KR20030067986A - 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 근접장용 광자기 기록 매체는 헤드의 주행성을 향상시키기 위해 윤활막을 사용함으로써, 연속적인 공정이 진행되지 않아 추가적인 공정 및 설비가 필요한 문제점이 있으며, 그 윤활막은 열적으로 안정하지 않아 레이저 조사에의해 가열되면 헤드를 오염시키는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 순차 적층된 제1유전체막, 기록층, 제2유전체막과, 상기 제2유전체막상에 위치하며 헤드와의 마찰에 의해 매체가 손상되는 것을 방지하는 제1다이아몬드 라이크 카본막과; 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막의 상측에 위치하며 제1다이아몬드 라이크 카본막보다 경도가 낮은 제2다이아몬드 라이크 카본막으로 구성되어 헤드의 주행성을 향상시키는 윤활막역할을 DLC막의 형성과 동일한 프로세스를 가지는 공정을 사용하여 일괄적으로 형성함으로써, 별도의 윤활막을 형성하지 않고도 헤드의 주행성을 향상시킴으로써, 제조공정을 단순화하고 생산의 효율성을 향상시키는 효과가 있다.

Description

근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법{NEAR FIELD MAGNETO-OPTICAL STORAGE MEDIA AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 다이아몬드 라이크 카본막이 윤활막 역할도 할 수 있게 하여 그 구조 및 제조방법을 단순화 할 수 있는 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 근접장용 광자기 기록 매체는 대용량, 고밀도 기록이 가능한 기록 매체로서, 최근 멀티미디어화에 따라 컴퓨터의 대용량 파일을 보존하거나, 동영상을 기록하기 위한 매체로 그 수요가 급증하고 있다.
종래 광자기 기록 매체는 플라스틱 기판에 기록막을 포함하는 다층막을 형성하고, 플라스틱 기판 측에서 레이저를 조사하여 데이터를 기록, 재생, 소거할 수 있는 구조를 가진다.
이때 레이저를 조사하는 광학 헤드를 기록막에 근접시키는 방식인 근접장 광기록 방식은 그 저장하는 데이터를 고밀도화 할 수 있는 수단이며, 이와 같은 종래 근접장용 광자기 기록 매체를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래 근접장용 광자기 기록 매체의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(1)과; 상기 기판(1)의 상부에 위치하는 반사막(2)과; 상기 반사막(2) 상에 위치하는 제1유전체막(3)과; 상기 제1유전체막(3) 상에 위치하며, 데이터를 저장하는 기록막(4)과; 상기 기록막(4)의 상부전면에 위치하는 제2유전체막(5)과; 상기제2유전체막(5) 상에서 보호막의 역할을 하는 다이아몬드 라이크 카본(DIAMOND LIKE CARBON 이하 DLC라 지칭함)막(6)과; 상기 DLC(6)의 상부측에서 헤드의 주행성을 향상시키는 윤활막(7)으로 구성된다.
이하, 상기와 같은 종래 근접장용 광자기 기록 매체의 구조 및 그 제조방법을 보다 상세히 설명한다.
먼저, 플라스틱 기판(1)의 상부에 Al을 40nm의 두께로 성막하여, 반사막(2)을 형성한다.
그 다음, 상기 반사막(2)의 상부에 제1유전체막(3)을 20nm의 두께로 성막하고, 그 상부에 TbFeCo박막을 25nm의 두께로 성막하여 데이터를 기록할 수 있는 기록층(4)을 형성한다.
그 다음, 상기 기록층(4) 상에 제2유전체막(5)을 30nm의 두께로 형성한다.
근접장용 광자기 기록 매체는 레이저빔을 조사하여 상기 기록층(4)을 큐리 온도 이상으로 올려, 슬라이더 헤드에 형성된 박막 코일등에 의해 자계를 변조시키면서 기록을 하는 방식으로 그 헤드에 의해 매체가 손상되는 것을 방지하는 수단이 있어야 한다.
이와 같은 기능의 실현을 위하여 상기 제2유전체막(5)의 상부에 DLC막(6)을 형성한다.
상기 DLC막(6)은 비결정질로서 sp3구조를 가지는 다이아몬드와 sp2구조를 가지는 graphite 성분을 함께가지고 있으며, sp3성분을 약 40%이상 가지고 있는 박막이다.
이는 매체의 손상을 방지하기 위해 높은 경도특성을 가지며, 광투과율이 상대적으로 우수한 박막이다.
그 다음, 상기 DLC막(6)의 상부에 윤활막(7)을 형성한다.
상기 윤활막(7)은 디핑(DIPPING) 또는 스핀코팅(SPIN COATING) 등의 방법으로 성막하기 때문에 상기 DLC막(6)을 형성한 후, 연속적인 공정이 불가능하며, 추가적인 공정 및 설비가 필요하게 된다.
또한, 상기 윤활막(7)은 레이저조사에 의해 국부적으로 200℃까지 온도가 상승하는 기록매체의 특성상 오염에 의해 헤드 표면에 이물질이 달라붙어 재생신호가 저하되는 문제점을 발생시킨다.
상기한 바와 같이 종래 근접장용 광자기 기록 매체는 헤드의 주행성을 향상시키기 위해 윤활막을 사용함으로써, 연속적인 공정이 진행되지 않아 추가적인 공정 및 설비가 필요한 문제점이 있으며, 그 윤활막은 열적으로 안정하지 않아 레이저 조사에의해 가열되면 헤드를 오염시키는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 윤활막을 사용하지 않고도 헤드의 주행성을 향상시킬 수 있는 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도1은 종래 근접장용 광자기 기록 매체의 단면도.
도2는 본 발명 근접장용 광자기 기록 매체의 단면도.
도3은 기판 바이어스 전압에 따른 DLC막의 경도변화 그래프.
도4는 기판 바이어스 전압에 따른 크리티컬 로드의 변화 그래프.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
1:기판2:반사판
3:제1유전체막4:기록막
5:제2유전체막6:제1DLC막
8:제2DLC막
상기와 같은 목적은 동일한 공정프로세스에서 일부의 조건만을 변경하여 그DLC막의 경도 특성을 변경하여, 그 DLC막을 고체 윤활막으로 사용함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 발명 근접장용 광자기 기록 매체의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(1)과; 상기 기판(1)의 상부에 위치하는 반사막(2)과; 상기 반사막(2) 상에 위치하는 제1유전체막(3)과; 상기 제1유전체막(3) 상에 위치하며, 데이터를 저장하는 기록막(4)과; 상기 기록막(4)의 상부전면에 위치하는 제2유전체막(5)과; 상기 제2유전체막(5) 상에서 보호막의 역할을 하는 제1DLC막(6)과; 상기 제1DLC(6)의 상부측에서 헤드의 주행성을 향상시키는 제2DLC막(8)으로 구성된다.
이하, 상기와 같은 본 발명 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법을 보다 상세히 설명한다.
먼저, 플라스틱 기판(1)의 상부에 Al계 합금을 성막하여 반사막(2)을 형성한다.
이때, Al계 합금은 공정압력이 3mTorr이며, Ar이 10sccm의 분위기에서 성막한다.
그 다음, 상기 반사막(2)의 상부에 제1유전체막(3)을 형성한다.
이때, 제1유전체막(3)은 Si3N4또는 알루미늄계 질화막을 사용할 수 있다.
상기 Si3N4을 사용하는 경우에는 공정압력이 7mTorr, Ar과 N2을 각각 10:1 sccm이며, RF전력을 500W로 인가하여 20nm의 두께로 형성한다.
그 다음, 상기 제1유전체막(3)의 상부에 TbFeCo를 3mTorr, Ar 10sccm의 분위기에서 25nm의 두께로 성막하여 기록층(4)을 형성한다.
그 다음, 상기 기록층(4)의 상부에 제2유전체막(5)을 30nm의 두께로 성막한다. 이때 제2유전체막은 반사방지(antireflection) 코팅으로 형성한다.
그 다음, 상기 제2유전체막(5)의 상부에 Ar가스 분위기에서 흑연타겟(GRAPHITE TARGET)을 이용하여 공정압력 5mTorr, 직류전원을 100W로 인가하며, 기판의 바이어스전압을 100V인가하여 10nm의 두께로 제1DLC막(6)을 성막한다.
성막된 제1DLC막(6)의 굴절율은 1.7~2.1정도가 되도록한다. 굴절율이 너무작으면 경도가 높아 헤드가 파손되는 문제가 있고, 너무 크면 막의 투명도가 저하된다.
또한 레이저 광이 반사되는 것을 방지하기 위해서도 제1DLC막(6)과 제2유전체막(5)의 굴절율차가 작은 것이 좋다.
이와 같은 공정조건으로 제1DLC막(6)을 형성한 후, 그 제1DLC막(6)의 상부에 제2DLC막(8)을 성막한다.
이때 제2DLC막(8)을 성막하는 공정조건은 기판의 바이어스 전압을 500V로 높여주며, 다른 공정조건은 그대로 유지한다.
도3은 기판 바이어스 전압의 변화에 따른 DLC막의 경도변화 그래프로서, 이에 도시한 바와 같이 기판 바이어스 전압이 0V에서 140V의 사이에서 증가하면 그 DLC막의 경도는 증가하게 된다.
그러나, 그 이상의 바이어스 전압을 인가하면 DLC막의 경도는 감소하게 된다. 이는 sp2성분의 증가에 의해 흑연성분이 증가되기 때문이며, 이와 같은 흑연성분의 증가에 의해 DLC막은 열적안정성이 높은 고체 윤활막으로 사용할 수 있게 된다.
상기 기판의 바이어스 전압의 변화에 따른 DLC막의 경도변화특성을 고려하여 제1DLC막(6)에 비하여 경도가 낮은 제2DLC막(8)을 형성하여, 이를 윤활막의 대용으로 사용하도록 한다.
상기 제1DLC막(6)과 제2DLC막(8)의 형성은 연속공정으로 진행이 가능하며, 기판 바이어스 전압의 변화로 용이하게 윤활막을 얻을 수 있게 된다.
또한, 도4는 기판 바이어스 전압에 따른 크리티컬 로드(CRITICAL LOAD)의 변화 그래프로서, 이에 도시한 바와 같이 기판 바이어스 전압의 증가에 따라 성막시 증착되는 카본 입자의 에너지가 증가되어 성막된 박막의 접착력이 증가함을 알 수 있다.
상기와 같은 공정으로 열적으로 안정한 고체 윤활막인 제2DLC막(8)을 획득할 수 있게 된다. 이는 상기 제2DLC막(8)은 그 구조가 트리코날(TRIGONAL)이며, 제1DLC막(6)은 테트라고날(TETRAGONAL) 구조의 본딩구조를 가지며, 그 경도가 높은 제1DLC막(6)을 사용하여 헤드에 의해 매체가 손상되는 것을 방지할 수 있고, 그 상측의 제2DLC막(8)을 사용하여 헤드의 주행성을 향상시키게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명은 헤드의 주행성을 향상시키는 윤활막역할을 DLC막의 형성과 동일한 프로세스를 가지는 공정을 사용하여 일괄적으로 형성함으로써, 별도의 윤활막을 형성하지 않고도 헤드의 주행성을 향상시킴으로써, 제조공정을 단순화하고 생산의 효율성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, DLC막의 공정조건의 일부만을 수정하여 열적으로 안정한 고체 윤활층을 형성함으로써, 레이저 조사에 의해 온도가 올라가는 경우에도 헤드가 이물로 오염되는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 순차 적층된 제1유전체막, 기록층, 제2유전체막과, 상기 제2유전체막상에 위치하며 헤드와의 마찰에 의해 매체가 손상되는 것을 방지함과 아울러 헤드의 이동성을 향상시키는 다층의 다이아몬드 라이크 카본막으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 다이아몬드 라이크 카본막은 상기 제2유전체막 상에 위치하여 매체가 손상되는 것을 방지하는 제1다이아몬드 라이크 카본막과; 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막의 상측에 위치하며 제1다이아몬드 라이크 카본막보다 경도가 낮은 제2다이아몬드 라이크 카본막으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막은 테트라고날(TETRAGONAL)의 본딩구조를 가지며, 제2다이아몬드 라이크 카본막은 트리코날(TRIGONAL)의 본딩구조를 가지는 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막과 제2다이아몬드라이크 카본막의 두께는 각각 10nm와 2nm인 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체.
  5. 기판의 상부에 제1유전체막, 기록층, 제2유전체막을 순차적으로 성막하는 단계와; 흑연 타겟을 이용하여 상기 제2유전체막의 상부에 제1다이아몬드 라이크 카본막을 기판의 바이어스 전압에 따른 경도변화를 고려하여 그 경도가 높은 조건의 바이어스 전압을 인가하여 성막하는 단계와; 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막을 기판의 바이어스 전압에 따른 경도변화를 고려하여 그 경도가 낮은 조건의 바이어스 전압을 인가하여 제2다이아몬드 라이크 카본막을 성막하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막을 형성할때 인가하는 기판 바이어스 전압은 100V이며, 제2다이아몬드 라이크 카본막을 형성할때 인가하는 기판 바이어스 전압은 500V인 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 제1다이아몬드 라이크 카본막과 제2다이아몬드 라이크 카본막을 형성하는 공정은 그 기판 바이어스 전압만을 변경하는 연속공정인 것을 특징으로 하는 근접장용 광자기 기록 매체 제조방법.
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