KR20030062272A - 처리액 조제 공급 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- 소자가 형성되는 기체(基體) 처리에 사용되는 처리액을 조제하여, 상기 처리액을 상기 기체의 처리 공정에 공급하는 방법에 있어서,상기 처리액의 고체 원료를 순수에 용해시켜 상기 처리액을 조제하는 조제 공정과,상기 처리액을 상기 기체의 처리 공정에 관로를 개재시켜 공급하는 공급 공정을 구비하고 있으며,상기 조제 공정에서는 상기 순수를 거의 항상 유통 또는 유동시키는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료의 상기 순수에의 용해를 조장 또는 촉진시키는 용해 조제를 상기 고체 원료와 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기체의 처리 공정이 상기 기체 상의 적층물을 에칭 처리하는 공정일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 처리액으로서 상기 적층물용 에칭액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 적층물이 투명 도전막일 때, 상기 조제 공정에서는, 상기 고체 원료로서 옥살산을 사용하고, 처리액으로서 옥살산 이온을 포함하는 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 4 항에 있어서,용해 조제로서 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠술폰산염, 퍼플루오르알킬술폰산, 및 퍼플루오르알킬술폰산염 중 적어도 어느 한 종류를 상기 옥살산과 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 적층물이 크롬을 포함하는 막일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료로서 질산 제 2 세륨암모늄을 사용하고, 처리액으로서 제 2 세륨 이온을 포함하는 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 6 항에 있어서,용해 조제로서 과염소산 및/또는 질산을 상기 질산 제 2 세륨암모늄과 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기체의 처리 공정이 상기 기체 상에 적층된 포토 레지스트를 현상하는 공정 또는 상기 포토 레지스트를 박리하는 공정일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 처리액으로서 상기 포토 레지스트의 현상액 또는 박리액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 고체 원료로서 알칼리 금속의 수산화물, 탄산염, 탄산수소염, 인산염, 규산염 및 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 중 적어도 한 종류의 화합물을 사용하여, 상기 처리액으로서 알칼리계 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기체의 처리 공정이 상기 기체 상에 금속을 도금하는 공정일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 처리액으로서 상기 금속의 도금액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 도금되는 금속이 구리일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료로서 황산구리를 사용하고, 상기 처리액으로서 구리 이온을 포함하는 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 11 항에 있어서,용해 조제로서 황산을 상기 황산구리와 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 소자가 형성되는 기체 처리에 사용되는 처리액을 조제하여, 상기 처리액을 상기 기체의 처리 공정에 공급하는 방법에 있어서,상기 처리액의 고체 원료를 순수에 용해시켜 상기 처리액을 조제하는 조제 공정과,상기 처리액을 상기 기체의 처리 공정에 관로를 개재시켜 공급하는 공급 공정을 구비하고 있으며,상기 조제 공정에서는 상기 순수 또는 상기 처리액의 미생물 농도가 상기 미생물 농도 초기치의 100배를 넘지 않도록 상기 순수를 연속적 또는 단속적으로 유통 또는 유동시키는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료의 상기 순수에의 용해를 조장 또는 촉진시키는 용해 조제를 상기 고체 원료와 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 기체의 처리 공정이 상기 기체 상의 적층물을 에칭 처리하는 공정일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 처리액으로서 상기 적층물용 에칭액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 적층물이 투명 도전막일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료로서 옥살산을 사용하여, 처리액으로서 옥살산 이온을 포함하는 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 16 항에 있어서,용해 조제로서 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠술폰산염, 퍼플루오르알킬술폰산 및 퍼플루오르알킬술폰산염 중 적어도 어느 한 종류를 상기 옥살산과 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 적층물이 크롬을 포함하는 막일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료로서 질산 제 2 세륨암모늄을 사용하여, 처리액으로서 제 2 세륨 이온을 포함하는 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 18 항에 있어서,용해 조제로서 과염소산 및/또는 질산을 상기 질산 제 2 세륨암모늄과 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 기체의 처리 공정이 상기 기체 상에 적층된 포토 레지스트를 현상하는 공정 또는 상기 포토 레지스트를 박리하는 공정일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 처리액으로서 상기 포토 레지스트의 현상액 또는 박리액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 고체 원료로서 알칼리 금속의 수산화물, 탄산염, 탄산수소염, 인산염, 규산염 및 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 중 적어도 한 종류의 화합물을 사용하여, 상기 처리액으로서 알칼리계 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 기체의 처리 공정이 상기 기체 상에 금속을 도금하는 공정일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 처리액으로서 상기 금속의 도금액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 도금되는 금속이 구리일 때, 상기 조제 공정에서는 상기 고체 원료로서 황산구리를 사용하여, 상기 처리액으로서 구리 이온을 포함하는 용액을 조제하는 처리액 조제 공급 방법.
- 제 23 항에 있어서,용해 조제로서 황산을 상기 황산구리와 상기 순수와의 혼합물에 첨가하는 처리액 조제 공급 방법.
- 소자가 형성되는 기체 처리에 사용되는 처리액이 조제되어, 상기 처리액을 상기 기체의 처리 장치에 공급하기 위한 장치에 있어서,상기 처리액의 고체 원료 및 순수가 공급되어, 상기 고체 원료가 상기 순수에 용해되어 이루어지는 상기 처리액이 조제되는 조제통과,상기 조제통에 접속되어 있으며, 또한, 상기 고체 원료를 저류하는 고체 원료 공급부와,상기 조제통에 접속되어 있으며, 또한, 상기 순수가 거의 항상 유통 또는 유동되는 순수 공급부와,상기 조제통과 상기 기체의 처리 장치에 접속되어 있으며, 상기 처리액이 상기 조제통으로부터 상기 기체의 처리 장치로 송급되는 관로를 구비하는 처리액 조제 공급 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 조제통에 접속되어 있으며, 상기 고체 원료의 상기 순수에의 용해를 조장 또는 촉진시키는 용해 조제를 저류하는 용해 조제 공급부를 부가로 구비하는 처리액 조제 공급 장치.
- 소자가 형성되는 기체 처리에 사용되는 처리액이 조제되어, 상기 처리액을 상기 기체의 처리 장치에 공급하기 위한 장치에 있어서,상기 처리액의 고체 원료 및 순수가 공급되어, 상기 고체 원료가 상기 순수에 용해되어 이루어지는 상기 처리액이 조제되는 조제통과,상기 조제통에 접속되어 있으며, 또한, 상기 고체 원료를 저류하는 고체 원료 공급부와,상기 조제통에 접속된 순수 공급부와,상기 조제통과 상기 기체의 처리 장치에 접속되어 있으며, 상기 처리액이 상기 조제통으로부터 상기 기체의 처리 장치에 송급되는 관로를 구비하고 있으며,상기 순수 공급부는 상기 순수 또는 상기 처리액의 미생물 농도가 상기 미생물 농도 초기치의 100배를 넘지 않도록 상기 순수가 연속적 또는 단속적으로 유통 또는 유동되는 것인 처리액 조제 공급 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 조제통에 접속되어 있으며, 상기 고체 원료의 상기 순수에의 용해를 조장 또는 촉진시키는 용해 조제를 저류하는 용해 조제 공급부를 부가로 구비하는 처리액 조제 공급 장치.
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