines Corporation Horizontal memory gain cells
JP2006049435A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sony Corp カーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置
US7462890B1 (en) 2004-09-16 2008-12-09 Atomate Corporation Nanotube transistor integrated circuit layout
US7776307B2 (en) * 2004-09-16 2010-08-17 Etamota Corporation Concentric gate nanotube transistor devices
US7943418B2 (en) * 2004-09-16 2011-05-17 Etamota Corporation Removing undesirable nanotubes during nanotube device fabrication
US7345296B2 (en) * 2004-09-16 2008-03-18 Atomate Corporation Nanotube transistor and rectifying devices
US8471238B2 (en) 2004-09-16 2013-06-25 Nantero Inc. Light emitters using nanotubes and methods of making same
EP1792320A4 (en) * 2004-09-21 2010-08-04 Nantero Inc RESISTIVE ELEMENTS USING CARBON NANOTUBES
US7233071B2 (en) * 2004-10-04 2007-06-19 International Business Machines Corporation Low-k dielectric layer based upon carbon nanostructures
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
US20070246784A1 (en) * 2004-10-13 2007-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Unipolar nanotube transistor using a carrier-trapping material
US7473943B2 (en) * 2004-10-15 2009-01-06 Nanosys, Inc. Gate configuration for nanowire electronic devices
US20100147657A1 (en) * 2004-11-02 2010-06-17 Nantero, Inc. Nanotube esd protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
EP1807919A4 (en) * 2004-11-02 2011-05-04 Nantero Inc DEVICES FOR PROTECTING ELECTROSTATIC DISCHARGES OF NANOTUBES AND NON-VOLATILE AND VOLATILE SWITCHES OF CORRESPONDING NANOTUBES
CA2585009C (en) 2004-11-24 2014-09-30 Nanosys, Inc. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films
US7560366B1 (en) 2004-12-02 2009-07-14 Nanosys, Inc. Nanowire horizontal growth and substrate removal
EP1825038B1 (en) * 2004-12-16 2012-09-12 Nantero, Inc. Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof
US8362525B2 (en) * 2005-01-14 2013-01-29 Nantero Inc. Field effect device having a channel of nanofabric and methods of making same
US7598544B2 (en) * 2005-01-14 2009-10-06 Nanotero, Inc. Hybrid carbon nanotude FET(CNFET)-FET static RAM (SRAM) and method of making same
US7502769B2 (en) * 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7409375B2 (en) * 2005-05-23 2008-08-05 Knowmtech, Llc Plasticity-induced self organizing nanotechnology for the extraction of independent components from a data stream
US20100065820A1 (en) * 2005-02-14 2010-03-18 Atomate Corporation Nanotube Device Having Nanotubes with Multiple Characteristics
KR101333936B1 (ko) * 2005-03-04 2013-11-27 노오쓰웨스턴 유니버시티 밀도 구배에 의한 탄소 나노튜브 분리
US7824946B1 (en) 2005-03-11 2010-11-02 Nantero, Inc. Isolated metal plug process for use in fabricating carbon nanotube memory cells
US9287356B2 (en) 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9390790B2 (en) 2005-04-05 2016-07-12 Nantero Inc. Carbon based nonvolatile cross point memory incorporating carbon based diode select devices and MOSFET select devices for memory and logic applications
US8000127B2 (en) 2009-08-12 2011-08-16 Nantero, Inc. Method for resetting a resistive change memory element
US8941094B2 (en) 2010-09-02 2015-01-27 Nantero Inc. Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer
US7468271B2 (en) 2005-04-06 2008-12-23 President And Fellows Of Harvard College Molecular characterization with carbon nanotube control
US8013363B2 (en) * 2005-05-09 2011-09-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8008745B2 (en) * 2005-05-09 2011-08-30 Nantero, Inc. Latch circuits and operation circuits having scalable nonvolatile nanotube switches as electronic fuse replacement elements
US7835170B2 (en) 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
US7782650B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8513768B2 (en) * 2005-05-09 2013-08-20 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9911743B2 (en) 2005-05-09 2018-03-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8183665B2 (en) * 2005-11-15 2012-05-22 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9196615B2 (en) * 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
TWI324773B (en) * 2005-05-09 2010-05-11 Nantero Inc Non-volatile shadow latch using a nanotube switch
US7394687B2 (en) * 2005-05-09 2008-07-01 Nantero, Inc. Non-volatile-shadow latch using a nanotube switch
US7479654B2 (en) 2005-05-09 2009-01-20 Nantero, Inc. Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
US8217490B2 (en) * 2005-05-09 2012-07-10 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7781862B2 (en) 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same
US7598127B2 (en) 2005-05-12 2009-10-06 Nantero, Inc. Nanotube fuse structure
TWI264271B (en) * 2005-05-13 2006-10-11 Delta Electronics Inc Heat sink
US7575693B2 (en) * 2005-05-23 2009-08-18 Nantero, Inc. Method of aligning nanotubes and wires with an etched feature
US7928521B1 (en) 2005-05-31 2011-04-19 Nantero, Inc. Non-tensioned carbon nanotube switch design and process for making same
US7915122B2 (en) * 2005-06-08 2011-03-29 Nantero, Inc. Self-aligned cell integration scheme
US7541216B2 (en) * 2005-06-09 2009-06-02 Nantero, Inc. Method of aligning deposited nanotubes onto an etched feature using a spacer
US7420396B2 (en) * 2005-06-17 2008-09-02 Knowmtech, Llc Universal logic gate utilizing nanotechnology
US20060292716A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Lsi Logic Corporation Use selective growth metallization to improve electrical connection between carbon nanotubes and electrodes
US7538040B2 (en) * 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers
US7599895B2 (en) 2005-07-07 2009-10-06 Knowm Tech, Llc Methodology for the configuration and repair of unreliable switching elements
US7687841B2 (en) * 2005-08-02 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Scalable high performance carbon nanotube field effect transistor
WO2007018542A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-15 The Regents Of The University Of California Local manipulation of nanostructures
US8525143B2 (en) * 2005-09-06 2013-09-03 Nantero Inc. Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications
AU2006347609A1 (en) 2005-09-06 2008-05-08 Nantero, Inc. Carbon nanotubes for the selective transfer of heat from electronics
WO2007030484A2 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Nanotube fabric-based sensor systems and methods of making same
WO2007030423A2 (en) 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Carbon nanotube resonators
WO2007038164A2 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Nanosys, Inc. Methods for nanostructure doping
US7492015B2 (en) * 2005-11-10 2009-02-17 International Business Machines Corporation Complementary carbon nanotube triple gate technology
EP1973845A4 (en) * 2005-12-19 2009-08-19 Nantero Inc PREPARATION OF CARBON NANOTUBES
JP5034231B2 (ja) * 2005-12-21 2012-09-26 富士通株式会社 カーボンナノチューブトランジスタアレイ及びその製造方法
JP5029600B2 (ja) * 2006-03-03 2012-09-19 富士通株式会社 カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及びセンサ
US7714386B2 (en) * 2006-06-09 2010-05-11 Northrop Grumman Systems Corporation Carbon nanotube field effect transistor
WO2008008648A2 (en) * 2006-06-29 2008-01-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Short channel vertical fets
CN104163413B (zh) * 2006-08-30 2016-08-24 西北大学 单分散单壁碳纳米管群体及其制造方法
US20080070331A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-20 Chuan Ke, Hsi-Tien Chang, Pu Shen Method for manufacturing a strongly refractive microlens for a light emitting diode with condensation silicone
WO2008039496A2 (en) 2006-09-27 2008-04-03 The Trustees Of Columbia University Growth and applications of ultralong carbon nanotubes
US8758717B2 (en) * 2006-10-19 2014-06-24 Rensselaer Polytechnic Institute Electrical current-induced structural changes and chemical functionalization of carbon nanotubes
US7786024B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
WO2008075642A1 (ja) * 2006-12-18 2008-06-26 Nec Corporation 半導体装置及びその製造方法
US8168495B1 (en) 2006-12-29 2012-05-01 Etamota Corporation Carbon nanotube high frequency transistor technology
US9806273B2 (en) * 2007-01-03 2017-10-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
KR101311301B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 나노와이어 트랜지스터와 그 제조방법
US20080238882A1 (en) * 2007-02-21 2008-10-02 Ramesh Sivarajan Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
US8110883B2 (en) 2007-03-12 2012-02-07 Nantero Inc. Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same
WO2009023304A2 (en) * 2007-05-02 2009-02-19 Atomate Corporation High density nanotube devices
TWI461350B (zh) * 2007-05-22 2014-11-21 Nantero Inc 使用奈米結構物之三極管及其製造方法
US8134220B2 (en) * 2007-06-22 2012-03-13 Nantero Inc. Two-terminal nanotube devices including a nanotube bridge and methods of making same
EP2183325A1 (en) * 2007-08-29 2010-05-12 Northwestern University Transparent electrical conductors prepared from sorted carbon nanotubes and methods of preparing same
JP5539210B2 (ja) * 2007-10-02 2014-07-02 プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ ナノポアデバイスのためのカーボンナノチューブ合成
CN101458599B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101464763B (zh) * 2007-12-21 2010-09-29 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101458596B (zh) * 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101458606B (zh) * 2007-12-12 2012-06-20 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101470558B (zh) * 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101655720B (zh) * 2008-08-22 2012-07-18 清华大学 个人数字助理
CN101470559B (zh) * 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458593B (zh) * 2007-12-12 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458605B (zh) * 2007-12-12 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触摸屏及显示装置
CN101458595B (zh) * 2007-12-12 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458603B (zh) * 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101676832B (zh) * 2008-09-19 2012-03-28 清华大学 台式电脑
CN101620454A (zh) * 2008-07-04 2010-01-06 清华大学 便携式电脑
CN101458597B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458600B (zh) * 2007-12-14 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458598B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458594B (zh) * 2007-12-12 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101419519B (zh) * 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101470560B (zh) * 2007-12-27 2012-01-25 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458609B (zh) * 2007-12-14 2011-11-09 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101419518B (zh) * 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458604B (zh) * 2007-12-12 2012-03-28 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458608B (zh) * 2007-12-14 2011-09-28 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101470566B (zh) * 2007-12-27 2011-06-08 清华大学 触摸式控制装置
CN101656769B (zh) * 2008-08-22 2012-10-10 清华大学 移动电话
CN101458602B (zh) * 2007-12-12 2011-12-21 清华大学 触摸屏及显示装置
EP2062515B1 (en) * 2007-11-20 2012-08-29 So, Kwok Kuen Bowl and basket assembly and salad spinner incorporating such an assembly
CN101458975B (zh) * 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
CN101458607B (zh) * 2007-12-14 2010-12-29 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464757A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458601B (zh) * 2007-12-14 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
US8574393B2 (en) * 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
CN101464764B (zh) * 2007-12-21 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464765B (zh) * 2007-12-21 2011-01-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触摸屏及显示装置
CN101470565B (zh) * 2007-12-27 2011-08-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464766B (zh) * 2007-12-21 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
JP2011522394A (ja) * 2007-12-31 2011-07-28 エータモタ・コーポレイション 端部接触型縦型カーボンナノチューブトランジスタ
KR100930997B1 (ko) * 2008-01-22 2009-12-10 한국화학연구원 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법 및 그에 의한탄소나노튜브 트랜지스터
US8659940B2 (en) * 2008-03-25 2014-02-25 Nantero Inc. Carbon nanotube-based neural networks and methods of making and using same
KR101410933B1 (ko) * 2008-04-11 2014-07-02 성균관대학교산학협력단 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑이온의 위치 제어방법 및 트랜지스터
CN101582449B (zh) * 2008-05-14 2011-12-14 清华大学 薄膜晶体管
CN101582382B (zh) * 2008-05-14 2011-03-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管的制备方法
CN101582450B (zh) * 2008-05-16 2012-03-28 清华大学 薄膜晶体管
CN101587839B (zh) * 2008-05-23 2011-12-21 清华大学 薄膜晶体管的制备方法
CN101582448B (zh) * 2008-05-14 2012-09-19 清华大学 薄膜晶体管
CN101582445B (zh) * 2008-05-14 2012-05-16 清华大学 薄膜晶体管
CN101599495B (zh) * 2008-06-04 2013-01-09 清华大学 薄膜晶体管面板
CN101582451A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 清华大学 薄膜晶体管
CN101582447B (zh) * 2008-05-14 2010-09-29 清华大学 薄膜晶体管
CN101582446B (zh) * 2008-05-14 2011-02-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管
CN101582444A (zh) * 2008-05-14 2009-11-18 清华大学 薄膜晶体管
CN101593699B (zh) * 2008-05-30 2010-11-10 清华大学 薄膜晶体管的制备方法
US8946683B2 (en) * 2008-06-16 2015-02-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
US8587989B2 (en) * 2008-06-20 2013-11-19 Nantero Inc. NRAM arrays with nanotube blocks, nanotube traces, and nanotube planes and methods of making same
US8237677B2 (en) * 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
US8390580B2 (en) * 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
CN101625466B (zh) * 2008-07-09 2012-12-19 清华大学 触摸式液晶显示屏
US8022393B2 (en) * 2008-07-29 2011-09-20 Nokia Corporation Lithographic process using a nanowire mask, and nanoscale devices fabricated using the process
WO2010019441A1 (en) 2008-08-14 2010-02-18 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube programmable logic devices and field programmable gate array
US9263126B1 (en) 2010-09-01 2016-02-16 Nantero Inc. Method for dynamically accessing and programming resistive change element arrays
CN101676452B (zh) * 2008-09-19 2011-11-30 清华大学 碳纳米管纱的制备方法
US7915637B2 (en) 2008-11-19 2011-03-29 Nantero, Inc. Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same
KR101026160B1 (ko) 2008-11-26 2011-04-05 한국원자력연구원 하이브리드형 나노소자 논리회로 및 그 제조 방법
KR101076767B1 (ko) 2009-02-11 2011-10-26 광주과학기술원 나노소자 논리회로 및 그 제조방법
CN101924816B (zh) * 2009-06-12 2013-03-20 清华大学 柔性手机
US8574673B2 (en) 2009-07-31 2013-11-05 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US8128993B2 (en) * 2009-07-31 2012-03-06 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US20110034008A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Nantero, Inc. Method for forming a textured surface on a semiconductor substrate using a nanofabric layer
US8351239B2 (en) * 2009-10-23 2013-01-08 Nantero Inc. Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array
US8895950B2 (en) 2009-10-23 2014-11-25 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US8551806B2 (en) * 2009-10-23 2013-10-08 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US9126836B2 (en) 2009-12-28 2015-09-08 Korea University Research And Business Foundation Method and device for CNT length control
US8222704B2 (en) * 2009-12-31 2012-07-17 Nantero, Inc. Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same
CN102834418B (zh) 2010-02-12 2016-09-28 南泰若股份有限公司 用于控制纳米管织物层和膜中的密度、孔隙率和/或间隙大小的方法
US20110203632A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Rahul Sen Photovoltaic devices using semiconducting nanotube layers
US10661304B2 (en) 2010-03-30 2020-05-26 Nantero, Inc. Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics
KR20170026652A (ko) 2010-03-30 2017-03-08 난테로 인크. 네트워크, 직물, 및 필름 내에서의 나노규모 요소의 배열 방법
EP2557567A1 (en) 2011-08-09 2013-02-13 Thomson Licensing Programmable read-only memory device and method of writing the same
CN103101898B (zh) * 2011-11-10 2015-05-20 中国科学院微电子研究所 金属性纳米管去除方法
US8664091B2 (en) * 2011-11-10 2014-03-04 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Method for removing metallic nanotube
US20130181352A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-18 Industry-Academic Cooperation Foundation at NamSeoul Unversity Method of Growing Carbon Nanotubes Laterally, and Lateral Interconnections and Effect Transistor Using the Same
US20130285019A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Postech Academy-Industry Foundation Field effect transistor and method of fabricating the same
CN104769661B (zh) 2012-11-05 2017-07-18 佛罗里达大学研究基金会有限公司 显示器中的亮度补偿
US9007732B2 (en) 2013-03-15 2015-04-14 Nantero Inc. Electrostatic discharge protection circuits using carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) devices and methods of making same
US9650732B2 (en) 2013-05-01 2017-05-16 Nantero Inc. Low defect nanotube application solutions and fabrics and methods for making same
WO2014191892A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Csir A field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors
US10654718B2 (en) 2013-09-20 2020-05-19 Nantero, Inc. Scalable nanotube fabrics and methods for making same
JP6256912B2 (ja) * 2013-11-12 2018-01-10 国立研究開発法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ
JP6300300B2 (ja) * 2013-11-12 2018-03-28 国立研究開発法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ
CN105097939B (zh) * 2014-04-24 2018-08-17 清华大学 薄膜晶体管
US9147824B1 (en) * 2014-05-08 2015-09-29 International Business Machines Corporation Reactive contacts for 2D layered metal dichalcogenides
US9741811B2 (en) 2014-12-15 2017-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
US9947400B2 (en) 2016-04-22 2018-04-17 Nantero, Inc. Methods for enhanced state retention within a resistive change cell
US9934848B2 (en) 2016-06-07 2018-04-03 Nantero, Inc. Methods for determining the resistive states of resistive change elements
US9941001B2 (en) 2016-06-07 2018-04-10 Nantero, Inc. Circuits for determining the resistive states of resistive change elements
US10665799B2 (en) * 2016-07-14 2020-05-26 International Business Machines Corporation N-type end-bonded metal contacts for carbon nanotube transistors
US10665798B2 (en) * 2016-07-14 2020-05-26 International Business Machines Corporation Carbon nanotube transistor and logic with end-bonded metal contacts
CN113130620B (zh) * 2020-01-15 2023-07-18 清华大学 场效应晶体管
CN113851536A (zh) * 2020-06-28 2021-12-28 华为技术有限公司 场效应晶体管及其制备方法、半导体结构

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1097857C (zh) * 1996-03-26 2003-01-01 三星电子株式会社 隧道效应器件及其制造方法
US6290861B1 (en) * 1997-07-15 2001-09-18 Silverbrook Research Pty Ltd Method of manufacture of a conductive PTFE bend actuator vented ink jet printer
US6203864B1 (en) * 1998-06-08 2001-03-20 Nec Corporation Method of forming a heterojunction of a carbon nanotube and a different material, method of working a filament of a nanotube
JP2904346B1 (ja) * 1998-06-08 1999-06-14 日本電気株式会社 カーボンナノチューブのヘテロ接合形成方法
KR100277881B1 (ko) * 1998-06-16 2001-02-01 김영환 트랜지스터
US6361861B2 (en) * 1999-06-14 2002-03-26 Battelle Memorial Institute Carbon nanotubes on a substrate
AU1347501A (en) * 1999-10-26 2001-05-08 Stellar Display Corporation Method of fabricating a field emission device with a lateral thin-film edge emitter
US7335603B2 (en) * 2000-02-07 2008-02-26 Vladimir Mancevski System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100847467B1 (ko) * 2003-10-17 2008-07-21 인텔 코포레이션 탄소 나노튜브 선별 방법 및 소자 형성 방법
KR100668355B1 (ko) * 2006-02-16 2007-01-12 삼성전자주식회사 캐리어 트래핑 물질을 구비한 유니폴라 탄소나노튜브 및유니폴라 전계효과 트랜지스터

Also Published As

Publication number Publication date
EP1350277B1 (en) 2011-09-28
IL156523A (en) 2007-05-15
JP4099063B2 (ja) 2008-06-11
MY127407A (en) 2006-11-30
US6706566B2 (en) 2004-03-16
US6423583B1 (en) 2002-07-23
WO2002054505A3 (en) 2002-11-14
WO2002054505A2 (en) 2002-07-11
CA2431064A1 (en) 2002-07-11
TW523797B (en) 2003-03-11
ATE526690T1 (de) 2011-10-15
CN1484865A (zh) 2004-03-24
US20020173083A1 (en) 2002-11-21
JP2004517489A (ja) 2004-06-10
KR100621444B1 (ko) 2006-09-08
EP1350277A2 (en) 2003-10-08
CN100347874C (zh) 2007-11-07
IL156523A0 (en) 2004-01-04
CA2431064C (en) 2006-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621444B1 (ko) 나노 구조물의 브레이크다운을 전기적으로 유도하기 위한시스템 및 방법
McEuen et al. Single-walled carbon nanotube electronics
Avouris et al. Carbon nanotube electronics
Martel et al. Ambipolar electrical transport in semiconducting single-wall carbon nanotubes
Bandaru Electrical properties and applications of carbon nanotube structures
Kasumov et al. Conductivity and atomic structure of isolated multiwalled carbon nanotubes
Graham et al. Carbon nanotubes for microelectronics?
Hong et al. Improved density in aligned arrays of single-walled carbon nanotubes by sequential chemical vapor deposition on quartz
Yao et al. Electrical transport through single-wall carbon nanotubes
Ngo et al. Electron transport through metal-multiwall carbon nanotube interfaces
Collins et al. Multishell conduction in multiwalled carbon nanotubes
Cao et al. Suspended carbon nanotube quantum wires with two gates
Lee et al. Room-temperature tunneling behavior of boron nitride nanotubes functionalized with gold quantum dots
Hofmann et al. Surface-sensitive conductance measurements
KR101062240B1 (ko) 전자소자 및 그 제조 방법
Lefebvre et al. Single-wall carbon nanotube based devices
H Khan et al. Variable range hopping in carbon nanotubes
Jang et al. Lateral growth of aligned mutilwalled carbon nanotubes under electric field
Collins et al. The electronic properties of carbon nanotubes
Moscatello et al. A simple scheme of molecular electronic devices with multiwalled carbon nanotubes as the top electrodes
Pawlowski et al. Electrical Interface between Carbon Nanotubes and Metallic Electrodes for Industrial Applications
Stahl et al. Investigation of the inter-tube coupling in single-wall nanotube ropes
Durkop Electronic properties of carbon nanotubes studied in field-effect transistor geometries
LIAO CE RTIFICATEOF CO MMITTEE AP PROVAL
Alamgir Near-Infrared Electroluminescence of Large Diameter Carbon Nanotubes

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100429

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee